KR101831452B1 - 다목적 산성, 유기 용매 기반의 마이크로전자 세정 조성물 - Google Patents
다목적 산성, 유기 용매 기반의 마이크로전자 세정 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101831452B1 KR101831452B1 KR1020117022263A KR20117022263A KR101831452B1 KR 101831452 B1 KR101831452 B1 KR 101831452B1 KR 1020117022263 A KR1020117022263 A KR 1020117022263A KR 20117022263 A KR20117022263 A KR 20117022263A KR 101831452 B1 KR101831452 B1 KR 101831452B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- composition
- delete delete
- acid
- cleaning
- cleaning composition
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 title description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 title 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 22
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 claims abstract description 6
- -1 fluoride compound Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 101150030572 selenon gene Proteins 0.000 claims abstract 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 3
- BJAJDJDODCWPNS-UHFFFAOYSA-N dotp Chemical compound O=C1N2CCOC2=NC2=C1SC=C2 BJAJDJDODCWPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- DZQNHNNOBZXRSR-UHFFFAOYSA-N 1,5,9-triazacyclododec-9-ene Chemical compound C1CNCCCN=CCCNC1 DZQNHNNOBZXRSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 4
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N sulfonyldimethane Chemical compound CS(C)(=O)=O HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- MBDUIEKYVPVZJH-UHFFFAOYSA-N 1-ethylsulfonylethane Chemical compound CCS(=O)(=O)CC MBDUIEKYVPVZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKIJBSVPDYIEAT-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10-tetrazacyclododec-10-ene Chemical compound C1CNCCN=CCNCCN1 NKIJBSVPDYIEAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIDFJGKWTOULTC-UHFFFAOYSA-N 1-butylsulfonylbutane Chemical compound CCCCS(=O)(=O)CCCC AIDFJGKWTOULTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEAYCYAIVOIUMG-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-(4-methylphenyl)sulfonylbenzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 WEAYCYAIVOIUMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYDNBUBMBZRNQQ-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-methylsulfonylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(S(C)(=O)=O)C=C1 YYDNBUBMBZRNQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMUIKZODBRYDCK-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6,9-hexahydro-1h-1,4,7-triazonine Chemical compound C1CNCC=NCCN1 XMUIKZODBRYDCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQLILYBIARWEIF-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethylsulfonyl)ethanol Chemical compound OCCS(=O)(=O)CCO QQLILYBIARWEIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- VBQUDDWATQWCPP-UHFFFAOYSA-N ethylsulfonylbenzene Chemical compound CCS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 VBQUDDWATQWCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- JCDWETOKTFWTHA-UHFFFAOYSA-N methylsulfonylbenzene Chemical compound CS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 JCDWETOKTFWTHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- GYSDUVRPSWKYDJ-UHFFFAOYSA-N selinone Chemical compound C1=CC(OCC=C(C)C)=CC=C1C1OC2=CC(O)=CC(O)=C2C(=O)C1 GYSDUVRPSWKYDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/08—Acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/261—Alcohols; Phenols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/36—Organic compounds containing phosphorus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
조성물에서 유일한 산 및 유일한 플루오라이드 화합물인 HF, 술폰 및 셀레논으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제1 용매, 금속 이온 착물화 또는 결합 자리를 가지는 하나 이상의 폴리히드록실 알킬 또는 아릴 알코올 공용매, 및 물, 및 임의의 하나 이상의 포스폰산 부식 방지제 화합물을 포함하고, 조성물에 아민, 염기 및 기타 염이 없는, 마이크로전자 또는 나노전자 장치를 세정하기 위한 세정 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 마이크로전자 세정 조성물 및 마이크로전자 장치, 특히 진전된 45 nm 이하의 라인 Cu 로우-k(low-k) 통합 시스템의 후처리, 및 더 특히 금속 하드 마스크 및 CoWP 금속 덮개 층을 사용하는 것의 세정 방법에서의 이러한 세정 조성물의 용도에 관한 것이다. 본 발명의 세정 조성물은 라인 세정 공정의 전처리에 또한 유용하다.
마이크로- 및 나노-전자 장치의 생산에서 최근의 진보는 라인의 전처리(FEOL) 및 후처리(BEOL) 스트리핑 또는 세정 조성물 모두에서 새로운 스트리핑 및 세정 조성물에 대한 필요를 가져왔다. 전형적으로 쓰이는 세정 조성물은 지금까지는 마이크로전자 또는 나노전자 플랫폼의 생산에 쓰이는 새롭게 개선된 물질에 완전히 적합한 것으로 여겨지지 않았다. 종종 이전에 쓰인 스트리핑 또는 세정 조성물은 침습성이 너무 세고/세거나 충분히 선별적이지 못하다. 더 새로운 마이크로전자 또는 나노전자 장치를 생산하는데 쓰이는 새롭게 활용되는 물질들 중에는 로우-k(< 3) 및 하이-k(high-k)(> 20) 및 다공성 유전체, 구리 금속 피복, 불소 중합체 반사 방지 코팅(ARC), Ti 및 TiN, Si/Ge 또는 Ge의 스트레인드 웨이퍼로 구성된 것과 같은 특수 하드 마스크, 및 CoWP 및 CoWB의 것과 같은 금속 덮개 층이 있다. 상기 새로운 물질은 장치 제조자들에게 새롭고 어려운 도전을 제시한다.
