JP2016519423A - 銅の化学的機械的平坦化後のための水性清浄化組成物 - Google Patents

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Abstract

銅の化学的機械的平坦化後のための水性清浄化組成物が提供される。該組成物は、有機塩基、銅エッチング剤、有機リガンド、腐食防止剤、及び水を含み、該有機塩基は少なくとも２００ｐｐｍの濃度であり、該銅エッチング剤は少なくとも２００ｐｐｍの濃度であり、該有機リガンドは少なくとも５０ｐｐｍの濃度であり、及び該腐食防止剤は少なくとも１０ｐｐｍの濃度である。銅の化学的機械的平坦化後の清浄化手順において使用されるとき、該水性清浄化組成物は、ウェハ表面から残留汚染物質を効果的に除去してウェハ表面上の欠陥数を減少させることができて、同時に、該ウェハの表面粗度を改善することができる。【選択図】なし

Description

本発明は、水性清浄化組成物、特に集積回路プロセスにおける銅の化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）後のための水性清浄化組成物に関する。
より新しい半導体デバイスは、より狭い導線幅及びより高い集積密度を有する。しかしながら、最小導線幅は０．２５μｍ以下であるが、金属導線の耐性及び誘電性渦流の静電容量のＲＣ遅れがデバイスの動作速度を遅らせていた。デバイスの動作速度を改善するために、銅線が０．１３μｍ未満の進歩したプロセスを使用して従来のアルミニウム銅合金の導線を置き換えた。該プロセスは、それにより「銅プロセス」と呼ばれる。
化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）は、シリカ、アルミナ、セリア又はジルコニアなどの研磨剤粒子とｐＨ緩衝剤又は酸化性物質などの化学的助剤とを、研磨剤溶液中で組み合わせて、表面材料を磨いて行う。凹凸のある表面のより高い領域はより高い圧力下にあり、したがって、より高い除去速度で磨かれるであろう。同時に、凹凸のある表面のより低い領域は、より低い圧力下にあり、したがって、より低い除去速度で磨かれるであろう。全体的な平坦化が達成される。ＣＭＰ技法を銅導線プロセスに適用することにより、銅をエッチングする難しさに基づく、ウェハ上でパターンを明確化する問題を解決することができて、研削後の全体的平坦性を有する平面を形成することもでき、それは多層の導線を構成するプロセスに役立つ。
ＣＭＰプロセス中に、研磨剤溶液中の微細な研磨剤粒子及び化学的助剤及びウェハの研削から生じた削り屑がウェハ表面に付着し得る。ウェハの研削後に発生した一般的汚染物質は、金属イオン、有機化合物、又は研磨剤粒子である。汚染物質を除去する効果的な清浄化手順がなくては、それに続くプロセスが攪乱されてデバイスの収率及び信頼性が低下するであろう。それ故、ＣＭＰプロセス後の清浄化手順は、ＣＭＰプロセスが半導体プロセス分野における適用に成功できるか否かの最も重要な要因となっている。
銅プロセスのための研磨剤溶液には、通常、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）又はその誘導体が腐食防止剤として使用される。銅プロセスによるウェハの研削後に発生する汚染物質の中で、ＢＴＡ有機残留物を除去することが最も困難である。その主な理由は、ＢＴＡ有機残留物が化学吸着により銅導線に結合することである。従来、静電的反発、超音波処理、及びＰＶＡブラッシングなどの物理的様式のみが、ＢＴＡを除去するために利用されているが、首尾はよくない。
さらに、アンモニア水性溶液、クエン酸水性溶液及び／又はフッ素含有化合物が、ＣＭＰプロセス後に、金属間誘電性層及びＷプラグを清浄化するために通常使用される。しかしながら、アンモニア水性溶液は、銅表面を腐食して平坦でなくして、したがって、粗くする結果をもたらす。それに加えて、クエン酸水性溶液は、銅に対して弱い溶解性を有し、したがって、汚染物質の除去速度を遅くする。フッ酸などのフッ素含有化合物は、銅表面を粗くするだけでなく、有害な化学物質であるために安全に廃棄するのに費用がかかる。それ故、上の清浄化溶液は、銅導線を有するウェハの清浄化には適当でない。
Ｎ含有化合物の溶液が、清浄化組成物中のアンモニアを置き換えるために提案された。Ｎａｇｈｓｈｉｎｅｈらによる米国特許第６，４９２，３０８号明細書には、Ｃ1〜Ｃ10第四級水酸化アンモニウム、極性有機アミン及び腐食防止剤を含む、銅含有集積回路のための清浄化溶液が開示されており、該特許において極性有機アミンはエタノールアミンから選択することができる。Ｋｏｌｉｃらによる米国特許出願公開第２００９／１６２５３７号明細書には、アルコールアミンなどの１種又は２種以上のアミンを有する清浄化溶液の使用を含む、銅及び誘電性ダマシン金属化層を有する基材の清浄化方法が開示されており、該出願においては、少なくとも１種のアミンが清浄化溶液を７〜１３の範囲のｐＨにすることができる。Ｃｈｅｎらによる米国特許第８，０６３，００６号明細書には、集積回路プロセスにおいて銅ウェハをＣＭＰ後に清浄化するためのＮ含有ヘテロシクロ有機塩基、アルコールアミン及び水を含む水性清浄化組成物が開示されている。しかしながら、先行技術における清浄化組成物により惹起されたウェハの表面上の粗度は改善される必要がある。特に銅導線を有するウェハについては、アミンの金属に対するエッチングを制御して、ウェハの研削後に発生する汚染物質を減少させ、ウェハ上の異なった成分を有する領域における全欠陥数を減少させることが困難である。
それに加えて、半導体ウェハプロセスが進行するにつれて、金属導線の幅は１４ｎｍまで狭くなり、平坦化がより困難になる。例えば、ナノ幅の導線を有するウェハの表面は、プロセス後にさらに粗になることもあり、銅導線ウェハの導通検査及び信頼性試験の結果は、導線幅が狭くなった後でさらに悪化する。それ故、銅導線ウェハの表面上の残留汚染物質を除去して、表面欠陥数の減少させることにおいて先行技術よりも効果的な清浄化組成物を開発することは重要である。
米国特許第６４９２３０８号明細書 米国特許出願公開第２００９／１６２５３７号明細書 米国特許第８０６３００６号明細書
