JP7286807B2 - 洗浄方法、洗浄液 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板の洗浄方法及び洗浄液に関する。

ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）、メモリ等の半導体素子は、フォトリソグラフィー技術を用いて、基板上に微細な電子回路パターンを形成して製造される。具体的には、基板上に、配線材料となる金属膜、エッチング停止層及び層間絶縁層を有する積層体上にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィー工程及びドライエッチング工程（例えば、プラズマエッチング処理）を実施することにより、半導体素子が製造される。
ドライエッチング工程を経た基板には、ドライエッチング残渣物（例えば、メタルハードマスクに由来するチタン系金属等の金属成分、又はフォトレジスト膜に由来する有機成分）が残存することがある。

半導体素子の製造において、金属配線膜、バリアメタル及び絶縁膜等を有する基板表面を、研磨微粒子（例えば、シリカ、アルミナ等）を含む研磨スラリーを用いて平坦化する化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）処理を行うことがある。ＣＭＰ処理では、ＣＭＰ処理で使用する研磨微粒子、研磨された配線金属膜、バリアメタル等に由来する金属成分が、研磨後の半導体基板表面に残存しやすい。
これらの残渣物は、配線間を短絡し、半導体の電気的な特性に影響を及ぼし得ることから、半導体基板の表面からこれらの残渣物を除去する洗浄工程が行われることが多い。

例えば、特許文献１には、半導体ウェハーをクリーニングする方法であって、ａ）少なくとも１種の金属と残留物とを含む少なくとも１つの表面を有する半導体ウェハーを提供することと、ｂ）残留物を有する表面の少なくとも一部分が、少なくとも１種の特定の多官能性酸と、少なくとも１種の特定の多官能性アミンと、有機溶媒、水及びそれらの組み合わせからなる群から選択される液体キャリアーと、を含む金属腐食抑制組成物と接触している方法が記載されている。

特開２０１６－０２１５７３号公報

本発明者は、特許文献１等を参考にして、ＣＭＰが施された半導体基板の洗浄方法について検討した結果、これらの半導体基板に対する洗浄方法には、配線材料及びプラグ材料等となる金属膜（例えば、Ｃｕを含む金属膜、Ｗを含む金属膜及びＣｏを含む金属膜等）の表面に残存する研磨粒子の除去性能について、更なる改善の余地があることを知見した。

本発明は、ＣＭＰが施された半導体基板に対する研磨粒子の除去性能に優れた半導体基板の洗浄方法を提供することを課題とする。また、ＣＭＰが施された半導体基板用の洗浄液を提供することを課題とする。

本発明者は、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。

〔１〕
研磨粒子を含む研磨液を用いて化学機械研磨処理が施された半導体基板を、洗浄液を用いて洗浄する洗浄工程を含む、半導体基板の洗浄方法であって、上記半導体基板が、金属を含み、上記洗浄液の２５℃におけるｐＨが７超であり、上記洗浄液は、キレート剤と、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンからなる群より選択される少なくとも１種であり、且つ、共役酸の第１酸解離定数が８．０以上である成分Ａと、防食剤と、を含み、下記条件１を満たす、洗浄方法。
条件１：後述する試験方法１で得られる接触角比率と後述する試験方法２で得られる特定凝集度との積が、１５以下である。
〔２〕
試験方法２において測定された第２接触角が３０°以下である、〔１〕に記載の洗浄方法。
〔３〕
試験方法２において測定された研磨粒子の平均２次粒子径が１００ｎｍ以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の洗浄方法。
〔４〕
試験方法２において算出された上記特定凝集度が、１～１０である、〔１〕～〔３〕のいずれか１項に記載の洗浄方法。
〔５〕
上記洗浄液のｐＨが８．０～１２．０である、〔１〕～〔４〕のいずれか１項に記載の洗浄方法。
〔６〕
上記成分Ａが、アミノアルコールを含む、〔１〕～〔５〕のいずれか１項に記載の洗浄方法。
〔７〕
上記アミノアルコールが第１級アミノ基を有する、〔６〕に記載の洗浄方法。
〔８〕
上記防食剤の含有量に対する上記アミノアルコールの含有量の質量比が、１～１００である、〔６〕又は〔７〕に記載の洗浄方法。
〔９〕
上記防食剤が、後述する式（１）で表される化合物Ｂ及び含窒素へテロ芳香族化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む、〔１〕～〔８〕のいずれか１項に記載の洗浄方法。
〔１０〕
上記含窒素へテロ芳香族化合物が、ピラゾール環を有する化合物又はピリミジン環を有する化合物を含む、〔９〕に記載の洗浄方法。
〔１１〕
上記キレート剤が、ホスホン酸系キレート剤及びアミノポリカルボン酸系キレート剤からなる群より選択される少なくとも１種を含む、〔１〕～〔１０〕のいずれか１項に記載の洗浄方法。
〔１２〕
上記防食剤の含有量に対する上記キレート剤の含有量の質量比が、０．０１～２０である、〔１〕～〔１１〕のいずれか１項に記載の洗浄方法。
〔１３〕
上記洗浄液が、２種以上の還元剤を更に含む、〔１〕～〔１２〕のいずれか１項に記載の洗浄方法。
〔１４〕
上記洗浄液が、非対称構造を有する第４級アンモニウム化合物を更に含む、〔１〕～〔１３〕のいずれか１項に記載の洗浄方法。
〔１５〕
上記洗浄液に含まれる水の含有量が、上記洗浄液の全質量に対して６０～９９質量％である、〔１〕～〔１４〕のいずれか１項に記載の洗浄方法。
〔１６〕
研磨粒子を含む研磨液を用いて化学機械研磨処理が施された半導体基板用の洗浄液であって、上記洗浄液の２５℃におけるｐＨが７超であり、キレート剤と、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンからなる群より選択される少なくとも１種であり、且つ、共役酸の第１酸解離定数が８．０以上である成分Ａと、防食剤と、水と、を含み、水の含有量が、上記洗浄液の全質量に対して６０～９９質量％であり、下記条件１を満たす、洗浄方法。
条件１：後述する試験方法１で得られる接触角比率と後述する試験方法２で得られる特定凝集度との積が、１５以下である。
〔１７〕
研磨粒子を含む研磨液を用いて化学機械研磨処理が施された半導体基板用の洗浄液であって、上記洗浄液の２５℃におけるｐＨが７超であり、キレート剤と、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンからなる群より選択される少なくとも１種であり、且つ、共役酸の第１酸解離定数が８．０以上である成分Ａと、防食剤と、水と、を含み、水の含有量が、上記洗浄液の全質量に対して６０～９９質量％であり、下記条件１を満たす、洗浄液。
条件１：後述する試験方法１で得られる接触角比率と後述する試験方法２で得られる特定凝集度との積が、１５以下である。

本発明によれば、ＣＭＰが施された半導体基板に対する研磨粒子の除去性能に優れた半導体基板の洗浄方法を提供できる。また、本発明によれば、ＣＭＰが施された半導体基板用の洗浄液を提供できる。

以下に、本発明を実施するための形態の一例を説明する。
本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。

本明細書において、ある成分が２種以上存在する場合、その成分の「含有量」は、それら２種以上の成分の合計含有量を意味する。
本明細書において、「ｐｐｍ」は「parts-per-million（１０^－６）」を意味し、「ｐｐｂ」は「parts-per-billion（１０^－９）」を意味する。
本明細書に記載の化合物において、特に限定が無い場合は、異性体（原子数が同じであるが構造が異なる化合物）、光学異性体及び同位体が含まれていてもよい。また、異性体及び同位体は、１種のみが含まれていてもよいし、複数種含まれていてもよい。

本明細書において、ＣｌｏｇＰ値とは、１－オクタノールと水への分配係数Ｐの常用対数ｌｏｇＰを計算によって求めた値である。ＣｌｏｇＰ値の計算に用いる方法及びソフトウェアについては公知の物を使用できるが、特に断らない限り、本発明ではＣａｍｂｒｉｄｇｅｓｏｆｔ社のＣｈｅｍＢｉｏＤｒａｗＵｌｔｒａ１２．０に組み込まれたＣｌｏｇＰプログラムを用いる。
本明細書においてｐｓｉとは、ｐｏｕｎｄ－ｆｏｒｃｅ ｐｅｒ ｓｑｕａｒｅ ｉｎｃｈ；重量ポンド毎平方インチを意図し、１ｐｓｉ＝６８９４．７６Ｐａを意図する。

本発明の洗浄方法は、化学機械研磨処理が施された半導体基板を洗浄する洗浄工程を含む。この半導体基板は、金属を含む。この半導体基板の洗浄に使用する洗浄液は、２５℃におけるｐＨが７超であり、且つ、キレート剤と、特定のアミン化合物である成分Ａと、防食剤とを含む。また、本発明の洗浄液は、特定の試験方法１で得られる接触角比率と特定の試験方法２で得られる特定凝集度との積（以下「パラメータＤ．Ｆ」とも記載する）が、５００以下であるとの条件１を満たすことを特徴とする。

本発明者は、ＣＭＰ処理が施された半導体基板の洗浄方法において、洗浄液の２５℃におけるｐＨが７超であり、洗浄液がキレート剤、特定の成分Ａ及び防食剤を含み、且つ、上記条件１を満たす場合、ＣＭＰ処理により生じる研磨粒子の半導体基板が有する金属膜の表面への付着が抑制され、金属膜の表面に残存する研磨粒子の除去性能が向上することを知見した。
このような洗浄方法により本発明の効果が得られる詳細なメカニズムは不明であるが、ＣＭＰ処理により、研磨液に含まれる研磨粒子が金属膜の研磨によって生じた金属（例えば、銅、タングステン及び／又はコバルト）と接触して、凝集度のより高い研磨粒子が形成されるところ、この凝集した研磨粒子が金属膜に付着し、洗浄工程における研磨粒子の除去性能に影響を及ぼすことがわかった。そこで、ＣＭＰ処理が施された半導体基板の洗浄において、金属膜の表面の接触角を調整することにより、表面電位の点で凝集した研磨粒子を金属膜に付着し難くするとともに、研磨粒子の凝集を解いて研磨粒子の粒子径をより小さく、研磨粒子の親水性をより高くすることにより、洗浄液中での研磨粒子の分散性を向上し、研磨粒子を金属膜に付着し難くすることで、結果として、金属膜の表面における研磨粒子の除去性能が向上したものと、本発明者は推測している。
以下、本発明の洗浄方法について詳細に説明する。

［洗浄液］
本発明の洗浄方法に使用する洗浄液（以下、単に「洗浄液」とも記載する。）は、キレート剤と、成分Ａと、防食剤と、を含む。また、洗浄液の２５℃におけるｐＨが７超であり、アルカリ性を示す。
以下、洗浄液に含まれる各成分について、説明する。

〔キレート剤〕
洗浄液は、キレート剤を含む。
洗浄液に用いるキレート剤は、半導体基板の洗浄工程において、研磨粒子等の残渣物に含まれる金属とキレート化する機能を有する化合物である。なかでも、１分子中に金属イオンと配位結合する官能基（配位基）を２つ以上有する化合物が好ましい。

キレート剤が有する配位基としては、例えば、酸基及びカチオン性基が挙げられる。酸基としては、例えば、カルボキシル基、ホスホン酸基、スルホ基及びフェノール性ヒドロキシ基が挙げられる。カチオン性基としては、例えば、アミノ基が挙げられる。
洗浄液に用いるキレート剤は、配位基として酸基を有することが好ましく、カルボキシル基又はホスホン酸基を有することがより好ましい。

キレート剤としては、有機系キレート剤及び無機系キレート剤が挙げられる。
有機系キレート剤は、有機化合物からなるキレート剤であり、例えば、配位基としてカルボキシル基を有するカルボン酸系キレート剤、配位基としてホスホン酸基を有するホスホン酸系キレート剤及び配位基としてアミノ基のみを有するポリアミン系キレート剤が挙げられる。
無機系キレート剤としては、リン酸系キレート剤が挙げられる。

キレート剤は、低分子量であることが好ましい。具体的には、これらのキレート剤の分子量は、６００以下が好ましく、４５０以下がより好ましく、３００以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、８５以上が好ましい。
また、キレート剤の炭素数は、１５以下が好ましく、１２以下がより好ましく、８以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、２以上が好ましい。

＜カルボン酸系キレート剤＞
カルボン酸系キレート剤は、分子内に配位基としてカルボキシル基を有するキレート剤であり、例えば、アミノポリカルボン酸系キレート剤、アミノ酸系キレート剤、ヒドロキシカルボン酸系キレート剤及び脂肪族カルボン酸系キレート剤が挙げられる。

アミノポリカルボン酸系キレート剤としては、例えば、ブチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、１，３－ジアミノ－２－ヒドロキシプロパン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－四酢酸、プロピレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、トランス－１，２－ジアミノシクロヘキサン四酢酸（ＣｙＤＴＡ）、エチレンジアミン二酢酸、エチレンジアミンジプロピオン酸、１，６－ヘキサメチレン－ジアミン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－四酢酸、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン－Ｎ，Ｎ－二酢酸、ジアミノプロパン四酢酸、１，４，７，１０－テトラアザシクロドデカン－四酢酸、ジアミノプロパノール四酢酸、（ヒドロキシエチル）エチレンジアミン三酢酸及びイミノジ酢酸（ＩＤＡ）が挙げられる。
なかでも、ＤＴＰＡ、ＥＤＴＡ、ＣｙＤＴＡ又はＩＤＡが好ましく、ＤＴＰＡがより好ましい。

アミノ酸系キレート剤としては、例えば、グリシン、セリン、α－アラニン（２－アミノプロピオン酸）、β－アラニン（３－アミノプロピオン酸）、リジン、ロイシン、イソロイシン、シスチン、システイン、エチオニン、トレオニン、トリプトファン、チロシン、バリン、ヒスチジン、ヒスチジン誘導体、アスパラギン、アスパラギン酸、グルタミン、グルタミン酸、アルギニン、プロリン、メチオニン、フェニルアラニン、特開２０１６－０８６０９４号公報の段落［００２１］～［００２３］に記載の化合物及びこれらの塩が挙げられる。なお、ヒスチジン誘導体としては、特開２０１５－１６５５６１号公報、特開２０１５－１６５５６２号公報等に記載の化合物が援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。また、塩としては、ナトリウム塩及びカリウム塩等のアルカリ金属塩、アンモニウム塩、炭酸塩、並びに酢酸塩が挙げられる。
なかでも、グリシン、ヒスチジン、システイン、アルギニン、メチオニン、サルコシン又はアラニンが好ましく、グリシンがより好ましい。

ヒドロキシカルボン酸系キレート剤としては、例えば、リンゴ酸、クエン酸、グリコール酸、グルコン酸、ヘプトン酸、酒石酸及び乳酸が挙げられ、グルコン酸、グリコール酸、リンゴ酸、酒石酸、又はクエン酸が好ましく、グルコン酸又はクエン酸がより好ましい。

脂肪族カルボン酸系キレート剤としては、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、セバシン酸及びマレイン酸が挙げられる。

カルボン酸系キレート剤としては、アミノポリカルボン酸系キレート剤、アミノ酸系キレート剤又はヒドロキシカルボン酸系キレート剤が好ましく、アミノポリカルボン酸系キレート剤又はアミノ酸系キレート剤がより好ましい。

＜ホスホン酸系キレート剤＞
ホスホン酸系キレート剤は、分子内に少なくとも１つのホスホン酸基を有するキレート剤である。ホスホン酸系キレート剤としては、例えば、下記式（Ｐ１）、式（Ｐ２）及び式（Ｐ３）で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｘは、水素原子又はヒドロキシ基を表し、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１～１０のアルキル基を表す。

式（Ｐ１）におけるＲ^１で表される炭素数１～１０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。
式（Ｐ１）におけるＲ^１としては、炭素数１～６のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、又はイソプロピル基がより好ましい。
なお、本明細書に記載するアルキル基の具体例において、ｎ－はｎｏｒｍａｌ－体を表す。
式（Ｐ１）におけるＸとしては、ヒドロキシ基が好ましい。

式（Ｐ１）で表されるホスホン酸系キレート剤としては、エチリデンジホスホン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１’－ジホスホン酸（ＨＥＤＰＯ）、１－ヒドロキシプロピリデン－１，１’－ジホスホン酸、又は１－ヒドロキシブチリデン－１，１’－ジホスホン酸が好ましい。

式中、Ｑは、水素原子又はＲ^３－ＰＯ_３Ｈ_２を表し、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立して、アルキレン基を表し、Ｙは、水素原子、－Ｒ^３－ＰＯ_３Ｈ_２、又は下記式（Ｐ４）で表される基を表す。

式中、Ｑ及びＲ^３は、式（Ｐ２）におけるＱ及びＲ^３と同じである。

式（Ｐ２）においてＲ^２で表されるアルキレン基としては、例えば、炭素数１～１２の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が挙げられる。
Ｒ^２で表されるアルキレン基としては、炭素数１～６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、炭素数１～４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基がより好ましく、エチレン基が更に好ましい。
式（Ｐ２）及び（Ｐ４）においてＲ^３で表されるアルキレン基としては、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基が挙げられ、炭素数１～４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基又はエチレン基がより好ましい。
式（Ｐ２）及び（Ｐ４）におけるＱとしては、－Ｒ^３－ＰＯ_３Ｈ_２が好ましい。
式（Ｐ２）におけるＹとしては、－Ｒ^３－ＰＯ_３Ｈ_２又は式（Ｐ４）で表される基が好ましく、式（Ｐ４）で表される基がより好ましい。

式（Ｐ２）で表されるホスホン酸系キレート剤としては、エチルアミノビス（メチレンホスホン酸）、ドデシルアミノビス（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）（ＮＴＰＯ）、エチレンジアミンビス（メチレンホスホン酸）（ＥＤＤＰＯ）、１，３－プロピレンジアミンビス（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＰＯ）、エチレンジアミンテトラ（エチレンホスホン酸）、１，３－プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＰＤＴＭＰ）、１，２－ジアミノプロパンテトラ（メチレンホスホン酸）、又は１，６－ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）が好ましい。

式中、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立して、炭素数１～４のアルキレン基を表し、ｎは１～４の整数を表し、Ｚ^１～Ｚ^４及びｎ個のＺ^５のうち少なくとも４つは、ホスホン酸基を有するアルキル基を表し、残りはアルキル基を表す。

