TW201900860A

TW201900860A - 化學機械研磨後調配物及使用方法

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Publication number: TW201900860A
Application number: TW107112449A
Authority: TW
Inventors: 唐納德弗萊; 俊劉; 丹尼拉懷特; 邁克懷特
Original assignee: 美商恩特葛瑞斯股份有限公司
Priority date: 2017-04-11
Filing date: 2018-04-11
Publication date: 2019-01-01
Also published as: JP2021181571A; US20180291309A1; KR102355690B1; JP6966570B2; KR20190124285A; TWI703210B; CN110506100A; WO2018191424A1; US10731109B2; JP2020516725A

Abstract

本發明提供一種用於自其上具有化學機械研磨(CMP)後殘餘物及污染物之微電子裝置清洗該殘餘物及污染物的清洗組合物及方法。該組合物在不損害低k介電材料或銅互連材料之情況下實現自該微電子裝置之表面高效清洗該CMP後殘餘物及污染物材料。另外，該清洗組合物與含釕材料相容。

Description

化學機械研磨後調配物及使用方法

本發明大體上係關於用於清洗來自其上具有殘餘物及/或污染物之微電子裝置之該殘餘物及/或污染物，且特定言之包含含銅材料、含鉭材料、含鈷材料及含釕材料中之至少一者之殘餘物及/或污染物的組合物。

微電子裝置晶圓用以形成積體電路。微電子裝置晶圓包括諸如矽之基板，在其中區域經圖案化以供沈積具有絕緣、導電或半導電之特性的不同材料。為獲得正確圖案化，必須移除用於在基板上形成層之盈餘材料。此外，為製造功能性且可靠之電路，在後續加工之前製備平整或平坦之微電子晶圓表面很重要。因此，有必要平坦化及/或研磨微電子裝置晶圓之某些表面。化學機械研磨或平坦化(「CMP」)為自微電子裝置晶圓之表面移除材料之製程，且藉由將諸如磨耗之物理製程與諸如氧化或螯合之化學製程偶合來平坦化且研磨表面。以其最基本之形式，CMP涉及將漿液(例如，磨料及活性化學物質之溶液)施加至微電子裝置晶圓之表面之研磨襯墊，以實現移除、平坦化及研磨製程。通常不需要由純物理或純化學作用組成之移除或研磨製程，而是二者協同組合以便實現快速、均勻之移除。在積體電路之製造中，CMP漿液亦應能夠優先移除包含金屬及其他材料之複合層之膜，從而可產生高度平坦之表面以用於後續光微影或圖案化、刻蝕及薄膜加工。在微電子裝置製造中通常用於電路之金屬化的銅鑲嵌製程中，必須移除且平面化之層包括厚度為約1-1.5 mm之銅層及厚度為約0.05-0.15 mm之銅晶種層。藉由障壁材料之層自介電材料表面分離此等銅層，該障壁材料之層通常厚度約50-300 Å，其防止銅擴散至氧化物介電材料中。在研磨之後獲得晶圓表面上之良好均勻度的一個關鍵為使用對各材料具有正確移除選擇性的CMP漿液。鉭及氮化鉭目前用作防止由銅經由介電層擴散所造成之裝置污染的障壁層材料。然而，由於鉭之高電阻性，尤其在高縱橫比特徵中，難以使銅有效地沈積於障壁層上。因此，銅晶種層必須最初沈積於障壁層上。由於電路之特徵大小降低至65 nm、45 nm及32 nm標度，因此控制晶種層之精確厚度以防止溝槽頂部之突出及空隙之形成變得極其困難，尤其對於32 nm技術節點及超出32 nm之技術節點。涉及晶圓基板表面製備、沈積、電鍍、刻蝕及化學機械研磨之前述製程操作不同地需要清洗操作以確保微電子裝置產品不含將以其他方式有害地影響產品之功能或甚至致使其不可用於其預定功能的殘餘物及污染物。通常，此等污染物之粒子小於0.3 mm。遵循CMP製程，此等殘餘物及污染物包括CMP漿液組分、來自經移除層之粒子及諸如苯并三唑(BTA)之腐蝕抑制劑化合物。若不經移除，則此等殘餘物可能導致對銅線之損害或使銅金屬化物嚴重地粗糙化，以及導致CMP後施加之層在裝置基板上之較差黏著。銅金屬化物之嚴重粗糙化尤其難以解決，此係因為過度粗糙之銅可能導致產品微電子裝置之較差電學性能。在本領域中存在對用以提供自基板(包括除鉭及氮化鉭以外或另外包括障壁材料之基板)有效地移除殘餘物及污染物之組合物及方法的持續需求。組合物及方法應消除銅上之粒子及其他缺陷且不腐蝕或以其他方式損害銅。

本發明大體上係關於一種用於清洗來自其上具有殘餘物及污染物之微電子裝置之殘餘物及/或污染物的組合物及方法。殘餘物可包括CMP後、刻蝕後及/或灰化後殘餘物。組合物及方法尤其在清洗包含銅、低k介電材料及包含含鉭材料、含鈷材料及含釕材料中之至少一者的障壁材料之微電子表面時有利。在一個態樣中，描述一種清洗組合物，該清洗組合物包含至少一種有機胺、水、至少一種pH調節劑、至少一種有機添加劑及至少一種金屬腐蝕抑制劑。在另一態樣中，一種移除來自其上具有殘餘物及污染物之微電子裝置之殘餘物及污染物的方法，該方法包含使微電子裝置與清洗組合物接觸足夠時間以至少部分地清洗來自微電子裝置之殘餘物及污染物，其中該清洗組合物與銅、低k介電材料及障壁材料相容，其中障壁材料包含含鉭材料、含鈷材料及含釕材料中之至少一者，且其中該清洗組合物包含至少一種有機胺、水、至少一種pH調節劑、至少一種有機添加劑及至少一種金屬腐蝕抑制劑。其它態樣、特徵及優點將自隨後揭示內容及隨附申請專利範圍更充分地顯而易見。

本發明大體上係關於適用於自其上具有殘餘物及污染物之微電子裝置移除此類材料的組合物。該組合物尤其適用於移除CMP後、刻蝕後或灰化後殘餘物。為易於參考，「微電子裝置」對應於半導體基板、平板顯示器、相變記憶體裝置、太陽電池板及其他產品，包括太陽能基板、光伏打裝置及微機電系統(MEMS)，經製造以用於微電子、積體電路或電腦晶片應用。太陽能基板包括(但不限於)矽、非晶矽、多晶矽、單晶矽、CdTe、銅銦硒化物(copper indium selenide)、銅銦硫化物(copper indium sulfide)及鎵上砷化鎵(gallium arsenide on gallium)。太陽能基板可經摻雜或未經摻雜。應理解，術語「微電子裝置」並不意謂以任何方式限制且包括將最終變為微電子裝置或微電子總成之基板。如本文中所使用，「殘餘物」對應於在包括(但不限於)電漿刻蝕、灰化、化學機械研磨、濕式刻蝕及其組合之微電子裝置的製造期間所產生之粒子。如本文中所使用，「污染物」對應於存在於CMP漿液中之化學物質、研磨漿液之反應副產物殘餘物、存在於濕式刻蝕組合物中之化學物質、濕式刻蝕組合物之反應副產物以及為CMP製程、濕式刻蝕、電漿刻蝕或電漿灰化製程之副產物之任何其他材料。