JP2016527707A - 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法 - Google Patents

窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016527707A
JP2016527707A JP2016518038A JP2016518038A JP2016527707A JP 2016527707 A JP2016527707 A JP 2016527707A JP 2016518038 A JP2016518038 A JP 2016518038A JP 2016518038 A JP2016518038 A JP 2016518038A JP 2016527707 A JP2016527707 A JP 2016527707A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
ammonium
composition
ether
hydroxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016518038A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6723152B2 (ja
JP2016527707A5 (ja
Inventor
チェン，リ−ミン
リッピー，スティーブン
アイ． クーパー，エマニュエル
アイ． クーパー，エマニュエル
ソング，リンヤン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Technology Materials Inc
Original Assignee
Advanced Technology Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Technology Materials Inc filed Critical Advanced Technology Materials Inc
Publication of JP2016527707A publication Critical patent/JP2016527707A/ja
Publication of JP2016527707A5 publication Critical patent/JP2016527707A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6723152B2 publication Critical patent/JP6723152B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/02—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0073—Anticorrosion compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/04—Water-soluble compounds
    • C11D3/044—Hydroxides or bases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
    • C11D3/3942—Inorganic per-compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
    • C11D3/3947—Liquid compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/395—Bleaching agents
    • C11D3/3956—Liquid compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/06—Hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/20—Other heavy metals
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスから、金属導電材料（例えば、コバルト、ルテニウム及び銅）及び絶縁材料に比べて選択的に除去するのに有用な組成物。この除去組成物は、少なくとも１種の酸化剤及び１種のエッチング剤を含有し、選択性を保証するために種々の腐食防止剤を含有し得る。【選択図】 なし

Description

[0001] 本発明は、金属導体及び絶縁体材料（すなわち、低ｋ誘電体）の存在下において窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣を選択的にエッチングするための組成物及び方法に関し、さらに特定すれば、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣を、露出した又は下に横たわる銅、コバルト、ルテニウム、及び低ｋ誘電体材料の層よりも高いエッチ速度及び選択性で、効果的且つ効率的にエッチングするための組成物及び方法に関する。
[0002] フォトレジストマスクは、半導体又は誘電体などの材料をパターニングするために、半導体産業において一般的に使用される。一用途において、フォトレジストマスクは、デュアルダマスカス法（ｄｕａｌ ｄａｍａｓｃｅｎｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）において、マイクロ電子デバイスのバックエンドメタライゼーションで相互接続を形成するために使用される。このデュアルダマスカス法は、金属導体層（例えば、銅又はコバルト層）の上に横たわる低ｋ誘電体層の上にフォトレジストマスクを形成すること含む。次いで、この低ｋ誘電体層がフォトレジストマスクに従ってエッチングされて、金属導体層を露出させるビア及び／又はトレンチが形成される。デュアルダマスカス構造として一般的に知られているこのビア及びトレンチは、通常、２つのリソグラフィー工程を用いて画定される。次いで、相互接続を形成するために導電性材料をビア及び／又はトレンチ内に堆積させる前に、フォトレジストマスクが低ｋ誘電体層から除去される。
[0003] マイクロ電子デバイスの大きさが縮小するにつれて、ビア及びトレンチの限界寸法を達成することがより困難になる。したがって、ビア及びトレンチのより良好なプロファイル制御を提供するために、金属ハードマスクが使用される。金属ハードマスクは、チタン又は窒化チタンでできたものであり得、デュアルダマスカス構造のビア及び／又はトレンチの形成後に、湿式エッチング法により除去される。湿式エッチング法は、下に横たわる金属導体層及び低ｋ誘電体材料に影響を及ぼすことなく金属ハードマスク及び／又はフォトレジストエッチ残渣を効果的に除去する除去化学作用を用いることが不可欠である。換言すれば、こうした除去化学作用は、金属導体層及び低ｋ誘電体層に対して極めて選択的である必要がある。
[0004] したがって、本発明の目的は、ハードマスクのエッチ速度を損なわないまま、存在する金属導体層及び低ｋ誘電体層に比べてハードマスク材料を選択的に除去するための改善された組成物を提供することである。
[0005] 本発明は、存在する金属導体層及び低ｋ誘電体層に比べてハードマスク層及び／又はフォトレジストエッチ残渣を選択的にエッチングするための組成物及び方法に関する。より具体的には、本発明は、銅、コバルト、ルテニウム、及び低ｋ誘電体層に比べて窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣を選択的にエッチングするための組成物及び方法に関する。
[0006] 一態様において、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面から選択的に除去するための組成物が記載され、上述の組成物は、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種の金属腐食防止剤、少なくとも１種のキレート化剤、及び少なくとも１種の溶媒を含む。
[0007] 別の態様において、窒化チタン材料及び／又はフォトレジストエッチ残渣を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面からエッチングする方法が記載され、上述の方法は、表面を組成物と接触させる工程を含み、組成物は、窒化チタン材料及び／又はフォトレジストエッチ残渣を、金属及び絶縁材料に比べて選択的に表面から除去するものであり、上述の組成物は、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種の金属腐食防止剤、少なくとも１種のキレート化剤、及び少なくとも１種の溶媒を含む。
[0008] 本発明の他の態様、特徴及び実施形態は、後に続く開示及び添付の特許請求の範囲からより完全に明らかになるであろう。
[0009] 一般的に、本発明は、存在する金属導体層及び低ｋ誘電体層に比べてハードマスク層及び／又はフォトレジストエッチ残渣を選択的にエッチングするための組成物及び方法に関する。より具体的には、本発明は、銅、コバルト、ルテニウム、及び低ｋ誘電体層に比べて窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣を選択的にエッチングするための組成物及び方法に関する。マイクロ電子デバイス上に存在し得る他の材料は、上述の組成物によって実質的に除去又は腐食されるべきではない。
[0010] 参照を容易にするために、「マイクロ電子デバイス」は、マイクロエレクトロニクス、集積回路、エネルギー収集、又はコンピュータチップ用途における使用のために製造される、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、相変化メモリデバイス、太陽電池板及び他の製品（太陽電池デバイス、光起電装置、及び微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）を含む）に相当する。用語「マイクロ電子デバイス」、「マイクロ電子基板」及び「マイクロ電子デバイス構造体」は、決して限定的であることが意図されるものではなく、最終的にマイクロ電子デバイス又はマイクロ電子集成体となるあらゆる基板又は構造体を包含することが理解されるべきである。マイクロ電子デバイスは、パターニングされ得る、ブランケットされ得る、制御及び／又は試験デバイスであり得る。
[0011] 「ハードマスクキャップ層」は、本明細書で使用される場合、誘電体材料の上にそれをプラズマエッチ工程の間保護するために堆積させた材料に相当する。ハードマスクキャップ層は、従来、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化チタン、酸窒化チタン、チタン及び他の同様の化合物である。
[0012] 本明細書で使用される場合、「窒化チタン」及び「ＴｉＮｘ」は、純粋な窒化チタン、並びに様々な化学量論及び酸素含有量（ＴｉＯｘＮｙ）を含む不純な窒化チタンに相当する。
[0013] 本明細書で使用される場合、「約」は、述べられた値の±５％に相当することが意図される。
[0014] 本明細書で定義される場合、「低ｋ誘電体材料」は、層状マイクロ電子デバイスにおいて誘電体材料として使用される材料であって、約３．５より低い誘電率を有するあらゆる材料に相当する。好ましくは、低ｋ誘電体材料は、低極性材料、例えば、ケイ素含有有機ポリマー、ケイ素含有ハイブリッド有機／無機材料、有機シリケートガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化シリケートガラス（ＦＳＧ）、二酸化ケイ素、及び炭素ドープ酸化物（ＣＤＯ）ガラスを含む。低ｋ誘電体材料は、様々な密度及び様々な多孔度を有し得ることが理解されるべきである。
[0015] 本明細書で定義される場合、「金属導体層」は、銅、タングステン、コバルト、モリブデン、アルミニウム、ルテニウム、それらを含む合金、及びそれらの組み合わせを含む。
[0016] 本明細書で定義される場合、「アミン」化学種は、少なくとも１種の第１級、第２級、及び第３級アミンを含むものであるが、但し、（ｉ）カルボン酸基及びアミン基の両方を含む化学種、（ｉｉ）アミン基を含む界面活性剤、並びに（ｉｉｉ）アミン基が（例えば、アリール又は複素環式部分に結合している）置換基である化学種は、この定義に従う「アミン」とは見なされない。アミンの式は、ＮＲ１Ｒ２Ｒ３により表され得、式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに同じでも異なっていてもよく、水素、直鎖若しくは分岐のＣ１〜Ｃ６アルキル（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル）、Ｃ６〜Ｃ１０アリール（例えば、ベンジル）、直鎖若しくは分岐のＣ１〜Ｃ６アルカノール（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール）及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるが、但し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、全てが水素であることはできない。
[0017] 本明細書で定義される場合、「フォトレジストエッチ残渣」は、当業者に容易に理解されるように、フォトレジスト材料又はエッチング若しくはアッシング工程の後のフォトレジストの副産物である材料を含むあらゆる残渣に相当する。フォトレジストエッチ残渣は、ケイ素含有材料、チタン含有材料、窒素含有材料、酸素含有材料、ポリマー残渣材料、銅含有残渣材料（酸化銅残渣を含む）、タングステン含有残渣材料、コバルト含有残渣材料、エッチガス残渣（例えば、塩素及びフッ素）、及びそれらの組み合わせを含み得る。
[0018] 「実質的に欠く」は、２重量％未満、好ましくは１重量％未満、より好ましくは０．５重量％未満、さらにより好ましくは０．１重量％未満、最も好ましくは０重量％として本明細書において定義される。
[0002] 本明細書で使用される場合、「フッ化物」化学種は、イオンフッ化物（Ｆ−）又は共有結合フッ素を含む化学種に相当する。フッ化物化学種は、フッ化物化学種として含まれてもよいし、インサイチューで生成されてもよいことが理解されるべきである。
[0019] 本明細書で使用される場合、「塩化物」化学種は、イオン塩化物（Ｃｌ−）を含む化学種に相当するが、但し、塩化物アニオンを含む界面活性剤は、この定義に従う「塩化物」とは見なされない。
[0020] 本明細書で定義される場合、強塩基は、少なくとも１つの１１より大きいｐＫａを有する任意の塩基であり、弱塩基は、少なくとも１つの１１より小さいｐＫａを有する任意の塩基である。
[0021] 本発明の組成物は、以下により十分に説明されるように、多種多様な特定の配合物として具現化され得る。
[0022] 組成物の特定の成分がゼロの下限を含む重量百分率範囲に関して述べられている全てのそのような組成物において、そのような成分は、この組成物の種々の特定の実施形態において存在する場合も存在しない場合もあること、及びそのような成分が存在する場合においては、それらは、そのような成分が採用されている組成物の総重量に基づいて、０．００１重量パーセントほどに低い濃度で存在し得ることが理解されるであろう。
[0023] 本発明の実施形態は、ハードマスク及び／又はフォトレジストエッチ残渣を除去するための化学作用を含む。一実施形態において、除去組成物は、誘電体層上の金属ハードマスク及び／又はフォトレジストエッチ残渣を除去し且つ誘電体層のすぐ下の金属導体層及び誘電体層自体に対して極めて選択的である湿式エッチ溶液である。より特定的な実施形態において、除去組成物は、銅、コバルト、ルテニウム、及び低ｋ誘電体材料のうちの少なくとも１つに対して極めて選択的である、窒化チタン層及び／又はフォトレジストエッチ残渣を除去する湿式エッチ溶液である。
