JP2012506457A - 銅の洗浄及び保護配合物 - Google Patents

Abstract

【課題】低ｋ誘電体材料又は銅相互接続材料を損なわずに、マイクロ電子デバイスの表面からのＣＭＰ後の残渣及び汚染物質材料を効果的に洗浄を達成すること。
【解決手段】化学的機械的研磨（ＣＭＰ）後の残渣及び汚染物質を、自身上に前記残渣及び汚染物質を有するマイクロ電子デバイスから洗浄する洗浄組成物及びプロセス。洗浄組成物は新規の腐食防止剤を含む。
【選択図】 図１

Description

[0001] 本発明は、概して、マイクロ電子デバイスがその上に有する残渣及び／又は汚染物質を、マイクロ電子デバイスから洗浄する腐食防止剤を含む組成物に関する。

[0002] マイクロ電子デバイスのウェーハは、集積回路の形成に使用される。マイクロ電子デバイスのウェーハにはシリコンなどの基板が含まれ、それに絶縁性、伝導性又は半導電性を有する様々な材料を付着させる領域のパターンを形成する。

[0003] 正確なパターン形成を得るには、基板上に層を形成する際に使用する余分な材料を除去しなければならない。さらに、機能的で確実な回路を製作するために、その後の処理の前に平坦又は平面のマイクロ電子ウェーハ表面を準備することが重要である。したがって、マイクロ電子デバイスのウェーハの特定の表面を除去及び／又は研磨することが必要である。

[0004] 化学的機械的研磨又は平坦化（「ＣＭＰ」）は、研磨などの物理的処理を酸化又はキレート化などの化学的処理と結合することによって、マイクロ電子デバイスのウェーハの表面から材料を除去し、表面を研磨する（より詳細には平坦化する）プロセスである。その最も基本的な形態には、ＣＭＰはスラリー、例えば研磨剤溶液及び活性化学溶液を、マイクロ電子デバイスのウェーハの表面をバフで磨く研磨パッドに塗布し、除去、平坦化及び研磨プロセスを遂行することを含む。除去又は研磨プロセスは、純粋に物理的な作用又は純粋に化学的な作用で構成することは望ましくなく、高速で均一な除去を遂行するには両方を相乗効果的に組み合わせる。集積回路を製作する際には、その後のフォトリソグラフィ、又はパターン形成、エッチング及び薄膜処理のために高度に平坦な表面を生成できるように、ＣＭＰスラリーは、金属及び他の材料の複雑な層を含む膜を優先的に除去することもできなければならない。

[0005] 最近、集積回路の金属の相互接続に銅が使用されることが増加している。マイクロ電子デバイス製作で回路の金属被覆に一般的に使用される銅のダマシンプロセスでは、除去し、平坦化しなければならない層は、約１〜１．５μｍの厚さを有する銅層、及び約０．０５〜０．１５μｍの厚さを有する銅のシード層を含む。これらの銅の層は、銅が酸化物の誘電体材料中に拡散するのを防止する通常約５０〜３００Åの厚さのバリア材料の層によって誘電体材料の表面から分離されている。研磨後にウェーハ表面にわたって良好な均一性を得る１つの鍵は、各材料について適正な除去選択性を有するＣＭＰスラリーを使用することである。

[0006] ウェーハ基板表面の準備、付着、めっき、エッチング及び化学的機械的研磨を含む上記処理作業は、マイクロ電子デバイスの製品に、製品の機能に悪影響を及ぼすか、又は製品が所期の機能には役立たないようになる汚染物質が確実にないようにするために様々な洗浄作業を必要とする。多くの場合、これらの汚染物質の粒子は０．３μｍより小さい。

[0007] これに関する１つの特定の問題は、ＣＭＰ処理後にマイクロ電子デバイス基板上に残される残渣である。このような残渣は、ＣＭＰ材料及びベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）などの腐食防止剤化合物を含む。除去しないと、これらの残渣は銅線に損傷を引き起こしたり、又は銅の金属被覆を極度に粗くしたり、又はさらにはＣＭＰ後にデバイス基板上に塗布される層の接着を不良にすることがある。銅の金属被覆が極度に粗くなることが特に問題になる。何故なら、過度に粗い銅は、製品のマイクロ電子デバイスの電気的性能を不良にすることがあるからである。

[0008] マイクロ電子デバイスの製造に一般的な別の残渣生成プロセスは、ハードマスク、レベル間誘電体（ＩＬＤ）及びエッチストップ層で構成することができる下の層に、現像したフォトレジストコーティングのパターンを転写する気相プラズマエッチングを含む。気相プラズマエッチング後の残渣は、基板上及びプラズマ気体中に存在する化学元素を含むことがあり、通常はバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）構造に付着し、除去しないと、その後の珪化物化又は接点形成を妨げることがある。従来の洗浄化学物質は、多くの場合、ＩＬＤを損傷して、ＩＬＤの孔に吸収され、それにより比誘電率を増大させ、及び／又は金属構造を腐食させる。

[0009] 本発明は、概して、マイクロ電子デバイスがその上に有する残渣及び／又は汚染物質を、マイクロ電子デバイスから洗浄する組成物及びプロセスに関する。本発明の洗浄組成物は少なくとも１つの新規の腐食防止剤を含む。残渣には、ＣＭＰ後、エッチング後、及び／又はアッシング後の残渣が含まれる。

[0010] 一態様では、洗浄組成物について記載しており、上記洗浄組成物は少なくとも１つの溶媒、少なくとも１つの腐食防止剤、少なくとも１つのアミン、及び少なくとも１つの４級塩基を含み、腐食防止剤は、リボシルプリン及びそのメチル化又はデオキシ誘導体、アデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物、プリン−糖類複合体、メチル化又はデオキシプリン誘導体及びその反応生成物又は分解生成物、及びこれらの組合せからなる群から選択される１種を含む。

[0011] 別の態様では、キットについて記載しており、上記キットは１つ又は複数の容器内に洗浄組成物を形成する以下の試薬のうち１つ又は複数を含み、洗浄組成物は少なくとも１つの溶媒、少なくとも１つの腐食防止剤、少なくとも１つのアミン、及び少なくとも１つの４級塩基を含み、腐食防止剤は、リボシルプリン及びそのメチル化又はデオキシ誘導体、アデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物、プリン−糖類複合体、メチル化又はデオキシプリン誘導体及びその反応生成物又は分解生成物、及びこれらの組合せからなる群から選択される１種を含む。

[0012] さらに別の態様では、残渣及び汚染物質を、これらをその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する方法について記載しており、上記方法は、マイクロ電子デバイスから上記残渣及び汚染物質を少なくとも部分的に洗浄するのに十分な時間、マイクロ電子デバイスを洗浄組成物と接触させる工程を含み、洗浄組成物は少なくとも１つの溶媒、少なくとも１つの腐食防止剤、少なくとも１つのアミン、及び少なくとも１つの４級塩基を含み、腐食防止剤は、リボシルプリン及びそのメチル化又はデオキシ誘導体、アデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物、プリン−糖類複合体、メチル化又はデオキシプリン誘導体及びその反応生成物又は分解生成物、及びこれらの組合せからなる群から選択される１種を含む。

[0013] 他の態様、特徴及び利点は、以下の開示及び添付の特許請求の範囲からより明らかになるであろう。

銅の腐食速度を図１に示す。 重量パーセント単位のアデノシン濃度及び銅の腐食速度を図２に示す。

[0014] 本発明は、概して、残渣及び汚染物質を、これらをその上に有するマイクロ電子デバイスから除去するのに有用な組成物に関する。組成物は、ＣＭＰ後、エッチング後又はアッシング後の残渣の除去に特に有用である。

[0015] 参照を容易にするために、「マイクロ電子デバイス」は、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、相変化メモリデバイス、太陽電池パネル、及びマイクロ電子技術、集積回路、又はコンピュータチップ用途に使用するために製造される太陽電池基板、光起電装置、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）等のその他の製品に相当する。太陽電池基板には、のシリコン、非晶質シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、ＣｄＴｅ、セレン化銅インジウム、硫化銅インジウム、及びガリウム上のガリウム砒素が含まれるが、これらに限定されない。太陽電池基板はドーピングしてもしなくてもよい。「マイクロ電子デバイス」という用語は、いかなる意味でも限定するものではなく、結果としてマイクロ電子デバイス又はマイクロ電子アセンブリになる任意の基板を含むことを理解されたい。

[0016] 本明細書で使用する「残渣」は、プラズマエッチング、アッシング、化学的機械的研磨、ウェットエッチング、及びこれらの組合せを含むが、これらに限定されないマイクロ電子デバイスの製造中に発生する粒子に相当する。