本発明は、残留汚染物質を効果的に除去してウェハ表面上の欠陥数を減少させることができて、同時に、ウェハの表面粗度を改善できる銅の化学的機械的平坦化後のための水性清浄化組成物を提供することにより、上の要求に傾注する。
本発明の目的は、銅の化学的機械的平坦化後（ＣｕＣＭＰ後）のための、有機塩基、銅エッチング剤、有機リガンド、腐食防止剤、及び水を含む水性清浄化組成物であって、腐食防止剤はヒドラジド化合物であり、有機塩基は少なくとも２００ｐｐｍの濃度であり、銅エッチング剤は少なくとも２００ｐｐｍの濃度であり、有機リガンドは少なくとも５０ｐｐｍの濃度であり、及び腐食防止剤は少なくとも１０ｐｐｍの濃度である組成物を提供することである。場合により、水性清浄化組成物は界面活性剤をさらに含んでもよい。
本発明の目的、技術的特徴及び利点を例示するために、本発明を、幾つかの実施形態により詳細に説明することにする。
この後で、本発明の幾つかの実施形態を詳細に説明する。しかしながら、本発明の精神から逸脱せずに、本発明は、種々の実施形態において具体化することができて、本明細書に記載された実施形態に限定されるべきではない。さらに、追加の説明がない限り、本発明の本明細書における（特に請求項における）表現「ａ」、又は「ｔｈｅ」等は、単数及び複数形の両方を含むものとする。
本発明者らは、研究を実施して、銅のＣＭＰ後の清浄化手順において、有機塩基、銅エッチング剤、有機リガンド、及び腐食防止剤（ヒドラジド化合物）を組み合わせると、汚染物質を除去する望ましい速度を得て、効果的にウェハ表面上の欠陥数を減少させ、ウェハの表面粗度を改善することができることを見出した。
それ故、本発明は、有機塩基、銅エッチング剤、有機リガンド、腐食防止剤及び水を含む水性清浄化組成物であって、有機塩基は２００ｐｐｍ〜１２，０００ｐｐｍの濃度であり、銅エッチング剤は２００ｐｐｍ〜１０，０００ｐｐｍの濃度であり、有機リガンドは５０ｐｐｍ〜１０，０００ｐｐｍの濃度であり、及び腐食防止剤１０ｐｐｍ〜５，０００ｐｐｍの濃度である組成物を提供する。
理論に制限されず、本発明の清浄化組成物において、清浄化組成物の塩基性を調節するために使用される有機塩基は、ＣＭＰプロセスで使用される研磨剤粒子とウェハ表面とが効果的な負の静電的反発を保ち、したがって、研磨剤粒子が十分に除去されることを確実にすると一般的に考えられる。有機塩基は、穏やかな金属エッチング効果を提供することもできる。それに加えて、銅プロセスに対して、有機塩基は、アンモニアを使用したときに出合うような粗な銅表面に曝されない。一般的に、有用な有機塩基は第四級アンモニウムである。第四級アンモニウムの例は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウム（ＴＰＡＨ）ヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、トリス（２−ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＨＥＭＡＨ）、セチルトリメチルアンモニウム（ＣＴＡＨ）ヒドロキシド、コリン、及びそれらの組合せからなる群から選択することができるが、これらに限定されない。以下の実施例において、例示される有機塩基は、ＴＭＡＨ、ＴＥＡＨ、ＴＨＥＭＡＨ、ＣＴＡＨ及びコリンである。
本発明の水性清浄化組成物を実際に使用するときには、有機塩基は通常２００ｐｐｍ〜１２，０００ｐｐｍ、好ましくは４００ｐｐｍ〜６，０００ｐｐｍの濃度であり、組成物の塩基性を調節する効果を提供する。しかしながら、製造、輸送及び貯蔵のコストを低下させるために、水性清浄化組成物の製造者は、通常、該組成物を濃縮された溶液として提供する。使用者は、濃縮された溶液を望ましい濃度に希釈することができる。それ故、本発明の水性清浄化組成物は、濃縮された形態で提供されて使用前に所望の濃度に希釈できる。したがって、本発明の水性清浄化組成物中の有機塩基は、少なくとも２００ｐｐｍ、及び好ましくは、少なくとも４００ｐｐｍの濃度である。
本発明の水性清浄化組成物は、銅エッチング剤も使用し、それは通常ヘテロシクロアミン、アルコールアミンなどのＮ含有化合物であってよい。理論によっては限定されず、ヘテロシクロアミンが使用されるとき、ヘテロシクロアミンのヘテロシクロ環中における窒素原子の非共有電子対は、金属原子（銅などの）と配位結合を形成し、それ故、研磨剤粒子を除去する所望の効果を提供するだけでなく、金属導線から逃れた有機汚染物質が再び化学吸着することを防止すると考えられる。その上、アルコールアミンが使用される場合、それも金属表面を一様にエッチングして、エッチングされた金属導線の粗度を悪化させない。本発明で使用される銅エッチング剤の例は、ピペラジン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、２−（１−ピペラジル）エタノール、２−（１−ピペラジル）エチルアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、２−アミノ−１−ブタノール、２−アミノ−１−プロパノール、２−アミノエタノール、２−ジメチルアミノエタノール、２−（Ｎ−メチルアミノ）エタノール、３−アミノ−１−プロパノール、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレントリアミン、ジイソプロパノールアミン、イソプロパノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、ジグリコールアミン（ＤＧＡ）、ビシン、トリシン、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン（トリス）、及びそれらの組合せからなる群から選択することができるが、これらに限定されない。以下の実施例において、例示される銅エッチング剤は、ピペラジン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−アミノ−１−ブタノール、２−アミノ−１−プロパノール、３−アミノ−１−プロパノール、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレントリアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、ビシン、及びトリスから選択することができる。