[0024] 第１の態様において、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面から選択的に除去するための組成物が記載され、上述の組成物は、少なくとも１種の酸化剤及び少なくとも１種のエッチング剤を含む。一実施形態において、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面から除去するための組成物は、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種の金属腐食防止剤、及び少なくとも１種の溶媒を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。別の実施形態において、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面から除去するための組成物は、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種のキレート化剤、及び少なくとも１種の溶媒を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。別の実施形態において、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面から除去するための組成物は、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種のキレート化剤、少なくとも１種の金属腐食防止剤、及び少なくとも１種の溶媒を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。さらに別の実施形態において、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面から除去するための組成物は、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種のキレート化剤、少なくとも１種の金属腐食防止剤、少なくとも１種の界面活性剤、及び少なくとも１種の溶媒を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。別の実施形態において、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面から除去するための組成物は、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種の金属腐食防止剤、少なくとも１種の界面活性剤、及び少なくとも１種の溶媒を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。さらに別の実施形態において、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面から除去するための組成物は、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種のキレート化剤、少なくとも１種の界面活性剤、及び少なくとも１種の溶媒を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。なお別の実施形態において、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面から除去するための組成物は、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種のキレート化剤、及び少なくとも２種の溶媒を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になり、少なくとも１種の溶媒は、水混和性有機溶媒である。第１の態様の各実施形態において、少なくとも１種のケイ素含有化合物及び／又は少なくとも１種の低ｋパッシベート剤（ｐａｓｓｉｖａｔｉｎｇ ａｇｅｎｔ）が添加され得る。これらの組成物は、ケイ酸塩、研磨材、金属ハロゲン化物、及びそれらの組み合わせを実質的に欠く。これらの組成物は、約５〜約１２、好ましくは、約６〜約１０の範囲内のｐＨ値を有する。
[0025] エッチング剤は、窒化チタンのエッチ速度を高めるために添加される。企図されるエッチング剤としては、ＨＦ、フッ化アンモニウム、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロケイ酸、Ｂ−Ｆ又はＳｉ−Ｆ結合を含有する他の化合物、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート（ＴＢＡ−ＢＦ４）、テトラアルキルアンモニウムフルオリド（ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｆ）、強塩基、例えば、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド（ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＯＨ）（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、互いに同じでも異なっていてもよく、水素、直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ６アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル）、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基（例えば、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピル）置換又は非置換のアリール基（例えば、ベンジル）からなる群から選択される）、弱塩基、及びそれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。好ましくは、フッ化物供給源は、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロケイ酸、Ｈ２ＺｒＦ６、Ｈ２ＴｉＦ６、ＨＰＦ６、フッ化アンモニウム、テトラメチルアンモニウムフルオリド、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム、ヘキサフルオロチタン酸アンモニウム、又はフッ化アンモニウムとテトラメチルアンモニウムフルオリドとの組み合わせを含む。代替的に、又はフッ化物供給源に加えて、エッチング剤は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（ＢＴＭＡＨ）、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウムヒドロキシド（ＢＴＥＡＨ）、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド（ＴＢＰＨ）、（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（水酸化コリン）、（２−ヒドロキシエチル）トリエチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリプロピルアンモニウムヒドロキシド、（１−ヒドロキシプロピル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド（ＤＥＤＭＡＨ）、トリス（２−ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＨＥＭＡＨ）、１，１，３，３−テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ）、水酸化カリウム、炭酸グアニジン、アルギニン、及びそれらの組み合わせなどの強塩基を含み得る。水酸化コリンが使用される場合、市販の製品は、多くの場合、所望されない副産物への水酸化コリンの分解を最低限に抑えるために少量の安定剤を含むことが当業者により知られている。水酸化コリン安定剤は、当該技術分野において知られており、これらに限定されないが、ホルムアルデヒド、ヒドロキシルアミン、亜硫酸塩、及び水素化物を含む。企図される弱塩基としては、水酸化アンモニウム、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、エチレンジアミン、システイン、及びそれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。最も好ましくは、エッチング剤は、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、水酸化コリン、水酸化カリウム、及び／又はＴＨＥＭＡＨを含み、より好ましくは、ＴＭＡＨ、水酸化コリン、水酸化カリウム、ＴＨＥＭＡＨ、及びそれらの任意の組み合わせを含む。
[0026] 酸化剤は、ＴｉＮｘ中のＴｉ３＋を酸化するために含まれる。本明細書で企図される酸化剤としては、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、ＦｅＣｌ３、ＦｅＦ３、Ｆｅ（ＮＯ３）３、Ｓｒ（ＮＯ３）２、ＣｏＦ３、ＭｎＦ３、オキソン（２ＫＨＳＯ５・ＫＨＳＯ４・Ｋ２ＳＯ４）、過ヨウ素酸、ヨウ素酸、酸化バナジウム（Ｖ）、酸化バナジウム（ＩＶ，Ｖ）、バナジン酸アンモニウム、アンモニウム多原子塩（例えば、ペルオキソ一硫酸アンモニウム、亜塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ２）、塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ３）、ヨウ素酸アンモニウム（ＮＨ４ＩＯ３）、硝酸アンモニウム（ＮＨ４ＮＯ３）、過ホウ酸アンモニウム（ＮＨ４ＢＯ３）、過塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ４）、過ヨウ素酸アンモニウム（ＮＨ４ＩＯ４）、過硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８）、次亜塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ））、次亜臭素酸アンモニウム、タングステン酸アンモニウム（（ＮＨ４）１０Ｈ２（Ｗ２Ｏ７））、ナトリウム多原子塩（例えば、過硫酸ナトリウム（Ｎａ２Ｓ２Ｏ８）、次亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ）、過ホウ酸ナトリウム、次亜臭素酸ナトリウム（ＮａＢｒＯ））、カリウム多原子塩（例えば、ヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ３）、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）、過硫酸カリウム、硝酸（ＨＮＯ３）、過硫酸カリウム（Ｋ２Ｓ２Ｏ８）、次亜塩素酸カリウム（ＫＣｌＯ））、テトラメチルアンモニウム多原子塩（例えば、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＣｌＯ２）、塩素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＣｌＯ３）、ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＩＯ３）、過ホウ酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＢＯ３）、過塩素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＣｌＯ４）、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＩＯ４）、過硫酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）Ｓ２Ｏ８））、テトラブチルアンモニウム多原子塩（例えば、ペルオキソ一硫酸テトラブチルアンモニウム）、ペルオキソ一硫酸、硝酸第二鉄（Ｆｅ（ＮＯ３）３）、尿素過酸化水素（（ＣＯ（ＮＨ２）２）Ｈ２Ｏ２）、過酢酸（ＣＨ３（ＣＯ）ＯＯＨ）、１，４−ベンゾキノン、トルキノン、ジメチル−１，４−ベンゾキノン、クロラニル、アロキサン、Ｎ−メチルモルホリンＮ−オキシド、トリメチルアミンＮ−オキシド、及びそれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。酸化剤が塩である場合、これは、水和されても無水であってもよい。酸化剤は、デバイスウェーハへの組成物の導入の前に製造業者において組成物に導入されてもよいし、代替的に、デバイスウェーハにおいて、すなわち、インサイチューで組成物に導入されてもよい。好ましくは、第２の態様の組成物のための酸化剤は、過酸化水素を含む。好ましくは、第１の態様の組成物のための酸化剤は、過酸化水素、次亜塩素酸アンモニウム、次亜塩素酸ナトリウム、及びそれらの任意の組み合わせを含む。
[0027] 酸化剤がヨウ素酸塩又は過ヨウ素酸塩を含む場合、ヨウ素捕捉剤が、除去組成物に好ましくは添加される。理論に拘束されることを望むものではないが、ヨウ素酸塩又は過ヨウ素酸塩が還元されるにつれて、ヨウ素が蓄積し、これが銅エッチの速度を高めると考えられる。ヨウ素捕捉剤としては、ケトン、より好ましくは、カルボニルに対してα位に水素（１つ又は複数）を有するケトン、例えば、４−メチル−２−ペンタノン、２，４−ジメチル−３−ペンタノン、シクロヘキサノン、５−メチル−３−ヘプタノン、３−ペンタノン、５−ヒドロキシ−２−ペンタノン、２，５−ヘキサンジオン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、アセトン、ブタノン、２−メチル−２−ブタノン、３，３−ジメチル−２−ブタノン、４−ヒドロキシ−２−ブタノン、シクロペンタノン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、１−フェニルエタノン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、２−ヘキサノン、３−ヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２，６−ジメチル−４−ヘプタノン、２−オクタノン、３−オクタノン、４−オクタノン、ジシクロへキシルケトン、２，６−ジメチルシクロヘキサノン、２−アセチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、メントン、及びそれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。好ましくは、ヨウ素捕捉剤は、４−メチル−２−ペンタノン、２，４−ジメチル−３−ペンタノン、又はシクロヘキサノンを含む。
[0028] キレート化剤は、ＴｉＮｘのエッチ速度及びフォトレジストエッチ残渣洗浄性能を高めるために添加され、一般に耐酸化性である。企図されるキレート化剤としては、β−ジケトネート化合物（例えば、アセチルアセトネート、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン、及び１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン）；アミン及びアミノ酸（例えば、グリシン、セリン、プロリン、ロイシン、アラニン、アスパラギン、アスパラギン酸、グルタミン、バリン、及びリジン）；イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、マロン酸、シュウ酸、コハク酸、ホウ酸、ニトリロ三酢酸、リンゴ酸、クエン酸、酢酸、マレイン酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ＥＤＴＡ−２ＮＨ３（エチレンジアミン四酢酸二アンモニウム塩）、（１，２−シクロヘキシレンジニトリロ）四酢酸（ＣＤＴＡ）、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸（ＰＢＴＣＡ）、エチレンジアミンジコハク酸、及びプロピレンジアミン四酢酸からなる群から選択される多塩基酸；ホスホン酸；ホスホン酸誘導体（例えば、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸（ＨＥＤＰ）（Ｄｅｑｕｅｓｔ ２０１０）、１−ヒドロキシエタン−１，１−ジホスホン酸、ニトリロ−トリス（メチレンホスホン酸）（ＮＴＭＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（Ｄｅｑｕｅｓｔ ２０００）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（Ｄｅｑｕｅｓｔ ２０６０Ｓ）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＭＰＡ））；エチレンジアミン；２，４−ペンタンジオン；塩化ベンザルコニウム；１−イミダゾール；テトラグリム；ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）；１，３，５−トリアジン−２，４，６−チチオール三ナトリウム塩溶液；１，３，５−トリアジン−２，４，６−チチオール三アンモニウム塩溶液；ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム；１個のアルキル基（Ｒ２＝ヘキシル、オクチル、デセイル（ｄｅｃｅｙｌ）又はドデシル）及び１個のオリゴエーテル（Ｒ１（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２、式中、Ｒ１＝エチル又はブチル）を有する二置換ジチオカルバメート（Ｒ１（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２ＮＲ２ＣＳ２Ｎａ）；スルファニルアミド；モノエタノールアミン（ＭＥＡ）；２−ヒドロキシピリジン１−オキシド；五塩基性三リン酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ ｔｒｉｐｈｏｓｐｈａｔｅ ｐｅｎｔａ ｂａｓｉｃ）；並びにそれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。代替的に、又は追加的に、キレート化剤は、アンモニウムカチオン又はテトラアルキルアンモニウムカチオン（［ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４］＋、式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、互いに同じでも異なっていてもよく、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキル（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル）からなる群から選択される）、並びに酢酸塩、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硫酸塩、安息香酸塩、プロピオン酸塩、クエン酸塩、ギ酸塩、シュウ酸塩、酒石酸塩、コハク酸塩、乳酸塩、マレイン酸塩、マロン酸塩、フマル酸塩、リンゴ酸塩、アスコルビン酸塩、マンデル酸塩、及びフタル酸塩からなる群から選択されるアニオンを含む塩を含む。例えば、塩は、臭化アンモニウム及び／又は塩化アンモニウムを含み得る。最も好ましくは、キレート化剤は、臭化アンモニウム、塩化アンモニウム、ホスホン酸、ＣＤＴＡ、ホスホン酸誘導体（例えば、ＨＥＤＰ、ＤＴＰＡ、ＮＴＭＰ、ＥＤＴＭＰＡ）、及びそれらの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つを含む。
