KR960035813A - 접촉창의 정렬방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체 소자 제조 공정시 접촉창의 정력방법에 있어서, 활성영역을 갖는 반도체 기판(1) 상에 제1산화층(2)을 형성하는 단계; 산화층과 식각율이 다른 소정 식각 방지층(3)을 상기 제1산화층(2) 상에 형성하는 단계; 상기 식각 방지층(3)의 예정된 부위를 제거하여 정렬 허용 공간을 갖는 기본 접촉창을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 층간 절연을 위한 제2산화층(5)을 형성한 후, 접촉창 형성을 위한 식각 마스크(6)를 상기 제2산화층(5) 상에 형성하는 단계; 상기 식각 마스크(6)를 이용하여 제2산화층(5), 제1산화층(2)의 예정된 부위를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 정렬 허용 공간을 넘어서지 않는 범위 내에서 접촉창을 형성시킬 수 있으며, 접촉상 정렬 허용 공간이 부족한 경우, 오정렬에 따른 소자의 불량율을 감소시킬 수 있는 접촉창의 정렬방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1d도는 본 발명에 따른 접촉창의 정렬 과정도.
Claims (1)
- 고집적 반도체 소자 제조 공정시 접촉창의 정렬방법에 있어서, 활성영역을 갖는 반도체 기판 상에 제1산화층을 형성하는 단계; 산화층과 식각율이 다른 소정 식각 방지층을 상기 제1산화층 상에 형성하는 단계; 상기 식각 방지층의 예정된 부위를 제거하여 정렬 허용 공간을 갖는 기본 접촉창을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 층간 절연을 위한 제2산화층을 형성한 후, 접촉창 형성을 위한 식각 마스크를 상기 제2산화층 상에 형성된 단계; 상기 식각 마스크를 이용하여 제2산화층, 제1산화층의 예정된 부위를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉창의 정렬방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950005971A KR960035813A (ko) | 1995-03-21 | 1995-03-21 | 접촉창의 정렬방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950005971A KR960035813A (ko) | 1995-03-21 | 1995-03-21 | 접촉창의 정렬방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960035813A true KR960035813A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66549493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950005971A KR960035813A (ko) | 1995-03-21 | 1995-03-21 | 접촉창의 정렬방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960035813A (ko) |
-
1995
- 1995-03-21 KR KR1019950005971A patent/KR960035813A/ko not_active Application Discontinuation
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