実際に使用される本発明の水性清浄化組成物中の銅エッチング剤は、一般的に２００ｐｐｍ〜１０，０００ｐｐｍ、及び好ましくは、３００ｐｐｍ〜５，０００ｐｐｍの濃度である。上記のように、本発明の水性清浄化組成物は、濃縮された形態で提供されて、使用前に所望の濃度に希釈することができる。それ故、本発明の水性清浄化組成物中に含有される銅エッチング剤は、少なくとも２００ｐｐｍ、及び好ましくは、少なくとも３００ｐｐｍの濃度である。
その上、本発明の清浄化組成物は有機リガンドも含む。本明細書における「有機リガンド」は、ＣＭＰプロセス後のウェハ上におけるＢＴＡなどの残留物に化学吸着又は結合し得る有機物質（単数又は複数）を意味する。理論により限定されず、有機リガンドは、ＢＴＡなどの有機物質の飽和溶解度を増大させて、清浄化効果を改善することができると一般的に考えられる。本発明の清浄化組成物に適した有機リガンドの例は、通常、ホスホン酸、カルボン酸、及びそれらの組合せを含む。ホスホン酸の例は、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（ＤＴＰＭＰ）、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸（ＰＢＴＣＡ）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＨＤＴＭＰ）、２−ヒドロキシホスホノ酢酸（ＨＰＡＡ）、２−カルボキシエチルホスホン酸（ＣＥＰＡ）、ホスフィノカルボン酸ポリマー（ＰＣＡ）、ポリアミノポリエーテルメチレンホスホン酸（ＰＡＰＥＭＰ）、２−アミノエチルホスホン酸（ＡＥＰｎ）、Ｎ−（ホスホノメチル）イミノ二酢酸（ＰＭＩＤＡ）、アミノトリス（メチレンホスホン酸）（ＡＴＭＰ）、及びそれらの組合せからなる群から選択することができるが、これらに限定されない。カルボン酸の例は、グリシン、スルファミン酸、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、クエン酸、Ｌ−システイン、グリコール酸、グリオキシル酸、及びそれらの組合せからなる群から選択することができるが、これらに限定されない。
実際の使用においては、本発明の水性清浄化組成物に含有される有機リガンドは、一般的に５０ｐｐｍ〜１０，０００ｐｐｍ及び好ましくは１００ｐｐｍ〜５，０００ｐｐｍの濃度である。上記のように、本発明の水性清浄化組成物は、濃縮された形態で提供されて使用前に所望の濃度に希釈することができる。それ故、本発明の水性清浄化組成物中の有機リガンドは、少なくとも５０ｐｐｍ、好ましくは少なくとも１００ｐｐｍの濃度である。
本発明の組成物において有用なもう１つの成分は、腐食防止剤のＮ−Ｎ共有結合を有し、且つ４個の置換基の少なくとも１つの置換基がアシルであるヒドラジド化合物である。一般的に、ヒドラジド化合物は以下の式を有する。
Figure 2016519423
 （式中、
Ｒ2及びＲ3は独立にＨであり、
Ｒ1及びＲ4は、独立に、Ｈ、−ＮＨＮＨ2、−Ｃ（Ｏ）ＮＨＮＨ2、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、Ｃ1〜Ｃ8アルコキシ、−（ＣＨ2）nＣＮ、−（ＣＨ2）nＣ（Ｏ）ＮＨＮＨ2、−（ＣＨ2）nＣ（Ｏ）Ｏ（ＣＨ2）n、−ＮＨＮＨＣ6Ｈ5、−（ＣＨ2）nＣ6Ｈ5、−Ｃ6Ｈ5、−Ｃ10Ｈ7であり、ここで−Ｃ6Ｈ5及び−Ｃ10Ｈ7は非置換であるか又はハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、−ＮＯ2、Ｃ1〜Ｃ4アルキル、及びＣ1〜Ｃ4アルコキシからなる群から選択される１つ又は２つ以上の置換基により独立に置換されており、及びｎは１〜３である）。好ましくは、Ｒ1はＨ又は−ＮＨＮＨ2であり、Ｒ4はＨである。本発明の幾つかの実施形態により、カルボヒドラジドが、本発明の組成物中で腐食防止剤として使用される。
理論により限定されず、ヒドラジド化合物から選択される腐食防止剤は、ウェハ表面の金属層を保護して及び金属層の清浄化溶液中への溶解を防止することができて、したがって、ウェハ表面における欠陥数の減少及び許容できる粗度の維持に役立つと一般的に考えられる。
実用的な使用において、本発明の水性清浄化組成物に含有されるヒドラジド化合物は、一般的に１０ｐｐｍ〜５，０００ｐｐｍ及び好ましくは５０ｐｐｍ〜２、５００ｐｐｍの濃度である。上記のように、本発明の水性清浄化組成物は濃縮された形態で提供されて使用前に所望の濃度に希釈することができる。それ故、本発明の水性清浄化組成物に含有されるヒドラジド化合物は、少なくとも１０ｐｐｍ、及び好ましくは、少なくとも５０ｐｐｍの濃度である。
有機塩基、銅エッチング剤、有機リガンド、及び腐食防止剤に加えて、本発明の清浄化組成物は、場合により界面活性剤をさらに含んでもよい。
理論により限定されず、上記界面活性剤は、清浄化中にウェハ表面の適切な加湿を提供することができると考えられる。本発明の組成物中で使用される界面活性剤は、式Ｈ（ＯＣＨ2ＣＨ2）nＳＲ5により表されるエトキシル化されたメルカプタンであり、Ｒ5はヒドロカルビル基であり、ｎは１〜１００である。「ヒドロカルビル基」は、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及びアルカリール基であってよいが、これらに限定されず、上記の基は、分岐していても、直鎖であっても、置換されていても又は非置換であってもよい。上の式において、Ｒ5は、好ましくはＣ1〜Ｃ30アルキル、Ｃ2〜Ｃ30アルケニル、Ｃ2〜Ｃ30アルキニル、Ｃ3〜Ｃ30シクロアルキル、Ｃ5〜Ｃ30アリール、Ｃ6〜Ｃ30アリールアルキル又はＣ6〜Ｃ30アルカリールであり、ｎは４〜２０であることが好ましい。より好ましくは、Ｒ5は、Ｃ6〜Ｃ18アルキル又はＣ6〜Ｃ18アリールアルキルであり、ｎは４〜１２である。