式（Ｐ３）においてＲ^４及びＲ^５で表される炭素数１～４のアルキレン基は、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。Ｒ^４及びＲ^５で表される炭素数１～４のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、エチルメチレン基、テトラメチレン基、２－メチルプロピレン基、２－メチルトリメチレン基及びエチルエチレン基が挙げられ、エチレン基が好ましい。
式（Ｐ３）におけるｎとしては、１又は２が好ましい。

式（Ｐ３）におけるＺ^１～Ｚ^５で表されるアルキル基及びホスホン酸基を有するアルキル基におけるアルキル基としては、例えば、炭素数１～４の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基が挙げられ、メチル基が好ましい。
Ｚ^１～Ｚ^５で表されるホスホン酸基を有するアルキル基におけるホスホン酸基の数としては、１つ又は２つが好ましく、１つがより好ましい。
Ｚ^１～Ｚ^５で表されるホスホン酸基を有するアルキル基としては、例えば、炭素数１～４の直鎖状又は分岐鎖状であって、ホスホン酸基を１つ又は２つ有するアルキル基が挙げられ、（モノ）ホスホノメチル基、又は（モノ）ホスホノエチル基が好ましく、（モノ）ホスホノメチル基がより好ましい。
式（Ｐ３）におけるＺ^１～Ｚ^５としては、Ｚ^１～Ｚ^４及びｎ個のＺ^５のすべてが、上記のホスホン酸基を有するアルキル基であることが好ましい。

式（Ｐ３）で表されるホスホン酸系キレート剤としては、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（ＤＥＰＰＯ）、ジエチレントリアミンペンタ（エチレンホスホン酸）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）、又はトリエチレンテトラミンヘキサ（エチレンホスホン酸）が好ましい。

洗浄液に使用するホスホン酸系キレート剤としては、上記の式（Ｐ１）、式（Ｐ２）及び式（Ｐ３）で表されるホスホン酸系キレート剤だけでなく、国際公開第２０１８／０２０８７８号明細書の段落［００２６］～［００３６］に記載の化合物、及び、国際公開第２０１８／０３０００６号明細書の段落［００３１］～［００４６］に記載の化合物（（共）重合体）が援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

ホスホン酸系キレート剤が有するホスホン酸基の個数は、２～５が好ましく、２～４がより好ましく、３又は４が更に好ましい。
また、ホスホン酸系キレート剤の炭素数は、１５以下が好ましく、１２以下がより好ましく、８以下が更に好ましい。下限は特に制限されず、３以上が好ましい。
ホスホン酸系キレート剤としては、上記の式（Ｐ１）、式（Ｐ２）及び式（Ｐ３）で表されるホスホン酸系キレート剤のそれぞれにおいて好適な具体例として挙げた化合物が好ましく、ＨＥＤＰＯ、ＮＴＰＯ、ＥＤＴＰＯ、又はＤＥＰＰＯがより好ましく、ＨＥＤＰＯが更に好ましい。

ホスホン酸系キレート剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、市販のホスホン酸系キレート剤には、ホスホン酸系キレート剤以外に、蒸留水、脱イオン水及び超純水等の水を含むものもあるが、このような水を含んでいるホスホン酸系キレート剤を使用しても何ら差し支えない。

＜ポリアミン系キレート剤＞
ポリアミン系キレート剤は、分子内に配位基としてアミノ基のみを有するキレート剤である。
ポリアミン系キレート剤としては、例えば、エチレンジアミン（ＥＤＡ）、１，３－プロパンジアミン（ＰＤＡ）、１，２－プロパンジアミン、１，３－ブタンジアミン及び１，４－ブタンジアミン等の低級アルキレンジアミン、並びに、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、ビス（アミノプロピル）エチレンジアミン（ＢＡＰＥＤＡ）及びテトラエチレンペンタミン等のポリアルキルポリアミンが挙げられる。
なかでも、低級アルキレンジアミンが好ましく、１，４－ブタンジアミンがより好ましい。

また、ポリアミン系キレート剤としては、ビグアニド基を有する化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種のビグアニド化合物も用いられる。
ビグアニド化合物が有するビグアニド基の数は特に制限されず、複数のビグアニド基を有していてもよい。
ビグアニド化合物としては、特表２０１７－５０４１９０号公報の段落［００３４］～［００５５］に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。

ビグアニド基を有する化合物としては、エチレンジビグアニド、プロピレンジビグアニド、テトラメチレンジビグアニド、ペンタメチレンジビグアニド、ヘキサメチレンジビグアニド、ヘプタメチレンジビグアニド、オクタメチレンジビグアニド、１，１’－ヘキサメチレンビス（５－（ｐ－クロロフェニル）ビグアニド）（クロルヘキシジン）、２－（ベンジルオキシメチル）ペンタン－１，５－ビス（５－ヘキシルビグアニド）、２－（フェニルチオメチル）ペンタン－１，５－ビス（５－フェネチルビグアニド）、３－（フェニルチオ）ヘキサン－１，６－ビス（５－ヘキシルビグアニド）、３－（フェニルチオ）ヘキサン－１，６－ビス（５－シクロヘキシルビグアニド）、３－（ベンジルチオ）ヘキサン－１，６－ビス（５－ヘキシルビグアニド）又は３－（ベンジルチオ）ヘキサン－１，６－ビス（５－シクロヘキシルビグアニド）が好ましく、クロルヘキシジンがより好ましい。
ビグアニド基を有する化合物の塩としては、塩酸塩、酢酸塩又はグルコン酸塩が好ましい。

＜リン酸系キレート剤＞
無機系キレート剤であるリン酸系キレート剤としては、例えば、縮合リン酸及びその塩が挙げられ、より具体的には、ピロリン酸及びその塩、メタリン酸及びその塩、トリポリリン酸及びその塩、並びにヘキサメタリン酸及びその塩が挙げられる。

キレート剤としては、ホスホン酸系キレート剤、又はカルボン酸系キレート剤（より好ましくはアミノポリカルボン酸系キレート剤又はヒドロキシカルボン酸系キレート剤）が好ましく、ホスホン酸系キレート剤、又はアミノポリカルボン酸系キレート剤がより好ましく、ホスホン酸系キレート剤が更に好ましい。

キレート剤は、１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
洗浄液におけるキレート剤の含有量は、特に制限されないが、研磨粒子の除去性能により優れる点で、洗浄液の全質量に対して、０．０５質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、０．２質量％以上が更に好ましい。上限値は特に制限されないが、金属基板の腐食防止性能に優れる点で、洗浄液の全質量に対して、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましい。
また、キレート剤の含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．５質量％以上が好ましく、１．０質量％以上がより好ましく、２．０質量％以上が更に好ましい。上限値は特に制限されないが、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、５０質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。
なお、本明細書において、「洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量」とは、溶剤以外の洗浄液に含まれる全ての成分の含有量の合計を意味する。また、単なる「溶剤」との表記は、水及び有機溶剤の両者を含む。

〔成分Ａ〕
洗浄液に含まれる成分Ａは、分子内に第１級アミノ基（－ＮＨ_２）を有する第１級アミン、分子内に第２級アミノ基（＞ＮＨ）を有する第２級アミン及び分子内に第３級アミノ基（＞Ｎ－）を有する第３級アミンからなる群より選択される少なくとも１種であり、且つ、共役酸の第１酸解離定数（以下「ｐＫａ１」とも記載する）が８．０以上である、アミン化合物である。
なお、本明細書においては、上記のキレート剤又は後述する腐食防止剤に含まれる化合物は、成分Ａに含まれない。

成分Ａとしては、分子内に第１級アミノ基、第２級アミノ基及び第３級アミノ基（以下、これらを「第１級～第３級アミノ基」と総称する場合がある）から選択される基を有する化合物又はその塩であって、ｐＫａ１が８．０以上であれば、特に制限されない。
第１級～第３級アミンの塩としては、例えば、Ｃｌ、Ｓ、Ｎ及びＰからなる群より選択される少なくとも１種の非金属が水素と結合してなる無機酸の塩が挙げられ、塩酸塩、硫酸塩、又は硝酸塩が好ましい。

成分ＡのｐＫａ１は、８．０以上である。成分ＡのｐＫａ１が８．０以上であることにより、研磨粒子の除去性能が向上する。その理由は詳細には明らかではないが、洗浄液の中に含まれる求核剤の含有量が多くなり、それにより効率的な金属イオンに対する反応及び錯形成による除去が可能になるためと推測される。
成分ＡのｐＫａ１は、９．０以上が好ましく、９．５以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１２．０以下が好ましい。
なお、本明細書において共役酸の第１酸解離定数（ｐＫａ１）は、ＳＣ－Ｄａｔａｂａｓｅ（http://acadsoft.co.uk/scdbase/SCDB_software/scdb_download.htm）を使用して計算された値である。

成分Ａとしては、例えば、アミノアルコール、脂環式アミン化合物、並びに、アミノアルコール及び脂環式アミン化合物以外のモノアミン化合物が挙げられる。

＜アミノアルコール＞
アミノアルコールは、第１級～第３級アミンのうち、分子内に少なくとも１つのヒドロキシルアルキル基を更に有する化合物である。アミノアルコールは、第１級～第３級アミノ基のいずれを有していてもよいが、第１級アミノ基を有することが好ましい。

また、アミノアルコールは、経時安定性に優れる点で、第１級～第３級アミノ基のα位に位置する炭素原子が、水素原子とは結合せず、３つの有機基と結合していることが好ましい。

アミノアルコールとしては、例えば、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）（ｐＫａ１：９．５５）、２－アミノ－２－メチル－１－プロパノール（ＡＭＰ）（ｐＫａ１：９．７２）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）（ｐＫａ１：８．８８）、ジエチレングリコールアミン（ＤＥＧＡ）（ｐＫａ１：９．０２）、トリスヒドロキシメチルアミノメタン（Ｔｒｉｓ）（ｐＫａ１：８．３０）及び２－（メチルアミノ）－２－メチル－１－プロパノール（Ｎ－ＭＡＭＰ）（ｐＫａ１：９．７０）が挙げられる。
なかでも、ＡＭＰ、Ｎ－ＭＡＭＰ、ＭＥＡ、ＤＥＡ又はＴｒｉｓが好ましく、ＡＭＰ又はＭＥＡがより好ましい。

洗浄液が、成分Ａとしてアミノアルコールを含む場合、アミノアルコールを１種単独で含んでいてもよく、２種以上のアミノアルコールを含んでいてもよい。

＜脂環式アミン化合物＞
脂環式アミン化合物は、環を構成する原子の少なくとも１つが窒素原子である非芳香性の複素環を有する化合物であれば、特に制限されない。
脂環式アミン化合物としては、例えば、ピペラジン化合物及び環状アミジン化合物が挙げられる。

ピペラジン化合物は、シクロヘキサン環の対向する－ＣＨ－基が窒素原子に置き換わったヘテロ６員環（ピペラジン環）を有する化合物である。
ピペラジン化合物は、ピペラジン環上に置換基を有してもよい。そのような置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数１～４のアルキル基及び炭素数６～１０のアリール基が挙げられる。

ピペラジン化合物としては、例えば、ピペラジン、１－メチルピペラジン、１－エチルピペラジン、１－プロピルピペラジン、１－ブチルピペラジン、２－メチルピペラジン、１，４－ジメチルピペラジン、２，５－ジメチルピペラジン、２，６－ジメチルピペラジン、１－フェニルピペラジン、２－ヒドロキシピペラジン、２－ヒドロキシメチルピペラジン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン（ＨＥＰ）、Ｎ－（２－アミノエチル）ピペラジン（ＡＥＰ）、１，４－ビス（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン（ＢＨＥＰ）、１，４―ビス（２－アミノエチル）ピペラジン（ＢＡＥＰ）及び１，４－ビス（３－アミノプロピル）ピペラジン（ＢＡＰＰ）が挙げられ、ピペラジン、１－メチルピペラジン、２－メチルピペラジン、ＨＥＰ、ＡＥＰ、ＢＨＥＰ、ＢＡＥＰ又はＢＡＰＰが好ましく、ピペラジンがより好ましい。

環状アミジン化合物は、環内にアミジン構造（＞Ｎ－Ｃ＝Ｎ－）を含むヘテロ環を有する化合物である。
環状アミジン化合物が有する上記のヘテロ環の環員数は、特に制限されないが、５又は６個が好ましく、６個がより好ましい。
環状アミジン化合物としては、例えば、ジアザビシクロウンデセン（１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン：ＤＢＵ）、ジアザビシクロノネン（１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ－５－エン：ＤＢＮ）、３，４，６，７，８，９，１０，１１－オクタヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１．２－ａ］アゾシン、３，４，６，７，８，９－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリド［１．２－ａ］ピリミジン、２，５，６，７－テトラヒドロ－３Ｈ－ピロロ［１．２－ａ］イミダゾール、３－エチル－２，３，４，６，７，８，９，１０－オクタヒドロピリミド［１．２－ａ］アゼピン及びクレアチニンが挙げられる。

脂環式アミン化合物としては、上記以外に、例えば、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン及びイミダゾリジンチオン等の芳香族性を有さないヘテロ５員環を有する化合物、並びに窒素原子を含む７員環を有する化合物が挙げられる。

＜モノアミン化合物＞
アミノアルコール及び脂環式アミン化合物以外のモノアミン化合物としては、例えば、ベンジルアミン、ｎ－ブチルアミン、３－メトキシプロピルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、ｎ－ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ｎ－オクチルアミン、２－エチルヘキシルアミン及び４－（２－アミノエチル）モルホリン（ＡＥＭ）が挙げられる。

また、成分Ａとしては、国際公開第２０１３／１６２０２０号明細書の段落［００３４］～［００５６］に記載のアミン化合物が援用でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

洗浄液は、成分Ａを、１種単独で含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。
洗浄液における成分Ａの含有量は、特に制限されないが、研磨粒子の除去性能により優れる点で、洗浄液の全質量に対して、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、２質量％以上が更に好ましい。上限値は特に制限されないが、金属基板の腐食防止性に優れる点で、洗浄液の全質量に対して、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、５質量％以下が更に好ましい。
また、成分Ａの含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、１０質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましく、６０質量％以上が更に好ましい。上限値は特に制限されないが、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、９９質量％以下が好ましく、９８質量％以下がより好ましく、９５質量％以下が更に好ましい。

〔防食剤〕
洗浄液は、防食剤を含む。
洗浄液に用いる防食剤としては、半導体基板の洗浄工程において、ＣＭＰで研磨された半導体基板の研磨面（特に、銅、タングステン又はコバルトを含む金属膜の研磨面）の腐食を防止する機能を有する化合物であれば、特に制限されない。
防食剤としては、例えば、後述する式（１）で表される化合物Ｂ、含窒素へテロ芳香族化合物、還元剤及び第４級アンモニウム化合物が挙げられる。

＜化合物Ｂ＞
化合物Ｂは、下記式（１）で表される化合物である。

式（１）中、Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に親水性基を表す。
Ｘ^３～Ｘ^６は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、Ｘ^３～Ｘ^６の少なくとも１つが親水性基を表す。
また、Ｘ^３～Ｘ^６のうち隣り合う２つが互いに結合して、置換基を有してもよい環を形成してもよい。

親水性基としては、例えば、カルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基及びスルホ基が挙げられ、カルボキシル基、ヒドロキシ基又はスルホ基が好ましい。
置換基としては、例えば、炭素数１～６のアルキル基及び親水性基が挙げられる。炭素数１～６のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。
Ｘ^３～Ｘ^６のうち隣り合う２つが互いに結合して形成される環としては、例えば、芳香環（単環でも多環でもよい。好ましくは、ベンゼン環又はピリジン環）が挙げられる。上記環が有する置換基としては、炭素数１～６のアルキル基及び親水性基が挙げられ、カルボキシル基、アミノ基又はヒドロキシ基が好ましい。

化合物Ｂとしては、Ｘ^１及びＸ^２が親水性基を表し、Ｘ^１及びＸ^２の少なくとも１つがカルボキシル基、アミノ基又はヒドロキシ基を表し、Ｘ^３～Ｘ^６のいずれか１つが親水性基（より好ましくはカルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基又はスルホ基）を表し、且つ、Ｘ^３～Ｘ^６の残り３つが水素原子を表す化合物（以下「化合物Ｂ１」とも記載する。）が好ましい。なかでも、Ｘ^４及びＸ^５のいずれか１つが親水性基（より好ましくはカルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基又はスルホ基）を表し、Ｘ^３、Ｘ^６並びにＸ^４及びＸ^５の残り１つが水素原子を表す化合物がより好ましい。

化合物Ｂ（化合物Ｂ１）としては、例えば、トリメリット酸、４－ヒドロキシフタル酸、４－アミノフタル酸及び４－スルホフタル酸等の、Ｘ^１及びＸ^２がいずれもカルボキシル基を表すフタル酸誘導体；５－スルホサリチル酸、２，５－ジヒドロキシ安息香酸、５－アミノサリチル酸及び４－ヒドロキシイソフタル酸等の、Ｘ^１がヒドロキシ基を表し、且つ、Ｘ^２がカルボキシル基を表すサリチル酸誘導体；５－ヒドロキシアントラニン酸、２，５－ジアミノ安息香酸及び５－スルホアントラニン酸等の、Ｘ^１がアミノ基を表し、且つ、Ｘ^２がカルボキシル基を表すアントラニン酸誘導体；アミドール、３－アミノ－４－ヒドロキシ安息香酸及び３－アミノ－４－ヒドロキシベンゼンスルホン酸等の、Ｘ^１がヒドロキシ基を表し、且つ、Ｘ^２がアミノ基を表すｏ－アミノフェノール誘導体；並びに、１，３－フェニレンジアミン－４－スルホン酸が挙げられる。
なかでも、４－スルホフタル酸、５－スルホサリチル酸、２，５－ジヒドロキシ安息香酸、５－アミノサリチル酸、４－ヒドロキシイソフタル酸、５－ヒドロキシアントラニン酸、２，５－ジアミノ安息香酸、５－スルホアントラニン酸、アミドール、３－アミノ－４－ヒドロキシ安息香酸又は３－アミノ－４－ヒドロキシベンゼンスルホン酸が好ましく、４－スルホフタル酸、５－スルホサリチル酸、２，５－ジヒドロキシ安息香酸又は５－スルホアントラニン酸がより好ましい。

