KR100823714B1 - 폴리머 제거용 세정액 및 이를 이용한 폴리머 제거방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 소자의 전자회로를 형성하기 위한 제조장치들의 부품에 잔류하는 폴리머를 제거하는 폴리머 제거용 세정액 및 이를 이용한 폴리머 제거방법이 개시되어 있다. 상기 폴리머 제거용 세정액은 불화 염 5 내지 10 중량%와, 산 또는 이들의 염 5 내지 15중량%와 글리콜 수용액 75 내지 90 중량%를 포함하는 조성을 갖는다. 이러한 조성을 갖는 폴리머 제거용 세정액은 제조장치의 부품에 흡착된 폴리머를 부품의 손상 없이 보다 빠른 시간 내에 효과적으로 제거할 수 있다.
Description
도 1은 종래의 세정공정이 수행된 이송암에 포함된 블레이드를 나타내는 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리머 제거 방법을 나타내는 공정흐름도이다.
도 3은 세정 처리전 이송암에 포함된 블레이드의 표면을 나타내는 SEM 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1의 폴리머 제거용 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표면을 나타내는 SEM 사진이다.
도 5는 본 발명의 실시예 2의 폴리머 제거용 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표면을 나타내는 SEM 사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예 3의 폴리머 제거용 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표면을 나타내는 SEM 사진이다.
도 7은 비교 실시예 1의 폴리머 제거용 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표면을 나타내는 SEM 사진이다.
도 8은 비교 실시예 2의 폴리머 제거용 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표면을 나타내는 SEM 사진이다.
본 발명은 폴리머 제거용 세정액 및 이를 이용한 폴리머 제거방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 반도체 소자를 형성하기 위한 반도체 제조장치의 부품들의 표면에 잔류하는 폴리머들을 제거하기 위한 폴리머 제거용 세정액 및 이를 이용한 폴리머 제거방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 크게 박막 형성, 포토레지스트 패턴 형성, 막 식각 및 세정과 같은 단위 공정을 수행하여 형성된다. 상기 박막은 반도체 기판 상에 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 금속 산화막, 금속 질화막 또는 금속막을 증착하여 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴은 포토레지스트막을 형성한 후 노광 및 현상 공정을 수행하여 형성한다. 상기 식각은 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 적용하여 상기 막을 선택적으로 제거하는 것이고, 상기 세정은 식각 공정이후 기판에 잔류하는 불순물을 제거하는 공정이다.
이러한 반도체 소자를 제조하기 위한 단위 공정들은 중에서 건식식각 공정에 적용되는 반도체 제조장치에는 상기 박막을 식각시 발생되는 폴리머들이 흡착되는 문제점이 초래된다. 이러한 폴리머들은 이후 공정을 수행할 때 기판을 오염시키는 파티클로 작용한다. 이 때문에 상기 기판의 오염을 방지하기 위해 장치에 부착된 폴리머를 제거하는 공정을 수행해야 한다.
상기 폴리머는 상기 작업자가 상기 장치를 분해한 후 상기 장치의 부품을 증류수, 이소프로필 알콜, HF 수용액 또는 NH4OH 수용액들을 사용하여 브러쉬를 이용한 세정공정 수행함으로써 제거하고 있다. 그러나 이러한 세정 공정은 그 세정 효과가 미미하여 도 1에 도시된 장치의 부품에 흡착된 폴리머가 완전히 제거되지 않을 뿐만 아니라 세정시간이 10분 이상 소요된다.
또한, 상기 제조 장치들은 세라믹(Al2O3), 알루미늄(Al, Anodized Al), 석영(SiO2) 그리고 내식성의 스테인리스 재질로 대부분 이루어져 있다. 상기 장치를 구성하는 부품들은 대부분이 내산성 및 내 알카리성이 없는 재질로 이루어지기 때문에 부착된 불순물들이 제거됨과 동시에 부품의 표면 손상을 피할 수 없게 된다.
이러한 부품의 표면 손상으로 부품의 표면에는 요철을 갖는데 이러한 요철은 공정 진행 중에 파티클 발생의 요인으로 작용하게 되고, 부품의 사용수명 단축을 초래하며, 반도체 소자의 품질 저하 및 수율의 저하가 초래된다.