[0017] 本明細書で使用する「汚染物質」は、ＣＭＰスラリー中に存在する化学物質、研磨スラリーの反応副産物、ウェットエッチング組成物中に存在する化学物質、ウェットエッチング組成物の反応副産物、及びＣＭＰプロセス、ウェットエッチング、プラズマエッチング又はプラズマアッシングプロセスの副産物である任意の他の物質に相当する。

[0018] 本明細書で使用する「ＣＭＰ後の残渣」は、研磨スラリーからの粒子、例えばシリカ含有粒子、スラリー中に存在する化学物質、研磨スラリーの反応副産物、炭素リッチ粒子、研磨パッド粒子、ブラシ装脱粒子、機器材料構成粒子、銅、酸化銅、有機残渣、及びＣＭＰプロセスの副産物である任意の他の物質に相当する。

[0019] 本明細書に定義するように、「低ｋ誘電体材料」は、層状マイクロ電子デバイスで誘電体材料として使用される任意の物質に相当し、その物質は約３．５未満の比誘電率を有する。低ｋ誘電体材料は、シリコン含有有機ポリマー、シリコン含有混成有機／無機材料、有機珪酸塩ガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ化珪酸塩ガラス（ＦＳＧ）、二酸化珪素、及び炭素ドーピング酸化物（ＣＤＯ）ガラスなどの低極性材料を含むことが好ましい。低ｋ誘電体材料は、様々な密度及び様々な空隙率を有することがあることを理解されたい。

[0020] 本明細書に定義するように、「錯化剤」という用語は、当業者が錯化剤、キレート剤及び／又は金属イオン封鎖剤であると理解する化合物を含む。錯化剤は、本明細書に記載する組成物を使用して除去される金属原子及び／又は金属イオンと化学的に結合するか、又はそれを物理的に保持する。

[0021] 本明細書に定義するように、「バリア材料」という用語は、金属線、例えば銅相互接続部を封止して、上記金属、例えば銅が誘電体材料中に拡散するのを最小化するために当技術分野で使用されている任意の物質に相当する。好適なバリア層材料は、タンタル、チタン、ルテニウム、ハフニウム、タングステン、及び他の耐熱金属及びその窒化物及び珪化物を含む。

[0022] 本明細書に定義するように、「エッチング後の残渣」は、気相プラズマエッチングプロセス、例えばＢＥＯＬ二重ダマシン処理又はウェットエッチングプロセスの後に残っている物質に相当する。エッチング後の残渣は、有機系、有機金属系、有機珪素系又は無機系のものであってもよく、例えばシリコン含有材料、炭素系有機材料、及び酸素及びフッ素などのエッチングガスの残渣であってもよい。

[0023] 本明細書に定義するように、本明細書で使用する「アッシング後の残渣」は、硬化したフォトレジスト及び／又は底部反射防止膜（ＢＡＲＣ）材料を除去する酸化又は還元プラズマアッシングの後に残っている物質に相当する。アッシング後の残渣は、有機系、有機金属系、有機珪素系、又は無機系のものであってもよい。

[0024] 「実質的にない」とは、本明細書では２重量％未満、好ましくは１重量％未満、より好ましくは０．５重量％未満、最も好ましくは０．１重量％未満と定義される。

[0025] 本明細書で使用する「約」とは、明記された値の±５％に相当するものとする。

[0026] 本明細書に定義するように、「反応生成物又は分解生成物」は、表面の触媒作用、酸化、還元、組成成分との反応、又は他の重合の結果として形成される生成物又は副産物；物質又は材料（例えば分子、化合物など）が他の物質又は材料と結合するか、他の物質又は材料と成分を交換するか、分解するか、転位するか、又は他の方法で化学的及び／又は物理的に変性する変化又は変換の結果として形成され、上記いずれか又は上記反応、変化及び／又は変換のいずれかの組合せの中間生成物又は副産物を含む生成物又は副産物を含むが、これらに限定されない。反応生成物又は分解生成物は、元の反応体より大きいか、又は小さいモル質量を有してもよいことを理解されたい。

[0027] 本明細書において、残渣及び汚染物質をその有するマイクロ電子デバイスから残渣及び汚染物質を洗浄するための「適合性」とは、マイクロ電子デバイスから上記残渣／汚染物質を少なくとも部分的に除去することに相当する。洗浄効率は、マイクロ電子デバイス上の対象物の減少によって等級付けられる。例えば、原子間力顕微鏡を使用して洗浄前及び洗浄後の分析を実行することができる。サンプル上の粒子はピクセルの範囲として記録することができる。ヒストグラム（例えばＳｉｇｍａ Ｓｃａｎ Ｐｒｏ）を適用して、特定の強度、例えば２３１〜２３５のピクセルをフィルターにかけ、粒子の数を数えることができる。粒子の減少は下式を使用して計算することができる。

洗浄効率を決定する方法は、例示のためにのみ提供され、それらを限定するものではないことに留意されたい。あるいは、洗浄効率は、粒状物質によって覆われた全表面のパーセンテージと見なすことができる。例えば、ＡＦＭをｚ平面走査を実行するようにプログラムして、特定の高さの閾値より高い対象の微細構造区域を識別し、次に上記対象の区域によって覆われた総表面の面積を計算することができる。洗浄後に上記対象の区域によって覆われる面積が小さいほど、洗浄組成物が効果的であることが当業者には容易に理解されよう。本明細書に記載する組成物を使用して、マイクロ電子デバイスから残渣／汚染物質の少なくとも７５％が除去されることが好ましく、より好ましくは少なくとも９０％が、より好ましくは少なくとも９５％が、最も好ましくは残渣／汚染物質の少なくとも９９％が除去されることが好ましい。

[0028] 本明細書に記載する組成物は、以降でより詳細に述べるように多種多様な特定の配合で実施することができる。

[0029] 組成物の特定の成分についてゼロ下限を含む重量パーセント範囲で検討されるようなすべての組成物において、このような成分は組成物の様々な特定の実施形態において存在しても又は存在しなくてもよく、このような成分が存在する場合には、このような成分を使用する組成物の総重量に基づいて、わずか０．００１重量パーセントの濃度で存在してもよいことが理解されよう。

[0030] 洗浄組成物は少なくとも１つの腐食防止剤を含み、腐食防止剤成分が洗浄組成物に添加されて金属、例えば銅、アルミの腐食速度を低下させ、さらに洗浄性能を向上させる。企図される腐食防止剤は、Ｎ−リボシルプリンなどのリボシルプリン、アデノシン、グアノシン、２−アミノプリンリボシド、２−メトキシアデノシン、及びＮ−メチルアデノシン（Ｃ_１１Ｈ_１５Ｎ_５Ｏ_４）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアデノシン（Ｃ_１２Ｈ_１７Ｎ_５Ｏ_４）、トリメチル化アデノシン（Ｃ_１３Ｈ_１９Ｎ_５Ｏ_４）、トリメチルＮ−メチルアデノシン（Ｃ_１４Ｈ_２１Ｎ_５Ｏ_４）、Ｃ−４’−メチルアデノシン及び３−デオキシアデノシンなどのそれらのメチル化又はデオキシ誘導体；アデニン（Ｃ_５Ｈ_５Ｎ_５）、メチル化アデニン（例えばＮ−メチル−７Ｈ−プリン−６−アミン、Ｃ_６Ｈ_７Ｎ_５）、ジメチル化アデニン（例えばＮ，Ｎ−ジメチル−７Ｈ−プリン−６−アミン、Ｃ_７Ｈ_９Ｎ_５）、Ｎ４，Ｎ４−ジメチルピリミジン−４，５，６−トリアミン（Ｃ_６Ｈ_１１Ｎ_５）、４，５，６−トリアミノピリミジン、アラントイン（Ｃ_４Ｈ_６Ｎ_４Ｏ_３）、ヒドロキシル化Ｃ−Ｏ−Ｏ−Ｃ二量体（（Ｃ_５Ｈ_４Ｎ_５Ｏ_２）_２）、Ｃ−Ｃ架橋二量体（（Ｃ_５Ｈ_４Ｎ_５）_２又は（Ｃ_５Ｈ_４Ｎ_５Ｏ）_２）、リボース（Ｃ_５Ｈ_１０Ｏ_５）、メチル化リボース（例えば５−（メトキシメチル）テトラヒドロフラン−２，３，４−トリオール、Ｃ_６Ｈ_１２Ｏ_５）、テトラメチル化リボース（例えば２，３，４−トリメトキシ−５−（メトキシメチル）テトラヒドロフラン、Ｃ_９Ｈ_１８Ｏ_５）、及びメチル化加水分解ジリボース化合物などの他のリボース誘導体を含むが、これらに限定されないアデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物；キシロース、グルコースなどを含むが、これらに限定されないプリン−糖類複合体；プリン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、テオブロミン、カフェイン、尿酸、及びイソグアニンなどのその他のプリン化合物、及びそれらのメチル化又はデオキシ誘導体；トリアミノピリミジン、及びアミノ置換ピリミジン類などのその他の置換ピリミジン類；化合物、反応生成物又は分解生成物、又はそれらの誘導体のいずれかの二量体、三量体、又はポリマー；及びこれらの組合せを含むが、これらに限定されない。例えば、腐食防止剤は、Ｎ−リボシルプリン、２−アミノプリンリボシド、２−メトキシアデノシン、Ｎ−メチルアデノシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアデノシン、トリメチル化アデノシン、トリメチルＮ−メチルアデノシン、Ｃ−４’−メチルアデノシン、３−デオキシアデノシン、メチル化アデニン、ジメチル化アデニン、Ｎ４，Ｎ４−ジメチルピリミジン−４，５，６−トリアミン、４，５，６−トリアミノピリミジン、ヒドロキシル化Ｃ−Ｏ−Ｏ−Ｃ二量体、Ｃ−Ｃ架橋二量体、リボース、メチル化リボース、テトラメチル化リボース、キシロース、グルコース、イソグアニン、トリアミノピリミジン、アミノ置換ピリミジン、及びこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１種を含むことができる。あるいは、腐食防止剤は、２−メトキシアデノシン、Ｎ−メチルアデノシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアデノシン、トリメチル化アデノシン、トリメチルＮ−メチルアデノシン、Ｃ−４’−メチルアデノシン、３−デオキシアデノシン及びこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１種を含むことができる。別の代替法では、腐食防止剤はアデノシンを含む。さらに別の代替法では、腐食防止剤はアデニンを含む。さらに別の代替法では、腐食防止剤は、アデノシン分解生成物及びその誘導体を含む。開示したように、腐食防止剤の組合せ、例えばプリンと組み合わせたアデニン、もまた考えられる。