常見污染物包括苯并三唑，其通常存在於CMP漿液中。如本文中所使用，「CMP後殘餘物」對應於來自研磨漿液之粒子(例如，含矽石粒子)、存在於漿液中之化學物質、研磨漿液之反應副產物、富碳粒子、研磨襯墊粒子、刷卸載粒子、構築粒子之裝備材料、金屬、金屬氧化物、有機殘餘物、障壁層殘餘物，及為CMP製程之副產物的任何其他材料。如本文中所定義，通常經研磨之「金屬」包括銅、鋁及鎢。如本文中所定義，「低k介電材料」對應於用作分層微電子裝置中之介電材料的任何材料，其中材料之介電常數小於約3.5。較佳地，低k介電材料包括低極性材料，諸如含矽有機聚合物、含矽雜化有機/無機材料、有機矽酸鹽玻璃(OSG)、TEOS、氟化矽酸鹽玻璃(FSG)、二氧化矽及經碳摻雜之氧化物(CDO)玻璃。應瞭解，低k介電材料可具有不同密度及不同孔隙。如本文中所定義，「錯合劑」包括由熟習此項技術者理解為錯合劑、螯合劑(chelating agents及/或sequestering agents)之彼等化合物。錯合劑將與待使用本文中所描述之組合物移除之金屬原子及/或金屬離子化學上組合或物理上夾持該金屬原子及/或金屬離子。如本文中所定義，術語「障壁材料」對應於在此項技術中用以密封金屬線(例如，銅互連件)以最小化該金屬(例如，銅)至介電材料中之擴散的任何材料。較佳之障壁層材料包括鉭、鈦、釕、鉿、鎢、鈷，以及前述金屬中之任一者之氮化物及矽化物。如本文中所定義，「刻蝕後殘餘物」對應於在氣相電漿刻蝕製程(例如，BEOL雙金屬鑲嵌製程)或濕式刻蝕製程之後所保留之材料。刻蝕後殘餘物可為有機物、有機金屬、有機矽，或本質上為無機物，例如含矽石材料、碳基有機材料及諸如氧氣及氟氣之刻蝕氣體殘餘物。如本文中所定義，如本文中所使用之「灰化後殘餘物」對應於在用以移除硬化光阻及/或底部抗反射塗層(BARC)材料之氧化或還原電漿灰化之後所保留之材料。灰化後殘餘物可為有機物、有機金屬、有機矽或本質上為無機物。「基本上不含」在本文中定義為小於2 wt.%，較佳小於1 wt.%，更佳小於0.5 wt.%，且最佳小於0.1 wt.%。在一個實施例中，「基本上不含」對應於百分之零。如本文中所定義，「含釕材料」及「釕物種」包括(但不限於)純釕、釕氮化物(包括釕氮化物，其包含諸如Si、Ta或Li之額外元素)、釕氧化物(包括釕氧化物，其包含氫氧化物)及釕合金。熟習此項技術者應理解，各種釕氧化物及釕氮化物之化學式可基於釕離子之氧化態而變化，其中釕之常見氧化態為0、+2、+3、+4、+6、+7、+8或-2。如本文中所定義，「含鉭材料」及「鉭物種」包括(但不限於)純鉭、鉭氮化物(包括鉭氮化物，其包含諸如Si之額外元素)、鉭氧化物(包括鉭氧化物，其包含氫氧化物)、鉭鋁化物及鉭合金。熟習此項技術者應理解，各種鉭氧化物及鉭氮化物之化學式可基於鉭離子之氧化態而變化，其中鉭之常見氧化態為-1、-3、+1、+2、+3、+4及+5。如本文中所定義，「含鈷材料」及「鈷物種」包括(但不限於)純鈷、鈷氧化物、鈷氫氧化物、鈷氮化物(包括鈷氮化物，其包含諸如Ta或Ti之額外元素)、CoW、CoP、CoSi及矽化鈷。熟習此項技術者應理解，各種鈷氧化物及鈷氮化物之化學式可基於鈷離子之氧化態而變化，其中鈷之常見氧化態為-3、-1、+1、+2、+3、+4及+5。如本文中所定義，「含釕材料」及「釕物種」包括(但不限於)純釕、釕氮化物(包括釕氮化物，其包含諸如Si、Ta或Li之額外元素)、釕氧化物(包括釕氧化物，其包含氫氧化物)及釕合金。熟習此項技術者應理解，各種釕氧化物及釕氮化物之化學式可基於釕離子之氧化態而變化，其中釕之常見氧化態為0、+2、+3、+4、+6、+7、+8或-2。如本文所使用，「約」意欲對應於所陳述值之±5%。如本文中所定義，「反應產物或降解產物」包括(但不限於)形成為表面催化、氧化、還原、與組成性組分反應的產物或以其他方式聚合之產物的產物或副產物；形成為其中物質或材料(例如，分子、化合物等)與其他物質或材料組合、與其他物質或材料互換組分、分解、重排或以其他方式化學上及/或物理上改變之變化或轉化之產物的產物或副產物，包括前述中之任一者之中間產物或副產物或前述反應、變化及/或轉化之任何組合。應瞭解，反應物或降解產物可具有比原始反應物更大或更小之莫耳質量。「氧化劑」在化學領域中熟知作為可氧化另一物種同時自身被還原之物種。出於本申請案之目的，氧化劑可包括(但不限於)臭氧、硝酸、鼓泡空氣、環己胺基磺酸、過氧化氫、FeCl₃ 、過硫酸氫鉀、過硼酸鹽、過氯酸鹽、高碘酸鹽、過硫酸鹽、高錳酸鹽、亞氯酸鹽、氯酸鹽、碘酸鹽、次氯酸鹽、硝酸鹽、過氧化單硫酸鹽、過氧單硫酸、硝酸鐵、胺-N-氧化物、過氧化脲、過氧乙酸、過碘酸、重鉻酸鉀、2-硝基苯酚、1,4-苯醌、過氧苯甲酸、過氧鄰苯二甲酸鹽、釩氧化物、偏釩酸銨、鎢酸銨、硫酸，及其組合。「含唑腐蝕抑制劑」或「含唑鈍化劑」包括三唑及其衍生物、苯并三唑及其衍生物、甲苯基三唑、噻唑及其衍生物、四唑及其衍生物、咪唑及其衍生物，以及吖嗪及其衍生物。如本文中所使用，「含氟化合物」對應於包含與另一原子離子鍵合之氟離子(F^- )之鹽或酸化合物。如本文中所使用，清洗來自其上具有殘餘物及污染物之微電子裝置的殘餘物及污染物之「適用性」對應於至少部分移除來自微電子裝置之殘餘物/污染物。清洗效果由在微電子裝置上目標之減少來評定。舉例而言，可使用原子力顯微鏡來進行清洗前分析及清洗後分析。可樣品上之粒子登記為像素範圍。可應用直方圖(例如，Sigma Scan Pro)以過濾呈某一強度(例如，231-235)之像素及經計數粒子數。可使用以下公式來計算粒子減少：值得注意地，測定清洗效力之方法僅針對實例提供且並不意欲受其限制。替代地，可將清洗效力視為由顆粒材料所覆蓋之總表面的百分比。舉例而言，AFM可經程式化以執行z-平面掃描以識別高於某一高度臨限值之所關注表面形貌區域，且隨後計算由所關注之該等區域覆蓋之總表面面積。熟習此項技術者將容易理解，清洗後由所關注之該等區域覆蓋之面積愈小，移除組合物愈有效。較佳地，使用本文中所描述之組合物，至少75%之殘餘物/污染物自微電子裝置移除，更佳地至少90%、甚至更佳地至少95%且最佳地至少99%之殘餘物/污染物經移除。如下文中更充分地描述，本文中所描述之組合物可實施於廣泛多種特定調配物中。在所有此等組合物中，其中參考重量百分比範圍(包括零下限)論述組合物之特定組分，應理解，此等組分可存在或不存在於組合物之各種特定實施例中，且在存在等類組分之例項中，以其中採用此等組分之組合物的總重量計，其可以低至0.001重量百分比之濃度存在。在一第一態樣中，清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、至少一種pH調節劑、至少一種有機添加劑及至少一種金屬腐蝕抑制劑。