예를 들어, 구리/로우-k구조의 세정은 좋은 세정력을 요구할 뿐만 아니라, 우수한 기판 상용성을 필요로 한다. Al/SiO2 또는 Al(Cu)/SiO2를 포함하는 "전통적인" 또는 일반적인 반도체 장비에 대해 개발되어 온 많은 공정 기술들이 구리/로우-k 및 하이-k 구조에 적용될 수 없다. 반대로, 상당한 조정을 하지 않는다면, 많은 구리/로우-k 스프리퍼가 Al 금속 피복에 적합하지 않다.
구리/로우-k 및/또는 하이-k 구조의 제조 공정은 종종 매우 경화된 포토레지스트 층, 거친 플라즈마 에칭 및/또는 애슁 찌꺼기를 발생한다. 심지어 더 침습성이 센 시약, 이를테면 HF산, 히드록실아민 및 강한 알칼리 용액은 종종 수용가능한 기판 상용성을 가진 요구되는 세정을 제공하지 못한다.
수성 플루오라이드 또는 HF 기반 용액은 전통적인 FEOL 및 BEOL 부식제 및 세정제로 널리 사용되어 왔다. 종종, 세정제의 이러한 유형은 산화물 에처(etcher) 또는 애쉬 찌꺼기 제거제로써 개발되었다. 예를 들어, 희석된 HF(dHF) 용액 및 완충된 산화물 에칭(BOE, HF/NH4F/H2O로 이루어짐)은 효과적인 산화물(규소 산화물) 제거제 및 제한된 찌꺼기 세정제이지만, 포토레지스트를 스트리핑하는데에는 일반적으로 효과적이지 못하다.
플루오라이드 또는 HF를 포함하는 많은 유기 용매 기반 또는 반-수성 용액은 많은 BEOL 응용에서 또한 사용된다. 그러나, 상기 제품 대부분은 플라즈마 경화된 포토레지스트 및 ARC를 제거하는 것과 같은 다목적 응용에 여전히 약하다. 그것들은 때때로 너무 침습성이 세거나, 충분히 선별적이지 못하거나, 또는 로우-k 및 하이-k 및 다공성 유전체, 구리 금속 피복, 불소 중합체 반사 방지 코팅(ARC), Ti 및 TiN, Si/Ge 또는 Ge의 스트레인드 웨이퍼로 구성된 것과 같은 특수 하드 금속 게이트, 및 CoWP 및 CoWB의 것과 같은 금속 덮개 층과 같은 새로운 도전적인 유형의 물질로는 발전된 FEOL 및 BEOL 응용에 대한 새롭고, 높은 것을 요구하는 기판 상용성 및 선별도 요구사항을 충족하지 못한다. 그래서, 더 새로운 마이크로전자 및 나노전자 장치에 쓰이는 상기 새로운 물질과 연관하여 새롭고 개선된 스트리핑 또는 세정 조성물이 다목적 응용에 요구된다.
수용액에서, HF 해리를 다음 식으로 표현할 수 있다:
HF ⇔ H+ + F- (1)
HF + F- ⇔ HF2 - (2)
HF 및 HF2 - 모두 효과적인 에칭제이지만, SiO2의 지배적인 에칭 종은 HF2 -이다. TEOS, 로우-k 및 다공성 로우-k 유전체와 높은 상용성을 갖기 위한 일 접근법은 HF2 - 함량을 조절/감소시키는 것이다. pH, 산도, 염기도, 이온 세기 및 용매 매트릭스를 포함하는 많은 요인이 HF, F- 및 HF2 -의 함량에 상당한 영향을 가질 수 있다. 본 발명을 따른 상기 플루오라이드 종의 함량을 변화시키는 하나의 새로운 방법은 용액 매트릭스 유전율을 조절/변경하는 것이다. 물이 25 ℃에서 78.54의 높은 유전율(ε)을 가지는 반면에, 많은 유기 용매들은 상당히 더 낮은 유전율: 예, 술포란, 43.3; 에틸렌 글리콜 37.7; 이소프로판올, 19.9; 디메틸 술폭사이드, 46.68을 가진다. 따라서, 이러한 용매의 첨가로 결과 용액의 유전율을 낮추고, 비해리된 HF의 증가 및 바이플루오라이드, HF2 -의 환원을 가져오는 것을 기대할 수 있다. 본 발명은 이 발견된 개념의 사용 및 다른 특별한 설계 고려사항들과의 결합으로, 요구되는 세정력을 가져올 수 있고 필요한 물질 상용성을 가진 새로운 종류의 다목적 스트리퍼 또는 세정제를 제공한다. 본 발명의 스트리핑 세정 조성물은
상기 조성물에서 포스폰산 부식 방지제 이외의 유일한 산이며 유일한 플루오라이드 화합물인 HF,
술폰 및 셀레논으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제1 용매,
금속 이온 착물화 또는 결합 자리를 가지는 하나 이상의 폴리히드록실 알킬 또는 아릴 알코올 공용매, 및
물, 및
임의의 하나 이상의 포스폰산 부식 방지제 화합물을 포함하거나, 그것들로 본질적으로 이루어지거나, 또는 구성되는 것이고, 상기 세정 조성물에는 아민, 염기 및 기타 염이 없고 5.5 이하의 pH를 가진다. 임의로, 상기 조성물은 일반적으로 당업계에 알려진 계면활성제 및 기타 금속 킬레이팅제를 포함할 수 있다. 특별히 다르게 언급되지 않는다면, 발명의 세정 조성물에서 제시되는 상기 성분의 백분율에 대한 기재는 본 출원에서 이후에 쓰이는 경우, 세정 조성물 총 중량에 기초한 중량 백분율을 의미한다.