[0031] １つの実施形態では、洗浄組成物について記載しており、上記洗浄組成物は少なくとも１つの溶媒及び少なくとも１つの腐食防止剤を含む。溶媒は水を含むことが好ましく、脱イオン水を含むことがより好ましい。

[0032] 他の実施形態では、洗浄組成物は、少なくとも１つの腐食防止剤、少なくとも１つの４級塩基、少なくとも１つの有機アミン、少なくとも１つの溶媒（例えば水）、及び任意選択で、少なくとも１つの還元剤、少なくとも１つの錯化剤、少なくとも１つの補足的腐食防止剤、少なくとも１つのアルコール、少なくとも１つの界面活性剤、及びＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＯＨ（ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は相互に同じであっても又は異なっていてもよく、Ｈ、メチル及びエチル基からなる群から選択されるが、ただし、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４のうち少なくとも１つはＨでなければならない）からなる群から選択される少なくとも１つの追加の種を含むか、それらからなるか、又は実質的にそれらからなる、。別の実施形態では、少なくとも１つの追加の種が、少なくとも１つの還元剤、少なくとも１つの錯化剤、少なくとも１つの補足的腐食防止剤、少なくとも１つのアルコール、少なくとも１つの界面活性剤、及びＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＯＨ（ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は相互に同じであっても又は異なっていてもよく、Ｈ、メチル及びエチル基からなる群から選択されるが、ただし、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４のうち少なくとも１つはＨでなければならない）からなる群から選択され、、洗浄組成物は実質的に界面活性剤を含まない。

[0033] 特に好ましい実施形態では、洗浄組成物は、少なくとも１つの４級塩基、少なくとも１つの有機アミン、少なくとも１つの腐食防止剤、及び少なくとも１つの溶媒（例えば水）を含むか、それらかななるか、又は実質的にそれらからなり、腐食防止剤はアデノシン、アデノシン分解生成物、及びそれらの誘導体からなる群から選択される。洗浄組成物は任意選択で、少なくとも１つの還元剤、少なくとも１つの錯化剤、少なくとも１つの補足的腐食防止剤、少なくとも１つのアルコール、少なくとも１つの界面活性剤、及び（以上で定義されたような）ＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＯＨ、残渣材料、又はこれらの組合せをさらに含むことができる。

[0034] 他の好ましい実施形態では、少なくとも１つの４級塩基、少なくとも１つの有機アミン、少なくとも１つの腐食防止剤、及び少なくとも１つの溶媒を含むか、それらからなる、又は実質的にそれらからなる組成物について記載しており、腐食防止剤は以下のうち少なくとも１つを含む。
（１）リボシルプリン化合物、プリンのメチル化又はデオキシ誘導体、プリン−糖類複合体、その誘導体、及びこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１つの化合物、
（２）（１）の少なくとも１つの化合物を、少なくとも１つの４級塩基及び少なくとも１つのアミンを含有する水溶液と接触させた後、該化合物が破壊／分解した結果生じる少なくとも１つの反応生成物又は分解生成物の混合物、
（３）Ｎ−リボシルプリン、２−アミノプリンリボシド、２−メトキシアデノシン、Ｎ−メチルアデノシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアデノシン、トリメチル化アデノシン、トリメチルＮ−メチルアデノシン、Ｃ−４’−メチルアデノシン、３−デオキシアデノシン、メチル化アデニン、ジメチル化アデニン、Ｎ４，Ｎ４−ジメチルピリミジン−４，５，６−トリアミン、４，５，６−トリアミノピリミジン、ヒドロキシル化Ｃ−Ｏ−Ｏ−Ｃ二量体、Ｃ−Ｃ架橋二量体、リボース、メチル化リボース、テトラメチル化リボース、キシロース、グルコース、イソグアニン、トリアミノピリミジン、アミノ置換ピリミジン、及びこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１つの化合物、
（４）２−メトキシアデノシン、Ｎ−メチルアデノシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアデノシン、トリメチル化アデノシン、トリメチルＮ−メチルアデノシン、Ｃ−４’−メチルアデノシン、３−デオキシアデノシン及びこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１つの化合物、
（５）アデノシン、
（６）アデニン、
（７）リボシルプリン化合物、及びそのメチル化又はデオキシ誘導体、プリン−糖類複合体、その誘導体、及びこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１つの化合物、及び／又は
（８）アデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物。

洗浄組成物は任意選択で、少なくとも１つの還元剤、少なくとも１つの錯化剤、少なくとも１つの補足的腐食防止剤、少なくとも１つのアルコール、少なくとも１つの界面活性剤、及び（以上で定義したような）ＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＯＨ、残渣材料、又はこれらの組合せをさらに含むことができる。

[0035] 洗浄組成物は、残渣及び汚染物質、例えばＣＭＰ後の残渣、エッチング後の残渣、アッシング後の残渣、及びマイクロ電子デバイス構造体からの汚染物質を洗浄するのに特に有用である。実施形態に関係なく、マイクロ電子デバイスから残渣材料を除去する前に、洗浄組成物は、酸化剤；フッ化物含有源；研磨剤；分子にエーテル結合を有するアルコール；アルキルピロリドン；ポリ（塩化アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム）、ポリ（アクリルアミド）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（塩化ジアリルジメチルアンモニウム）、塩化ジアリルジメチルアンモニウム、アクリルアミド、アセトグアナミン、及びこれらの組合せを含むが、これらに限定されない表面相互作用増強剤；アルカリ及び／又はアルカリ土類金属塩基；糖アルコール；腐食防止ハロゲン化金属；及びこれらの組合せの少なくとも１つを実質的に含まないことが好ましい。さらに、洗浄組成物は、固化して、高分子固体、例えばフォトレジスト、を形成してはならない。

[0036] 洗浄組成物は、以上で列挙した腐食防止剤に加えて、補足的腐食防止剤をさらに含むことができ、補足的腐食防止剤としてはアスコルビン酸、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、ベンゾトリアゾール、クエン酸、エチレンジアミン、没食子酸、シュウ酸、タンニン酸、１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、トリルトリアゾール、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロ−ベンゾトリアゾール（ハロ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ）、ナフトトリアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール（ＭＢＩ）、２−メルカプトベンゾチアゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、イミダゾリンチオン、メルカプトベンゾイミダゾール、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾチアゾール、リン酸トリトリル、イミダゾール、インジアゾール、安息香酸、安息香酸アンモニウム、カテコール、ピロガロール、レゾルシノール、ヒドロキノン、シアヌル酸、バルビツール酸及び１，２−ジメチルバルビツール酸などの誘導体、ピルビン酸などのαケト酸、ホスホン酸及び１−ヒドロキシエチリデン−１などのそれらの誘導体，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、プロパンチオール、ベンゾヒドロキサム酸、複素環式窒素阻害剤、エチルキサントゲン酸カリウム、及びこれらの組合せが挙げられるが、これらに限定されない。例えば、洗浄組成物は、フェナントロリンとアスコルビン酸又はグリシンとアスコルビン酸の組合せを含むことができる。別の好ましい実施形態では、洗浄組成物は１，２，４−トリアゾールを含む。さらに別の好ましい実施形態では、洗浄組成物はＨＥＤＰを含む。