在一個實施例中，清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、至少兩種pH調節劑、至少一種有機添加劑及至少一種金屬腐蝕抑制劑。在另一實施例中，清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、至少一種pH調節劑、至少兩種有機添加劑及至少一種金屬腐蝕抑制劑。在又另一實施例中，清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、至少一種pH調節劑、至少一種有機添加劑及至少兩種金屬腐蝕抑制劑。在另一實施例中，清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、至少兩種pH調節劑、至少兩種有機添加劑及至少一種金屬腐蝕抑制劑。在又另一實施例中，清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、至少兩種pH調節劑、至少一種有機添加劑及至少兩種金屬腐蝕抑制劑。在又另一實施例中，清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、至少一種pH調節劑、至少兩種有機添加劑及至少兩種金屬腐蝕抑制劑。在又另一實施例中，清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、至少兩種pH調節劑、至少兩種有機添加劑及至少兩種金屬腐蝕抑制劑。實施例中之任一者可進一步包括至少一種還原劑、至少一種緩衝劑，或至少一種還原劑及至少一種緩衝劑兩者。此外，本文中所揭示之實施例中之任一者可進一步包括至少一種界面活性劑。有利地，清洗組合物增強對諸如苯并三唑之污染物的移除而同時降低經暴露銅之腐蝕速率及保留於經暴露銅上之殘餘物(例如，CMP後殘餘物，包括包含障壁層材料之CMP後殘餘物，該等障壁層材料包含鉭物種、鈷物種及釕物種中之至少一者)的量。在自微電子裝置移除殘餘物材料之前，第一態樣之清洗組合物可基本上不含或不含至少一種氧化劑；含氟源；磨料；氫氧化四甲基銨；含唑腐蝕抑制劑；五倍子酸；鋶化合物；胺肟化合物；以及其組合。此外，清洗組合物不應固化以形成聚合物固體，例如光阻。儘管設想調配物可包括至少一種界面活性劑，但如熟習此項技術者易於理解，亦設想該等調配物基本上不含界面活性劑。此外，按組合物之總重量計，至少一種有機添加劑於清洗組合物中之量小於20 wt%，較佳小於10 wt%，且更佳小於5 wt%，且至少一種pH調節劑較佳地包含鹼金屬氫氧化物，例如KOH。在一個較佳實施例中，第一態樣之清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、至少一種pH調節劑、至少一種有機添加劑及至少一種金屬腐蝕抑制劑，其中該清洗組合物按以下重量百分比比率調配：範圍介於約1至約100，較佳約5至約50，更佳約10至約25，且最佳約12至約20之有機胺/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.1至約50，較佳約1至約30，更佳約2至約20，且最佳約4至約10之pH調節劑/金屬腐蝕抑制劑；以及範圍介於約0.01至約50，較佳約0.1至約25，更佳約1至約15，且最佳約2至約10之有機添加劑/金屬腐蝕抑制劑。如本文中所揭示且如熟習此項技術者所理解，所添加pH調節劑之量視所期望pH而定。按組合物之總重量計，水於清洗組合物中之量為至少80 wt%，較佳至少85 wt%，且更佳至少90 wt%。清洗組合物可進一步包含至少一種還原劑、至少一種緩衝劑，或至少一種還原劑及至少一種緩衝劑兩者。可適用於特定組合物中之說明性有機胺包括具有通式NR¹ R² R³ 之物種，其中R¹ 、R² 及R³ 可彼此相同或不同且選自由以下組成之群：氫、直鏈或分支鏈C₁ -C₆ 烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基及己基)、直鏈或分支鏈C₁ -C₆ 醇(例如，甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇及己醇)及具有式R⁴ -O-R⁵ 之直鏈或分支鏈醚，其中R⁴ 及R⁵ 可彼此相同或不同且選自由如上文所定義之C₁ -C₆ 烷基組成之群。當胺包括醚組分時，可將胺視為烷氧基胺。設想其他有機胺包括二氰胺(C₂ N₃ ^- )，以及其鹽及其類似物。最佳地，R¹ 、R² 及R³ 中之至少一者為直鏈或分支鏈C₁ -C₆ 醇。實例包括(但不限於)：烷醇胺，諸如胺基乙基乙醇胺、N-甲基胺基乙醇、胺基乙氧基乙醇、胺基乙氧基乙氧基乙醇、丁氧基丙胺、甲氧基丙胺、丁氧基異丙胺、2-乙基己基異丙氧基胺、乙醇丙胺、乙基乙醇胺、N-羥乙基嗎啉、胺丙基二乙醇胺、二甲基胺基乙氧基乙醇、二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、單乙醇胺、三乙醇胺、1-胺基-2-丙醇、3-胺基-1-丙醇、二異丙胺、胺甲基丙二醇、N,N-二甲基胺甲基丙二醇、胺乙基丙二醇、N,N-二甲基胺乙基丙二醇、異丙胺、2-胺基-1-丁醇、胺甲基丙醇、胺基二甲基丙醇、N,N-二甲基胺甲基丙醇、異丁醇胺、二異丙醇胺、3-胺基、4-羥基辛烷、2-胺丁醇、參(羥甲基)胺基甲烷(TRIS)、N,N-二甲基三(羥甲基)胺基甲烷、羥基丙胺、苯甲胺、羥基乙胺、參(羥乙基)胺基甲烷、其他C₁ -C₈ 烷醇胺及其組合；胺，諸如三伸乙基二胺、乙二胺、己二胺、四伸乙基五胺(TEPA)、三伸乙基四胺、二伸乙基三胺、三乙胺、三甲胺及其組合；二甘醇胺；嗎啉；以及胺與烷醇胺之組合。較佳地，有機胺包含單乙醇胺。 pH調節劑包括鹼金屬氫氧化物(例如，LiOH、KOH、RbOH、CsOH)、鹼土金屬氫氧化物(例如，Be(OH)₂ 、Mg(OH)₂ 、Ca(OH)₂ 、Sr(OH)₂ 、Ba(OH)₂ )，以及具有式NR¹ R² R³ R⁴ OH之化合物，其中R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 可彼此相同或不同且選自由以下組成之群：氫、直鏈或分支鏈C₂ -C₆ 烷基(例如，乙基、丙基、丁基、戊基及己基)、C₁ -C₆ 烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基)及經取代或未經取代之C₆ -C₁₀ 芳基(例如，苯甲基)，其中R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 不全為甲基。