KR20230079429A - Cmp 후 세정 조성물 - Google Patents

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다니엘라 화이트
영민 김
마이클 엘 화이트
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엔테그리스, 아이엔씨.
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Abstract

일반적으로, 본 발명은 PETEOS, SiO2, 열 산화물, 질화규소, 규소 등과 같은 유전체 표면을 위한 고 pH 세정 조성물을 제공한다. 본 발명의 조성물은 우수한 표면 습윤, 입자 및 유기 잔류물의 분산을 제공하고, 세정 동안 분산된 잔류물의 재침착 및 재응집을 방지하여 우수한 세정 및 낮은 결함성을 제공한다.

Description

CMP 후 세정 조성물
본 발명은 일반적으로 마이크로전자 장치의 표면으로부터 CMP 후 잔류물을 제거하기 위한 조성물에 관한 것이다.
마이크로전자 장치 웨이퍼는 집적 회로를 형성하는 데 사용된다. 마이크로전자 장치 웨이퍼는 규소 등의 기판을 포함하고, 기판 내로 절연성, 전도성 또는 반전도성을 갖는 여러가지 물질의 침착을 위한 영역이 패턴화된다.
정확한 패턴화를 얻기 위해, 기판 상에 층을 형성하기 위해 사용된 과량의 물질이 제거되어야 한다. 또한, 기능성의 신뢰할만한 회로망을 제조하기 위해, 후속 가공 전에 편평하거나 평탄한 마이크로전자 웨이퍼 표면을 제조하는 것이 중요하다. 따라서, 마이크로전자 장치 웨이퍼의 특정 표면을 제거하고/거나 연마하는 것이 필요하다.
화학 기계적 연마 또는 평탄화 ("CMP")는 마모 등의 물리적 공정을 산화 또는 킬레이트화 등의 화학적 공정과 결합시킴으로써, 마이크로전자 장치 웨이퍼의 표면으로부터 물질을 제거하고 표면을 연마 (예를 들어, 평탄화)하는 공정이다. 가장 기본적인 형태에서, CMP는 제거, 평탄화, 및 연마 공정 동안 마이크로전자 장치 웨이퍼의 표면을 문지르는 연마 패드에 활성 화학특성을 갖는 연마제 슬러리를 적용하는 것을 포함한다. 순전히 물리적 작용을 이용하거나 또는 순전히 화학적 작용을 이용하는 제거 또는 연마 공정은 신속하고 균일한 제거를 달성하는 데 있어서 둘의 상승적 조합만큼 효과적이지 못하다. 또한, 집적 회로의 제작에서, CMP 슬러리는 후속 포토리소그래피, 또는 패턴화, 에칭 및 박막 가공 동안 고도의 평면 표면이 제조될 수 있도록 금속 및 기타 물질의 복합 층을 포함하는 필름을 또한 우선적으로 제거할 수 있어야 한다.
얕은 트렌치 격리 (STI) 공정을 사용하여 규소 기판에 격리 영역을 형성하는 공정 전반 단계 (front-end-of-the-line, FEOL) 방법에서는, 패드 산화물 필름 및 패드 질화물 필름을 반도체 기판 상에 침착시키고, 격리 영역에 해당하는 기판의 일부분이 노출되도록 패턴화한다. 이어서, 기판의 노출된 영역을 에칭하여 트렌치를 형성한다. 그 후에, 기판에 희생 산화 공정을 실시하여, 기판 에칭에 의해 야기된 손상을 제거한 다음, 트렌치 표면 상에 벽 산화물 필름을 형성한다. 그 다음에, 트렌치-매립 산화물 필름 (예를 들어, HDP-산화물 필름으로 지칭되는 고밀도 플라즈마 화학적 증착에 의해 형성된 산화물 필름)이, 트렌치에 매립되는 것과 같은 방식으로 기판의 표면 상에 침착된다. 이어서, 패드 질화물 필름이 노출될 때까지 HDP-산화물 필름의 표면에 화학 기계적 연마를 실시한다. 이어서 생성된 기판을 세정하고 트렌치 에칭 동안 에칭 장벽으로서 사용되었던 패드 질화물 필름을 제거하고, 격리 영역의 형성을 완료한다.
세리아 입자를 사용한 CMP 슬러리는 실리카-함유 슬러리에 비해, 일반적으로 절연체에 대해 더 빠른 연마 속도를 달성한다. 또한, 세리아계 슬러리는 산화물 침식을 최소화하면서 STI 패턴 평탄화를 달성하는 능력 때문에 가장 흔히 사용된다. 불리하게도, 세리아계 슬러리는 산화규소 및 질화규소 표면에 대해 세리아 입자의 반대로 하전된 제타 전위 때문에 STI 구조로부터 제거하기가 어렵다. 이러한 잔류물이 웨이퍼 상에 남아 있는 상태에서 장치가 제조되는 경우, 잔류물로 인해 단락이 발생하고 전기 저항이 증가할 것이다. 세리아 입자는 또한 세리아 슬러리를 사용한 CMP 공정 이후의 FinFET 구조에서도 문제가 된다.
연마제 입자로서 실리카 및 표면 히드록실화된 다른 금속 산화물을 함유하는 슬러리로 연마된 유전체 기판 (PETEOS, SiO2, 열 산화물, 질화규소, 규소 등)의 CMP 후 세정은 어렵고, 낮은 pH 및 중간 pH에서의 수소-결합 및 반 데르 발스 힘 및 높은 pH에서의 입자 응집 및 재침전을 통한 연마제 입자와 유전체 표면 사이의 강한 상호작용으로 인해 높은 잔류물 및 결함성으로 이어진다. 이론적으로, pH IEP (등전점)보다 높은 pH에서, 연마제 잔류 입자 및 유전체 표면은 둘 다 고도로 음으로 하전되어야 하고, 따라서 정전기적 반발 입자-기판은 결함성이 더 낮아져야 한다. 실제로, 대부분의 CMP 슬러리 유기 첨가제는 이들 강한 반발력을 막고 중화시킬 것이며, 이는 때때로 웨이퍼 표면에 대한 입자의 보다 우수한 접착, 즉 높은 결함성을 초래하는 원치 않는 효과의 원인이 된다. 따라서, 잔류 입자 뿐만 아니라 유전체 웨이퍼 표면에 접착된 잔류물을 모두 효과적으로 제거하는 개선된 CMP 후 세정 조성물에 대한 필요성이 존재한다.
일반적으로, 본 발명은 PETEOS, SiO2, 열 산화물, 질화규소, 규소 등과 같은 유전체 표면에 대한 고 pH 세정 조성물을 제공한다. 본 발명의 조성물은 우수한 표면 습윤, 입자 및 유기 잔류물의 분산을 제공하고, 세정 동안 분산된 잔류물의 재침착 및 재응집을 방지하여 우수한 세정 및 낮은 결함성을 제공한다. 한 측면에서, 본 발명은 하기를 포함하는 조성물을 제공한다:
a. 물;
b. 2 내지 7개의 탄소 원자를 갖는 알칸올아민;
c. 글리콜 에테르;
d. pH 조정제; 및
e. 표면-활성 소수성 산.
도 1은 샘플 1 (비교)을 샘플 2, 3 및 4와 비교하는, 침지 시험 및 SEM 측정이 이어지는 입자 계수 프로그램에 의해 수득된 각 제제의 입자 면적 결과이다.
도 2는 샘플 1 (비교) 및 본 발명의 개선된 조성물의 표면 장력 및 물 접촉각 (WCA)이다.
도 3은 일련의 다양한 조성물의 입자 면적 결과를 도시한다.
본 발명은 일반적으로 마이크로전자 장치 상에 잔류물 및 오염물을 갖는 마이크로전자 장치로부터 이러한 물질들을 제거하는 데 유용한 조성물에 관한 것이다. 조성물은 PETEOS, SiO2, 열 산화물, 질화규소, 규소 등과 같은 유전체 표면으로부터 CMP-후, 에칭-후 또는 애싱-후 잔류물의 제거에 특히 유용하다.
본 명세서 및 첨부된 청구범위에서 사용된 단수 형태는 내용이 달리 명백하게 지시하지 않는 한 복수 대상을 포함한다. 본 명세서 및 첨부된 청구범위에서 사용된 용어 "또는"은 일반적으로 문맥상 달리 명백하게 지시되지 않는 한 "및/또는"을 포함하는 개념으로 사용된다.
용어 "약"은 일반적으로 열거된 값과 동등한 것으로 고려되는 (예를 들어, 동일한 기능 또는 결과를 갖는) 수치 범위를 지칭한다. 많은 경우에, 용어 "약"은 가장 가까운 유효 숫자로 반올림된 수를 포함할 수 있다.
종점을 사용하여 표현되는 수치 범위는 그 범위 내에 포함되는 모든 수를 포함한다 (예를 들어, 1 내지 5는 1, 1.5, 2, 2.75, 3, 3.80, 4 및 5를 포함한다).
제1 측면에서, 본 발명은 하기를 포함하는 조성물을 제공한다:
a. 물;
b. 2 내지 7개의 탄소 원자를 갖는 알칸올아민;
c. 글리콜 에테르;
d. pH 조정제; 및
e. 표면-활성 소수성 산.