[0037] 特定の組成物で有用になり得る例示的アミンは、一般式ＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３を有する種を含み、ここでＲ^１、Ｒ^２及びＲ^３は相互に同じであっても又は異なっていてもよく、水素、直鎖状又は分岐鎖状のＣ_１−Ｃ_６アルキル（例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、及びヘキシル）、直鎖状又は分岐鎖状のＣ_１−Ｃ_６アルコール（例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、及びヘキサノール）、及び式Ｒ^４−Ｏ−Ｒ^５を有する直鎖状又は分岐鎖状のエーテルからなる群から選択され、ここでＲ^４及びＲ^５は相互に同じであっても又は異なっていてもよく、以上で定義したようなＣ_１−Ｃ_６アルキルからなる群から選択される。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３のうち少なくとも１つが直鎖状又は分岐鎖状のＣ_１−Ｃ_６アルコールであることが最も好ましい。例としては、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジメチルアミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、１−アミノ−２−プロパノール、２−アミノ−１−ブタノール、イソブタノールアミン、トリエチレンジアミン、他のＣ_１−Ｃ_８アルカノールアミン及びこれらの組合せなどのアルカノールアミンが挙げられるが、これらに限定されない。アミンがエーテル成分を含む場合、アミンは、アルコキシアミン、例えば１−メトキシ−２−アミノエタンと見なすことができる。代替的に、又はＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３アミンに加えて、アミンは、テトラエチレンペンタミン（ＴＥＰＡ）、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン（ＨＥＭ）、Ｎ−アミノエチルピペラジン（Ｎ−ＡＥＰ）、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、１，２−シクロヘキサンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸（ＣＤＴＡ）、グリシン／アスコルビン酸、イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、２−（ヒドロキシエチル）イミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）、ニトリロ三酢酸、チオ尿素、１，１，３，３−テトラメチル尿素、尿素、尿素誘導体、尿酸、グリシン、アラニン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、システイン、グルタミン酸、グルタミン、ヒスチジン、イソロイシン、ロイシン、リシン、メチオニン、フェニルアラニン、プロリン、セリン、スレオニン、トリプトファン、チロシン、バリン、及びこれらの組合せを含むが、これらに限定されない、多官能化アミンであってもよい。アミンは、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、ＥＤＴＡ、ＣＤＴＡ、ＨＩＤＡ、及びＮ−ＡＥＰからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。

[0038] 本明細書で企図される４級塩基は、式ＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＯＨを有する化合物を含み、ここでＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は相互に同じであっても又は異なっていてもよく、水素、直鎖状又は分岐鎖状のＣ_１−Ｃ_６アルキル（例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、及びヘキシル）、及び置換又は非置換Ｃ_６−Ｃ_１０アリル、例えばベンジルからなる群から選択される。市販されている、水酸化テトラエチルアンモニウム（ＴＥＡＨ）、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化テトラプロピルアンモニウム（ＴＰＡＨ）、水酸化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＨ）、水酸化トリブチルメチルアンモニウム（ＴＢＭＡＨ）、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム（ＢＴＭＡＨ）、及びこれらの組合せを含む水酸化テトラアルキルアンモニウムを使用することができる。市販されていない水酸化テトラアルキルアンモニウムは、ＴＭＡＨ、ＴＥＡＨ、ＴＰＡＨ、ＴＢＡＨ、ＴＢＭＡＨ、及びＢＴＭＡＨの調製に使用され、当業者に周知の公表された合成方法と同様の方法で調製することができる。広く使用されている別の第四アンモニウム塩基は水酸化コリンである。４級塩基ではないが、以上で述べた４級塩基の非存在下又は存在下で、水酸化セシウム又は水酸化ルビジウムの塩基を使用してもよい。４級塩基はＴＭＡＨを含むことが好ましい。

[0039] 本明細書で企図される還元剤は、アスコルビン酸、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、没食子酸、グリオキサール、及びこれらの組合せからなる群から選択される種を含む。特に好ましい実施形態では、洗浄組成物はアスコルビン酸を含む。別の特に好ましい実施形態では、洗浄組成物はアスコルビン酸及び没食子酸を含む。

[0040] 例示的アルコールとしては、直鎖状又は分岐鎖状のＣ_１−Ｃ_６アルコール（例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、及びヘキサノール）、ジオール及びトリオールが挙げられる。アルコールはイソプロパノール（ＩＰＡ）を含むことが好ましい。

[0041] 本明細書に記載する組成物で使用する例示的界面活性剤としては、両性塩、カチオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、フルオロアルキル界面活性剤、非イオン界面活性剤、及びこれらの組合せが挙げられるが、これらに限定されず、これらの具体例としては、ＳＵＲＦＯＮＹＬ（登録商標）１０４、ＴＲＩＴＯＮ（登録商標）ＣＦ−２１、ＺＯＮＹＬ（登録商標）ＵＲ、ＺＯＮＹＬ（登録商標）ＦＳＯ−１００、ＺＯＮＹＬ（登録商標）ＦＳＮ−１００、３Ｍ Ｆｌｕｏｒａｄフルオロ界面活性剤（すなわち、ＦＣ−４４３０及びＦＣ−４４３２）、スルホコハク酸ジオクチル塩、２，３−ジメルカプト−１−プロパンスルホン酸塩、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレン又はポリプロピレングリコールエーテル、カルボキシル酸塩、Ｒ_１ベンゼンスルホン酸又はその塩（ここで、Ｒ_１は直鎖状又は分岐鎖状のＣ_８−Ｃ_１８アルキル基である）、両親媒性フルオロポリマー、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレン又はポリプロピレングリコールエーテル、Ｃ_８−Ｃ_１８アルキルリン酸エーテル、カルボキシル酸塩、アルキル基がドデシルベンゼンスルホン酸などのＣ_８−Ｃ_１８アルキルである場合はアルキルアリルスルホン酸、アルキル基がＣ_８−Ｃ_１８アルキルである場合はアルキルアリルホスホン酸、ポリアクリレートポリマー、ジノニルフェニルポリオキシエチレン、シリコーン又は変性シリコーンポリマー、アセチレンジオール又は変性アセチレンジオール、アルキルアンモニウム又は変性アルキルアンモニウム塩、さらに、上記界面活性剤のうち少なくとも１つ、ドデシル硫酸ナトリウム、両性イオン性界面活性剤、エアロゾル−ＯＴ（ＡＯＴ）及びそのフッ化類似体、アルキルアンモニウム、パーフルオロポリエーテル界面活性剤、２−スルホコハク酸塩、リン酸系界面活性剤、硫黄系界面活性剤、及びアセトアセテート系ポリマーを含む組合せが挙げられるが、これに限定されない。好ましい実施形態では、界面活性剤はアルキルベンゼンスルホン酸を含み、ドデシルベンゼンスルホン酸を含むことがより好ましい。存在する場合、界面活性剤の量は、濃縮物の総重量に基づいて約０．００１重量％から約０．５重量％の範囲とすることができる。

[0042] 本明細書で企図される任意選択の錯化剤としては、酢酸、アセトンオキシム、アクリル酸、アジピン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、ベタイン、ジメチルグリオキシム、蟻酸、フマル酸、グルコン酸、グルタミン酸、グルタミン、グルタル酸、グリセリン酸、グリセロール、グリコール酸、グリオキシル酸、ヒスチジン、イミノ二酢酸、イソフタル酸、イタコン酸、乳酸、ロイシン、リシン、マレイン酸、無水マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、マンデル酸、２，４−ペンタンジオン、フェニル酢酸、フェニルアラニン、フタル酸、プロリン、プロピオン酸、ピロカテコール、ピロメリト酸、キナ酸、セリン、ソルビトール、コハク酸、酒石酸、テレフタル酸、トリメリト酸、トリメシン酸、チロシン、バリン、キシリトール、これらの塩及び誘導体、及びこれらの組合せが挙げられるが、これらに限定されない。好ましい実施形態では、錯化剤はヒスチジンを含むことが好ましい。

[0043] 本明細書に記載する洗浄組成物のｐＨは７より大きい、好ましくは約１０から１４を超える範囲、より好ましくは約１２から約１４の範囲である。好ましい実施形態では、洗浄組成物のｐＨは１３より大きい。

