KR980006030A - 반도체 장치의 소자 분리방법 - Google Patents
반도체 장치의 소자 분리방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 소자 분리방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 절연 특성이 확보된 반도체 장치의 트렌치 형의 소자 분리 방법에 관한 것으로, 반도체 기판에 트렌치를 형성하는 단계; 트렌치 내부 및 반도체 기판 표면을 열산화하는 단계; 열산화된 결과물 상부에 폴리실리콘막과 내립용 절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 매립용 절연막을 기판 상단의 폴리실리콘막일 노출되도록 식각하여 트렌치를 매립시키는 단계; 노출된 폴리실리콘을 열산화하는 단계; 및 반도체 기판 표면의 열산화막을 습식 식각으로 제거하는 단계를 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치의 소자 분리방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
제2b도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치의 소자 분리방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
제2c도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치의 소자 분리방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
제2d도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치의 소자 분리방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
Claims (5)
- 반도체 기판에 트렌치를 형성하는 단계; 트렌치 내부 및 반도체 기판 표면을 열산화하는 단계; 열산화된 결과물 상부에 폴리실리콘막과 매립용 절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 매립용 절연막을 기판 상단의 폴리실리콘막이 노출되도록 식각하여 트렌치를 매립시키는 단계; 노출된 폴리실리콘을 열산화하는 단게; 및 반도체 기판 표면의 열산화막을 습식 식각으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘막의 두께는 100내지 500Å인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 매립용 절연막은 TEOS막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 노출된 폴리실리콘은 산소와 수소의 비를 2대 3으로 하고, 온도를 930내지 1000℃온도범위로하여 습식 산화하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자의 분리방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 폴리실리콘이 열산화된 열산화막의 두께는 300 내지 800Å인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960019586A KR980006030A (ko) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 반도체 장치의 소자 분리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960019586A KR980006030A (ko) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 반도체 장치의 소자 분리방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006030A true KR980006030A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66284343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960019586A KR980006030A (ko) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 반도체 장치의 소자 분리방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006030A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8766355B2 (en) | 2010-09-08 | 2014-07-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor trench isolation including polysilicon and nitride layers |
-
1996
- 1996-06-03 KR KR1019960019586A patent/KR980006030A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8766355B2 (en) | 2010-09-08 | 2014-07-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor trench isolation including polysilicon and nitride layers |
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