따라서 상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 제조장치의 부품의 손상 없이 상기 폴리머를 브러시를 이용한 세정공정으로 효과적으로 제거할 수 있는 폴리머 제거용 세정액을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 폴리머 제거용 세정액을 이용하여 상기 반도체 제조장치의 부품에 존재하는 폴리머들을 효과적으로 제거할 수 있는 방법을 제공하는데 있다.
따라서 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리머 제거용 세정액은 불화 염 5 내지 10 중량%와, 산 또는 이들의 염 5 내지 15중량%와 글리콜 수용액 75 내지 90 중량%를 포함한다.
상기 폴리머 제거용 세정액의 일 실시예에 따르면 상기 글리콜은 에틸렌글리, 프로필렌글리콜, 부틸렌글리콜 등을 포함할 수 있다, 상기 불화 염은 불화암노늄, 테트라메틸불화암모늄, 테트라에틸불화암모늄, 테트라프로필불화암모늄, 테트라부틸불화암모늄 등을 포함할 수 있다. 상기 산은 황산, 불산 또는 질산이고, 상기 이들의 염은 질산암모늄, 불산암모늄 또는 황산암모늄인 것이 바람직하다.
본 발명의 구체적인 실시예에 따른 폴리머 제거용 세정액은 상기 불화 염 6 내지 9 중량%와, 상기 산 6 내지 12중량% 및 여분의 글리콜 수용액을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리머 제거 방법은 불화 염 5 내지 10 중량%와, 산 또는 이들의 염 5 내지 15중량%와 글리콜 수용액 75 내지 90 중량%를 포함하는 폴리머 제거용 세정액을 마련한다. 이어서, 상기 폴리머 제거용 세정액을 이용하여 반도체 제조장치의 부품에 흡착된 폴리머를 제거한다.
상기 폴리머 제거방법의 일 실시예에 따르면 상기 폴리머는 탄소성, 금속성, 산화성 폴리머를 포함할 수 있다. 상기 반도체 제조장치는 식각장치, 증착장치 또는 세정장치 또는 이들을 구성하는 부품이고, 상기 장치는 세라믹, 알루미늄, 석영 및 스테인리스 금속 등으로 이루어 질수 있다. 또한, 상기 폴리머 제거는 상기 반도체 제조 장치를 구성하는 부품들의 분해 작업을 수행하지 않는 상태에서 수행하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명에 따른 폴리머 제거용 세정액은 건식식각 공정시 반도체 제조장치의 부품에 흡착된 폴리머를 브러시를 세정공정으로 보다 효과적으로 제거할 수 있다. 또한 세정액은 상기 반도체 제조장치의 부품의 손상 없이 상기 폴리머를 빠른 시간 내에 제거할 수 있다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 본 발명의 반도체 제조장치에 흡착된 폴리머 제거용 세정액 및 이를 이용한 폴리머 제거 방법을 상세하게 설명한다.
폴리머
제거용 세정액
본 발명에 따른 폴리머 제거용 세정액은 반도체 제조장치 또는 이를 구성하는 부품에 잔류하는 폴리머를 제거하는 세정공정에 적용된다. 상기 폴리머 제거용 세정액은 불화 염과 산 또는 이들의 염 및 글리콜 수용액을 포함하는 조성을 갖는다.
상기 반도체 제조장치는 반도체 메모리 소자의 배선을 형성하기 위해 적용된다. 일 예로서, 상기 반도체 장치는 건식식각장치, 박막 증착장치 또는 이들의 구성하는 부품등을 들 수 있다. 상기 부품은 박막의 건식식각 및 증착공정에 적용되는 반도체 기판의 이송암을 포함한다. 상기 제조 장치들은 예컨대 세라믹, 알루미 늄, 석영, 스테인리스 금속 등으로 이루어진다.
또한, 상기 폴리머는 포토레지스프 패턴의 제1 식각 잔류물과, 박막의 식각공정에서 발생된 제2 식각 잔류물을 포함한다. 일 예로서, 상기 폴리머는 탄소성 폴리머, 금속성 폴리머, 산화성 폴리머등을 포함할 수 있다. 상기 폴리머는 불소를 더 포함할 수 있고, 상기 제조 장치의 부품에 강하게 흡착된 상태를 갖는다.
본 발명의 따른 폴리머 제거용 세정액은 불화 염 5 내지 10 중량%와, 산 또는 이들의 염 5 내지 15중량%와 글리콜 수용액 75 내지 90 중량%를 포함한다.