本発明の清浄化組成物に適当な界面活性剤の例は、エトキシル化された第三級ドデシルメルカプタン、エトキシル化されたｎ−ドデシルメルカプタン、エトキシル化された２−フェニルエチルメルカプタン、及びそれらの組合せからなる群から選択することができるが、これらに限定されない。本発明の組成物に適当な界面活性剤の市販で入手できる製品は、Ｓｈｉｂｌｅｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（オハイオ州、Ｅｌｙｒｉａ）からのＡｌｃｏｄｅｔ ２６０、Ａｌｃｏｄｅｔ ＳＫ及びＡｌｃｏｄｅｔ ２１８などである。以下の実施例において、例示される界面活性剤はＡｌｃｏｄｅｔ ２１８である。本発明の水性清浄化組成物に含有される界面活性剤は、実際の使用において一般的に５０ｐｐｍ〜３，０００ｐｐｍ、及び好ましくは、１００ｐｐｍ〜１，０００ｐｐｍの濃度である。
それに加えて、本発明の水性清浄化組成物のｐＨ値は、好ましくは９を超え、より好ましくは１０を超える。
本発明の清浄化組成物は、室温未満で使用することができる。例えば、本発明の清浄化組成物と銅半導体ウェハとが、ウェハの表面の汚染物質を除去して、銅導線の望ましい表面粗度を維持するために効果的な時間接触させられる。一般的に、使用される濃度が低いほど、長い接触時間（１〜３分）が必要であり、使用される濃度が高いほど、必要な接触時間は短い（１分未満）。使用者は、実際の使用において、必要に応じて時間を調節することができる。
本発明の水性清浄化組成物を実際に使用するとき、本発明の清浄化組成物は、平坦化されたウェハ表面を清浄化するためのＣＭＰ作業台で使用することができ、平坦化されたウェハ表面を清浄化するための別の清浄化作業台で使用することもできる。
以下の例で、本発明をさらに例示するが、本発明の範囲を限定することは意図されない。当業者により容易に達成される如何なる改変及び変更も本発明の範囲内に包含される。
表１のリストに挙げた有機リガンドは、主としてＳｈａｎｄｏｎｇ Ｔａｉｈｅ Ｗａｔｅｒ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ Ｃｏ．，Ｌｔｄ（中国）から入手可能であり、他の化学物質は、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ、Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ、ＭＥＲＣＫ、Ｓｈｏｗａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ、Ｔｏｋｙｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ（ＴＣＩ）から９９％を超える純度で入手できる。
Figure 2016519423
界面活性剤Ａｌｃｏｄｅｔ ２１８は、Ｒｈｏｄａｉ（米国）により供給され、その組成物はエトキシル化されたドデシルメルカプタン（ＣＡＳ．ＮＯ．：９００４−８３−５）である。
清浄化組成物は、表２のリストに挙げた成分及び量にしたがって調製した。これらの例において、ブランケット銅ウェハは、ＳＫＷ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社（米国）から厚さ１．５μｍの銅フィルムとして購入した。ブランケットＴＥＯＳウェハは、ＳＶＴＣ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社（米国）から、厚さ１．０μｍのフィルムとして購入した。
ブランケット銅ウェハを、Ｃａｂｏｔ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社（米国）製のＣ８９０８銅スラリーを使用して２０秒間磨き、次に該銅フィルムをＣａｂｏｔ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社（米国）製のＢ７６０１バリアスラリーを使用して６０秒間磨いて、０．２μｍの厚さだけ除去した。次に、研磨剤溶液で汚染されたブランケット銅ウェハを、Ｅｎｔｒｅｐｉｘ社（米国）によるＯｎＴｒａｋ清浄化プラットホーム上に置いて、以下の表のリストに挙げた組成物を使用して清浄化した。ブランケットＴＥＯＳウェハは、Ｃａｂｏｔ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社（米国）製のＢ７６０１バリアスラリーを使用して６０秒間磨き、ＴＥＯＳフィルムを３００〜１，０００オングストロームの厚さだけ除去した。次に、研磨剤溶液で汚染されたブランケットＴＥＯＳウェハをＥｎｔｒｅｐｉｘ社（米国）によるＯｎＴｒａｋ清浄化プラットホーム上に置いて次の表のリストに挙げた組成物を使用して清浄化した。清浄化時間は、１５００ｍＬ／分の清浄化組成物の流速で２分継続した。清浄化後、表面粗度を原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）で測定し、表面欠陥数をＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ ＳＰ１で測定した。結果を表２に示す。
Figure 2016519423
Figure 2016519423
Figure 2016519423
Figure 2016519423
Figure 2016519423
表２は、特定の有機塩基、銅エッチング剤、有機リガンド、及び腐食防止剤を組み合わせた組成物（実施例１〜３７）は、一般的に、他の成分を含む組成物（比較例Ｌ〜Ｔ）又はある１種の成分を含まない組成物（比較例Ａ〜Ｇ及びＫ）より効果的に種々の欠陥を排除し得ることを示す。その上、ある界面活性剤を添加すると、銅ウェハ欠陥数をさらに減少させることができる（実施例３８及び比較例Ｕ及びＶ）。
上の例は、本発明の好ましい実施形態を例示するために使用されたが、本発明を限定することは意図しない。本明細書及び請求項の開示による如何なる簡単な改変及び変更も、本発明の範囲内に包含される。

Claims (10)

  1. 銅の化学的機械的平坦化後（Ｃｕ−ＣＭＰ後）のための水性清浄化組成物であって、
    有機塩基、
    銅エッチング剤、
    有機リガンド、
    ヒドラジド化合物である腐食防止剤、及び
    水
    を含み、
    前記有機塩基は少なくとも２００ｐｐｍの濃度であり、前記銅エッチング剤は少なくとも２００ｐｐｍの濃度であり、前記有機リガンドは少なくとも５０ｐｐｍの濃度であり、及び前記腐食防止剤は少なくとも１０ｐｐｍの濃度である組成物。
  2. 前記有機塩基が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、トリス（２−ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＨＥＭＡＨ）、セチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（ＣＴＡＨ）、コリン、及びそれらの組合せからなる群から選択される、少なくとも４００ｐｐｍの濃度である第四級アンモニウムである、請求項１に記載の水性清浄化組成物。
  3. 前記銅エッチング剤が、ピペラジン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、２−（１−ピペラジニル）エタノール、２−（１−ピペラジニル）エチルアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、２−アミノ−１−ブタノール、２−アミノ−１−プロパノール、２−アミノエタノール、２−ジメチルアミノエタノール、２−（Ｎ−メチルアミノ）エタノール、３−アミノ−１−プロパノール、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレントリアミン、ジイソプロパノールアミン、イソプロパノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、ジグリコールアミン（ＤＧＡ）、ビシン、トリシン、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン（Ｔｒｉｓ）、及びそれらの組合せからなる群から選択される、少なくとも３００ｐｐｍの濃度であるＮ含有化合物である、請求項１に記載の水性清浄化組成物。
  4. 前記有機リガンドが、ホスホン酸、カルボン酸、及びそれらの組合せからなる群から選択される、少なくとも１００ｐｐｍの濃度である、請求項１に記載の水性清浄化組成物。
  5. 前記ホスホン酸が、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（ＤＴＰＭＰ）、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸（ＰＢＴＣＡ）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＨＤＴＭＰ）、２−ヒドロキシホスホノ酢酸（ＨＰＡＡ）、２−カルボキシエチルホスホン酸（ＣＥＰＡ）、ホスフィノカルボン酸ポリマー（ＰＣＡ）、ポリアミノポリエーテルメチレンホスホン酸（ＰＡＰＥＭＰ）、２−アミノエチルホスホン酸（ＡＥＰｎ）、Ｎ−（ホスホノメチル）イミノ二酢酸（ＰＭＩＤＡ）、アミノトリス（メチレンホスホン酸）（ＡＴＭＰ）、及びそれらの組合せからなる群から選択され、及び前記カルボン酸が、グリシン、スルファミン酸、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、クエン酸、Ｌ−システイン、グリコール酸、グリオキシル酸、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項４に記載の水性清浄化組成物。
  6. 前記ヒドラジド化合物が、以下の式：
    Figure 2016519423
     （式中、
    Ｒ2及びＲ3は独立にＨであり、
    Ｒ1及びＲ4は、独立に、Ｈ、−ＮＨＮＨ2、−Ｃ（Ｏ）ＮＨＮＨ2、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、Ｃ1〜Ｃ8アルコキシ、−（ＣＨ2）nＣＮ、−（ＣＨ2）nＣ（Ｏ）ＮＨＮＨ2、−（ＣＨ2）nＣ（Ｏ）Ｏ（ＣＨ2）n、−ＮＨＮＨＣ6Ｈ5、−（ＣＨ2）nＣ6Ｈ5、−Ｃ6Ｈ5、−Ｃ10Ｈ7であり、−Ｃ6Ｈ5及び−Ｃ10Ｈ7は、非置換であるか又はハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、−ＮＯ2、Ｃ1〜Ｃ4アルキル、及びＣ1〜Ｃ4アルコキシからなる群から選択される１つ若しくは２つ以上の置換基により独立に置換され、ｎは１〜３である。）
    を有し、
    前記ヒドラジド化合物は少なくとも５０ｐｐｍの濃度である、請求項１に記載の水性清浄化組成物。
  7. Ｒ1がＨ又は−ＮＨＮＨ2であり、Ｒ4はＨである、請求項６に記載の水性清浄化組成物。
  8. 前記ヒドラジド化合物がカルボヒドラジドである、請求項７に記載の水性清浄化組成物。
  9. 式Ｈ（ＯＣＨ2ＣＨ2）nＳＲ5により表されるエトキシル化されたメルカプタンである界面活性剤をさらに含み、Ｒ5はヒドロカルビル基であり、ｎは１〜１００であり、前記界面活性剤は、少なくとも５０ｐｐｍの濃度である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の水性清浄化組成物。
  10. 前記エトキシル化されたメルカプタンは、エトキシル化された第三級ドデシルメルカプタン、エトキシル化されたｎ−ドデシルメルカプタン、エトキシル化された２−フェニルエチルメルカプタン、及びそれらの組合せからなる群から選択される、少なくとも１００ｐｐｍの濃度である、請求項９に記載の水性清浄化組成物。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018503723A (ja) * 2015-01-05 2018-02-08 インテグリス・インコーポレーテッド 化学機械研磨後製剤および使用方法
KR20190124285A (ko) * 2017-04-11 2019-11-04 엔테그리스, 아이엔씨. 화학 기계적 연마 후 제제 및 사용 방법
JP2020504460A (ja) * 2017-01-18 2020-02-06 インテグリス・インコーポレーテッド セリア粒子を表面から除去するための組成物及び方法
JP2020513440A (ja) * 2016-11-25 2020-05-14 インテグリス・インコーポレーテッド エッチング後残留物を除去するための洗浄組成物
WO2020171003A1 (ja) * 2019-02-19 2020-08-27 三菱ケミカル株式会社 セリウム化合物除去用洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法
WO2021131452A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社 洗浄液、洗浄方法
WO2021131451A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社 洗浄方法、洗浄液

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10100272B2 (en) * 2014-07-18 2018-10-16 Cabot Microelectronics Corporation Cleaning composition following CMP and methods related thereto
US9490142B2 (en) * 2015-04-09 2016-11-08 Qualsig Inc. Cu-low K cleaning and protection compositions
US20160304815A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-20 Intermolecular, Inc. Methods and chemical solutions for cleaning photomasks using quaternary ammonium hydroxides
US11446708B2 (en) * 2017-12-04 2022-09-20 Entegris, Inc. Compositions and methods for reducing interaction between abrasive particles and a cleaning brush
US11639464B2 (en) * 2018-12-07 2023-05-02 Halliburton Energy Services, Inc. Controlling the formation of polymer-metal complexes in wellbore operations
US11584900B2 (en) 2020-05-14 2023-02-21 Corrosion Innovations, Llc Method for removing one or more of: coating, corrosion, salt from a surface
CN112663065A (zh) * 2020-11-24 2021-04-16 苏州美源达环保科技股份有限公司 一种碱性蚀刻液的再生循环利用方法
CN113774390B (zh) * 2021-08-12 2023-08-04 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法
JP2023098232A (ja) 2021-12-28 2023-07-10 東京応化工業株式会社 洗浄液、及び基板の洗浄方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002536545A (ja) * 1999-02-05 2002-10-29 ベッツディアボーン・インコーポレーテッド 洗浄剤組成物及びその使用
US20070209549A1 (en) * 2005-12-15 2007-09-13 Hida Hasinovic Cleaning and polishing composition for metallic surfaces
JP2009194049A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Sanyo Chem Ind Ltd 銅配線半導体用洗浄剤
JP2009531511A (ja) * 2006-03-27 2009-09-03 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード Ｃｍｐ後洗浄プロセスのための改善されたアルカリ性の溶液
JP2009212383A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Sanyo Chem Ind Ltd 洗浄剤組成物及び半導体基板の製造方法
JP2010177702A (ja) * 2004-03-19 2010-08-12 Air Products & Chemicals Inc 化学的機械的平坦化後用のアルカリ性洗浄組成物
JP2011508438A (ja) * 2007-12-21 2011-03-10 ラム リサーチ コーポレーション キャップ層を有する基板用の析出後洗浄方法並びに組成

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2119722A1 (en) * 1993-03-17 1994-09-18 Edward A. Rodzewich Non-toxic organic corrosion inhibitor
US5733270A (en) * 1995-06-07 1998-03-31 Baxter International Inc. Method and device for precise release of an antimicrobial agent
US5716546A (en) * 1996-10-23 1998-02-10 Osram Sylvania Inc. Reduction of lag in yttrium tantalate x-ray phosphors
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US5756218A (en) * 1997-01-09 1998-05-26 Sandia Corporation Corrosion protective coating for metallic materials