한 실시양태에서, 알칸올아민은 아미노에틸에탄올아민, N-메틸아미노에탄올, 아미노에톡시에탄올, 아미노에톡시에톡시에탄올, 메톡시프로필아민, 부톡시이소프로필아민, 2-에틸헥실이소프로폭시아민, 에탄올프로필아민, 에틸에탄올아민, n-히드록시에틸모르폴린, 아미노프로필디에탄올아민, 디메틸아미노에톡시에탄올, 디에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, 모노에탄올아민, 트리에탄올아민, 1-아미노-2-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 디이소프로필아민, 아미노메틸프로판디올, N,N-디메틸아미노메틸프로판디올, 아미노에틸프로판디올, N,N-디메틸아미노에틸프로판디올, 이소프로필아민, 2-아미노-1-부탄올, 아미노메틸프로판올, 아미노디메틸프로판올, N,N-디메틸아미노메틸프로판올, 이소부탄올아민, 디이소프로판올아민, 3-아미노,4-히드록시옥탄, 2-아미노부탄올, 트리스(히드록시메틸)아미노메탄 (TRIS), N,N-디메틸트리스(히드록시메틸)아미노메탄, 히드록시프로필아민, 벤질아민, 히드록시에틸 아민, 트리스(히드록시에틸)아미노메탄, 디글리콜아민, 및 그의 조합으로부터 선택된다.
한 실시양태에서, 글리콜 에테르는 화학식 -(CH2)x- (여기서, x는 2 내지 6의 정수임)의 메틸렌 연결기, 및 임의로 방향족 기, 예컨대 페닐을 보유한다. 또 다른 실시양태에서, 글리콜 에테르는 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 (BDG, DEGBE), 트리에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 (TEGBE), 에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르 (EGHE), 디에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르 (DEGHE), 에틸렌 글리콜 페닐 에테르, 디에틸렌 글리콜 페닐에테르, 헥사에틸렌 글리콜 모노페닐 에테르, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르 (DPGME), 트리프로필렌 글리콜 메틸 에테르 (TPGME), 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르 (DPGPE), 트리프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르 (예컨대 다우아놀 (DOWANOLTM) PnB 글리콜 에테르, 다우, 인크. (Dow, Inc.)), 디프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 페닐 에테르, 프로필렌 글리콜 페닐 에테르 (예컨대 다우아놀TM PPh 글리콜 페닐 에테르)로부터 선택된다.
한 실시양태에서, pH 조정제는 사용 동안 조성물의 pH를 목적한 pH로 증가시키는데 효과적인 유형 및 양의 염기이다. 특정 실시양태에서, pH는 7 초과, 또는 약 8 내지 14, 또는 약 9 내지 14일 것이다.
염기는 명시된 바와 같이 조성물의 pH를 제어하는 데 유용한 임의의 염기일 수 있으며, 다수의 상이한 염기성 화합물이 마이크로전자 장치 기판의 표면을 세정하도록 적합화된 세정 용액에서, 예를 들어 CMP-후 세정 용액으로서 사용되는 것으로 공지되어 있다. 염기는 수산화칼륨, 수산화암모늄 (즉, 암모니아), 및 화학식 NR1R2R3R4OH를 갖는 테트라알킬암모늄 히드록시드 화합물을 포함하나 이에 제한되지는 않으며, 여기서 R1, R2, R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 직쇄 또는 분지형 C1-C6 알킬 (예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 및 헥실) 기, C1-C6 히드록시알킬 (예를 들어, 히드록시메틸, 히드록시에틸, 히드록시프로필, 히드록시부틸, 히드록시펜틸, 및 히드록시헥실) 기, 및 치환 또는 비치환된 C6-C10 아릴 기 (예를 들어, 벤질 기)로부터 선택된다. 염기성 화합물의 비제한적 예는 콜린 히드록시드, 테트라부틸포스포늄 히드록시드 (TBPH), 테트라메틸포스포늄 히드록시드, 테트라에틸포스포늄 히드록시드, 테트라프로필포스포늄 히드록시드, 벤질트리페닐포스포늄 히드록시드, 메틸 트리페닐포스포늄 히드록시드, 에틸 트리페닐포스포늄 히드록시드, N-프로필 트리페닐포스포늄 히드록시드, 테트라에틸암모늄 히드록시드 (TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드 (TPAH), 테트라부틸암모늄 히드록시드 (TBAH), 트리메틸에틸암모늄 히드록시드, 디에틸디메틸암모늄 히드록시드, 트리부틸메틸암모늄 히드록시드 (TBMAH), 벤질트리메틸암모늄 히드록시드 (BTMAH), 테트라메틸암모늄 히드로클로라이드 (TMAH), 트리스(2-히드록시에틸)메틸 암모늄 히드록시드, 디에틸디메틸암모늄 히드록시드, 구아니딘 아세테이트, 수산화암모늄, 1,1,3,3-테트라메틸 구아니딘, 구아니딘 카르보네이트, 아르기닌, 수산화칼륨, 수산화세슘 및 그의 조합을 포함한다.
대안적으로 또는 추가로, pH 조정제는 화학식 (PR5R6R7R8)OH를 갖는 화합물일 수 있으며, 여기서 R5, R6, R7 및 R8는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 직쇄 C1-C6 알킬 (예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸 및 헥실) 기, 분지형 C1-C6 알킬 기, C1-C6 히드록시알킬 (예를 들어, 히드록시메틸, 히드록시에틸, 히드록시프로필, 히드록시부틸, 히드록시펜틸 및 히드록시헥실) 기, 치환된 C6-C10 아릴 기, 비치환된 C6-C10 아릴 기 (예를 들어, 벤질 기), 및 그의 임의의 조합, 예컨대 테트라부틸포스포늄 히드록시드 (TBPH), 테트라메틸포스포늄 히드록시드, 테트라에틸포스포늄 히드록시드, 테트라프로필포스포늄 히드록시드, 벤질트리페닐포스포늄 히드록시드, 메틸 트리페닐포스포늄 히드록시드, 에틸 트리페닐포스포늄 히드록시드, N-프로필 트리페닐포스포늄 히드록시드로부터 선택된다.　
또 다른 실시양태에서, pH 조정제 (즉, 염기)는 콜린 히드록시드 및 테트라에틸암모늄 히드록시드 (TEAH)로부터 선택된다.
이들 염기성 화합물은 조성물 중 유일한 염기성 화합물로서 개별적으로 (예를 들어, 단독으로); 조성물 중에 서로 조합하여, 즉 조성물 중 유일한 2종의 염기성 화합물로서; 또는 조성물 중 1종 이상의 추가의 (예를 들어, 2차) 염기 또는 염기들과 조합하여 포함될 수 있다.
본원에 사용된 용어 "표면-활성 소수성 산"은 관련 기술분야 통상의 기술자에 의해 용이하게 이해되는 바와 같이 소수성 기를 갖는 산 종에 상응하지만, 중합체 계면활성제를 포함하지 않는다. 본원에 기재된 조성물에 사용하기 위한 예시적인 표면-활성 소수성 산 또는 염은 소듐 도데실술페이트 (SDS), 데실포스폰산, 도데실포스폰산, 테트라데실포스폰산, 헥사데실포스폰산, 비스(2-에틸헥실)포스페이트, 옥타데실포스폰산, 퍼플루오로헵탄산, 퍼플루오로데칸산, 트리플루오로메탄술폰산, 포스포노아세트산, 도데실벤젠술폰산, 기 R'에 의해 치환된 다른 벤젠 술폰산 또는 그의 염 (여기서 R'는 직쇄형 또는 분지형 C8-C18 알킬 기임), 미리스틸술폰산, 트리데실술폰산, 라우릴술폰산, 데실술폰산, 운데실술폰산, 도데세닐숙신산, 디옥타데실 히드로겐 포스페이트, 옥타데실 디히드로겐 포스페이트, 도데세닐숙신산, 라우르산, 부티르산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 팔미트산, 올레산, 주니페르산, 12-히드록시스테아르산, 소듐 라우릴 사르코시네이트, C1-C6 알킬아릴포스페이트, 옥타데실포스폰산, 도데실 포스페이트, 소듐 라우릴 술페이트, 암모늄 라우릴 술페이트, 포타슘 라우릴 술페이트, 비스-(2-에틸헥실)술포숙시네이트, 소듐 라우릴 사르코시네이트, 알킬아릴포스페이트, 스테아로일 사르코신, 스테아르산, 아라키드산, C20H40O2, 베헨산, C22H44O2, 데칸산, C10H20O2, 2-에틸헥산산, C8H16O2, 헵타데칸산, C17H34O2, 헵탄산, C7H14O2, 헵타트리아콘탄산, C37H74O2, 헥산산, C6H12O2, 헥사트리아콘탄산, C36H72O2, 라우르산, C12H24O2, 멜리스산, C30H60O2, 13-메틸테트라데칸산, C15H30O2, 몬탄산, C28H56O2, 미리스트산, C14H28O2, 네오데칸산, C10H20O2, 노나코실산, C29H58O2, 노나데실산, CH3(CH2)17COOH, 노난산, C9H18O2, 팔미트산, C16H32O2, 펜타코실산, C25H50O2, 펜타데칸산, C15H30O2, 피탄산, C20H40O2, 프실산, C33H66O2, 스테아르산, C18H36O2, 테트라트리아콘탄산, C34H68O2, 트리코실산, C23H46O2, 트리데실산, C13H26O2, 투베르쿨로스테아르산, C19H38O2, 운데실산, C11H22O2, 옥탄산, 세바스산 및 수베르산이다.