可使用市售之氫氧化四烷基銨，包括氫氧化四乙銨(TEAH)、氫氧化四丙銨(TPAH)、氫氧化四丁銨(TBAH)、氫氧化三丁基甲銨(TBMAH)、氫氧化苯甲基三甲銨(BTMAH)、氫氧化膽鹼、氫氧化乙基三甲胺、參(2-羥乙基)甲基氫氧化銨、氫氧化二乙基二甲胺、氫氧化三乙基甲胺、三羥乙基甲基氫氧化銨，及其組合。替代地或另外，至少一種第四鹼可為式(PR¹ R² R³ R⁴ )OH之化合物，其中R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 可彼此相同或不同且選自由以下組成之群：氫、直鏈C₁ -C₆ 烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基)、分支鏈C₁ -C₆ 烷基、C₁ -C₆ 烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基)、經取代之C₆ -C₁₀ 芳基、未經取代之C₆ -C₁₀ 芳基(例如，苯甲基)及其任何組合，諸如氫氧化四丁基鏻(TBPH)、氫氧化四甲基鏻、氫氧化四乙基鏻、氫氧化四丙基鏻、氫氧化苯甲基三苯基鏻、氫氧化甲基三苯基鏻、氫氧化乙基三苯基鏻、氫氧化正丙基三苯基鏻。在一個實施例中，pH調節劑包含KOH。在另一實施例中，pH調節劑包含氫氧化膽鹼。在另一實施例中，pH調節劑包含本文中所列舉之至少一種鹼金屬氫氧化物及至少一種額外氫氧化物。在另一實施例中，pH調節劑包含本文中所列舉之KOH及至少一種額外氫氧化物。在又另一實施例中，pH調節劑包含KOH及氫氧化膽鹼。本文中所設想之金屬腐蝕抑制劑包括(但不限於)：乙酸、丙酮肟、丙烯酸、己二酸、丙胺酸、精胺酸、天冬醯胺、天冬胺酸、甜菜鹼、二甲基乙二肟、甲酸、反丁烯二酸、葡萄糖酸、麩胺酸、麩醯胺酸、戊二酸、甘油酸、丙三醇、乙醇酸、乙醛酸、組胺酸、亞胺基二乙酸、間苯二甲酸、伊康酸、乳酸、白胺酸、離胺酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、蘋果酸、丙二酸、杏仁酸、2,4-戊二酮、苯乙酸、苯丙胺酸、鄰苯二甲酸、脯胺酸、丙酸、焦兒茶酚、苯均四酸、奎尼酸、絲胺酸、山梨糖醇、丁二酸、酒石酸、對苯二甲酸、偏苯三甲酸、苯均三甲酸、酪胺酸、纈胺酸、木糖醇、草酸、鞣酸、吡啶甲酸、1,3-環戊二酮、鄰苯二酚、連苯三酚、間苯二酚、對苯二酚、三聚氰酸、巴比妥酸、1,2-二甲基巴比妥酸、丙酮酸、丙硫醇、苯基異羥肟酸、2,5-二羧基吡啶、4-(2-羥乙基)嗎啉(HEM)、N-胺乙基哌嗪(N-AEP)、乙二胺四乙酸(EDTA)、1,2-環己二胺-N,N,N',N'-四乙酸(CDTA)、N-(羥乙基)-乙二胺四乙酸(HEdTA)、亞胺二乙酸(IDA)、2-(羥乙基)亞胺二乙酸(HIDA)、氮基三乙酸、硫脲、1,1,3,3-四甲基脲、脲、脲衍生物、甘胺酸、半胱胺酸、麩胺酸、異白胺酸、甲硫胺酸、哌啶、N-(2-胺乙基)哌啶、吡咯啶、蘇胺酸、色胺酸、柳酸、對甲苯磺酸、水楊基羥肟酸、5-磺基柳酸，及其組合。在一較佳實施例中，較佳地，金屬腐蝕抑制劑包含半胱胺酸、草酸、組胺酸中之至少一者或其任何組合。在另一較佳實施例中，金屬腐蝕抑制劑包含半胱胺酸及草酸。在另一較佳實施例中，金屬腐蝕抑制劑包含半胱胺酸、草酸及至少一種額外金屬腐蝕抑制劑。所設想之有機添加劑包括(但不限於)：2-吡咯啶酮、1-(2-羥乙基)-2-吡咯啶酮(HEP)、丙三醇、1,4-丁二醇、伸丁基碸(環丁碸)、二甲碸、乙二醇、丙二醇、二丙二醇、四乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二醇醚(例如，二乙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、三乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單丁醚(DEGBE)、三乙二醇單丁醚(TEGBE)、乙二醇單己醚(EGHE)、二乙二醇單己醚(DEGHE)、乙二醇苯基醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚(DPGME)、三丙二醇甲醚(TPGME)、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚(DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚(DOWANOL PnB)、二丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚、丙二醇苯基醚(DOWANOL PPh))，及其組合。替代地或另外，有機添加劑可包括：膦酸及其衍生物，諸如1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(HEDP)、1,5,9-三氮雜環十二烷-N,N',N''-參(亞甲基膦酸) (DOTRP)、1,4,7,10-四氮雜環十二烷-N,N',N'',N'''-肆(亞甲基膦酸) (DOTP)、氮基參(亞甲基)三膦酸、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸) (DETAP)、胺基三(亞甲基膦酸)、雙(六亞甲基)三胺膦酸、1,4,7-三氮雜環壬烷-N,N',N''-參(亞甲基膦酸) (NOTP)、其鹽，及其衍生物。替代地或另外，有機添加劑可包括羥丙基纖維素、羥乙基纖維素、羧甲基纖維素。羧甲基纖維素鈉(Na CMC)、聚乙烯吡咯啶酮(PVP)、使用N-乙烯吡咯啶酮單體製得之任何聚合物、聚丙烯酸酯及聚丙烯酸酯之類似物、聚胺基酸(例如，聚丙胺酸、聚亮胺酸、聚甘胺酸)、聚醯胺羥基脲烷、聚內酯、聚丙烯醯胺、三仙膠、聚葡萄胺糖、聚氧化乙烯、聚乙烯醇(PVA)、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯酸、聚乙亞胺(PEI)、糖醇(諸如山梨醇及木糖醇)、失水山梨糖醇之酯、二級醇乙氧基化物(諸如TERGITOL)，及其組合。在一較佳實施例中，至少一種有機添加劑包含HEDP。在另一較佳實施例中，至少一種有機添加劑包含至少一種二醇醚，該二醇醚包含三乙二醇單丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯基醚。在另一較佳實施例中，至少一種有機添加劑包含HEDP及包含三乙二醇單丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯基醚之至少一種二醇醚。