본 발명의 세정 조성물은 마이크로전자 또는 나노전자 장치에 대해 FEOL 및/또는 BEOL 세정 조성물로써 쓰일 수 있다. 본 발명의 세정 조성물은 제시된 포토레지스트, 구리 금속 피복, 로우-k 유전체, 및 금속 Ti 또는 TiN 하드 마스크, 반사 방지 코팅, 또는 CoWP 또는 CoWB 금속 덮개 층으로부터 선택되는 하나 이상의 기타 요소를 가지는 마이크로전자 또는 나노전자 장치를 세정하는데 특히 유용하다.
본 발명의 세정 조성물은
상기 조성물에서 포스폰산 부식 방지제 이외의 유일한 산이며 유일한 플루오라이드 화합물인 HF,
술폰 및 셀레논으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제1 용매,
금속 이온 착물화 또는 결합 자리를 가지는 하나 이상의 폴리히드록실 알킬 또는 아릴 알코올 공용매, 및
물, 및
임의의 하나 이상의 포스폰산 부식 방지제 화합물을 포함하거나, 그것들로 본질적으로 이루어지거나, 또는 구성되는 것이고, 상기 세정 조성물에는 아민, 염기 및 기타 염이 없고 5.5 이하의 pH를 가진다.
상기 HF는 보통 희석된 HF로써 쓰여 HF 성분뿐만 아니라 물 성분도 또한 제공한다. 임의의 적합한 희석된 HF는 일반적으로 50:1 물 : HF의 HF 형태로 쓰일 수 있다. 본 발명의 세정 조성물에 존재하는 HF의 양은 일반적으로, 약 0.01% 내지 약 10%, 바람직하게 약 0.1% 내지 약 5%, 더 바람직하게 약 0.1% 내지 약 1%, 훨씬 더 바람직하게 약 0.2%의 범위일 것이다. 상기 물은 본 발명의 세정 조성물에서 약 0.1% 내지 약 49%, 바람직하게 약 1% 내지 약 40%, 더 바람직하게 약 10% 내지 약 20%, 및 훨씬 더 바람직하게 약 18%의 양으로 존재할 것이다.
임의의 적합한 술폰 또는 셀레논 제1 용매, 바람직하게 술폰 제1 용매가 본 발명의 세정 조성물에 쓰일 수 있다. 적합한 제1 용매 중에는, 술폰, 이를테면 술포란, 메틸 술폰, 에틸 술폰, 디메틸 술폰, 디에틸 술폰, 디부틸 술폰, 메틸 페닐 술폰, 2,2'-술포닐 디에탄올, 4-(메틸 술포닐) 톨루엔, 에틸 페닐 술폰, 디-p-톨루일 술폰 및 상응하는 셀레논, 바람직하게 메틸 술폰 및 술포란, 및 더 바람직하게 술포란이 언급될 수 있다. 상기 조성물의 제1 용매 성분은 일반적으로 약 20% 내지 약 60%, 바람직하게 약 25% 내지 약 50%, 및 더 바람직하게 약 30% 내지 약 40%를 포함할 것이고 일반적으로 바람직하게는 술포란일 것이다.
금속 이온 착물화 또는 결합 자리를 가지는 임의의 적합한 폴리히드록실 알킬 또는 아릴 알코올 공용매 성분이 본 발명의 세정 조성물에 쓰일 수 있다. 폴리히드록실 알킬 알코올은 일반적으로 약 2 내지 약 20 탄소 원자, 바람직하게 약 2 내지 약 10 탄소 원자 및 더 바람직하게 약 2 내지 약 6 탄소 원자를 포함하는 폴리히드록실 알킬 알코올일 수 있다. 이 적합한 폴리히드록시 알킬 알코올의 예는 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 부틸렌 글리콜 및 글리세롤을 포함하지만 이것으로 한정되는 것은 아니다. 폴리히드록실 아릴 알코올은 일반적으로 6 내지 14 탄소 원자, 바람직하게 6 탄소 원자를 포함하는 폴리히드록시 아릴 알코올일 것이다. 이 폴리히드록시 아릴 알코올의 예는 카테콜 및 피로갤롤을 포함하지만 이것으로 한정되는 것은 아니다. 폴리히드록실 공용매는 일반적으로 세정 조성물에서 약 20% 내지 약 70%, 바람직하게 약 25% 내지 약 60%, 더 바람직하게 약 30% 내지 약 50%의 양으로 존재할 것이고, 일반적으로 바람직하게 에틸렌 글리콜일 것이다.
