JP7365427B2 - 洗浄液、洗浄方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板用の洗浄液、及び半導体基板の洗浄方法に関する。

ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）、メモリ等の半導体素子は、フォトリソグラフィー技術を用いて、基板上に微細な電子回路パターンを形成して製造される。具体的には、基板上に、配線材料となる金属膜、エッチング停止層、及び層間絶縁層を有する積層体上にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィー工程及びドライエッチング工程（例えば、プラズマエッチング処理）を実施することにより、半導体素子が製造される。
ドライエッチング工程を経た基板には、ドライエッチング残渣物（例えば、メタルハードマスクに由来するチタン系金属等の金属成分、又はフォトレジスト膜に由来する有機成分）が残存することがある。

半導体素子の製造において、金属配線膜、バリアメタル、及び絶縁膜等を有する基板表面を、研磨微粒子（例えば、シリカ、アルミナ等）を含む研磨スラリーを用いて平坦化する化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）処理を行うことがある。ＣＭＰ処理では、ＣＭＰ処理で使用する研磨微粒子、研磨された配線金属膜、及び、バリアメタル等に由来する金属成分が、研磨後の半導体基板表面に残存しやすい。
これらの残渣物は、配線間を短絡し、半導体の電気的な特性に影響を及ぼし得ることから、半導体基板の表面からこれらの残渣物を除去する洗浄工程が行われていることが多い。

例えば、特許文献１には、特定の洗浄剤、特定のキレート剤、及び、特定の腐食阻止化合物を含む半導体加工物洗浄用組成物が記載されている。

特表２００７－５２５８３６号公報

本発明者は、特許文献１等を参考にして、ＣＭＰが施された半導体基板用の洗浄液について検討したところ、洗浄液がヒドロキシルアミン化合物を含む場合、配線材料及びプラグ材料等となる金属膜（特にコバルト、銅又はタングステンを含む金属膜）に対する腐食防止性に優れる一方、その金属膜に欠陥が生じ易くなることを確認した。つまり、洗浄液について、ＣＭＰが施された半導体基板が有する金属膜（特にコバルト、銅又はタングステンを含む金属膜）に対する欠陥抑制性能について更に改善する余地があることを知見した。

本発明は、ＣＭＰが施された半導体基板用の洗浄液であって、金属膜に対する腐食防止性及び欠陥抑制性能に優れた洗浄液を提供することを課題とする。また、ＣＭＰが施された半導体基板の洗浄方法を提供することを課題とする。

本発明者は、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。

〔１〕 化学機械研磨処理が施された半導体基板用の洗浄液であって、アミンオキシド基を有する化合物、又はその塩であるアミンオキシド化合物と、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン誘導体及びこれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドロキシルアミン化合物と、を含み、上記アミンオキシド化合物の含有量が、上記洗浄液の全質量に対して０．００００１～０．１５質量％である、洗浄液。
〔２〕 上記ヒドロキシルアミン化合物の含有量に対する上記アミンオキシド化合物の含有量の質量比が、０．００１以上である、〔１〕に記載の洗浄液。
〔３〕 上記アミンオキシド化合物が、後述する式（１）で表される化合物である、〔１〕又は〔２〕に記載の洗浄液。
〔４〕 上記アミンオキシド化合物が、Ｎ－エチリデンエチルアミン－Ｎ－オキシド又はトリメチルアミン－Ｎ－オキシドを含む、〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔５〕 上記アミンオキシド化合物の含有量が、上記洗浄液の全質量に対して０．００００１～０．０５質量％である、〔１〕～〔４〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔６〕 上記ヒドロキシルアミン化合物が、後述する式（３）で表される化合物又はその塩である、〔１〕～〔５〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔７〕 上記ヒドロキシルアミン化合物が、ジエチルヒドロキシルアミンを含む、〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔８〕 上記洗浄液が、キレート剤を更に含む、〔１〕～〔７〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔９〕 上記キレート剤が、アミノポリカルボン酸系又はホスホン酸系キレート剤を含む、〔８〕に記載の洗浄液。
〔１０〕 上記洗浄液が、還元剤を更に含む、〔１〕～〔９〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔１１〕 上記洗浄液が、２種以上の還元剤を更に含む、〔１〕～〔１０〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔１２〕 上記洗浄液が、界面活性剤を更に含む、〔１〕～〔１１〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔１３〕 上記洗浄液が、２種以上の界面活性剤を更に含む、〔１〕～〔１２〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔１４〕 上記洗浄液が、分子内に第１級アミノ基を有する第１級アミン、分子内に第２級アミノ基を有する第２級アミン、分子内に第３級アミノ基を有する第３級アミン、第４級アンモニウムカチオンを有する第４級アンモニウム化合物、及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種のアミン化合物を更に含む、〔１〕～〔１３〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔１５〕 上記洗浄液が、第４級アンモニウムカチオンを有する第４級アンモニウム化合物又はその塩を更に含む、〔１〕～〔１４〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔１６〕 上記第４級アンモニウム化合物が、非対称構造を有する、〔１４〕又は〔１５〕に記載の洗浄液。
〔１７〕 上記洗浄液が、分子内に第１級アミノ基を有する第１級アミン、分子内に第２級アミノ基を有する第２級アミン、分子内に第３級アミノ基を有する第３級アミン、及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種を更に含む、〔１〕～〔１６〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔１８〕 上記洗浄液が、水を更に含み、上記水の含有量が、上記洗浄液の全質量に対して９９．６質量％以上である、〔１〕～〔１７〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔１９〕 上記洗浄液のｐＨが、２５℃において８．０～１２．０である、〔１〕～〔１８〕のいずれかに記載の洗浄液。
〔２０〕 〔１〕～〔１９〕のいずれかに記載の洗浄液を、化学機械研磨処理が施された半導体基板に適用して洗浄する工程を含む、半導体基板の洗浄方法。
〔２１〕 上記半導体基板が、銅、コバルト及びタングステンからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属膜を有する、〔２０〕に記載の洗浄方法。

本発明によれば、ＣＭＰが施された半導体基板用の洗浄液であって、金属膜に対する腐食防止性及び欠陥抑制性能に優れた洗浄液を提供できる。また、本発明によれば、ＣＭＰが施された半導体基板の洗浄方法を提供できる。

以下に、本発明を実施するための形態の一例を説明する。
本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。

本明細書において、ある成分が２種以上存在する場合、その成分の「含有量」は、それら２種以上の成分の合計含有量を意味する。
また、本明細書において、ある成分の「含有量」及び「洗浄液の全質量」との用語は、特に言及した場合を除いて、半導体基板に適用して半導体基板を洗浄するときの洗浄液中に含まれるその成分の含有量、及び、上記洗浄液の全質量を、それぞれ意味する。
本明細書において、「ｐｐｍ」は「parts-per-million（１０^－６）」を意味し、「ｐｐｂ」は「parts-per-billion（１０^－９）」を意味する。
本明細書に記載の化合物において、特に限定が無い場合は、異性体（原子数が同じであるが構造が異なる化合物）、光学異性体、及び同位体が含まれていてもよい。また、異性体及び同位体は、１種のみが含まれていてもよいし、複数種含まれていてもよい。

本明細書においてｐｓｉとは、ｐｏｕｎｄ－ｆｏｒｃｅ ｐｅｒ ｓｑｕａｒｅ ｉｎｃｈ；重量ポンド毎平方インチを意図し、１ｐｓｉ＝６８９４．７６Ｐａを意図する。

本発明の洗浄液（以下、単に「洗浄液」とも記載する。）は、化学機械研磨処理（ＣＭＰ）が施された半導体基板用の洗浄液であって、アミンオキシド基を有する化合物又はその塩であるアミンオキシド化合物（以下、単に「アミンオキシド化合物」とも記載する）と、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン誘導体及びこれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドロキシルアミン化合物（以下、単に「ヒドロキシルアミン化合物」とも記載する）と、を含む。また、アミンオキシド化合物の含有量が、洗浄液の全質量に対して０．００００１～０．１５質量％である。
本発明者は、ヒドロキシルアミン化合物とともに、特定の含有量のアミンオキシド化合物を含む洗浄液を用いることにより、ＣＭＰが施された半導体基板の洗浄工程における金属膜（特にＣｏ、Ｃｕ又はＷを含む金属膜）に対する腐食防止性及び欠陥抑制性能（以下「本発明の効果」とも記載する）に優れることを知見している。

洗浄液がヒドロキシルアミン化合物と特定の含有量のアミンオキシド化合物とを含むことにより本発明の効果が得られる詳細なメカニズムは不明であるが、ＣＭＰが施された半導体基板の表面に付着したシリカ等の無機物を含む粒子とアミンオキシド化合物とで相互作用が生じ、これらの無機物を含む粒子が半導体基板の表面から除去されたためと本発明者らは推測している。

［洗浄液］
洗浄液は、アミンオキシド化合物と、ヒドロキシルアミン化合物とを含む。
以下、洗浄液に含まれる各成分について、説明する。

〔アミンオキシド化合物〕
アミンオキシド化合物は、アミンオキシド基（Ｎ^＋－Ｏ^－、アミン－Ｎ－オキシド基とも称される）を有する化合物、又はその塩を意味する。
アミンオキシド化合物の塩は、無機酸塩又は有機酸塩のいずれであってもよいが、Ｃｌ、Ｓ、Ｎ及びＰからなる群より選択される少なくとも１種の非金属が水素と結合してなる無機酸の塩が好ましく、塩酸塩、硫酸塩、又は硝酸塩がより好ましい。
アミンオキシド化合物としては、例えば、後述するニトロン化合物、及び、第３級アミン－Ｎ－オキシドが挙げられる。

＜ニトロン化合物＞
ニトロン化合物は、ニトロン基（＞Ｃ＝Ｎ^＋（－Ｏ^－）－Ｒ（Ｒは置換基を表す。））を有する化合物又はその塩を意味する。ニトロン化合物は、イミンのＮ－オキシドであるともいえる。

ニトロン化合物において、ニトロン基を構成する窒素原子が有する置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アルキルオキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、スルホン酸基、及びアリール基が挙げられる。上記カルボキシル基、及びスルホン酸基は、カチオンと塩を形成していてもよい。

ニトロン化合物としては、下記式（１）で表される化合物が好ましい。
式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表し、Ｒ^３は、有機基を表す。Ｒ^１又はＲ^２とＲ^３とは互いに結合して置換基を有してもよい非芳香環を形成してもよい。

Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３で表される有機基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、及びアリール基が挙げられ、アルキル基が好ましく、炭素数１～１０のアルキル基がより好ましい。アルキル基及び炭素数１～１０のアルキル基はいずれも、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。

式（１）におけるＲ^１及びＲ^２としては、水素原子又はアルキル基が好ましく、水素原子又は炭素数１～１０のアルキル基がより好ましく、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基が更に好ましい。
なかでも、Ｒ^１及びＲ^２の一方が水素原子を表すことが好ましく、Ｒ^１及びＲ^２の一方が水素原子を表し、他方がメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、又はイソプロピル基を表す組合せがより好ましく、Ｒ^１及びＲ^２の一方が水素原子であり、他方がメチル基又はエチル基を表す組合せが更に好ましい。

式（１）におけるＲ^３としては、アルキル基が好ましく、炭素数１～６のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、又はイソプロピル基が更に好ましく、エチル基が特に好ましい。

Ｒ^１又はＲ^２と、Ｒ^３とが互いに結合して形成してもよい非芳香環としては、芳香族性を有さず、かつ、窒素原子を少なくとも１つ有する複素環であれば特に制限されず、例えば、ピロリン環及びテトラヒドロピリジン環等の、環員数が５又は６であり、窒素原子と炭素原子との二重結合を有する含窒素非芳香環が挙げられる。
Ｒ^１又はＲ^２と、Ｒ^３とが互いに結合して形成する非芳香環が有してもよい置換基としては、例えば、炭素数１～４のアルキル基が挙げられる。

ニトロン化合物としては、例えば、Ｎ－エチリデンメチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－エチリデンエチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－エチリデンプロピルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－エチリデンブチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－エチリデンエタノールアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－エチリデンエトキシエタノールアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－プロピリデンメチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－プロピリデンエチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－プロピリデンプロピルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－プロピリデンブチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－プロピリデンエタノールアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－ブチリデンメチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－ブチリデンエチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－ブチリデンブチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－ブチリデンエタノールアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－ベンジリデン－ｔ－ブチルアミン－Ｎ－オキシド、１－ピロリン－Ｎ－オキシド、及び、２，３，４，５－テトラヒドロピロリジン－Ｎ－オキシドが挙げられる。
なかでも、Ｎ－エチリデンメチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－エチリデンエチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－プロピリデンメチルアミン－Ｎ－オキシド、又は、Ｎ－プロピリデンエチルアミン－Ｎ－オキシドが好ましく、Ｎ－エチリデンエチルアミン－Ｎ－オキシドがより好ましい。

ニトロン化合物は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、ニトロン化合物は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法によって適宜合成したものを用いてもよい。
ニトロン化合物の合成方法としては、例えば、以下の山浦らの方法（山浦政則ら、日本化学会第８３春季年会、１ＰＡ－０１９，２００３年）が挙げられる。目的のニトロン化合物に対応する構造を有するジアルキルヒドロキシルアミンのメタノール溶液に二酸化マンガンを添加し、空気下において室温の混合液を攪拌することにより、反応させる。反応の進行度を見ながら１日反応させた後、ろ過により二酸化マンガンを取り除き、セライトカラムで精製する。次いで、エバポレーターで溶媒を除くことにより、目的のニトロン化合物が合成される。ニトロン化合物は、S.Murahashi et al., J. Org. Chem. 55, 1736(1990)に記載の方法でも合成できる。

＜第３級アミン－Ｎ－オキシド＞
第３級アミン－Ｎ－オキシドは、分子内に第３級アミノ基（＞Ｎ－）を有する第３級アミンのＮ－オキシド又はその塩である化合物を意味する。

第３級アミン－Ｎ－オキシドにおいて、窒素原子が有する置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アルキルオキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、スルホン酸基、及びアリール基が挙げられる。上記カルボキシル基、及びスルホン酸基は、カチオンの塩であってもよい。

第３級アミン－Ｎ－オキシドとしては、下記式（２）で表される化合物が好ましい。
式（２）中、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に、有機基を表す。Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５のうち２つが互いに結合して置換基を有してもよい非芳香環を形成してもよい。

Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５により表される有機基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、及びアリール基が挙げられ、アルキル基が好ましく、炭素数１～６のアルキル基がより好ましい。アルキル基及び炭素数１～６のアルキル基はいずれも、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。
Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、又はイソプロピル基が更に好ましく、メチル基又はエチル基が特に好ましい。
Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５の組合せとしては、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５がいずれもメチル基又はエチル基である組合せが好ましく、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５がいずれもメチル基である組合せがより好ましい。

Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５のうち２つが互いに結合して形成する、置換基を有してもよい非芳香環としては、芳香族性を有さず、かつ、窒素原子を少なくとも１つ有する複素環であれば特に制限されず、例えば、ピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環及びモルホリン環等の環員数が５又は６である含窒素非芳香環が挙げられる。
Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５のうち２つが互いに結合して形成する非芳香環が有してもよい置換基としては、例えば、炭素数１～４のアルキル基が挙げられる。