[0029] 金属腐食防止剤は、酸化剤（１つ又は複数）及びカルボン酸塩（１つ又は複数）（存在する場合）の酸化活性を妨げるために添加される。本明細書で企図される金属腐食防止剤としては、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール（ＡＴＤＴ）、２−アミノ−５−エチル−１，３，４−チアジアゾール、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、トリルトリアゾール、５−メチル−ベンゾトリアゾール（ｍＢＴＡ）、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾールカルボン酸、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール（３−ＡＴＡ）、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロ−ベンゾトリアゾール（ハロ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ）、ナフトトリアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール（ＭＢＩ）、２−メルカプトベンゾチアゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、５−アミノ−１，２，４−トリアゾール（５−ＡＴＡ）、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）、ＡＴＡ−ＳＤＳ、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、ペンチレンテトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−ベンジル−１Ｈ−テトラゾール、５−メチルテトラゾール、５−メルカプト−１−メチル−テトラゾール、１−フェニル−１Ｈ−テトラゾール−５−チオール、Ａｂｌｕｍｉｎｅ Ｏ（Ｔａｉｗａｎ Ｓｕｒｆａｃｔａｎｔ）、２−ベンジルピリジン、スクシンイミド、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、イミダゾリンチオン、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、４−アミノ−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−５−メチルチオ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾチアゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、２−アミノベンゾイミダゾール、１−メチルイミダゾール、インジアゾール、アデニン、スクシンイミド、アデノシン、カルバゾール、サッカリン、尿酸、及びベンゾインオキシムが挙げられるが、これらに限定されない。さらなる腐食防止剤には、カチオン第４級塩、例えば、塩化ベンザルコニウム、ベンジルジメチルドデシルアンモニウムクロリド、ミリスチルトリメチルアンモニウムブロミド、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルピリジニウムクロリド、Ａｌｉｑｕａｔ ３３６（Ｃｏｇｎｉｓ）、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムクロリド、Ｃｒｏｄａｑｕａｔ ＴＥＳ（Ｃｒｏｄａ Ｉｎｃ．）、Ｒｅｗｏｑｕａｔ ＣＰＥＭ（Ｗｉｔｃｏ）、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムｐ−トルエンスルホネート、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、１−メチル−１’−テトラデシル−４，４’−ビピリジウムジクロリド、アルキルトリメチルアンモニウムブロミド、塩酸アンプロリウム、水酸化ベンゼトニウム、塩化ベンゼトニウム、ベンジルジメチルヘキサデシルアンモニウムクロリド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロリド、ベンジルドデシルジメチルアンモニウムブロミド、ベンジルドデシルジメチルアンモニウムクロリド、セチルピリジニウムクロリド、ｐ−トルエンスルホン酸コリン塩、ジメチルジオクタデシルアンモニウムブロミド、ドデシルエチルジメチルアンモニウムブロミド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド、デシルトリメチルアンモニウムクロリド（ＤＴＡＣ）、エチルヘキサデシルジメチルアンモニウムブロミド、ジラール試薬、ヘキサデシル（２−ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウム二水素ホスフェート、デキサデシルピリジニウムブロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド、メチルベンゼトニウムクロリド、Ｈｙａｍｉｎｅ（登録商標）１６２２、Ｌｕｖｉｑｕａｔ（商標）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−ポリオキシエチレン（１０）−Ｎ−牛脂−１，３−ジアミノプロパン液、臭化オキシフェノニウム、テトラヘプチルアンモニウムブロミド、テトラキス（デシル）アンモニウムブロミド、臭化トンゾニウム、トリドデシルアンモニウムクロリド、トリメチルオクタデシルアンモニウムブロミド、１−メチル−３−ｎ−オクチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１−デシル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１−デシル−３−メチルイミダゾリウムクロリド、トリドデシルメチルアンモニウムブロミド、ジメチルジステアリルアンモニウムクロリド、セチルトリメチルアンモニウムブロミド、ミリスチルトリメチルアンモニウムブロミド、及び塩化ヘキサメトニウムが含まれる。他の腐食防止剤には、非イオン界面活性剤、例えば、ＰｏｌｙＦｏｘ ＰＦ−１５９（ＯＭＮＯＶＡ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）、ポリ（エチレングリコール）（「ＰＥＧ」）、ポリ（プロピレングリコール）（「ＰＰＧ」）、エチレンオキシド／プロピレンオキシドブロックコポリマー（例えば、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ Ｆ−１２７（ＢＡＳＦ））、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノオレエート（Ｔｗｅｅｎ ８０）、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノパルミテート（Ｔｗｅｅｎ ４０）、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノラウレート（Ｔｗｅｅｎ ２０）、ポリオキシプロピレン／ポリオキシエチレンブロックコポリマー（例えば、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ Ｌ３１、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ ３１Ｒ１、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ ２５Ｒ２及びＰｌｕｒｏｎｉｃ ２５Ｒ４）、アニオン界面活性剤、例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ドデシルホスホン酸（ＤＤＰＡ）、ビス（２−エチルヘキシル）ホスフェート、ベンジルホスホン酸、ジフェニルホスフィン酸、１，２−エチレンジホスホン酸、フェニルホスホン酸、桂皮酸、及びそれらの組み合わせが含まれる。第４級塩は、腐食防止剤（特に、銅、コバルト、及びルテニウムに対して）及び湿潤剤の両方として機能し得る。第４級塩は塩化物又は臭化物として市販されることが最も多いが、ハロゲン化物アニオンを非ハロゲン化物アニオン（例えば、硫酸塩、メタンスルホン酸塩、硝酸塩、水酸化物など）とイオン交換することは容易であることが、当業者には明らかであろう。そのような変換された第４級塩もまた、本明細書で企図される。特に好ましい実施形態において、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ＴＡＺ、ＤＴＡＣ、及びＴｗｅｅｎ ８０は、銅に対する酸化剤の酸化活性を妨げることが知られている。他の好ましい腐食防止剤には、カチオン第４級塩が含まれ、より好ましくは、ＭＢＩ、アデノシン、ベンゾチアゾール、ＤＤＰＡ、Ｔｗｅｅｎ ８０、及びそれらの任意の組み合わせが含まれる。
[0030] 少なくとも１種の溶媒は、水、少なくとも１種の水混和性有機溶媒、又はそれらの組み合わせを含み得る。例えば、少なくとも１種の溶媒は、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、２−エチル−１−ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキシレングリコール、炭酸ブチレン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、重炭酸コリン、ジプロピレングリコール、ジメチルスルホキシド、スルホラン、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）、１，２−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、テトラメチル尿素、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル（ＤＰＧＭＥ）、トリプロピレングリコールメチルエーテル（ＴＰＧＭＥ）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル（ＤＰＧＰＥ）、トリプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、２，３−ジヒドロデカフルオロペンタン、エチルペルフルオロブチルエーテル、メチルペルフルオロブチルエーテル、アルキルカーボネート、４−メチル−２−ペンタノール、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の化学種を含み得る。好ましくは、少なくとも１種の溶媒は水を含み、最も好ましくは、脱イオン水を含む。
[0031] 第１の態様の組成物は、低ｋ誘電体層の化学的攻撃を低減するため、及びウェーハをさらなる酸化から保護するために、少なくとも１種の低ｋパッシベート剤をさらに含み得る。好ましい低ｋパッシベート剤としては、ホウ酸、ホウ酸塩、例えば、五ホウ酸アンモニウム、四ホウ酸ナトリウム、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、マロン酸、及びイミノ二酢酸が挙げられるが、これらに限定されない。存在する場合、組成物は、組成物の総重量に基づき約０．０１重量％〜約２重量％の低ｋパッシベート剤を含む。好ましくは、下に横たわる低ｋ材料の２重量％未満、より好ましくは、下に横たわる低ｋ材料の総重量に基づき１重量％未満、最も好ましくは、０．５重量％未満が、本明細書に記載される組成物を用いてエッチング／除去される。
[0032] 第１の態様の組成物は、エッチング剤供給源の活性を低減するために、少なくとも１種のケイ素含有化合物をさらに含み得る。一実施形態において、この少なくとも１種のケイ素含有化合物は、アルコキシシランを含む。企図されるアルコキシシランは、一般式ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、互いに同じか又は異なっており、直鎖Ｃ１〜Ｃ６アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル）、分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ）、フェニル基、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される）を有する。アルコキシシランと見なされるためにはＲ１、Ｒ２、Ｒ３又はＲ４のうちの少なくとも１つはＣ１〜Ｃ６アルコキシ基でなければならないことが、当業者により理解されるはずである。企図されるアルコキシシランとしては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、Ｎ−プロピルトリメトキシシラン、Ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、及びそれらの組み合わせが挙げられる。アルコキシシランの代わりに又はそれに加えて使用され得る他のケイ素含有化合物には、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、テトラメチルアンモニウムシリケート（ＴＭＡＳ）、及びそれらの組み合わせが含まれる。好ましくは、ケイ素含有化合物は、ＴＥＯＳ、ＴＭＡＳ、及びケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウムを含む。存在する場合、ケイ素含有化合物（１つ又は複数）の量は、組成物の総重量に基づき約０．００１重量％〜約２重量％の範囲内である。
[0033] 特にｐＨが低い場合に濡れを確実にするために、界面活性剤、好ましくは、耐酸化性のフッ素化アニオン界面活性剤が、水性組成物に添加され得る。本発明の組成物において企図されるアニオン界面活性剤としては、フルオロ界面活性剤（例えば、ＺＯＮＹＬ（登録商標）ＵＲ及びＺＯＮＹＬ（登録商標）ＦＳ−６２（ＤｕＰｏｎｔ Ｃａｎａｄａ Ｉｎｃ．，Ｍｉｓｓｉｓｓａｕｇａ，Ｏｎｔａｒｉｏ，Ｃａｎａｄａ））、及びフルオロアルキルスルホン酸アンモニウム（例えば、Ｎｏｖｅｃ（商標）４３００（３Ｍ））が挙げられるが、これらに限定されない。使用されるエッチング剤がフッ化物を含む場合、界面活性剤及びエッチング剤として使用され得る長鎖テトラアルキルアンモニウムフルオリドを使用することが企図される。
[0034] 別の実施形態において、本発明の組成物の任意のものは、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ材料残渣をさらに含み得、この残渣は、水性組成物中に懸濁及び／又は溶解される。