임의의 적합한 포스폰산 부식 방지제는 임의로 본 발명의 조성물에 쓰일 수 있다. 적합한 포스폰산 부식 방지제에는 예를 들어, 아미노트리메틸렌포스폰산, 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산)(DETPA), N,N,N',N'-에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰) 1,5,9-트리아자시클로도데칸-N,N',N"-트리스(메틸렌포스폰산)(DOTRP), 1,4,7,10-테트라아자시클로도데칸-N,N',N",N"'-테트라키스(메틸렌포스폰산)(DOTP), 니트릴로트리스(메틸렌) 트리포스폰산, 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산)(DETAP), 아미노트리메틸렌포스폰산, 1-히드록시에틸렌-1,1-디포스폰산, 비스(헥사메틸렌)트리아민 포스폰산, 1,4,7-트리아자시클로노난-N,N',N"-트리스(메틸렌포스폰산)(NOTP) 등이 언급될 수 있다. 바람직하게 포스폰산 부식 방지제는 아미노트리메틸렌포스폰산이다. 세정 조성물에 존재하는 경우, 포스폰산 부식 방지제 성분은 일반적으로 약 0.01% 내지 약 5%, 바람직하게 약 0.01% 내지 약 2%, 및 더욱 더 바람직하게 약 0.01% 내지 약 1%, 및 훨씬 더 바람직하게 약 0.1%의 양으로 존재할 것이다.
본 발명의 세정 조성물은 상기 조성물에 존재하는 임의의 적합한 계면활성제를 임의로 가질 수 있다. 적합한 계면활성제는 서피놀(Surfynol)™ 61, 서피놀™ 465 및 조닐(Zonyl)™ FSH을 포함하지만 이것들로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시태양에서, 마이크로전자 또는 나노전자 장치의 효과적인 세정은 상기 장치를 본 발명의 세정 조성물과 상기 장치의 성분 또는 찌꺼기의 제거에 적합한 임의의 시간 및 온도에서 접촉시킴으로써 발생한다. 일반적으로 이러한 세정은 사용되는 특정 세정 조성물 및 세정되는 특정 마이크로전자 및 나노전자 장치에 따라서 약 30 ℃ 내지 약 100 ℃의 온도에서 약 1 내지 약 40 분 범위의 시간 기간에 걸쳐서 발생할 것이다.
본 발명의 바람직한 세정 조성물은 HF, 술포란, 에틸렌 글리콜 및 물을 포함하거나, 그것들로 본질적으로 이루어지거나, 또는 그것들로 구성된다. 본 발명의 다른 바람직한 조성물은 HF, 술포란, 에틸렌 글리콜, 물 및 아미노트리메틸렌포스폰산을 포함하거나, 그것들로 본질적으로 이루어지거나, 또는 그것들로 구성된다. 본 발명의 특히 바람직한 세정 조성물은 약 0.2% HF, 약 36.4% 술포란, 약 45.4% 에틸렌 글리콜 및 약 18% 물을 포함하거나, 그것들로 본질적으로 이루어지거나, 또는 그것들로 구성되는 세정 조성물 및 약 0.2% HF, 약 36.3% 술포란, 약 45.4% 에틸렌 글리콜, 약 18% 물 및 약 0.1% 아미노트리메틸렌포스폰산을 포함하거나, 그것들로 본질적으로 이루어지거나, 또는 그것들로 구성되는 세정 조성물을 포함한다.
본 발명의 세정 조성물의 스트리핑 및 비 부식 성능은 본 발명의 다음 세정 조성물을 활용하는 다음 시험 결과에 의해 예시되지만, 이것들로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 조성물 A는 약 0.2% HF, 약 36.4% 술포란, 약 45.4% 에틸렌 글리콜 및 약 18% 물로 이루어진다. 본 발명의 조성물 B는 약 0.2% HF, 약 36.3% 술포란, 약 45.4% 에틸렌 글리콜, 약 18% 물 및 약 0.1% 아미노트리메틸렌포스폰산으로 이루어진다. 전형적인 선행 기술 세정 조성물의 예시적인 비교 세정 조성물을 비교 목적을 위하여 본 시험에 사용하였다. 상기 비교 조성물은 본원에서 나중에 1000:1 dHF로 언급되는, 수성 dHF (1000:1) 용액으로 이루어졌다.