化合物Ｂは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
洗浄液が化合物Ｂを含む場合、本発明の効果がより優れる点で、化合物Ｂの含有量は、洗浄液の全質量に対して、０．００１～１０質量％が好ましく、０．０１～５質量％がより好ましく、０．０１～３質量％が更に好ましい。
また、洗浄液が化合物Ｂを含む場合、化合物Ｂの含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．０１～５０質量％が好ましく、０．１～３０質量％がより好ましく、０．２～１５質量％が更に好ましい。

＜含窒素ヘテロ芳香族化合物＞
含窒素へテロ芳香族化合物は、環を構成する原子の少なくとも１つが窒素原子であるヘテロ芳香環（含窒素ヘテロ芳香環）を有する化合物であれば、特に制限されない。
含窒素へテロ芳香族化合物としては、特に制限されないが、例えば、アゾール化合物、ピリジン化合物、ピラジン化合物及びピリミジン化合物が挙げられる。

アゾール化合物は、窒素原子を少なくとも１つ含み、芳香族性を有するヘテロ５員環を有する化合物である。アゾール化合物が有するヘテロ５員環に含まれる窒素原子の個数は、特に制限されず、２～４個が好ましく、３又は４個がより好ましい。
また、アゾール化合物は、ヘテロ５員環上に置換基を有してもよい。そのような置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシル基、メルカプト基、アミノ基、アミノ基を有していてもよい炭素数１～４のアルキル基及び２－イミダゾリル基が挙げられる。
アゾール化合物としては、例えば、イミダゾール化合物、ピラゾール化合物、チアゾール化合物、トリアゾール化合物及びテトラゾール化合物が挙げられる。

イミダゾール化合物は、芳香族性を有し、１位及び３位に位置する窒素原子を２つ含むヘテロ５員環（イミダゾール環）を有する化合物である。
イミダゾール化合物としては、例えば、イミダゾール、１－メチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、５－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－メルカプトイミダゾール、４，５－ジメチル－２－メルカプトイミダゾール、４－ヒドロキシイミダゾール、２，２’－ビイミダゾール、４－イミダゾールカルボン酸、ヒスタミン、ベンゾイミダゾール及び２－アミノベンゾイミダゾールが挙げられる。

ピラゾール化合物は、芳香族性を有し、１位及び２位に位置する窒素原子を２つ含むヘテロ５員環（ピラゾール環）を有する化合物である。
ピラゾール化合物としては、例えば、ピラゾール、４－ピラゾールカルボン酸、１－メチルピラゾール、３－メチルピラゾール、３－アミノ－５－ヒドロキシピラゾール、３－アミノ－５－メチルピラゾール、３－アミノピラゾール及び４－アミノピラゾールが挙げられる。

チアゾール化合物は、芳香族性を有し、１位に位置する硫黄原子と３位に位置する窒素原子とを含むヘテロ５員環（チアゾール環）を有する化合物である。
チアゾール化合物としては、例えば、２，４－ジメチルチアゾール、ベンゾチアゾール及び２－メルカプトベンゾチアゾールが挙げられる。

トリアゾール化合物は、芳香族性を有し、３つの窒素原子を含むヘテロ５員環（トリアゾール環）を有する化合物である。
トリアゾール化合物としては、例えば、１，２，４－トリアゾ－ル、３－メチル－１，２，４－トリアゾ－ル、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、１，２，３－トリアゾ－ル、１－メチル－１，２，３－トリアゾ－ル、ベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、１－ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、２，３－ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、４－ヒドロキシベンゾトリアゾール、４－カルボキシベンゾトリアゾール及び５－メチルベンゾトリアゾールが挙げられる。

テトラゾール化合物は、芳香族性を有し、４つの窒素原子を含むヘテロ５員環（テトラゾール環）を有する化合物である。
テトラゾール化合物としては、例えば、１Ｈ－テトラゾール（１，２，３，４－テトラゾ－ル）、５－メチル－１，２，３，４－テトラゾ－ル、５－アミノ－１，２，３，４－テトラゾ－ル、１，５－ペンタメチレンテトラゾール、１－フェニル－５－メルカプトテトラゾール及び１－（２－ジメチルアミノエチル）－５－メルカプトテトラゾールが挙げられる。

ピリジン化合物は、窒素原子を１つ含み、芳香族性を有するヘテロ６員環（ピリジン環）を有する化合物である。
ピリジン化合物としては、具体的には、ピリジン、３－アミノピリジン、４－アミノピリジン、３－ヒドロキシピリジン、４－ヒドロキシピリジン、２－アセトアミドピリジン、２－シアノピリジン、２－カルボキシピリジン及び４－カルボキシピリジンが挙げられる。

ピリミジン化合物は、芳香族性を有し、メタ位に位置する窒素原子を２つ含むヘテロ６員環（ピリミジン環）を有する化合物である。
ピリミジン化合物としては、例えば、ピリミジン、２－メチルピリミジン、２－アミノピリミジン、４，６－ジメチルピリミジン及びアデニンが挙げられ、２－アミノピリミジン又はアデニンが好ましい。

ピラジン化合物は、芳香族性を有し、パラ位に位置する窒素原子を２つ含むヘテロ６員環（ピラジン環）を有する化合物である。
ピラジン化合物としては、例えば、ピラジン、２－メチルピラジン、２，５－ジメチルピラジン、２，３，５－トリメチルピラジン、２，３，５，６－テトラメチルピラジン、２－エチル－３－メチルピラジン及び２－アミノ－５－メチルピラジンが挙げられる。

含窒素へテロ芳香族化合物としては、アゾール化合物又はピリミジン化合物が好ましく、ピラゾール化合物又はピリミジン化合物がより好ましく、２－アミノピリミジン、アデニン、ピラゾール又は３－アミノ－５－メチルピラゾールが更に好ましく、３－アミノ－５－メチルピラゾールが特に好ましい。

含窒素へテロ芳香族化合物は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
洗浄液が含窒素へテロ芳香族化合物を含む場合、洗浄液における含窒素へテロ芳香族化合物の含有量は、特に制限されないが、洗浄液の全質量に対して、０．０１～１０質量％が好ましく、０．０５～５質量％がより好ましい。
また、洗浄液が含窒素へテロ芳香族化合物を含む場合、その含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．１～３０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。

＜還元剤＞
還元剤は、酸化作用を有し、洗浄液に含まれるＯＨ^－イオン又は溶存酸素を酸化する機能を有する化合物であり、脱酸素剤とも称される。
洗浄液に用いる還元剤は特に制限されないが、例えば、ヒドロキシルアミン化合物、アスコルビン酸化合物、カテコール化合物及び還元性硫黄化合物が挙げられる。

（ヒドロキシルアミン化合物）
洗浄液は、還元剤としてヒドロキシルアミン化合物を含んでいてもよい。
ヒドロキシルアミン化合物は、ヒドロキシルアミン（ＮＨ_２ＯＨ）、ヒドロキシルアミン誘導体及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種を意味する。
また、ヒドロキシルアミン誘導体とは、ヒドロキシルアミン（ＮＨ_２ＯＨ）に少なくとも１つの有機基が置換されてなる化合物を意味する。
ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン誘導体の塩は、ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン誘導体の無機酸塩又は有機酸塩であってもよい。ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン誘導体の塩としては、Ｃｌ、Ｓ、Ｎ及びＰからなる群より選択される少なくとも１種の非金属が水素と結合してなる無機酸の塩が好ましく、塩酸塩、硫酸塩、又は硝酸塩がより好ましい。

ヒドロキシルアミン化合物としては、例えば、式（２）で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立して、水素原子、又は炭素数１～６のアルキル基を表す。

Ｒ^６及びＲ^７で表される炭素数１～６のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよく、また、同一であっても異なっていてもよい。
式（２）におけるＲ^６及びＲ^７としては、炭素数１～６のアルキル基が好ましく、エチル基又はｎ－プロピル基がより好ましく、エチル基が更に好ましい。

ヒドロキシルアミン化合物としては、Ｎ－エチルヒドロキシルアミン、ＤＥＨＡ、又はＮ－ｎ－プロピルヒドロキシルアミンが好ましく、ＤＥＨＡがより好ましい。
ヒドロキシルアミン化合物は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、ヒドロキシルアミン化合物は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法によって適宜合成したものを用いてもよい。

（アスコルビン酸化合物）
洗浄液は、還元剤としてアスコルビン酸化合物を含んでいてもよい。
アスコルビン酸化合物は、アスコルビン酸（好ましくはＬ－アスコルビン酸）、アスコルビン酸誘導体及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種を意味する。
アスコルビン酸誘導体としては、例えば、アスコルビン酸リン酸エステル及びアスコルビン酸硫酸エステルが挙げられる。

（カテコール化合物）
洗浄液は、還元剤としてカテコール化合物を含んでいてもよい。
カテコール化合物は、ピロカテコール（ベンゼン－１，２－ジオール）及びカテコール誘導体からなる群より選択される少なくとも１種を意味する。
カテコール誘導体とは、ピロカテコールに少なくとも１つの置換基が置換されてなる化合物を意味する。カテコール誘導体が有する置換基としては、ヒドロキシ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホ基、スルホン酸エステル基、アルキル基（炭素数１～６が好ましく、炭素数１～４がより好ましい）及びアリール基（フェニル基が好ましい）が挙げられる。カテコール誘導体が置換基として有するカルボキシル基及びスルホ基は、カチオンの塩であってもよい。また、カテコール誘導体が置換基として有するアルキル基及びアリール基は、更に置換基を有していてもよい。

カテコール化合物としては、例えば、ピロカテコール、４－ｔｅｒｔ－ブチルカテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸メチル、１，２，４－ベンゼントリオール及びタイロンが挙げられる。

（還元性硫黄化合物）
洗浄液は、還元剤として還元性硫黄化合物を含んでいてもよい。
還元性硫黄化合物は、硫黄原子を含有し、還元剤としての機能を有する化合物であれば特に制限されないが、例えば、メルカプトコハク酸、ジチオジグリセロール、ビス（２，３－ジヒドロキシプロピルチオ）エチレン、３－（２，３－ジヒドロキシプロピルチオ）－２－メチル－プロピルスルホン酸ナトリウム、１－チオグリセロール、３－メルカプト－１－プロパンスルホン酸ナトリウム、２－メルカプトエタノール、チオグリコール酸及び３－メルカプト－１－プロパノールが挙げられる。
なかでも、ＳＨ基を有する化合物（メルカプト化合物）が好ましく、１－チオグリセロール、３－メルカプト－１－プロパンスルホン酸ナトリウム、２－メルカプトエタノール、３－メルカプト－１－プロパノール、又はチオグリコール酸がより好ましく、１－チオグリセロール又はチオグリコール酸が更に好ましい。

還元剤としては、ヒドロキシルアミン化合物又はアスコルビン酸化合物が好ましく、ＤＥＨＡ又はアスコルビン酸がより好ましい。

還元剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。洗浄液は、各種金属膜の腐食防止性により優れる点で、２種以上の還元剤を含むことが好ましい。
洗浄液が還元剤を含む場合、還元剤の含有量は特に制限されないが、洗浄液の全質量に対して、０．１～２０質量％が好ましく、０．２～５質量％がより好ましい。
また、洗浄液が還元剤を含む場合、その含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、１．０～５０質量％が好ましく、３．０～３０質量％がより好ましい。
なお、これらの還元剤は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法に従って合成したものを用いてもよい。

＜第４級アンモニウム化合物＞
第４級アンモニウム化合物は、窒素原子に４つの炭化水素基（好ましくはアルキル基）が置換してなる第４級アンモニウムカチオンを有する化合物であれば、特に制限されない。第４級アンモニウム化合物としては、例えば、第４級アンモニウム水酸化物、第４級アンモニウムフッ化物、第４級アンモニウム臭化物、第４級アンモニウムヨウ化物、第４級アンモニウムの酢酸塩及び第４級アンモニウムの炭酸塩が挙げられる。
洗浄液は、金属膜（特にＣｏを含む金属膜）の表面における研磨粒子の除去性能により優れる点で、第４級アンモニウム化合物を含むことが好ましい。

第４級アンモニウム化合物としては、下記式（３）で表される第４級アンモニウム水酸化物が好ましい。
（Ｒ^８）_４Ｎ^＋ＯＨ^－ （３）
式中、Ｒ^８は、置換基としてヒドロキシ基又はフェニル基を有していてもよいアルキル基を表す。４つのＲ^８は、互いに同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ^８で表されるアルキル基としては、炭素数１～４のアルキル基が好ましく、メチル基、又はエチル基が好ましい。
Ｒ^８で表されるヒドロキシ基又はフェニル基を有していてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２－ヒドロキシエチル基、又はベンジル基が好ましく、メチル基、エチル基、又は２－ヒドロキシエチル基がより好ましい。

第４級アンモニウム化合物としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＥＡＨ）、ジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド（ＤＥＤＭＡＨ）、メチルトリエチルアンモニウムヒドロキシド（ＭＴＥＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）、ビス（２－ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウムヒドロキシド、トリ（２－ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（ＢＴＭＡＨ）及びセチルトリメチルアンモニウムヒドロキシドが挙げられる。
上記の具体例以外の第４級アンモニウム化合物としては、例えば、特開２０１８－１０７３５３号公報の段落［００２１］に記載の化合物が援用でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

洗浄液に使用する第４級アンモニウム化合物としては、ＴＭＡＨ、ＴＭＥＡＨ、ＴＥＡＨ、ＴＰＡＨ、ＴＢＡＨ、コリン、又はビス（２－ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましく、ＴＭＥＡＨ、ＴＥＡＨ、ＴＰＡＨ、又はＴＢＡＨがより好ましい。
また、金属膜（特にＷを含む金属膜）の表面における研磨粒子の除去性能により優れる点で、洗浄液は、非対称構造を有する第４級アンモニウム化合物を含むことが好ましい。第４級アンモニウム化合物が「非対称構造を有する」とは、窒素原子に置換する４つの炭化水素基がいずれも同一ではないことを意味する。非対称構造を有する第４級アンモニウム化合物としては、例えば、ＴＭＥＡＨ、ＤＥＤＭＡＨ、ＭＴＥＡＨ、コリン及びビス（２－ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウムヒドロキシドが挙げられる。

第４級アンモニウム化合物は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
洗浄液が第４級アンモニウム化合物を含む場合、その含有量は、洗浄液の全質量に対して、０．０５～１５質量％が好ましく、０．１～１０質量％がより好ましい。
また、洗浄液が第４級アンモニウム化合物を含む場合、その含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．５～５０質量％が好ましく、１．０～２０質量％がより好ましい。

洗浄液は、上記成分を除く他の防食剤を含んでいてもよい。
他の防食剤としては、例えば、フルクトース、グルコース及びリボース等の糖類、エチレングリコール、プロピレングリコール及びグリセリン等のポリオール化合物、ポリアクリル酸、ポリマレイン酸及びこれらの共重合体等のポリカルボン酸化合物、ポリビニルピロリドン、シアヌル酸、バルビツール酸及びその誘導体、グルクロン酸、スクアリン酸、α－ケト酸、アデノシン及びその誘導体、プリン化合物及びその誘導体、フェナントロリン、レゾルシノール、ヒドロキノン、ニコチンアミド及びその誘導体、フラボノ－ル及びその誘導体、アントシアニン及びその誘導体、並びにこれらの組み合わせ等が挙げられる。

好ましい防食剤としては、剛直な骨格構造と、金属に対して配位結合する機能を有する官能基（配位座）を２つ以上有する化合物であって、その化合物が金属に配位した際に、上記骨格構造において金属に配位した配位座とは対向する位置に、少なくとも１つの親水性基を更に有する化合物が挙げられる。
このような剛直な骨格構造を挟んで対向する位置に２つ以上の配位座と少なくとも１つの親水性基とを有する防食剤を用いることにより、洗浄工程において金属膜の表面に防食剤が付着する際に金属膜とは反対側の表面側に親水性基を出現させ、ＣＭＰ工程において凝集した研磨粒子の金属膜への再付着を抑制し、研磨粒子の除去性能を向上させることができる。

上記の剛直な骨格構造としては、例えば、芳香族炭化水素環及び上記含窒素へテロ芳香族化合物が有する含窒素へテロ芳香環等の芳香環が挙げられる。芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環及びアントラセン環が挙げられる。含窒素へテロ芳香環としては、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、トリアゾール環及びテトラゾール環等の含窒素ヘテロ５員環、並びに、ピリジン環、ピラジン環及びピリミジン環等の含窒素ヘテロ６員環が挙げられる。
上記化合物における２つ以上の配位座と少なくとも１つの親水性の置換基との位置関係としては、剛直な骨格構造が５員環の芳香環である場合、少なくとも１つの配位座と少なくとも１つの親水性基とがそれぞれ５員環の１位及び３位に位置する態様が挙げられる。また、剛直な骨格構造が６員環の芳香環である場合、少なくとも１つの配位座と少なくとも１つの親水性基とが互いにパラ位又はメタ位に位置する態様が挙げられる。

上記化合物が有する配位座は、上記キレート剤が有してもよい配位基であってもよいし、含窒素へテロ環を構成する窒素原子であってもよい。
上記化合物が配位座として有する配位基及び、配位座と剛直な骨格構造を挟んで対向する位置にある親水性基としては、特に制限されないが、酸基及びカチオン性基が挙げられ、カルボキシル基、フェノール性ヒドロキシ基、アミノ基又はスルホ基が好ましく、カルボキシル基、フェノール性ヒドロキシ基又はアミノ基がより好ましい。
配位座と剛直な骨格構造を挟んで対向する位置にある親水性基の個数は、１個が好ましい。上記親水性基の個数が２個以上であると、研磨粒子等の残存物に含まれる金属と作用して残存物とネットワーク構造を形成し、残存物の洗浄性能が低下するおそれがあるためである。

上記の好ましい防食剤としては、例えば、上記式（１）で表される化合物Ｂ（より好ましくは化合物Ｂ１）、並びに、上記の含窒素へテロ芳香族化合物（より好ましくは、含窒素へテロ環を構成する窒素原子が２個以上であり、少なくとも１つの親水性基を更に有する含窒素ヘテロ芳香族化合物）が挙げられる。
好ましい化合物Ｂ１としては、上記化合物Ｂの説明において好ましい化合物Ｂ１として挙げた化合物が挙げられる。
へテロ環を構成する窒素原子が２個以上であり、少なくとも１つの親水性基を更に有する含窒素ヘテロ芳香族化合物としては、１つの親水性基（より好ましくはアミノ基）をピラゾール環の３位又は４位に有するピラゾール化合物、１つの親水性基（より好ましくはアミノ基）をイミダゾール環の２位又は４位に有するイミダゾール化合物又は１つの親水性基（より好ましくはアミノ基）をピリミジン環の２位又は４位に有するピリミジン化合物が好ましく、２－アミノピリミジン、アデニン、２－アミノベンゾイミダゾール又は３－アミノ－５－メチルピラゾールがより好ましい。