상기 폴리머 제거용 세정액을 구성하는 각각의 성분들 중에서 상기 글리콜 수용액은 글리콜과 물의 혼합물이다. 상기 글리콜 수용액은 글리콜과 물이 약 1: 1.5 내지 2.5 중량비로 혼합될 수 있고, 바람직하게는 약 1: 2 중량비로 혼합될 수 있다.
상기 글리콜 수용액에 포함된 글리콜은 예컨대 하기 화학식으로 표기될 수 있다.
OH-(R)-OH -----[화학식]
상기 화학식에서 R은 탄소수 2 내지 5의 알킬기이고, 상기 R은 예컨대 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기 등을 들 수 있다.
구체적으로 상기 화학식으로 표기되는 글리콜의 예로서는 에틸렌글리콜(Ethylene Glycol), 프로필렌글리콜(Propylene Glycol), 부틸렌글리콜(Butylene Glycol) 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 화학식으로 표기되는 글리콜은 물과 혼합이 용이할 뿐만 아니라 본 발명의 폴 리머 세정액을 이용하여 상기 장치의 부품에 존재하는 폴리머를 제거하기 위한 세정공정을 수행할 때, 상기 부품의 표면의 손상(부식)을 방지하는 역할을 한다. 또한, 상기 글리콜은 점도가 물보다 낮아 상기 폴리머 내에 세정액의 침투력을 증가시켜 상기 폴리머의 제거능력을 향상시키는 촉매 역할을 한다.
상기 세정액에 포함되는 상기 글리콜 수용액의 함량이 75 중량% 미만일 경우 세정액에 포함된 불화 염과 산 또는 이들의 염의 함량이 상대적으로 높아져 제조장치의 표면에 흡착된 폴리머의 제거시 상기 장치의 손상되는 문제점이 발생된다. 반면에 글리콜 수용액의 함량이 90중량%를 초과할 경우 상기 세정액에 포함된 불화 염과 산 또는 이들의 염의 함량이 상대적으로 낮아져 제조장치의 표면에 흡착된 폴리머의 분해 및 제거가 용이하지 않다.
따라서, 상기 글리콜 수용액은 상기 폴리머 제거용 세정액에 75 내지 90 중량% 포함되고, 바람직하게는 79 내지 88 중량%가 포함된다.
상기 폴리머 제거용 세정액을 구성하는 각각의 성분들 중에서 불화 염은 탄소성 폴리머의 분해반응에 필요한 불소(fluoride)이온을 제공한다. 상기 불화 염의 예로서는 불화암모늄(NH4F), 테트라메틸불화암모늄((CH3)4NF), 테트라에틸불화암모늄((C2H5)4NF), 테트라프로필불화암모늄((C3H7)4NF), 테트라부틸불화암모늄((C4H9)4NF)등을 들 수 있다.
상기 불화 염은 불산 보다 금속 또는 실리콘과 같은 물질에 대하여 낮은 식각성과 낮은 부식성을 가지고 있어 부품의 표면의 손상 없이 상기 폴리머와 화학적으로 반응하여 제거할 수 있다. 이때, 상기 불화 염은 세정액내의 용해도와 부품의 표면 부식성을 고려하여 첨가된다.
상기 세정액에 포함되는 불화 염의 함량이 5 중량% 미만일 경우 세정액 내에서 불소이온의 생성도가 낮아 상기 장치의 부품에 흡착된 폴리머들의 분해가 용이하지 않는 문제점이 발생된다. 반면에 불화 염의 함량이 10 중량%를 초과할 경우 상기 제조 장치의 부품이 손상되는 문제점이 발생된다.
따라서 상기 불화 염은 상기 폴리머 제거용 세정액에 5 내지 10중량%가 포함되고, 바람직하게는 6 내지 9 중량%가 포함된다.
상기 폴리머 제거용 세정액을 구성하는 각각의 성분들 중에서 산 또는 이들의 염은 상기 부품에 흡착된 폴리머 산화시켜 폴리머의 분해 제거반응을 촉진시키는 역할을 한다. 구체적으로 상기 산 또는 이들의 염은 상기 폴리머들 중에서 폴리머의 표면에 존재하고, 상기 세정액에 쉽게 녹지 않는 폴리머를 산화시켜 세정액에 포함된 불소와 폴리머의 화학적 반응을 촉진시킨다. 즉, 상기 산 또는 이들의 염은 산화력이 강하고, 금속성 폴리머를 산화시킬 수 있는 산소 공급원으로 작용한다.