在另一較佳實施例中，至少一種有機添加劑包含HEC或HEDP及HEC之組合，或HEC、HEDP及包含三乙二醇單丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯基醚之至少一種二醇醚的組合，或HEC及包含三乙二醇單丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯基醚之至少一種二醇醚的組合。還原劑(若存在)包括(但不限於)：抗壞血酸、L(+)-抗壞血酸、異抗壞血酸、抗壞血酸衍生物、五倍子酸、甲脒亞磺酸、脲酸、酒石酸、半胱胺酸、D-葡糖酸鉀、羥胺、亞硝酸鉀、碳酸胍、8-羥基-5-喹啉磺酸水合物，及其任何組合。較佳地，還原劑包含抗壞血酸、酒石酸，或其組合。若存在，則按組合物之總重量計，至少一種還原劑以約0.0001 wt%至約1 wt%，較佳約0.0001 wt%至約0.2 wt%之量存在於第一態樣之清洗組合物中。界面活性劑(若存在)包括(但不限於)陰離子型、非離子型、陽離子型及/或兩性離子型界面活性劑，例如：褐藻酸及其鹽；羧甲基纖維素；硫酸葡聚糖及其鹽；聚(半乳糖醛酸)及其鹽；(甲基)丙烯酸及其鹽、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、苯乙烯磺酸及其鹽、乙烯基磺酸及其鹽、烯丙基磺酸及其鹽、丙烯醯胺基丙基磺酸及其鹽之均聚物；(甲基)丙烯酸及其鹽、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、苯乙烯磺酸及其鹽、乙烯基磺酸及其鹽、烯丙基磺酸及其鹽、丙烯醯胺基丙基磺酸及其鹽之共聚物；聚葡萄胺糖；陽離子澱粉；聚離胺酸及其鹽；二烯丙基二甲基氯化銨(DADMAC)、二烯丙基二甲基溴化銨、二烯丙基二甲基硫酸銨、二烯丙基二甲基磷酸銨、二甲基烯丙基二甲基氯化銨、二乙基烯丙基二甲基氯化銨、二烯丙基二(β-羥乙基)氯化銨、二烯丙基二(β-乙氧基乙基)氯化銨、二甲胺基乙基(甲基)丙烯酸酯酸加成鹽及四級鹽、二乙胺基乙基(甲基)丙烯酸酯酸加成鹽及四級鹽、7-胺基-3,7-二甲基辛基(甲基)丙烯酸酯酸加成鹽及四級鹽、N,N'-二甲胺基丙基丙烯醯胺酸加成鹽及四級鹽、烯丙胺、二烯丙胺、乙烯胺、乙烯基吡啶之均聚物；以及二烯丙基二甲基氯化銨(DADMAC)、二烯丙基二甲基溴化銨、二烯丙基二甲基硫酸銨、二烯丙基二甲基磷酸銨、二甲基烯丙基二甲基氯化銨、二乙基烯丙基二甲基氯化銨、二烯丙基二(β-羥乙基)氯化銨、二烯丙基二(β-乙氧基乙基)氯化銨、二甲胺基乙基(甲基)丙烯酸酯酸加成鹽及四級鹽、二乙胺基乙基(甲基)丙烯酸酯酸加成鹽及四級鹽、7-胺基-3,7-二甲基辛基(甲基)丙烯酸酯酸加成鹽及四級鹽、N,N'-二甲胺基丙基丙烯醯胺酸加成鹽及四級鹽、烯丙胺、二烯丙胺、乙烯胺、乙烯基吡啶之共聚物；椰油二甲基羧甲基甜菜鹼；月桂基二甲基羧甲基甜菜鹼；月桂基二甲基-α-羧乙基甜菜鹼；十六烷基二甲基羧甲基甜菜鹼；月桂基-雙-(2-羥乙基)羧甲基甜菜鹼；十八烷基-雙-(2-羥丙基)羧甲基甜菜鹼；油基二甲基-γ-羧丙基甜菜鹼；月桂基-雙-(2-羥丙基)α-羧乙基甜菜鹼；椰油二甲基磺基丙基甜菜鹼；硬脂基二甲基磺基丙基甜菜鹼；月桂基-雙-(2-羥基乙基)磺基丙基甜菜鹼；十二烷基硫酸鈉；磺基丁二酸二辛酯鈉鹽；月桂基醚硫酸鈉；聚乙二醇支鏈-壬基苯基醚硫酸銨鹽；二鈉2-十二烷基-3-(2-磺酸根苯氧基)；PEG25-PABA；聚乙二醇單-C10-16-烷基醚硫酸鈉鹽；(2-N-丁氧基乙氧基)乙酸；十六烷基苯磺酸；十六烷基三甲氫氧化銨；十二烷基三甲基氫氧化銨；十二烷基三甲基氯化銨；十六烷基三甲基氯化銨；N-烷基-N-苯甲基-N,N-二甲基氯化銨；十二胺；聚氧化乙烯月桂基醚；十二烯基丁二酸單二乙醇醯胺；乙二胺肆(乙氧基化物-嵌段-丙氧基化物)；以及其組合。若存在，則按組合物之總重量計，至少一種界面活性劑以約0.00001 wt%至約1 wt%，較佳約0.00001 wt%至約0.2 wt%之量存在於第一態樣之清洗組合物中。若存在，則在稀釋及製造期間添加緩衝劑以使清洗組合物穩定以及實現適合組成性pH，如由熟習此項技術者所易於測定。所設想之緩衝劑包括(但不限於)：磷酸、磷酸氫二鉀、碳酸鉀、硼酸、離胺酸、脯胺酸、b-丙胺酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、二伸乙三胺五乙酸(DTPA)、二甲基乙二肟、二員磷酸鹽(例如，(NH₄ )₂ HPO₄ 、K₂ HPO₄ )、三員磷酸鹽(例如，(NH₄ )₃ PO₄ 、K₃ PO₄ )、二員磷酸鹽與三員磷酸鹽之混合物(例如，K₂ HPO₄ /K₃ PO₄ )、二員碳酸鹽與三員碳酸鹽之混合物(例如，K₂ CO₃ /KHCO₃ )、羥基亞乙基二膦酸(HEDP)，及其組合。較佳緩衝劑(若存在)包括磷酸、碳酸鉀及其組合。若存在，則按組合物之總重量計，至少一種緩衝劑以約0.0001 wt%至約20 wt%，較佳約1 wt%至約20 wt%，或約1 wt%至約10 wt%，或約0.1 wt%至約5 wt%之量存在於第一態樣之清洗組合物中。在一尤佳實施例中，第一態樣之清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、至少一種有機添加劑、至少一種金屬腐蝕抑制劑以及氫氧化膽鹼及鹼金屬氫氧化物中之至少一者，其中該清洗組合物按以下重量百分比比率調配：範圍介於約1至約100，較佳約5至約50，更佳約10至約25，且最佳約12至約20之有機胺/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.01至約25，較佳約0.1至約15，更佳約1至約10，且最佳約1至約6之氫氧化膽鹼/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.01至約30，較佳約0.5至約20，更佳約2至約10，且最佳約2至約6之鹼金屬氫氧化物/金屬腐蝕抑制劑；以及範圍介於約0.01至約50，較佳約0.1至約25，更佳約1至約15，且最佳約2至約10之有機添加劑/金屬腐蝕抑制劑。按組合物之總重量計，水於清洗組合物中之量為至少80 wt%，較佳至少85 wt%，且更佳至少90 wt%。較佳地，存在氫氧化膽鹼及鹼金屬氫氧化物兩者且至少一種鹼金屬氫氧化物包含KOH。出乎意料地，按組合物之總重量計，最佳產物包括以下之組合：(a)作為金屬腐蝕抑制劑之草酸與半胱胺酸，呈約1:1至約3:1之重量百分比比率；或(b)作為金屬腐蝕抑制劑之組胺酸、草酸及半胱胺酸，呈約1:1:1至約2:3:1之重量百分比比率。