US6492308B1 (en) 1999-11-16 2002-12-10 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US20100009540A1 (en) * 2002-09-25 2010-01-14 Asahi Glass Company Limited Polishing compound, its production process and polishing method
TW200517478A (en) * 2003-05-09 2005-06-01 Sanyo Chemical Ind Ltd Polishing liquid for CMP process and polishing method
US7968465B2 (en) * 2003-08-14 2011-06-28 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Periodic acid compositions for polishing ruthenium/low K substrates
US7241725B2 (en) * 2003-09-25 2007-07-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Barrier polishing fluid
US20050090104A1 (en) * 2003-10-27 2005-04-28 Kai Yang Slurry compositions for chemical mechanical polishing of copper and barrier films
US20050170650A1 (en) * 2004-01-26 2005-08-04 Hongbin Fang Electroless palladium nitrate activation prior to cobalt-alloy deposition
US7790618B2 (en) * 2004-12-22 2010-09-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Selective slurry for chemical mechanical polishing
CN101928646B (zh) * 2004-12-28 2012-02-22 三洋化成工业株式会社 微小气泡产生用表面活性剂
TWI282363B (en) 2005-05-19 2007-06-11 Epoch Material Co Ltd Aqueous cleaning composition for semiconductor copper processing
CN101410503A (zh) * 2006-03-27 2009-04-15 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 用于后cmp清洗工艺的改良碱性溶液
US7531431B2 (en) * 2006-05-19 2009-05-12 Cree, Inc. Methods for reducing contamination of semiconductor devices and materials during wafer processing
US7947637B2 (en) * 2006-06-30 2011-05-24 Fujifilm Electronic Materials, U.S.A., Inc. Cleaning formulation for removing residues on surfaces
WO2008053440A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-08 The Procter & Gamble Company Portable bio-chemical decontaminant system and method of using the same
CA2671373C (en) * 2006-12-13 2013-01-15 Haldor Topsoee A/S Process for the synthesis of hydrocarbon constituents of gasoline
US8076155B2 (en) * 2007-06-05 2011-12-13 Ecolab Usa Inc. Wide range kinetic determination of peracid and/or peroxide concentrations
US7919446B1 (en) * 2007-12-28 2011-04-05 Intermolecular, Inc. Post-CMP cleaning compositions and methods of using same
US20100006511A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Walterick Jr Gerald C Treatment additives and methods for treating an aqueous medium
WO2010048139A2 (en) * 2008-10-21 2010-04-29 Advanced Technology Materials, Inc. Copper cleaning and protection formulations
US8361237B2 (en) * 2008-12-17 2013-01-29 Air Products And Chemicals, Inc. Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics
KR20110127244A (ko) * 2009-03-11 2011-11-24 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 표면 상의 잔류물을 제거하기 위한 세정 조성물
US8557125B2 (en) * 2010-06-07 2013-10-15 General Electric Company Treatment additives, methods for making and methods for clarifying aqueous media