[0035] 第１の態様の組成物の一実施形態において、組成物は、組成物の総重量に基づき以下の範囲内で存在する、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種の金属腐食防止剤、及び少なくとも１種の溶媒を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。
好ましくは、酸化剤は、過酸化水素を含み、エッチング剤は、ＴＭＡＨ、ＫＯＨ、水酸化コリン、ＴＨＥＭＡＨ、又はＫＯＨ／水酸化コリンの組み合わせを含む。
[0036] 第１の態様の組成物のなお別の実施形態において、組成物は、組成物の総重量に基づき以下の範囲内で存在する、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種のキレート化剤、及び少なくとも１種の溶媒を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。
好ましくは、酸化剤は、過酸化水素を含み、エッチング剤は、ＴＭＡＨ、ＫＯＨ、水酸化コリン、ＴＨＥＭＡＨ、又はＫＯＨ／水酸化コリンの組み合わせを含む。
[0037] 第１の態様の組成物のさらに別の実施形態において、組成物は、組成物の総重量に基づき以下の範囲内で存在する、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種のキレート化剤、少なくとも１種の金属腐食防止剤、及び少なくとも１種の溶媒を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。
好ましくは、酸化剤は、過酸化水素を含み、エッチング剤は、ＴＭＡＨ、ＫＯＨ、水酸化コリン、ＴＨＥＭＡＨ、又はＫＯＨ／水酸化コリンの組み合わせを含む。
[0038] 好ましくは、第１の態様の組成物は、水、ＴＭＡＨ、ＣＤＴＡ、及び少なくとも１種の腐食防止剤を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。別の好ましい実施形態において、第１の態様の組成物は、水、ＴＭＡＨ、ＣＤＴＡ、少なくとも１種の腐食防止剤、及び過酸化水素を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。なお別の好ましい実施形態において、第１の態様の組成物は、水、ＴＭＡＨ、ＣＤＴＡ、及びＤＤＰＡを含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。別の好ましい実施形態において、第１の態様の組成物は、水、ＴＭＡＨ、ＣＤＴＡ、ＤＤＰＡ、及び過酸化水素を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。さらに別の好ましい実施形態において、第１の態様の組成物は、水、ＴＭＡＨ、ＣＤＴＡ、及び３−アミノ−１，２，４−トリアゾールを含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。別の好ましい実施形態において、第１の態様の組成物は、水、ＴＭＡＨ、ＣＤＴＡ、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、及び過酸化水素を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。なお別の好ましい実施形態において、第１の態様の組成物は、水、ＴＭＡＨ、ＣＤＴＡ、及び１，２，４−トリアゾールを含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。別の好ましい実施形態において、第１の態様の組成物は、水、ＴＭＡＨ、ＣＤＴＡ、１，２，４−トリアゾール、及び過酸化水素を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。別の好ましい実施形態において、第１の態様の組成物は、水、ＴＭＡＨ、ＣＤＴＡ、ＤＤＰＡ、及び３−アミノ−１，２，４−トリアゾールを含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。別の好ましい実施形態において、第１の態様の組成物は、水、ＴＭＡＨ、ＣＤＴＡ、ＤＤＰＡ、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、及び過酸化水素を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。なお別の好ましい実施形態において、第１の態様の組成物は、水、ＴＭＡＨ、及びＨＥＤＰを含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。別の好ましい実施形態において、第１の態様の組成物は、水、ＴＭＡＨ、ＨＥＤＰ、及び過酸化水素を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。なお別の好ましい実施形態において、第１の態様の組成物は、水、ＣＤＴＡ、過酸化水素、少なくとも１種のエッチング剤、及び少なくとも１種の腐食防止剤を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になり、その少なくとも１種のエッチング剤は、ＫＯＨ、ＴＨＥＭＡＨ、水酸化コリン、及びＫＯＨと水酸化コリンとの混合物からなる群から選択される化学種を含み、その少なくとも１種の腐食防止剤は、ｍＢＴＡ、３−ＡＴＡ、及びＴＡＺからなる群から選択される化学種を含む。
[0039] 使用前に希釈されるための組成物の濃縮形態を作製することは常法であることが理解されるであろう。例えば、組成物は、より濃縮された形態で製造され、その後、製造業者において、使用前に、及び／又はマイクロチップ製造工場における使用の間に、少なくとも１種の溶媒で希釈され得る。希釈比は、約０．１部の希釈剤：１部の組成物濃縮物〜約１００部の希釈剤：１部の組成物濃縮物の範囲内であり得る。さらに、本明細書に記載される組成物は、経時的に不安定になり得る酸化剤を含むことが理解されるべきである。したがって、濃縮形態は、酸化剤（１つ又は複数）を実質的に欠き得、酸化剤は、使用前に製造業者により及び／又はマイクロチップ製造工場における使用の間に、濃縮物又は希釈された組成物に導入され得る。
[0040] 本明細書に記載される組成物は、それぞれの成分の単純な添加及び均一な状態への混合により容易に調合される。さらに、当該組成物は、単一包装調合物として、又は使用時若しくは使用時の前に混合される複数部分調合物として、好ましくは複数部分調合物として、容易に調合され得る。複数部分調合物の個々の部分は、器具において又はインラインミキサーなどの混合領域／区域内で又は器具の上流の貯蔵槽内で混合され得る。複数部分調合物のそれぞれ異なる部分は、混合された時に一緒に所望の組成物を形成する成分／構成成分の任意の組み合わせを含有し得ることが企図される。それぞれの成分の濃度は、組成物の特定の倍数に対して幅広く変更され得（すなわち、より希薄又はより濃厚であり得る）、組成物は、様々に且つ代替的に、本明細書における開示と一致する成分の任意の組み合わせを含むか、それからなるか、又はそれから実質的になり得ることが理解されるであろう。
[0041] したがって、第２の態様は、本明細書に記載される組成物を形成するように適合させた１種以上の成分を１つ以上の容器内に含むキットに関する。例えば、当該組成物は、使用前又は使用中に酸化剤及び／又はさらなる溶媒（１つ又は複数）と組み合わせるために、少なくとも１種の酸化剤を除く成分の全てが１つの容器内に含まれるように分けられ得る。キットの容器は、上述の除去組成物成分を貯蔵及び輸送するのに適したもの（例えば、ＮＯＷＰａｋ（登録商標）容器（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．，Ｄａｎｂｕｒｙ，Ｃｏｎｎ．，ＵＳＡ））でなければならない。組成物の成分を含有するその１つ以上の容器は、好ましくは、配合及び調合（ｄｉｓｐｅｎｓｅ）のために上述の１つ以上の容器内の成分を流体連絡した状態に至らせるための手段を含む。例えば、ＮＯＷＰａｋ（登録商標）容器を参照すると、ライナーの内容物の少なくとも１部を排出させて、したがって配合及び調合のための流体連絡を可能にするために、上述の１つ以上の容器内のライナーの外側に、ガス圧力が印加され得る。代替的に、従来の加圧可能容器のヘッドスペースにガス圧力が印加され得る、又は流体連絡を可能にするためにポンプが使用され得る。さらに、この系は、好ましくは、配合された組成物を処理器具に分配するための分配口を含む。
[0042] 実質的に化学的に不活性な、不純物を含まない、可撓性及び弾性のある、ポリマーフィルム材料（例えば、高密度ポリエチレン）が、上述の１つ以上の容器のためのライナーを製造するために好ましくは使用される。望ましいライナー材料は、共押出又はバリア層を必要とすることなく、且つライナー内に配置されることになる成分に対する純度要件に悪影響を及ぼし得る顔料、紫外線抑制剤、又は加工剤を何ら用いることなく加工される。望ましいライナー材料の一覧には、純粋な（添加剤を含まない）ポリエチレン、純粋なポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリプロピレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリアセタール、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリブチレンなどを含むフィルムが含まれる。そのようなライナー材料の好ましい厚さは、約５ミル（０．００５インチ）〜約３０ミル（０．０３０インチ）の範囲内、例えば、２０ミル（０．０２０インチ）の厚さなどである。
[0043] キットのための容器に関して、以下の特許及び特許出願の開示は、そのそれぞれの全内容が、これにより参照により本明細書に援用される：「ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＭＩＮＩＭＩＺＩＮＧ ＴＨＥ ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮ ＯＦ ＰＡＲＴＩＣＬＥＳ ＩＮ ＵＬＴＲＡＰＵＲＥ ＬＩＱＵＩＤＳ」と題された米国特許第７，１８８，６４４号明細書；「ＲＥＴＵＲＮＡＢＬＥ ＡＮＤ ＲＥＵＳＡＢＬＥ，ＢＡＧ−ＩＮ−ＤＲＵＭ ＦＬＵＩＤ ＳＴＯＲＡＧＥ ＡＮＤ ＤＩＳＰＥＮＳＩＮＧ ＣＯＮＴＡＩＮＥＲ ＳＹＳＴＥＭ」と題された米国特許第６，６９８，６１９号明細書；及び２００８年５月９日に出願された「ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＦＯＲ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＢＬＥＮＤＩＮＧ ＡＮＤ ＤＩＳＴＲＩＢＵＴＩＯＮ」と題された国際出願ＰＣＴ／ＵＳ０８／６３２７６号明細書。
[0044] 第３の態様において、本発明は、本明細書に記載されるとおりの第１の態様の組成物を用いて、窒化チタン材料を、それを上に有するマイクロ電子デバイスの表面からエッチングする方法に関する。例えば、窒化チタン材料は、マイクロ電子デバイス上に存在する金属導体及び絶縁体材料を実質的に損なう／除去することなしに除去され得る。したがって、好ましい実施形態において、本明細書に記載されるとおりの第１の態様の組成物を用いて、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面から、金属導体及び絶縁体材料に比べて選択的に且つ実質的に除去する方法が記載される。別の好ましい実施形態において、本明細書に記載される第１の態様の組成物を用いて、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面から、金属導体（例えば、銅）、コバルト、ルテニウム及び絶縁体材料に比べて選択的に且つ実質的に除去する方法が記載される。
[0045] エッチング用途において、当該組成物は、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を上に有するマイクロ電子デバイスの表面に、任意の好適な方法で、例えば、デバイスの表面上に組成物を噴霧することにより、窒化チタン及び／若しくはフォトレジストエッチ残渣材料を含むデバイスを（組成物の静的又は動的体積に）浸漬することにより、デバイスを組成物を上に吸収させた別の材料（例えば、パッド、又は繊維状収着剤アプリケーター要素）と接触させることにより、窒化チタン及び／若しくはフォトレジストエッチ残渣材料を含むデバイスを循環している組成物と接触させることにより、又は組成物を窒化チタン及び／若しくはフォトレジストエッチ残渣材料と除去接触した状態に至らせる任意の他の好適な手段、方法若しくは技術により適用される。この適用は、動的又は静的洗浄のために、バッチ又はシングルウェーハ装置で行われ得る。有利には、本明細書に記載される組成物は、マイクロ電子デバイス構造体上に存在し且つ組成物に曝露され得る他の材料（例えば、金属及び絶縁材料（すなわち、低ｋ誘電体））に比べた窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料に対するそれらの選択性により、極めて効率的且つ極めて選択的な様式で、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料の少なくとも部分的な除去を達成する。
[0046] 窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイス構造体から除去するための第１の態様の組成物の使用において、組成物は、典型的に、シングルウェーハ器具中で、約０．３分〜約６０分、好ましくは約０．５分〜約３０分の十分な時間にわたり、約２０℃〜約１００℃、好ましくは約３０℃〜約７０℃の範囲内の温度で、デバイス構造体と接触させられる。このような接触時間及び温度は説明のためのものであり、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料をデバイス構造体から少なくとも部分的に除去するのに有効な、任意の他の好適な時間及び温度条件が採用され得る。例えば、窒化チタンエッチングのために好ましくは、接触時間は、約４０℃〜約６０℃の範囲内の温度において、約０．５〜３分である。
[0047] 一実施形態において、組成物は、デバイス構造体への送達の間にインラインで加熱される。槽自体においてではなくインラインで加熱することにより、組成物寿命が増大する。
[0048] 所望のエッチング作用の達成に続いて、組成物は、それが先に適用されたマイクロ電子デバイスから、例えば、本明細書に記載される組成物の所与の末端使用用途において所望され且つ有効であり得るような、すすぎ、洗浄、又は他の除去工程（１つ又は複数）により、容易に除去され得る。例えば、デバイスは、脱イオン水を含むすすぎ溶液ですすがれ且つ／又は乾燥（例えば、スピン乾燥、Ｎ２、蒸気乾燥など）され得る。
[0049] 第１の態様の組成物は、好ましくは、金属導体及び絶縁（すなわち、低ｋ誘電体）材料に比べて選択的に窒化チタン材料をエッチングする。一実施形態において、窒化チタンのエッチ速度は速く（５００Å分−１以上、好ましくは、５０℃で約３５０Å分−１以上、及び６０℃で約５００Å分−１以上、金属のエッチ速度は遅く（約０．０１〜約１０Å分−１、好ましくは、約０．１〜約５Å分−１）、低ｋ誘電体のエッチ速度は遅い（約０．０１〜約１０Å分−１、好ましくは、約０．０１〜約５Å分−１）。
[0050] 本発明の第４の態様は、本明細書に記載される方法に従って作製された改善されたマイクロ電子デバイス及びそのようなマイクロ電子デバイスを含有する製品に関する。
[0051] 第５の態様は、マイクロ電子デバイスを含む物品を製造する方法に関し、上述の方法は、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面からエッチングにより除去するのに十分な時間にわたり、マイクロ電子デバイスを組成物と接触させる工程と、上述のマイクロ電子デバイスを上述の物品に組み込む工程とを含み、この組成物は、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種の金属腐食防止剤、及び少なくとも１種の溶媒を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。なお別の変形例において、この組成物は、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種のキレート化剤、及び少なくとも１種の溶媒を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる。この組成物は、窒化チタン材料をさらに含むか、それからなるか、又はそれから実質的になり得る。