한 실시양태에서, 표면-활성 소수성 산은 옥탄산, 도데실벤젠술폰산 및 노난산으로부터 선택된다.
한 실시양태에서, 조성물은 부식 억제제를 추가로 포함한다. 예시적인 부식 억제제는 아인산, 차아인산, 아황산, 디에틸 히드록실아민, 히드록실아민 술페이트, 메타중아황산나트륨, 메타중아황산칼륨, 메타중아황산암모늄, N-알킬-N-벤질-N,N-디메틸암모늄 클로라이드 및 4-(3-페닐프로필)피리딘으로부터 선택된 4급 계면활성제, 아세트산, 아세톤 옥심, 아크릴산, 아디프산, 알라닌, 아르기닌, 아스파라긴, 아스파르트산, 베타인, 디메틸 글리옥심, 포름산, 푸마르산, 글루콘산, 글루탐산, 글루타민, 글루타르산, 글리세르산, 글리콜산, 글리옥실산, 히스티딘, 이미노디아세트산, 이소프탈산, 이타콘산, 락트산, 류신, 리신, 말레산, 말레산 무수물, 말산, 말론산, 만델산, 2,4-펜탄디온, 페닐아세트산, 페닐알라닌, 프탈산, 프롤린, 프로피온산, 피로카테콜, 피로멜리트산, 퀸산, 세린, 숙신산, 타르타르산, 테레프탈산, 트리멜리트산, 트리메스산, 티로신, 발린, 크실리톨, 옥살산, 탄닌산, 피콜린산, 1,3-시클로펜탄디온, 카테콜, 피로갈롤, 레조르시놀, 히드로퀴논, 시아누르산, 바르비투르산, 1,2-디메틸바르비투르산, 피루브산, 프로판티올, 벤조히드록삼산, 2,5-디카르복시피리딘, 4-(2-히드록시에틸)모르폴린 (HEM), N-아미노에틸피페라진 (N-AEP), 에틸렌디아민테트라아세트산 (EDTA), 1,2-시클로헥산디아민-N,N,N',N'-테트라아세트산 (CDTA), N-(히드록시에틸)-에틸렌디아민트리아세트산 (HEdTA), 이미노디아세트산 (IDA), 2-(히드록시에틸)이미노디아세트산 (HIDA), 니트릴로트리아세트산, 티오우레아, 1,1,3,3-테트라메틸우레아, 우레아, 우레아 유도체, 글리신, 시스테인, 글루탐산, 이소류신, 메티오닌, 피페라딘, N-(2-아미노에틸) 피페라딘, 피롤리딘, 트레오닌, 트립토판, 살리실산, p-톨루엔술폰산, 살리실히드록삼산, 5-술포살리실산, 트리아졸, 아미노트리아졸, 디메틸프로파르길 알콜, 사카린 및 그의 조합을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
또 다른 실시양태에서, 부식 억제제는 환원제로서 작용하는 화합물이다. 예시적인 화합물은 아스코르브산, L(+)-아스코르브산, 이소아스코르브산, 아스코르브산 유도체, 아황산, 아황산암모늄, 아황산칼륨, 아황산나트륨, 도파민 HCl, 아인산, 포스핀산, 차아인산, 메타중아황산칼륨, 메타중아황산나트륨, 메타중아황산암모늄, 피루브산칼륨, 피루브산나트륨, 피루브산암모늄, 포름산, 포름산나트륨, 포름산칼륨, 포름산암모늄, 도파민, 이산화황 용액, 및 그의 임의의 조합을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 예를 들어, 부식 억제제/환원제는 적어도 하나의 술파이트 이온 및 적어도 하나의 다른 열거된 환원제, 예를 들어 아황산, 아황산칼륨, 아황산암모늄, 포스핀산, 디에틸 히드록실아민 술페이트, 디에틸 히드록실아민 포스페이트, 및 그의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 아황산암모늄이 존재하는 경우, 아황산암모늄은 계내에서 생성될 수 있으며, 여기서 특정 성분의 조합은 아황산암모늄의 형성을 유도하여 잔류물의 제거를 돕는 것으로 인지되어야 한다.
또 다른 실시양태에서, 부식 억제제는 아스코르브산, 아인산, 차아인산, 아황산, 디에틸 히드록실아민, 히드록실아민 술페이트, 나트륨/암모늄/칼륨 메타비술파이트 및 술파이트, 및 4급 계면활성제, 예컨대 N-알킬-N-벤질-N,N-디메틸암모늄 클로라이드 (벤즈알코늄 클로라이드) 및 4-(3-페닐프로필)피리딘으로부터 선택된다.
다양한 실시양태에서, 존재하는 경우, 조성물 중 부식 억제제의 양은 조성물의 총 중량을 기준으로 약 0.0001 중량% 내지 약 1 중량%의 범위이다. 또 다른 실시양태에서, 환원제는 조성물의 총 중량을 기준으로 약 0.0001 중량% 내지 약 0.2 중량%의 양으로 존재하고, 또 다른 실시양태에서 약 0.01 중량% 내지 약 0.2 중량%의 양으로 존재한다. 특정 실시양태에서, 세정 조성물은 부식 억제제/환원제를 함유하지 않는다.
다른 실시양태에서, 조성물은 실리카 입자가 CMP-후 마이크로전자 장치의 세정에 이용되는 브러쉬에 점착되는 것을 감소시키는 역할을 하는 수소 결합 첨가제로서 기능하는 화합물을 포함한다. 예를 들어, 본원에 참조로 포함된 미국 특허 공개 번호 2019/0168265를 참조한다. 예시적인 화합물은 중성 pH에서 다가전해질로서 거동할 수 있는 비-이온성, 음이온성, 양이온성 및 쯔비터이온성 소분자 및 중합체를 포함한다. 음이온성 중합체 또는 음이온성 다가전해질은 천연, 개질된 천연 중합체, 또는 합성 중합체일 수 있다. 조성물에 포함될 수 있는 예시적인 천연 및 개질된 천연 음이온성 중합체는 알긴산 (또는 염), 카르복시메틸셀룰로스, 덱스트란 술페이트, 폴리(갈락투론산), 및 그의 염을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 예시적인 합성 음이온성 다가전해질은 (메트)아크릴산 (또는 염), 폴리(아크릴산), 말레산 (또는 무수물), 스티렌 술폰산 (또는 염), 비닐 술폰산 (또는 염), 알릴 술폰산 (또는 염), 아크릴아미도프로필 술폰산 (또는 염) 등의 단독중합체 또는 공중합체를 포함하나, 이에 제한되지는 않으며, 여기서 카르복실산 및 술폰산의 염은 바람직하게는 암모늄 또는 알킬암모늄 양이온으로 중화된다. 한 실시양태에서, 다가전해질 음이온성 중합체의 양이온은 암모늄 양이온 (NH4 +), 콜리늄+N (CH3)3(CH2CH2OH) 및 +N(CH3)4이다. 따라서, 조합된 합성 및 천연 다가전해질 음이온성 중합체의 예는 (메트)아크릴산, 말레산 (또는 무수물), 스티렌 술폰산, 비닐 술폰산, 알릴 술폰산, 비닐포스폰산, 아크릴아미도프로필 술폰산, 알긴산, 카르복시메틸셀룰로스, 덱스트란 술페이트, 폴리(갈락투론산), 및 그의 염의 단독중합체 또는 공중합체이다.
양이온성 중합체 및 양이온성 다가전해질은 천연, 개질된 천연 중합체, 또는 합성 중합체일 수 있다. 예시적인 천연 및 개질된 천연 양이온성 중합체는 키토산, 양이온성 전분, 폴리리신 및 그의 염을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 예시적인 양이온성 합성 다가전해질은 디알릴디메틸 암모늄 클로라이드 (DADMAC), 디알릴디메틸 암모늄 브로마이드, 디알릴디메틸 암모늄 술페이트, 디알릴디메틸 암모늄 포스페이트, 디메트알릴디메틸 암모늄 클로라이드, 디에틸알릴 디메틸 암모늄 클로라이드, 디알릴 디(베타-히드록시에틸) 암모늄 클로라이드, 디알릴 디(베타-에톡시에틸) 암모늄 클로라이드, 디메틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트 산 부가염 및 4급 염, 디에틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트 산 부가염 및 4급 염, 7-아미노-3,7-디메틸옥틸 (메트)아크릴레이트 산 부가염 및 4급 염, N,N'-디메틸아미노프로필 아크릴아미드 산 부가염 및 4급화 염의 단독중합체 또는 공중합체 (여기서 4급 염은 알킬 및 벤질 4급화 염을 포함함); 알릴아민, 디알릴아민, 비닐아민 (비닐 알킬아미드 중합체의 가수분해에 의해 수득됨), 비닐 피리딘, 키토산, 양이온성 전분, 폴리리신, 및 그의 염을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
다른 예는 2-피롤리디논, 1-(2-히드록시에틸)-2-피롤리디논 (HEP), 글리세롤, 1,4-부탄디올, 테트라메틸렌 술폰 (술폴란), 디메틸 술폰, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 테트라글림 및 디글림을 포함한다.