腐食防止性能により優れる点で、防食剤のＣｌｏｇＰ値が、－３．０以上であることが好ましく、－２．０以上であることがより好ましく、－１．５以上であることが更に好ましい。また、防食剤そのものが基板表面に残渣として残り難く、洗浄液の洗浄性能がより優れる点で、防食剤のＣｌｏｇＰ値が、３．０以下であることが好ましく、２．５以下であることがより好ましく、２．０以下であることが更に好ましい。
ＣｌｏｇＰ値が－３．０～３．０の範囲に含まれる防食剤としては、例えば、トリメリット酸（１．００）、４－ヒドロキシフタル酸（０．６７）、４－アミノフタル酸（－０．０８）、４－スルホフタル酸（―０．０９）、５－スルホサリチル酸（－０．６９）、２，５－ジヒドロキシ安息香酸（１．５６）、５－アミノサリチル酸（０．４６）、４－ヒドロキシイソフタル酸（２．０９）、５－ヒドロキシアントラニル酸（０．３３）、２，５－ジアミノ安息香酸（－０．２４）、５－スルホアントラニル酸（０．１６）、１，３－フェニレンジアミン－４－スルホン酸（－０．８５）、アミドール（－１．２９）、３－アミノ－４－ヒドロキシ安息香酸（０．５５）、３－アミノ－４－ヒドロキシベンゼンスルホン酸（－２．９５）、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）（１．３４）、２－アミノピリミジン（－０．８９）、アデニン（－２．１２）、ピラゾール（０．３２）、３－アミノ－５－メチルピラゾール（０．１７）、２－アミノベンゾイミダゾール（０．８６）、Ｌ－アスコルビン酸（－２．４１）、及び、ジエチルヒドロキシルアミン（ＤＥＨＡ）（－０．０９）が挙げられる。上記化合物の名称に続く括弧内の数値は、各化合物のＣｌｏｇＰ値を表す。

洗浄液は、防食剤を、１種単独で含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。
洗浄液における防食剤の含有量は、特に制限されないが、金属基板の腐食防止性能により優れる点で、洗浄液の全質量に対して、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０５質量％以上が更に好ましい。上限値は特に制限されないが、腐食防止性能により優れる点で、洗浄液の全質量に対して、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、５質量％以下が更に好ましい。
また、防食剤の含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．０５質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上が更に好ましい。上限値は特に制限されないが、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、５０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましい。

防食剤の含有量に対するキレート剤の含有量（キレート剤の含有量／防食剤の含有量）の質量比は、特に制限されないが、異なる基板間の腐食レベルを評価した際の繰り返し安定性に優れる点で、０．００１～５０が好ましく、０．０１～２０がより好ましく、０．０５～１０が更に好ましい。

防食剤の含有量に対する成分Ａ（より好ましくはアミノアルコールである成分Ａ）の含有量（成分Ａの含有量／防食剤の含有量）の質量比は、特に制限されないが、異なる基板間の腐食レベルを評価した際の繰り返し安定性に優れる点で、０．１～２００が好ましく、１～１００がより好ましく、５～５０が更に好ましい。

〔水〕
洗浄液は、溶剤として水を含むことが好ましい。
洗浄液に使用される水の種類は、半導体基板に悪影響を及ぼさないものであれば特に制限されず、蒸留水、脱イオン水及び純水（超純水）が使用できる。不純物をほとんど含まず、半導体基板の製造工程における半導体基板への影響がより少ない点で、純水が好ましい。
洗浄液における水の含有量は、キレート剤、成分Ａ、防食剤及び後述する任意成分の残部であればよい。水の含有量は、例えば、洗浄液の全質量に対して、１質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、６０質量％以上が更に好ましく、８５質量％以上が特に好ましい。上限は特に制限されないが、洗浄液の全質量に対して、９９質量％以下が好ましく、９５質量％以下がより好ましい。

〔任意成分〕
洗浄液は、上述した成分以外に、他の任意成分を含んでいてもよい。以下、任意成分について説明する。

＜界面活性剤＞
洗浄液は、界面活性剤を含んでいてもよい。
界面活性剤としては、１分子中に親水基と疎水基（親油基）とを有する化合物であれば特に制限されず、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤及び両性界面活性剤が挙げられる。なお、本明細書において、界面活性剤は、上述したキレート剤、成分Ａ及び防食剤を含まない。
洗浄液が界面活性剤を含む場合、本発明の効果により優れる点で、好ましい。

界面活性剤は、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基及びそれらの組合せから選択される疎水基を有する場合が多い。界面活性剤が有する疎水基としては、特に制限されないが、疎水基が芳香族炭化水素基を含む場合、炭素数が６以上であることが好ましく、炭素数１０以上であることがより好ましい。疎水基が芳香族炭化水素基を含まず、脂肪族炭化水素基のみから構成される場合、炭素数が９以上であることが好ましく、炭素数が１３以上であることがより好ましく、炭素数が１６以上であることが更に好ましい。疎水基の炭素数の上限は特に制限されないが、２０以下が好ましく、１８以下がより好ましい。

（アニオン性界面活性剤）
洗浄液に使用できるアニオン性界面活性剤としては、例えば、それぞれが親水基（酸基）として、リン酸エステル基を有するリン酸エステル系界面活性剤、ホスホン酸基を有するホスホン酸系界面活性剤、スルホ基を有するスルホン酸系界面活性剤、カルボキシル基を有するカルボン酸系界面活性剤及び硫酸エステル基を有する硫酸エステル系界面活性剤が挙げられる。

－リン酸エステル系界面活性剤－
リン酸エステル系界面活性剤としては、例えば、リン酸エステル（アルキルエーテルリン酸エステル）及びポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステル、並びにこれらの塩が挙げられる。リン酸エステル及びポリオキシアルキレンエーテルリン酸は、モノエステル及びジエステルの両者を含むことが多いが、モノエステル又はジエステルを単独で使用できる。
リン酸エステル系界面活性剤の塩としては、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩及び有機アミン塩が挙げられる。
リン酸エステル及びポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルが有する１価のアルキル基としては、特に制限されないが、炭素数２～２４のアルキル基が好ましく、炭素数６～１８のアルキル基がより好ましく、炭素数１２～１８のアルキル基が更に好ましい。
ポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルが有する２価のアルキレン基としては、特に制限されないが、炭素数２～６のアルキレン基が好ましく、エチレン基、又は１，２－プロパンジイル基がより好ましい。また、ポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルにおけるオキシアルキレン基の繰返し数は、１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。

リン酸エステル系界面活性剤としては、オクチルリン酸エステル、ラウリルリン酸エステル、トリデシルリン酸エステル、ミリスチルリン酸エステル、セチルリン酸エステル、ステアリルリン酸エステル、ポリオキシエチレンオクチルエーテルリン酸エステル、ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸エステル、又はポリオキシエチレントリデシルエーテルリン酸エステルが好ましく、ラウリルリン酸エステル、トリデシルリン酸エステル、ミリスチルリン酸エステル、セチルリン酸エステル、又はステアリルリン酸エステルがより好ましく、ラウリルリン酸エステル、セチルリン酸エステル、又はステアリルリン酸エステルが更に好ましい。

リン酸エステル系界面活性剤としては、特開２０１１－０４０５０２号公報の段落［００１２］～［００１９］に記載の化合物も援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

－ホスホン酸系界面活性剤－
ホスホン酸系界面活性剤としては、例えば、アルキルホスホン酸、ポリビニルホスホン酸及び特開２０１２－０５７１０８号公報等に記載のアミノメチルホスホン酸が挙げられる。

－スルホン酸系界面活性剤－
スルホン酸系界面活性剤としては、例えば、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、アルキルメチルタウリン、スルホコハク酸ジエステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸及びこれらの塩が挙げられる。

上記のスルホン酸系界面活性剤が有する１価のアルキル基としては、特に制限されないが、炭素数２～２４のアルキル基が好ましく、炭素数６～１８のアルキル基がより好ましい。
また、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸が有する２価のアルキレン基としては、特に制限されないが、エチレン基、又は１，２－プロパンジイル基が好ましい。また、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸におけるオキシアルキレン基の繰返し数は、１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。

スルホン酸系界面活性剤の具体例としては、ヘキサンスルホン酸、オクタンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、トルエンスルホン酸、クメンスルホン酸、オクチルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸（ＤＢＳＡ）、ジニトロベンゼンスルホン酸（ＤＮＢＳＡ）及びラウリルドデシルフェニルエーテルジスルホン酸（ＬＤＰＥＤＳＡ）が挙げられる。

－カルボン酸系界面活性剤－
カルボン酸系界面活性剤としては、例えば、アルキルカルボン酸、アルキルベンゼンカルボン酸及びポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸、並びにこれらの塩が挙げられる。
上記のカルボン酸系界面活性剤が有する１価のアルキル基としては、特に制限されないが、炭素数７～２５のアルキル基が好ましく、炭素数１１～１７のアルキル基がより好ましい。
また、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸が有する２価のアルキレン基としては、特に制限されないが、エチレン基、又は１，２－プロパンジイル基が好ましい。また、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸におけるオキシアルキレン基の繰返し数は、１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。

カルボン酸系界面活性剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ポリオキシエチレンラウリルエーテル酢酸及びポリオキシエチレントリデシルエーテル酢酸が挙げられる。

－硫酸エステル系界面活性剤－
硫酸エステル系界面活性剤としては、例えば、硫酸エステル（アルキルエーテル硫酸エステル）及びポリオキシアルキレンエーテル硫酸エステル、並びにこれらの塩が挙げられる。
硫酸エステル及びポリオキシアルキレンエーテル硫酸エステルが有する１価のアルキル基としては、特に制限されないが、炭素数２～２４のアルキル基が好ましく、炭素数６～１８のアルキル基がより好ましい。
ポリオキシアルキレンエーテル硫酸エステルが有する２価のアルキレン基としては、特に制限されないが、エチレン基、又は１，２－プロパンジイル基が好ましい。また、ポリオキシアルキレンエーテル硫酸エステルにおけるオキシアルキレン基の繰返し数は、１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。
硫酸エステル系界面活性剤の具体例としては、ラウリル硫酸エステル、ミリスチル硫酸エステル及びポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸エステルが挙げられる。

（カチオン性界面活性剤）
カチオン性界面活性剤としては、例えば、変性脂肪族ポリアミン（例えば、ポリエチレンポリアミン等）が挙げられる。

（ノニオン性界面活性剤）
ノニオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルケニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレングリコール、ポリオキシアルキレンモノアルキレート（モノアルキル脂肪酸エステルポリオキシアルキレン）、ポリオキシアルキレンジアルキレート（ジアルキル脂肪酸エステルポリオキシアルキレン）、ビスポリオキシアルキレンアルキルアミド、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、グリセリン脂肪酸エステル、オキシエチレンオキシプロピレンブロックコポリマー、アセチレングリコール系界面活性剤及びアセチレン系ポリオキシエチレンオキシドが挙げられる。

（両性界面活性剤）
両性界面活性剤としては、例えば、カルボキシベタイン（例えば、アルキル－Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ酢酸ベタイン及びアルキル－Ｎ，Ｎ－ジヒドロキシエチルアミノ酢酸ベタイン等）、スルホベタイン（例えば、アルキル－Ｎ，Ｎ－ジメチルスルホエチレンアンモニウムベタイン等）、イミダゾリニウムベタイン（例えば、２－アルキル－Ｎ－カルボキシメチル－Ｎ－ヒドロキシエチルイミダソリニウムベタイン等）、並びにアルキルアミンオキシド（例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルアルキルアミンオキシド等）が挙げられる。

界面活性剤としては、特開２０１５－１５８６６２号公報の段落［００９２］～［００９６］、特開２０１２－１５１２７３号公報の段落［００４５］～［００４６］及び特開２００９－１４７３８９号公報の段落［００１４］～［００２０］に記載の化合物も援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

洗浄液は、アニオン性界面活性剤（より好ましくはリン酸エステル系界面活性剤）を含むことが好ましい。アニオン性界面活性剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

これらの界面活性剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
洗浄液が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、洗浄液の全質量に対して、０．０５～１０．０質量％が好ましく、０．２～５．０質量％がより好ましい。
また、洗浄液が界面活性剤を含む場合、その含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．５～５０質量％が好ましく、１．０～２０質量％がより好ましい。
なお、これらの界面活性剤としては、市販のものを用いればよい。

＜添加剤＞
洗浄液は、必要に応じて、上記成分以外の添加剤を含んでいてもよい。そのような添加剤としては、ｐＨ調整剤、重合体、フッ素化合物及び有機溶剤が挙げられる。

（ｐＨ調整剤）
洗浄液は、洗浄液のｐＨを調整及び維持するためにｐＨ調整剤を含有していてもよい。ｐＨ調整剤としては、上記成分以外の塩基性化合物及び酸性化合物が挙げられる。

塩基性化合物としては、塩基性有機化合物及び塩基性無機化合物が挙げられる。
塩基性有機化合物は、上記の成分Ａ、ヒドロキシアミン化合物及び第４級アンモニウム化合物とは異なる化合物である。
塩基性無機化合物としては、例えば、アルカリ金属水酸化物及びアルカリ土類金属水酸化物が挙げられる。なお、塩基性無機化合物は、アンモニアを含まない。
アルカリ金属水酸化物としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。アルカリ土類金属水酸化物としては、例えば、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム及び水酸化バリウムが挙げられる。

洗浄液は、塩基性化合物として、上記の化合物以外に、ニトロ、ニトロソ、オキシム、ケトオキシム、アルドオキシム、ニトロン、ラクタム、イソシアニド化合物、カルボヒドラジド等のヒドラジド化合物及び尿素からなる群より選択される少なくとも１種を含んでいてもよい。
また、洗浄液に含まれる成分Ａ、ヒドロキシアミン化合物及び／又は第４級アンモニウム化合物が、洗浄液のｐＨを下げるための塩基性化合物としての役割を兼ねていてもよい。
これらの塩基性化合物は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法によって適宜合成したものを用いてもよい。

酸性化合物としては、例えば、無機酸及び有機酸が挙げられる。
無機酸としては、例えば、塩酸、硫酸、亜硫酸、硝酸、亜硝酸、リン酸、ホウ酸及び六フッ化リン酸が挙げられる。また、無機酸の塩を使用してもよく、例えば、無機酸のアンモニウム塩が挙げられ、より具体的には、塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム、亜硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、亜硝酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、ホウ酸アンモニウム及び六フッ化リン酸アンモニウムが挙げられる。
無機酸としては、リン酸、又はリン酸塩が好ましく、リン酸がより好ましい。

有機酸は、酸性の官能基を有し、水溶液中で酸性（ｐＨが７．０未満）を示す有機化合物であって、上記のキレート剤及び上記のアニオン性界面活性剤のいずれにも含まれない化合物である。有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸及び酪酸等の低級（炭素数１～４）脂肪族モノカルボン酸が挙げられる。

酸性化合物としては、水溶液中で酸又は酸イオン（アニオン）となるものであれば、酸性化合物の塩を用いてもよい。
また、洗浄液に含まれる酸性のキレート剤及び／又はアニオン性界面活性剤が、洗浄液のｐＨを下げるための酸性化合物としての役割を兼ねていてもよい。
酸性化合物は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法によって適宜合成したものを用いてもよい。

ｐＨ調整剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
洗浄液がｐＨ調整剤を含む場合、その含有量は、他の成分の種類及び量、並びに目的とする洗浄液のｐＨに応じて選択されるが、洗浄液の全質量に対して、０．０３～１０質量％が好ましく、０．１～５質量％がより好ましい。
また、洗浄液がｐＨ調整剤を含む場合、その含有量は、他の成分の種類及び量、並びに目的とする洗浄液のｐＨに応じて選択されるが、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．２～３０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。

重合体としては、特開２０１６－１７１２９４号公報の段落［００４３］～［００４７］に記載の水溶性重合体が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
フッ素化合物としては、特開２００５－１５０２３６号公報の段落［００１３］～［００１５］に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
有機溶剤としては、公知の有機溶剤をいずれも使用できるが、アルコール及びケトン等の親水性有機溶剤が好ましい。有機溶剤は、単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
重合体、フッ素化合物及び有機溶剤の使用量は特に制限されず、本発明の効果を妨げない範囲で適宜設定すればよい。

なお、上記の各成分の洗浄液における含有量は、ガスクロマトグラフィー－質量分析（ＧＣ－ＭＳ：Gas Chromatography-Mass Spectrometry）法、液体クロマトグラフィー－質量分析（ＬＣ－ＭＳ：Liquid Chromatography-Mass Spectrometry）法及びイオン交換クロマトグラフィー（ＩＣ：(Ion-exchange Chromatography）法等の公知の方法によって測定できる。

〔洗浄液の物性〕
＜ｐＨ＞
洗浄液のｐＨは、２５℃において７．０超である。即ち、洗浄液はアルカリ性を示す。
洗浄液のｐＨは、金属膜の腐食防止性能（特にＣｕ又はＷを含む金属膜の腐食防止性能）により優れる点で、２５℃において、８．０以上が好ましく、８．５以上がより好ましく、９．０以上が更に好ましい。洗浄液のｐＨの上限は特に制限されないが、金属膜の腐食防止性能（特にＣｏ又はＷを含む金属膜の腐食防止性能）により優れる点で、２５℃において、１２．０以下が好ましく、１１．５以下がより好ましい。

洗浄液のｐＨは、上記のｐＨ調整剤、並びに、上記の成分Ａ、ヒドロキシアミン化合物、第４級アンモニウム化合物、キレート剤及びアニオン性界面活性剤等のｐＨ調整剤の機能を有する成分を使用することにより、調整すればよい。
なお、洗浄液のｐＨは、公知のｐＨメーターを用いて、ＪＩＳ Ｚ８８０２－１９８４に準拠した方法により測定できる。