[0052] 本発明の第６の態様は、マイクロ電子デバイス基板、上述の基板上の窒化チタン層、及び本明細書に記載される組成物を含むか、それらからなるか、又はそれらから実質的になる製造品に関する。
[0053] 本発明の特徴及び利点は、以下に述べられる例示的な実施例によってより十分に示される。
実施例１
[0054] 約１〜約１０重量％のＴＭＡＨ及び約０．０１〜約１重量％のキレート化剤を含む濃縮物を、約５０〜約９５重量％のＨ２Ｏ２（３０％）で希釈した。キレート化剤には、ＣＤＴＡ、ＥＤＴＡ−２ＮＨ３（エチレンジアミン四酢酸二アンモニウム塩）、ＥＤＴＭＰＡ、ＤＴＰＡ、ＨＥＤＰ及びＮＴＭＰ（５０％）が含まれた。ＰＥＴＥＯＳ及びＴｉＮのエッチ速度並びに総コバルト損失量を、５０℃で測定した。キレート化剤及びその量に依存して、ＰＥＴＥＯＳエッチ速度は３０分間で約０．３Å未満であり、ＴｉＮエッチ速度は５００Å／分を超え、５分の時点でのＣｏ損失は約１Å〜約４５Åの範囲内であった。キレート化剤がＨＥＤＰ又はＤＴＰＡであった場合に、５分の時点でのＣｏ損失は、約１０Å未満であった。
[0055] 約１〜約１０重量％のＴＭＡＨ及びＨＥＤＰ又はＤＴＰＡのいずれかを含む濃縮物を、約５０〜約９５重量％のＨ２Ｏ２（３０％）で希釈した。ＨＥＤＰ又はＤＴＰＡの量は、濃縮物中０．０５重量％、０．１重量％、０．１５重量％、０．２重量％、及び０．２５重量％であった。いずれの場合においても、ＴｉＮエッチ速度はほぼ同じ（８００〜８６０Å／分）であり、５分の時点でのＣｏ損失は約１０Å未満であった。
実施例２
[0056] 約１〜約１０重量％のＴＭＡＨ、約０．０１〜約０．０５重量％のＣＤＴＡ、及び約０．１〜約２．５重量％の腐食防止剤を含む濃縮物を、約５０〜約９５重量％のＨ２Ｏ２（３０％）で希釈した。腐食防止剤には、５−ｍＢＴＡ、３−ＡＴＡ／ＳＤＳ、３−ＡＴＡ、スクシンイミド、尿酸、ＭＢＩ、アデノシン、ベンゾチアゾール、５−ＡＴＡ、Ｔｗｅｅｎ ８０、Ｔｗｅｅｎ ４０、Ｔｗｅｅｎ ２０及びＤＤＰＡ／Ｔｗｅｅｎ−８０が含まれた。ＰＥＴＥＯＳ及びＴｉＮのエッチ速度並びに総コバルト損失量を、５０℃で測定した。腐食防止剤及びその量に依存して、ＰＥＴＥＯＳエッチ速度は３０分間で約０．３Å未満であり、ＴｉＮエッチ速度は５００Å／分を超え、５分の時点でのＣｏ損失は約２Å〜約３２Åの範囲内であり、２０分の時点でのＣｕ損失は２０Å未満であった。
[0057] 約１〜約１０重量％のＴＭＡＨ、約０．０１〜約０．０５重量％のＤＤＰＡ、及び約０．１〜約５重量％の第２の腐食防止剤を含む濃縮物を、約５０〜約９５重量％のＨ２Ｏ２（３０％）で希釈した。第２の腐食防止剤には、Ｔｗｅｅｎ−８０、Ｔｗｅｅｎ ４０、Ｔｗｅｅｎ ２０、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ Ｌ３１、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ ３１Ｒ１、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ ２５Ｒ２及びＰｌｕｒｏｎｉｃ ２５Ｒ４が含まれた。いずれのエッチにおいても、ＴｉＮエッチ速度はほぼ同じ（８００〜８６０Å／分）であり、５分の時点でのＣｏ損失は約１２Å未満であり、２０分の時点でのＣｕ損失は約１２Å未満であった。
実施例３
[0058] ５〜１０重量％のＴＭＡＨ、０．００１〜０．２重量％のＣＤＴＡ、０．０１〜１重量％のｍＢＴＡ、残部水を含む濃縮物を調製した。半水性調合物を、１０重量％の濃縮物を１０重量％の有機溶媒及び８０重量％のＨ２Ｏ２（３０％）と組み合わせることにより調製した。有機溶媒には、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジメチルスルホキシド、スルホラン、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフルフリルアルコール、ＤＰＧＭＥ、プロピレングリコール、エチレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ヘキシレングリコール、テトラメチル尿素、重炭酸コリン、及び炭酸プロピレンが含まれた。ＰＥＴＥＯＳ、ＴｉＮ、Ｃｕ及びＳｉＯＮのエッチ速度を、５０℃で測定した。この測定において、ＴｉＮについての処理時間は３０秒であり、ＰＥＴＥＯＳ、Ｃｕ及びＳｉＯＮについての処理時間は３０分であった。重炭酸コリン又は炭酸プロピレンを使用した場合を除く、調合物の全てについて、ＰＥＴＥＯＳ及びＳｉＯＮエッチ速度は０．５Å未満であり、Ｃｕエッチ速度は０．５Å未満であった。ジエチレングリコールモノエチルエーテルを使用した場合を除いて、全てが、２１０Å／分を超えるＴｉＮエッチ速度を有していた。
[0059] 半水性調合物を、１０重量％の濃縮物を４０重量％の有機溶媒及び５０重量％のＨ２Ｏ２（３０％）と組み合わせることにより調製した。有機溶媒には、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジメチルスルホキシド、スルホラン、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフルフリルアルコール、ＤＰＧＭＥ、プロピレングリコール、エチレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ヘキシレングリコール、テトラメチル尿素、重炭酸コリン、及び炭酸プロピレンが含まれた。ＰＥＴＥＯＳ、ＴｉＮ、Ｃｕ及びＳｉＯＮのエッチ速度を、５０℃で測定した。この測定において、ＴｉＮについての処理時間は３０秒であり、ＰＥＴＥＯＳ、Ｃｕ及びＳｉＯＮについての処理時間は３０分であった。重炭酸コリン又は炭酸プロピレンを使用した場合を除く、調合物の全てについて、ＰＥＴＥＯＳ及びＳｉＯＮエッチ速度は０．５Å未満であり、Ｃｕエッチ速度は０．５Å未満であった。１，２−ブタンジオール及びヘキシレングリコールを除いて、一般的に、ＴｉＮエッチ速度は、より多量の有機溶媒を使用した場合はそれほど速くなかった。
実施例４
[0060] 約１〜約１０重量％のＫＯＨ、約１重量％〜約１０重量％の安定化された水酸化コリン（、約０．０１〜約１重量％のＣＤＴＡ、及び約０．１重量％〜約１０重量％の腐食防止剤を含む濃縮物を調製した。腐食防止剤には、ｍＢＴＡ、ＴＡＺ又は３−ＡＴＡが含まれた。濃縮物を、１部の濃縮物を９部の過酸化水素（３０％）と組み合わせることにより希釈した。Ｂｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄ低ｋ誘電体、Ｃｕ、Ｃｏ、及びＳｉＮのエッチ速度を、６０℃で測定した。ＴｉＮのエッチ速度は、５０℃にて３０秒の時点で測定した。いずれの場合においても、低ｋ誘電体エッチ速度は約０．５Å／分未満であり、ＳｉＮエッチ速度は約１Å／分であり、ＴｉＮエッチ速度は２５０Å／分を超えた。Ｃｏエッチ速度は、腐食防止剤がＴＡＺ又は３−ＡＴＡであった場合に約０．５Å／分未満であった。腐食防止剤が３−ＡＴＡであった場合に、Ｃｕエッチ速度は０．５Å／分未満であった。
実施例５
[0061] 約１重量％〜約１０重量％の少なくとも１種のエッチング剤、約０．０１〜約１重量％のＣＤＴＡ、及び約０．０１重量％〜約１重量％のｍＢＴＡを含む濃縮物を調製した。少なくとも１種のエッチング剤には、ＴＰＡＨ、ＢＴＥＡＨ、ＤＥＤＭＡＨ、又はＴＨＥＭＡＨが含まれた。濃縮物を、１部の濃縮物を９部の過酸化水素（３０％）と組み合わせることにより希釈した。Ｂｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄ低ｋ誘電体、Ｃｕ、Ｃｏ、及びＳｉＮのエッチ速度を、６０℃で測定した。ＴｉＮのエッチ速度は、５０℃にて３０秒の時点で測定した。いずれの場合においても、低ｋ誘電体エッチ速度は約１Å／分未満（ＢＴＥＡＨ、ＴＨＥＭＡＨ及びＤＥＤＭＡＨを含む溶液は０．５Å／分未満）であり、ＳｉＮエッチ速度は約０．８Å／分未満であり、ＴｉＮエッチ速度は２００Å／分を超え、Ｃｕエッチ速度は約１Å／分未満（ＴＨＥＭＡＨを含む溶液を除く）であり、Ｃｏエッチ速度は約０．５Å／分未満（ＴＨＥＭＡＨを含む溶液を除く）であった。
実施例６
[0062] 約１重量％〜約１０重量％のＫＯＨ、約０．０１〜約１重量％のＣＤＴＡ、及び約０．０１重量％〜約１重量％のＴＡＺを含む濃縮物を調製した。濃縮物を、１部の濃縮物を９部の過酸化水素（３０％）と組み合わせることにより希釈した。Ｂｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄ低ｋ誘電体、Ｃｕ、及びＣｏのエッチ速度を、６０℃で測定した。ＴｉＮのエッチ速度は、５０℃にて３０秒の時点で測定した。低ｋ誘電体エッチ速度は約０．５Å／分未満であり、ＴｉＮエッチ速度は約２５０Å／分を超え、Ｃｕエッチ速度は約１Å／分未満であり、Ｃｏエッチ速度は約１Å／分未満であった。
[0063] 本発明を、本発明の特定の態様、特徴及び例示的実施形態に関して本明細書で説明してきたが、本発明の有用性は、そのように限定されるものではなく、本明細書における開示に基づき本発明の分野の当業者に示唆されるであろう数多くの他の変形、変更及び代替的実施形態にまで及び、それらを包含することが理解されるであろう。これに対応して、以下に特許請求の範囲に記載されるとおりの本発明は、本発明の趣旨及び範囲の中に全てのそのような変形、変更及び代替的実施形態を含むように広く解釈及び理解されることが意図される。

Claims (19)

  1. 窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣材料を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面から選択的に除去するための組成物であって、前記組成物は、少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種の金属腐食防止剤、少なくとも１種のキレート化剤、及び少なくとも１種の溶媒を含む、組成物。
  2. 前記エッチング剤が、Ｈ２ＺｒＦ６、Ｈ２ＴｉＦ６、ＨＰＦ６、ＨＦ、フッ化アンモニウム、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロケイ酸、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート（ＴＢＡ−ＢＦ４）、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム、ヘキサフルオロチタン酸アンモニウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（ＢＴＭＡＨ）、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウムヒドロキシド（ＢＴＥＡＨ）、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド（ＴＢＰＨ）、（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリエチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリプロピルアンモニウムヒドロキシド、（１−ヒドロキシプロピル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド（ＤＥＤＭＡＨ）、トリス（２−ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＨＥＭＡＨ）、１，１，３，３−テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ）、炭酸グアニジン、アルギニン、水酸化アンモニウム、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、エチレンジアミン、システイン、フッ化テトラアルキルアンモニウム（ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｆ）（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、互いに同じでも異なっていてもよく、直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ６アルキル基からなる群から選択される）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される化学種を含む、請求項１に記載の組成物。
  3. 前記エッチング剤が、ＴＭＡＨ、水酸化コリン、水酸化カリウム、ＴＨＥＭＡＨ、及びそれらの任意の組み合わせを含む、請求項１又は２の組成物。
  4. 前記酸化剤が、過酸化水素、ＦｅＣｌ３、ＦｅＦ３、Ｆｅ（ＮＯ３）３、Ｓｒ（ＮＯ３）２、ＣｏＦ３、ＭｎＦ３、オキソン（２ＫＨＳＯ５・ＫＨＳＯ４・Ｋ２ＳＯ４）、過ヨウ素酸、ヨウ素酸、酸化バナジウム（Ｖ）、酸化バナジウム（ＩＶ，Ｖ）、バナジン酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸アンモニウム、亜塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ２）、塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ３）、ヨウ素酸アンモニウム（ＮＨ４ＩＯ３）、硝酸アンモニウム（ＮＨ４ＮＯ３）、過ホウ酸アンモニウム（ＮＨ４ＢＯ３）、過塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ４）、過ヨウ素酸アンモニウム（ＮＨ４ＩＯ３）、過硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８）、次亜塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ）、タングステン酸アンモニウム（（ＮＨ４）１０Ｈ２（Ｗ２Ｏ７））、過硫酸ナトリウム（Ｎａ２Ｓ２Ｏ８）、次亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ）、過ホウ酸ナトリウム、ヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ３）、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）、過硫酸カリウム、硝酸（ＨＮＯ３）、過硫酸カリウム（Ｋ２Ｓ２Ｏ８）、次亜塩素酸カリウム（ＫＣｌＯ）、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＣｌＯ２）、塩素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＣｌＯ３）、ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＩＯ３）、過ホウ酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＢＯ３）、過塩素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＣｌＯ４）、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＩＯ４）、過硫酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）Ｓ２Ｏ８）、ペルオキソ一硫酸テトラブチルアンモニウム、ペルオキソ一硫酸、硝酸第二鉄（Ｆｅ（ＮＯ３）３）、尿素過酸化水素（（ＣＯ（ＮＨ２）２）Ｈ２Ｏ２）、過酢酸（ＣＨ３（ＣＯ）ＯＯＨ）、１，４−ベンゾキノン、トルキノン、ジメチル−１，４−ベンゾキノン、クロラニル、アロキサン、Ｎ−メチルモルホリンＮ−オキシド、トリメチルアミンＮ−オキシド、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される化学種を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
  5. 前記酸化剤が、過酸化水素を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