대안적으로 또는 추가로, 수소 결합 첨가제는 히드록시프로필셀룰로스, 히드록시에틸셀룰로스, 히드록시에틸메틸 셀룰로스, 히드록시프로필메틸 셀룰로스, 카르복시메틸셀룰로스, 소듐 카르복시메틸셀룰로스, 폴리비닐피롤리돈 (PVP), N-비닐 피롤리돈 단량체를 사용하여 제조된 임의의 중합체, 폴리아크릴산 에스테르 및 폴리아크릴산 에스테르의 유사체, 폴리아미노산 (예를 들어, 폴리알라닌, 폴리류신, 폴리글리신), 폴리아미도히드록시우레탄, 폴리락톤, 폴리아크릴아미드, 크산탄 검, 키토산, 폴리에틸렌 옥시드, 폴리비닐 알콜 (PVA), 폴리비닐 아세테이트, 폴리아크릴산, 폴리에틸렌이민, 당 알콜 예컨대 소르비톨, 수크로스, 프룩토스, 락토스, 갈락토스, 말토스, 에리트리톨, 말티톨, 트레이톨, 아라비놀, 리비톨, 만니톨, 갈락티톨, 이노시톨, 및 크실리톨, 안히드로소르비톨의 에스테르, 2급 알콜 에톡실레이트 예컨대 테르기톨 (TERGITOLTM) 계면활성제, 다관능성 알콜, 예컨대 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리메틸올프로판, 디메틸프로피온산, 및 크실론산, 핵염기 예컨대 우라실, 시토신, 구아닌, 티민, 및 그의 조합을 포함한다.
수소 결합 첨가제의 또 다른 예는 락트산, 말레산, 우레아, 글리콜산, 소르비톨, 보락스 (즉, 붕산나트륨), 프롤린, 베타인, 글리신, 히스티딘, TRIS (트리스 (히드록시메틸) 아미노메탄), 디메틸 술폭시드, 술폴란, 글리세롤, SDS (소듐 도데실 술페이트), 도데실포스폰산, 또는 그의 조합을 포함한다. 이들 중 하나에서, 특정 입자 제거제, 예를 들어 말레산, 보락스 (즉, 붕산나트륨), 디메틸 술폭시드, 글리세롤, 또는 그의 조합이 마이크로전자 장치 기판을 위한 CMP-후 세정 단계에서의 사용에 바람직할 수 있다. 존재하는 경우, 이러한 첨가제는 약 0.0001 내지 15 중량%, 또는 약 0.001 내지 약 10 중량%, 약 1 내지 약 10 중량%, 또는 약 1 내지 약 9 중량%로 존재할 것이다.
한 실시양태에서, 조성물은 착물화제를 추가로 포함한다. 일반적으로, CMP-후 세정 조성물에 사용되는 착물화제는 세정 용액 내의 이온을 불활성화시키고 이온에 의한 화학 반응 또는 활성을 방지하기 위해 전형적으로 금속 이온, 종종 철 이온과 착물 분자를 형성하는 화학적 화합물이다. 다양한 착물화제가 CMP-후 세정 조성물에 사용되는 것으로 알려져 있고 본 명세서의 세정 조성물 및 방법에 사용될 수 있다. 특정의 구체적 예는 산-함유 유기 분자, 특히 카르복실산-함유 유기 분자, 예컨대 프탈산, 숙신산, 시트르산, 타르타르산, 말산, 글루콘산, 아스파르트산 또는 그의 조합을 포함하는 선형 또는 분지형 C1-C6 카르복실산 화합물, 뿐만 아니라 글리신, 아미노산 등을 포함한다. 시트르산은 철 이온 (예를 들어, Fe+2, Fe+3)을 착물화시키기 위한 바람직한 착물화제일 수 있다. 특정 실시양태에서, 당 알콜, 예컨대 아라비톨, 에리트리톨, 글리세롤, 수소화 전분 가수분해물 (HSH), 이소말트, 락티톨, 말티톨, 만니톨, 소르비톨 및 크실리톨이 금속 이온에 대한 착물화 시약으로서 사용된다.
본원에서 고려되는 다른 금속 착물화 시약은 아세트산, 아세톤 옥심, 아크릴산, 아디프산, 알라닌, 아르기닌, 아스파라긴, 아스파르트산, 베타인, 디메틸 글리옥심, 포름산, 푸마르산, 글루콘산, 글루탐산, 글루타민, 글루타르산, 글리세르산, 글리세롤, 글리콜산, 글리옥실산, 히스티딘, 이미노디아세트산, 이소프탈산, 이타콘산, 락트산, 류신, 리신, 말레산, 말레산 무수물, 말산, 말론산, 만델산, 2,4-펜탄디온, 페닐아세트산, 페닐알라닌, 프탈산, 프롤린, 프로피온산, 피로카테콜, 피로멜리트산, 퀸산, 세린, 소르비톨, 숙신산, 타르타르산, 테레프탈산, 트리멜리트산, 트리메스산, 티로신, 발린, 크실리톨, 에틸렌디아민, 옥살산, 탄닌산, 피콜린산, 1,3-시클로펜탄디온, 카테콜, 피로갈롤, 레조르시놀, 히드로퀴논, 시아누르산, 바르비투르산, 1,2-디메틸바르비투르산, 피루브산, 프로판티올, 벤조히드록삼산, 테트라에틸렌펜타민 (TEPA), 4-(2-히드록시에틸)모르폴린 (HEM), N-아미노에틸피페라진 (N-AEP), 에틸렌디아민테트라아세트산 (EDTA), 1,2-시클로헥산디아민-N,N,N',N'-테트라아세트산 (CDTA), N-(히드록시에틸)-에틸렌디아민트리아세트산 (HEdTA), 이미노디아세트산 (IDA), 2-(히드록시에틸)이미노디아세트산 (HIDA), 니트릴로트리아세트산, 아미노 트리스(메틸렌 인산), 히드록시에틸리딘 디포스폰산, 에틸렌디아미노 테트라키스 (메틸렌 인산), 에틸렌디아미노 펜타키스 (메틸렌 인산), 티오우레아, 1,1,3,3-테트라메틸우레아, 우레아, 우레아 유도체, 글리신, 시스테인, 글루탐산, 이소류신, 메티오닌, 피페라딘, N-(2-아미노에틸) 피페라딘, 피롤리딘, 트레오닌, 트립토판, 살리실산, 디피콜린산, p-톨루엔술폰산, 5-술포살리실산, 및 그의 조합을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
유용한 착물화제의 다른 예는 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 숙신산, 아스파르트산, 2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판술폰산, 아크릴아미드, 포스포네이트 메타크릴아미도프로필 트리메틸암모늄 클로라이드, 알릴 할라이드, 또는 그의 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있는 단량체로부터 유도된 카르복실산 기-함유 올리고머 및 중합체를 포함한다.　　폴리아크릴산은 실리카 질화물 (SiN)을 착물화시키기 위한 바람직한 착물화제일 수 있다. 또 다른 예는 프로판-1,2,3-트리카르복실산, 부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산, 펜탄-1,2,3,4,5-펜타카르복실산, 트리멜리트산, 트리메신산, 피로멜리트산, 멜리트산, 및 그의 조합을 포함한다.
일반적으로, 착물화제는 착물화제에 대해 본원에 기재된 방식으로 효과적이기에 유용한 양으로 세정 용액에 포함될 수 있다.　 주어진 세정 용액에 포함되는 착물화제의 특정 유형 및 양은 세정되는 기판의 유형, 기판 표면에 존재하는 잔류물의 유형, 세정 용액 내 다른 성분, 및 CMP-후 세정 공정의 조건을 포함하는 인자에 기초하여 선택될 수 있다. 존재하는 경우, 착물화제는 약 0.5 내지 약 20 중량%, 약 0.5 내지 약 10 중량%, 또는 약 0.8 내지 약 6 중량%로 사용된다.
본 발명의 세정 조성물은 세정 용액을 사용하는 CMP-후 세정 단계의 세정 효과 또는 효율을 개선하기 위해 중합체 및 계면활성제를 포함한 다른 성분 또는 아주반트를 추가로 포함할 수 있다.　　이러한 성분은 계면활성제 및 살생물제를 포함한다.