＜金属含有量＞
洗浄液は、液中に不純物として含まれる金属（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＡｇの金属元素）の含有量（イオン濃度として測定される）がいずれも５質量ｐｐｍ以下であることが好ましく、１質量ｐｐｍ以下であることがより好ましい。最先端の半導体素子の製造においては、更に高純度の洗浄液が求められることが想定されることから、その金属含有量が１質量ｐｐｍよりも低い値、すなわち、質量ｐｐｂオーダー以下であることが更に好ましく、１００質量ｐｐｂ以下であることが特に好ましい。下限は特に制限されないが、０が好ましい。

金属含有量の低減方法としては、例えば、洗浄液を製造する際に使用する原材料の段階、又は洗浄液の製造後の段階において、蒸留及びイオン交換樹脂又はフィルタを用いたろ過等の精製処理を行うことが挙げられる。
他の金属含有量の低減方法としては、原材料又は製造された洗浄液を収容する容器として、後述する不純物の溶出が少ない容器を用いることが挙げられる。また、洗浄液の製造時に配管等の部材から金属成分が溶出しないように、配管内壁等の部材の接液部にフッ素系樹脂のライニングを施すことも挙げられる。

＜粗大粒子＞
洗浄液は、粗大粒子を含んでいてもよいが、その含有量が低いことが好ましい。ここで、粗大粒子とは、粒子の形状を球体とみなした場合における直径（粒径）が０．４μｍ以上である粒子を意味する。
洗浄液における粗大粒子の含有量としては、粒径０．４μｍ以上の粒子の含有量が、洗浄液１ｍＬあたり１０００個以下であることが好ましく、５００個以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、０が挙げられる。また、上記の測定方法で測定された粒径０．４μｍ以上の粒子の含有量が検出限界以下であることが更に好ましい。
洗浄液に含まれる粗大粒子は、原料に不純物として含まれる塵、埃、有機固形物及び無機固形物等の粒子、並びに洗浄液の調製中に汚染物として持ち込まれる塵、埃、有機固形物及び無機固形物等の粒子であって、最終的に洗浄液中で溶解せずに粒子として存在するものが該当する。
洗浄液中に存在する粗大粒子の含有量は、レーザを光源とした光散乱式液中粒子測定方式における市販の測定装置を利用して液相で測定できる。
粗大粒子の除去方法としては、例えば、後述するフィルタリング等の精製処理が挙げられる。

洗浄液は、その原料を複数に分割したキットとしてもよい。
洗浄液をキットとする方法としては、例えば、第１液として成分Ａ及び成分Ｂを含む液組成物を調製し、第２液として他の成分を含む液組成物を調製する態様が挙げられる。

〔洗浄液の製造〕
洗浄液は、公知の方法により製造できる。以下、洗浄液の製造方法について詳述する。

＜調液工程＞
洗浄液の調液方法は特に制限されず、例えば、上述した各成分を混合することにより洗浄液を製造できる。上述した各成分を混合する順序及び／又はタイミングは特に制限されず、例えば、精製した純水を入れた容器に、キレート剤、成分Ａ、防食剤、並びに、界面活性剤及びｐＨ調整剤等の任意成分を順次添加した後、撹拌等を行うことにより、調製する方法が挙げられる。また、水及び各成分を容器に添加する場合、一括して添加してもよいし、複数回にわたって分割して添加してもよい。

洗浄液の調液に使用する攪拌装置及び攪拌方法は、特に制限されず、攪拌機又は分散機として公知の装置を使用すればよい。攪拌機としては、例えば、工業用ミキサー、可搬型攪拌器、メカニカルスターラー及びマグネチックスターラーが挙げられる。分散機としては、例えば、工業用分散器、ホモジナイザー、超音波分散器及びビーズミルが挙げられる。

洗浄液の調液工程における各成分の混合及び後述する精製処理、並びに製造された洗浄液の保管は、４０℃以下で行うことが好ましく、３０℃以下で行うことがより好ましい。また、５℃以上が好ましく、１０℃以上がより好ましい。上記の温度範囲で洗浄液の調液、処理及び／又は保管を行うことにより、長期間安定に性能を維持できる。

（精製処理）
洗浄液を調製するための原料のいずれか１種以上に対して、事前に精製処理を行うことが好ましい。精製処理としては、特に制限されず、蒸留、イオン交換及びろ過等の公知の方法が挙げられる。
精製の程度としては、特に制限されないが、原料の純度が９９質量％以上となるまで精製することが好ましく、原液の純度が９９．９質量％以上となるまで精製することがより好ましい。

精製処理の具体的な方法としては、例えば、原料をイオン交換樹脂又はＲＯ膜（Reverse Osmosis Membrane）等に通液する方法、原料の蒸留及び後述するフィルタリングが挙げられる。
精製処理として、上述した精製方法を複数組み合わせて実施してもよい。例えば、原料に対して、ＲＯ膜に通液する１次精製を行った後、カチオン交換樹脂、アニオン交換樹脂、又は混床型イオン交換樹脂からなる精製装置に通液する２次精製を実施してもよい。
また、精製処理は、複数回実施してもよい。

（フィルタリング）
フィルタリングに用いるフィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に制限されない。例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）及びテトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）等のフッ素樹脂、ナイロン等のポリアミド系樹脂、並びにポリエチレン及びポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度又は超高分子量を含む）からなるフィルタが挙げられる。これらの材料のなかでもポリエチレン、ポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）、フッ素樹脂（ＰＴＦＥ及びＰＦＡを含む）及びポリアミド系樹脂（ナイロンを含む）からなる群より選ばれる材料が好ましく、フッ素樹脂のフィルタがより好ましい。これらの材料により形成されたフィルタを使用して原料のろ過を行うことで、欠陥の原因となり易い極性の高い異物を効果的に除去できる。

フィルタの臨界表面張力としては、７０～９５ｍＮ／ｍが好ましく、７５～８５ｍＮ／ｍがより好ましい。なお、フィルタの臨界表面張力の値は、製造メーカーの公称値である。臨界表面張力が上記範囲のフィルタを使用することで、欠陥の原因となり易い極性の高い異物を効果的に除去できる。

フィルタの孔径は、２～２０ｎｍであることが好ましく、２～１５ｎｍであることがより好ましい。この範囲とすることにより、ろ過詰まりを抑えつつ、原料中に含まれる不純物及び凝集物等の微細な異物を確実に除去することが可能となる。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照できる。

フィルタリングは１回のみであってもよいし、２回以上行ってもよい。フィルタリングを２回以上行う場合、用いるフィルタは同じであってもよいし、異なっていてもよい。

また、フィルタリングは室温（２５℃）以下で行うことが好ましく、２３℃以下がより好ましく、２０℃以下が更に好ましい。また、０℃以上が好ましく、５℃以上がより好ましく、１０℃以上が更に好ましい。上記の温度範囲でフィルタリングを行うことにより、原料中に溶解する粒子性の異物及び不純物の量を低減し、異物及び不純物を効率的に除去できる。

（容器）
洗浄液（キット又は後述する希釈液の態様を含む）は、腐食性等の問題が生じない限り、任意の容器に充填して保管、運搬及び使用できる。

容器としては、半導体用途向けに、容器内のクリーン度が高く、容器の収容部の内壁から各液への不純物の溶出が抑制された容器が好ましい。そのような容器としては、半導体洗浄液用容器として市販されている各種容器が挙げられ、例えば、アイセロ化学（株）製の「クリーンボトル」シリーズ及びコダマ樹脂工業製の「ピュアボトル」等が挙げられるが、これらに制限されない。
また、洗浄液を収容する容器としては、その収容部の内壁等の各液との接液部が、フッ素系樹脂（パーフルオロ樹脂）、又は防錆及び金属溶出防止処理が施された金属で形成された容器が好ましい。
容器の内壁は、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂及びポリエチレン－ポリプロピレン樹脂からなる群より選択される１種以上の樹脂、もしくは、これとは異なる樹脂、又は、ステンレス、ハステロイ、インコネル及びモネル等、防錆及び金属溶出防止処理が施された金属から形成されることが好ましい。

上記の異なる樹脂としては、フッ素系樹脂（パーフルオロ樹脂）が好ましい。このように、内壁がフッ素系樹脂である容器を用いることで、内壁が、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、又はポリエチレン－ポリプロピレン樹脂である容器と比べて、エチレン又はプロピレンのオリゴマーの溶出という不具合の発生を抑制できる。
このような内壁がフッ素系樹脂である容器の具体例としては、例えば、Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製 ＦｌｕｏｒｏＰｕｒｅＰＦＡ複合ドラム等が挙げられる。また、特表平３－５０２６７７号公報の第４頁、国際公開第２００４／０１６５２６号明細書の第３頁、並びに国際公開第９９／０４６３０９号明細書の第９頁及び１６頁等に記載の容器も使用できる。

また、容器の内壁には、上述したフッ素系樹脂の他に、石英及び電解研磨された金属材料（すなわち、電解研磨済みの金属材料）も好ましく用いられる。
上記電解研磨された金属材料の製造に用いられる金属材料は、クロム及びニッケルからなる群より選択される少なくとも１種を含み、クロム及びニッケルの含有量の合計が金属材料全質量に対して２５質量％超である金属材料であることが好ましい。そのような金属材料としては、例えば、ステンレス鋼及びニッケル－クロム合金が挙げられる。
金属材料におけるクロム及びニッケルの含有量の合計は、金属材料全質量に対して３０質量％以上がより好ましい。
なお、金属材料におけるクロム及びニッケルの含有量の合計の上限値としては特に制限されないが、９０質量％以下が好ましい。

金属材料を電解研磨する方法としては特に制限されず、公知の方法を用いることができる。例えば、特開２０１５－２２７５０１号公報の段落［００１１］－［００１４］及び特開２００８－２６４９２９号公報の段落［００３６］－［００４２］等に記載された方法を使用できる。

これらの容器は、洗浄液を充填する前にその内部が洗浄されることが好ましい。洗浄に使用される液体は、その液中における金属不純物量が低減されていることが好ましい。洗浄液は、製造後にガロン瓶又はコート瓶等の容器にボトリングし、輸送、保管されてもよい。

保管における洗浄液中の成分の変化を防ぐ目的で、容器内を純度９９．９９９９５体積％以上の不活性ガス（窒素、又はアルゴン等）で置換しておいてもよい。特に、含水率が少ないガスが好ましい。また、輸送及び保管に際しては、常温でもよいが、変質を防ぐため、－２０℃から２０℃の範囲に温度制御してもよい。

（クリーンルーム）
洗浄液の製造、容器の開封及び洗浄、洗浄液の充填等を含めた取り扱い、処理分析、並びに測定は、全てクリーンルームで行うことが好ましい。クリーンルームは、１４６４４－１クリーンルーム基準を満たすことが好ましい。ＩＳＯ（国際標準化機構）クラス１、ＩＳＯクラス２、ＩＳＯクラス３及びＩＳＯクラス４のいずれかを満たすことが好ましく、ＩＳＯクラス１又はＩＳＯクラス２を満たすことがより好ましく、ＩＳＯクラス１を満たすことが更に好ましい。

＜希釈工程＞
上述した洗浄液は、水等の希釈剤を用いて希釈する希釈工程を経た後、半導体基板の洗浄に供されることが好ましい。

希釈工程における洗浄液の希釈率は、各成分の種類及び含有量、並びに洗浄対象である半導体基板等に応じて適宜調整すればよいが、希釈前の洗浄液に対する希釈洗浄液の比率は、質量比で１０～１００００倍が好ましく、２０～３０００倍がより好ましく、５０～１０００倍が更に好ましい。
また、欠陥抑制性能により優れる点で、洗浄液は水で希釈されることが好ましい。

希釈前後におけるｐＨの変化（希釈前の洗浄液のｐＨと希釈洗浄液のｐＨとの差分）は、１．０以下が好ましく、０．８以下がより好ましく、０．５以下が更に好ましい。
また、希釈洗浄液のｐＨは、２５℃において、７．０超が好ましく、７．５以上がより好ましく、８．０以上が更に好ましい。希釈洗浄液のｐＨの上限は、２５℃において、１３．０以下が好ましく、１２．５以下がより好ましく、１２．０以下が更に好ましい。

希釈洗浄液におけるキレート剤の含有量は、特に制限されないが、研磨粒子の除去性能により優れる点で、希釈洗浄液の全質量に対して、０．０００５質量％以上が好ましく、０．００１質量％以上がより好ましく、０．００２質量％以上が更に好ましい。上限値は特に制限されないが、金属基板の腐食防止性能に優れる点で、希釈洗浄液の全質量に対して、０．１質量％以下が好ましく、０．０５質量％以下がより好ましく、０．０３質量％以下が更に好ましい。
希釈洗浄液における成分Ａの含有量は、特に制限されないが、研磨粒子の除去性能により優れる点で、希釈洗浄液の全質量に対して、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上が更に好ましい。上限値は特に制限されないが、金属基板の腐食防止性に優れる点で、希釈洗浄液の全質量に対して、０．２質量％以下が好ましく、０．１質量％以下がより好ましく、０．０５質量％以下が更に好ましい。

希釈洗浄液における防食剤の含有量は、特に制限されないが、金属基板の腐食防止性能により優れる点で、希釈洗浄液の全質量に対して、０．００００５質量％以上が好ましく、０．０００１質量％以上がより好ましく、０．０００５質量％以上が更に好ましい。上限値は特に制限されないが、腐食防止性能により優れる点で、希釈洗浄液の全質量に対して、０．０２質量％以下が好ましく、０．０１質量％以下がより好ましく、０．０５質量％以下が更に好ましい。
希釈洗浄液が化合物Ｂを含む場合、本発明の効果がより優れる点で、化合物Ｂの含有量は、希釈洗浄液の全質量に対して、０．００００１～０．１質量％が好ましく、０．０００１～０．０５質量％がより好ましく、０．０００１～０．０３質量％が更に好ましい。
希釈洗浄液が含窒素へテロ芳香族化合物を含む場合、希釈洗浄液における含窒素へテロ芳香族化合物の含有量は、特に制限されないが、希釈洗浄液の全質量に対して、０．０００１～０．１質量％が好ましく、０．０００５～０．０５質量％がより好ましい。
希釈洗浄液が還元剤を含む場合、還元剤の含有量は特に制限されないが、希釈洗浄液の全質量に対して、０．００１～０．２質量％が好ましく、０．００２～０．０５質量％がより好ましい。
希釈洗浄液が第４級アンモニウム化合物を含む場合、その含有量は、希釈洗浄液の全質量に対して、０．０００５～０．１５質量％が好ましく、０．００１～０．１質量％がより好ましい。

希釈洗浄液における水の含有量は、キレート剤、成分Ａ、防食剤及び後述する任意成分の残部であればよい。水の含有量は、例えば、希釈洗浄液の全質量に対して、９９質量％以上が好ましく、９９．３質量％以上がより好ましく、９９．６質量％以上が更に好ましく、９９．８５質量％以上が特に好ましい。上限は特に制限されないが、希釈洗浄液の全質量に対して、９９．９９質量％以下が好ましく、９９．９５質量％以下がより好ましい。
希釈洗浄液が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、希釈洗浄液の全質量に対して、０．０００５～０．１質量％が好ましく、０．００２～０．０５質量％がより好ましい。
希釈洗浄液がｐＨ調整剤を含む場合、その含有量は、他の成分の種類及び量、並びに目的とする希釈洗浄液のｐＨに応じて選択されるが、希釈洗浄液の全質量に対して、０．０００３～０．１質量％が好ましく、０．００１～０．０５質量％がより好ましい。

洗浄液を希釈する希釈工程の具体的方法は、特に制限されず、上記の洗浄液の調液工程に準じて行えばよい。希釈工程で使用する攪拌装置及び攪拌方法もまた、特に制限されず、上記の洗浄液の調液工程において挙げた公知の攪拌装置を使用して行えばよい。

希釈工程に用いる水に対しては、事前に精製処理を行うことが好ましい。また、希釈工程により得られた希釈洗浄液に対して、精製処理を行うことが好ましい。
精製処理としては、特に制限されず、上述した洗浄液に対する精製処理として記載した、イオン交換樹脂又はＲＯ膜等を用いたイオン成分低減処理及びフィルタリングを用いた異物除去が挙げられ、これらのうちいずれかの処理を行うことが好ましい。

［洗浄方法］
本発明の洗浄方法は、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理が施された半導体基板を洗浄する洗浄工程を含む。上述した洗浄液は、ＣＭＰ処理が施された半導体基板の洗浄に使用される。

〔洗浄対象物〕
本発明の洗浄方法の洗浄対象物は、金属を含む半導体基板である。なかでも、金属含有物を有する半導体基板が好ましい。
なお、本明細書における「半導体基板上」とは、例えば、半導体基板の表裏、側面及び溝内等のいずれも含む。また、半導体基板上の金属含有物とは、半導体基板の表面上に直接金属含有物がある場合のみならず、半導体基板上に他の層を介して金属含有物がある場合も含む。

半導体基板に含まれる金属は、例えば、Ｃｕ（銅）、Ｃｏ（コバルト）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｐｔ（白金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｎ（マンガン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｌａ（ランタン）及びＩｒ（イリジウム）からなる群より選択される少なくとも１種の金属Ｍが挙げられる。

金属含有物は、金属（金属原子）を含む物質でありさえすればよく、例えば、金属Ｍの単体、金属Ｍを含む合金、金属Ｍの酸化物、金属Ｍの窒化物及び金属Ｍの酸窒化物が挙げられる。
また、金属含有物は、これらの化合物のうちの２種以上を含む混合物でもよい。
なお、上記酸化物、窒化物及び酸窒化物は、金属を含む、複合酸化物、複合窒化物及び複合酸窒化物でもよい。
金属含有物中の金属原子の含有量は、金属含有物の全質量に対して、１０質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上が更に好ましい。上限は、金属含有物が金属そのものであってもよいことから、１００質量％である。

半導体基板は、金属Ｍを含む金属Ｍ含有物を有することが好ましく、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ及びＲｕからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属含有物を有することがより好ましい。