在另一較佳實施例中，第一態樣之清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、至少一種pH調節劑、膦酸或其衍生物、至少一種二醇醚及至少一種金屬腐蝕抑制劑，其中該清洗組合物按以下重量百分比比率調配：範圍介於約1至約100，較佳約5至約50，更佳約10至約25，且最佳約12至約20之有機胺/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.1至約50，較佳約1至約30，更佳約2至約20，且最佳約4至約10之pH調節劑/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.01至約25，較佳約0.1至約15，更佳約0.5至約10，且最佳約0.5至約4之膦酸或其衍生物/金屬腐蝕抑制劑；以及範圍介於約0.01至約25，較佳約0.1至約20，更佳約0.5至約10，且最佳約1至約6之二醇醚/金屬腐蝕抑制劑。按組合物之總重量計，水於清洗組合物中之量為至少80 wt%，較佳至少85 wt%，且更佳至少90 wt%。較佳地，膦酸或其衍生物包含HEDP且至少一種二醇醚包含三乙二醇單丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯基醚。出乎意料地，按組合物之總重量計，最佳產物包括以下之組合：(a)作為金屬腐蝕抑制劑之草酸與半胱胺酸，呈約1:1至約3:1之重量百分比比率；或(b)作為金屬腐蝕抑制劑之組胺酸、草酸及半胱胺酸，呈約1:1:1至約2:3:1之重量百分比比率。在又另一實施例中，第一態樣之清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、膦酸或其衍生物、至少一種二醇醚、至少一種金屬腐蝕抑制劑以及氫氧化膽鹼及鹼金屬氫氧化物中之至少一者，其中該清洗組合物按以下重量百分比比率調配：範圍介於約1至約100，較佳地約5至約50，更佳約10至約25，且最佳約12至約20之有機胺/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.01至約25，較佳約0.1至約15，更佳約1至約10，且最佳約1至約6之氫氧化膽鹼/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.01至約30，較佳約0.5至約20，更佳約2至約10，且最佳約2至約6之鹼金屬氫氧化物/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.01至約25，較佳約0.1至約15，更佳約0.5至約10，且最佳約0.5至約4之膦酸或其衍生物/金屬腐蝕抑制劑；以及範圍介於約0.01至約25，較佳約0.1至約20，更佳約0.5至約10，且最佳約1至約6之二醇醚/金屬腐蝕抑制劑。按組合物之總重量計，水於清洗組合物中之量為至少80 wt%，較佳至少85 wt%，且更佳至少90 wt%。較佳地，存在氫氧化膽鹼及鹼金屬氫氧化物兩者且至少一種鹼金屬氫氧化物包含KOH，膦酸或其衍生物包含HEDP，且至少一種二醇醚包含三乙二醇單丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯基醚。出乎意料地，按組合物之總重量計，最佳產物包括以下之組合：(a)作為金屬腐蝕抑制劑之草酸與半胱胺酸，呈約1:1至約3:1之重量百分比比率；或(b)作為金屬腐蝕抑制劑之組胺酸、草酸及半胱胺酸，呈約1:1:1至約2:3:1之重量百分比比率。在又另一實施例中，第一態樣之清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、至少一種二醇醚、至少一種緩衝劑、至少一種金屬腐蝕抑制劑以及氫氧化膽鹼及鹼金屬氫氧化物中之至少一者，其中該清洗組合物按以下重量百分比比率調配：範圍介於約1至約100，較佳約5至約50，更佳約10至約25，且最佳約12至約20之有機胺/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.01至約25，較佳約0.1至約15，更佳約1至約10，且最佳約1至約6之氫氧化膽鹼/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.01至約50，較佳約0.5至約30，更佳約2至約20，且最佳約5至約15之鹼金屬氫氧化物/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.01至約25，較佳約0.1至約20，更佳約0.5至約10，且最佳約1至約6之二醇醚/金屬腐蝕抑制劑；以及範圍介於約0.01至約25，較佳約0.1至約15，更佳約0.5至約10，且最佳約1至約8之緩衝劑/金屬腐蝕抑制劑。按組合物之總重量計，水於清洗組合物中之量為至少80 wt%，較佳至少85 wt%。較佳地，存在氫氧化膽鹼及鹼金屬氫氧化物兩者且至少一種鹼金屬氫氧化物包含KOH，至少一種二醇醚包含三乙二醇單丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯基醚，且至少一種緩衝劑包含磷酸或碳酸鉀。出乎意料地，按組合物之總重量計，最佳產物包括以下之組合：(a)作為金屬腐蝕抑制劑之草酸與半胱胺酸，呈約1:1至約3:1之重量百分比比率；或(b)作為金屬腐蝕抑制劑之組胺酸、草酸及半胱胺酸，呈約1:1:1至約2:3:1之重量百分比比率。在又另一實施例中，第一態樣之清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、膦酸或其衍生物、至少一種二醇醚、至少一種緩衝劑、至少一種金屬腐蝕抑制劑以及氫氧化膽鹼及鹼金屬氫氧化物中之至少一者，其中該清洗組合物按以下重量百分比比率調配：範圍介於約1至約100，較佳約5至約50，更佳約10至約25，且最佳約12至約20之有機胺/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.01至約25，較佳約0.1至約15，更佳約1至約10，且最佳約1至約6之氫氧化膽鹼/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.01至約30，較佳約0.5至約20，更佳約2至約10，且最佳約2至約6之鹼金屬氫氧化物/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.01至約25，較佳約0.05至約15，更佳約0.1至約10，且最佳約0.1至約4之膦酸或其衍生物/金屬腐蝕抑制劑；範圍介於約0.01至約25，較佳約0.1至約20，更佳約0.5至約10，且最佳約1至約6之二醇醚/金屬腐蝕抑制劑；以及範圍介於約1至約100，較佳約5至約60，更佳約10至約50，且最佳約20至約40之緩衝劑/金屬腐蝕抑制劑。