第３級アミン－Ｎ－オキシドとしては、例えば、トリメチルアミン－Ｎ－オキシド、ジメチルエチルアミン－Ｎ－オキシド、メチルジエチルアミン－Ｎ－オキシド、トリエチル－Ｎ－アミンオキシド、イソプロピルジメチルアミンオキシド、ジメチル（２－ヒドロキシエチル）アミンオキシド、ジメチルブチルアミンオキシド、及び、４－メチルモルホリンＮ－オキシドが挙げられる。
なかでも、トリメチルアミン－Ｎ－オキシド、ジメチルエチルアミン－Ｎ－オキシド、メチルジエチルアミン－Ｎ－オキシド、トリエチル－Ｎ－アミンオキシド、又は、４－メチルモルホリンＮ－オキシドが好ましく、トリメチルアミン－Ｎ－オキシド又は４－メチルモルホリンＮ－オキシドがより好ましい。

第３級アミン－Ｎ－オキシドは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、第３級アミン－Ｎ－オキシドは、市販のものを用いてもよいし、公知の方法によって適宜合成したものを用いてもよい。

洗浄液は、アミンオキシド化合物として、上記のニトロン化合物及び第３級アミン－Ｎ－オキシド以外の化合物を含んでいてもよい。
ニトロン化合物及び第３級アミン－Ｎ－オキシド以外のアミンオキシド化合物としては、例えば、１－ピロリンーＮ－オキシド、３，４－ジヒドロイソキノリン－Ｎ－オキシド、及び、Ｎ－ベンジリデンベンジルアミンアミン－Ｎ－オキシドが挙げられる。

アミンオキシド化合物としては、上記式（１）で表され、Ｒ^１及びＲ^２がそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｒ^３が炭素数１～６のアルキル基を表すニトロン化合物、並びに、上記式（２）で表され、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５が炭素数１～６のアルキル基を表す第３級アミン－Ｎ－オキシドからなる群より選択される化合物が好ましい。
なかでも、Ｎ－エチリデンメチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－エチリデンエチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－プロピリデンメチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－プロピリデンエチルアミン－Ｎ－オキシド、トリメチルアミン－Ｎ－オキシド、ジメチルエチルアミン－Ｎ－オキシド、メチルジエチルアミン－Ｎ－オキシド、又は、トリエチル－Ｎ－アミンオキシドがより好ましく、Ｎ－エチリデンエチルアミン－Ｎ－オキシド又はトリメチルアミン－Ｎ－オキシドが更に好ましい。

洗浄液は、アミンオキシド化合物を、１種単独で含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。
アミンオキシド化合物の含有量は、洗浄液の全質量に対して、０．００００１～０．１５質量％である。アミンオキシド化合物の含有量をこの範囲内とすることにより、腐食防止性及び欠陥抑制性能に優れた洗浄液が得られる。
アミンオキシド化合物の含有量は、腐食防止性（特にＣｕを含有する金属膜に対する腐食防止性能）により優れる点で、洗浄液の全質量に対して、０．１質量％以下が好ましく、０．０５質量％以下がより好ましい。
また、アミンオキシド化合物の含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．００１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましい。上限としては、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、９０質量％以下が好ましく、７５質量％以下がより好ましく、６５質量％以下が更に好ましい。なお、「洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量」とは、水及び有機溶剤以外の洗浄液に含まれる全ての成分の含有量の合計を意味する。

ヒドロキシルアミン化合物の含有量に対するアミンオキシド化合物の含有量の質量比（アミンオキシド化合物の含有量／ヒドロキシルアミン化合物の含有量）は、０．０００２以上が好ましく、０．０１以上がより好ましく、０．０４以上が更に好ましい。また、腐食防止性能（特にＣｕを含む金属膜に対する腐食防止性能）により優れる点から、ヒドロキシルアミン化合物の含有量に対するアミンオキシド化合物の含有量の質量比（アミンオキシド化合物の含有量／ヒドロキシルアミン化合物の含有量）は、１５．０以下が好ましく、７．０以下がより好ましく、５．５以下が更に好ましく、３．３５以下が特に好ましい。

〔ヒドロキシルアミン化合物〕
洗浄液は、ヒドロキシルアミン化合物を含む。
ヒドロキシルアミン化合物は、ヒドロキシルアミン（ＮＨ_２ＯＨ）、ヒドロキシルアミン誘導体、及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種を意味する。
また、ヒドロキシルアミン誘導体とは、ヒドロキシルアミン（ＮＨ_２ＯＨ）に少なくとも１つの有機基が置換されてなる化合物を意味する。
ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン誘導体の塩は、ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン誘導体の無機酸塩又は有機酸塩であってもよい。ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン誘導体の塩としては、Ｃｌ、Ｓ、Ｎ及びＰからなる群より選択される少なくとも１種の非金属が水素と結合してなる無機酸の塩が好ましく、塩酸塩、硫酸塩、又は硝酸塩がより好ましい。

ヒドロキシルアミン化合物としては、例えば、下記式（３）で表される化合物又はその塩が挙げられる。

式（３）中、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表す。Ｒ^６とＲ^７とは互いに結合して置換基を有してもよい非芳香環を形成してもよい。

Ｒ^６及びＲ^７で表される有機基としては、炭素数１～６のアルキル基が好ましい。炭素数１～６のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。
また、Ｒ^６及びＲ^７の少なくとも一方が有機基（より好ましくは炭素数１～６のアルキル基）であることが好ましい。
炭素数１～６のアルキル基としては、エチル基又はｎ－プロピル基が好ましく、エチル基がより好ましい。

Ｒ^６とＲ^７とが互いに結合して形成する、置換基を有してもよい非芳香環としては、芳香族性を有さず、かつ、窒素原子を少なくとも１つ有する複素環であれば特に制限されず、例えば、ピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環及びモルホリン環等の環員数が５又は６である含窒素非芳香環が挙げられる。なかでも、ピロリジン環が好ましい。
Ｒ^６とＲ^７とが互いに結合して形成する非芳香環が有してもよい置換基としては、例えば、炭素数１～４のアルキル基、オキソ基、及び、チオキソ基が挙げられる。

ヒドロキシルアミン化合物としては、例えば、ヒドロキシルアミン、Ｏ－メチルヒドロキシルアミン、Ｏ－エチルヒドロキシルアミン、Ｎ－メチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｏ－ジメチルヒドロキシルアミン、Ｎ－エチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルヒドロキシルアミン（ＤＥＨＡ）、Ｎ，Ｏ－ジエチルヒドロキシルアミン、Ｏ，Ｎ，Ｎ－トリメチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ－ジカルボキシエチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ－ジスルホエチルヒドロキシルアミン、Ｎ－ヒドロキシコハク酸イミド（ＮＨＳＩ）、及び、２－ヒドロキシ－２－アザアダマンタンが挙げられる。
なかでも、Ｎ－エチルヒドロキシルアミン、ＤＥＨＡ、Ｎ－ｎ－プロピルヒドロキシルアミン又はＮＨＳＩが好ましく、ＤＥＨＡがより好ましい。

ヒドロキシルアミン化合物は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、ヒドロキシルアミン化合物は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法によって適宜合成したものを用いてもよい。
洗浄液におけるヒドロキシルアミン化合物の含有量は、洗浄液の全質量に対して、０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、腐食防止性能（特にＣｏを含む金属膜に対する腐食防止性能）により優れる点から、０．０２質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、０．２質量％以下が好ましく、０．１５質量％以下がより好ましい。
また、ヒドロキシルアミン化合物の含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．５質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、１５質量％以上が更に好ましい。上限としては、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、９８質量％以下が好ましく、９６質量％以下がより好ましい。

〔水〕
洗浄液は、溶媒として水を含むことが好ましい。
洗浄液に使用される水の種類は、半導体基板に悪影響を及ぼさないものであれば特に制限はなく、蒸留水、脱イオン水、及び純水（超純水）が使用できる。不純物をほとんど含まず、半導体基板の製造工程における半導体基板への影響がより少ない点で、純水が好ましい。
洗浄液における水の含有量は、アミンオキシド化合物、ヒドロキシルアミン化合物、及び、後述する任意成分の残部であればよい。水の含有量は、洗浄液の全質量に対して、９９質量％以上が好ましく、９９．３質量％以上がより好ましく、９９．６質量％以上が更に好ましく、９９．８５質量％以上が特に好ましい。上限は特に制限されないが、洗浄液の全質量に対して、９９．９９質量％以下が好ましく、９９．９５質量％以下がより好ましい。

〔任意成分〕
洗浄液は、上述した成分以外に、他の任意成分を含んでいてもよい。以下、任意成分について説明する。

＜キレート剤＞
洗浄液は、キレート剤を含んでいてもよい。
洗浄液に用いるキレート剤は、半導体基板の洗浄工程において、残渣物に含まれる金属とキレート化する機能を有する化合物である。なかでも、１分子中に金属イオンと配位結合する官能基（配位基）を２つ以上有する化合物が好ましい。

キレート剤が有する配位基としては、例えば、酸基、及びカチオン性基が挙げられる。酸基としては、例えば、カルボキシ基、ホスホン酸基、スルホ基、及びフェノール性ヒドロキシ基が挙げられる。カチオン性基としては、例えば、アミノ基が挙げられる。
洗浄液に用いるキレート剤は、腐食防止性能（特にＣｏを含む金属膜に対する腐食防止性能）及び残渣除去性能（特にＣｏを含む金属残渣の除去性能）により優れる点から、配位基として酸基を有することが好ましく、カルボキシ基、及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の配位基を有することがより好ましい。

キレート剤としては、有機系キレート剤、及び無機系キレート剤が挙げられる。
有機系キレート剤は、有機化合物からなるキレート剤であり、例えば、配位基としてカルボキシ基を有するカルボン酸系キレート剤、配位基としてホスホン酸基を有するホスホン酸系キレート剤、及び、配位基としてアミノ基のみを有するポリアミン系キレート剤が挙げられる。
無機系キレート剤としては、縮合リン酸及びその塩が挙げられる。
キレート剤としては、有機系キレート剤が好ましく、カルボキシ基、ホスホン酸基及びアミノ基から選ばれる少なくとも１種の配位基を有する有機系キレート剤が好ましい。

キレート剤は、低分子量であることが好ましい。具体的には、キレート剤の分子量は、６００以下が好ましく、４５０以下がより好ましく、３００以下が更に好ましい。
また、キレート剤が有機系キレート剤である場合、その炭素数は、１５以下が好ましく、１２以下がより好ましく、８以下が更に好ましい。

（カルボン酸系キレート剤）
カルボン酸系キレート剤は、分子内に配位基としてカルボキシ基を有するキレート剤であり、例えば、アミノポリカルボン酸系キレート剤、アミノ酸系キレート剤、ヒドロキシカルボン酸系キレート剤、及び脂肪族カルボン酸系キレート剤が挙げられる。

アミノポリカルボン酸系キレート剤としては、例えば、ブチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、１，３－ジアミノ－２－ヒドロキシプロパン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－四酢酸、プロピレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、トランス－１，２－ジアミノシクロヘキサン四酢酸、エチレンジアミン二酢酸、エチレンジアミンジプロピオン酸、１，６－ヘキサメチレン－ジアミン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－四酢酸、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン－Ｎ，Ｎ－二酢酸、ジアミノプロパン四酢酸、１，４，７，１０－テトラアザシクロドデカン－四酢酸、ジアミノプロパノール四酢酸、（ヒドロキシエチル）エチレンジアミン三酢酸、及びイミノジ酢酸（ＩＤＡ）が挙げられる。
なかでも、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、トランス－１，２－ジアミノシクロヘキサン四酢酸、又はイミノジ酢酸（ＩＤＡ）が好ましい。

アミノ酸系キレート剤としては、例えば、グリシン、セリン、α－アラニン（２－アミノプロピオン酸）、β－アラニン（３－アミノプロピオン酸）、リジン、ロイシン、イソロイシン、シスチン、システイン、エチオニン、トレオニン、トリプトファン、チロシン、バリン、ヒスチジン、ヒスチジン誘導体、アスパラギン、アスパラギン酸、グルタミン、グルタミン酸、アルギニン、プロリン、メチオニン、フェニルアラニン、特開２０１６－０８６０９４号公報の段落［００２１］～［００２３］に記載の化合物、及びこれらの塩が挙げられる。なお、ヒスチジン誘導体としては、特開２０１５－１６５５６１号公報、及び、特開２０１５－１６５５６２号公報に記載の化合物が援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。また、塩としては、ナトリウム塩、及びカリウム塩等のアルカリ金属塩、アンモニウム塩、炭酸塩、並びに酢酸塩が挙げられる。

ヒドロキシカルボン酸系キレート剤としては、例えば、リンゴ酸、クエン酸、グリコール酸、グルコン酸、ヘプトン酸、酒石酸、及び乳酸が挙げられ、クエン酸、又は酒石酸が好ましい。

脂肪族カルボン酸系キレート剤としては、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、セバシン酸、及びマレイン酸が挙げられる。

カルボン酸系キレート剤としては、アミノポリカルボン酸系キレート剤、アミノ酸系キレート剤、又はヒドロキシカルボン酸系キレート剤が好ましく、腐食防止性能（特にＷを含む金属膜に対する腐食防止性能）及び残渣除去性能（特にＷを含む金属残渣の除去性能）により優れる点から、アミノポリカルボン酸系キレート剤、又は、アミノ酸系キレート剤がより好ましい。

（ホスホン酸系キレート剤）
ホスホン酸系キレート剤は、分子内に少なくとも１つのホスホン酸基を有するキレート剤である。ホスホン酸系キレート剤としては、例えば、下記式（Ｐ１）、式（Ｐ２）及び式（Ｐ３）で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｘは、水素原子又はヒドロキシ基を表し、Ｒ^１１は、水素原子又は炭素数１～１０のアルキル基を表す。

式（Ｐ１）におけるＲ^１１で表される炭素数１～１０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。
式（Ｐ１）におけるＲ^１１としては、炭素数１～６のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、又はイソプロピル基がより好ましい。
なお、本明細書に記載するアルキル基の具体例において、ｎ－はｎｏｒｍａｌ－体を表す。

式（Ｐ１）におけるＸとしては、ヒドロキシ基が好ましい。

式（Ｐ１）で表されるホスホン酸系キレート剤としては、エチリデンジホスホン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１’－ジホスホン酸（ＨＥＤＰＯ）、１－ヒドロキシプロピリデン－１，１’－ジホスホン酸、又は１－ヒドロキシブチリデン－１，１’－ジホスホン酸が好ましい。

式中、Ｑは、水素原子又はＲ^１３－ＰＯ_３Ｈ_２を表し、Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立して、アルキレン基を表し、Ｙは、水素原子、－Ｒ^１３－ＰＯ_３Ｈ_２、又は下記式（Ｐ４）で表される基を表す。

式中、Ｑ及びＲ^１３は、式（Ｐ２）におけるＱ及びＲ^１３と同じである。

式（Ｐ２）においてＲ^１２で表されるアルキレン基としては、例えば、炭素数１～１２の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が挙げられる。
Ｒ^１２で表されるアルキレン基としては、炭素数１～６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、炭素数１～４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基がより好ましく、エチレン基が更に好ましい。