예시적인 계면활성제 및 중합체는 음이온성, 비-이온성, 양이온성 및/또는 쯔비터이온성 계면활성제를 포함한다.　　존재하는 경우, 이러한 계면활성제 및 중합체는 약 0.0001 내지 약 10 중량%의 양으로 존재할 것이다. 예는 알긴산 및 그의 염; 히드록실 또는 카르복시알킬셀룰로스; 덱스트란 술페이트 및 그의 염; 폴리(갈락투론산) 및 그의 염; (메트)아크릴산 및 그의 염, 말레산, 말레산 무수물, 스티렌 술폰산 및 그의 염, 비닐 술폰산 및 그의 염, 알릴 술폰산 및 그의 염, 아크릴아미도프로필 술폰산 및 그의 염의 단독중합체; (메트)아크릴산 및 그의 염, 말레산, 말레산 무수물, 스티렌 술폰산 및 그의 염, 비닐 술폰산 및 그의 염, 알릴 술폰산 및 그의 염, 아크릴아미도프로필 술폰산 및 그의 염의 공중합체; 키토산; 양이온성 전분; 폴리리신 및 그의 염; 디알릴디메틸 암모늄 클로라이드 (DADMAC), 디알릴디메틸 암모늄 브로마이드, 디알릴디메틸 암모늄 술페이트, 디알릴디메틸 암모늄 포스페이트, 디메트알릴디메틸 암모늄 클로라이드, 디에틸알릴 디메틸 암모늄 클로라이드, 디알릴 디(베타-히드록시에틸) 암모늄 클로라이드, 디알릴 디(베타-에톡시에틸) 암모늄 클로라이드, 디메틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트 산 부가염 및 4급 염, 디에틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트 산 부가염 및 4급 염, 7-아미노-3,7-디메틸옥틸 (메트) 아크릴레이트 산 부가염 및 4급 염, N,N'-디메틸아미노프로필 아크릴아미드 산 부가염 및 4급 염, 알릴아민, 디알릴아민, 비닐아민, 비닐 피리딘의 단독중합체; 및 디알릴디메틸 암모늄 클로라이드 (DADMAC), 디알릴디메틸 암모늄 브로마이드, 디알릴디메틸 암모늄 술페이트, 디알릴디메틸 암모늄 포스페이트, 디메트알릴디메틸 암모늄 클로라이드, 디에틸알릴 디메틸 암모늄 클로라이드, 디알릴 디(베타-히드록시에틸) 암모늄 클로라이드, 디알릴 디(베타-에톡시에틸) 암모늄 클로라이드, 디메틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트 산 부가염 및 4급 염, 디에틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트 산 부가염 및 4급 염, 7-아미노-3,7-디메틸옥틸 (메트) 아크릴레이트 산 부가염 및 4급 염, N,N'-디메틸아미노프로필 아크릴아미드 산 부가염 및 4급 염, 알릴아민, 디알릴아민, 비닐아민, 비닐 피리딘의 공중합체; 코코디메틸카르복시메틸베타인; 라우릴디메틸카르복시메틸베타인; 라우릴디메틸-알파-카르복시에틸베타인; 세틸디메틸카르복시메틸베타인; 라우릴-비스-(2-히드록시에틸)카르복시메틸베타인; 스테아릴-비스-(2-히드록시프로필)카르복시메틸베타인; 올레일디메틸-감마-카르복시프로필베타인; 라우릴-비스-(2-히드록시프로필)알파-카르복시에틸베타인; 코코디메틸술포프로필베타인; 스테아릴디메틸술포프로필베타인; 라우릴-비스-(2-히드록시에틸)술포프로필베타인; 수르피놀 104 (및 그의 에톡실화 유도체); 디옥틸 술포숙시네이트 나트륨 염; 소듐 라우릴 에테르 술페이트; 폴리에틸렌 글리콜 분지형-노닐페닐 에테르 술페이트 암모늄 염; 디소듐 2-도데실-3-(2-술포네이토페녹시); PEG25-PABA; 폴리에틸렌 글리콜 모노-C10-16-알킬 에테르 술페이트 나트륨 염; (2-N-부톡시에톡시)아세트산; 헥사데실벤젠 술폰산; 세틸트리메틸암모늄 히드록시드; 도데실트리메틸암모늄 히드록시드; 도데실트리메틸 암모늄 클로라이드; 세틸트리메틸 암모늄 클로라이드; N-알킬-N-벤질-N,N-디메틸암모늄 클로라이드; 도데실아민; 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르; 도데세닐숙신산 모노디에탄올 아미드; 에틸렌디아민 테트라키스 (에톡실레이트-블록-프로폭실레이트); 및 그의 조합을 포함한다.
추가 실시양태에서, 조성물은 수용성 또는 수분산성 중합체를 추가로 포함한다. 이러한 중합체는, 존재하는 경우에, 메타크릴산 단독중합체 및 아크릴아미도메틸프로판 술폰산 및 말레산과의 공중합체; 말레산/비닐 에테르 공중합체; 폴리(비닐피롤리돈)/비닐 아세테이트; 포스폰화 폴리에틸렌글리콜 올리고머, 폴리(아크릴산), 폴리(아크릴아미드), 폴리(비닐 아세테이트), 폴리(에틸렌 글리콜), 폴리프로필렌 글리콜), 폴리(스티렌 술폰산), 폴리(비닐 술폰산), 폴리(비닐 포스폰산), 폴리(비닐 인산), 폴리(에틸렌이민), 폴리(프로필렌이민), 폴리알릴아민, 폴리에틸렌 옥시드, 폴리비닐 피롤리돈, PPG-PEG-PPG 블록 공중합체, PEG-PPG-PEG 블록 공중합체, 폴리(비닐 알콜), 폴리(히드록시에틸)아크릴레이트, 폴리(히드록시에틸)메타크릴레이트, 히드록시에틸 셀룰로스, 메틸히드록시에틸 셀룰로스, 히드록시프로필 셀룰로스, 메틸히드록시프로필 셀룰로스, 크산탄 검, 알긴산칼륨, 펙틴, 카르복시메틸셀룰로스, 글루코사민, 폴리(디알릴디메틸암모늄) 클로라이드, 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판술폰산), 폴리(스티렌술폰산), 폴리비닐 피롤리돈, PVA- 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판술폰산) 공중합체, 폴리에틸렌글리콜화) 메타크릴레이트/아크릴레이트 공중합체, 폴리(2-메타크릴옥시에틸트리메틸암모늄 클로라이드) CAS 번호 26161-33-1, 및 그의 공중합체, 디메틸아미노메타크릴레이트 중합체 및 그의 공중합체, 트리메틸암모늄 메틸메타크릴레이트 중합체 및 그의 공중합체, 디메틸아미노메타크릴레이트 중합체 및 그의 공중합체, 트리메틸암모늄 메틸메타크릴레이트 중합체 및 그의 공중합체, 및 그의 조합을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 상기 공중합체는 랜덤 또는 블록 공중합체일 수 있다. 존재하는 경우, 조성물 중 중합체(들)의 양은 조성물의 총 중량을 기준으로 약 0.0001 중량% 내지 약 5 중량%의 범위이다.
본원에서 고려되는 예시적인 살생물제는 이소티아졸리논 살생물제, 예컨대 5-클로로-2-메틸-4-이소티아졸린-3-온, 2-메틸-4-이소티아졸린-3-온, 벤즈이소티아졸론, 1,2-벤즈이소티아졸-3[2H]-온, 메틸이소티아졸리논, 메틸클로로이소티아졸리논, 및 그의 조합을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.　 한 실시양태에서, 살생물제는 포함할 수 있다. 살생물제의 한 예는 프록셀® GXL (BIT) 1,2-벤조이소티아졸-3(2H)-온이다.
특정 실시양태에서, 조성물의 성분은 하기 비율로 존재한다:
a. 60-80 중량%의 물, 예를 들어 탈이온수;
b. 0.1-20 중량%의, 2 내지 7개의 탄소 원자를 갖는 알칸올아민; 또는 0.1 내지 10 중량%, 또는 1 내지 6 중량%;
c. 0.01-30 중량%의 글리콜 에테르; 또는 1 내지 15 중량%, 또는 1 내지 10 중량%;
d. 0.001-10 중량%의 pH 조정제;
e. 0.00001-10 중량%, 또는 0.0001-8 중량%, 또는 0.005 내지 5 중량%의 표면-활성 소수성 산; 여기서 a., b., c., d., 및 e.의 총합은 100%이다.
pH 조정제의 양은 본원에 개시된 pH 값 및 관련 기술분야 통상의 기술자의 지식에 기초하여, 사용을 위해 제거 조성물을 제조할 때 추구되는 최종 pH에 의존한다. 특정 실시양태에서, pH는 7 초과, 또는 약 8 내지 14, 또는 약 9 내지 14일 것이다.
성분의 중량% 비의 범위는 조성물의 모든 가능한 농축 또는 희석된 실시양태를 포함할 것이다.　 이를 위해, 한 실시양태에서, 세정 용액으로서 사용하기 위해 희석될 수 있는 농축된 조성물이 제공된다.　　농축된 조성물, 또는 "농축물"은 유리하게는 사용자 (예를 들어, CMP 공정 엔지니어)가 사용 시점에 농축물을 목적하는 강도 및 pH로 희석하도록 한다.　 농축된 수성 제거 조성물의 희석은 약 1:1 내지 약 2500:1, 약 5:1 내지 약 200:1, 또는 약 20:1 내지 약 120:1의 범위일 수 있고, 여기서 수성 제거 조성물은 용매, 예를 들어 탈이온수로 도구에서 또는 도구 직전에 희석된다.　　관련 기술분야의 통상의 기술자는 희석 후에, 본원에 개시된 성분의 중량 퍼센트 비의 범위가 변하지 않고 유지되어야 함을 인지하여야 한다.
농축된 형태의 특정 예시적인 세정 용액에 따르면, 사용 시점 조성물로의 희석 전에, 특정 실시양태에서, 조성물은 20% 이하, 또는 0.5 내지 10%, 또는 0.8 내지 6% 범위의 농축물일 수 있다.