按組合物之總重量計，水於清洗組合物中之量為至少80 wt%。較佳地，存在氫氧化膽鹼及鹼金屬氫氧化物兩者且至少一種鹼金屬氫氧化物包含KOH，膦酸或其衍生物包含HEDP，至少一種緩衝劑包含磷酸或碳酸鉀，且至少一種二醇醚包含三乙二醇單丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯基醚。出乎意料地，按組合物之總重量計，最佳產物包括以下之組合：(a)作為金屬腐蝕抑制劑之草酸與半胱胺酸，呈約1:1至約3:1之重量百分比比率；或(b)作為金屬腐蝕抑制劑之組胺酸、草酸及半胱胺酸，呈約1:1:1至約2:3:1之重量百分比比率。組分之重量百分比比率的範圍將涵蓋第一態樣之組合物的所有可能之經濃縮或經稀釋實施例。朝向該目的，在一個實施例中，提供可經稀釋以供用作清洗溶液的經濃縮清洗組合物。經濃縮清洗組合物或「濃縮物」宜允許使用者(例如，CMP製程工程師)在使用時將濃縮物稀釋至所期望強度及pH。經濃縮清洗組合物之稀釋可介於約1:1至約2500:1，較佳約10:1至約200:1，且最佳約30:1至約150:1之範圍內，其中該清洗組合物在使用溶劑(例如，去離子水)之工具時或恰好在其之前經稀釋。熟習此項技術者應瞭解，在稀釋之後，本文中所揭示之組分之重量百分比比率的範圍應保持不變。第一態樣之清洗組合物之濃縮物的pH大於7，較佳範圍介於約10至大於14，更佳範圍介於約12至約14，且最佳範圍介於約13至14。熟習此項技術者應理解，在稀釋後，清洗組合物之pH將減小至約10至約12之範圍。第一態樣之組合物可用於包括但不限於以下各者之應用中：刻蝕後殘餘物移除、灰化後殘餘物移除表面製備、電鍍後清洗及CMP後殘餘物移除。另外，設想清洗組合物可適用於清洗且保護包括(但不限於)以下之其他金屬(例如含銅)產品：裝飾性金屬、金屬線接合、印刷電路板及使用金屬或金屬合金之其他電子封裝。在又另一較佳實施例中，第一態樣之清洗組合物進一步包括殘餘物及/或污染物。殘餘物及污染物可溶解於組合物中。替代地，殘餘物及污染物可懸浮於組合物中。較佳地，殘餘物包括CMP後殘餘物、刻蝕後殘餘物、灰化後殘餘物、污染物或其組合。藉由僅添加各別成分且混合至均質狀況，易於調配出本文中所描述之清洗組合物。此外，組合物可易於調配為單封裝調配物或在使用時或使用前混合之多部分調配物，例如，多部分調配物之個別部分可在工具處或在工具上游之儲槽中混合。各別成分之濃度可以組合物之特定倍數廣泛變化，亦即更稀或更濃，且應瞭解，本文中所描述之組合物可不同地且可替代地包含符合本文中之揭示內容的成分之任何組合、由成分之任何組合組成或主要由成分之任何組合組成。因此，另一態樣係關於一種套組，該套組在一或多個容器中包括經調適以形成本文中所描述之清洗組合物的一或多種組分。套組在一或多個容器中可包括至少一種有機胺、水、至少一種pH調節劑、至少一種有機添加劑及至少一種金屬腐蝕抑制劑，以用於在製造時或使用時與更多水組合。在另一實施例中，套組在一或多個容器中可包括至少一種有機胺、至少一種pH調節劑、至少一種有機添加劑及至少一種金屬腐蝕抑制劑，以用於在製造時或使用時與水組合。套組之容器必須適用於儲存及運送該等清洗組合物，例如NOWPak®容器(Entegris, Inc., Billerica, Mass., USA)。當應用於微電子製造操作時，本文中所描述之清洗組合物經有效地用於清洗來自微電子裝置之表面的CMP後殘餘物及/或污染物，或刻蝕後殘餘物或灰化後殘餘物。清洗組合物並不實質上損害低k介電材料、障壁層材料(例如，含釕材料、含鉭材料及含鈷材料中之至少一者)，或腐蝕裝置表面上之金屬互連件(例如，銅)。較佳地，在殘餘物移除之前，清洗組合物移除存在於裝置上之至少90%，更佳至少95%，甚至更佳至少98%，且最佳至少99%的殘餘物。在CMP後殘餘物及污染物清洗應用中，本文中所描述之清洗組合物可與各種各樣之習知清洗工具(諸如兆音波及電刷洗滌)一起使用，該等工具包括(但不限於)：Verteq單晶圓兆頻音波Goldfinger、OnTrak系統DDS (雙面洗滌器)、SEZ或其他單晶圓噴霧沖洗、Applied Materials Mirra-Mesa™/Reflexion™/Reflexion LK™，以及兆頻音波分批濕式清洗台系統。在使用組合物以用於清洗來自其上具有CMP後殘餘物、刻蝕後殘餘物、灰化後殘餘物及/或污染物之微電子裝置的CMP後殘餘物、刻蝕後殘餘物、灰化後殘餘物及/或污染物時，在範圍介於約20℃至約90℃，較佳約20℃至約50℃之溫度下，清洗組合物通常與裝置接觸約5秒至約10分鐘，較佳約1秒至20分鐘，較佳約15秒至約5分鐘之時間。此等接觸時間及溫度為說明性的，且在方法之廣泛實踐中可採用對至少部分地清洗來自裝置之CMP後殘餘物/污染物有效的任何其他合適時間及溫度條件。「至少部分地清洗」及「實質性移除」兩者對應於在殘餘物移除之前移除存在於裝置上之至少90%，更佳至少95%，甚至更佳至少98%，且最佳至少99%之殘餘物。在實現所期望清洗動作之後，可易於自先前施加至其之裝置移除清洗組合物，此在本文中所描述之組合物之給定最終用途應用中可為期望的且有效的。較佳地，沖洗溶液包括去離子水。其後，可使用氮氣或旋轉乾燥循環來乾燥該裝置。本發明之又另一態樣係關於根據本文中所描述之方法製得之經改良微電子裝置且係關於含有此等微電子裝置之產品。另一態樣係關於一種再循環清洗組合物，其中如熟習此項技術者所易於測定，該清洗組合物可經循環直至殘餘物及/或污染物負載達至清洗組合物可容納之最大量。又一態樣係關於製造包含微電子裝置之製品的方法，該方法包含使用包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成之清洗組合物：至少一種有機胺、水、至少一種pH調節劑、至少一種有機添加劑、至少一種金屬腐蝕抑制劑、視情況選用之至少一種緩衝劑及視情況選用之至少一種還原劑，使微電子裝置與清洗組合物接觸足夠時間以清洗來自其上具有CMP後殘餘物及污染物之微電子裝置的該等殘餘物及污染物，且將該微電子裝置併入至該製品中。在另一態樣中，描述移除來自其上具有CMP後殘餘物及污染物之微電子裝置的該等CMP殘餘物及污染物之方法，該方法包含： -用CMP漿液研磨微電子裝置；-使微電子裝置與本文中所描述之清洗組合物接觸足夠時間以移除來自微電子裝置之CMP後殘餘物及污染物，以形成含CMP後殘餘物之組合物；以及-使微電子裝置與清洗組合物持續接觸足夠時間量以實現對微電子裝置之實質性清洗，其中該清洗組合物包含以下各者、由以下各者組成或主要由以下各者組成：至少一種有機胺、水、至少一種pH調節劑、至少一種有機添加劑、至少一種金屬腐蝕抑制劑、視情況選用之至少一種緩衝劑及視情況選用之至少一種還原劑。