式（Ｐ２）及び（Ｐ４）においてＲ^１３で表されるアルキレン基としては、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基が挙げられ、炭素数１～４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基又はエチレン基がより好ましく、メチレン基が更に好ましい。

式（Ｐ２）及び（Ｐ４）におけるＱとしては、－Ｒ^１３－ＰＯ_３Ｈ_２が好ましい。

式（Ｐ２）におけるＹとしては、－Ｒ^１３－ＰＯ_３Ｈ_２又は式（Ｐ４）で表される基が好ましく、式（Ｐ４）で表される基がより好ましい。

式（Ｐ２）で表されるホスホン酸系キレート剤としては、エチルアミノビス（メチレンホスホン酸）、ドデシルアミノビス（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）（ＮＴＰＯ）、エチレンジアミンビス（メチレンホスホン酸）（ＥＤＤＰＯ）、１，３－プロピレンジアミンビス（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＰＯ）、エチレンジアミンテトラ（エチレンホスホン酸）、１，３－プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＰＤＴＭＰ）、１，２－ジアミノプロパンテトラ（メチレンホスホン酸）、又は１，６－ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）が好ましい。

式中、Ｒ^１４及びＲ^１５はそれぞれ独立して、炭素数１～４のアルキレン基を表し、ｎは１～４の整数を表し、Ｚ^１～Ｚ^４及びｎ個のＺ^５のうち少なくとも４つは、ホスホン酸基を有するアルキル基を表し、残りはアルキル基を表す。

式（Ｐ３）においてＲ^１４及びＲ^１５で表される炭素数１～４のアルキレン基は、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。Ｒ^１４及びＲ^１５で表される炭素数１～４のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、エチルメチレン基、テトラメチレン基、２－メチルプロピレン基、２－メチルトリメチレン基、及びエチルエチレン基が挙げられ、エチレン基が好ましい。

式（Ｐ３）におけるｎとしては、１又は２が好ましい。

式（Ｐ３）におけるＺ^１～Ｚ^５で表されるアルキル基及びホスホン酸基を有するアルキル基におけるアルキル基としては、例えば、炭素数１～４の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基が挙げられ、メチル基が好ましい。

Ｚ^１～Ｚ^５で表されるホスホン酸基を有するアルキル基におけるホスホン酸基の数としては、１つ又は２つが好ましく、１つがより好ましい。

Ｚ^１～Ｚ^５で表されるホスホン酸基を有するアルキル基としては、例えば、炭素数１～４の直鎖状又は分岐鎖状であって、ホスホン酸基を１つ又は２つ有するアルキル基が挙げられ、（モノ）ホスホノメチル基、又は（モノ）ホスホノエチル基が好ましく、（モノ）ホスホノメチル基がより好ましい。

式（Ｐ３）におけるＺ^１～Ｚ^５としては、Ｚ^１～Ｚ^４及びｎ個のＺ^５のすべてが、上記のホスホン酸基を有するアルキル基であることが好ましい。

式（Ｐ３）で表されるホスホン酸系キレート剤としては、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（ＤＥＰＰＯ）、ジエチレントリアミンペンタ（エチレンホスホン酸）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）、又はトリエチレンテトラミンヘキサ（エチレンホスホン酸）が好ましい。

洗浄液に使用するホスホン酸系キレート剤としては、上記の式（Ｐ１）、（Ｐ２）及び（Ｐ３）で表されるホスホン酸系キレート剤だけでなく、国際公開第２０１８／０２０８７８号明細書の段落［００２６］～［００３６］に記載の化合物、及び、国際公開第２０１８／０３０００６号明細書の段落［００３１］～［００４６］に記載の化合物（（共）重合体）が援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

洗浄液に使用するホスホン酸系キレート剤としては、上記の式（Ｐ１）、（Ｐ２）及び（Ｐ３）で表されるホスホン酸系キレート剤のそれぞれにおいて好適な具体例として挙げた化合物が好ましく、ＨＥＤＰＯ、ＮＴＰＯ、ＥＤＴＰＯ、又はＤＥＰＰＯがより好ましく、ＨＥＤＰＯが更に好ましい。

ホスホン酸系キレート剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、市販のホスホン酸系キレート剤には、ホスホン酸系キレート剤以外に、蒸留水、脱イオン水、及び超純水等の水を含むものもあるが、このような水を含んでいるホスホン酸系キレート剤を使用しても何ら差し支えない。

（ポリアミン系キレート剤）
ポリアミン系キレート剤は、分子内に配位基としてアミノ基のみを有するキレート剤である。ポリアミン系キレート剤としては、例えば、アミノポリカルボン酸系キレート剤、アミノ酸系キレート剤、ヒドロキシカルボン酸系キレート剤、及び脂肪族カルボン酸系キレート剤が挙げられる。

ポリアミン系キレート剤としては、例えば、エチレンジアミン（ＥＤＡ）、１，３－プロパンジアミン（ＰＤＡ）、１，２－プロパンジアミン、１，３－ブタンジアミン、及び１，４－ブタンジアミン等のアルキレンジアミン、並びに、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、ビス（アミノプロピル）エチレンジアミン（ＢＡＰＥＤＡ）及びテトラエチレンペンタミン等のポリアルキルポリアミンが挙げられる。

無機系キレート剤である縮合リン酸及びその塩としては、例えば、ピロリン酸及びその塩、メタリン酸及びその塩、トリポリリン酸及びその塩、並びにヘキサメタリン酸及びその塩が挙げられる。

キレート剤としては、Ｃｏを含む金属膜に対する腐食防止性能及びＣｏを含む金属残渣の除去性能により優れる点から、アミノポリカルボン酸系キレート剤又はホスホン酸系キレート剤が好ましい。

キレート剤は、１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
洗浄液におけるキレート剤の含有量は、特に制限されないが、洗浄液の全質量に対して、０．２５質量％以下が好ましく、０．１質量％以下がより好ましく、Ｃｕを含む金属膜に対する腐食防止性能及びＣｏを含む金属残渣の除去性能により優れる点から、０．０２質量％未満が更に好ましく、Ｃｏを含む金属膜に対する腐食防止性能により優れる点から、０．００８質量％以下が特に好ましい。
キレート剤の含有量の下限は特に制限されないが、洗浄液の全質量に対して、０．００００１質量％以上が好ましく、０．０００１質量％以上がより好ましく、０．０００５質量％以上が更に好ましい。
また、洗浄液がキレート剤を含む場合、キレート剤の含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．０２質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましい。上限としては、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、７０質量％以下が好ましい。

＜還元剤＞
洗浄液は、還元剤を含んでいてもよい。
還元剤は、酸化作用を有し、洗浄液に含まれるＯＨ^－イオン又は溶存酸素を酸化する機能を有する化合物であり、脱酸素剤とも称される。なお、上記ヒドロキシルアミン化合物は、還元剤には含まれない。
洗浄液は、腐食防止性能（特にＣｏを含む金属膜に対する腐食防止性能）に優れる点で、還元剤を含むことが好ましい。
洗浄液に用いる還元剤は特に制限されないが、例えば、アスコルビン酸化合物、カテコール化合物、ヒドラジド化合物、及び、還元性硫黄化合物が挙げられる。

（アスコルビン酸化合物）
洗浄液は、還元剤としてアスコルビン酸化合物を含んでいてもよい。
アスコルビン酸化合物は、アスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種を意味する。
アスコルビン酸誘導体としては、例えば、アスコルビン酸リン酸エステル、及びアスコルビン酸硫酸エステルが挙げられる。
アスコルビン酸化合物としては、アスコルビン酸、アスコルビン酸リン酸エステル、又はアスコルビン酸硫酸エステルが好ましく、アスコルビン酸がより好ましい。

（カテコール化合物）
洗浄液は、還元剤としてカテコール化合物を含んでいてもよい。
カテコール化合物は、ピロカテコール（ベンゼン－１，２－ジオール）、及びカテコール誘導体からなる群より選択される少なくとも１種を意味する。
カテコール誘導体とは、ピロカテコールに少なくとも１つの置換基が置換されてなる化合物を意味する。カテコール誘導体が有する置換基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、カルボン酸エステル基、スルホ基、スルホン酸エステル基、アルキル基（炭素数１～６が好ましく、炭素数１～４がより好ましい）、及びアリール基（フェニル基が好ましい）が挙げられる。カテコール誘導体が置換基として有するカルボキシ基、及びスルホ基は、カチオンの塩であってもよい。また、カテコール誘導体が置換基として有するアルキル基、及びアリール基は、更に置換基を有していてもよい。

カテコール化合物としては、例えば、ピロカテコール、４－ｔｅｒｔ－ブチルカテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸メチル、１，２，４－ベンゼントリオール、及びタイロンが挙げられ、ピロガロールが好ましい。

（ヒドラジド化合物）
洗浄液は、還元剤としてヒドラジド化合物を含んでいてもよい。
ヒドラジド化合物は、酸のヒドロキシ基をヒドラジノ基（－ＮＨ－ＮＨ_２）で置換してなる化合物、及びその誘導体（ヒドラジノ基に少なくとも１つの置換基が置換されてなる化合物）を意味する。
ヒドラジド化合物は、２つ以上のヒドラジノ基を有していてもよい。

ヒドラジド化合物としては、例えば、カルボン酸ヒドラジド、及びスルホン酸ヒドラジドが挙げられる。なかでも、カルボヒドラジド（ＣＨＺ）が好ましい。
Ｃｏを含有する金属膜に対する腐食防止性能により優れる点で、ヒドロキシルアミン化合物としてＤＥＨＡをヒドラジド化合物と組み合わせて使用することが好ましい。

洗浄液がヒドラジド化合物を含む場合、ヒドラジド化合物の含有量は特に制限されないが、洗浄液の全質量に対して、０．００１～０．２質量％が好ましく、０．００５～０．１５質量％がより好ましく、０．０２～０．１５質量％が更に好ましい。
また、洗浄液がヒドラジド化合物を含む場合、ヒドラジド化合物の含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、１０～８０質量％が好ましく、２０～６０質量％がより好ましい。
また、洗浄液がヒドラジド化合物を含む場合、ヒドロキシルアミン化合物（より好ましくはＤＥＨＡ）の含有量とヒドラジド化合物の含有量との質量比は、１：５～５：１が好ましく、１：３～３：１がより好ましく、１：２～２：１が更に好ましく、４：５～５：４が特に好ましい。
Ｃｏを含有する金属膜に対する腐食防止性能により優れる点で、洗浄液は、ヒドラジド化合物を含み、且つ、ヒドラジド化合物以外の還元剤を更に含むことが好ましい。

（還元性硫黄化合物）
洗浄液は、還元剤として還元性硫黄化合物を含んでいてもよい。
還元性硫黄化合物は、硫黄原子を含み、還元剤としての機能を有する化合物であれば特に制限されないが、例えば、メルカプトコハク酸、ジチオジグリセロール、ビス（２，３－ジヒドロキシプロピルチオ）エチレン、３－（２，３－ジヒドロキシプロピルチオ）－２－メチル－プロピルスルホン酸ナトリウム、１－チオグリセロール、３－メルカプト－１－プロパンスルホン酸ナトリウム、２－メルカプトエタノール、チオグリコール酸、及び３－メルカプト－１－プロパノールが挙げられる。
なかでも、ＳＨ基を有する化合物（メルカプト化合物）が好ましく、１－チオグリセロール、３－メルカプト－１－プロパンスルホン酸ナトリウム、２－メルカプトエタノール、３－メルカプト－１－プロパノール、又はチオグリコール酸がより好ましい。

還元剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。腐食防止性能（特にＣｏを含む金属膜に対する腐食防止性能）により優れる点で、洗浄液は、２種以上の還元剤を含むことが好ましい。
洗浄液が還元剤を含む場合、還元剤の含有量は特に制限されないが、洗浄液の全質量に対して、０．００００１～０．２質量％が好ましく、０．０００１～０．１５質量％がより好ましい。
また、洗浄液が還元剤を含む場合、還元剤の含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．０１～８０質量％が好ましく、０．０５～６０質量％がより好ましい。
なお、これらの還元剤は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法に従って合成したものを用いてもよい。

＜アミン化合物＞
洗浄液は、分子内に第１級アミノ基（－ＮＨ_２）を有する第１級アミン、分子内に第２級アミノ基（＞ＮＨ）を有する第２級アミン、分子内に第３級アミノ基（＞Ｎ－）を有する第３級アミン、第４級アンモニウムカチオンを有する第４級アンモニウム化合物、及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種であるアミン化合物を含んでいてもよい。
なお、本明細書において、上記のアミンオキシド化合物、ヒドロキシルアミン化合物、キレート剤又は還元剤に含まれる化合物は、アミン化合物に含まれない。

（第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミン）
洗浄液は、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンからなる群より選択される少なくとも１種（以下「第１級～第３級アミン」ともいう。）を含んでいてもよい。
洗浄液は、欠陥抑制性能（特にＣｕ又はＣｏを含む金属膜に対する欠陥抑制性能）により優れる点で、第１級～第３級アミンを含むことが好ましい。
第１級～第３級アミンとしては、例えば、アミノアルコール、環状構造を有するアミン、及びそれら以外のモノアミンが挙げられる。
また、第１級～第３級アミンの塩としては、例えば、Ｃｌ、Ｓ、Ｎ及びＰからなる群より選択される少なくとも１種の非金属が水素と結合してなる無機酸の塩が挙げられ、塩酸塩、硫酸塩、又は硝酸塩が好ましい。

－アミノアルコール－
アミノアルコールは、第１級～第３級アミンのうち、分子内に少なくとも１つのヒドロキシルアルキル基を更に有する化合物である。アミノアルコールは、第１級～第３級アミノ基のいずれを有していてもよいが、第１級アミノ基を有することが好ましい。

アミノアルコールとしては、例えば、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、２－アミノ－２－メチル－１－プロパノール（ＡＭＰ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、ジエチレングリコールアミン（ＤＥＧＡ）、トリスヒドロキシメチルアミノメタン（Ｔｒｉｓ）、２－（メチルアミノ）－２－メチル－１－プロパノール（Ｎ－ＭＡＭＰ）、ジメチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド（ＡＨ２１２）、及び２－（２－アミノエチルアミノ）エタノールが挙げられる。
なかでも、ＡＭＰ、Ｎ－ＭＡＭＰ、ＭＥＡ、ＤＥＡ、Ｔｒｉｓ又はＤＥＧＡが好ましく、ＡＭＰ又はＭＥＡがより好ましい。

－環状構造を有するアミン－
環状構造を有するアミンの環状構造は、特に制限されず、例えば、環を構成する原子の少なくとも１つが窒素原子であるヘテロ環（含窒素ヘテロ環）が挙げられる。
環状構造を有するアミンとしては、例えば、アゾール化合物、ピリジン化合物、ピラジン化合物、ピリミジン化合物、ピペラジン化合物、及び環状アミジン化合物が挙げられる。