본원에 기재된 조성물은 에칭 후 잔류물 제거, 애싱 후 잔류물 제거 표면 제조, 도금 후 세정 및 CMP 후 잔류물 제거를 포함하나 이에 제한되지는 않는 적용에서 유용성을 가질 수 있다.　　또한, 본원에 기재된 세정 조성물은 유전체 물질, 예컨대 플라즈마 증진 테트라에틸오르토실리케이트 (PETEOS), 질화규소, 옥시질화규소, 탄화규소, CVD 탄소, 다공성 오르가노실리케이트 유리, CSOD, 다이아몬드-유사 탄소, 실세스퀴옥산-기재 유전체, 예컨대 수소 실세스퀴옥산 (HSQ) 및 메틸실세스퀴옥산 (MSQ), 규소, BPSG, 및 HDP와 함께, 장식 금속, 금속 와이어 접합, 인쇄 회로 기판 및 금속 또는 금속 합금을 사용하는 다른 전자 패키징을 포함하나 이에 제한되지는 않는 다른 금속 (예를 들어, 구리-함유, 텅스텐-함유, 루테늄-함유, 코발트-함유) 제품의 세정 및 보호에 유용할 수 있는 것으로 고려된다.
제거 조성물은 각각의 성분의 단순 첨가 및 균질 조건으로의 혼합에 의해 용이하게 제제화된다. 또한, 조성물은 단일-패키지 제제 또는 사용 시점에 또는 사용 전에 혼합되는 다중-파트 제제로서 용이하게 제제화될 수 있으며, 예를 들어 다중-파트 제제의 개별 파트는 도구에서 또는 도구 상류의 저장 탱크에서 혼합될 수 있다. 각각의 성분의 농도는 조성물의 특정한 배수로 폭넓게 달라질 수 있으며, 즉 보다 묽거나 또는 보다 농축될 수 있고, 본원에 기재된 조성물은 본원의 개시내용과 일치하는 성분의 임의의 조합을 다양하게 및 대안적으로 포함하거나, 그로 이루어지거나 또는 그로 본질적으로 이루어질 수 있는 것으로 인지될 것이다.
따라서, 또 다른 측면은 마이크로전자 장치 상에 세리아 입자 및 화학적 기계적 연마 오염물을 갖는 마이크로전자 장치로부터 상기 입자 및 오염물을 제거하기에 적합한 성분을 갖는 하나 이상의 용기를 포함하는 키트에 관한 것이며, 여기서 상기 키트의 하나 이상의 용기는 하기를 포함하는 조성물을 포함한다:
a. 물;
b. 2 내지 7개의 탄소 원자를 갖는 알칸올아민;
c. 글리콜 에테르;
d. pH 조정제; 및
e. 표면-활성 소수성 산.
키트의 용기는 조성물의 저장 및 운송에 적합해야 하며, 예를 들어, 나우팍(NOWPak)® 용기 (엔테그리스, 인크.(Entegris, Inc.), 미국 매사추세츠주 빌레리카)일 수 있다.
한 실시양태에서, 조성물의 성분을 함유하는 하나 이상의 용기는 블렌딩 및 분배를 위해 상기 하나 이상의 용기 내의 성분을 유체 연통시키기 위한 수단을 포함한다. 예를 들어, NOWPak® 용기와 관련하여, 기체 압력이 상기 하나 이상의 용기 내의 라이너의 외부에 적용되어 라이너의 내용물의 적어도 일부가 방출되게 하고, 따라서 블렌딩 및 분배를 위한 유체 연통이 가능해질 수 있다. 대안적으로, 가스 압력이 통상의 가압가능 용기의 헤드스페이스에 가해질 수 있거나 또는 펌프를 사용하여 유체 연통을 가능케 할 수 있다. 또한, 특정 실시양태에서, 시스템은 블렌딩된 제거 조성물을 공정 도구에 분배하기 위한 분배 포트를 포함한다.
마이크로전자 제조 작업에 적용 시에, 본원에 기재된 제거 조성물은 마이크로전자 장치의 표면으로부터 잔류물 및/또는 CMP 오염물 (예를 들어, CMP-후 잔류물 및 오염물)을 세정하는 데 유용하게 사용된다. 제거 조성물은 장치 표면 상의 저-k 유전체 물질 (예, 산화규소), 질화규소 층 또는 텅스텐-함유 층을 손상시키지 않는다. 한 실시양태에서, 수성 제거 조성물은 입자 제거 전에 장치 상에 존재하는 연마 입자의 적어도 85%, 적어도 90%, 적어도 95%, 또는 적어도 99%를 제거한다.
따라서, 추가의 측면에서, 본 발명은 잔류물 및 오염물을 갖는 마이크로전자 장치로부터 잔류물 및/또는 오염물을 제거하는 방법을 제공하며, 상기 방법은 (i) 마이크로전자 장치를 본 발명의 조성물과 접촉시키는 단계; 및 (ii) 상기 마이크로전자 장치로부터 상기 입자 및 오염물을 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함하고, 여기서 상기 마이크로전자 장치는 구리-함유, 텅스텐-함유, 루테늄-함유, 코발트-함유 생성물, 예컨대 비제한적으로 장식 금속, 금속 와이어 결합, 인쇄 회로 기판, 및 금속 또는 금속 합금을 사용하는 다른 전자 패키징으로부터 선택된 기판을, 유전체 물질, 예컨대 플라즈마 증진 테트라에틸오르토실리케이트 (PETEOS), 질화규소, 옥시질화규소, 탄화규소, CVD 탄소, 다공성 오르가노실리케이트 유리, CSOD, 다이아몬드-유사 탄소, 실세스퀴옥산-기재 유전체, 예컨대 수소 실세스퀴옥산 (HSQ) 및 메틸실세스퀴옥산 (MSQ), 규소, BPSG 및 HDP와 함께 포함한다.
CMP-후 입자 및 오염물 제거 적용에서, 본원에 기재된 수성 제거 조성물은 베르텍 (Verteq) 단일 웨이퍼 메가소닉 골드핑거 (megasonic Goldfinger), 온트랙 (OnTrak) 시스템 DDS (양면 스크러버), SEZ 또는 다른 단일 웨이퍼 분무 린스, 어플라이드 머티리얼스 미라-메사 (Mirra-MesaTM)/리플렉시온 (ReflexionTM)/리플렉시온 LKTM, 메가소닉 배치 습식 벤치 시스템, 에바라 테크놀로지스, 인크. (EBARA Technologies, Inc.) 300mm 모델 (프렉스 (FREX)300S2 및 프렉스300X3SC) 및 200mm CMP 시스템 (프렉스200M)을 포함하나 이에 제한되지는 않는 메가소닉스 및 브러쉬 스크러빙과 같은 매우 다양한 통상적인 세정 도구와 함께 사용될 수 있다.　
마이크로전자 장치 상에 잔류물 및/또는 오염물을 갖는 마이크로전자 장치로부터 잔류물 및/또는 오염물을 제거하기 위한 본원에 기재된 조성물의 용도에서, 수성 제거 조성물은 전형적으로 약 20℃ 내지 약 90℃, 또는 약 20℃ 내지 약 50℃ 범위의 온도에서 약 5초 내지 약 10분, 또는 약 1초 내지 20분, 또는 약 15초 내지 약 5분의 시간 동안 장치와 접촉된다. 이러한 접촉 시간 및 온도는 예시적이며, 방법의 광범위한 실시 내에서, 장치로부터 잔류물 및/또는 오염물을 적어도 부분적으로 제거하는 데 효과적인 임의의 다른 적합한 시간 및 온도 조건이 사용될 수 있다. "적어도 부분적으로 세정" 및 "실질적인 제거"는 둘 다 특정 실시양태에서 입자 제거 전에 장치 상에 존재하는 잔류물 및/또는 오염물의 적어도 85%, 적어도 90%, 적어도 95%, 또는 적어도 99%의 제거에 상응한다.
목적한 입자 제거 작용의 달성 이후에, 수성 제거 조성물은, 본원에 기재된 조성물의 주어진 최종 용도 적용에서 요망되고 효과적일 수 있는 바에 따라, 이전에 적용된 장치로부터 용이하게 제거될 수 있다. 한 실시양태에서, 헹굼 용액은 탈이온수를 포함한다. 이후, 장치는 질소 또는 원심 탈수 사이클을 사용하여 건조될 수 있다.
또 다른 양태는 본원에 기재된 본 발명의 방법에 따라 제조된 개선된 마이크로전자 장치 및 이러한 마이크로전자 장치를 포함하는 제품에 관한 것이다.
또 다른 측면은 재순환된 수성 제거 조성물에 관한 것이며, 여기서 제거 조성물은, 관련 기술분야 통상의 기술자에 의해 쉽게 결정되는 바에 따라, 잔류물 및/또는 오염물 로딩이 수성 제거 조성물이 수용할 수 있는 최대량에 도달할 때까지 재순환될 수 있다.