洗浄液の洗浄対象物である半導体基板は、特に制限されず、例えば、半導体基板を構成するウエハの表面に、金属配線膜、バリアメタル及び絶縁膜を有する基板が挙げられる。

半導体基板を構成するウエハの具体例としては、シリコン（Ｓｉ）ウエハ、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）ウエハ、シリコンを含む樹脂系ウエハ（ガラスエポキシウエハ）等のシリコン系材料からなるウエハ、ガリウムリン（ＧａＰ）ウエハ、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ウエハ及びインジウムリン（ＩｎＰ）ウエハが挙げられる。
シリコンウエハとしては、シリコンウエハに５価の原子（例えば、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）及びアンチモン（Ｓｂ）等）をドープしたｎ型シリコンウエハ、並びにシリコンウエハに３価の原子（例えば、ホウ素（Ｂ）及びガリウム（Ｇａ）等）をドープしたｐ型シリコンウエハであってもよい。シリコンウエハのシリコンとしては、例えば、アモルファスシリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコン及びポリシリコンのいずれであってもよい。
なかでも、洗浄液は、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ及びシリコンを含む樹脂系ウエハ（ガラスエポキシウエハ）等のシリコン系材料からなるウエハに有用である。

半導体基板は、上記のウエハに絶縁膜を有していてもよい。
絶縁膜の具体例としては、シリコン酸化膜（例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜及びオルトケイ酸テトラエチル（Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）膜（ＴＥＯＳ膜）等）、シリコン窒化膜（例えば、窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４）及び窒化炭化シリコン（ＳｉＮＣ）等）、並びに、低誘電率（Ｌｏｗ－ｋ）膜（例えば、炭素ドープ酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）膜並びにシリコンカーバイド（ＳｉＣ）膜等）が挙げられる。

半導体基板は、金属膜を有していてもよい。半導体基板が有する金属膜としては、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）及びタングステン（Ｗ）からなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属膜、例えば、銅を主成分とする膜（銅含有膜）、コバルトを主成分とする膜（コバルト含有膜）、タングステンを主成分とする膜（タングステン含有膜）、並びにＣｕ、Ｃｏ及びＷからなる群より選択される１種以上を含む合金で構成された金属膜が挙げられる。これら金属膜は、例えば、金属配線膜又はバリアメタルとして上記のウエハ上に形成される。
半導体基板は、銅及びコバルトからなる群より選択される少なくとも１種を含む金属膜を有することが好ましい。また、半導体基板は、タングステンを含む金属膜を有することも好ましい。

銅含有膜としては、例えば、金属銅のみからなる配線膜（銅配線膜）及び金属銅と他の金属とからなる合金製の配線膜（銅合金配線膜）が挙げられる。
銅合金配線膜の具体例としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、タンタル（Ｔａ）及びタングステン（Ｗ）から選択される１種以上の金属と銅とからなる合金製の配線膜が挙げられる。より具体的には、銅－アルミニウム合金配線膜（ＣｕＡｌ合金配線膜）、銅－チタン合金配線膜（ＣｕＴｉ合金配線膜）、銅－クロム合金配線膜（ＣｕＣｒ合金配線膜）、銅－マンガン合金配線膜（ＣｕＭｎ合金配線膜）、銅－タンタル合金配線膜（ＣｕＴａ合金配線膜）及び銅－タングステン合金配線膜（ＣｕＷ合金配線膜）が挙げられる。

コバルト含有膜（コバルトを主成分とする金属膜）としては、例えば、金属コバルトのみからなる金属膜（コバルト金属膜）及び金属コバルトと他の金属とからなる合金製の金属膜（コバルト合金金属膜）が挙げられる。
コバルト合金金属膜の具体例としては、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）及びタングステン（Ｗ）から選択される１種以上の金属とコバルトとからなる合金製の金属膜が挙げられる。より具体的には、コバルト－チタン合金金属膜（ＣｏＴｉ合金金属膜）、コバルト－クロム合金金属膜（ＣｏＣｒ合金金属膜）、コバルト－鉄合金金属膜（ＣｏＦｅ合金金属膜）、コバルト－ニッケル合金金属膜（ＣｏＮｉ合金金属膜）、コバルト－モリブデン合金金属膜（ＣｏＭｏ合金金属膜）、コバルト－パラジウム合金金属膜（ＣｏＰｄ合金金属膜）、コバルト－タンタル合金金属膜（ＣｏＴａ合金金属膜）及びコバルト－タングステン合金金属膜（ＣｏＷ合金金属膜）が挙げられる。
洗浄液は、コバルト含有膜を有する基板に有用である。コバルト含有膜のうち、コバルト金属膜は配線膜として使用されることが多く、コバルト合金金属膜はバリアメタルとして使用されることが多い。

また、洗浄液を、半導体基板を構成するウエハの上部に、少なくとも銅含有配線膜と、金属コバルトのみから構成され、銅含有配線膜のバリアメタルである金属膜（コバルトバリアメタル）とを有し、銅含有配線膜とコバルトバリアメタルとが基板表面において接触している基板の洗浄に使用することが好ましい場合がある。

タングステン含有膜（タングステンを主成分とする金属膜）としては、例えば、タングステンのみからなる金属膜（タングステン金属膜）及びタングステンと他の金属とからなる合金製の金属膜（タングステン合金金属膜）が挙げられる。
タングステン合金金属膜の具体例としては、例えば、タングステン－チタン合金金属膜（ＷＴｉ合金金属膜）及びタングステン－コバルト合金金属膜（ＷＣｏ合金金属膜）が挙げられる。
タングステン含有膜は、バリアメタルとして使用されることが多い。

半導体基板を構成するウエハ上に、上記の絶縁膜、銅含有配線膜、コバルト含有膜及びタングステン含有膜を形成する方法としては、この分野で行われる公知の方法であれば特に制限されない。
絶縁膜の形成方法としては、例えば、半導体基板を構成するウエハに対して、酸素ガス存在下で熱処理を行うことによりシリコン酸化膜を形成し、次いで、シラン及びアンモニアのガスを流入して、化学気相蒸着（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法によりシリコン窒化膜を形成する方法が挙げられる。
銅含有配線膜、コバルト含有膜及びタングステン含有膜の形成方法としては、例えば、上記の絶縁膜を有するウエハ上に、レジスト等の公知の方法で回路を形成し、次いで、めっき及びＣＶＤ法等の方法により、銅含有配線膜、コバルト含有膜及びタングステン含有膜を形成する方法が挙げられる。

＜ＣＭＰ処理＞
ＣＭＰ処理は、例えば、金属配線膜、バリアメタル及び絶縁膜を有する基板の表面を、研磨粒子（砥粒）を含む研磨液（研磨スラリー）を用いる化学作用と機械的研磨の複合作用で平坦化する処理である。ＣＭＰ処理が施された半導体基板の表面には、ＣＭＰ処理で使用した研磨粒子（例えば、シリカ及びアルミナ等）、研磨された金属配線膜及びバリアメタルに由来する金属不純物（金属残渣）等の不純物が残存することがある。
これらの不純物は、例えば、配線間を短絡させ、半導体基板の電気的特性を劣化させるおそれがあるため、ＣＭＰ処理が施された半導体基板は、これらの不純物を表面から除去するための洗浄処理に供される。
ＣＭＰ処理が施された半導体基板の具体例としては、精密工学会誌 Ｖｏｌ．８４、Ｎｏ．３、２０１８に記載のＣＭＰ処理が施された基板が挙げられるが、これに制限されるものではない。

ＣＭＰ処理に用いる研磨液は、研磨粒子を含むものであれば特に制限されない。
研磨粒子としては、例えば、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア、ゲルマニア及び炭化珪素等の無機物砥粒；ポリスチレン、ポリアクリル及びポリ塩化ビニル等の有機物砥粒が挙げられる。
シリカ粒子としては特に制限されず、例えば、沈降シリカ、ヒュームドシリカ及びコロイダルシリカが挙げられ、コロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカは、市販品を用いてもよく、例えば、ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ７、ＰＬ１０Ｈ、ＰＬ１Ｄ、ＰＬ０７Ｄ、ＰＬ２Ｄ及びＰＬ３Ｄ（いずれも製品名、扶桑化学工業社製）等が挙げられる。
また、研磨液はスラリーであることが好ましい。

研磨粒子の平均１次粒子径は、欠陥の発生をより抑制できる点で、６０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましい。研磨粒子の平均１次粒子径の下限値は、凝集が抑制されて研磨液の経時安定性が向上する点で、１ｎｍ以上が好ましく、３ｎｍ以上がより好ましい。
平均１次粒子径は、日本電子（株）社製の透過型電子顕微鏡ＴＥＭ２０１０（加圧電圧２００ｋＶ）を用いて撮影された画像から任意に選択した１次粒子１０００個の粒子径（円相当径）を測定し、それらを算術平均して求める。なお、円相当径とは、観察時の粒子の投影面積と同じ投影面積をもつ真円を想定したときの当該円の直径である。
ただし、研磨粒子として市販品を用いる場合には、研磨粒子の平均１次粒子径としてカタログ値を優先的に採用する。

研磨粒子の平均２次粒子径は、特に制限されないが、５００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましい。研磨粒子の平均２次粒子径の下限値は、特に制限されないが、３ｎｍ以上が好ましく、７ｎｍ以上がより好ましい。
本明細書において、平均２次粒子径は、凝集した状態である２次粒子の平均粒子径（円相当径）に相当し、上述した平均１次粒子径と同様の方法により求めることができる。
ただし、研磨粒子として市販品を用いる場合には、研磨粒子の平均２次粒子径としてカタログ値を優先的に採用する。

研磨粒子は１種を単独で用いても、２種以上を使用してもよい。
研磨粒子の含有量の上限値は、研磨液の全質量に対して、１５．０質量％以下が好ましく、１０．０質量％以下がより好ましい。下限値は、研磨液の全質量に対して、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましい。

研磨液は、研磨粒子に加えて、水及び金属防食剤を含むことが好ましく、また、過酸化水素、有機溶剤、不動態膜形成剤、及び界面活性剤からなる群より選択される少なくとも１種の添加剤を含んでいてもよい。
なお、ＣＭＰ処理に用いる研磨液としては、国際公開第２０１８／１５９５３０号明細書等に記載の研磨液が援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

〔パラメータＤ．Ｆ〕
本発明の洗浄方法は、「試験方法１で得られる接触角比率と試験方法２で得られる特定凝集度との積（パラメータＤ．Ｆ）が１５以下である」との条件１を満たす。
洗浄方法が条件１を満たすか否かを確認するために、下記試験方法１により、対象基板の金属膜表面に対して洗浄液を行う前後での接触角の変化を測定し、下記試験方法２により、研磨液に含まれる研磨粒子に対して金属イオンによる凝集と洗浄液による分離とを行う前後での研磨粒子の粒子径の変化を測定する。

＜試験方法１＞
試験方法１では、まず、半導体基板に含まれる金属からなる金属膜を表面に有する対象基板に対して、酸を用いて金属膜の前処理を行う。その後、前処理した金属膜の水に対する静的接触角を液滴法により測定し、第１接触角（°）を得る。また、半導体基板に含まれる金属からなる金属膜を表面に有する対象基板に対して、酸を用いて金属膜の前処理を別途行い、前処理した金属膜を洗浄液に１分間接触させる処理を行う。続いて、窒素ガスを吹き付けることにより前記金属膜の表面を乾燥させる乾燥処理を行う。乾燥処理により金属膜の表面を乾燥した後３分間以内に、金属膜の水に対する静的接触角を液滴法により測定し、第２接触角（°）を得る。第１接触角に対する第２接触角の比率を算出し、接触角比率を求める。

試験方法１に用いられる対象基板は、金属単体からなる金属膜を表面に有する。この表面の金属膜に対して特定の接触角の比率が測定される。
上記金属膜としては、上記洗浄対象物の説明において半導体基板が有する金属膜として記載した、銅のみからなる金属膜、コバルトのみからなる金属膜及びタングステンのみからなる金属膜が挙げられる。

金属膜の第１接触角及び第２接触角の測定に先立ち、酸を用いて金属膜の前処理を行う。前処理により、金属膜の表面側に形成された金属酸化物の膜を除去し、金属膜を構成する金属面を露出させる。適切な接触角の測定値を用いてパラメータＤ．Ｆを算出するためである。
前処理に用いる酸は特に制限されないが、例えば、クエン酸及び塩酸が挙げられる。
次いで、前処理した金属膜に対する水の接触角を測定し、第１接触角（°）を得る。接触角の測定方法については後述する。第１接触角の測定値のばらつきが抑制されるため、対象基板の金属膜の前処理から３０秒間以内に第１接触角を測定することが好ましい。

また、第１接触角の測定に使用した対象基板とは別に、対象基板に対して上記前処理を行い、前処理した対象基板に洗浄液を接触させることにより、金属膜の表面を洗浄液で洗浄する。
洗浄方法は特に制限されないが、第２接触角の測定値のばらつきが抑制されるため、対象基板の洗浄液への浸漬による洗浄が好ましく、対象基板を洗浄液に３０秒間以上浸漬することがより好ましい。また、第２接触角の測定値のばらつきが抑制されるため、洗浄液の液温は２０～３０℃が好ましく、室温（２３℃）がより好ましい。
上記洗浄処理後、乾燥処理を行う前に、金属膜の表面をすすぐリンス処理を行ってもよい。リンス処理に用いるリンス液としては、水が好ましい。

続いて、窒素ガスを吹き付けることにより洗浄液で処理された金属膜の表面を乾燥させる乾燥処理を行う。
第２接触角の測定値のばらつきが抑制されるため、洗浄液による処理又はリンス液による処理の後３分間以内（より好ましくは１分間以内）に、金属膜を乾燥させることが好ましい。なお、本明細書では、金属膜の表面に洗浄液又はリンス液が目視で確認されない状態にあるとき、金属膜が乾燥した状態にあるものとする。
乾燥処理における窒素ガスの吹き付けは、半導体基板の乾燥方法として公知の方法に準じて行えばよい。乾燥処理としては、例えば、公知のブロワー（乾燥装置？）を用いて、対象基板の金属膜に対して窒素ガスの気流を当てることにより、金属膜の表面から洗浄液及び／又はリンス液を除去する態様が挙げられる。
窒素ガスを吹き付ける際の窒素ガスの流量は特に制限されないが、０．５～２Ｌ／分が好ましい。乾燥処理は、２０～３０℃の環境下で行うことが好ましく、室温（２３℃）環境下で行うことがより好ましい。また、乾燥処理は、大気圧下で行ってもよいし、減圧下で行ったもよい。

上記乾燥処理により金属膜の表面を乾燥した後３分間以内に、金属膜の表面に対する水の接触角を測定し、第２接触角（°）を得る。乾燥処理から３分間以内に第２接触角を測定することにより、露出した金属面の酸化による測定値の変動を抑制できる。

金属膜の第１接触角及び第２接触角は、液滴法により測定される。
具体的には、前処理により露出した金属面の表面上に水を滴下し、金属面と水のなす角で水を含む側の角を測定して、接触角とする。
このような液滴法による接触角の求め方は、例えば、「ぬれ性と制御」（株式会社技術情報協会２００１年１月３１日発行）に記載されている。
金属面上の液滴の接触角の測定は、公知の測定装置を使用して行えばよい。接触角の測定装置としては、全自動接触角計「ＤＭｏ－９０１」（協和界面科学株式会社製）が挙げられる。

試験方法１によって測定される第２接触角は、条件１を満たす限り特に制限されないが、研磨粒子の除去性能により優れる点で、４０°以下が好ましく、３５°以下がより好ましく、３０°以下が更に好ましい。特に、銅又はコバルトからなる金属膜を用いる場合、試験方法１によって測定される接触角は、研磨粒子の除去性能に更に優れる点で、３５°以下がより好ましく、３０°以下が更に好ましい。また、タングステンからなる金属膜を用いる場合、試験方法１によって測定される接触角は、研磨粒子の除去性能に更に優れる点で、３０°以下がより好ましく、２５°以下が更に好ましい。
接触角の下限値は特に制限されず、５°以上であればよい。
また、試験方法１によって測定される接触角比率は、条件１を満たす限り特に制限されないが、研磨粒子の除去性能により優れる点で、３．０以下が好ましく、２．０以下がより好ましい。銅からなる金属膜を用いる場合、試験方法１によって測定される接触角比率は、１．７以下が更に好ましい。タングステンからなる金属膜を用いる場合、試験方法１によって測定される接触角比率は、１．８以下が更に好ましい。コバルトからなる金属膜を用いる場合、試験方法１によって測定される接触角比率は、１．５以下が更に好ましい。
接触角比率の下限値は特に制限されず、０．１５以上であればよい。

＜試験方法２＞
試験方法２は、半導体基板のＣＭＰ処理に用いる研磨液に、金属膜を形成する金属のイオンを添加して研磨粒子を凝集させた後、凝集した研磨粒子を洗浄液に添加して凝集を解離させる一連の処理を行い、処理後の研磨粒子の凝集度を「特定凝集度」として算出することを特徴とする。
また、試験方法２では、試験方法１で使用する金属と同じ種類の金属を使用するとともに、試験方法１で使用する洗浄液と同じ組成の洗浄液を使用する。

試験方法２では、まず、半導体基板のＣＭＰ処理に用いる研磨液と同じ研磨液に、試験方法１で用いた対象基板が有する金属膜を構成する金属と同種の金属イオンを添加する。金属イオンは、塩化物イオンとの金属塩として、研磨液中での金属のイオンの濃度が０．０３ｍＭ（ｍｍｏｌ／Ｌ）となるように添加する。金属塩の研磨液への溶解を確認し、溶解してから３０秒間、研磨液を静置する。以上の処理により、研磨液に含まれる研磨粒子を凝集させる。なお、試験方法２における「凝集」は、金属イオンを添加する前の研磨粒子がもともと凝集しており、その研磨粒子の凝集度が金属イオンの添加によって増大する場合も含まれる。

次いで、凝集した研磨粒子を含む研磨液を別途用意した洗浄液に添加する。このとき、洗浄液の全質量に対する研磨液の添加量が１質量％となるように、研磨液を洗浄液に添加する。洗浄液を攪拌して、研磨粒子を洗浄液中に分散させた後、攪拌を停止し、洗浄液を３０秒間静置する。続いて、洗浄液から研磨粒子を取り出し、取り出した研磨粒子の平均２次粒子径を測定する。
研磨粒子の平均２次粒子径の測定方法は、上述した研磨液に含まれる研磨粒子の平均２次粒子径の測定方法に従い、公知の測定装置を使用して行えばよい。研磨粒子の平均２次粒子径の測定装置としては、透過型電子顕微鏡「ＴＥＭ２０１０」（日本電子（株）社製）が挙げられる。また、研磨粒子の平均２次粒子径は、公知の粒度分布計（例えば「ＦＰＡＲ－１０００」、大塚電子株式会社製）を使用して測定してもよい。