  6. 前記少なくとも１種の溶媒が、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、２−エチル−１−ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキシレングリコール、炭酸ブチレン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、重炭酸コリン、ジプロピレングリコール、ジメチルスルホキシド、スルホラン、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）、１，２−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、テトラメチル尿素、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル（ＤＰＧＭＥ）、トリプロピレングリコールメチルエーテル（ＴＰＧＭＥ）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル（ＤＰＧＰＥ）、トリプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、２，３−ジヒドロデカフルオロペンタン、エチルペルフルオロブチルエーテル、メチルペルフルオロブチルエーテル、アルキルカーボネート、４−メチル−２−ペンタノール、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される化学種を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
  7. 前記少なくとも１種の溶媒が、水を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
  8. 前記少なくとも１種の金属腐食防止剤が、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール（ＡＴＤＴ）、２−アミノ−５−エチル−１，３，４−チアジアゾール、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、トリルトリアゾール、５−メチル−ベンゾトリアゾール（ｍＢＴＡ）、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾールカルボン酸、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール（３−ＡＴＡ）、５−アミノ−１，２，４−トリアゾール（５−ＡＴＡ）、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−５−メチルチオ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、ＡＴＡ−ＳＤＳ、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロ−ベンゾトリアゾール（ハロ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ）、ナフトトリアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール（ＭＢＩ）、２−メルカプトベンゾチアゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、５−アミノテトラゾール、ペンチレンテトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−ベンジル−１Ｈ−テトラゾール、５−メチルテトラゾール、５−メルカプト−１−メチル−テトラゾール、１−フェニル−１Ｈ−テトラゾール−５−チオール、Ａｂｌｕｍｉｎｅ Ｏ、２−ベンジルピリジン、スクシンイミド、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、イミダゾリンチオン、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、４−アミノ−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾチアゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、２−ブミノベンゾイミダゾール、１−メチルイミダゾール、インジアゾール、デシルトリメチルアンモニウムクロリド（ＤＴＡＣ）、アデノシン、アデニン、スクシンイミド、カルバゾール、サッカリン、尿酸、ベンゾインオキシム、カチオン第４級塩ポリ（エチレングリコール）、ポリ（プロピレングリコール）、エチレンオキシド／プロピレンオキシドブロックコポリマー、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノオレエート、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノラウレート、ポリオキシプロピレン／ポリオキシエチレンブロックコポリマー、ドデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（ＳＤＳ）、ドデシルホスホン酸（ＤＤＰＡ）、ビス（２−エチルヘキシル）ホスフェート、ベンジルホスホン酸、ジフェニルホスフィン酸、１，２−エチレンジホスホン酸、フェニルホスホン酸、桂皮酸、セチルトリメチルアンモニウムブロミド、ミリスチルトリメチルアンモニウムブロミド、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される化学種を含むからなる群から選択される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物。
  9. 前記金属腐食防止剤が、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、３−ＡＴＡ、１，２，４−トリアゾール、及び／又はＤＴＡＣを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物。
  10. 前記少なくとも１種のキレート化剤が、アセチルアセトネート、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン、グリシン、セリン、プロリン、ロイシン、アラニン、アスパラギン、アスパラギン酸、グルタミン、バリン及びリジン、イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、マロン酸、シュウ酸、コハク酸、ホウ酸、ニトリロ三酢酸、リンゴ酸、クエン酸、酢酸、マレイン酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、エチレンジアミン四酢酸二アンモニウム塩、（１，２−シクロヘキシレンジニトリロ）四酢酸（ＣＤＴＡ）、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸（ＰＢＴＣＡ）、エチレンジアミンジコハク酸、プロピレンジアミン四酢酸、ホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、１−ヒドロキシエタン−１，１−ジホスホン酸、ニトリロ−トリス（メチレンホスホン酸）（ＮＴＭＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＭＰＡ）、エチレンジアミン、２，４−ペンタンジオン、塩化ベンザルコニウム、１−イミダゾール、テトラグリム、ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）、１，３，５−トリアジン−２，４，６−チチオール三ナトリウム塩溶液、１，３，５−トリアジン−２，４，６−チチオール三アンモニウム塩溶液、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム、二置換ジチオカルバメート、スルファニルアミド、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、２−ヒドロキシピリジン１−オキシド、五塩基性三リン酸ナトリウム、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される化学種を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
  11. 前記少なくとも１種のキレート化剤が、ＣＤＴＡを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の組成物。
  12. 前記少なくとも１種のキレート化剤が、酢酸塩、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硫酸塩、安息香酸塩、プロピオン酸塩、クエン酸塩、ギ酸塩、シュウ酸塩、酒石酸塩、コハク酸塩、乳酸塩、マレイン酸塩、マロン酸塩、フマル酸塩、リンゴ酸塩、アスコルビン酸塩、マンデル酸塩、及びフタル酸塩のアンモニウムカチオン又はテトラアルキルアンモニウムカチオン、並びにそれらの組み合わせからなる群から選択される化学種を含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の組成物。
  13. 前記少なくとも１種のキレート化剤が、臭化アンモニウム及び／又は塩化アンモニウムを含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の組成物。
  14. 少なくとも１種の界面活性剤、少なくとも１種の低ｋパッシベート剤、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の追加の成分をさらに含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の組成物。
  15. 前記組成物が、ケイ酸塩、研磨材、金属ハロゲン化物、及びそれらの組み合わせを実質的に欠く、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の組成物。
  16. 前記組成物のｐＨが、約５〜約１２の範囲内である、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の組成物。
  17. 窒化チタン材料を、それを上に有するマイクロ電子デバイスの表面からエッチングする方法であって、前記方法は、前記表面を、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の組成物と接触させる工程を含み、前記組成物は、前記窒化チタン材料を、金属及び絶縁材料に比べて選択的に前記表面から除去するものである、方法。
  18. 前記接触させる工程が、約２０℃〜約１００℃の範囲内の温度での約０．３分〜約３０分の範囲内の時間を含む、請求項１７に記載の方法。
  19. 前記組成物が、所望のエッチング作用に続いて前記表面からすすぎ落とされる、請求項１７〜１８のいずれか一項に記載の方法。
JP2016518038A 2013-06-06 2014-06-06 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法 Active JP6723152B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361831928P 2013-06-06 2013-06-06
US61/831,928 2013-06-06
PCT/US2014/041322 WO2014197808A1 (en) 2013-06-06 2014-06-06 Compositions and methods for selectively etching titanium nitride

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019037182A Division JP2019134168A (ja) 2013-06-06 2019-03-01 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016527707A true JP2016527707A (ja) 2016-09-08
JP2016527707A5 JP2016527707A5 (ja) 2017-07-13
JP6723152B2 JP6723152B2 (ja) 2020-07-15

Family

ID=52008619

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016518038A Active JP6723152B2 (ja) 2013-06-06 2014-06-06 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法
JP2019037182A Pending JP2019134168A (ja) 2013-06-06 2019-03-01 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019037182A Pending JP2019134168A (ja) 2013-06-06 2019-03-01 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10920141B2 (ja)
EP (1) EP3004287B1 (ja)
JP (2) JP6723152B2 (ja)
KR (1) KR102338550B1 (ja)
CN (2) CN105683336A (ja)
SG (2) SG10201708364XA (ja)
TW (1) TWI651396B (ja)
WO (1) WO2014197808A1 (ja)

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017073545A (ja) * 2015-10-08 2017-04-13 三菱瓦斯化学株式会社 半導体素子の洗浄用液体組成物および半導体素子の洗浄方法、並びに半導体素子の製造方法
JP2017076783A (ja) * 2015-10-15 2017-04-20 三菱瓦斯化学株式会社 半導体素子の洗浄用液体組成物、半導体素子の洗浄方法および半導体素子の製造方法
JP2017514986A (ja) * 2014-02-21 2017-06-08 エコラブ ユーエスエイ インク オレフィンまたはスチレン生成における中和剤の使用
JP2019179829A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 ナガセケムテックス株式会社 エッチング液組成物
WO2019208686A1 (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 三菱瓦斯化学株式会社 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法
WO2019208685A1 (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 三菱瓦斯化学株式会社 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法
WO2019208684A1 (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 三菱瓦斯化学株式会社 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法
JP2020017732A (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー ＴｉＮハードマスク除去及びエッチング残渣クリーニング用組成物
JP2020505765A (ja) * 2017-01-17 2020-02-20 インテグリス・インコーポレーテッド 進歩したノードｂｅｏｌ処理のためのエッチング後残留物除去
JPWO2020184618A1 (ja) * 2019-03-14 2020-09-17
JPWO2021005980A1 (ja) * 2019-07-05 2021-01-14
KR20210006000A (ko) * 2018-07-06 2021-01-15 엔테그리스, 아이엔씨. 물질의 선택적 에칭을 위한 개선
US10920141B2 (en) 2013-06-06 2021-02-16 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
KR20210092311A (ko) * 2018-12-14 2021-07-23 엔테그리스, 아이엔씨. 루테늄 에칭 조성물 및 방법
JPWO2021176913A1 (ja) * 2020-03-04 2021-09-10
WO2021210458A1 (ja) * 2020-04-14 2021-10-21 三菱瓦斯化学株式会社 チタンおよび／またはチタン合金のエッチング液、該エッチング液を用いたチタンおよび／またはチタン合金のエッチング方法、および該エッチング液を用いた基板の製造方法