본 실시예에서 5000 Å 두께 PE-TEOS, 500 Å 두께 SiC, 2600 Å 두께 블랙 다이아몬드(Black Diamond) 유전체, 500 Å 두께 쉬플레이(Shipley) AR19 불소중합체 ARC, 및 3000 Å 두께 도쿄 오카(Tokyo Ohka) TARF-P6111 포토레지스트를 그 위에 가진 200 nm 지름의 주된 규소 기판 웨이퍼를 사용하였다. 포토레지스트, ARC 및 유전체의 전형적인 에칭 및 포토레지스트 및 ARC의 에슁 후, 상기 웨이퍼를 교반 막대가 구비되고, 400 rpm의 교반 속도를 갖고, 조성물 A 또는 상기 1000:1 dHF 비교 조성물 중 하나를 포함하는 작은 비커에서 45 ℃에서 3 분 동안 처리하였다. 상기 1000:1 dHF로 처리한 웨이퍼는 완전히 깨끗하지 않았지만, 조성물 A로 처리한 웨이퍼는 완전하게 세정되었다(즉, 모든 찌꺼기가 웨이퍼로부터 완전하게 제거되었다). 부가적으로, 세정 조성물 A의 경우, 로우-k 유전체에 상당한 부식 또는 피해를 관찰하지 못하였다. 따라서, 본 발명의 세정 조성물은, 특히 웨이퍼에 193 nm 포토레지스트 및 불소중합체 ARC가 존재하는 경우, dHF 세정과 비교하여 우세한 세정력을 제공한다.
TiN이 금속 기반 하드 마스크를 사용하는 통합 계획에서 금속 기반 하드 마스크에 대한 기재로써 일반적으로 사용되므로 가능한 TiN 에칭의 면에서 세정 조성물 A와 1000:1 dHF를 비교하기 위하여 다음 시험을 수행하였다. 약 2 내지 약 16 분의 시간 동안 약 25 ℃ 내지 약 55 ℃ 범위의 온도에서 세정 조성물 A 및 1000:1 dHF 비교 조성물에 TiN 시험 시료를 담지하였다. TiN 에칭 속도는 시험의 시간 및 온도 범위에 걸쳐 조성물 A 및 1000:1 dHF 모두에서 본질적으로 동일하였다. 1000:1 dHF 및 조성물 A 모두를 유사하게 거동하고, 산화물 층 때문에, 도입시기 후 신속하게 약 50 nm 두께의 TiN 필름을 제거하는 것으로 관찰되었고, 본 발명의 세정 조성물은 더 좋은 찌꺼기 제거제가 요구되는 세정 응용 분야에서 dHF를 쉽게 대체할 수 있다는 것을 확인하였고, dHF가 하드 마스크를 제거하기 위한 TiN 에칭의 면에서 제공할 수 있는 본질적으로 동일한 성능을 여전히 얻었다.
본 발명의 조성물 A 및 B 모두에 대하여 Ti 및 TiN 에칭 속도의 평가를 측정하였다. 먼저, Ti 및 TiN 금속 조각을 10 분 동안 45 ℃에서 조성물 A에 담지함으로써 처리하였고 그 다음 Ti 및 TiN 에칭 속도를 측정하였다. 다음으로, Ti 및 TiN 금속 조각을 30 분의 시간에 걸쳐 45 ℃, 75 ℃ 및 90 ℃에서 조성물 B에 담지함으로써 처리하였다. 옹스트롬/분 단위의 에칭 속도를 4 pt. 프로브로 측정하였다. 에칭 속도 결과는 표 1에 있다. 데이터에서 보는 것처럼, 임의의 포스폰산 부식 방지제 성분의 존재는 본 발명의 세정 조성물을 심지어 더 높은 온도에서 Ti 및 TiN과 상용성이게 한다. dHF 및 조성물 A 모두는 상승된 온도에서 Ti 및 TiN과 상용성이지 않으므로, 포스폰산 부식 방지 화합물을 포함하는 조성물 B와 같은 조성물을 사용하는 것이 유리하다.
구리에 부착된 부식 방지제는 증가된 비아(via) 저항을 가져올 수 있지만, 상기 방지제가 Ti 또는 TiN 하드 마스크에 부착되는 것이 허용가능하다. XPS를 사용하여 포스폰산 부식 방지제가 구리에 부착되지 않았음을 보았다. 구리 상에 남아있는 부식 방지제의 존재는 순차적인 조립 또는 가공 단계 동안 요소들을 장치에 적절하게 붙이는 것을 방해하는 문제점을 가져올 수 있지만, Ti 및 TiN에 상기 부식 방지제를 부착하는 것은 이러한 문제점을 가져오지 않는다. 규소 웨이퍼 상의 Ti 및 Cu 필름을 45 ℃에서 10 분 동안 물(대조군) 및 조성물 B에서 처리한 후 30 초 H2O 헹굼을 수행하고, 그리고 질소로 건조시켰다. XPS를 사용하여 표면 상에 부식 방지제가 남아있는지 측정하였다. N1s 부위를 사용하여 표면 상에 아미노 질소가 존재하는지 확인함으로써 부식 방지제의 금속 표면과의 상호작용을 모니터링하였다. 처리 후 Cu 표면 상에서 아무런 부식 방지제를 관찰하지 못하였지만, 처리 후 Ti 표면 상에서 부식 방지제가 관찰되었다.