[0044] 特に好ましい実施形態では、洗浄組成物は水酸化テトラメチルアンモニウム、少なくとも１つのアミン、少なくとも１つの腐食防止剤、及び水を含むか、それらからなる、又は実質的にそれらからなる。例えば、洗浄組成物は、ＴＭＡＨ、少なくとも１つのアルカノールアミン、ＣＤＴＡ、イミノ二酢酸誘導体、アデニン及び水を含むか、それらからなるか、又は実質的にそれらからなることが可能である。別の特に好ましい実施形態では、洗浄組成物は、水酸化テトラメチルアンモニウム、少なくとも１つのアミン、少なくとも１つの腐食防止剤、少なくとも１つの還元剤、及び水を含むか、それらからなる、又は実質的にそれらからなる。例えば、洗浄組成物は、ＴＭＡＨ、少なくとも１つのアルカノールアミン、ＥＤＴＡ、イミノ二酢酸誘導体、アデニン、少なくとも１つの還元剤、及び水を含むか、それらからなるか、又は実質的にそれらからなることが可能であり、少なくとも１つの還元剤は、アスコルビン酸、没食子酸、又はアスコルビン酸と没食子酸の組合せを含む。別の例では、洗浄組成物は、ＴＭＡＨ、Ｎ−ＡＥＰ、アデノシン、少なくとも１つの還元剤、及び水を含むか、それらからなる、又は実質的にそれらからなることが可能であり、少なくとも１つの還元剤は、アスコルビン酸、没食子酸、又はアスコルビン酸と没食子酸の組合せを含む。さらに別の好ましい実施形態では、洗浄組成物は、水酸化テトラメチルアンモニウム、モノエタノールアミン、少なくとも１つの腐食防止剤、少なくとも１つの錯化剤、少なくとも１つの補足的腐食防止剤、及び水を含むか、それらからなるか、又は実質的にそれらからなる。例えば、洗浄組成物は、ＴＭＡＨ、少なくとも１つのアルカノールアミン、ジホスホン酸誘導体、アデニン、ヒスチジン塩、及び水を含むか、それらからなるか、又は実質的にそれらからなることが可能である。

[0045] 組成物の量に関しては、各成分の重量パーセント比は以下であることが好ましい。すなわち、４級塩基対腐食防止剤は、約０．１：１から約１００：１、好ましくは約１０：１から約７０：１、より好ましくは約２５：１から約５５：１、最も好ましくは約４５：１から約５５：１、有機アミン対腐食防止剤が約０．１：１から約１００：１、好ましくは約１０：１から約７０：１、より好ましくは約２５：１から約５５：１、最も好ましくは約４０：１から約５０：１である。腐食防止剤は４級塩基の存在下で分解するので、重量パーセント比は４級塩基と腐食防止剤を混合した時点での濃度に対応することができる。腐食防止剤が分解した場合、重量パーセントは経時変化することがあるが、当技術分野で周知の技術及び数学原理を使用してチェック可能であることは当業者には理解されよう。４級塩基と腐食防止剤を混合した時点における濃縮物中の腐食防止剤の濃度は、約０．００１重量％から約２重量％、好ましくは約０．００１重量％から約０．５重量％、最も好ましくは約０．１重量％から約１．１重量％の範囲である。

[0046] 別の特に好ましい実施形態では、洗浄組成物は水酸化テトラメチルアンモニウム、モノエタノールアミン、少なくとも１つの腐食防止剤、少なくとも１つの還元剤、少なくとも１つの補足的腐食防止剤、及び水を含むか、それらからなるか、又は実質的にそれらからなり、少なくとも１つの腐食防止剤は、アデノシン、アデノシン分解生成物、及びその誘導体を含む。組成物の量に関しては、各成分の重量パーセント比は以下であることが好ましい。すなわち、４級塩基対腐食防止剤は、約０．１：１から約１００：１、好ましくは約１０：１から約７０：１、より好ましくは約２５：１から約５５：１、最も好ましくは約４５：１から約５５：１、有機アミン対腐食防止剤は、約０．１：１から約１５０：１、好ましくは約５０：１から約１２０：１、より好ましくは約８０：１から約１００：１、最も好ましくは約８５：１から約９５：１、還元剤対腐食防止剤は、約１：１から約３０：１、好ましくは約５：１から約１５：１、補足的腐食防止剤対腐食防止剤は、約１：１から約５０：１、好ましくは約２０：１から約３０：１である。例えば、少なくとも１つの還元剤は、アスコルビン酸を含むことができ、少なくとも１つの金属阻害剤は、１，２，４−トリアゾールを含むことができる。

[0047] 成分の重量パーセント比の範囲は、組成物のすべての可能な濃縮又は希釈実施形態をカバーする。そのために、１つの実施形態では、洗浄溶液として使用するために希釈することができる濃縮洗浄組成物が提供される。濃縮組成物、すなわち「濃縮物」は、使用者、例えばＣＭＰプロセスの技術者は濃縮物を使用時点で所望の強度及びｐＨに希釈することができるので有利である。濃縮洗浄組成物の希釈は、約１：１から約２５００：１、好ましくは約５：１から約２００：１、最も好ましくは約１０：１から約５０：１の範囲とすることができ、洗浄組成物はツールにて、又はその直前に溶媒、例えば脱イオン水で希釈される。希釈後も、本明細書で開示した成分の重量パーセント比はそのまま変更されないべきであることを当業者には理解されたい。

[0048] 本明細書に記載する組成物は、エッチング後の残渣除去、アッシング後の残渣除去、表面の準備、めっき後の洗浄、及びＣＭＰ後の残渣除去を含むが、これらに限定されない用途に有用性を有する。さらに、本明細書に記載する洗浄組成物は、装飾用金属、金属線結合、プリント回路基板、及び金属又は合金を使用する他の電子パッケージングを含むが、これらに限定されない他の金属（例えば銅を含有する）製品の洗浄及び保護に有用であると考えられる。

[0049] さらに別の好ましい実施形態では、本明細書に記載する洗浄組成物は残渣及び／又は汚染物質をさらに含む。残渣及び汚染物質は、組成物中に溶解及び／又は懸濁することができる。残渣は、ＣＭＰ後の残渣、エッチング後の残渣、アッシング後の残渣、汚染物質、又はこれらの組合せを含む。

[0050] 洗浄組成物は、個々の成分を単純に添加し、均質な状態まで混合することによって容易に配合される。さらに、組成物は、単一包装の配合物、又は使用時又はその前に混合する複数包装の配合物として容易に配合することができ、例えば複数部分の配合物の個々の部分をツールにて、又はツールの上流の保存タンク内で混合することができる。個々の成分の濃度は、組成物の倍数比で広範囲に変えることができる。すなわち、さらに希釈するか、又はさらに濃縮することができ、本明細書に記載する組成物は多様に及び代替的に本明細書の開示と矛盾がない成分の任意の組合せを含むか、又はそれらからなるか、又は実質的にそれらからなることができることが理解されよう。

[0051] 本明細書に記載する洗浄組成物の別の実施形態では、組成物は水酸化アンモニウム又はＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＯＨをさらに含み、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は相互に同じであっても又は異なっていてもよく、Ｈ、メチル及びエチル基からなる群から選択されるが、ただし、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４のうち少なくとも１つはＨでなければならない。追加の水酸化物は、使用時点で洗浄組成物に添加することが好ましい。

[0052] したがって、別の態様は、１つ又は複数の容器内に、本明細書に記載する組成物を形成するような構成である１つ又は複数の成分を含むキットに関する。キットは工場で、又は使用時点で追加の溶媒、例えば水及び／又は（以上で定義したような）ＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＯＨ、と混合するために、１つ又は複数の容器内に、少なくとも１つの腐食防止剤、少なくとも１つの４級塩基、少なくとも１つのアルカノールアミン、及び任意で、少なくとも１つの還元剤、少なくとも１つの錯化剤、少なくとも１つの補足的腐食防止剤、少なくとも１つのアルコール、及び少なくとも１つの界面活性剤からなる群から選択される少なくとも１つの追加の種を含むことができる。あるいはキットは工場で、又は使用時点で、追加の溶媒、例えば水及び／又は（以上で定義したような）ＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＯＨ、と混合するために、第１の容器内に少なくとも１つの腐食防止剤を、第２の容器内に少なくとも１つの４級塩基、少なくとも１つのアルカノールアミン、及び任意で少なくとも１つの還元剤、少なくとも１つの錯化剤、少なくとも１つの補足的腐食防止剤、少なくとも１つのアルコール、及び少なくとも１つの界面活性剤からなる群から選択される少なくとも１つの追加の種を、含むことができる。キットの容器は、上記除去組成物の保存及び輸送に適切でなければならず、例えばＮＯＷＰａｋ（登録商標）の容器（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．、米国コネチカット州ダンベリー）がある。

