KR940012574A - 소자분리용 절연막 형성방법 - Google Patents

소자분리용 절연막 형성방법 Download PDF

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KR940012574A KR1019920020455A KR920020455A KR940012574A KR 940012574 A KR940012574 A KR 940012574A KR 1019920020455 A KR1019920020455 A KR 1019920020455A KR 920020455 A KR920020455 A KR 920020455A KR 940012574 A KR940012574 A KR 940012574A
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기영종
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Abstract

본 발명은 고집적반도체 소자의 소자분리용 절연막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 트렌치 내에 BPSG막을 채워서 소자분리용 산화막을 형성할 때 BPSG막에 포함된 불순물이 외부로 확산되는 것을 방지하기 위하여 BPSG막 상부에 비정질 막과 TEOS막을 형성하는 기술이다.

Description

소자분리용 절연막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명에 의해 소자분리용 절연막을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 소자의 소자분리용 절연막 형성방법에 있어서, 실리콘 기판에 트렌치를 형성하고, 전면에 걸쳐 열산화막, 질화막 및 BPSG막을 각각 소정두께로 적층하는 단계와, 플로우 공정으로 상기 BPSG막을 평탄화 시킨다음, 실리콘 또는 게르마늄 원자를 이온주입하여 BPSG막 표면에 비정질막을 형성하는 단계와, 트렌치 외부에 있는 상기 비정질막과 BPSG막을 제거한 다음, 전체구조 상부에 TEOS막을 형성하는 단계와, 상기 TEOS막을 에치백하되, 질화막 상부면이 노출되기까지 식각하여 트렌치에 열산화막, 질화막, BPSG막, 비정질막 및 TEOS막에 채워서 소자분리용 절연막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 소자분리용 절연막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열산화막은 100-1000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 소자분리용 절연막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 질화막은 500-2000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 소자분리용 절연막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, BPSG막은 500-2000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 소자분리용 절연막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990074005A (ko) * 1998-03-05 1999-10-05 윤종용 웰 영역으로부터의 불순물 확산을 방지하는 트렌치 소자분리방법
KR100315452B1 (ko) * 1999-03-25 2001-11-28 황인길 반도체 소자 분리를 위한 얕은 트렌치 제조 방법
KR100425998B1 (ko) * 2001-12-27 2004-04-06 동부전자 주식회사 실리콘 섭스트레이트의 소자 분리 방법
KR100492790B1 (ko) * 1997-06-28 2005-08-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의소자분리절연막형성방법

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