KR970077324A - 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법에 관한 것으로, 수분(H2O)의 생성을 방지하기 위하여 수소(H) 원자가 포함되지 않은 실리콘 소오스 가스 및 산소(O2)를 사용하므로써 막의 밀도 및 절연 특성이 향상되며, 금속층의 부식이 방지되어 소자의 신뢰성이 향상될 수 있는 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (3)
- 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법에 있어서, 수분의 생성을 방지하기 위하여 수소 원자가 포함되지 않은 실리콘 소오스 가스 및 산소를 사용하여 실리콘 산화막을 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 소오스 가스는 Si(NCO)4인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 산화막은 플라즈마 화학 기상 증착 방법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960017134A KR100231734B1 (ko) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019960017134A KR100231734B1 (ko) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR970077324A true KR970077324A (ko) | 1997-12-12 |
KR100231734B1 KR100231734B1 (ko) | 1999-11-15 |
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ID=19459297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019960017134A KR100231734B1 (ko) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR100231734B1 (ko) |
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1996
- 1996-05-21 KR KR1019960017134A patent/KR100231734B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR100231734B1 (ko) | 1999-11-15 |
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