Cu 상의 CoWP의 블랭킷 규소 웨이퍼를 2 분 동안 35 ℃에서 조성물 A로 처리하고 2 분 동안 35 ℃에서 1000:1 dHF에서 또한 처리하였다. XPS를 사용하여 처리 후 표면을 특성화하였고 두 제제 모두에 의해 야기된 손상을 비교하였다. 둘 다의 경우에서, 산화 및 비산화된 CoWP (Co 2p3 /2, W 4f, 및 P 2p)의 비교는 상기 제제 모두가 비처리된 필름에 비하여 CoWP 필름의 표면에서 산화된 CoWP의 백분율을 감소시킨다는 사실을 나타낸다. 산화된 물질에서 상기 감소를 표 2에 열거된 이들 필름에서의 % O에 의해 확인한다. 조성물 A 및 1000:1 dHF 처리된 CoWP 모두는 비처리된 웨이퍼에 비하여 % O(산화된 물질의 제거)에서 비슷한 감소를 보여준다.
상기 언급된 XPS 결과를 또한 사용하여 어떤 제제가 CoWP에 손상을 더 적게 입히는지 측정하였다. 표 2는 XPS 결과의 정량 분석에 의해 측정된 % Co : % Cu의 비율을 보여준다. 상기 비율에서 더 낮은 값은 더 큰 양의 Cu가 웨이퍼의 표면 근처에서 노출되고 CoWP의 손실이 있다는 것을 나타낸다. 조성물 A 및 1000:1 dHF 모두 CoWP에 확실하게 손상을 입히지만, 조성물 A가 1000:1 dHF에 비하여 더 적게 손상을 입힌다.
본 발명은 그것의 특정 실시태양에 관하여 본원에서 기술되었지만, 본원에 공개된 발명의 개념의 기본 정신 및 범위에서 벗어나지 않고 변화, 수정 및 변경이 이루어질 수 있다는 것이 이해될 수 있다. 따라서, 첨부된 청구항의 기본 정신 및 범위 내에 속하는 이러한 모든 변화, 수정 및 변경을 포함하는 것으로 의도된다.
Claims (17)
- 0.2% HF,
36.3% 내지 36.4% 술포란인, 술폰 및 셀레논으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제1 용매,
45.4% 에틸렌 글리콜인, 금속 이온 착물화 또는 결합 자리를 가지는 하나 이상의 폴리히드록실 알킬 또는 아릴 알코올 공용매
18% 물, 및
0% 내지 0.1% 하나 이상의 포스폰산 부식 방지제 화합물
을 포함하고,
염기 및 염이 없고 0 초과 및 5.5 이하의 pH를 가지며, 상기 백분율은 조성물의 총 중량에 기초한 중량에 의한 것이고, 모든 성분들의 총합은 100 중량%인,
마이크로전자 또는 나노전자 장치의 세정을 위한 세정 조성물. - 제1항에 있어서, 임의의 하나 이상의 포스폰산 부식 방지제 화합물이 존재하고, 아미노트리메틸렌포스폰산, 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산)(DETPA), N,N,N',N'-에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰), 1,5,9-트리아자시클로도데칸-N,N',N"-트리스(메틸렌포스폰산)(DOTRP), 1,4,7,10-테트라아자시클로도데칸-N,N',N",N"'-테트라키스(메틸렌포스폰산)(DOTP), 니트릴로트리스(메틸렌) 트리포스폰산, 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산)(DETAP), 1-히드록시에틸렌-1,1-디포스폰산, 비스(헥사메틸렌)트리아민 포스폰산, 및 1,4,7-트리아자시클로노난-N,N',N"-트리스(메틸렌포스폰산)(NOTP)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제2항에 있어서, 상기 포스폰산 부식 방지제 화합물이 아미노트리메틸렌포스폰산인 세정 조성물.
- 제1항에 있어서, 0.2% HF; 36.3% 술포란, 45.4% 에틸렌 글리콜, 18% 물, 및 0.1% 아미노트리메틸렌포스폰산을 포함하고, 상기 백분율은 상기 조성물의 총 중량에 기초한 중량에 의한 것인 세정 조성물.
- 제1항의 세정 조성물과 마이크로전자 또는 나노전자 장치를 접촉시켜 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는, 마이크로전자 또는 나노전자 장치의 세정 방법.