アゾール化合物は、窒素原子を少なくとも１つ含み、芳香族性を有するヘテロ５員環を有する化合物である。アゾール化合物が有するヘテロ５員環に含まれる窒素原子の個数は、特に制限されず、２～４個が好ましく、３又は４個がより好ましい。
アゾール化合物としては、例えば、イミダゾール化合物、ピラゾール化合物、チアゾール化合物、トリアゾール化合物、及びテトラゾール化合物が挙げられ、トリアゾール化合物、又はテトラゾール化合物が好ましく、１，２，４－トリアゾ－ル、５－アミノテトラゾール、又は１Ｈ－テトラゾールがより好ましい。

ピリジン化合物は、窒素原子を１つ含み、芳香族性を有するヘテロ６員環（ピリジン環）を有する化合物である。
ピリジン化合物としては、具体的には、ピリジン、３－アミノピリジン、４－アミノピリジン、３－ヒドロキシピリジン、４－ヒドロキシピリジン、２－アセトアミドピリジン、２－シアノピリジン、２－カルボキシピリジン、及び４－カルボキシピリジンが挙げられる。

ピラジン化合物は、芳香族性を有し、パラ位に位置する窒素原子を２つ含むヘテロ６員環（ピラジン環）を有する化合物であり、ピリミジン化合物は、芳香族性を有し、メタ位に位置する窒素原子を２つ含むヘテロ６員環（ピリミジン環）を有する化合物である。
ピラジン化合物としては、例えば、ピラジン、２－メチルピラジン、２，５－ジメチルピラジン、２，３，５－トリメチルピラジン、２，３，５，６－テトラメチルピラジン、２－エチル－３－メチルピラジン、及び２－アミノ－５－メチルピラジンが挙げられる。
ピリミジン化合物としては、例えば、ピリミジン、２－メチルピリミジン、２－アミノピリミジン、及び４，６－ジメチルピリミジンが挙げられる。

ピペラジン化合物は、シクロヘキサン環の対向する－ＣＨ－基が窒素原子に置き換わったヘテロ６員環（ピペラジン環）を有する化合物である。ピペラジン化合物は、欠陥抑制性能（特にＣｕ又はＣｏを含む金属膜に対する欠陥抑制性能）により優れる点で、好ましい。
ピペラジン化合物は、ピペラジン環上に置換基を有してもよい。そのような置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数１～４のアルキル基、及び炭素数６～１０のアリール基が挙げられる。

ピペラジン化合物としては、例えば、ピペラジン、１－メチルピペラジン、１－エチルピペラジン、１－プロピルピペラジン、１－ブチルピペラジン、２－メチルピペラジン、１，４－ジメチルピペラジン、２，５－ジメチルピペラジン、２，６－ジメチルピペラジン、１－フェニルピペラジン、２－ヒドロキシピペラジン、２－ヒドロキシメチルピペラジン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン（ＨＥＰ）、Ｎ－（２－アミノエチル）ピペラジン（ＡＥＰ）、１，４－ビス（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン（ＢＨＥＰ）、１，４―ビス（２－アミノエチル）ピペラジン（ＢＡＥＰ）、及び１，４－ビス（３－アミノプロピル）ピペラジン（ＢＡＰＰ）が挙げられ、ピペラジン、１－メチルピペラジン、２－メチルピペラジン、ＨＥＰ、ＡＥＰ、ＢＨＥＰ、ＢＡＥＰ又はＢＡＰＰが好ましく、ピペラジンがより好ましい。

環状アミジン化合物は、環内にアミジン構造（＞Ｎ－Ｃ＝Ｎ－）を含むヘテロ環を有する化合物である。
環状アミジン化合物が有する上記のヘテロ環の環員数は、特に制限されないが、５又は６個が好ましく、６個がより好ましい。
環状アミジン化合物としては、例えば、ジアザビシクロウンデセン（１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン：ＤＢＵ）、ジアザビシクロノネン（１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ－５－エン：ＤＢＮ）、３，４，６，７，８，９，１０，１１－オクタヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１．２－ａ］アゾシン、３，４，６，７，８，９－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリド［１．２－ａ］ピリミジン、２，５，６，７－テトラヒドロ－３Ｈ－ピロロ［１．２－ａ］イミダゾール、３－エチル－２，３，４，６，７，８，９，１０－オクタヒドロピリミド［１．２－ａ］アゼピン、及びクレアチニンが挙げられる。

環状構造を有するアミンとしては、上記以外に、例えば、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、及びイミダゾリジンチオン等の芳香族性を有さないヘテロ５員環を有する化合物、並びに窒素原子を含む７員環を有する化合物が挙げられる。

環状構造を有するアミンとしては、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、ピペラジン化合物、又は環状アミジン化合物が好ましく、ピペラジン化合物がより好ましい。

－モノアミン－
アミノアルコール及び環状構造を有するアミン化合物以外のモノアミンとしては特に制限されないが、例えば、下記式（ａ）で表される化合物（以下「化合物（ａ）」とも記載する）が挙げられる。
ＮＨ_ｘＲ_{（３－ｘ）} （ａ）
式中、Ｒは炭素数１～３のアルキル基を表し、ｘは０～２の整数を表す。
炭素数１～３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、及びイソプロピル基が挙げられ、エチル基又はｎ－プロピル基が好ましい。

化合物（ａ）としては、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、及びトリエチルアミンが挙げられ、エチルアミン、プロピルアミン、ジエチルアミン又はトリエチルアミンが好ましい。

化合物（ａ）以外のモノアミンとしては、例えば、ベンジルアミン、ｎ－ブチルアミン、３－メトキシプロピルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、ｎ－ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ｎ－オクチルアミン、２－エチルヘキシルアミン、及び４－（２－アミノエチル）モルホリン（ＡＥＭ）が挙げられる。

また、第１級～第３級アミンとしては、国際公開第２０１３／１６２０２０号明細書の段落［００３４］～［００５６］に記載の化合物が援用でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

洗浄液に含まれる第１級～第３級アミンとしては、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、２－アミノ－２－メチル－１－プロパノール（ＡＭＰ）、２－（メチルアミノ）－２－メチル－１－プロパノール（Ｎ－ＭＡＭＰ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、ジエチレングリコールアミン（ＤＥＧＡ）、トリスヒドロキシメチルアミノメタン（Ｔｒｉｓ）、ピペラジン、Ｎ－（２－アミノエチル）ピペラジン（ＡＥＰ）、１，４－ビス（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン（ＢＨＥＰ）、１，４―ビス（２－アミノエチル）ピペラジン（ＢＡＥＰ）、又は、１，４―ビス（３－アミノプロピル）ピペラジン（ＢＡＰＰ）が好ましい。

第１級～第３級アミンは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。洗浄液は、欠陥抑制性能（特にＣｏを含む金属膜に対する欠陥抑制性能）に更に優れる点で、２種以上の第１級～第３級アミンを含むことが好ましい。
洗浄液が、第１級～第３級アミンを含む場合、その含有量は、洗浄液の全質量に対して、０．０００１～０．１５質量％が好ましく、０．０００３～０．１質量％がより好ましい。
また、洗浄液が第１級～第３級アミンを含む場合、第１級～第３級アミンの含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．０３～３０質量％が好ましく、０．１～１０質量％がより好ましい。

（第４級アンモニウム化合物）
洗浄液は、第４級アンモニウム化合物を含んでいてもよい。
第４級アンモニウム化合物は、窒素原子に４つの炭化水素基（好ましくはアルキル基）が置換してなる第４級アンモニウムカチオンを有する化合物であれば、特に制限されない。第４級アンモニウム化合物としては、例えば、第４級アンモニウム水酸化物、第４級アンモニウムフッ化物、第４級アンモニウム臭化物、第４級アンモニウムヨウ化物、第４級アンモニウムの酢酸塩、及び第４級アンモニウムの炭酸塩が挙げられる。

第４級アンモニウム化合物としては、下記式（４）で表される第４級アンモニウム水酸化物が好ましい。
（Ｒ^８）_４Ｎ^＋ＯＨ^－ （４）
式中、Ｒ^８は、置換基としてヒドロキシ基又はフェニル基を有していてもよいアルキル基を表す。４つのＲ^８は、互いに同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ^８で表されるアルキル基としては、炭素数１～４のアルキル基が好ましく、メチル基、又はエチル基がより好ましい。
Ｒ^８で表されるヒドロキシ基又はフェニル基を有していてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２－ヒドロキシエチル基、又はベンジル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、又は２－ヒドロキシエチル基がより好ましく、メチル基、エチル基、又は２－ヒドロキシエチル基が更に好ましい。

第４級アンモニウム化合物としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＥＡＨ）、ジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド（ＤＥＤＭＡＨ）、トリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）、ビス（２－ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウムヒドロキシド、トリ（２－ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（ＢＴＭＡＨ）、及びセチルトリメチルアンモニウムヒドロキシドが挙げられる。
上記の具体例以外の第４級アンモニウム化合物としては、例えば、特開２０１８－１０７３５３号公報の段落［００２１］に記載の化合物が援用でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

洗浄液に使用する第４級アンモニウム化合物としては、ＴＭＡＨ、ＴＭＥＡＨ、ＤＥＤＭＡＨ、ＴＥＡＨ、ＴＰＡＨ、ＴＢＡＨ、コリン、又はビス（２－ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましく、コリンがより好ましい。

また、耐ダメージ性に優れる点から、第４級アンモニウム化合物は非対称構造を有することが好ましい。第４級アンモニウム化合物が「非対称構造を有する」とは、窒素原子に置換する４つの炭化水素基がいずれも同一ではないことを意味する。
非対称構造を有する第４級アンモニウム化合物としては、例えば、ＴＭＥＡＨ、ＤＥＤＭＡＨ、ＴＥＭＡＨ、コリン、及びビス（２－ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウムヒドロキシドが挙げられ、コリンが好ましい。

第４級アンモニウム化合物は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
洗浄液が第４級アンモニウム化合物を含む場合、その含有量は、洗浄液の全質量に対して、０．０００１～０．１５質量％が好ましく、０．０００３～０．１質量％がより好ましい。
また、洗浄液が第４級アンモニウム化合物を含む場合、第４級アンモニウム化合物の含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．０３～３０質量％が好ましく、０．１～１０質量％がより好ましい。

アミン化合物は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
洗浄液がアミン化合物を含む場合、その含有量は、洗浄液の全質量に対して、０．０００１～０．１５質量％が好ましく、０．０００３～０．１質量％がより好ましい。
また、洗浄液がアミン化合物を含む場合、アミン化合物の含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．０３～３０質量％が好ましく、０．１～１０質量％がより好ましい。
また、アミン化合物を用いて洗浄液のｐＨを調整する場合、アミン化合物の含有量を、目的とする洗浄液のｐＨに応じて適宜調整してもよい。

＜界面活性剤＞
洗浄液は、界面活性剤を含んでいてもよい。
界面活性剤としては、１分子中に親水基と疎水基（親油基）とを有する化合物であれば特に制限されず、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、及び両性界面活性剤が挙げられる。
洗浄液は、本発明の効果（特にＣｏを含む金属膜に対する欠陥抑制性能及び腐食防止性能）がより優れる点で、界面活性剤を含むことが好ましい。

界面活性剤は、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、及びそれらの組合せから選択される疎水基を有する場合が多い。界面活性剤が有する疎水基としては、特に制限されないが、疎水基が芳香族炭化水素基を含む場合、炭素数が６以上であることが好ましく、炭素数１０以上であることがより好ましい。疎水基が芳香族炭化水素基を含まず、脂肪族炭化水素基のみから構成される場合、炭素数が９以上であることが好ましく、炭素数が１３以上であることがより好ましく、炭素数が１６以上であることが更に好ましい。疎水基の炭素数の上限は特に制限されないが、２０以下が好ましく、１８以下がより好ましい。

（アニオン性界面活性剤）
洗浄液に使用できるアニオン性界面活性剤としては、例えば、それぞれが親水基（酸基）として、リン酸エステル基を有するリン酸エステル系界面活性剤、ホスホン酸基を有するホスホン酸系界面活性剤、スルホ基を有するスルホン酸系界面活性剤、カルボキシ基を有するカルボン酸系界面活性剤、及び硫酸エステル基を有する硫酸エステル系界面活性剤が挙げられる。

－リン酸エステル系界面活性剤－
リン酸エステル系界面活性剤としては、例えば、リン酸エステル（アルキルエーテルリン酸エステル）、及びポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステル、並びにこれらの塩が挙げられる。リン酸エステル及びポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルは、モノエステル及びジエステルの両者を含むことが多いが、モノエステル又はジエステルを単独で使用できる。
リン酸エステル系界面活性剤の塩としては、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、及び有機アミン塩が挙げられる。
リン酸エステル及びポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルが有する１価の脂肪族炭化水素基としては、特に制限されないが、炭素数２～２４のアルキル基又はアルケニル基が好ましく、炭素数６～１８のアルキル基又はアルケニル基がより好ましく、炭素数１２～１８のアルキル基又はアルケニル基が更に好ましい。
ポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルが有する２価のアルキレン基としては、特に制限されないが、炭素数２～６のアルキレン基が好ましく、エチレン基、又は１，２－プロパンジイル基がより好ましい。また、ポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルにおけるオキシアルキレン基の繰返し数は、１～１２が好ましく、３～１０がより好ましい。

リン酸エステル系界面活性剤としては、オクチルリン酸エステル、ラウリルリン酸エステル、トリデシルリン酸エステル、ミリスチルリン酸エステル、セチルリン酸エステル、ステアリルリン酸エステル、又は、オキシアルキレン基の繰返し数が３～１０であるポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルが好ましく、オキシアルキレン基の繰返し数が３～１０であるポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルがより好ましい。

リン酸エステル系界面活性剤としては、特開２０１１－０４０５０２号公報の段落［００１２］～［００１９］に記載の化合物も援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
また、市販されているポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルとしては、クローダジャパン株式会社製「ＣＲＯＤＡＦＯＳ－０３Ａ－ＬＱ」及び「ＣＲＯＤＡＦＯＳ－１０Ａ－ＬＱ」（いずれも商品名）が挙げられる。

－ホスホン酸系界面活性剤－
ホスホン酸系界面活性剤としては、例えば、アルキルホスホン酸、及びポリビニルホスホン酸、並びに、特開２０１２－０５７１０８号公報に記載のアミノメチルホスホン酸が挙げられる。

－スルホン酸系界面活性剤－
スルホン酸系界面活性剤としては、例えば、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、アルキルメチルタウリン、スルホコハク酸ジエステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸、及びこれらの塩が挙げられる。

上記のスルホン酸系界面活性剤が有する１価のアルキル基としては、特に制限されないが、炭素数２～２４のアルキル基が好ましく、炭素数６～１８のアルキル基がより好ましい。
また、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸が有する２価のアルキレン基としては、特に制限されないが、エチレン基、又は１，２－プロパンジイル基が好ましい。また、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸におけるオキシアルキレン基の繰返し数は、１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。

スルホン酸系界面活性剤の具体例としては、ヘキサンスルホン酸、オクタンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、トルエンスルホン酸、クメンスルホン酸、オクチルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸（ＤＢＳＡ）、ジニトロベンゼンスルホン酸（ＤＮＢＳＡ）、及びラウリルドデシルフェニルエーテルジスルホン酸（ＬＤＰＥＤＳＡ）が挙げられる。