추가 측면은 마이크로전자 장치를 포함하는 물품의 제조 방법에 관한 것이며, 상기 방법은 본원에 기재된 조성물을 사용하여, 마이크로전자 장치를 본 발명의 조성물과 충분한 시간 동안 접촉시켜 상기 잔류물 및/또는 오염물을 그 위에 갖는 마이크로전자 장치로부터 잔류물 및/또는 오염물을 제거하고, 상기 마이크로전자 장치를 상기 물품에 혼입시키는 것을 포함한다.
본 발명은 그의 바람직한 실시양태의 하기 실시예에 의해 추가로 예시될 수 있지만, 이러한 실시예는 단지 예시를 목적으로 포함되며 달리 구체적으로 기재되지 않는 한 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 아님을 이해할 것이다.
실시예
도 1을 참조하면, 샘플 1, 2, 3 및 4를 제조하고, PETEOS에 대해 비커 침지 시험에 적용하였다. 일반적으로, 절차는 시험 웨이퍼를 100 rpm의 자기 교반 막대를 사용하여 실온에서 약 5분 동안 오염된 슬러리에 노출시키는 것을 포함하였다. 다음에, 웨이퍼를 550 rpm의 자기 교반 막대를 사용하여 실온에서 약 30초 동안 본 발명의 조성물에 위치시켰다. 이어서, 웨이퍼를 제3 비커에서 약 20초 동안 탈이온수로 헹군 후, 건조 질소로 블로우 건조시켰다. 침지 시험 후에, 웨이퍼 샘플을 SEM 측정 및 입자 계수 프로그램을 통해 스크리닝하여 수-기반 그래프에 의해 세정 성능을 전환시키고 비교하였다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 비교 실시예로서 작용하는 샘플 1과 함께, 본 발명의 조성물은 유의한 잔류물 제거 결과를 나타내었다.
샘플 1
Figure pct00001
합계: 100 100
샘플 2:
Figure pct00002
샘플 3은 4-도데실벤젠술폰산을 생략한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하다.
샘플 4는 에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르가 생략된 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하다.
Figure pct00003
Figure pct00004
도 2는 샘플 1 (비교) 및 개선된 제제의 표면 장력 및 물 접촉각 (WCA)이다. 샘플 2의 새로 도입된 표면-활성 소수성 산은 웨이퍼의 세정 효과를 돕기 위한 표면 장력의 감소를 예시한다.
샘플 X 시리즈:
Figure pct00005
Figure pct00006
도 3은 제제의 세정 효과의 비교를 위한 일련의 다양한 표면-활성 첨가제의 입자 면적 결과이다. 웨이퍼를 세정하기 위한 가장 효과적인 구조를 찾기 위해 각각의 제제는 상이한 특성, 예컨대 알킬 쇄 길이 또는 관능기의 수의 표면-활성 첨가제를 갖는다. 샘플 X OA 및 샘플 X NA는 최상의 결과를 나타내었다.
Figure pct00007
본 발명은 그의 특정 실시양태와 관련하여 상세하게 기재되었지만, 본 발명의 취지 및 범주 내에서 변경 및 변형이 이루어질 수 있음이 이해될 것이다.

Claims (20)

  1. 하기를 포함하는 조성물:
    a. 물;
    b. 2 내지 7개의 탄소 원자를 갖는 알칸올아민;
    c. 글리콜 에테르;
    d. pH 조정제; 및
    e. 표면-활성 소수성 산.
  2. 제1항에 있어서, 알칸올아민이 아미노에틸에탄올아민, N-메틸아미노에탄올, 아미노에톡시에탄올, 아미노에톡시에톡시에탄올, 메톡시프로필아민, 부톡시이소프로필아민, 2-에틸헥실이소프로폭시아민, 에탄올프로필아민, 에틸에탄올아민, n-히드록시에틸모르폴린, 아미노프로필디에탄올아민, 디메틸아미노에톡시에탄올, 디에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, 모노에탄올아민, 트리에탄올아민, 1-아미노-2-프로판올, 3-아미노 프로판올, 디이소프로필아민, 아미노메틸프로판디올, N,N-디메틸아미노메틸프로판디올, 아미노에틸프로판디올, N,N-디메틸아미노에틸프로판디올, 이소프로필아민, 2-아미노-1-부탄올, 아미노메틸프로판올, 아미노디메틸프로판올, N,N-디메틸아미노메틸프로판올, 이소부탄올아민, 디이소프로판올아민, 3-아미노,4-히드록시옥탄, 2-아미노부탄올, 트리스(히드록시메틸)아미노메탄, N,N-디메틸트리스(히드록시메틸)아미노메탄, 히드록시프로필아민, 벤질아민, 히드록시에틸 아민, 트리스(히드록시에틸)아미노메탄, 디글리콜아민, 및 그의 조합으로부터 선택되는 것인 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 알칸올아민이 모노에탄올아민, 이소프로판올아민 및 디이소프로판올아민으로부터 선택되는 것인 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 글리콜 에테르가 화학식 -(CH2)x-의 메틸렌 연결기를 가지며, 여기서 x는 2 내지 6의 정수인 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 글리콜 에테르가 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르, 에틸렌 글리콜 페닐 에테르, 디에틸렌 글리콜 페닐에테르, 헥사에틸렌 글리콜 모노페닐 에테르, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 트리프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 및 디프로필렌 글리콜 페닐 에테르, 프로필렌 글리콜 페닐 에테르로부터 선택되는 것인 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 글리콜 에테르가 트리에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르, 및 에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르로부터 선택되는 것인 조성물.
  7. 제5항에 있어서, 글리콜 에테르가 에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르인 조성물.
  8. 제1항에 있어서, pH 조정제가 콜린 히드록시드 및 테트라에틸암모늄 히드록시드로부터 선택되는 것인 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 표면-활성 소수성 산이 소듐 도데실술페이트, 데실포스폰산, 도데실포스폰산, 테트라데실포스폰산, 헥사데실포스폰산, 비스(2-에틸헥실)포스페이트, 옥타데실포스폰산, 퍼플루오로헵탄산, 퍼플루오로데칸산, 트리플루오로메탄술폰산, 포스포노아세트산, 도데실벤젠술폰산, 기 R'에 의해 치환된 다른 벤젠 술폰산 또는 그의 염 (여기서 R'는 직쇄형 또는 분지형 C8-C18 알킬 기임), 미리스틸술폰산, 트리데실술폰산, 라우릴술폰산, 데실술폰산, 운데실술폰산, 도데세닐숙신산, 디옥타데실 히드로겐 포스페이트, 옥타데실 디히드로겐 포스페이트, 도데세닐숙신산, 라우르산, 부티르산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 팔미트산, 올레산, 주니페르산, 12-히드록시스테아르산, 소듐 라우릴 사르코시네이트, C1-C6 알킬아릴포스페이트, 옥타데실포스폰산, 도데실 포스페이트, 소듐 라우릴 술페이트, 암모늄 라우릴 술페이트, 포타슘 라우릴 술페이트, 비스-(2-에틸헥실)술포숙시네이트, 소듐 라우릴 사르코시네이트, 알킬아릴포스페이트, 스테아로일 사르코신, 스테아르산, 아라키드산, C20H40O2, 베헨산, C22H44O2, 데칸산, C10H20O2, 2-에틸헥산산, C8H16O2, 헵타데칸산, C17H34O2, 헵탄산, C7H14O2, 헵타트리아콘탄산, C37H74O2, 헥산산, C6H12O2, 헥사트리아콘탄산, C36H72O2, 라우르산, C12H24O2, 멜리스산, C30H60O2, 13-메틸테트라데칸산, C15H30O2, 몬탄산, C28H56O2, 미리스트산, C14H28O2, 네오데칸산, C10H20O2, 노나코실산, C29H58O2, 노나데실산, CH3(CH2)17COOH, 노난산, C9H18O2, 팔미트산, C16H32O2,펜타코실산, C25H50O2, 펜타데칸산, C15H30O2, 피탄산, C20H40O2, 프실산, C33H66O2, 스테아르산, C18H36O2, 테트라트리아콘탄산, C34H68O2, 트리코실산, C23H46O2, 트리데실산, C13H26O2, 투베르쿨로스테아르산, C19H38O2, 운데실산, C11H22O2, 옥탄산, 노난산, 데칸산, 세바스산 및 수베르산으로부터 선택되는 것인 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 부식 억제제를 추가로 포함하는 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 부식 억제제가 아인산, 차아인산, 아황산, 디에틸 히드록실아민, 히드록실아민 술페이트, 메타중아황산나트륨, 메타중아황산칼륨, 메타중아황산암모늄, N-알킬-N-벤질-N,N-디메틸암모늄 클로라이드 및 4-(3-페닐프로필)피리딘으로부터 선택된 4급 계면활성제, 아세트산, 아세톤 옥심, 아크릴산, 아디프산, 알라닌, 아르기닌, 아스파라긴, 아스파르트산, 베타인, 디메틸 글리옥심, 포름산, 푸마르산, 글루콘산, 글루탐산, 글루타민, 글루타르산, 글리세르산, 글리콜산, 글리옥실산, 히스티딘, 이미노디아세트산, 이소프탈산, 이타콘산, 락트산, 류신, 리신, 말레산, 말레산 무수물, 말산, 말론산, 만델산, 2,4-펜탄디온, 페닐아세트산, 페닐알라닌, 프탈산, 프롤린, 프로피온산, 피로카테콜, 피로멜리트산, 퀸산, 세린, 숙신산, 타르타르산, 테레프탈산, 트리멜리트산, 트리메스산, 티로신, 발린, 크실리톨, 옥살산, 탄닌산, 피콜린산, 1,3-시클로펜탄디온, 카테콜, 피로갈롤, 레조르시놀, 히드로퀴논, 시아누르산, 바르비투르산, 1,2-디메틸바르비투르산, 피루브산, 프로판티올, 벤조히드록삼산, 2,5-디카르복시피리딘, 4-(2-히드록시에틸)모르폴린, N-아미노에틸피페라진 (N-AEP), 에틸렌디아민테트라아세트산, 1,2-시클로헥산디아민-N,N,N',N'-테트라아세트산, N-(히드록시에틸)-에틸렌디아민트리아세트산, 이미노디아세트산, 2-(히드록시에틸)이미노디아세트산, 니트릴로트리아세트산, 티오우레아, 1,1,3,3-테트라메틸우레아, 우레아, 우레아 유도체, 글리신, 시스테인, 글루탐산, 이소류신, 메티오닌, 피페라딘, N-(2-아미노에틸) 피페라딘, 피롤리딘, 트레오닌, 트립토판, 살리실산, p-톨루엔술폰산, 살리실히드록삼산, 5-술포살리실산, 트리아졸, 아미노트리아졸, 디메틸프로파르길 알콜, 사카린 및 그의 조합으로부터 선택되는 것인 조성물.