- 제5항에 있어서, 세정될 상기 장치가 포토레지스트; 구리 금속 피복; 로우-k 유전체; 및 금속 Ti 또는 TiN 하드 마스크, 반사 방지 코팅, 또는 CoWP 금속 덮개 층으로부터 선택되는 하나 이상의 요소를 갖는 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15530909P | 2009-02-25 | 2009-02-25 | |
| US61/155,309 | 2009-02-25 | ||
| PCT/US2010/020974 WO2010098899A1 (en) | 2009-02-25 | 2010-01-14 | Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110136820A KR20110136820A (ko) | 2011-12-21 |
| KR101831452B1 true KR101831452B1 (ko) | 2018-02-22 |
Family
ID=42077359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020117022263A KR101831452B1 (ko) | 2009-02-25 | 2010-01-14 | 다목적 산성, 유기 용매 기반의 마이크로전자 세정 조성물 |
Country Status (16)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8557757B2 (ko) |
| EP (1) | EP2401655B1 (ko) |
| JP (1) | JP2014132094A (ko) |
| KR (1) | KR101831452B1 (ko) |
| CN (1) | CN102334069B (ko) |
| AU (1) | AU2010218426A1 (ko) |
| BR (1) | BRPI1007989A2 (ko) |
| CA (1) | CA2753399A1 (ko) |
| IL (1) | IL214728A (ko) |
| MX (1) | MX2011008787A (ko) |
| MY (1) | MY152051A (ko) |
| RU (1) | RU2011139104A (ko) |
| SG (1) | SG173834A1 (ko) |
| TW (1) | TWI500760B (ko) |
| WO (1) | WO2010098899A1 (ko) |
| ZA (1) | ZA201106933B (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8754021B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-06-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-amine post-CMP composition and method of use |
| EP2463410B1 (en) * | 2010-12-13 | 2018-07-04 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Electrochemical etching of semiconductors |
| CN103958640B (zh) * | 2011-10-21 | 2016-05-18 | 安格斯公司 | 无胺cmp后组合物及其使用方法 |
| US8951950B2 (en) * | 2012-03-12 | 2015-02-10 | Ekc Technology | Aluminum post-etch residue removal with simultaneous surface passivation |
| TW201713751A (zh) * | 2015-10-06 | 2017-04-16 | 聯華電子股份有限公司 | 酸槽補酸系統與方法 |
| CN108251895A (zh) * | 2016-12-29 | 2018-07-06 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种氟化氢气相腐蚀设备及方法 |
| CN115799063A (zh) * | 2023-01-31 | 2023-03-14 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 一种氧化物层的刻蚀方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001474A1 (en) | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Micron Technology, Inc. | Acid blend for removing etch residue on semiconductor substrates |
| JP2006041446A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 電子部品洗浄液 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3629124A (en) * | 1969-08-27 | 1971-12-21 | Monsanto Co | Bleaching sterilizing disinfecting and deterging compositions |
| US4215005A (en) | 1978-01-30 | 1980-07-29 | Allied Chemical Corporation | Organic stripping compositions and method for using same |
| US6368421B1 (en) | 1998-07-10 | 2002-04-09 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces |
| US6531436B1 (en) | 2000-02-25 | 2003-03-11 | Shipley Company, L.L.C. | Polymer removal |
| JP3791905B2 (ja) * | 2000-04-24 | 2006-06-28 | 日東電工株式会社 | Ｏ型偏光子およびｅ型偏光子を含む液晶ディスプレー |
| US6831048B2 (en) | 2000-04-26 | 2004-12-14 | Daikin Industries, Ltd. | Detergent composition |
| WO2002004233A1 (en) | 2000-07-10 | 2002-01-17 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices |
| US6799589B2 (en) | 2000-11-08 | 2004-10-05 | Sony Corporation | Method and apparatus for wet-cleaning substrate |
| EP1512050A2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-03-09 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Cleaning compositions for microelectronic substrates |
| WO2003104900A2 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | Mallinckrodt Baker Inc. | Microelectronic cleaning compositions containing oxidizers and organic solvents |
| JP2004029346A (ja) | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離液組成物 |
| US7166419B2 (en) * | 2002-09-26 | 2007-01-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions substrate for removing etching residue and use thereof |
| EP1664935B1 (en) * | 2003-08-19 | 2007-10-17 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Stripping and cleaning compositions for microelectronics |
| JP4620680B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2011-01-26 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | ハロゲン化金属の腐食阻害剤を含有するアルカリ性のプラズマエッチング／灰化後の残渣の除去剤およびフォトレジスト剥離組成物 |
| BRPI0418529A (pt) * | 2004-02-11 | 2007-05-15 | Mallinckrodt Baker Inc | composições de limpeza para microeletrÈnicos contendo ácidos de halogênio oxigenados, sais e derivados dos mesmos |
| ATE488570T1 (de) * | 2004-03-01 | 2010-12-15 | Mallinckrodt Baker Inc | Nanoelektronik- und mikroelektronik- reinigungsmittel |
| BRPI0513315A (pt) * | 2004-07-15 | 2008-05-06 | Mallinckrodt Baker Inc | composições de limpeza microeletrÈnicas não-aquosas contendo frutose |