－カルボン酸系界面活性剤－
カルボン酸系界面活性剤としては、例えば、アルキルカルボン酸、アルキルベンゼンカルボン酸、及びポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸、並びにこれらの塩が挙げられる。
上記のカルボン酸系界面活性剤が有する１価のアルキル基としては、特に制限されないが、炭素数７～２５のアルキル基が好ましく、炭素数１１～１７のアルキル基がより好ましい。
また、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸が有する２価のアルキレン基としては、特に制限されないが、エチレン基、又は１，２－プロパンジイル基が好ましい。また、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸におけるオキシアルキレン基の繰返し数は、１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。

カルボン酸系界面活性剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ポリオキシエチレンラウリルエーテル酢酸、及びポリオキシエチレントリデシルエーテル酢酸が挙げられる。

－硫酸エステル系界面活性剤－
硫酸エステル系界面活性剤としては、例えば、硫酸エステル（アルキルエーテル硫酸エステル）、及びポリオキシアルキレンエーテル硫酸エステル、並びにこれらの塩が挙げられる。
硫酸エステル及びポリオキシアルキレンエーテル硫酸エステルが有する１価のアルキル基としては、特に制限されないが、炭素数２～２４のアルキル基が好ましく、炭素数６～１８のアルキル基がより好ましい。
ポリオキシアルキレンエーテル硫酸エステルが有する２価のアルキレン基としては、特に制限されないが、エチレン基、又は１，２－プロパンジイル基が好ましい。また、ポリオキシアルキレンエーテル硫酸エステルにおけるオキシアルキレン基の繰返し数は、１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。
硫酸エステル系界面活性剤の具体例としては、ラウリル硫酸エステル、ミリスチル硫酸エステル、及びポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸エステルが挙げられる。

（カチオン性界面活性剤）
カチオン性界面活性剤としては、例えば、第１級～第３級のアルキルアミン塩（例えば、モノステアリルアンモニウムクロライド、ジステアリルアンモニウムクロライド、及びトリステアリルアンモニウムクロライド等）、並びに変性脂肪族ポリアミン（例えば、ポリエチレンポリアミン等）が挙げられる。

（ノニオン性界面活性剤）
ノニオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル（例えば、ポリオキシエチレンステアリルエーテル等）、ポリオキシアルキレンアルケニルエーテル（例えば、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等）、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル（例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等）、ポリオキシアルキレングリコール（例えば、ポリオキシプロピレンポリオキシエチレングリコール等）、ポリオキシアルキレンモノアルキレート（モノアルキル脂肪酸エステルポリオキシアルキレン）（例えば、ポリオキシエチレンモノステアレート、及びポリオキシエチレンモノオレート等のポリオキシエチレンモノアルキレート）、ポリオキシアルキレンジアルキレート（ジアルキル脂肪酸エステルポリオキシアルキレン）（例えば、ポリオキシエチレンジステアレート、及びポリオキシエチレンジオレート等のポリオキシエチレンジアルキレート）、ビスポリオキシアルキレンアルキルアミド（例えば、ビスポリオキシエチレンステアリルアミド等）、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、グリセリン脂肪酸エステル、オキシエチレンオキシプロピレンブロックコポリマー、アセチレングリコール系界面活性剤、及びアセチレン系ポリオキシエチレンオキシドが挙げられる。

（両性界面活性剤）
両性界面活性剤としては、例えば、カルボキシベタイン（例えば、アルキル－Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ酢酸ベタイン及びアルキル－Ｎ，Ｎ－ジヒドロキシエチルアミノ酢酸ベタイン等）、スルホベタイン（例えば、アルキル－Ｎ，Ｎ－ジメチルスルホエチレンアンモニウムベタイン等）、並びに、イミダゾリニウムベタイン（例えば、２－アルキル－Ｎ－カルボキシメチル－Ｎ－ヒドロキシエチルイミダソリニウムベタイン等）が挙げられる。

界面活性剤としては、特開２０１５－１５８６６２号公報の段落［００９２］～［００９６］、特開２０１２－１５１２７３号公報の段落［００４５］～［００４６］、及び特開２００９－１４７３８９号公報の段落［００１４］～［００２０］に記載の化合物も援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

界面活性剤としては、リン酸エステル系界面活性剤、スルホン酸系界面活性剤、ホスホン酸系界面活性剤、及びカルボン酸系界面活性剤からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、リン酸エステル系界面活性剤がより好ましい。

これらの界面活性剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。欠陥抑制性能（特にＣｕを含む金属膜に対する欠陥抑制性能）により優れる点で、洗浄液は、２種以上の界面活性剤を含むことが好ましい。

洗浄液が界面活性剤を含む場合、その含有量は、洗浄液の全質量に対して、０．００００１～０．０５質量％が好ましく、０．００００５～０．０３質量％がより好ましく、０．０００１～０．０１質量％が更に好ましい。
また、洗浄液が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．０１～５質量％が好ましく、０．０２～２質量％がより好ましい。
なお、これらの界面活性剤としては、市販のものを用いればよい。

＜添加剤＞
洗浄液は、必要に応じて、上記成分以外の添加剤を含んでいてもよい。そのような添加剤としては、ｐＨ調整剤、防食剤、重合体、フッ素化合物、及び有機溶剤が挙げられる。

（ｐＨ調整剤）
洗浄液は、洗浄液のｐＨを調整及び維持するためにｐＨ調整剤を含んでいてもよい。ｐＨ調整剤としては、上記成分以外の塩基性化合物及び酸性化合物が挙げられる。

塩基性化合物としては、塩基性有機化合物及び塩基性無機化合物が挙げられる。
塩基性有機化合物は、上記のヒドロキシルアミン化合物、アミンオキシド化合物及びアミン化合物とは異なる塩基性の有機化合物である。塩基性有機化合物としては、例えば、ニトロ、ニトロソ、オキシム、ケトオキシム、アルドオキシム、ラクタム、イソシアニド化合物、及び尿素が挙げられる。

塩基性無機化合物としては、例えば、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、及びアンモニアが挙げられる。
アルカリ金属水酸化物としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、及び水酸化セシウムが挙げられる。アルカリ土類金属水酸化物としては、例えば、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム、及び水酸化バリウムが挙げられる。

また、洗浄液に含まれるヒドロキシルアミン化合物、アミンオキシド化合物、及び／又は、アミン化合物が、洗浄液のｐＨを上昇させるための塩基性化合物としての役割を兼ねていてもよい。
これらの塩基性化合物は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法によって適宜合成したものを用いてもよい。

酸性化合物としては、例えば、無機酸及び有機酸が挙げられる。
無機酸としては、例えば、塩酸、硫酸、亜硫酸、硝酸、亜硝酸、リン酸、ホウ酸、及び六フッ化リン酸が挙げられる。また、無機酸の塩を使用してもよく、例えば、無機酸のアンモニウム塩が挙げられ、より具体的には、塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム、亜硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、亜硝酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、ホウ酸アンモニウム、及び六フッ化リン酸アンモニウムが挙げられる。
無機酸としては、リン酸、又はリン酸塩が好ましく、リン酸がより好ましい。

有機酸は、酸性の官能基を有し、水溶液中で酸性（ｐＨが７．０未満）を示す有機化合物であって、上記のキレート剤、及び上記のアニオン性界面活性剤のいずれにも含まれない化合物である。有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、及び酪酸等の低級（炭素数１～４）脂肪族モノカルボン酸が挙げられる。

酸性化合物としては、水溶液中で酸又は酸イオン（アニオン）となるものであれば、酸性化合物の塩を用いてもよい。
また、洗浄液に含まれるキレート剤、及び／又はアニオン性界面活性剤が、洗浄液のｐＨを低下させるための酸性化合物としての役割を兼ねていてもよい。
酸性化合物は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法によって適宜合成したものを用いてもよい。

ｐＨ調整剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
洗浄液がｐＨ調整剤を含む場合、その含有量は、他の成分の種類及び量、並びに目的とする洗浄液のｐＨに応じて選択されるが、洗浄液の全質量に対して、０．０００１～０．０３質量％が好ましく、０．０００５～０．０１質量％がより好ましい。
また、洗浄液がｐＨ調整剤を含む場合、ｐＨ調整剤の含有量は、洗浄液中の溶剤を除いた成分の合計質量に対して、０．０１～５質量％が好ましく、０．０２～２質量％がより好ましい。

洗浄液は、上述した各成分を除く他の防食剤を含んでいてもよい。
他の防食剤としては、例えば、フルクトース、グルコース及びリボース等の糖類、エチレングリコール、プロピレングリコール、及びグリセリン等のポリオール化合物、ポリアクリル酸、ポリマレイン酸、及びこれらの共重合体等のポリカルボン酸化合物、ポリビニルピロリドン、シアヌル酸、バルビツール酸及びその誘導体、グルクロン酸、スクアリン酸、α－ケト酸、アデノシン及びその誘導体、プリン化合物及びその誘導体、フェナントロリン、レゾルシノール、ヒドロキノン、ニコチンアミド及びその誘導体、フラボノ－ル及びその誘導体、アントシアニン及びその誘導体、並びにこれらの組み合わせが挙げられる。

重合体としては、特開２０１６－１７１２９４号公報の段落［００４３］～［００４７］に記載の水溶性重合体が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
フッ素化合物としては、特開２００５－１５０２３６号公報の段落［００１３］～［００１５］に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
有機溶剤としては、公知の有機溶剤をいずれも使用できるが、アルコール、及びケトン等の親水性有機溶剤が好ましい。有機溶剤は、単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
重合体、フッ素化合物、及び有機溶剤の使用量は特に制限されず、本発明の効果を妨げない範囲で適宜設定すればよい。

なお、上記の各成分の洗浄液における含有量は、ガスクロマトグラフィー－質量分析（ＧＣ－ＭＳ：Gas Chromatography-Mass Spectrometry）法、液体クロマトグラフィー－質量分析（ＬＣ－ＭＳ：Liquid Chromatography-Mass Spectrometry）法、及びイオン交換クロマトグラフィー（ＩＣ：Ion-exchange Chromatography）法等の公知の方法によって測定できる。

〔洗浄液の物性〕
＜ｐＨ＞
洗浄液は、アルカリ性を示すことが好ましい。即ち、洗浄液のｐＨは、２５℃において、７．０超であることが好ましい。
洗浄液のｐＨは、２５℃において、７．５以上がより好ましく、８．０以上が更に好ましく、Ｃｕを含む金属膜に対する腐食防止性がより優れる点で、９．０超が特に好ましく、９．５以上が最も好ましい。洗浄液のｐＨの上限は特に制限されないが、２５℃において、１３．０以下が好ましく、１２．０以下がより好ましく、１１．５以下が更に好ましい。Ｃｏを含む金属膜に対する腐食防止性がより優れる点で、１１．０未満が特に好ましく、１０．５以下が最も好ましい。
洗浄液のｐＨは、上記のｐＨ調整剤、並びに、上記のヒドロキシルアミン化合物、アミンオキシド化合物、アミン化合物、キレート剤、及びアニオン性界面活性剤等のｐＨ調整剤の機能を有する成分を使用することにより、調整すればよい。
なお、洗浄液のｐＨは、公知のｐＨメーターを用いて、ＪＩＳ Ｚ８８０２－１９８４に準拠した方法により測定できる。

＜引火点＞
洗浄液は、取扱い時の処理を任意に変更できる点で、６０℃以上の引火点を有することが好ましく、引火点を有さないことがより好ましい。
本明細書において、引火点とは、ＪＩＳ Ｋ ２２６５－２：２００７に準拠して測定した引火点を意味し、「引火点を有さない」とは、－３０～３００℃の範囲内において上記の測定方法で測定したときに試料の引火が観測されないことを意味する。

＜金属含有量＞
洗浄液は、液中に不純物として含まれる金属（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＡｇの金属元素）の含有量（イオン濃度として測定される）がいずれも５質量ｐｐｍ以下であることが好ましく、１質量ｐｐｍ以下であることがより好ましい。最先端の半導体素子の製造においては、更に高純度の洗浄液が求められることが想定されることから、その金属含有量が１質量ｐｐｍよりも低い値、すなわち、質量ｐｐｂオーダー以下であることが更に好ましく、１００質量ｐｐｂ以下であることが特に好ましい。下限は特に制限されないが、０が好ましい。

金属含有量の低減方法としては、例えば、洗浄液を製造する際に使用する原材料の段階、又は洗浄液の製造後の段階において、蒸留、及びイオン交換樹脂又はフィルタを用いたろ過等の精製処理を行うことが挙げられる。
他の金属含有量の低減方法としては、原材料又は製造された洗浄液を収容する容器として、後述する不純物の溶出が少ない容器を用いることが挙げられる。また、洗浄液の製造時に配管等の部材から金属成分が溶出しないように、配管内壁等の部材の接液部にフッ素系樹脂のライニングを施すことも挙げられる。

＜粗大粒子＞
洗浄液は、粗大粒子を含んでいてもよいが、その含有量が低いことが好ましい。ここで、粗大粒子とは、粒子の形状を球体とみなした場合における直径（粒径）が０．４μｍ以上である粒子を意味する。
洗浄液における粗大粒子の含有量としては、粒径０．４μｍ以上の粒子の含有量が、洗浄液１ｍＬあたり１０００個以下であることが好ましく、５００個以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、０が挙げられる。また、上記の測定方法で測定された粒径０．４μｍ以上の粒子の含有量が検出限界以下であることが、更に好ましい。
洗浄液に含まれる粗大粒子は、原料に不純物として含まれる塵、埃、有機固形物、及び無機固形物等の粒子、並びに洗浄液の調製中に汚染物として持ち込まれる塵、埃、有機固形物、及び無機固形物等の粒子であって、最終的に洗浄液中で溶解せずに粒子として存在するものが該当する。
洗浄液中に存在する粗大粒子の含有量は、レーザを光源とした光散乱式液中粒子測定方式における市販の測定装置を利用して液相で測定できる。
粗大粒子の除去方法としては、例えば、後述するフィルタリング等の精製処理が挙げられる。

洗浄液は、その原料を複数に分割したキットとしてもよい。
洗浄液をキットとする方法としては、例えば、第１液としてヒドロキシルアミン化合物及びアミンオキシド化合物を含む液組成物を調製し、第２液として他の成分を含む液組成物を調製する態様が挙げられる。

〔洗浄液の製造〕
洗浄液は、公知の方法により製造できる。以下、洗浄液の製造方法について詳述する。

＜調液工程＞
洗浄液の調液方法は特に制限されず、例えば、上述した各成分を混合することにより洗浄液を製造できる。上述した各成分を混合する順序、及び／又はタイミングは特に制限されず、例えば、精製した純水を入れた容器に、ヒドロキシルアミン化合物、アミンオキシド化合物、並びに、キレート剤、還元剤、アミン化合物、界面活性剤、及び／又はｐＨ調整剤等の任意成分を順次添加した後、撹拌等の混合処理を行うことにより、調製する方法が挙げられる。また、水及び各成分を容器に添加する場合、一括して添加してもよいし、複数回にわたって分割して添加してもよい。

洗浄液の調液に使用する攪拌装置及び攪拌方法は、特に制限されず、攪拌機又は分散機として公知の装置を使用すればよい。攪拌機としては、例えば、工業用ミキサー、可搬型攪拌器、メカニカルスターラー、及びマグネチックスターラーが挙げられる。分散機としては、例えば、工業用分散器、ホモジナイザー、超音波分散器、及びビーズミルが挙げられる。