另一態樣係關於一種製品，該製品包含清洗組合物、微電子裝置及選自由以下組成之群的材料：殘餘物、污染物及其組合，其中該清洗組合物包含至少一種有機胺、水、至少一種pH調節劑、至少一種有機添加劑、至少一種金屬腐蝕抑制劑、視情況選用之至少一種緩衝劑及視情況選用之至少一種還原劑，且殘餘物包含CMP後殘餘物、刻蝕後殘餘物及灰化後殘餘物中之至少一者。在一較佳實施例中，微電子裝置包含銅、低k介電材料，以及障壁材料，該障壁材料包含含釕材料、含鉭材料及含鈷材料中之至少一者。本發明之特徵及優勢由以下非限制性實例更充分地說明，其中除非以其他方式明確地陳述，否則所有份及百分比均按重量計。實例 1 在實驗之前，製備展示於表1中之以下溶液且使用去離子水稀釋為60:1。調配物A包括0.05 wt%半胱胺酸、0.16 wt%氫氧化膽鹼、4.5 wt% MEA、平衡水。調配物B-L包括0.2 wt%草酸、0.1 wt%半胱胺酸、4.950 wt% MEA、用以在調配物中產生pH為13.2的氫氧化膽鹼與KOH之混合物，且剩餘組分列於表1中。測試溶液以測定BTA移除效率(以百分比計)及銅刻蝕速率(以Å/min計)，其結果亦提供於表1中。使用其上生長有BTA層之銅基板來執行BTA移除效率實驗。在室溫下將具有BTA之基板浸沒於表1之溶液中。橢圓偏振儀用以測定與溶液接觸之前及之後的BTA薄膜厚度。亦使用銅基板在室溫下執行銅刻蝕速率實驗。實例 2 在實驗之前，製備展示於表2中之以下溶液且使用去離子水稀釋為60:1。調配物AA-KK包括0.2 wt%草酸、0.075 wt%半胱胺酸、4.95 wt% MEA、用以在調配物(除調配物CC以外)中產生pH為13.2的氫氧化膽鹼與KOH之混合物，且剩餘組分列於表2中。值得注意地，調配物CC具有用以產生pH為約13.7的氫氧化膽鹼與KOH之混合物。測試溶液以測定BTA移除效率(以百分比計)、銅刻蝕速率(以Å/min計)及低k介電刻蝕速率(以Å/min計)，其結果亦展示於表2中。使用其上生長有BTA層之銅基板來執行BTA移除效率實驗。在室溫下將具有BTA之基板浸沒於表2之溶液中。橢圓偏振儀用以測定與溶液接觸之前及之後的BTA薄膜厚度。亦分別使用低k介電質及銅基板在室溫下執行銅刻蝕速率及低k介電刻蝕速率實驗。結果顯示，調配物CC、DD及HH具有最高BTA移除且就銅刻蝕速率及低k介電質刻蝕速率而言與其他調配物相稱。值得注意地，調配物HH在自微電子基板之銅金屬表面移除專用漿液時最有效。值得注意地，調配物CC為BB之較高pH型式，且呈現較佳漿液移除及較低銅刻蝕速率。顯然，關於BTA移除以及漿液移除，有機添加劑及pH之選擇係重要的。表1：包括銅刻蝕速率及BTA移除效率之調配物A-L。表2：包括銅刻蝕速率、低k介電質刻蝕速率(ER)及BTA移除效率之調配物AA-KK。實例 3 在實驗之前，製備展示於表3中之以下溶液且使用去離子水稀釋為60:1。調配物LL-OO包括0.2 wt%草酸、0.1 wt%半胱胺酸、4.95 wt% MEA、用以在調配物中產生pH為13.2的氫氧化膽鹼與KOH之混合物，且剩餘組分列於表3中。濃縮物之pH為約13.2。測試溶液以測定BTA移除效率(以百分比計)及銅刻蝕速率(以Å/min計)，其結果亦提供於表3中。使用其上生長有BTA層之銅基板來執行BTA移除效率實驗。在室溫下將具有BTA之基板浸沒於表3之溶液中。橢圓偏振儀用以測定與溶液接觸之前及之後的BTA薄膜厚度。亦使用銅基板在室溫下執行銅刻蝕速率實驗。結果顯示，調配物NN及OO具有最高BTA移除且就銅刻蝕速率而言與其他調配物相稱。值得注意地，調配物OO在自微電子基板之表面移除專用漿液時最有效。表3：調配物LL-OO以及銅刻蝕速率及BTA移除效率。儘管本文中已參考說明性實施例及特徵不同地揭示本發明，但將瞭解，上文中所描述之實施例及特徵不意欲限制本發明，且基於本文中之揭示內容，其他變化、修改及其他實施例將向一般技術者表明自身。因此，如在下文給出之申請專利範圍的精神及範疇內涵蓋所有該等變化、修改及替代實施例，將大致解釋本發明。

Claims

一種清洗組合物，其包含至少一種有機胺、水、至少一種pH調節劑、至少一種有機添加劑及至少一種金屬腐蝕抑制劑。
如請求項1之清洗組合物，其中該至少一種有機胺包含具有通式NR¹ R² R³ 之物種，其中R¹ 、R² 及R³ 可彼此相同或不同且選自由以下組成之群：氫、直鏈或分支鏈C₁ -C₆ 烷基、直鏈或分支鏈C₁ -C₆ 醇及直鏈或分支鏈醚。
如請求項1之清洗組合物，其中該至少一種有機胺包含單乙醇胺。
如請求項1之清洗組合物，其中該至少一種pH調節劑具有式NR¹ R² R³ R⁴ OH或式PR¹ R² R³ R⁴ OH，其中R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 可彼此相同或不同且選自由以下組成之群：氫、直鏈或分支鏈C₂ -C₆ 烷基、C₁ -C₆ 烷氧基及經取代或未經取代之C₆ -C₁₀ 芳基。
如請求項1之清洗組合物，其中該至少一種pH調節劑包含氫氧化膽鹼。
如請求項1之清洗組合物，其中該至少一種金屬腐蝕抑制劑包含半胱胺酸、草酸、組胺酸，或其任何組合。
如請求項1之清洗組合物，其中該有機添加劑包含三乙二醇單丁醚、丙二醇正丁醚、丙二醇苯基醚、HEDP、HEC，或其任何組合。
如請求項1之清洗組合物，其中該清洗組合物進一步包含至少一種還原劑，該還原劑包含選自由以下組成之群的物種：抗壞血酸、L(+)-抗壞血酸、異抗壞血酸、抗壞血酸衍生物、五倍子酸、甲脒亞磺酸、脲酸、酒石酸、半胱胺酸、D-葡糖酸鉀、羥胺、亞硝酸鉀、碳酸胍、8-羥基-5-喹啉磺酸水合物，及其任何組合。
如請求項1之清洗組合物，其中該清洗組合物進一步包含至少一種緩衝劑，該緩衝劑包含選自由以下組成之群的物種：磷酸、磷酸氫二鉀、碳酸鉀、硼酸、離胺酸、脯胺酸、b-丙胺酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、二伸乙三胺五乙酸(DTPA)、二甲基乙二肟、(NH₄ )₂ HPO₄ 、K₂ HPO₄ 、(NH₄ )₃ PO₄ 、K₃ PO₄ 、K₂ HPO₄ /K₃ PO₄ 、K₂ CO₃ /KHCO₃ 、羥基亞乙基二膦酸(HEDP)，及其組合。
如請求項1之清洗組合物，其中該清洗組合物基本上不含至少一種氧化劑；含氟源；磨料；氫氧化四甲基銨；含唑腐蝕抑制劑；五倍子酸；鋶化合物；胺肟化合物；以及其組合。