JP2021536669A (ja) * 2018-08-28 2021-12-27 インテグリス・インコーポレーテッド セリア粒子向けのｃｍｐ後洗浄用組成物
WO2022030627A1 (ja) * 2020-08-07 2022-02-10 株式会社トクヤマ 半導体ウエハ用処理液
WO2022071069A1 (ja) * 2020-09-29 2022-04-07 三菱瓦斯化学株式会社 半導体基板洗浄用組成物及び洗浄方法
US11390943B2 (en) 2017-12-18 2022-07-19 Entegris, Inc. Chemical resistant multi-layer coatings applied by atomic layer deposition
WO2023042490A1 (ja) * 2021-09-16 2023-03-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
WO2023204141A1 (ja) * 2022-04-20 2023-10-26 東京応化工業株式会社 エッチング用組成物、それを用いたエッチング方法および電子部品の製造方法
WO2024004980A1 (ja) * 2022-07-01 2024-01-04 三菱瓦斯化学株式会社 半導体基板洗浄用組成物、半導体基板の洗浄方法、及び半導体基板の製造方法
JP7507309B2 (ja) 2020-08-13 2024-06-27 インテグリス・インコーポレーテッド 窒化物エッチング剤組成物及び方法
JP7516664B2 (ja) 2020-09-22 2024-07-16 インテグリス・インコーポレーテッド エッチング剤組成物

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9765288B2 (en) * 2012-12-05 2017-09-19 Entegris, Inc. Compositions for cleaning III-V semiconductor materials and methods of using same
CN112442374A (zh) 2013-07-31 2021-03-05 恩特格里斯公司 用于去除金属硬掩模和蚀刻后残余物的具有Cu/W相容性的水性制剂
KR102340516B1 (ko) 2013-08-30 2021-12-21 엔테그리스, 아이엔씨. 티타늄 니트라이드를 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 방법
CN105873691B (zh) * 2013-12-06 2018-04-20 富士胶片电子材料美国有限公司 用于去除表面上的残余物的清洗调配物
WO2015095175A1 (en) 2013-12-16 2015-06-25 Advanced Technology Materials, Inc. Ni:nige:ge selective etch formulations and method of using same
US20160322232A1 (en) 2013-12-20 2016-11-03 Entegris, Inc. Use of non-oxidizing strong acids for the removal of ion-implanted resist
WO2015103146A1 (en) 2013-12-31 2015-07-09 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations to selectively etch silicon and germanium
US20160340620A1 (en) 2014-01-29 2016-11-24 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical mechanical polishing formulations and method of use
US11127587B2 (en) 2014-02-05 2021-09-21 Entegris, Inc. Non-amine post-CMP compositions and method of use
CN105210176B (zh) * 2014-04-10 2016-09-28 三菱瓦斯化学株式会社 半导体元件的清洗用液体组合物、和半导体元件的清洗方法
WO2016003729A1 (en) * 2014-06-30 2016-01-07 Entegris, Inc. Aqueous and semi-aqueous cleaners for the removal of post-etch residues with tungsten and cobalt compatibility
KR102255577B1 (ko) * 2014-08-25 2021-05-25 엘지디스플레이 주식회사 식각액 조성물
JP6555274B2 (ja) * 2014-11-13 2019-08-07 三菱瓦斯化学株式会社 コバルトのダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法
TWI639730B (zh) * 2015-02-13 2018-11-01 關東鑫林科技股份有限公司 Etching liquid composition and etching method using the same
US9976111B2 (en) 2015-05-01 2018-05-22 Versum Materials Us, Llc TiN hard mask and etch residual removal
JP6761166B2 (ja) * 2015-07-23 2020-09-23 セントラル硝子株式会社 ウェットエッチング方法及びエッチング液
CA2993822C (en) 2015-07-29 2022-07-12 Ecolab Usa Inc. Heavy amine neutralizing agents for olefin or styrene production
WO2017167797A1 (en) * 2016-03-29 2017-10-05 Technic France Solution and method for etching titanium based materials
US10982129B2 (en) * 2016-08-05 2021-04-20 NuGeneration Technologies, LLC Composition and method for making converter-dissolver composition for dissolving metal sulfate scales from surfaces
JP6860276B2 (ja) * 2016-09-09 2021-04-14 花王株式会社 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
EP3299323B1 (en) 2016-09-23 2020-04-01 Otis Elevator Company Secondary car operating panel for elevator cars
JP6970675B2 (ja) * 2016-09-29 2021-11-24 富士フイルム株式会社 処理液および積層体の処理方法
KR101966808B1 (ko) * 2016-09-30 2019-04-08 세메스 주식회사 기판 세정 조성물, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN109790028A (zh) 2016-10-06 2019-05-21 富士胶片电子材料美国有限公司 用于移除半导体基材上残余物的清洁制剂
KR20180060489A (ko) * 2016-11-29 2018-06-07 삼성전자주식회사 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
KR20180068591A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 삼성전자주식회사 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
CN110249041A (zh) * 2017-02-10 2019-09-17 富士胶片电子材料美国有限公司 清洗制剂
JP7077505B2 (ja) * 2017-03-24 2022-05-31 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 半導体基板上の残渣を除去するための洗浄組成物
CN110462799B (zh) * 2017-03-31 2023-12-26 关东化学株式会社 钛层或含钛层的蚀刻液组合物及蚀刻方法
WO2018191424A1 (en) * 2017-04-11 2018-10-18 Entegris, Inc. Post chemical mechanical polishing formulations and method of use
KR102324957B1 (ko) * 2017-05-25 2021-11-15 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 코발트 적용을 위한 화학 기계 연마 슬러리
CN107229193B (zh) * 2017-07-25 2019-04-23 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种清洗剂、其制备方法和应用
WO2019040394A1 (en) * 2017-08-22 2019-02-28 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. CLEANING COMPOSITIONS
JP7090625B2 (ja) * 2017-08-31 2022-06-24 富士フイルム株式会社 処理液、キット、基板の洗浄方法
KR101967157B1 (ko) 2017-11-06 2019-04-09 한국원자력연구원 전극-반도체간 쇼트키 접촉 구조를 가진 방사선 센서
EP3720989A2 (en) * 2017-12-08 2020-10-14 Basf Se Composition and process for selectively etching a layer comprising an aluminium compound in the presence of layers of low-k materials, copper and/or cobalt
US11377624B2 (en) 2017-12-08 2022-07-05 Basf Se Cleaning composition for post-etch or post ash residue removal from a semiconductor substrate and corresponding manufacturing process
JP6798045B2 (ja) * 2018-01-16 2020-12-09 株式会社トクヤマ 次亜塩素酸イオンを含む半導体ウェハの処理液
CN111512239B (zh) * 2018-01-25 2024-05-03 默克专利股份有限公司 光致抗蚀剂去除剂组合物
US11798707B2 (en) * 2018-01-26 2023-10-24 Nisshin Engineering Inc. Copper microparticles
JP7137586B2 (ja) * 2018-02-05 2022-09-14 富士フイルム株式会社 処理液、及び、処理方法
US10934484B2 (en) * 2018-03-09 2021-03-02 Versum Materials Us, Llc Etching solution for selectively removing silicon-germanium alloy from a silicon-germanium/ germanium stack during manufacture of a semiconductor device
US11499236B2 (en) * 2018-03-16 2022-11-15 Versum Materials Us, Llc Etching solution for tungsten word line recess
KR102487940B1 (ko) * 2018-03-19 2023-01-16 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴과 어레이 기판의 제조 방법
JP6739777B2 (ja) * 2018-03-23 2020-08-12 株式会社東芝 処理液及び処理方法
US10752867B2 (en) 2018-03-28 2020-08-25 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Cleaning compositions
CN111936936A (zh) * 2018-04-04 2020-11-13 巴斯夫欧洲公司 用于去除灰化后残留物和/或用于氧化蚀刻含TiN层料或掩模的含咪唑烷硫酮组合物
CN112385018A (zh) * 2018-05-01 2021-02-19 应用材料公司 在选择性蚀刻工艺中提高选择性的方法
CN110484919A (zh) * 2018-05-14 2019-11-22 深圳市裕展精密科技有限公司 退镀液及其退除含钛膜层的方法、及表面形成有含钛膜层的基材的退镀方法
KR102346832B1 (ko) * 2018-05-23 2022-01-03 삼성에스디아이 주식회사 실리콘 질화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각 방법
WO2020018804A1 (en) 2018-07-20 2020-01-23 Entegris, Inc. Cleaning composition with corrosion inhibitor
CN109161358A (zh) * 2018-07-25 2019-01-08 佛山腾鲤新能源科技有限公司 一种导电胶的制备方法
US10896824B2 (en) * 2018-12-14 2021-01-19 Tokyo Electron Limited Roughness reduction methods for materials using illuminated etch solutions
WO2020123518A2 (en) * 2018-12-14 2020-06-18 Tokyo Electron Limited Processing systems and platforms for roughness reduction of materials using illuminated etch solutions
CN109594088A (zh) * 2018-12-29 2019-04-09 陕西宝成航空仪表有限责任公司 氮化钛或氮化铝钛膜层的退除液及制备方法和退除方法
CN113287187A (zh) * 2019-01-11 2021-08-20 弗萨姆材料美国有限责任公司 氧化铪腐蚀抑制剂
EP3918110A4 (en) * 2019-01-31 2022-11-02 FUJIFILM Electronic Materials U.S.A, Inc. ETCHING COMPOSITIONS
JPWO2020166676A1 (ja) * 2019-02-13 2021-12-16 株式会社トクヤマ 次亜塩素酸イオン、及びｐＨ緩衝剤を含む半導体ウェハの処理液
EP3959291A4 (en) 2019-03-11 2023-07-19 Versum Materials US, LLC ETCHING SOLUTION AND PROCESS FOR ALUMINUM NITRIDE
SG11202109515QA (en) * 2019-03-11 2021-09-29 Versum Materials Us Llc Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device
MX2021012399A (es) 2019-04-12 2021-12-10 Ecolab Usa Inc Limpiador antimicrobiano multiuso y métodos de fabricación y uso de este.