洗浄液の調液工程における各成分の混合、及び後述する精製処理、並びに製造された洗浄液の保管は、４０℃以下で行うことが好ましく、３０℃以下で行うことがより好ましい。また、５℃以上が好ましく、１０℃以上がより好ましい。上記の温度範囲で洗浄液の調液、処理及び／又は保管を行うことにより、長期間安定に性能を維持できる。

（精製処理）
洗浄液を調製するための原料のいずれか１種以上に対して、事前に精製処理を行うことが好ましい。精製処理としては、特に制限されず、蒸留、イオン交換、及びろ過等の公知の方法が挙げられる。
精製の程度としては、特に制限されないが、原料の純度が９９質量％以上となるまで精製することが好ましく、原料の純度が９９．９質量％以上となるまで精製することがより好ましい。

精製処理の具体的な方法としては、例えば、原料をイオン交換樹脂又はＲＯ膜（Reverse Osmosis Membrane）に通液する方法、原料の蒸留、及び後述するフィルタリングが挙げられる。
精製処理として、上述した精製方法を複数組み合わせて実施してもよい。例えば、原料に対して、ＲＯ膜に通液する１次精製を行った後、カチオン交換樹脂、アニオン交換樹脂、又は混床型イオン交換樹脂からなる精製装置に通液する２次精製を実施してもよい。 また、精製処理は、複数回実施してもよい。

（フィルタリング）
フィルタリングに用いるフィルタとしては、従来からろ過用途に用いられているものであれば特に制限されない。例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、及びテトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）等のフッ素樹脂、ナイロン等のポリアミド系樹脂、並びにポリエチレン及びポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度又は超高分子量を含む）からなるフィルタが挙げられる。これらの材料のなかでもポリエチレン、ポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）、フッ素樹脂（ＰＴＦＥ及びＰＦＡを含む）、及びポリアミド系樹脂（ナイロンを含む）からなる群より選ばれる材料が好ましく、フッ素樹脂のフィルタがより好ましい。これらの材料により形成されたフィルタを使用して原料のろ過を行うことで、欠陥の原因となり易い極性の高い異物を効果的に除去できる。

フィルタの臨界表面張力としては、７０～９５ｍＮ／ｍが好ましく、７５～８５ｍＮ／ｍがより好ましい。なお、フィルタの臨界表面張力の値は、製造メーカーの公称値である。臨界表面張力が上記範囲のフィルタを使用することで、欠陥の原因となり易い極性の高い異物を効果的に除去できる。

フィルタの孔径は、２～２０ｎｍであることが好ましく、２～１５ｎｍであることがより好ましい。この範囲とすることにより、ろ過詰まりを抑えつつ、原料中に含まれる不純物及び凝集物等の微細な異物を確実に除去することが可能となる。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照できる。

フィルタリングは１回のみであってもよいし、２回以上行ってもよい。フィルタリングを２回以上行う場合、用いるフィルタは同じであってもよいし、異なっていてもよい。

また、フィルタリングは室温（２５℃）以下で行うことが好ましく、２３℃以下がより好ましく、２０℃以下が更に好ましい。また、０℃以上が好ましく、５℃以上がより好ましく、１０℃以上が更に好ましい。上記の温度範囲でフィルタリングを行うことにより、原料中に溶解する粒子性の異物及び不純物の量を低減し、異物及び不純物を効率的に除去できる。

（容器）
洗浄液（キット又は後述する希釈液の態様を含む）は、腐食性等の問題が生じない限り、任意の容器に充填して保管、運搬、及び使用できる。

容器としては、半導体用途向けに、容器内のクリーン度が高く、容器の収容部の内壁から各液への不純物の溶出が抑制された容器が好ましい。そのような容器としては、半導体洗浄液用容器として市販されている各種容器が挙げられ、例えば、アイセロ化学（株）製の「クリーンボトル」シリーズ、及びコダマ樹脂工業製の「ピュアボトル」が挙げられるが、これらに制限されない。
また、洗浄液を収容する容器としては、その収容部の内壁等の各液との接液部が、フッ素系樹脂（パーフルオロ樹脂）、又は防錆及び金属溶出防止処理が施された金属で形成された容器が好ましい。
容器の内壁は、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、及びポリエチレン－ポリプロピレン樹脂からなる群より選択される１種以上の樹脂、もしくは、これとは異なる樹脂、又は、ステンレス、ハステロイ、インコネル、及びモネル等、防錆及び金属溶出防止処理が施された金属から形成されることが好ましい。

上記の異なる樹脂としては、フッ素系樹脂（パーフルオロ樹脂）が好ましい。このように、内壁がフッ素系樹脂である容器を用いることで、内壁が、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、又はポリエチレン－ポリプロピレン樹脂である容器と比べて、エチレン又はプロピレンのオリゴマーの溶出という不具合の発生を抑制できる。
このような内壁がフッ素系樹脂である容器の具体例としては、例えば、Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製 ＦｌｕｏｒｏＰｕｒｅＰＦＡ複合ドラムが挙げられる。また、特表平３－５０２６７７号公報の第４頁、国際公開第２００４／０１６５２６号明細書の第３頁、並びに国際公開第９９／０４６３０９号明細書の第９頁及び１６頁に記載の容器も使用できる。

また、容器の内壁には、上述したフッ素系樹脂の他に、石英及び電解研磨された金属材料（すなわち、電解研磨済みの金属材料）も好ましく用いられる。
上記電解研磨された金属材料の製造に用いられる金属材料は、クロム及びニッケルからなる群より選択される少なくとも１種を含み、クロム及びニッケルの含有量の合計が金属材料全質量に対して２５質量％超である金属材料であることが好ましい。そのような金属材料としては、例えば、ステンレス鋼、及びニッケル－クロム合金が挙げられる。
金属材料におけるクロム及びニッケルの含有量の合計は、金属材料全質量に対して３０質量％以上がより好ましい。
なお、金属材料におけるクロム及びニッケルの含有量の合計の上限値としては特に制限されないが、９０質量％以下が好ましい。

金属材料を電解研磨する方法としては特に制限されず、公知の方法を用いることができる。例えば、特開２０１５－２２７５０１号公報の段落［００１１］－［００１４］、及び特開２００８－２６４９２９号公報の段落［００３６］－［００４２］に記載された方法を使用できる。

これらの容器は、洗浄液を充填する前にその内部が洗浄されることが好ましい。洗浄に使用される液体は、その液中における金属不純物量が低減されていることが好ましい。洗浄液は、製造後にガロン瓶又はコート瓶等の容器にボトリングし、輸送、保管されてもよい。

保管における洗浄液中の成分の変化を防ぐ目的で、容器内を純度９９．９９９９５体積％以上の不活性ガス（窒素、又はアルゴン等）で置換しておいてもよい。特に、含水率が少ないガスが好ましい。また、輸送、及び保管に際しては、常温でもよいが、変質を防ぐため、－２０℃から２０℃の範囲に温度制御してもよい。

（クリーンルーム）
洗浄液の製造、容器の開封及び洗浄、洗浄液の充填を含めた取り扱い、処理分析、並びに測定は、全てクリーンルームで行うことが好ましい。クリーンルームは、１４６４４－１クリーンルーム基準を満たすことが好ましい。ＩＳＯ（国際標準化機構）クラス１、ＩＳＯクラス２、ＩＳＯクラス３、及びＩＳＯクラス４のいずれかを満たすことが好ましく、ＩＳＯクラス１又はＩＳＯクラス２を満たすことがより好ましく、ＩＳＯクラス１を満たすことが更に好ましい。

＜希釈工程＞
上述した洗浄液は、原材料、保管及び運搬にかかるコストの点から、使用時よりも水及び有機溶剤等の溶剤の含有量が少ない濃縮液の形態の洗浄液を調製し、水等の希釈剤を用いて希釈する希釈工程を経た後、半導体基板の洗浄に供することが好ましい。

希釈工程における洗浄液の希釈率は、各成分の種類、及び含有量、並びに洗浄対象である半導体基板に応じて適宜調整すればよいが、希釈前の洗浄液に対する希釈洗浄液の比率は、質量比で５～５０００倍が好ましく、１０～１０００倍がより好ましく、２０～５００倍が更に好ましい。
また、欠陥抑制性能により優れる点で、洗浄液は水で希釈されることが好ましい。

洗浄液が濃縮液の形態にあるとき、各成分の含有量は下記の範囲内にあることが好ましい。
アミンオキシド化合物の含有量は、濃縮洗浄液の全質量に対して、０．００１～１５質量％が好ましく、０．００１～１０質量％がより好ましく、０．００１～５質量％が更に好ましい。
ヒドロキシルアミン化合物の含有量は、濃縮洗浄液の全質量に対して、０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、２．０質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましい。
濃縮洗浄液における水の含有量は、アミンオキシド化合物、ヒドロキシルアミン化合物、及び、上述した任意成分の残部であればよい。水の含有量は、濃縮洗浄液の全質量に対して、１質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、６０質量％以上が更に好ましく、８５質量％以上が特に好ましい。上限は特に制限されないが、濃縮洗浄液の全質量に対して、９９質量％以下が好ましく、９５質量％以下がより好ましい。

濃縮洗浄液がキレート剤を含む場合、キレート剤の含有量は、濃縮洗浄液の全質量に対して、２５質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、２．０質量％未満が更に好ましく、０．８質量％以下が特に好ましい。下限は特に制限されないが、濃縮洗浄液の全質量に対して、０．００１質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０５質量％以上が更に好ましい。

濃縮洗浄液が還元剤を含む場合、還元剤の含有量は特に制限されないが、濃縮洗浄液の全質量に対して、０．００１～２０質量％が好ましく、０．０１～１５質量％がより好ましい。
濃縮洗浄液がヒドラジド化合物を含む場合、ヒドラジド化合物の含有量は特に制限されないが、濃縮洗浄液の全質量に対して、０．１～２０質量％が好ましく、０．５～１５質量％がより好ましく、２～１５質量％が更に好ましい。

濃縮洗浄液がアミン化合物を含む場合、その含有量は、濃縮洗浄液の全質量に対して、０．０１～１５質量％が好ましく、０．０３～１０質量％がより好ましい。
濃縮洗浄液が、第１級～第３級アミンを含む場合、その含有量は、濃縮洗浄液の全質量に対して、０．０１～１５質量％が好ましく、０．０３～１０質量％がより好ましい。
濃縮洗浄液が第４級アンモニウム化合物を含む場合、その含有量は、濃縮洗浄液の全質量に対して、０．０１～１５質量％が好ましく、０．０３～１０質量％がより好ましい。

濃縮洗浄液が界面活性剤を含む場合、その含有量は、濃縮洗浄液の全質量に対して、０．００１～５．０質量％が好ましく、０．００５～３．０質量％がより好ましく、０．０１～１．０質量％が更に好ましい。
濃縮洗浄液がｐＨ調整剤を含む場合、その含有量は、他の成分の種類及び量、並びに目的とする洗浄液のｐＨに応じて選択されるが、濃縮洗浄液の全質量に対して、０．０１～３質量％が好ましく、０．０５～１質量％がより好ましい。

濃縮洗浄液のｐＨは、２５℃において、７．０超が好ましく、８．０以上がより好ましく、１０．０超が更に好ましく、１０．５以上が特に好ましい。濃縮洗浄液のｐＨの上限は特に制限されないが、２５℃において、１３．０以下が好ましく、１２．０以下がより好ましく、１２．０未満が更に好ましく、１１．５以下が特に好ましい。
希釈前後におけるｐＨの変化（希釈前の洗浄液のｐＨと希釈洗浄液のｐＨとの差分）は、１．０以下が好ましく、０．８以下がより好ましく、０．５以下が更に好ましい。

洗浄液を希釈する希釈工程の具体的方法は、特に制限されず、上記の洗浄液の調液工程に準じて行えばよい。希釈工程で使用する攪拌装置、及び攪拌方法もまた、特に制限されず、上記の洗浄液の調液工程において挙げた公知の攪拌装置を使用して行えばよい。

希釈工程に用いる水に対しては、事前に精製処理を行うことが好ましい。また、希釈工程により得られた希釈洗浄液に対して、精製処理を行うことが好ましい。
精製処理としては、特に制限されず、上述した洗浄液に対する精製処理として記載した、イオン交換樹脂又はＲＯ膜を用いたイオン成分低減処理、及びフィルタリングを用いた異物除去が挙げられ、これらのうちいずれかの処理を行うことが好ましい。

［洗浄液の用途］
洗浄液は、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理が施された半導体基板を洗浄する洗浄工程に使用される。また、洗浄液は、半導体基板の製造プロセスにおける半導体基板の洗浄に使用でき、後述するバフ研磨処理用組成物としても使用できる。
なお、上述のとおり、実際の半導体基板の洗浄には、洗浄液を希釈して得られる希釈洗浄液が使用される。

〔洗浄対象物〕
洗浄液の洗浄対象物としては、例えば、金属含有物を有する半導体基板が挙げられる。
なお、本明細書における「半導体基板上」は、例えば、半導体基板の表裏、側面、及び、溝内のいずれも含む。また、半導体基板上の金属含有物とは、半導体基板の表面上に直接金属含有物がある場合のみならず、半導体基板上に他の層を介して金属含有物がある場合も含む。

金属含有物に含まれる金属は、例えば、Ｃｕ（銅）、Ｃｏ（コバルト）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｐｔ（白金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｎ（マンガン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｌａ（ランタン）、及び、Ｉｒ（イリジウム）からなる群より選択される少なくとも１種の金属Ｍが挙げられる。

金属含有物は、金属（金属原子）を含む物質でありさえすればよく、例えば、金属Ｍの単体、金属Ｍを含む合金、金属Ｍの酸化物、金属Ｍの窒化物、及び、金属Ｍの酸窒化物が挙げられる。
また、金属含有物は、これらの化合物のうちの２種以上を含む混合物でもよい。
なお、上記酸化物、窒化物、及び、酸窒化物は、金属を含む、複合酸化物、複合窒化物、及び、複合酸窒化物でもよい。
金属含有物中の金属原子の含有量は、金属含有物の全質量に対して、１０質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上が更に好ましい。上限は、金属含有物が金属そのものであってもよいことから、１００質量％である。

半導体基板は、金属Ｍ含有物を有することが好ましく、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ及びＲｕからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属含有物を有することがより好ましく、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｒｕ、及びＷからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属含有物を有することが更に好ましい。

洗浄液の洗浄対象物である半導体基板は、特に制限されず、例えば、半導体基板を構成するウエハの表面に、金属配線膜、バリアメタル、及び絶縁膜を有する基板が挙げられる。

半導体基板を構成するウエハの具体例としては、シリコン（Ｓｉ）ウエハ、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）ウエハ、シリコンを含む樹脂系ウエハ（ガラスエポキシウエハ）等のシリコン系材料からなるウエハ、ガリウムリン（ＧａＰ）ウエハ、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ウエハ、及びインジウムリン（ＩｎＰ）ウエハが挙げられる。
シリコンウエハとしては、シリコンウエハに５価の原子（例えば、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、及びアンチモン（Ｓｂ）等）をドープしたｎ型シリコンウエハ、並びにシリコンウエハに３価の原子（例えば、ホウ素（Ｂ）、及びガリウム（Ｇａ）等）をドープしたｐ型シリコンウエハであってもよい。シリコンウエハのシリコンとしては、例えば、アモルファスシリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコン、及びポリシリコンのいずれであってもよい。
なかでも、洗浄液は、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、及びシリコンを含む樹脂系ウエハ（ガラスエポキシウエハ）等のシリコン系材料からなるウエハに有用である。