| US8178482B2 (en) * | 2004-08-03 | 2012-05-15 | Avantor Performance Materials, Inc. | Cleaning compositions for microelectronic substrates |
| KR20060064441A (ko) * | 2004-12-08 | 2006-06-13 | 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 | 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물 |
| CA2591477A1 (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Non-aqueous, non-corrosive microelectronic cleaning compositions containing polymeric corrosion inhibitors |
| US20060246217A1 (en) | 2005-03-18 | 2006-11-02 | Weidman Timothy W | Electroless deposition process on a silicide contact |
| KR101251594B1 (ko) * | 2006-03-23 | 2013-04-08 | 주식회사 동진쎄미켐 | 레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물 |
| JP2010535422A (ja) * | 2007-08-02 | 2010-11-18 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | マイクロ電子デバイスから残渣を除去するための非フッ化物含有組成物 |
-
2010
- 2010-01-14 WO PCT/US2010/020974 patent/WO2010098899A1/en active Application Filing
- 2010-01-14 EP EP10704029.7A patent/EP2401655B1/en not_active Not-in-force
- 2010-01-14 US US13/138,467 patent/US8557757B2/en active Active
- 2010-01-14 BR BRPI1007989A patent/BRPI1007989A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2010-01-14 KR KR1020117022263A patent/KR101831452B1/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-01-14 CN CN2010800093059A patent/CN102334069B/zh active Active
- 2010-01-14 AU AU2010218426A patent/AU2010218426A1/en not_active Abandoned
- 2010-01-14 SG SG2011061033A patent/SG173834A1/en unknown
- 2010-01-14 CA CA2753399A patent/CA2753399A1/en not_active Abandoned
- 2010-01-14 MY MYPI2011003956 patent/MY152051A/en unknown
- 2010-01-14 MX MX2011008787A patent/MX2011008787A/es active IP Right Grant
- 2010-01-14 RU RU2011139104/04A patent/RU2011139104A/ru unknown
- 2010-01-28 TW TW099102451A patent/TWI500760B/zh active
-
2011
- 2011-08-18 IL IL214728A patent/IL214728A/en not_active IP Right Cessation
- 2011-09-22 ZA ZA2011/06933A patent/ZA201106933B/en unknown
-
2014
- 2014-04-14 JP JP2014082906A patent/JP2014132094A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001474A1 (en) | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Micron Technology, Inc. | Acid blend for removing etch residue on semiconductor substrates |
| JP2006041446A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 電子部品洗浄液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201035308A (en) | 2010-10-01 |
| KR20110136820A (ko) | 2011-12-21 |
| IL214728A0 (en) | 2011-11-30 |
| US8557757B2 (en) | 2013-10-15 |
| CN102334069B (zh) | 2013-07-10 |
| MY152051A (en) | 2014-08-15 |
| EP2401655A1 (en) | 2012-01-04 |
| ZA201106933B (en) | 2012-05-30 |
| US20110306534A1 (en) | 2011-12-15 |
| JP5730790B2 (ja) | 2015-06-10 |
| RU2011139104A (ru) | 2013-04-10 |
| MX2011008787A (es) | 2011-09-29 |
| JP2012518715A (ja) | 2012-08-16 |
| CN102334069A (zh) | 2012-01-25 |
| SG173834A1 (en) | 2011-09-29 |
| JP2014132094A (ja) | 2014-07-17 |
| EP2401655B1 (en) | 2014-03-12 |
| AU2010218426A1 (en) | 2011-10-20 |
| WO2010098899A1 (en) | 2010-09-02 |
| TWI500760B (zh) | 2015-09-21 |
| IL214728A (en) | 2015-10-29 |
| BRPI1007989A2 (pt) | 2016-03-01 |
| CA2753399A1 (en) | 2010-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6339555B2 (ja) | 高いｗｎ／ｗ選択率を有するストリッピング組成物 | |
| KR101912400B1 (ko) | ＴｉＮ 하드 마스크 및 에치 잔류물 제거 | |
| JP4373457B2 (ja) | フォトレジストのための組成物及び方法 | |
| JP4304154B2 (ja) | 酸化剤および有機溶媒を含有するマイクロエレクトロニクス洗浄組成物 | |
| TWI507521B (zh) | 銅鈍化之後段化學機械拋光清洗組成物及利用該組成物之方法 | |
| KR101831452B1 (ko) | 다목적 산성, 유기 용매 기반의 마이크로전자 세정 조성물 | |
| US20090131295A1 (en) | Compositions for Removal of Metal Hard Mask Etching Residues from a Semiconductor Substrate | |
| US20080076688A1 (en) | Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use | |
| KR20170137702A (ko) | 화학적 기계적 연마 후 제제 및 사용 방법 | |
| TW201900860A (zh) | 化學機械研磨後調配物及使用方法 | |
| JP2006009006A (ja) | 基材から残留物を除去するための組成物及びその組成物を用いた方法 | |
| KR20040104519A (ko) | 반도체 기질 세정용 ｐＨ 버퍼 조성물 | |
| JP2006049860A (ja) | はく離及び洗浄用の組成物並びにそれらの使用 | |
| TW200428512A (en) | Reducing oxide loss when using fluoride chemistries to remove post-etch residues in semiconductor processing | |
| KR20050012770A (ko) | 마이크로일렉트로닉 세정 및 반사방지 코팅 제거제 조성물 | |
| JP5801594B2 (ja) | 洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法 | |
| EP3599633B1 (en) | Post etch residue cleaning compositions and methods of using the same | |
| JP5730790B6 (ja) | 酸性、有機溶媒ベースの多目的マイクロエレクトロニクス洗浄組成物 | |
| KR102321217B1 (ko) | 에칭 후 잔여물 세정 조성물 및 이의 사용 방법 | |
| KR102026484B1 (ko) | 알루미늄 에칭후 잔류물 제거 및 동시 표면 부동태화 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal |