KR960017554A - 수증기를 이용한 스핀온글래스막 식각 방법 - Google Patents
수증기를 이용한 스핀온글래스막 식각 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 불화수소와 수증기를 동시에 사용하여 SOG막을 식각하는 것을 특징으로 하는 SOG(4) 식각 방법, 및 SOG막(4)에 수증기를 주입하여 수분 확산영역(4′)을 형성하는 단계; 상기 수분 확산영역(4′)을 불화수소로 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 SOG막 식각 방법에 관한 것으로 SOG막에 수분을 공급함으로써 SOG막과 하부층의 플라즈마 산화막간의 높은 선택적 식각을 행할 수 있다. 또한 SOG막의 과도식각으로 인한 SOG막 하부의 다른 산화막의 손상을 방지할 수 있어 금속배선 형성시 비아홀의 불순물에 의한 전기적 특성 악화를 방지하여 소자의 신뢰성을 높이고 수율이 좋은 소자를 얻을 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (6)
- 수증기를 이용한 스핀온글래스(Spin On Glass; SOG)막 식각 방법에 있어서, 불화수소의 수증기를 동시에 사용하여 SOG막(4)를 식각하는 것을 특징으로 하는 SOG막 식각 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 SOG막의 식각 속도를 조절하기 위하여 불순물을 도핑하는 것을 특징으로 하는 SOG막 식각 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 불순물은 보론(B) 또는 인(P) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 SOG막 식각 방법.
- 수증기를 이용한 스필온글래스막 식각 방법에 있어서, SOG막(4)에 수증기를 주입하여 수분 확산영역(4′)을 형성하는 단계; 상기 수분 확산영역(4′)을 불화수소로 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 SOG막 식각 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 SOG막의 식각 속도를 조절하기 위하여 불순물을 도핑하는 것을 특징으로 하는 SOG막 식각 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 불순물은 보론(B) 또는 인(P) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 SOG막 식각 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940029734A KR960017554A (ko) | 1994-11-12 | 1994-11-12 | 수증기를 이용한 스핀온글래스막 식각 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940029734A KR960017554A (ko) | 1994-11-12 | 1994-11-12 | 수증기를 이용한 스핀온글래스막 식각 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960017554A true KR960017554A (ko) | 1996-06-17 |
Family
ID=66687386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940029734A KR960017554A (ko) | 1994-11-12 | 1994-11-12 | 수증기를 이용한 스핀온글래스막 식각 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960017554A (ko) |
-
1994
- 1994-11-12 KR KR1019940029734A patent/KR960017554A/ko not_active Application Discontinuation
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