  12. 제10항에 있어서, 부식 억제제가 아스코르브산, L(+)-아스코르브산, 이소아스코르브산, 아스코르브산 유도체, 아황산, 아황산암모늄, 아황산칼륨, 아황산나트륨, 도파민 HCl, 아인산, 포스핀산, 차아인산, 메타중아황산칼륨, 메타중아황산나트륨, 메타중아황산암모늄, 피루브산칼륨, 피루브산나트륨, 피루브산암모늄, 포름산, 포름산나트륨, 포름산칼륨, 포름산암모늄, 도파민, 이산화황 용액, 및 그의 임의의 조합으로부터 선택되는 것인 조성물. 예를 들어, 부식 억제제/환원제는 적어도 하나의 술파이트 이온 및 적어도 하나의 다른 열거된 환원제, 예를 들어 아황산, 아황산칼륨, 아황산암모늄, 포스핀산, 디에틸 히드록실아민, 디에틸히드록실아민 술페이트, 디에틸 히드록실아민 포스페이트, 및 그의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
  13. 제10항에 있어서, 부식 억제제가 아스코르브산, 아인산, 차아인산, 아황산, 디에틸 히드록실아민, 히드록실아민 술페이트, 나트륨/암모늄/칼륨 메타비술파이트 및 술파이트, 및 N-알킬-N-벤질-N,N-디메틸암모늄 클로라이드 및 4-(3-페닐프로필)피리딘으로부터 선택된 4급 계면활성제로부터 선택되는 것인 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 착물화제를 추가로 포함하는 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 착물화제가 프탈산, 숙신산, 시트르산, 타르타르산, 말산, 글루콘산, 아스파르트산, 아라비톨, 에리트리톨, 글리세롤, 수소화 전분 가수분해물, 이소말트, 락티톨, 말티톨, 만니톨, 소르비톨, 크실리톨, 아세트산, 아세톤 옥심, 아크릴산, 아디프산, 알라닌, 아르기닌, 아스파라긴, 아스파르트산, 베타인, 디메틸 글리옥심, 포름산, 푸마르산, 글루콘산, 글루탐산, 글루타민, 글루타르산, 글리세르산, 글리세롤, 글리콜산, 글리옥실산, 히스티딘, 이미노디아세트산, 이소프탈산, 이타콘산, 락트산, 류신, 리신, 말레산, 말레산 무수물, 말산, 말론산, 만델산, 2,4-펜탄디온, 페닐아세트산, 페닐알라닌, 프탈산, 프롤린, 프로피온산, 피로카테콜, 피로멜리트산, 퀸산, 세린, 소르비톨, 숙신산, 타르타르산, 테레프탈산, 트리멜리트산, 트리메스산, 티로신, 발린, 크실리톨, 에틸렌디아민, 옥살산, 탄닌산, 피콜린산, 1,3-시클로펜탄디온, 카테콜, 피로갈롤, 레조르시놀, 히드로퀴논, 시아누르산, 바르비투르산, 1,2-디메틸바르비투르산, 피루브산, 프로판티올, 벤조히드록삼산, 테트라에틸렌펜타민, 4-(2-히드록시에틸)모르폴린, N-아미노에틸피페라진, 에틸렌디아민테트라아세트산, 1,2-시클로헥산디아민-N,N,N',N'-테트라아세트산, N-(히드록시에틸)-에틸렌디아민트리아세트산, 이미노디아세트산, 2-(히드록시에틸)이미노디아세트산, 니트릴로트리아세트산, 아미노 트리스(메틸렌 인산), 히드록시에틸리딘 디포스폰산, 에틸렌디아미노 테트라키스(메틸렌 인산), 에틸렌디아미노 펜타키스 (메틸렌 인산), 티오우레아, 1,1,3,3-테트라메틸우레아, 우레아, 우레아 유도체, 글리신, 시스테인, 글루탐산, 이소류신, 메티오닌, 피페라딘, N-(2-아미노에틸) 피페라딘, 피롤리딘, 트레오닌, 트립토판, 살리실산, 디피콜린산, p-톨루엔술폰산, 5-술포살리실산, 프로판-1,2,3-트리카르복실산, 부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산, 펜탄-1,2,3,4,5-펜타카르복실산, 트리멜리트산, 트리메신산, 피로멜리트산, 멜리트산,
    아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 숙신산, 아스파르트산, 2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판술폰산, 아크릴아미드, 포스포네이트 메타크릴아미도프로필 트리메틸암모늄 클로라이드, 알릴 할라이드 중 하나 이상을 포함하는 단량체로부터 유도된 카르복실산 기-함유 올리고머 및 중합체,
    및 그의 조합으로부터 선택되는 것인 조성물
  16. 제1항에 있어서, 수용성 또는 수분산성 중합체를 추가로 포함하는 조성물.
  17. 제16항에 있어서, 수용성 또는 수분산성 중합체가 메타크릴산 단독중합체 및 아크릴아미도메틸프로판 술폰산 및 말레산과의 공중합체; 말레산/비닐 에테르 공중합체; 폴리(비닐피롤리돈)/비닐 아세테이트; 포스폰화 폴리에틸렌글리콜 올리고머, 폴리(아크릴산), 폴리(아크릴아미드), 폴리(비닐 아세테이트), 폴리(에틸렌 글리콜), 폴리프로필렌 글리콜), 폴리(스티렌 술폰산), 폴리(비닐 술폰산), 폴리(비닐 포스폰산), 폴리(비닐 인산), 폴리(에틸렌이민), 폴리(프로필렌이민), 폴리알릴아민, 폴리에틸렌 옥시드, 폴리비닐 피롤리돈, PPG-PEG-PPG 블록 공중합체, PEG-PPG-PEG 블록 공중합체, 폴리(비닐 알콜), 폴리(히드록시에틸)아크릴레이트, 폴리(히드록시에틸)메타크릴레이트, 히드록시에틸 셀룰로스, 메틸히드록시에틸 셀룰로스, 히드록시프로필 셀룰로스, 메틸히드록시프로필 셀룰로스, 크산탄 검, 알긴산칼륨, 펙틴, 카르복시메틸셀룰로스, 글루코사민, 폴리(디알릴디메틸암모늄) 클로라이드, 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판술폰산), 폴리(스티렌술폰산), 폴리비닐 피롤리돈, PVA-폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판술폰산) 공중합체, 폴리에틸렌글리콜화) 메타크릴레이트/아크릴레이트 공중합체, 폴리(2-메타크릴옥시에틸트리메틸암모늄 클로라이드) 및 그의 공중합체, 디메틸아미노메타크릴레이트 중합체 및 그의 공중합체, 트리메틸암모늄 메틸메타크릴레이트 중합체 및 그의 공중합체, 디메틸아미노메타크릴레이트 중합체 및 그의 공중합체, 트리메틸암모늄 메틸메타크릴레이트 중합체 및 그의 공중합체, 및 그의 조합으로부터 선택되는 것인 조성물.
  18. 제1항에 있어서, 살생물제를 추가로 포함하는 조성물.
  19. 제1항에 있어서, 수소-결합 화합물을 추가로 포함하는 조성물.
  20. 잔류물 및 오염물을 갖는 마이크로전자 장치로부터 잔류물 및 오염물을 제거하는 방법으로서, 방법은 마이크로전자 장치로부터 잔류물 및 오염물을 적어도 부분적으로 세정하기에 충분한 시간 동안 마이크로전자 장치를 세정 조성물과 접촉시키는 것을 포함하고, 여기서 세정 조성물은 하기:
    a. 물;
    b. 2 내지 7개의 탄소 원자를 갖는 알칸올아민;
    c. 글리콜 에테르;
    d. pH 조정제; 및
    e. 표면-활성 소수성 산
    을 포함하는 것인 방법.
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