半導体基板は、上記したウエハに絶縁膜を有していてもよい。
絶縁膜の具体例としては、シリコン酸化膜（例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜、及びオルトケイ酸テトラエチル（Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）膜（ＴＥＯＳ膜）等）、シリコン窒化膜（例えば、窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４）、及び窒化炭化シリコン（ＳｉＮＣ）等）、並びに、低誘電率（Ｌｏｗ－ｋ）膜（例えば、炭素ドープ酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）膜、及びシリコンカーバイド（ＳｉＣ）膜等）が挙げられる。

半導体基板が有する金属膜としては、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）及びタングステン（Ｗ）からなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属膜、例えば、銅を主成分とする膜（銅含有膜）、コバルトを主成分とする膜（コバルト含有膜）、タングステンを主成分とする膜（タングステン含有膜）、並びにＣｕ、Ｃｏ及びＷからなる群より選択される１種以上を含む合金で構成された金属膜が挙げられる。

銅含有膜としては、例えば、金属銅のみからなる配線膜（銅配線膜）、及び金属銅と他の金属とからなる合金製の配線膜（銅合金配線膜）が挙げられる。
銅合金配線膜の具体例としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、タンタル（Ｔａ）、及びタングステン（Ｗ）から選ばれる１種以上の金属と銅とからなる合金製の配線膜が挙げられる。より具体的には、銅－アルミニウム合金配線膜（ＣｕＡｌ合金配線膜）、銅－チタン合金配線膜（ＣｕＴｉ合金配線膜）、銅－クロム合金配線膜（ＣｕＣｒ合金配線膜）、銅－マンガン合金配線膜（ＣｕＭｎ合金配線膜）、銅－タンタル合金配線膜（ＣｕＴａ合金配線膜）、及び銅－タングステン合金配線膜（ＣｕＷ合金配線膜）が挙げられる。

コバルト含有膜（コバルトを主成分とする金属膜）としては、例えば、金属コバルトのみからなる金属膜（コバルト金属膜）、及び金属コバルトと他の金属とからなる合金製の金属膜（コバルト合金金属膜）が挙げられる。
コバルト合金金属膜の具体例としては、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、及びタングステン（Ｗ）から選ばれる１種以上の金属とコバルトとからなる合金製の金属膜が挙げられる。より具体的には、コバルト－チタン合金金属膜（ＣｏＴｉ合金金属膜）、コバルト－クロム合金金属膜（ＣｏＣｒ合金金属膜）、コバルト－鉄合金金属膜（ＣｏＦｅ合金金属膜）、コバルト－ニッケル合金金属膜（ＣｏＮｉ合金金属膜）、コバルト－モリブデン合金金属膜（ＣｏＭｏ合金金属膜）、コバルト－パラジウム合金金属膜（ＣｏＰｄ合金金属膜）、コバルト－タンタル合金金属膜（ＣｏＴａ合金金属膜）、及びコバルト－タングステン合金金属膜（ＣｏＷ合金金属膜）が挙げられる。
洗浄液は、コバルト含有膜を有する基板に有用である。コバルト含有膜のうち、コバルト金属膜は配線膜として使用されることが多く、コバルト合金金属膜はバリアメタルとして使用されることが多い。

また、洗浄液を、半導体基板を構成するウエハの上部に、少なくとも銅含有配線膜と、金属コバルトのみから構成され、銅含有配線膜のバリアメタルである金属膜（コバルトバリアメタル）とを有し、銅含有配線膜とコバルトバリアメタルとが基板表面において接触している基板の洗浄に使用することが好ましい場合がある。

タングステン含有膜（タングステンを主成分とする金属膜）としては、例えば、タングステンのみからなる金属膜（タングステン金属膜）、及びタングステンと他の金属とからなる合金製の金属膜（タングステン合金金属膜）が挙げられる。
タングステン合金金属膜の具体例としては、例えば、タングステン－チタン合金金属膜（ＷＴｉ合金金属膜）、及びタングステン－コバルト合金金属膜（ＷＣｏ合金金属膜）が挙げられる。
タングステン含有膜は、バリアメタルとして使用されることが多い。

半導体基板を構成するウエハ上に、上記の絶縁膜、銅含有配線膜、コバルト含有膜、及びタングステン含有膜を形成する方法としては、この分野で行われる方法であれば特に制限はない。
絶縁膜の形成方法としては、例えば、半導体基板を構成するウエハに対して、酸素ガス存在下で熱処理を行うことによりシリコン酸化膜を形成し、次いで、シラン及びアンモニアのガスを流入して、化学気相蒸着（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法によりシリコン窒化膜を形成する方法が挙げられる。
銅含有配線膜、コバルト含有膜、及びタングステン含有膜の形成方法としては、例えば、上記の絶縁膜を有するウエハ上に、レジスト等の公知の方法で回路を形成し、次いで、めっき及びＣＶＤ法等の方法により、銅含有配線膜、コバルト含有膜、及びタングステン含有膜を形成する方法が挙げられる。

＜ＣＭＰ処理＞
ＣＭＰ処理は、例えば、金属配線膜、バリアメタル、及び絶縁膜を有する基板の表面を、研磨微粒子（砥粒）を含む研磨スラリーを用いる化学作用と機械的研磨の複合作用で平坦化する処理である。
ＣＭＰ処理が施された半導体基板の表面には、ＣＭＰ処理で使用した砥粒（例えば、シリカ及びアルミナ等）、研磨された金属配線膜、及びバリアメタルに由来する金属不純物（金属残渣）等の不純物が残存することがある。これらの不純物は、例えば、配線間を短絡させ、半導体基板の電気的特性を劣化させるおそれがあるため、ＣＭＰ処理が施された半導体基板は、これらの不純物を表面から除去するための洗浄処理に供される。
ＣＭＰ処理が施された半導体基板の具体例としては、精密工学会誌 Ｖｏｌ．８４、Ｎｏ．３、２０１８に記載のＣＭＰ処理が施された基板が挙げられるが、これに制限されるものではない。

＜バフ研磨処理＞
洗浄液の洗浄対象物である半導体基板の表面は、ＣＭＰ処理が施された後、バフ研磨処理が施されていてもよい。
バフ研磨処理は、研磨パッドを用いて半導体基板の表面における不純物を低減する処理である。具体的には、ＣＭＰ処理が施された半導体基板の表面と研磨パッドとを接触させて、その接触部分にバフ研磨用組成物を供給しながら半導体基板と研磨パッドとを相対摺動させる。その結果、半導体基板の表面の不純物が、研磨パッドによる摩擦力及びバフ研磨用組成物による化学的作用によって除去される。

バフ研磨用組成物としては、半導体基板の種類、並びに、除去対象とする不純物の種類及び量に応じて、公知のバフ研磨用組成物を適宜使用できる。バフ研磨用組成物に含まれる成分としては、特に制限されないが、例えば、ポリビニルアルコール等の水溶性ポリマー、分散媒としての水、及び、硝酸等の酸が挙げられる。
また、バフ研磨処理の一実施形態としては、バフ研磨用組成物として、上記の洗浄液を用いて半導体基板にバフ研磨処理を施すことが好ましい。
バフ研磨処理において使用する研磨装置及び研磨条件については、半導体基板の種類及び除去対象物に応じて、公知の装置及び条件から適宜選択できる。バフ研磨処理としては、例えば、国際公開２０１７／１６９５３９号の段落［００８５］～［００８８］に記載の処理が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。

〔半導体基板の洗浄方法〕
半導体基板の洗浄方法は、上記の洗浄液を用いて、ＣＭＰ処理が施された半導体基板を洗浄する洗浄工程を含むものであれば特に制限されない。半導体基板の洗浄方法は、上記の希釈工程で得られる希釈洗浄液をＣＭＰ処理が施された半導体基板に適用して洗浄する工程を含むことが、好ましい。

洗浄液を用いて半導体基板を洗浄する洗浄工程は、ＣＭＰ処理された半導体基板に対して行われる公知の方法であれば特に制限されず、半導体基板に洗浄液を供給しながらブラシ等の洗浄部材を半導体基板の表面に物理的に接触させて残渣物を除去するブラシスクラブ洗浄、洗浄液に半導体基板を浸漬する浸漬式、半導体基板を回転させながら洗浄液を滴下するスピン（滴下）式、及び洗浄液を噴霧する噴霧（スプレー）式等の、この分野で行われる様式を適宜採用してもよい。浸漬式の洗浄では、半導体基板の表面に残存する不純物をより低減できる点で、半導体基板が浸漬している洗浄液に対して超音波処理を施すことが好ましい。
上記洗浄工程は、１回のみ実施してもよく、２回以上実施してもよい。２回以上洗浄する場合には同じ方法を繰り返してもよいし、異なる方法を組み合わせてもよい。

半導体基板の洗浄方法としては、枚葉方式、及びバッチ方式のいずれを採用してもよい。枚葉方式とは、半導体基板を１枚ずつ処理する方式であり、バッチ方式とは、複数枚の半導体基板を同時に処理する方式である。

半導体基板の洗浄に用いる洗浄液の温度は、この分野で行われる温度であれば特に制限はない。室温（２５℃）で洗浄が行われることが多いが、洗浄性の向上及び／または部材へのダメージを抑える為に、温度は任意に選択できる。洗浄液の温度としては、１０～６０℃が好ましく、１５～５０℃がより好ましい。

半導体基板の洗浄における洗浄時間は、洗浄液に含まれる成分の種類及び含有量に依存するため一概に言えるものではないが、実用的には、１０秒間～２分間が好ましく、２０秒間～１分３０秒間がより好ましく、３０秒間～１分間が更に好ましい。

半導体基板の洗浄工程における洗浄液の供給量（供給速度）は特に制限されないが、５０～５０００ｍＬ／分が好ましく、５００～２０００ｍＬ／分がより好ましい。

半導体基板の洗浄において、洗浄液の洗浄能力をより増進するために、機械的撹拌方法を用いてもよい。
機械的撹拌方法としては、例えば、半導体基板上で洗浄液を循環させる方法、半導体基板上で洗浄液を流過又は噴霧させる方法、及び超音波又はメガソニックにて洗浄液を撹拌する方法が挙げられる。

上記の半導体基板の洗浄の後に、半導体基板を溶剤ですすいで清浄する工程（以下「リンス工程」と称する。）を行ってもよい。
リンス工程は、半導体基板の洗浄工程の後に連続して行われ、リンス溶剤（リンス液）を用いて５秒間～５分間にわたってすすぐ工程であることが好ましい。リンス工程は、上述の機械的撹拌方法を用いて行ってもよい。

リンス溶剤としては、例えば、水（好ましくは脱イオン（ＤＩ：De Ionize）水）、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、Ｎ－メチルピロリジノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、乳酸エチル、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。また、ｐＨが８超である水性リンス液（希釈した水性の水酸化アンモニウム等）を利用してもよい。
リンス溶剤を半導体基板に接触させる方法としては、上述した洗浄液を半導体基板に接触させる方法を同様に適用できる。

また、上記リンス工程の後に、半導体基板を乾燥させる乾燥工程を行ってもよい。
乾燥方法としては、特に制限されず、例えば、スピン乾燥法、半導体基板上に乾性ガスを流過させる方法、ホットプレートもしくは赤外線ランプのような加熱手段によって基板を加熱する方法、マランゴニ乾燥法、ロタゴニ乾燥法、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）乾燥法、及びそれらの任意の組み合わせが挙げられる。

以下に、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、及び割合は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されない。

以下の実施例において、洗浄液のｐＨは、ｐＨメーター（株式会社堀場製作所製、型式「Ｆ－７４」）を用いて、ＪＩＳ Ｚ８８０２－１９８４に準拠して２５℃において測定した。
また、実施例及び比較例の洗浄液の製造にあたって、容器の取り扱い、洗浄液の調液、充填、保管及び分析測定は、全てＩＳＯクラス２以下を満たすレベルのクリーンルームで行った。測定精度向上のため、洗浄液の金属含有量の測定において、通常の測定で検出限界以下のものの測定を行う際には、洗浄液を体積換算で１００分の１に濃縮して測定を行い、濃縮前の溶液の濃度に換算して含有量の算出を行った。

［洗浄液の原料］
洗浄液を製造するために、以下の化合物を使用した。

〔ヒドロキシルアミン化合物（ＨＡ化合物）〕
・ ジエチルヒドロキシルアミン（ＤＥＨＡ）：富士フイルム和光純薬（株）製
・ Ｎ－ヒドロキシコハク酸イミド（ＮＨＳＩ）：富士フイルム和光純薬（株）製

〔アミンオキシド化合物〕
・ Ｎ－エチリデンエチルアミン－Ｎ－オキシド（ＤＥＨＡ－ＮＯ）：上記ＤＥＨＡを使用して、上述した山浦らの方法に基づいて調製した。
・ トリメチルアミン－Ｎ－オキシド二水和物（ＴＭ－ＮＯ）：富士フイルム和光純薬（株）製
・ ４－メチルモルホリンＮ－オキシド（ＭＭＮＯ）：富士フイルム和光純薬（株）製

〔キレート剤〕
・ 酒石酸：富士フイルム和光純薬（株）製（ヒドロキシカルボン酸系キレート剤に該当する。）
・ ビス（アミノプロピル）エチレンジアミン（ＢＡＰＥＤＡ）：富士フイルム和光純薬（株）製（ポリアミン系キレート剤に該当する。）
・ ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）：富士フイルム和光純薬（株）製（アミノポリカルボン酸系キレート剤に該当する。）
・ １－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸（ＨＥＤＰＯ）：サーモフォス社製「Ｄｅｑｕｅｓｔ ２０００」（ホスホン酸系キレート剤に該当する。）

〔アミン化合物〕
・ ピペラジン：富士フイルム和光純薬（株）製（環状構造を有するアミンに該当する。）
・ モノエタノールアミン（ＭＥＡ）：富士フイルム和光純薬（株）製（アミノアルコールに該当する。）
・ ２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）：富士フイルム和光純薬（株）製（第４級アンモニウム化合物に該当する。）
・ ２－アミノ－２－メチル－１－プロパノール（ＡＭＰ）：富士フイルム和光純薬（株）製（アミノアルコールに該当する。）

〔還元剤〕
・ ピロガロール：富士フイルム和光純薬（株）製
・ カルボヒドラジド（ＣＨＺ）：富士フイルム和光純薬（株）製
・ アスコルビン酸：富士フイルム和光純薬（株）製

〔界面活性剤〕
・ アルキルリン酸エステルエチレンオキシド３モル付加物（表１及び表２中、「Ｓ－１」と記載）：クローダジャパン株式会社製「ＣＲＯＤＡＦＯＳ－０３Ａ－ＬＱ（商品名）」、（アニオン性界面活性剤に該当する。）
・ アルキルリン酸エステルエチレンオキシド１０モル付加物（表１及び表２中、「Ｓ－２」と記載）：クローダジャパン株式会社製「ＣＲＯＤＡＦＯＳ－１０Ａ－ＬＱ（商品名）」、（アニオン性界面活性剤に該当する。）