次いで、金属塩を添加する前の研磨粒子の平均２次粒子径に対する測定された研磨粒子の平均２次粒子径の比率を算出して、特定凝集度を得る。このときの金属塩を添加する前の研磨粒子の平均２次粒子径は、研磨液又は研磨粒子が市販品である場合はカタログ値を参照すればよく、また、上述した方法に準じて測定してもよい。

試験方法２によって測定される特定凝集度は、条件１を満たす限り特に制限されないが、研磨粒子の除去性能に更に優れる点で、１０以下が好ましく、７以下がより好ましい。上記範囲であることにより研磨粒子の除去性能が向上する理由としては、凝集した研磨粒子が洗浄液によってよりよく解け、その結果、研磨粒子に含まれる不動態膜形成剤及び金属イオンとによる吸着により粗大化した、基板に残りやすい粒子の数が減ったためと考えられる。銅からなる金属膜を用いる場合、試験方法２によって測定される特定凝集度は、研磨粒子の除去性能に更に優れる点で、１０以下がより好ましく、５以下が更に好ましい。また、コバルト又はタングステンからなる金属膜を用いる場合、試験方法２によって測定される特定凝集度は、研磨粒子の除去性能に更に優れる点で、５以下がより好ましく、３以下が更に好ましい。
特定凝集度の下限値は特に制限されず、１以上であればよい。

また、試験方法２において一連の処理後に測定される研磨粒子の平均２次粒子径は、条件１を満たす限り特に制限されないが、上記と同様に研磨粒子の除去性能に更に優れる点で、３００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましい。銅からなる金属膜を用いる場合、処理後の研磨粒子の平均２次粒子径は、研磨粒子の除去性能に更に優れる点で、２００ｎｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以下が更に好ましい。また、コバルト又はタングステンからなる金属膜を用いる場合、処理後の研磨粒子の平均２次粒子径は、研磨粒子の除去性能に更に優れる点で、３００ｎｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以下が更に好ましい。
処理後の研磨粒子の平均２次粒子径の下限値は特に制限されず、２０ｎｍ以上であればよい。

上記試験方法１によって得られた接触角比率と、上記試験方法２で得られた特定凝集度とを乗算し、その積をパラメータＤ．Ｆとして得る。得られたパラメータＤ．Ｆが１５以下である場合、条件１を満たす。
洗浄方法が条件１を満たす場合、ＣＭＰ処理により生じる研磨粒子の半導体基板が有する金属膜の表面への付着が抑制され、金属膜の表面に残存する研磨粒子の除去性能が向上する。この理由としては、条件１を満たす洗浄方法の場合、金属膜の表面が条件１を満たす程度に親水性であることにより、表面電位の点で凝集した研磨粒子が金属膜に付着し難くなったこと、並びに、ＣＭＰ処理により生じた凝集した研磨粒子について、洗浄液によって条件１を満たす程度にその凝集が解かれて、研磨粒子の粒子径がより小さくなるとともに、洗浄液に含まれる成分により研磨粒子の親水性が高くなり、洗浄液中での研磨粒子の分散性が向上し、研磨粒子が金属膜に付着し難くなったことが、それぞれ推測される。

上述のとおり、試験方法１と試験方法２とでは、同じ種類の金属を使用し、同じ組成の洗浄液を使用する。
例えば、試験方法１において銅からなる金属膜を表面に有する対象基板を使用する場合、試験方法２において使用する金属塩は塩化銅（ＩＩ）であり、金属イオンはＣｕ^２＋イオンである。同様に、試験方法１においてコバルトからなる金属膜を表面に有する対象基板を使用する場合、試験方法２において使用する金属塩は塩化コバルト（ＩＩ）であり、金属イオンはＣｏ^２＋イオンである。試験方法１においてタングステンからなる金属膜を表面に有する対象基板を使用する場合、試験方法２において使用する金属塩はタングステン酸アンモニウム（ＩＩ）であり、金属イオンはＷＯ_４ ^２－イオンである。

パラメータＤ．Ｆは、条件１を満たす限り特に制限されないが、研磨粒子の除去性能に更に優れる点で、銅からなる金属膜を用いる場合は、１２以下が好ましく、タングステンからなる金属膜を用いる場合は、１２以下が好ましく、１０以下がより好ましく、コバルトからなる金属膜を用いる場合、１２以下が好ましい。
パラメータＤ．Ｆの下限値は特に制限されず、０．３以上であればよい。

〔半導体基板の洗浄方法〕
半導体基板の洗浄方法は、上記の洗浄液を用いて、ＣＭＰ処理が施された半導体基板を洗浄する洗浄工程を含むものであれば特に制限されない。半導体基板の洗浄方法は、上記の希釈工程で得られる希釈洗浄液をＣＭＰ処理が施された半導体基板に適用して洗浄する工程を含むことが、好ましい。

洗浄液を用いて半導体基板を洗浄する洗浄工程は、ＣＭＰ処理された半導体基板に対して行われる公知の方法であれば特に制限されず、半導体基板に洗浄液を供給しながらブラシ等の洗浄部材を半導体基板の表面に物理的に接触させて残渣物等を除去するブラシスクラブ洗浄、洗浄液に半導体基板を浸漬する浸漬式、半導体基板を回転させながら洗浄液を滴下するスピン（滴下）式及び洗浄液を噴霧する噴霧（スプレー）式等のこの分野で行われる公知の様式を適宜採用してもよい。浸漬式の洗浄では、半導体基板の表面に残存する不純物をより低減できる点で、半導体基板が浸漬している洗浄液に対して超音波処理を施すことが好ましい。
上記洗浄工程は、１回のみ実施してもよく、２回以上実施してもよい。２回以上洗浄する場合には同じ方法を繰り返してもよいし、異なる方法を組み合わせてもよい。

半導体基板の洗浄方法としては、枚葉方式及びバッチ方式のいずれを採用してもよい。枚葉方式とは、半導体基板を１枚ずつ処理する方式であり、バッチ方式とは、複数枚の半導体基板を同時に処理する方式である。

半導体基板の洗浄に用いる洗浄液の温度は、この分野で行われる温度であれば特に制限されない。室温（２５℃）で洗浄が行われることが多いが、洗浄性の向上及び／又は部材へのダメージを抑える為に、温度は任意に選択できる。洗浄液の温度としては、１０～６０℃が好ましく、１５～５０℃がより好ましい。

半導体基板の洗浄における洗浄時間は、洗浄液に含まれる成分の種類及び含有量等に依存するため一概に言えるものではないが、実用的には、１０秒間～２分間が好ましく、２０秒間～１分３０秒間がより好ましく、３０秒間～１分間が更に好ましい。

半導体基板の洗浄工程における洗浄液の供給量（供給速度）は特に制限されないが、５０～５０００ｍＬ／分が好ましく、５００～２０００ｍＬ／分がより好ましい。

半導体基板の洗浄において、洗浄液の洗浄能力をより増進するために、機械的撹拌方法を用いてもよい。
機械的撹拌方法としては、例えば、半導体基板上で洗浄液を循環させる方法、半導体基板上で洗浄液を流過又は噴霧させる方法及び超音波又はメガソニックにて洗浄液を撹拌する方法等が挙げられる。

上記の半導体基板の洗浄の後に、半導体基板を溶剤ですすいで清浄する工程（以下「リンス工程」と称する。）を行ってもよい。
リンス工程は、半導体基板の洗浄工程の後に連続して行われ、リンス溶剤（リンス液）を用いて５秒間～５分間にわたってすすぐ工程であることが好ましい。リンス工程は、上述の機械的撹拌方法を用いて行ってもよい。

リンス溶剤としては、例えば、水（好ましくは脱イオン（ＤＩ：De Ionize）水）、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、Ｎ－メチルピロリジノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。また、ｐＨが８超である水性リンス液（希釈した水性の水酸化アンモニウム等）を利用してもよい。
リンス溶剤を半導体基板に接触させる方法としては、上述した洗浄液を半導体基板に接触させる方法を同様に適用できる。

また、上記リンス工程の後に、半導体基板を乾燥させる乾燥工程を行ってもよい。
乾燥方法としては、特に制限されず、例えば、スピン乾燥法、半導体基板上に乾性ガスを流過させる方法、ホットプレートもしくは赤外線ランプのような加熱手段によって基板を加熱する方法、マランゴニ乾燥法、ロタゴニ乾燥法、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）乾燥法及びそれらの任意の組み合わせが挙げられる。

＜バフ研磨処理＞
洗浄対象物である半導体基板の表面に対して、ＣＭＰ処理の後であって、上記の洗浄工程の前に、バフ研磨処理を施してもよい。
バフ研磨処理は、研磨パッドを用いて半導体基板の表面における不純物を低減する処理である。具体的には、ＣＭＰ処理が施された半導体基板の表面と研磨パッドとを接触させて、その接触部分にバフ研磨用組成物を供給しながら半導体基板と研磨パッドとを相対摺動させる。その結果、半導体基板の表面の不純物が、研磨パッドによる摩擦力及びバフ研磨用組成物による化学的作用によって除去される。

バフ研磨用組成物としては、半導体基板の種類、並びに、除去対象とする不純物の種類及び量に応じて、公知のバフ研磨用組成物を適宜使用できる。バフ研磨用組成物に含まれる成分としては、特に制限されないが、例えば、ポリビニルアルコール等の水溶性ポリマー、分散媒としての水、及び、硝酸等の酸が挙げられる。
また、バフ研磨処理の一実施形態としては、バフ研磨用組成物として、上記の洗浄液を用いて半導体基板にバフ研磨処理を施すことが好ましい。
バフ研磨処理において使用する研磨装置及び研磨条件については、半導体基板の種類及び除去対象物に応じて、公知の装置及び条件から適宜選択できる。バフ研磨処理としては、例えば、国際公開２０１７／１６９５３９号の段落［００８５］～［００８８］に記載の処理が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。

以下に、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量及び割合等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されない。

以下の実施例において、洗浄液のｐＨは、ｐＨメーター（株式会社堀場製作所製、型式「Ｆ－７４」）を用いて、ＪＩＳ Ｚ８８０２－１９８４に準拠して２５℃において測定した。
また、実施例及び比較例の洗浄液の製造にあたって、容器の取り扱い、洗浄液の調液、充填、保管及び分析測定は、全てＩＳＯクラス２以下を満たすレベルのクリーンルームで行った。測定精度向上のため、洗浄液の金属含有量の測定において、通常の測定で検出限界以下のものの測定を行う際には、洗浄液を体積換算で１００分の１に濃縮して測定を行い、濃縮前の溶液の濃度に換算して含有量の算出を行った。

［洗浄液の原料］
洗浄液を製造するために、以下の化合物を使用した。なお、実施例で使用した各種成分はいずれも、半導体グレードに分類されるもの、又は、それに準ずる高純度グレードに分類されるものを使用した。

〔キレート剤〕
キレート剤として、以下の化合物を洗浄液の製造に使用した。
・ １－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸（ＨＥＤＰＯ）：サーモフォス社製「Ｄｅｑｕｅｓｔ ２０００」
・ ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）：富士フイルム和光純薬（株）製
・ グリシン：富士フイルム和光純薬（株）製
・ １，４－ジアミノブタン：富士フイルム和光純薬（株）製
・ クロルヘキシジングルコン酸塩（ＣＨＧ）：富士フイルム和光純薬（株）製
・ グルコン酸：富士フイルム和光純薬（株）製
・ クエン酸：扶桑化学工業（株）製

〔成分Ａ（アミン化合物）〕
成分Ａ又は成分Ａに含まれないアミン化合物として、以下の化合物を洗浄液の製造に使用した。
・ ２－アミノ－２－メチル－１－プロパノール（ＡＭＰ）：富士フイルム和光純薬（株）製（ｐＫａ１：９．７、成分Ａに該当する。）
・ モノエタノールアミン（ＭＥＡ）：富士フイルム和光純薬（株）製（ｐＫａ１：９．５、成分Ａに該当する。）
・ トリエタノールアミン（ＴＥＡ）：富士フイルム和光純薬（株）製（ｐＫａ１：７．８）

〔防食剤〕
防食剤として、以下の化合物を洗浄液の製造に使用した。以下に示す防食剤は、いずれも富士フイルム和光純薬（株）製の市販品を使用した。
＜化合物（Ｂ）＞
・ トリメリット酸（ＣｌｏｇＰ値：１．００）
・ ４－ヒドロキシフタル酸（ＣｌｏｇＰ値：０．６７）
・ ４－アミノフタル酸（ＣｌｏｇＰ値：－０．０８）
・ ４－スルホフタル酸（ＣｌｏｇＰ値：―０．０９）
・ ５－スルホサリチル酸（ＣｌｏｇＰ値：－０．６９）
・ ２，５－ジヒドロキシ安息香酸（ＣｌｏｇＰ値：１．５６）
・ ５－アミノサリチル酸（ＣｌｏｇＰ値：０．４６）
・ ４－ヒドロキシイソフタル酸（ＣｌｏｇＰ値：２．０９）
・ ５－ヒドロキシアントラニル酸（ＣｌｏｇＰ値：０．３３）
・ ２，５－ジアミノ安息香酸（ＣｌｏｇＰ値：－０．２４）
・ ５－スルホアントラニル酸（ＣｌｏｇＰ値：０．１６）
・ １，３－フェニレンジアミン－４－スルホン酸（ＣｌｏｇＰ値：－０．８５）
・ アミドール（ＣｌｏｇＰ値：－１．２９）
・ ３－アミノ－４－ヒドロキシ安息香酸（ＣｌｏｇＰ値：０．５５）
・ ３－アミノ－４－ヒドロキシベンゼンスルホン酸（ＣｌｏｇＰ値：－２．９５）
・ ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）（ＣｌｏｇＰ値：１．３４）

＜含窒素へテロ芳香族化合物＞
・ ２－アミノピリミジン（ＣｌｏｇＰ値：－０．８９）
・ アデニン（ＣｌｏｇＰ値：－２．１２）
・ ピラゾール（ＣｌｏｇＰ値：０．３２）
・ ３－アミノ－５－メチルピラゾール（ＣｌｏｇＰ値：０．１７）
・ ２－アミノベンゾイミダゾール（ＣｌｏｇＰ値：０．８６）

＜還元剤＞
・ Ｌ－アスコルビン酸（ＣｌｏｇＰ値：－２．４１）
・ ジエチルヒドロキシルアミン（ＤＥＨＡ）（ＣｌｏｇＰ値：－０．０９）

〔界面活性剤〕
界面活性剤として、以下の化合物を洗浄液の製造に使用した。
・ ラウリルリン酸エステル：日光ケミカルズ（株）製「ホステンＨＬＰ」
・ トリメチルデシルアンモニウム水酸化物（ＴＭＤＨ）：富士フイルム和光純薬（株）製

また、本実施例における洗浄液の製造工程では、ｐＨ調整剤として、水酸化カリウム（ＫＯＨ）及び硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）のいずれか一方、並びに、市販の超純水（富士フイルム和光純薬（株）製）を用いた。

［洗浄液の製造］
次に、洗浄液の製造方法について、実施例１を例に説明する。
超純水に、ＨＥＤＰＯ（１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸）、ＡＭＰ（２－アミノ－２－メチル－１－プロパノール）、トリメリット酸及びホステンＨＬＰを、表１に記載の含有量となる量でそれぞれ添加した後、調製される洗浄液のｐＨが１０．５となるようにｐＨ調整剤を添加した。得られた混合液を撹拌機を用いて十分に攪拌することにより、実施例１の洗浄液を得た。

実施例１の製造方法に準じて、表１及び表２に示す組成を有する実施例２～３６及び比較例１～４の洗浄液を、それぞれ製造した。
なお、製造された各実施例及び各比較例の洗浄液は、いずれも、ｐＨ調整剤の含有量が洗浄液の全質量に対して３質量％以下であり、水の含有量が洗浄液の全質量に対して８５～９８質量％であった。

表中、「量（％）」欄は、各成分の、洗浄液の全質量に対する含有量（単位：質量％）を示す。「ｐＨ調整剤」欄の「＊１」は、Ｈ_２ＳＯ_４及びＫＯＨのいずれか一方を、調製される洗浄液のｐＨが「ｐＨ」欄の数値になる量で添加したことを意味する。
「比率１」欄の数値は、防食剤の含有量に対するキレート剤の含有量（キレート剤の含有量／防食剤の含有量）の質量比を示す。
「比率２」欄の数値は、防食剤の含有量に対するアミン化合物（成分Ａ）の含有量（アミン化合物の含有量／防食剤の含有量）の質量比を示す。
「ｐＨ」欄の数値は、上記のｐＨメーターにより測定した洗浄液の２５℃におけるｐＨを示す。

［パラメータＤ．Ｆの測定］
各実施例及び各比較例の洗浄液を用いて、パラメータＤ．Ｆを得た。より具体的には、下記試験１により得られる接触角比率と、下記試験２により得られる特定凝集度との積を算出し、パラメータＤ．Ｆとした。

＜試験１：接触角比率の測定＞
各実施例及び各比較例の洗浄液１ｍＬを分取し、超純水により体積比で１００倍に希釈して、希釈洗浄液のサンプルを調製した。
表面に銅からなる金属膜を有する対象基板（直径８インチの基板を２ｃｍ□にカットしたクーポン基板）を用意した。各対象基板をクエン酸水溶液に浸漬して、金属膜の表面に形成された金属酸化物膜を除去する前処理を行った。
全自動接触角計「ＤＭｏ－９０１」（協和界面科学株式会社製）を用いて、前処理した対象基板の金属膜表面の接触角（静的接触角、単位：°）を液滴法により測定し、第１接触角を得た。

第１接触角の測定に用いた対象基板とは別に用意した対象基板に対して上記と同様に前処理を行った。前処理した対象基板を、室温（２３℃）に調整した各希釈洗浄液のサンプルに１分間浸漬した後、金属膜の表面を毎分１Ｌの流水で２０分間洗浄した。次いで、窒素ブロー銃を用いて金属膜の表面に窒素ガス（流量：１．５Ｌ／分）を吹き付ける乾燥処理を１０秒間行い、金属膜の表面から洗浄液及び水を完全に除去した。
乾燥処理終了から１分後に、全自動接触角計「ＤＭｏ－９０１」（協和界面科学株式会社製）を用いて、洗浄された金属膜表面の接触角（静的接触角、単位：°）を液滴法により測定し、第２接触角を得た。
得られた第１接触角に対する第２接触角の比率を算出し、接触角比率を得た。