일 예로서, 상기 산은 pH 값이 1 내지 3의 값을 갖는 질산 또는 황산을 포함한다. 또한, 상기 산은 불산을 포함한다. 이들의 염은 질산암모늄, 불산암모늄, 황산암모늄을 포함한다. 본 실시예에서는 산으로 질산을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 세정액에 포함된 산 또는 이들의 염의 함량이 5중량% 미만일 경우 상기 세정액은 폴리머들 중에서 폴리머의 표면에 존재하고, 상기 세정액에 쉽게 녹지 않는 폴리머를 산화시키는 능력이 감소되는 문제점이 발생된다. 반면에 함량이 15중량%를 초과할 경우 상기 세정액 내에 금속을 산화키는 산의 함량이 증가되어 상기 장치의 부품이 산화되는 문제점이 초래된다.
따라서 상기 강산 또는 이들의 염은 상기 폴리머 제거용 세정액에 5 내지 15중량%가 포함되고, 바람직하게는 6 내지 12중량%가 포함된다.
상술한 조성을 갖는 폴리머 제거용 세정액은 전자 회로를 형성하는데 적용되는 반도체 제조장치 또는 이들을 구성하는 부품의 재질중 하나인 세라믹과는 거의 반응하지 않으며, 석영 및 스테인리스 금속과는 매우 미약하게 반응한다. 따라서 세정액은 제조장치에 흡착된 폴리머와의 반응은 활발하게 일으키고, 부품 소재의 형태와 손상을 초래하지 않는 범위 내에서 부품에 흡착된 폴리머를 보다 빠른 시간에 효과적으로 제거할 수 있다.
폴리머
제거방법
본 발명에 따른 폴리머 세정방법은 상술한 조성을 갖는 폴리머 제거용 세정액을 이용하여 반도체 소자를 형성하기 위해 적용되는 제조장치의 부품들에 잔류하는 폴리머들을 부품의 손상 없이 브러쉬을 이용 세정방법으로 보다 빠른 시간 내에제거할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리머 제거 방법을 나타내는 공정흐름도이다.
도 2를 참조하면, 상기 폴리머 세정방법을 수행하기 위해서는 먼저 글불화 염 5 내지 10 중량%와, 산 또는 이들의 염 5 내지 15중량%와 글리콜 수용액 75 내지 90 중량%를 포함하는 반도체 제조장치의 폴리머 제거용 세정액을 마련한다(단계 S110).
일 예로서, 상기 폴리머 세정액은 에틸렌글리콜 수용액 79 내지 88중량%와 상기 불화암모늄 6 내지 9중량% 및 상기 질산 또는 황산 6 내지 12중량%를 포함할 수 있다. 상기 폴리머 제거용 세정액에 대한 상세한 설명 및 실시예들은 위에서 상세히 설명하였기에 생략한다.
이어서, 상기한 조성을 갖는 폴리머 제거용 세정액을 반도체 제조장치의 부품에 제공한다(단계 S120).
일 예로서, 상기 세정액의 제공은 폴리머가 흡착된 제조 장지 또는 구성 부품에 폴리머 제거용 세정액 분사시킴으로써 이루어질 수 있다. 또 다른 예로서, 상기 세정액의 제공은 세정액에 젖은 와이퍼(스폰지)를 상기 폴리머가 흡착된 장치 또는 부품에 접촉시킴으로서 이루어질 수 있다. 상기 세정액은 상기 폴리머가 흡착된 부품에 약 3 내지 5분 동안 제공될 수 있다. 상기 제조장치 또는 이들의 부품은 예컨대 세라믹, 알루미늄, 석영, 스테인리스 금속 등으로 이루어진다. 본 실시예에서 상기 부품은 이송암의 블레이드이다.
또한, 상기 세정액의 제공은 상기 제조장치의 구성 부품들의 분해 작업을 수행하지 않는 상태로 작업자에 의해 제공되는 것을 특징으로 한다.
상기 폴리머는 포토레지스트 패턴의 제1 식각 잔류물과, 박막의 식각공정에서 발생된 제2 식각 잔류물을 포함한다. 일 예로서, 상기 폴리머는 탄소성 폴리머, 금속성 폴리머 및 산화성 폴리머를 포함할 수 있다. 상기 폴리머는 불소를 더 포함할 수 있고, 상기 제조 장치에 강하게 흡착되어 있는 단단한 상태를 갖는다.
이어서, 상기 폴리머 제거용 세정액을 이용한 세정공정을 수행하여 상기 반도체 제조장치로부터 폴리머를 제거한다.(단계 S130).
상기 폴리머 제거용 세정액은 상기 부품에 흡착된 폴리머의 산화 및 불소를 이용한 분해반응을 촉진시켜 브러쉬를 이용한 세정 공정시 상기 부품으로부터 상기 폴리머를 빠른 시간 내에 제거할 수 있다. 또한, 약 3 내지 5분의 세정 공정만으로 상기 부품의 손상 없이 폴리머를 효과적으로 할 수 있다. 이때, 폴리머의 제거는 상기 제조장치의 구성 부품들의 분해 작업을 수행하지 않는 상태로 작업자에 의해 수행될 수 있어 기존의 세정 공정 대비 약 75%이상의 세정효과를 얻을 수 있다.
이후, 상기 폴리머가 제거된 부품에 물을 이용한 린스 공정 및 상기 부품으로부터 물을 제거하기 위한 건조 공정을 수행한다(단계 S140, S150). 상기 물을 이용한 린스 공정은 상기 부품에 잔류하는 세정액의 구성 성분들을 허용 기준치 이하로 완전히 제거하는 공정이다.
상술한 본 발명의 폴리머 제거용 세정액을 이용한 폴리머 제거방법은 세라믹 재질, 스테인리스 금속 재질 및 석영 재질과 반응하지 않기 때문에 이와 같은 재질로 이루어진 부품에 흡착된 폴리머를 제거하는 세정 공정시 부품의 손상을 주지 않고도 상기 폴리머를 보다 빠른 시간 내에 제거할 수 있다.
이하, 상기 폴리머 제고용 세정액의 실시예 및 평가예를 통하여본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 상기 실시예 및 평가예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명을 한정하지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예 1
건식 식각장치에 적용되는 웨이퍼 이송암의 표면에 흡착된 폴리머들을 제거하기 위해 불화 염인 불화암모늄 9 중량부, 강산인 질산 10 중량부 및 에틸렌 글리콜 수용액 100 중량부를 포함하는 폴리머 제거용 세정액을 마련하였다. 상기 폴리머 세정액은 에틸렌 글리콜 수용액에 불화암모늄과 질산을 순차적으로 투입한 후 약 20 내지 30℃에서 약 2시간 이상 교반하여 제조하였다. 상기 에틸렌글리콜 수용액은 물과 에틸렌글리콜이 2:1의 비율로 혼합되어 있다.
실시예 2
건식 식각장치에 적용되는 웨이퍼 이송암의 표면에 흡착된 폴리머들을 제거하기 위해 불화 염인 불화암모늄 8 중량부, 강산인 황산 11 중량부 및 프로필렌 글리콜 수용액 100 중량부를 포함하는 폴리머 제거용 세정액을 마련하였다. 상기 프로필렌글리콜 수용액은 물과 프로필렌글리콜이 2:1의 비율로 혼합되어 있다.
실시예 3
건식 식각장치에 적용되는 웨이퍼 이송암의 표면에 흡착된 폴리머들을 제거하기 위해 불화 염인 테트라메틸불화암모늄 10 중량부, 강산인 황산 11 중량부 및 에틸렌글리콜 수용액 100 중량부를 포함하는 폴리머 제거용 세정액을 마련하였다. 상기 에틸렌 글리콜 수용액은 물과 에틸렌글리콜이 2:1의 비율로 혼합되어 있다.
비교예 1
건식 식각장치에 적용되는 웨이퍼 이송암의 표면에 흡착된 폴리머들을 제거하기 위해 디메틸설폭사이드40 중량부와 물 60중량부가 혼합된 DMSO 세정액을 마련하였다.
비교예
2
건식 식각장치에 적용되는 웨이퍼 이송암의 표면에 흡착된 폴리머들을 제거하기 위해 EKC-245 세정액을 마련하였다. 상기 EKC-245는 하이드록실아민 (hydroxylamine), 디글리콜아민 (diglycolamine), 카테콜(catechol) 및 물을 주요 구성 요소로 하는 시판중인 포토레지스트 제거용 조성물이다.