[0053] 除去組成物の成分を含む１つ又は複数の容器は、配合及び分配のために、流体連通して上記１つ又は複数の容器内の成分を運ぶための手段を含むことが好ましい。例えば、ＮＯＷＰａｋ（登録商標）容器を参照すると、上記１つ又は複数の容器のライナーの外側にガス圧を加えて、ライナーの中身の少なくとも一部を放出させ、これにより配合及び分配のための流体連通を可能にすることができる。あるいは、従来の加圧可能な容器の頭隙にガス圧を加えるか、ポンプを使用して、流体連通を可能にすることができる。さらに、システムは、配合した除去組成物をプロセスツールに分配する分配口を含むことが好ましい。

[0054] 上記１つ又は複数の容器のライナーを製作するために、高密度ポリエチレンのような実質的に化学的不活性で、不純物がなく可撓性かつ弾性の高分子膜材料を使用することが好ましい。望ましいライナー材料は、共押出層又はバリア層を必要とすることなく、またライナー内に配置すべき成分の純度要件に悪影響を及ぼし得るいかなる顔料、ＵＶ抑制剤、又は処理剤もない状態で処理される。望ましいライナー材料としては、未使用（添加物がない）ポリエチレン、未使用ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリプロピレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリアセタール、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリブチレンなどを含む膜が挙げられる。このようなライナー材料の好ましい厚さは、約５ミル（０．００５インチ）から約３０ミル（０．０３０インチ）の範囲、例えば２０ミル（０．０２０インチ）の厚さである。

[0055] キットの容器に関しては、以下の特許及び特許出願の開示が、参照により個々の全体が本明細書に組み込まれる。すなわち、「ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＭＩＮＩＭＩＺＩＮＧ ＴＨＥ ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮ ＯＦ ＰＡＲＴＩＣＬＥＳ ＩＮ ＵＬＴＲＡＰＵＲＥ ＬＩＱＵＩＤＳ」と題した米国特許第７，１８８，６４４号、「ＲＥＴＵＲＮＡＢＬＥ ＡＮＤ ＲＥＵＳＡＢＬＥ，ＢＡＧ−ＩＮ−ＤＲＵＭ ＦＬＵＩＤ ＳＴＯＲＡＧＥ ＡＮＤ ＤＩＳＰＥＮＳＩＮＧ ＣＯＮＴＡＩＮＥＲ ＳＹＳＴＥＭ」と題した米国特許第６，６９８，６１９号、「ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＦＯＲ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＢＬＥＮＤＩＮＧ ＡＮＤ ＤＩＳＴＲＩＢＵＴＩＯＮ」と題し、Ｊｏｈｎ Ｅ．Ｑ．Ｈｕｇｈｅｓの名前で２００７年５月９日に出願された米国特許出願第６０／９１６，９６６号、及び「ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＦＯＲ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＢＬＥＮＤＩＮＧ ＡＮＤ ＤＩＳＴＲＩＢＵＴＩＯＮ」と題し、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．の名前で２００８年５月９日に出願されたＰＣＴ／ＵＳ０８／６３２７６号である。

[0056] マイクロ電子製造作業に適用される場合、本明細書に記載する洗浄組成物は、マイクロ電子デバイスの表面からＣＭＴＰ後の残渣及び／又は汚染物質を洗浄するために使用されるので有用である。洗浄組成物は低ｋ誘電体材料を損傷したり、デバイス表面の金属相互接続部を腐食したりしない。洗浄組成物は、残渣を除去する前にデバイス上に存在する残渣の少なくとも８５％を除去することが好ましく、より好ましくは少なくとも９０％、より好ましくは少なくとも９５％、最も好ましくは少なくとも９９％を除去する。

[0057] ＣＭＰ後の残渣及び汚染物質を洗浄する用途では、洗浄組成物は、Ｖｅｒｔｅｑの単一ウェーハメガソニックＧｏｌｄｆｉｎｇｅｒ、ＯｎＴｒａｋ ｓｙｓｔｅｍｓ ＤＤＳ（両面スクラバー）、ＳＥＺ又は他の単一ウェーハ噴霧すすぎ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｍｉｒｒａ−Ｍｅｓａ^ＴＭ／Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ^ＴＭ／Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ ＬＫ^ＴＭ、及びＭｅｇａｓｏｎｉｃのバッチウェットベンチシステムを含むが、これらに限定されないメガソニック及びブラシスクラビングのような多種多様な従来の洗浄ツールとともに使用することができる。

[0058] ＣＭＰ後の残渣、エッチング後の残渣、アッシング後の残渣及び／又は汚染物質をその上に有するマイクロ電子デバイスから、これらを洗浄するために本明細書に記載する組成物を使用する際に、洗浄組成物は通常、約５秒から約１０分、好ましくは約１秒から２０分、好ましくは約１５秒から約５分の間、約２０℃から約９０℃、好ましくは約２０℃から約５０℃の範囲の温度でデバイスと接触する。このような接触時間及び温度は例示的であり、この方法の広範な実践の範囲内で、ＣＭＰ後の残渣／汚染物質をデバイスから少なくとも部分的に洗浄するのに有効である任意の他の適切な時間及び温度条件を用いることができる。「少なくとも部分的に洗浄する」及び「実質的に除去」は両方とも、残渣を除去する前にデバイス上に存在する残渣の少なくとも８５％を、好ましくは少なくとも９０％、より好ましくは少なくとも９５％、最も好ましくは少なくとも９９％を除去することに相当する。

[0059] 所望の洗浄作用を達成した後、洗浄組成物は、本明細書に記載する組成物の所与の最終使用用途で望ましく、有効であるように、それが塗布されていたデバイスから直ちに除去することができる。すすぎ溶液は脱イオン水を含むことが好ましい。その後、デバイスは窒素又はスピン乾燥サイクルを使用して乾燥することができる。

[0060] さらに別の態様は、本明細書に記載する方法により作成された改良型のマイクロ電子デバイス、及びこのようなマイクロ電子デバイスを含む製品に関する。

[0061] 別の態様はリサイクルされた洗浄組成物に関し、洗浄組成物は、残渣及び／又は汚染物質の負荷が、当業者によって容易に決定されるような洗浄組成物の収容可能最大量に到達するまでリサイクルすることができる。

[0062] 他の態様はマイクロ電子デバイスを備える商品を製造する方法に関し、上記方法は、ＣＭＰ後の残渣及び汚染物質を、これらをその上に有するマイクロ電子デバイスから洗浄するのに十分な時間だけ、マイクロ電子デバイスを洗浄組成物と接触させることと、上記マイクロ電子デバイスを上記商品に組み込むことと、本明細書に記載する洗浄組成物を使用することとを含む。

[0063] 別の態様では、ＣＭＰ後の残渣及び汚染物質を、これらをその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する方法について記載する。該方法は、
マイクロ電子デバイスをＣＭＰスラリーで研磨する工程と、
ＣＭＰ後の残渣及び汚染物質をマイクロ電子デバイスから除去し、ＣＭＰ後の残渣含有組成物を形成するのに十分な時間、少なくとも１つの腐食防止剤を含む洗浄組成物にマイクロ電子デバイスを接触させる工程と、
マイクロ電子デバイスの実質的な洗浄を実行するのに十分な量の時間、ＣＭＰ後の残渣 含有組成物にマイクロ電子デバイスを接触させ続ける工程を含み、
少なくとも１つの腐食防止剤は、リボシルプリン及びそのメチル化又はデオキシ誘導体、アデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物、プリン−糖類複合体、他のプリン化合物及びそのメチル化又はデオキシ誘導体、及びこれらの組合せからなる群から選択される１種を含む。

[0064] 別の態様は、洗浄組成物と、マイクロ電子デバイスのウェーハと、残渣、汚染物質及びこれらの組合せからなる群から選択される材料とを含む製品に関し、洗浄組成物は少なくとも１つの溶媒、少なくとも１つの腐食防止剤、少なくとも１つのアミン、及び少なくとも１つの４級塩基を含み、少なくとも１つの腐食防止剤は、リボシルプリン及びそのメチル化又はデオキシ誘導体、アデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物、プリン−糖類複合体、他のプリン化合物及びそのメチル化又はデオキシ誘導体、及びこれらの組合せからなる群から選択される１種を含み、残渣はＣＭＰ後の残渣、エッチング後の残渣及びアッシング後の残渣のうち少なくとも１つを含む。

