KR970077489A - 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 - Google Patents

반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 Download PDF

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KR970077489A KR1019960017355A KR19960017355A KR970077489A KR 970077489 A KR970077489 A KR 970077489A KR 1019960017355 A KR1019960017355 A KR 1019960017355A KR 19960017355 A KR19960017355 A KR 19960017355A KR 970077489 A KR970077489 A KR 970077489A
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판의 소자분리영역에 공지의 기술로 트렌치를 형성하고 상기 트렌치에 필드산화공정으로 열산화막을 형성한 다음, 상기 열산화막과 활성영역의 경계부에 형성되는 골을 제거하여 표면단차를 완화시키는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법에 있어서, 상기 트렌치가 형성된 반도체기판 표면을 황산수용액, 불순수용액 그리고 암모니아-과수-수용액으로 연속적으로 세정하여 소자분리절연막을 형성함으로써 후속공정으로 발생되는 게이트전극의 특성열화를 방지하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체소자의 소자분리절연막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법을 도시한 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체기판의 소자분리영역에 공지의 기술로 트렌치를 형성하고 상기 트렌치에 필드산화공정으로 열산화막을 형성한 다음, 상기 열산화막과 활성영역의 경계부에 형성되는 골을 제거 하여 표면단차를 완화시키는 반도체소자를 소자분리절연막 형성방법에 있어서, 상기 트렌치가 형성된 반도체기판 표면을 황산수용액, 불산수용액, 그리고 암모니아-과수-수용액을 이용하여 연속적으로 세정하는 공정을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 암모니아-과수-수용액은 NH4OH와 H2O2의 농도비를 2:1로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 암모니아-과수-수용액은 상기 암모니아(NH4OH)의 온도를 70∼90℃정도의 온도로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960017355A 1996-05-22 1996-05-22 반도체 소자의 소자분리 절연막 형성방법 KR100197661B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100327656B1 (ko) * 1998-06-29 2002-07-02 박종섭 반도체소자의소자분리막제조방법
KR100770455B1 (ko) * 2001-06-22 2007-10-26 매그나칩 반도체 유한회사 반도체소자의 제조방법

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