また、本実施例における洗浄液の製造、及び洗浄液の希釈工程では、市販の超純水（富士フイルム和光純薬（株）製）を用いた。

［洗浄液の製造］
次に、洗浄液の製造方法について、実施例１を例に説明する。
超純水に、ＤＥＨＡ（ヒドロキシルアミン化合物）、ＤＥＨＡ－ＮＯ（アミンオキシド化合物）、酒石酸（キレート剤）、ピペラジン（アミン化合物）、コリン（第４級アンモニウム化合物）及びピロガロール（還元剤）を、表１及び表２に記載の含有量となる量でそれぞれ添加した。ただし、コリンの添加量は、調製される洗浄液のｐＨが１２．０となるように調整した。得られた混合液を撹拌機を用いて十分に攪拌することにより、実施例１の濃縮洗浄液を得た。

実施例１の製造方法に準じて、表１及び表２に示す組成を有する実施例２～３８及び比較例１～５の濃縮洗浄液を、それぞれ製造した。
製造された各濃縮洗浄液について、表１及び表２に示す成分以外の残部は水である。実施例１～３８の濃縮洗浄液に含まれる水の含有量はいずれも、洗浄液の全質量に対して６０質量％以上であった。

表１及び表２中、「量（％）」欄は、各成分の、濃縮洗浄液の全質量に対する含有量（単位：質量％）を示す。また、「量」欄の「＊１」は、対応する成分を、調製される濃縮洗浄液のｐＨが「濃縮洗浄液ｐＨ」欄の数値になる量で添加したことを意味する。
「比率１」欄の数値は、ヒドロキシルアミン化合物の含有量（複数使用した場合は合計含有量である。以下同じ。）に対するアミンオキシド化合物の含有量（アミンオキシド化合物の含有量／ヒドロキシルアミン化合物の含有量）の質量比を示す。
「濃縮洗浄液ｐＨ」欄の数値は、上記のｐＨメーターにより測定した各実施例及び各比較例の濃縮洗浄液の２５℃におけるｐＨを示す。

［欠陥抑制性能の評価］
上記の方法で製造した濃縮洗浄液を希釈して調製した評価試験用の洗浄液を用いて、化学機械研磨を施した金属膜を洗浄した際の欠陥抑制性能を評価した。
各実施例及び各比較例の濃縮洗浄液１ｍＬを分取し、超純水により表１及び表２の「希釈率」欄に示す倍率（体積比）で希釈して、洗浄液のサンプルを調製した。
調製した各実施例の洗浄液に含まれる水の含有量はいずれも、洗浄液の全質量に対して９９．６質量％以上であった。また、各実施例及び各比較例の洗浄液のｐＨはいずれも８．０～１２.０の範囲内であった。
表面に銅、タングステン又はコバルトからなる金属膜を有するウエハ（直径８インチ）を、ＦＲＥＸ２００（研磨装置、荏原製作所社製）を用いて研磨した。研磨液として、Ｃｕ含有膜を有するウエハ及びＣｏ含有膜を有するウエハに対してはＣＳＬ５２５０Ｃ（商品名、富士フイルムプラナーソルーションズ社製）を、Ｗ含有膜を有するウエハに対してはＷ－２０００（商品名、キャボット社製）をそれぞれ使用した。研磨圧力は２．０ｐｓｉであり、研磨液の供給速度は０．２８ｍＬ／（分・ｃｍ^２）であった。研磨時間は６０秒間であった。
その後、室温（２３℃）に調整した各洗浄液のサンプルを用いて、研磨されたウエハに対してスクラブ洗浄を６０分間行い、次いで、乾燥処理した。

欠陥検出装置（ＡＭＡＴ社製、ＣｏｍＰｌｕｓＩＩ）を用いて、得られたウエハの研磨面における長さが０．１μｍ以上である欠陥の数を検出し、下記の評価基準により洗浄液の欠陥抑制性能を評価した。評価結果を表１及び表２に示す。ウエハの研磨面において検出された欠陥数が少ないほど、欠陥抑制性能に優れると評価できる。
「ＡＡ」：ウエハあたりの欠陥数が５０個以下
「Ａ」：ウエハあたりの欠陥数が５０個超え２００個以下
「Ｂ」：ウエハあたりの欠陥数が２００個超え５００個以下
「Ｃ」：ウエハあたりの欠陥数が５００個超え

［腐食防止性能の評価］
各実施例及び各比較例の濃縮洗浄液２ｍＬを分取し、超純水により、表１及び表２の「希釈率」欄に記載の希釈率（体積比）で希釈して、洗浄液のサンプルを調製した。
表面に銅、タングステン又はコバルトからなる金属膜を有するウエハ（直径１２インチ）をカットし、２ｃｍ□のウエハクーポンをそれぞれ準備した。各金属膜の厚さは２００ｎｍとした。上記の方法で製造した洗浄液のサンプル（温度：２５℃）中にウエハを浸漬し、攪拌回転数２５０ｒｐｍにて、３０分間の浸漬処理を行った。各金属膜について、浸漬処理前後の膜厚を計算し、その計算結果から単位時間当たりの腐食速度を算出した。下記の評価基準により洗浄液の腐食防止性能を評価した。それらの結果を表１及び表２に示す。
なお、腐食速度が低いほど、洗浄液の腐食防止性能が優れる。

〔Ｃｕ膜及びＷ膜の評価基準〕
「ＡＡ」：腐食速度が１．０Å／分未満
「Ａ」：腐食速度が１．０Å／分以上２．０Å／分未満
「Ｂ」：腐食速度が２．０Å／分以上３．０Å／分未満
「Ｃ」：腐食速度が３．０Å／分以上

〔Ｃｏ膜の評価基準〕
「ＡＡ」：腐食速度が０．５Å／分未満
「Ａ」：腐食速度が０．５Å／分以上１．０Å／分未満
「Ｂ」：腐食速度が１．０Å／分以上２．０Å／分未満
「Ｃ」：腐食速度が２．０Å／分以上

表１及び表２から明らかなように、本発明の洗浄液は、欠陥抑制性能及び腐食抑制性能に優れることが確認された。

アミンオキシド化合物の含有量が洗浄液の全質量に対して０．０１質量％以下である場合、Ｃｕを含む金属膜に対する腐食防止性能により優れることが確認された（実施例４と実施例５との比較）。
また、ヒドロキシルアミン化合物の含有量に対するアミンオキシド化合物の含有量の質量比（アミンオキシド化合物の含有量／ヒドロキシルアミン化合物の含有量）が１０．０以下である場合、Ｃｕを含む金属膜に対する腐食防止性能により優れることが確認された（実施例４と実施例５との比較）。

ヒドロキシルアミン化合物の含有量が洗浄液の全質量に対して０．０２質量％以上である場合、Ｃｏを含む金属膜に対する腐食防止性能により優れることが確認された（実施例１～５と実施例６～８、１１及び１２との比較）。

キレート剤がアミノポリカルボン酸系キレート剤又はホスホン酸系キレート剤である場合、Ｃｏを含む金属膜に対する腐食防止性能により優れることが確認された（実施例２８及び３０と実施例１３及び２２との比較）。
また、キレート剤の含有量が洗浄液の全質量に対して０．０２質量％未満である場合、Ｃｕを含む金属膜に対する腐食防止性能により優れることが確認され（実施例１３と実施例２６との比較）、キレート剤の含有量が洗浄液の全質量に対して０．００８質量％以下である場合、Ｃｏを含む金属膜に対する腐食防止性能により優れることが確認された（実施例２８と実施例２７との比較）。

洗浄液が第１級～第３級アミンを含む場合、Ｃｕ又はＣｏを含む金属膜に対する欠陥抑制性能により優れることが確認された（実施例８と実施例９との比較）。
また、洗浄液が２種以上の第１級～第３級アミンを含む場合、Ｃｏを含む金属膜に対する欠陥抑制性能に更に優れることが確認された（実施例８と実施例１９との比較）。

洗浄液が還元剤を含む場合、Ｃｏを含む金属膜に対する腐食防止性能により優れることが確認され（実施例８と実施例１０との比較）、洗浄液が２種以上の還元剤を含む場合、Ｃｏを含む金属膜に対する腐食防止性能に更に優れることが確認された（実施例３３及び３４と実施例８との比較）。

洗浄液が界面活性剤を含む場合、Ｃｏを含む金属膜に対する欠陥抑制性能及び腐食防止性能により優れることが確認され（実施例３５と実施例３０との比較）、洗浄液が２種以上の界面活性剤を含む場合、Ｃｕを含む金属膜に対する欠陥抑制性能により優れることが確認された（実施例３６と実施例３５との比較）。

また、アミンオキシド化合物としてＤＥＨＡ－ＮＯに代えて以下の化合物群から選択される化合物を使用すること以外は、表２の実施例２８に示す組成を有する洗浄液を、実施例１の製造方法に準じてそれぞれ製造した。
化合物群：Ｎ－エチリデンメチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－エチリデンプロピルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－エチリデンブチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－エチリデンエタノールアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－エチリデンエトキシエタノールアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－プロピリデンメチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－プロピリデンエチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－プロピリデンプロピルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－プロピリデンブチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－プロピリデンエタノールアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－ブチリデンメチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－ブチリデンエチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－ブチリデンブチルアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－ブチリデンエタノールアミン－Ｎ－オキシド、Ｎ－ベンジリデン－ｔ－ブチルアミン－Ｎ－オキシド、１－ピロリン－Ｎ－オキシド、及び、２，３，４，５－テトラヒドロピロリジン－Ｎ－オキシド。
製造した各洗浄液を用いて、上記と同様に欠陥抑制性能及び腐食防止性能を評価したところ、実施例２８と同程度の評価が得られた。

上記の洗浄性能の評価試験において、表面に銅、コバルト又はタングステンからなる金属膜を有するウエハに対してＣＭＰ処理をそれぞれ行った後、研磨されたウエハの表面に対してバフ研磨処理を施した。バフ研磨処理では、バフ研磨用組成物として室温（２３℃）に調整した各洗浄液のサンプルを使用した。また、上記ＣＭＰ処理で使用した研磨装置を使用し、研磨圧力：２．０ｐｓｉ、バフ研磨用組成物の供給速度：０．２８ｍＬ／（分・ｃｍ^２）、研磨時間：６０秒間の条件で、バフ研磨処理を行った。
その後、室温（２３℃）に調整した各洗浄液のサンプルを用いて、バフ研磨処理が施されたウエハを３０秒間かけて洗浄し、次いで、乾燥処理した。
得られたウエハの研磨面に対して、上記の評価試験方法に従って洗浄液の腐食防止性能及び粒子洗浄性能を評価したところ、上記の各実施例の洗浄液と同様の評価結果を有することが確認された。

Claims (21)

1. 化学機械研磨処理が施された半導体基板用の洗浄液であって、
   アミンオキシド基を有する化合物、又はその塩であるアミンオキシド化合物と、
   ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン誘導体及びこれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドロキシルアミン化合物と、を含み、
   前記アミンオキシド化合物が、ニトロン化合物、及び、下記式（２）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１つであり、
   
   式（２）中、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ 及びＲ ^５ は、それぞれ独立に、炭素数１～６のアルキル基を表す。ただし、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ 及びＲ ^５ のうち２つが互いに結合して炭素数１～４のアルキル基を有してもよい環員数が５又は６である含窒素非芳香環を形成してもよい。
   前記アミンオキシド化合物の含有量が、前記洗浄液の全質量に対して０．００００１～０．１５質量％である、
   洗浄液。
2. 前記ヒドロキシルアミン化合物の含有量に対する前記アミンオキシド化合物の含有量の質量比が、０．００１以上である、請求項１に記載の洗浄液。
3. 前記アミンオキシド化合物が、下記式（１）で表される化合物である、請求項１又は２に記載の洗浄液。
   
   式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表し、Ｒ^３は、有機基を表す。Ｒ^１又はＲ^２とＲ^３とは互いに結合して置換基を有してもよい非芳香環を形成してもよい。
4. 前記アミンオキシド化合物が、Ｎ－エチリデンエチルアミン－Ｎ－オキシド又はトリメチルアミン－Ｎ－オキシドを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の洗浄液。
5. 前記アミンオキシド化合物の含有量が、前記洗浄液の全質量に対して０．００００１～０．０５質量％である、請求項１～４のいずれか１項に記載の洗浄液。
6. 前記ヒドロキシルアミン化合物が、下記式（３）で表される化合物又はその塩である、請求項１～５のいずれか１項に記載の洗浄液。
   
   式（３）中、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表す。Ｒ^６とＲ^７とは互いに結合して置換基を有してもよい非芳香環を形成してもよい。
7. 前記ヒドロキシルアミン化合物が、ジエチルヒドロキシルアミンを含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の洗浄液。
8. 前記洗浄液が、キレート剤を更に含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の洗浄液。
9. 前記キレート剤が、アミノポリカルボン酸系又はホスホン酸系キレート剤を含む、請求項８に記載の洗浄液。
10. 前記洗浄液が、還元剤を更に含む、請求項１～９のいずれか１項に記載の洗浄液。
11. 前記洗浄液が、２種以上の還元剤を更に含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の洗浄液。
12. 前記洗浄液が、界面活性剤を更に含む、請求項１～１１のいずれか１項に記載の洗浄液。
13. 前記洗浄液が、２種以上の界面活性剤を更に含む、請求項１～１２のいずれか１項に記載の洗浄液。
14. 前記洗浄液が、分子内に第１級アミノ基を有する第１級アミン、分子内に第２級アミノ基を有する第２級アミン、分子内に第３級アミノ基を有する第３級アミン、第４級アンモニウムカチオンを有する第４級アンモニウム化合物、及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種のアミン化合物を更に含む、請求項１～１３のいずれか１項に記載の洗浄液。
15. 前記洗浄液が、第４級アンモニウムカチオンを有する第４級アンモニウム化合物又はその塩を更に含む、請求項１～１４のいずれか１項に記載の洗浄液。
16. 前記第４級アンモニウム化合物が、非対称構造を有する、請求項１４又は１５に記載の洗浄液。
17. 前記洗浄液が、分子内に第１級アミノ基を有する第１級アミン、分子内に第２級アミノ基を有する第２級アミン、分子内に第３級アミノ基を有する第３級アミン、及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種を更に含む、請求項１～１６のいずれか１項に記載の洗浄液。
18. 前記洗浄液が、水を更に含み、
    前記水の含有量が、前記洗浄液の全質量に対して９９．６質量％以上である、
    請求項１～１７のいずれか１項に記載の洗浄液。
19. 前記洗浄液のｐＨが、２５℃において８．０～１２．０である、請求項１～１８のいずれか１項に記載の洗浄液。
20. 請求項１～１９のいずれか１項に記載の洗浄液を、化学機械研磨処理が施された半導体基板に適用して洗浄する工程を含む、半導体基板の洗浄方法。
21. 前記半導体基板が、銅、コバルト及びタングステンからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属膜を有する、請求項２０に記載の洗浄方法。