[0065] 特徴及び利点を、以下で検討する例示的な実施例によってより詳細に示す。

[0066] ５重量％のＴＭＡＨ、４．５重量％のＭＥＡ、２．４重量％のアデノシン及び８７．１重量％の水を含む組成物を８０℃でエージングし、質量分析法を使用して、アデノシン関連の材料が減少するか、又は消失し、その代わりにアデニン関連の材料が生成されたことを判定した。いかなる理論にも束縛されないが、アデノシンが分解してアデニン及びリボースを形成し、アデノシン、アデニン及びリボースが分解プロセス中にメチル化されるとも仮定し得る。アデニン及びリボースはさらに分解することがある。さらに、二量体が形成されることがある。

[0067] すぐに使用するために、５重量％のＴＭＡＨ、４．５重量％のＭＥＡ及び表１に示す重量パーセントのアデノシン及び水を含む洗浄組成物の濃縮物を調製した。濃縮物を水で３０：１（水対濃縮物）に希釈し、被覆したＥＣＤの銅ウェーハを各組成物に２５℃で静的に浸漬することにより、銅の腐食速度を測定した。銅の腐食結果を表１に作表し、腐食速度を図１に示す。

[0068] ５重量％のＴＭＡＨ、４．５重量％のＭＥＡ、２．４重量％のアデノシン、及び８８．１重量％の水（配合物Ｐ）を含む洗浄組成物の濃縮物を調製した。濃縮物を５５℃で１７日間エージングし、サンプルを定期的に取り出して、組成物中のアデノシンの濃度をチェックし、さらに上記サンプルと接触した場合の銅の腐食速度を測定した。被覆したＥＣＤの銅ウェーハを取り出した各サンプルに２５℃で静的に浸漬することにより、銅の腐食速度を測定した。高速液体クロマトグラフィ（ＨＰＬＣ）を使用して、取り出したサンプル中のアデノシン濃度を測定した。重量パーセント単位のアデノシン濃度及び銅の腐食速度を図２に示す。

[0069] 実施例１の洗浄組成物の濃縮物Ｆ及び濃縮物Ｇ（９重量％のＭＥＡ、５重量％のＴＭＡＨ、３．５重量％のアスコルビン酸、及び８２．５０重量％の水）を調製した。被覆したＥＤＣの銅ウェーハを以下のように順番に接触させた。化学物質１５秒、ブラシ箱１内にてＤＩ水で１５秒間すすぐ、化学物質６０秒、及びブラシ箱２内にてＤＩ水で１５秒すすぐ。使用した化学物質は、（ａ）濃縮物Ｆの６０：１希釈である配合物Ｈ、（ｂ）エージングした濃縮物Ｆ（８０℃で１晩エージング）の６０：１希釈である配合物Ｉ、又は（ｃ）濃縮物Ｇの６０：１希釈である配合物Ｊ。それぞれの結果は、原子間力顕微鏡を使用して測定したところ、ウェーハ上の欠陥数はほぼ同じであった。配合物のエージングは、欠陥数に重大な影響を与えなかった。とはいうものの、配合物Ｈ及びＪを使用して順番に接触させた後、（ヘイズ数での）粗さを比較したところ、配合物Ｈを使用したヘイズ数は、配合物Ｊを使用したものよりほぼ５０％少ないことが判定された。

[0070] 被覆したＢＬＡＣＫ ＤＩＡＭＯＮＤ（ＢＤ）のウェーハを配合物Ｈ、配合物Ｋ（濃縮物Ｆの３０：１希釈）、配合物Ｉ、及び配合物Ｌ（エージングした濃縮物Ｆ（８０℃で１晩エージング）の３０：１希釈）に２５℃で５分間静的に浸漬し、その後でＤＩ水で２５℃で２分間すすぎ、ＢＤの比誘電率を測定した。ＢＤウェーハの比誘電率に有意の変化は観察されなかった。

[0071] 被覆したＥＤＣの銅ウェーハを配合物Ｈ、Ｋ、Ｉ及びＬに２５℃で５分間静的又は動的に浸漬し（３０００ｒｐｍで攪拌）、その後にＤＩ水で２５℃で２分間すすぎ、銅の腐食速度を測定した。最低腐食速度は、配合物Ｈ（動的）及び配合物Ｉ（静的）について観察された。

[0072] Ｓｅｍａｔｅｃｈ８５４のウェーハを配合物Ｈ、Ｋ、Ｉ及びＬに２５℃で５分間動的に浸漬し（３０００ｒｐｍで攪拌）、その後にＤＩ水で２５℃で２分間すすぎ、ＡＦＭを使用して洗浄効率を測定した。配合物はすべて実質的に同じ洗浄効率を呈した。

[0073] 以下の配合物を調製した。
配合物Ｍ：5重量％のTMAH、2.79重量％のTEPA、0.1重量％のアデノシン、92.11重量％の水
配合物Ｎ：5重量％のTMAH、3.17重量％のN-AEP、0.1重量％のアデノシン、91.73重量％の水
配合物Ｏ：5重量％のTMAH、9.70重量％のHEM、0.1重量％のアデノシン、86.20重量％の水

[0074] 配合物Ｆ、Ｍ、Ｎ及びＯを水で３０：１に希釈し、被覆したＥＣＤの銅ウェーハを各希釈配合物に２５℃で３００秒間動的に浸漬し（５０ｒｐｓ）、その後にＤＩ水で２５℃で１２０秒間すすいだ。下表２に提供されているように、それぞれについて銅の腐食速度を測定した。

[0075] ＭＥＡ以外のアミンを、本明細書で開示した洗浄組成物中で使用することができ、銅の腐食速度の結果が同様であったことが分かる。

[0076] アデノシン腐食防止剤の分解を遅くして洗浄組成物の貯蔵寿命を延ばすために、本明細書で開示した洗浄組成物に犠牲酸化防止剤を添加できるか否か判定した。

[0077] ０．１重量％のリポ酸又はアスコルビン酸を含む（それに伴って、存在する水の量が減少する）ように配合物Ｐを変化させ、５５℃で４日間維持した。実験の最後において、アデノシンの濃度は０．１重量％未満であり、アデノシンがまだ分解中であることを示した。

[0078] 同じモル量のアデノシン及びリポ酸又はアスコルビン酸を有する組成物を配合して第２の実験を実行した。組成物はほぼ配合物Ｐのものであった。リポ酸及びアスコルビン酸を含む組成物を８０℃で０、２、４、８、１６及び２４時間エージングした。ＨＰＬＣの結果によると、リポ酸及びアスコルビン酸は経時的に分解率を遅らせた。

[0079] 例示的実施形態及び特徴に関して、本明細書で本発明を様々に開示してきたが、上記実施形態及び特徴は本発明を限定するものではなく、本明細書の開示に基づいて他の変形、変更及び他の実施形態を思い付くことができることを当業者であれば理解されよう。したがって、本発明はすべてのこのような変形、変更及び代替実施形態を以降で記載する特許請求の範囲の精神及び範囲に含むものと広義に解釈されたい。

Claims (18)

