KR930020633A - 반도체장치의 소자분리방법 - Google Patents
반도체장치의 소자분리방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체기판에 제1산화저지층을 형성하는 공정, 상기 제1산화저지층 상에 식각저지층을 형성하는 공정, 상기 식각저지층 상에 식각저지층을 형성하는 공정, 상기 식각저지층 상에 제2산화저지층을 형성하는 공정, 상기 제2상화저지층에 제1개구부를 형성하는 공정, 결과물 전면에 제3산화저지층을 형성하는 공정, 결과물전면에 이방성식각을 행하는 상기 제3및 제2산화저지층을 제거하면서 상기 제1산화저지층에 제2개구부를 형성하는 공정, 상기 제2개구부를 통해 반도체기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정, 상기 트렌치를 산화성물질로 채우는 공정, 및 상기 트렌치 상부에 있는 산화성물질을 산화시켜 필드산화막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법을 제공한다. 따라서 고집적화에 유리하고, 신뢰도 높은 소자분리막을 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2g도는 본 발명의 방법에 의한 반도체장치의 소자분리방법을 설명하기 위해 도시된 단면도들이다.
Claims (13)
- 반도체기판에 제1산화저지층을 형성하는 공정, 상기 제1산화저지층상에 식각저지층을 형성하는 공정, 상기 식각저지층 상에 제2산화저지층을 형성하는 공정, 상기 제2산화저지층에 제1개구부를 형성하는 공정, 결과물전면에 제3산화저지층을 형성하는 공정, 결과물전면에 이방성식각을 행하여 상기 제3및 제2산화저지층을 제거하면서 상기 제1산화저지층에 제2개구부를 형성하는 공정, 상기 제2개구부를 통해 반도체기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정, 상기 트렌치를 산화성물질로 채우는 공정, 및 상기 트렌치 상부에 있는 산화성물질을 산화시켜 필드산화막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화저지층들을 구성하는 물질로 SixOyNz을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법
- 제2항에 있어서, 제1산화저지층은 약 300Å ~ 3,000Å 정도의 두께로, 상기 제2및 제3산화저지층은 약 1,000Å ~ 3,000Å 정도의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각저지층을 구성하는 물질로 이산화실리콘을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
- 제4항에 있어서, 상기 식각저지층은 약 100Å ~ 1,000Å 정도의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화성물질로 다결정실리콘을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
- 제1항에 있어서, 반도체기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정이후, 상기 트렌치 내벽에 절연막을 형성하는 공정을 추가하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
- 제7항에 있어서, 상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
- 제7항에 있어서, 상기절연막은 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
- 제9항에 있어서, 상기 질화막은 SixOyNz인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법
- 제7항에 있어서, 상기 절연막은 약 100Å ~ 500Å 정도의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
- 제2항 및 제10항중 어느 한 항에 있어서, 상기 SixOyNz 막은 N2O, NH3및 SiH2CI2가스들을 적절한 몰(Mole) 비율로 혼합하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 필드산화막은 약 0.5㎛의 크기인 것을 특징으로 한 반도체장치의 소자분리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920003731A KR950002189B1 (ko) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 반도체장치의 소자분리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920003731A KR950002189B1 (ko) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 반도체장치의 소자분리방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930020633A true KR930020633A (ko) | 1993-10-20 |
| KR950002189B1 KR950002189B1 (ko) | 1995-03-14 |
Family
ID=19330059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920003731A KR950002189B1 (ko) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 반도체장치의 소자분리방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950002189B1 (ko) |
-
1992
- 1992-03-06 KR KR1019920003731A patent/KR950002189B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950002189B1 (ko) | 1995-03-14 |
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