KR970030634A - 반도체소자의 소자분리막 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판에 소자분리영역으로 예정되어 있는 부분상에 질화막패턴과, 패드산화막패턴을 형성하고, 상기 노출되어 있는 반도체기판에 트랜치를 형성하고, 상기 트랜치의 표면에 열산화막을 형성하고, 상기 구조의 전 표면에 TEOS막을 증착하고, 무수불산가스와 초순수증기의 혼합가스를 사용하거나, 불산수용액을 사용하여 상기 보이드가 존재하는 부분까지만 TEOS막을 식각하고, 오존가스로 상기 보이드 근처의 질화막패턴과 TEOS막패턴의 구조를 조밀하게 형성하고, 불산기체 또는 불산수용액을 이용하여 TEOS막을 식각하여 전 표면을 평탄화시킴으로써, 반도체소자의 신뢰성을 향상한다.

Description

반도체소자의 소자분리막 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2a도 내지 제2g도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 소자분리막 제조 공정도.

Claims (5)

1. 반도체기판에 소자분리영역으로 예정되어 있는 부분상에 서로 중첩되어 있는 패드산화막패턴과 질화막패턴을 형성하는 단계와, 상기 노출되어 있는 반도체기판에 트랜치를 형성하는 단계와, 상기 트랜치의 표면에 열산화막을 형성하는 단계와, 상기 구조의 전 표면에 절연막을 증착하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 소자분리막 제조 방법에 있어서, 상기 절연막 에지부분에 보이드가 형성되는 경우, 상기 절연막의 일정부분을 식각하여 보이드를 노출시키는 단계와, 상기 절연막의 노출되어 있는 보이드 부분의 구조를 치밀하게 하는 단계와, 상기 절연막을 식각하여 전체 구조를 평탄화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 TEOS 또는 CVD 계열의 산화물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 절연막의 일정부분을 식각할 때, 무수불산가스와 초순수증기의 혼합가스를 사용하거나, 불산수용액을 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 보이드 부분의 구조를 치밀화할 때, 오존을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 절연막을 식각하여 전체구조를 평탄화할 때, 불산기체 또는 불산 수증기를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.