CN103124745B (zh) * 2010-08-02 2014-10-29 陶氏环球技术有限责任公司 抑制乙烯基-芳基单体聚合的组合物和方法
EP2647693A4 (en) * 2010-11-29 2014-05-28 Wako Pure Chem Ind Ltd SUBSTRATE CLEANING AGENT FOR COPPER WIRING AND METHOD FOR CLEANING COPPER WIRING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
US9714374B2 (en) * 2011-07-15 2017-07-25 Exxonmobil Upstream Research Company Protecting a fluid stream from fouling
JP5860057B2 (ja) * 2011-10-24 2016-02-16 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、それを用いた研磨方法及び基板の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002536545A (ja) * 1999-02-05 2002-10-29 ベッツディアボーン・インコーポレーテッド 洗浄剤組成物及びその使用
JP2010177702A (ja) * 2004-03-19 2010-08-12 Air Products & Chemicals Inc 化学的機械的平坦化後用のアルカリ性洗浄組成物
US20070209549A1 (en) * 2005-12-15 2007-09-13 Hida Hasinovic Cleaning and polishing composition for metallic surfaces
JP2009531511A (ja) * 2006-03-27 2009-09-03 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード Ｃｍｐ後洗浄プロセスのための改善されたアルカリ性の溶液
JP2011508438A (ja) * 2007-12-21 2011-03-10 ラム リサーチ コーポレーション キャップ層を有する基板用の析出後洗浄方法並びに組成
JP2009194049A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Sanyo Chem Ind Ltd 銅配線半導体用洗浄剤
JP2009212383A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Sanyo Chem Ind Ltd 洗浄剤組成物及び半導体基板の製造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018503723A (ja) * 2015-01-05 2018-02-08 インテグリス・インコーポレーテッド 化学機械研磨後製剤および使用方法
JP2020513440A (ja) * 2016-11-25 2020-05-14 インテグリス・インコーポレーテッド エッチング後残留物を除去するための洗浄組成物
JP2021181570A (ja) * 2016-11-25 2021-11-25 インテグリス・インコーポレーテッド エッチング後残留物を除去するための洗浄組成物
US11164738B2 (en) 2017-01-18 2021-11-02 Entegris, Inc. Compositions and methods for removing ceria particles from a surface
JP7443300B2 (ja) 2017-01-18 2024-03-05 インテグリス・インコーポレーテッド セリア粒子を表面から除去するための組成物及び方法
JP2020504460A (ja) * 2017-01-18 2020-02-06 インテグリス・インコーポレーテッド セリア粒子を表面から除去するための組成物及び方法
JP2021192429A (ja) * 2017-01-18 2021-12-16 インテグリス・インコーポレーテッド セリア粒子を表面から除去するための組成物及び方法
JP2020516725A (ja) * 2017-04-11 2020-06-11 インテグリス・インコーポレーテッド 化学機械研磨後配合物及び使用方法
KR102355690B1 (ko) * 2017-04-11 2022-01-26 엔테그리스, 아이엔씨. 화학 기계적 연마 후 제제 및 사용 방법
KR20190124285A (ko) * 2017-04-11 2019-11-04 엔테그리스, 아이엔씨. 화학 기계적 연마 후 제제 및 사용 방법
WO2020171003A1 (ja) * 2019-02-19 2020-08-27 三菱ケミカル株式会社 セリウム化合物除去用洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法
WO2021131451A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社 洗浄方法、洗浄液
JPWO2021131451A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01
JPWO2021131452A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01
WO2021131452A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社 洗浄液、洗浄方法
KR20220095210A (ko) 2019-12-26 2022-07-06 후지필름 가부시키가이샤 세정액, 세정 방법
JP7220808B2 (ja) 2019-12-26 2023-02-10 富士フイルム株式会社 洗浄液、洗浄方法
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