1. 少なくとも１つの溶媒、少なくとも１つの腐食防止剤、少なくとも１つのアミン、及び少なくとも１つの４級塩基を含む洗浄組成物であって、前記腐食防止剤が、リボシルプリン及びそのメチル化又はデオキシ誘導体、アデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物、プリン−糖類複合体、メチル化又はデオキシプリン誘導体及びその反応生成物又は分解生成物、及びこれらの組合せからなる群から選択される１種を含む洗浄組成物。
2. 前記少なくとも１つの腐食防止剤が、Ｎ−リボシルプリン、アデノシン、グアノシン、２−アミノプリンリボシド、２−メトキシアデノシン、Ｎ−メチルアデノシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアデノシン、トリメチル化アデノシン、トリメチルＮ−メチルアデノシン、Ｃ−４’−メチルアデノシン、３−デオキシアデノシン、アデニン、メチル化アデニン、ジメチル化アデニン、Ｎ４，Ｎ４−ジメチルピリミジン−４，５，６−トリアミン、４，５，６−トリアミンピリミジン、アラントイン、ヒドロキシル化Ｃ−Ｏ−Ｏ−Ｃ二量体、Ｃ−Ｃ架橋二量体、リボース、メチル化リボース、テトラメチル化リボース、キシロース、グルコース、プリン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、テオブロミン、カフェイン、尿酸、イソグアニン、トリアミノピリミジン、アミノ置換ピリミジン、及びこれらの組合せからなる群から選択される１種を含む、請求項１に記載の洗浄組成物。
3. 前記少なくとも１つの腐食防止剤が、アデノシン、アデノシン分解生成物、及びその誘導体からなる群から選択される１種を含む、請求項１に記載の洗浄組成物。
4. 前記溶媒が水を含む、前記請求項のいずれかに記載の洗浄組成物。
5. 残渣及び汚染物質をさらに含み、前記残渣が、ＣＭＰ後の残渣、エッチング後の残渣、アッシング後の残渣、又はこれらの組合せを含む、前記請求項のいずれかに記載の洗浄組成物。
6. 前記組成物が、約５：１から約２００：１の範囲で希釈される、前記請求項のいずれかに記載の洗浄組成物。
7. 前記組成物に、酸化剤、フッ化物含有源、研磨剤、分子にエーテル結合を有するアルコール、アルキルピロリドン、表面相互作用増強剤、アルカリ及びアルカリ土類金属塩基、糖アルコール、腐食防止ハロゲン化金属及びこれらの組合せの少なくとも1つを実質的に含まず、前記洗浄組成物が凝固して高分子固体を形成しない、前記請求項のいずれかに記載の洗浄組成物。
8. 前記アミンが、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジメチルアミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、１−アミノ−２−プロパノール、２−アミノ−１−ブタノール、イソブタノールアミン、トリエチレンジアミン、他のＣ_１−Ｃ_８アルカノールアミン類、テトラエチレンペンタミン（ＴＥＰＡ）、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン（ＨＥＭ）、Ｎ−アミノエチルピペラジン（Ｎ−ＡＥＰ）、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、１，２−シクロヘキサンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸（ＣＤＴＡ）、グリシン／アスコルビン酸、イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、２−（ヒドロキシエチル）イミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）、ニトリロ三酢酸、チオ尿素、１，１，３，３−テトラメチル尿素、尿素、尿素誘導体、尿酸、グリシン、アラニン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、システイン、グルタミン酸、グルタミン、ヒスチジン、イソロイシン、ロイシン、リシン、メチオニン、フェニルアラニン、プロリン、セリン、スレオニン、トリプトファン、チロシン、バリン、１−メトキシ−２−アミノエタン、及びこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１種を含み、
   前記少なくとも１つの４級塩基が、一般式ＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＯＨを有し、ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が互いに同じであっても又は異なっていてもよく、水素、直鎖状のＣ_１−Ｃ_６アルキル、分岐鎖状のＣ_１−Ｃ_６アルキル、置換Ｃ_６−Ｃ_１０アリル、及び非置換Ｃ_６−Ｃ_１０アリルからなる群から選択される、前記請求項のいずれかに記載の洗浄組成物。
9. 少なくとも１つの還元剤、少なくとも１つの錯化剤、少なくとも１つの補足的腐食防止剤、少なくとも１つのアルコール、少なくとも１つの界面活性剤、及びＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＯＨ（ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は互いに同じであっても異なっていてもよく、Ｈ、メチル及びエチル基からなる群から選択され、ただし、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４のうち少なくとも１つがＨでなければならない）からなる群から選択される少なくとも１つの追加成分をさらに含む、、前記請求項のいずれかに記載の洗浄組成物。
10. 少なくとも１つの還元剤をさらに含む、前記請求項のいずれかに記載の洗浄組成物。
11. 少なくとも１つの錯化剤及び少なくとも１つの補足的腐食防止剤をさらに含む、前記請求項のいずれかに記載の洗浄組成物。
12. 前記少なくとも１つの還元剤が、アスコルビン酸、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、没食子酸、グリオキサール、及びこれらの組合せからなる群から選択される１種を含む、前記請求項のいずれかに記載の洗浄組成物。
13. 前記補足的腐食防止剤が、アスコルビン酸、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、ベンゾトリアゾール、クエン酸、エチレンジアミン、没食子酸、シュウ酸、タンニン酸、１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、トリルトリアゾール、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、２−（５−アミノーペンチル）−ベンゾトリアゾール、１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロ−ベンゾトリアゾール類（ハロ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ナフトトリアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール（ＭＢＩ）、２−メルカプトベンゾチアゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、イミダゾリンチオン、メルカプトベンゾイミダゾール、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾチアゾール、リン酸トリトリル、イミダゾール、インジアゾール、安息香酸、安息香酸アンモニウム、カテコール、ピロガロール、レゾルシノール、ヒドロキノン、シアヌル酸、バルビツール酸及び１，２−ジメチルバルビツール酸などの誘導体、ピルビン酸、ホスホン酸及びその誘導体、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、プロパンチオール、ベンゾヒドロキサム酸類、複素環式窒素阻害剤、エチルキサントゲン酸カリウム、及びこれらの組合せからなる群から選択される１種を含む、前記請求項のいずれかに記載の洗浄組成物。
14. 前記錯化剤が、酢酸、アセトンオキシム、アクリル酸、アジピン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、ベタイン、ジメチルグリオキシム、蟻酸、フマル酸、グルコン酸、グルタミン酸、グルタミン、グルタル酸、グリセリン酸、グリセロール、グリコール酸、グリオキシル酸、ヒスチジン、イミノジ酢酸、イソフタル酸、イタコン酸、乳酸、ロイシン、リシン、マレイン酸、無水マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、マンデル酸、２，４−ペンタンジオン、フェニル酢酸、フェニルアラニン、フタル酸、プロリン、プロピオン酸、ピロカテコール、ピロメリト酸、キナ酸、セリン、ソルビトール、コハク酸、酒石酸、テレフタル酸、トリメリト酸、トリメシン酸、チロシン、バリン、キシリトール、これらの塩及び誘導体、及びこれらの組合せからなる群から選択される１種を含む、前記請求項のいずれかに記載の洗浄組成物。
15. １つ又は複数の容器内に洗浄組成物を形成する以下の試薬のうち１つ又は複数を含むキットであって、前記洗浄組成物が、少なくとも１つの溶媒、少なくとも１つの腐食防止剤、少なくとも１つのアミン、及び少なくとも１つの４級塩基を含み、前記腐食防止剤が、リボシルプリン類及びそのメチル化又はデオキシ誘導体、アデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物、プリン−糖類複合体、メチル化又はデオキシプリン誘導体及びその反応生成物又は分解生成物、及びこれらの組合せからなる群から選択される１種を含む、キット。
16. その上に残渣及び汚染物質を有するマイクロ電子デバイスから残渣及び汚染物質を除去する方法であって、前記マイクロ電子デバイスから前記残渣及び汚染物質を少なくとも部分的に洗浄するのに十分な時間、前記マイクロ電子デバイスを洗浄組成物と接触させる工程を含み、前記洗浄組成物が、少なくとも１つの溶媒、少なくとも１つの腐食防止剤、少なくとも１つのアミン、及び少なくとも１つの４級塩基を含み、前記腐食防止剤が、リボシルプリン類及びそのメチル化又はデオキシ誘導体、アデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物、プリン−糖類複合体、メチル化又はデオキシプリン誘導体及びその反応生成物又は分解生成物、及びこれらの組合せからなる群から選択される１種を含む、方法。
17. 前記少なくとも１つの腐食防止剤が、Ｎ−リボシルプリン、アデノシン、グアノシン、２−アミノプリンリボシド、２−メトキシアデノシン、Ｎ−メチルアデノシン（Ｃ_１１Ｈ_１５Ｎ_５Ｏ_４）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアデノシン（Ｃ_１２Ｈ_１７Ｎ_５Ｏ_４）、トリメチル化アデノシン（Ｃ_１３Ｈ_１９Ｎ_５Ｏ_４）、トリメチルＮ−メチルアデノシン（Ｃ_１４Ｈ_２１Ｎ_５Ｏ_４）、Ｃ−４’−メチルアデノシン、３−デオキシアデノシン、アデニン（Ｃ_５Ｈ_５Ｎ_５）、メチル化アデニン、ジメチル化アデニン、Ｎ４，Ｎ４−ジメチルピリミジン−４，５，６−トリアミン（Ｃ_６Ｈ_１１Ｎ_５）、４，５，６−トリアミノピリミジン、アラントイン（Ｃ_４Ｈ_６Ｎ_４Ｏ_３）、ヒドロキシル化Ｃ−Ｏ−Ｏ−Ｃ二量体（（Ｃ_５Ｈ_４Ｎ_５Ｏ_２）_２）Ｃ−Ｃ架橋二量体（（Ｃ_５Ｈ_４Ｎ_５）_２及び（Ｃ_５Ｈ_４Ｎ_５Ｏ）_２）、リボース（Ｃ_５Ｈ_１０Ｏ_５）、メチル化リボース、テトラメチル化リボース、キシロース、グルコース、プリン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、テオブロミン、カフェイン、尿酸、イソグアニン、トリアミノピリミジン、アミノ置換ピリミジン、及びこれらの組合せからなる群から選択される１種を含む、請求項１６に記載の方法。
18. 使用時、又はその前に前記洗浄組成物を溶媒で希釈する工程をさらに含み、前記溶媒が水を含む、請求項１６に記載の方法。