세정액 평가 1
폴리머가 흡착된 이송암(블레이드)들에 상기 실시예 1의 세정액을 약 3 내지 4분 동안 제공한 후 브러쉬를 이용하여 상기 이송암을 약 3분 동안 세정하였다. 이어서, 세정공정이 수행된 이송암을 탈 이온수로 스프레이 세정을 한 후, 스핀 드라이를 하였다. 이후, 세정 처리된 이송암의 블레이드와 세정전의 블레이드를 비교 관찰하였다.
도 3은 세정 처리전 블레이드의 표면을 나타내는 SEM 사진이고, 도 4는 본 발명의 실시예 1의 폴리머 제거용 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표면을 나타 내는 SEM 사진이다.
도 3 및 도 4를 비교하면, 세정전의 블레이드는 그 표면에 탄소성 폴리머들이 균열이 형성된 막 상태로 흡착되어 있는 것을 관찰할 수 있다. 반면에 본 발명의 실시예 1의 폴리머 제거용 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표에는 도 4에 개시된 바와 같이 탄화성 폴리머들이 완전히 제거되었음을 확인할 수 있었다.
세정액 평가 2
상기 세정 평가 1과 동일한 방법으로 실시예 2의 폴리머 제거용 세정액에 대한 폴리머 제거능력을 평가하였다.
도 5는 본 발명의 실시예 2의 폴리머 제거용 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표면을 나타내는 SEM 사진이다.
도 5를 참조하면, 세정전의 블레이드는 그 표면에 탄소성 폴리머들이 균열이 형성된 막 상태로 흡착되어 있는 것을 관찰할 수 있는 반면에 본 발명의 실시예 2의 폴리머 제거용 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표면에는 도 5에 개시된 바와 같이 탄화성 폴리머들이 완전히 제거되었음을 확인할 수 있었다.
세정액 평가 3
상기 세정 평가 1과 동일한 방법으로 실시예 3의 폴리머 제거용 세정액에 대한 폴리머 제거능력을 평가하였다.
도 6은 본 발명의 실시예 3의 폴리머 제거용 세정액으로 세정 처리된 블레이 드의 표면을 나타내는 SEM 사진이다.
도 6을 참조하면, 세정전의 블레이드는 그 표면에 탄소성 폴리머들이 균열이 형성된 막 상태로 흡착되어 있는 것을 관찰할 수 있는 반면에 본 발명의 실시예 3의 폴리머 제거용 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표면에는 도 6에 개시된 바와 같이 탄화성 폴리머들이 완전히 제거되었음을 확인할 수 있었다.
비교 세정액 평가 1 내지 2
상기 세정 평가 1과 동일한 방법으로 비교 실시예 1 및 2의 세정액에 대한 폴리머 제거능력을 평가하였다.
도 7은 비교 실시예 1의 폴리머 제거용 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표면을 나타내는 SEM 사진이고, 도 8은 비교 실시예 2의 폴리머 제거용 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표면을 나타내는 SEM 사진이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 비교 실시예 1의 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표면에는 도 7에 개시된 바와 같이 탄화성 폴리머들이 거의 제거되지 않았음을 확인할 수 있었다.
또한, 비교 실시예 2의 세정액으로 세정 처리된 블레이드의 표면에는 도 7에 개시된 바와 같이 탄화성 폴리머들이 거의 제거되지 않았음을 확인할 수 있었다. 즉, 비교에 1 내지 2의 세정액은 본 발명에 의해 현저하게 낮은 폴리머 제거능력을 갖음을 확인할 수 있었다.
본 발명에 따른 세정액 조성물은 글리콜 수용액, 불화염, 산을 포함하는 조성을 가짐으로서 반도체 제조장치 또는 이들의 부품에 흡착된 탄소성 폴리머를 브러시를 세정공정으로 보다 효과적으로 제거할 수 있다.
또한 상기 폴리머 제거용 세정액은 상기 반도체 제조장치의 부품의 손상 없이 상기 폴리머를 빠른 시간 내에 제거할 수 있다. 또한 상기 폴리머 제거는 상기 반도체 제조장치를 구성하는 부품들의 분해작업을 수행하지 않는 상태에서 수행할 수 있기 때문에 기존 대비 약 75% 세정효율을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (15)
- 불화 염 5 내지 10 중량%;산 또는 이들의 염 5 내지 15중량%; 및글리콜과 물이 1 : 1.5 내지 2.5의 비율로 혼합된 글리콜 수용액 75 내지 90 중량%를 포함하고, 반도체 제조 장치에 흡착된 폴리머를 제거하기 위한 폴리머 제거용 세정액.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 글리콜은 하기 화학식으로 표기되는 것을 특징으로 하는 폴리머 제거용 세정액.OH-(R)-OH -----[화학식](상기 화학식에서 R은 탄소수 2 내지 5의 알킬기이다.)