タングステンからなる金属膜及びコバルトからなる金属膜についても、上記と同様に、第１接触角、第２接触角及び接触角比率を測定した。
なお、上記の方法で測定された第１接触角は、銅からなる金属膜、タングステンからなる金属膜及びコバルトからなる金属膜のそれぞれについて、２５°、２０°及び３０°であった。

＜試験２：特定凝集度の測定＞
各実施例及び各比較例の洗浄液１ｍＬを分取し、超純水により体積比で１００倍に希釈して、希釈洗浄液のサンプルを調製した。
研磨液として、コロイダルシリカ（「ＰＬ－３」、平均２次粒子径：７５ｎｍ）を３質量％、クエン酸を０．５質量％、リンゴ酸を０．１質量％、ＢＴＡを０．０２質量％、及び、１，２，４－トリアゾールを０．０２質量％含み、ＫＯＨを用いてｐＨを１０．５に調整してなるスラリーＡを調製した。得られたスラリーＡを容器に入れ、塩化銅を更に添加した。このときの塩化銅の添加量は、研磨液中におけるＣｕ^２＋イオンの濃度が０．０３ｍＭ（ｍｍｏｌ／Ｌ）となる量であった。研磨液中で塩化銅が溶解したことを目視で確認し、３０秒間静置した。
上記で調製した希釈洗浄液のサンプルを入れた別の容器に、上記研磨液を添加した。このときの研磨液の添加量は、サンプルの全質量に対して１質量％となる量であった。研磨液が添加された洗浄液を撹拌し、研磨粒子を洗浄液中に分散させた後、攪拌を停止し、洗浄液を３０秒間静置した。その後、洗浄液中に分散された研磨粒子を取り出した。

取り出した研磨粒子の平均２次粒子径を、下記の方法で測定した。研磨粒子の平均２次粒子径は、日本電子（株）社製の透過型電子顕微鏡「ＴＥＭ２０１０」（加圧電圧２００ｋＶ）を用いて撮影された画像から任意に選択した研磨粒子１００個について、凝集した状態にある２次粒子の粒子径（円相当径）を測定し、それらを算術平均して求めた。
塩化銅を添加する前の研磨液に含まれる研磨粒子の平均２次粒子径に対する、上記で測定された研磨粒子の平均２次粒子径の比率を算出し、特定凝集度を得た。

タングステンからなる金属膜及びコバルトからなる金属膜についても、上記試験２と同様に、特定凝集度を算出した。
タングステンからなる金属膜の場合、研磨液としてＷ－２０００（商品名、キャボット社製、研磨粒子の平均２次粒子径：７５ｎｍ）を使用し、また、研磨液中へのタングステンイオンの添加は、タングステン酸アンモニウムを用いて行った。
また、コバルトからなる金属膜の場合、研磨液として、コロイダルシリカ（「ＰＬ１」、平均２次粒子径：１０ｎｍ）を４質量％、シュウ酸を０．２質量％、ヒスチジンを０．５質量％、ＢＴＡを０．０３質量％、及び、アルキルリン酸エステル（Ｃ１８）を０．０３質量％含み、ＫＯＨを用いてｐＨを９．５に調整してなるスラリーＢを使用した。

上記試験１により得られた接触角比率と、上記試験２により得られた特定凝集度とを乗算し、パラメータＤ．Ｆを算出した。
表１及び表２に、各実施例及び各比較例の洗浄液について、上記試験１により得られた第２接触角（°）及び接触角比率、上記試験２において測定された、洗浄液から取り出した研磨粒子の平均２次粒子径（「粒子径」欄）、上記試験２により測定された特定凝集度、並びに、接触角比率及び特定化合度の積として算出されたパラメータＤ．Ｆを、それぞれ示す。

［金属含有量の測定］
各実施例及び各比較例で製造された洗浄液につき、金属含有量を測定した。
金属含有量の測定は、Ａｇｉｌｅｎｔ ８８００ トリプル四重極ＩＣＰ－ＭＳ（半導体分析用、オプション＃２００）を用いて、以下の測定条件で行った。

（測定条件）
サンプル導入系としては石英のトーチ、同軸型ＰＦＡネブライザ（自吸用）及び白金インターフェースコーンを使用した。クールプラズマ条件の測定パラメータは以下のとおりである。
・ ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）出力（Ｗ）：６００
・ キャリアガス流量（Ｌ／分）：０．７
・ メークアップガス流量（Ｌ／分）：１
・ サンプリング深さ（ｍｍ）：１８

金属含有量の測定では、金属粒子と金属イオンとを区別せず、それらを合計した。また、２種以上の金属を検出した場合は、２種以上の金属の合計含有量を求めた。
金属含有量の測定結果を、表１及び表２の「金属含有量（ｐｐｂ）」欄に示す（単位：質量ｐｐｂ）。表１及び表２における「＜１０」は、洗浄液における金属含有量が洗浄液の全質量に対して１０質量ｐｐｂ未満であったことを表す。

［洗浄性能の評価］
上記の方法で製造した洗浄液を用いて化学機械研磨を施した金属膜を洗浄した際の、金属膜の表面からの研磨粒子の除去性能を評価した。
各実施例及び各比較例の洗浄液１ｍＬを分取し、超純水により体積比で１００倍に希釈して、希釈洗浄液のサンプルを調製した。
表面に銅、タングステン又はコバルトからなる金属膜を有するウエハ（直径８インチ）を、ＦＲＥＸ３００Ｓ－ＩＩ（研磨装置、（株）荏原製作所製）を用いて研磨した。表面に銅からなる金属膜を有するウエハに対しては、研磨液として上記スラリーＡを使用して研磨を行った。これにより、研磨液による洗浄性能評価のばらつきを抑えた。同様に、表面にコバルトからなる金属膜を有するウエハに対しては、研磨液として上記スラリーＢを使用して研磨を行い、表面にタングステンからなる金属膜を有するウエハに対しては、Ｗ－２０００（商品名、キャボット社製）を使用して研磨を行った。研磨圧力は２．０ｐｓｉであり、研磨液の供給速度は０．２８ｍＬ／（分・ｃｍ^２）であった。研磨時間は６０秒間であった。
その後、室温（２３℃）に調整した各希釈洗浄液のサンプルを用いて、研磨されたウエハを１分間かけて洗浄し、次いで、乾燥処理した。

欠陥検出装置（ＡＭＡＴ社製、ＣｏｍＰｌｕｓ－ＩＩ）を用いて、洗浄後のウエハの研磨面に形成された欠陥を評価した。次いで、研磨面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いて観察し、得られたＳＥＭ観察画像から研磨面に残存する研磨粒子の個数を検出し、下記の評価基準により洗浄液の研磨粒子除去性能を評価した。
研磨粒子除去性能の評価結果を表１及び表２に示す。ウエハの研磨面において検出された研磨粒子の個数が少ないほど、研磨粒子除去性能に優れると評価できる。
「Ａ」：残存する研磨粒子の個数がウエハあたり３０個未満
「Ｂ」：残存する研磨粒子の個数がウエハあたり３０個以上５０個未満
「Ｃ」：残存する研磨粒子の個数がウエハあたり５０個以上１００個未満
「Ｄ」：残存する研磨粒子の個数がウエハあたり１００個以上

［腐食防止性能の評価］
各実施例及び各比較例の洗浄液０．０２ｍＬを分取し、超純水により体積比で１００倍に希釈して、希釈洗浄液のサンプルを調製した。
表面に銅、タングステン又はコバルトからなる金属膜を有するウエハ（直径１２インチ）をカットし、２ｃｍ□のウエハクーポンをそれぞれ準備した。各金属膜の厚さは２００ｎｍとした。上記の方法で製造した希釈洗浄液のサンプル（温度：２３℃）中にウエハクーポンを浸漬し、攪拌回転数２５０ｒｐｍにて、３分間の浸漬処理を行った。各金属膜について、浸漬処理前後で、各希釈洗浄液中の銅、タングステン又はコバルトの含有量を測定した。得られた測定結果から単位時間当たりの腐食速度（単位：Å／分）を算出した。下記の評価基準により洗浄液の腐食防止性能を評価した。それらの結果を表１及び表２に示す。
なお、腐食速度が低いほど、洗浄液の腐食防止性能が優れる。

「Ａ」：腐食速度が０．５Å／分未満
「Ｂ」：腐食速度が０．５Å／分以上、１．０Å／分未満
「Ｃ」：腐食速度が１．０Å／分以上、３．０Å／分未満
「Ｄ」：腐食速度が３．０Å／分以上

表１及び表２から明らかなように、本発明の洗浄方法は、金属膜に対する研磨粒子除去性能に優れることが確認された。

洗浄液が、防食剤として第４級アンモニウム化合物を含む場合、Ｃｏを含む金属膜に対する研磨粒子除去性能により優れることが確認された（実施例２２～２４の比較）。
洗浄液が、防食剤として含窒素ヘテロ芳香族化合物を含む場合、Ｃｕ又はＣｏを含む金属膜に対する腐食防止性能により優れることが確認された（実施例２５と実施例２７～３４及び３６との比較）。
洗浄液が、キレート剤としてアジピン酸又はＣＨＧを含む場合、Ｗを含む金属膜に対する腐食防止性能により優れることが確認された（実施例２５と実施例２６、２８及び３５との比較）。

Claims (17)

1. 研磨粒子を含む研磨液を用いて化学機械研磨処理が施された半導体基板を、洗浄液を用いて洗浄する洗浄工程を含む、半導体基板の洗浄方法であって、
   前記半導体基板が、金属を含み、
   前記洗浄液の２５℃におけるｐＨが７超であり、
   前記洗浄液は、
   キレート剤と、
   第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンからなる群より選択される少なくとも１種であり、且つ、共役酸の第１酸解離定数が８．０以上である成分Ａと、
   防食剤と、を含み、
   下記条件１を満たす、洗浄方法。
   条件１：下記試験方法１で得られる接触角比率と下記試験方法２で得られる特定凝集度との積が、１５以下である。
   試験方法１：前記半導体基板に含まれる前記金属からなる金属膜を表面に有する対象基板に対して、酸を用いて前記金属膜の前処理を行った後、前記前処理した金属膜の水に対する静的接触角を液滴法により測定し、第１接触角（°）を得る。また、前記対象基板に対して、酸を用いて前記金属膜の前処理を行った後、前記前処理した金属膜を前記洗浄液に１分間接触させる処理を行う。続いて、窒素ガスを吹き付けることにより前記金属膜の表面を乾燥させる乾燥処理を行う。前記乾燥処理により前記金属膜の表面を乾燥した後３分間以内に、前記金属膜の水に対する静的接触角を液滴法により測定し、第２接触角（°）を得る。前記第１接触角に対する前記第２接触角の比率を算出し、接触角比率を求める。
   試験方法２：前記研磨液に、前記金属膜を構成する前記金属のイオンと塩化物イオンとの金属塩を、前記研磨液中での前記金属のイオンの濃度が０．０３ｍＭとなるように、添加する。前記金属塩を前記研磨液に溶解し、３０秒間静置した後、前記研磨液を、前記洗浄液に、前記洗浄液の全質量に対する前記研磨液の添加量が１質量％となるように、添加する。前記洗浄液を攪拌して、前記研磨粒子を分散させた後、３０秒間静置し、前記洗浄液から研磨粒子を取り出す。取り出した研磨粒子の平均２次粒子径を測定する。金属塩を添加する前の前記研磨液に含まれる研磨粒子の平均２次粒子径に対する、前記洗浄液から取り出した研磨粒子の平均２次粒子径の比率を算出し、特定凝集度を得る。
2. 前記第２接触角が３０°以下である、請求項１に記載の洗浄方法。
3. 前記試験方法２において測定された前記研磨粒子の平均２次粒子径が１００ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載の洗浄方法。
4. 前記試験方法２において算出された前記特定凝集度が、１～１０である、請求項１～３のいずれか１項に記載の洗浄方法。
5. 前記洗浄液のｐＨが８．０～１２．０である、請求項１～４のいずれか１項に記載の洗浄方法。
6. 前記成分Ａが、アミノアルコールを含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の洗浄方法。
7. 前記アミノアルコールが第１級アミノ基を有する、請求項６に記載の洗浄方法。
8. 前記防食剤の含有量に対する前記アミノアルコールの含有量の質量比が、１～１００である、請求項６又は７に記載の洗浄方法。
9. 前記防食剤が、下記式（１）で表される化合物Ｂ及び含窒素へテロ芳香族化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の洗浄方法。
   

   

   
   式（１）中、Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に親水性基を表す。
   Ｘ^３～Ｘ^６は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、Ｘ^３～Ｘ^６の少なくとも１つが親水性基を表す。
   また、Ｘ^３～Ｘ^６のうち隣り合う２つが互いに結合して、置換基を有してもよい環を形成してもよい。
10. 前記含窒素へテロ芳香族化合物が、ピラゾール環を有する化合物又はピリミジン環を有する化合物を含む、請求項９に記載の洗浄方法。
11. 前記キレート剤が、ホスホン酸系キレート剤及びアミノポリカルボン酸系キレート剤からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の洗浄方法。
12. 前記防食剤の含有量に対する前記キレート剤の含有量の質量比が、０．０１～２０である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の洗浄方法。
13. 前記洗浄液が、２種以上の還元剤を更に含む、請求項１～１２のいずれか１項に記載の洗浄方法。
14. 前記洗浄液が、非対称構造を有する第４級アンモニウム化合物を更に含む、請求項１～１３のいずれか１項に記載の洗浄方法。
15. 前記洗浄液に含まれる水の含有量が、前記洗浄液の全質量に対して６０～９９質量％である、請求項１～１４のいずれか１項に記載の洗浄方法。
16. 研磨粒子を含む研磨液を用いて化学機械研磨処理が施された半導体基板用の洗浄液であって、
    前記洗浄液の２５℃におけるｐＨが７超であり、
    キレート剤と、
    第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンからなる群より選択される少なくとも１種であり、且つ、共役酸の第１酸解離定数が８．０以上である成分Ａと、
    防食剤と、
    水と、を含み、
    水の含有量が、前記洗浄液の全質量に対して６０～９９質量％であり、
    下記条件１を満たす、洗浄液。
    条件１：下記試験方法１で得られる接触角比率と下記試験方法２で得られる特定凝集度との積が、１５以下である。
    試験方法１：銅からなる金属膜を表面に有する対象基板に対して、酸を用いて前記金属膜の前処理を行った後、前記前処理した金属膜の水に対する静的接触角を液滴法により測定し、第１接触角（°）を得る。また、前記対象基板に対して、酸を用いて前記金属膜の前処理を行った後、前記前処理した金属膜を前記洗浄液に１分間接触させる処理を行う。続いて、窒素ガスを吹き付けることにより前記金属膜の表面を乾燥させる乾燥処理を行う。前記乾燥処理により前記金属膜の表面を乾燥した後３分間以内に、前記金属膜の水に対する静的接触角を液滴法により測定し、第２接触角（°）を得る。前記第１接触角に対する前記第２接触角の比率を算出し、接触角比率を求める。
    試験方法２：前記研磨液に、塩化銅（ＩＩ）を、前記研磨液中でのＣｕ^２＋イオンの濃度が０．０３ｍＭとなるように添加する。塩化銅（ＩＩ）を前記研磨液に溶解し、３０秒間静置した後、前記研磨液を、前記洗浄液に、前記洗浄液の全質量に対する前記研磨液の添加量が１質量％となるように、添加する。前記洗浄液を攪拌して、前記研磨粒子を分散させた後、３０秒間静置し、前記洗浄液から研磨粒子を取り出す。取り出した研磨粒子の平均２次粒子径を測定する。塩化銅（ＩＩ）を添加する前の前記研磨液に含まれる研磨粒子の平均２次粒子径に対する、前記洗浄液から取り出した研磨粒子の平均２次粒子径の比率を算出し、特定凝集度を得る。
17. 研磨粒子を含む研磨液を用いて化学機械研磨処理が施された半導体基板用の洗浄液であって、
    前記洗浄液の２５℃におけるｐＨが７超であり、
    キレート剤と、
    第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンからなる群より選択される少なくとも１種であり、且つ、共役酸の第１酸解離定数が８．０以上である成分Ａと、
    防食剤と、
    水と、を含み、
    水の含有量が、前記洗浄液の全質量に対して６０～９９質量％であり、
    下記条件１を満たす、洗浄液。
    条件１：下記試験方法１で得られる接触角比率と下記試験方法２で得られる特定凝集度との積が、１５以下である。
    試験方法１：コバルトからなる金属膜を表面に有する対象基板に対して、酸を用いて前記金属膜の前処理を行った後、前記前処理した金属膜の水に対する静的接触角を液滴法により測定し、第１接触角（°）を得る。また、前記対象基板に対して、酸を用いて前記金属膜の前処理を行った後、前記前処理した金属膜を前記洗浄液に１分間接触させる処理を行う。続いて、窒素ガスを吹き付けることにより前記金属膜の表面を乾燥させる乾燥処理を行う。前記乾燥処理により前記金属膜の表面を乾燥した後３分間以内に、前記金属膜の水に対する静的接触角を液滴法により測定し、第２接触角（°）を得る。前記第１接触角に対する前記第２接触角の比率を算出し、接触角比率を求める。
    試験方法２：前記研磨液に、塩化コバルト（ＩＩ）を、前記研磨液中でのＣｏ^２＋イオンの濃度が０．０３ｍＭとなるように添加する。塩化コバルト（ＩＩ）を前記研磨液に溶解し、３０秒間静置した後、前記研磨液を、前記洗浄液に、前記洗浄液の全質量に対する前記研磨液の添加量が１質量％となるように、添加する。前記洗浄液を攪拌して、前記研磨粒子を分散させた後、３０秒間静置し、前記洗浄液から研磨粒子を取り出す。取り出した研磨粒子の平均２次粒子径を測定する。塩化コバルト（ＩＩ）を添加する前の前記研磨液に含まれる研磨粒子の平均２次粒子径に対する、前記洗浄液から取り出した研磨粒子の平均２次粒子径の比率を算出し、特定凝集度を得る。