- 제1항에 있어서, 상기 글리콜은 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 및 부틸렌글리콜로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 제거용 세정액.
- 제1항에 있어서, 상기 불화 염은 불화암모늄, 테트라메틸불화암모늄, 테트라 에틸불화암모늄, 테트라프로필불화암모늄 및 테트라부틸불화암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 제거용 세정액.
- 제1항에 있어서, 상기 산은 황산, 불산 또는 질산이고, 상기 이들의 염은 질산암모늄, 황산암모늄 또는 불산암모늄인 것을 특징으로 하는 폴리머 제거용 세정액.
- 제1항에 있어서, 상기 불화 염 6 내지 9 중량%;상기 산 6 내지 12중량%; 및상기 글리콜 수용액 79 내지 88 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 제거용 세정액.
- 불화 염 5 내지 10 중량%와, 산 또는 이들의 염 5 내지 15중량% 및 글리콜과 물이 1 : 1.5 내지 2.5의 비율로 혼합된 글리콜 수용액 75 내지 90 중량%를 포함하는 폴리머 제거용 세정액을 마련하는 단계;폴리머가 흡착된 반도체 제조장치에 상기 폴리머 제거용 세정액을 제공하는 단계; 및세정공정을 수행하여 상기 반도체 제조장치로부터 폴리머를 제거하는 단계를 포함하는 폴리머 제거방법.
- 제8항에 있어서, 상기 폴리머 제거용 세정액은 글리콜 수용액과, 불화 염과 산 또는 이들의 염을 30 내지 50℃에서 교반하여 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리머 제거방법.
- 제8항에 있어서, 상기 글리콜은 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 및 부틸렌글리콜로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 제거방법.
- 제8항에 있어서, 상기 불화 염은 불화암모늄, 테트라메틸불화암모늄, 테트라에틸불화암모늄, 테트라프로필불화암모늄 및 테트라부틸불화암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 제거방법.
- 제8항에 있어서, 상기 산은 황산, 불산 또는 질산이고, 상기 이들의 염은 질산암모늄 불화암모늄 또는 황산암모늄인 것을 특징으로 하는 폴리머 제거방법.
- 제8항에 있어서, 상기 폴리머는 산화성 폴리머, 탄소성 폴리머 및 금속성 폴리머로 이루어진 군으로 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 제거방법.
- 제8항에 있어서, 상기 반도체 제조장치는 식각장치, 증착장치, 세정장치 또 는 이들의 부품이고, 상기 장치는 세라믹, 알루미늄, 석영 및 스테인리스 금속으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 폴리머 제거방법.
- 제8항에 있어서, 상기 폴리머 제거는 상기 반도체 제조장치를 구성하는 부품들의 분해 작업을 수행하지 않는 상태에서 수행하는 것을 특징으로 하는 폴리머 제거방법.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970053125A (ko) * | 1995-12-29 | 1997-07-29 | 김광호 | 실리콘 세정액 및 그를 사용한 반도체 기판의 세정방법 |
| JPH09219384A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄方法および洗浄装置 |
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| US6280651B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-08-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent |
| US5939336A (en) * | 1998-08-21 | 1999-08-17 | Micron Technology, Inc. | Aqueous solutions of ammonium fluoride in propylene glycol and their use in the removal of etch residues from silicon substrates |
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| US6235693B1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-05-22 | Ekc Technology, Inc. | Lactam compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices |
| US6361712B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-03-26 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Composition for selective etching of oxides over metals |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970053125A (ko) * | 1995-12-29 | 1997-07-29 | 김광호 | 실리콘 세정액 및 그를 사용한 반도체 기판의 세정방법 |
| JPH09219384A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄方法および洗浄装置 |
| KR19990065097A (ko) * | 1998-01-07 | 1999-08-05 | 윤종용 | 반도체 장치의 세정액 및 이를 이용한 콘택홀의 세정방법 |
| KR20010030323A (ko) * | 1999-09-10 | 2001-04-16 | 나까네 히사시 | 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트박리방법 |
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