EP4245834A3 (en) 2019-05-23 2023-12-20 Basf Se Composition and process for selectively etching a hard mask and/or an etch-stop layer in the presence of layers of low-k materials, copper, cobalt and/or tungsten
TW202106859A (zh) * 2019-06-03 2021-02-16 美商富士軟片電子材料美國股份有限公司 蝕刻組成物
TWI795572B (zh) * 2019-06-12 2023-03-11 關東鑫林科技股份有限公司 蝕刻組成物
KR20210028447A (ko) * 2019-09-04 2021-03-12 에스케이이노베이션 주식회사 식각 조성물, 이를 이용한 절연막의 식각방법 및 반도체 소자의 제조방법
JP2022547312A (ja) * 2019-09-10 2022-11-11 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド エッチング組成物
CN114466951A (zh) 2019-09-27 2022-05-10 株式会社德山 钌的半导体用处理液及其制造方法
CN114514598A (zh) * 2019-09-27 2022-05-17 株式会社德山 RuO4气体的产生抑制剂以及RuO4气体的产生抑制方法
KR20210092472A (ko) 2020-01-16 2021-07-26 동우 화인켐 주식회사 몰리브데늄 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20210100923A (ko) 2020-02-07 2021-08-18 동우 화인켐 주식회사 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
CN115210339A (zh) * 2020-03-04 2022-10-18 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于氮化钛和钼导电金属线的蚀刻溶液
CN113430066B (zh) * 2020-03-23 2024-04-19 上海新阳半导体材料股份有限公司 用于选择性移除硬遮罩的清洗组合物、其制备方法及应用
CN113430072B (zh) * 2020-03-23 2024-05-07 上海新阳半导体材料股份有限公司 移除硬遮罩的钴兼容性半水基清洗液、其制备方法及应用
CN113433807B (zh) * 2020-03-23 2024-08-09 上海新阳半导体材料股份有限公司 离子注入光刻胶清洗液、其制备方法及应用
KR102339685B1 (ko) * 2020-03-25 2021-12-16 주식회사 이엔에프테크놀로지 실리콘 질화막 식각 조성물
CN111430799B (zh) * 2020-04-22 2023-02-14 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 一种用于镍锰酸锂正极材料的高压电解液
CN111850564A (zh) * 2020-07-16 2020-10-30 桂林理工大学 一种钛化物膜层退镀液及退镀方法
CN112540515B (zh) * 2020-12-16 2023-11-21 江苏艾森半导体材料股份有限公司 一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用
CN113161234B (zh) * 2021-04-27 2023-02-17 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种含氟清洗液组合物的应用
CN113150884B (zh) * 2021-04-27 2022-12-30 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种含氟清洗液组合物的制备方法
CN113186043B (zh) * 2021-04-27 2023-05-30 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种含氟清洗液组合物及其应用
WO2022241126A1 (en) * 2021-05-12 2022-11-17 Entegris, Inc. Selective etchant compositions and methods
CN113549462A (zh) * 2021-06-16 2021-10-26 江阴润玛电子材料股份有限公司 一种微电子用超纯氟化铵蚀刻液及其制备方法
CN114369462A (zh) * 2021-12-16 2022-04-19 湖北兴福电子材料有限公司 一种选择性蚀刻氮化钛及钨的蚀刻液
CN115011347B (zh) * 2022-06-30 2023-12-29 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种氮化铝和钨的选择性蚀刻液
CN114989825B (zh) * 2022-06-30 2023-07-11 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种掺钪氮化铝和钨的选择性蚀刻液
CN115044376B (zh) * 2022-06-30 2023-12-29 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种掺钪氮化铝蚀刻液及其应用
CN115710536B (zh) * 2022-11-11 2024-03-08 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种清洗液的制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001135601A (ja) * 1999-11-09 2001-05-18 Speedfam Co Ltd 半導体デバイス平坦化の研磨方法
JP2001257191A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法及びエッチング液
JP2005227749A (ja) * 2004-02-11 2005-08-25 Mallinckrodt Baker Inc ハロゲン酸素酸、その塩及び誘導体含有、マイクロエレクトロニクス洗浄組成物
JP2009531511A (ja) * 2006-03-27 2009-09-03 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード Ｃｍｐ後洗浄プロセスのための改善されたアルカリ性の溶液
US20100112728A1 (en) * 2007-03-31 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
JP2010515246A (ja) * 2006-12-21 2010-05-06 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド エッチング後残留物を除去するための液体洗浄剤
JP2012506457A (ja) * 2008-10-21 2012-03-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅の洗浄及び保護配合物
JP2014084489A (ja) * 2012-10-22 2014-05-12 Fujifilm Corp エッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法

Family Cites Families (154)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE457647B (sv) 1987-06-24 1989-01-16 Eka Nobel Ab Saett vid blekning av material med ditionitloesning
US5209858A (en) 1991-02-06 1993-05-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Stabilization of choline and its derivatives against discoloration
US5320709A (en) 1993-02-24 1994-06-14 Advanced Chemical Systems International Incorporated Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution
JPH11510219A (ja) 1995-12-19 1999-09-07 エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド スプレー・プロセッサを用いる金属膜の無電解めっき
US5702075A (en) 1996-01-31 1997-12-30 David Lehrman Automatically collapsible support for an electrical cord for use with an ironing board
PT810302E (pt) * 1996-05-30 2002-01-30 Nalco Chemical Co Utilizacao de uma mistura de agentes tensioactivos para inibicao da corrosao
US6323168B1 (en) 1996-07-03 2001-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Post plasma ashing wafer cleaning formulation
US7534752B2 (en) 1996-07-03 2009-05-19 Advanced Technology Materials, Inc. Post plasma ashing wafer cleaning formulation
US6224785B1 (en) 1997-08-29 2001-05-01 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous ammonium fluoride and amine containing compositions for cleaning inorganic residues on semiconductor substrates
US6896826B2 (en) 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6755989B2 (en) 1997-01-09 2004-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US5993685A (en) 1997-04-02 1999-11-30 Advanced Technology Materials Planarization composition for removing metal films
WO1998048453A1 (en) 1997-04-23 1998-10-29 Advanced Chemical Systems International, Inc. Planarization compositions for cmp of interlayer dielectrics
US5976928A (en) 1997-11-20 1999-11-02 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors
US6346741B1 (en) 1997-11-20 2002-02-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and structures for chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors and method of fabricating FeRAM capacitors using same
US6280651B1 (en) 1998-12-16 2001-08-28 Advanced Technology Materials, Inc. Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent
US6211126B1 (en) 1997-12-23 2001-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1, 3-dicarbonyl compound chelating agent for stripping residues from semiconductor substrates
US6306807B1 (en) 1998-05-18 2001-10-23 Advanced Technology Materials, Inc. Boric acid containing compositions for stripping residues from semiconductor substrates
US6875733B1 (en) 1998-10-14 2005-04-05 Advanced Technology Materials, Inc. Ammonium borate containing compositions for stripping residues from semiconductor substrates
US6395194B1 (en) 1998-12-18 2002-05-28 Intersurface Dynamics Inc. Chemical mechanical polishing compositions, and process for the CMP removal of iridium thin using same
US6419554B2 (en) * 1999-06-24 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride
US6344432B1 (en) 1999-08-20 2002-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
US6439986B1 (en) 1999-10-12 2002-08-27 Hunatech Co., Ltd. Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same
US6723691B2 (en) 1999-11-16 2004-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6492308B1 (en) 1999-11-16 2002-12-10 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6194366B1 (en) 1999-11-16 2001-02-27 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6409781B1 (en) 2000-05-01 2002-06-25 Advanced Technology Materials, Inc. Polishing slurries for copper and associated materials
US6566315B2 (en) 2000-12-08 2003-05-20 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
JP2002231666A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6627587B2 (en) 2001-04-19 2003-09-30 Esc Inc. Cleaning compositions
US7029373B2 (en) 2001-08-14 2006-04-18 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for metal and associated materials and method of using same
US6800218B2 (en) 2001-08-23 2004-10-05 Advanced Technology Materials, Inc. Abrasive free formulations for chemical mechanical polishing of copper and associated materials and method of using same
US6802983B2 (en) 2001-09-17 2004-10-12 Advanced Technology Materials, Inc. Preparation of high performance silica slurry using a centrifuge
US7119418B2 (en) 2001-12-31 2006-10-10 Advanced Technology Materials, Inc. Supercritical fluid-assisted deposition of materials on semiconductor substrates
US7557073B2 (en) 2001-12-31 2009-07-07 Advanced Technology Materials, Inc. Non-fluoride containing supercritical fluid composition for removal of ion-implant photoresist
US7030168B2 (en) 2001-12-31 2006-04-18 Advanced Technology Materials, Inc. Supercritical fluid-assisted deposition of materials on semiconductor substrates
US7326673B2 (en) 2001-12-31 2008-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Treatment of semiconductor substrates using long-chain organothiols or long-chain acetates
US6773873B2 (en) 2002-03-25 2004-08-10 Advanced Technology Materials, Inc. pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates
US7188644B2 (en) 2002-05-03 2007-03-13 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for minimizing the generation of particles in ultrapure liquids
US6698619B2 (en) 2002-05-03 2004-03-02 Advanced Technology Materials, Inc. Returnable and reusable, bag-in-drum fluid storage and dispensing container system
US6849200B2 (en) 2002-07-23 2005-02-01 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and process for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material
US7011716B2 (en) 2003-04-29 2006-03-14 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for drying patterned wafers during manufacture of integrated circuitry products
US7223352B2 (en) 2002-10-31 2007-05-29 Advanced Technology Materials, Inc. Supercritical carbon dioxide/chemical formulation for ashed and unashed aluminum post-etch residue removal
US7485611B2 (en) 2002-10-31 2009-02-03 Advanced Technology Materials, Inc. Supercritical fluid-based cleaning compositions and methods
US20060019850A1 (en) 2002-10-31 2006-01-26 Korzenski Michael B Removal of particle contamination on a patterned silicon/silicon dioxide using dense fluid/chemical formulations
US6989358B2 (en) 2002-10-31 2006-01-24 Advanced Technology Materials, Inc. Supercritical carbon dioxide/chemical formulation for removal of photoresists
US6943139B2 (en) 2002-10-31 2005-09-13 Advanced Technology Materials, Inc. Removal of particle contamination on patterned silicon/silicon dioxide using supercritical carbon dioxide/chemical formulations
US7300601B2 (en) 2002-12-10 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization
US8236485B2 (en) 2002-12-20 2012-08-07 Advanced Technology Materials, Inc. Photoresist removal
US6735978B1 (en) 2003-02-11 2004-05-18 Advanced Technology Materials, Inc. Treatment of supercritical fluid utilized in semiconductor manufacturing applications
US7736405B2 (en) 2003-05-12 2010-06-15 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same
WO2004101222A2 (en) * 2003-05-12 2004-11-25 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for step-ii copper liner and other associated materials and method of using same
US7119052B2 (en) 2003-06-24 2006-10-10 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for high-efficiency cleaning/polishing of semiconductor wafers
US20050025973A1 (en) 2003-07-25 2005-02-03 Slutz David E. CVD diamond-coated composite substrate containing a carbide-forming material and ceramic phases and method for making same
US7335239B2 (en) 2003-11-17 2008-02-26 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical planarization pad
US20050118832A1 (en) 2003-12-01 2005-06-02 Korzenski Michael B. Removal of MEMS sacrificial layers using supercritical fluid/chemical formulations
CN1938412A (zh) 2003-12-02 2007-03-28 高级技术材料公司 剥离抗蚀剂、barc和填隙材料的化学制剂及方法
US20050145311A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Walker Elizabeth L. Method for monitoring surface treatment of copper containing devices
US7553803B2 (en) 2004-03-01 2009-06-30 Advanced Technology Materials, Inc. Enhancement of silicon-containing particulate material removal using supercritical fluid-based compositions
US8338087B2 (en) 2004-03-03 2012-12-25 Advanced Technology Materials, Inc Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate
US20050227482A1 (en) 2004-03-24 2005-10-13 Korzenski Michael B Composition useful for removal of bottom anti-reflection coatings from patterned ion-implanted photoresist wafers
RU2007104939A (ru) 2004-07-09 2008-08-20 Акцо Нобель Н.В. (NL) Композиция, включающая гидроксид холина, и способ ее получения
JP4145273B2 (ja) 2004-07-14 2008-09-03 株式会社ノリタケスーパーアブレーシブ Ｃｍｐパッドコンディショナー
US20060063687A1 (en) 2004-09-17 2006-03-23 Minsek David W Composition and process for ashless removal of post-etch photoresist and/or bottom anti-reflective material on a substrate
US20060148666A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Advanced Technology Materials Inc. Aqueous cleaner with low metal etch rate
US20060154186A1 (en) 2005-01-07 2006-07-13 Advanced Technology Materials, Inc. Composition useful for removal of post-etch photoresist and bottom anti-reflection coatings
US7923423B2 (en) 2005-01-27 2011-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
US7365045B2 (en) 2005-03-30 2008-04-29 Advanced Tehnology Materials, Inc. Aqueous cleaner with low metal etch rate comprising alkanolamine and tetraalkylammonium hydroxide
CN101248516A (zh) * 2005-04-08 2008-08-20 塞克姆公司 金属氮化物的选择性湿蚀刻
WO2006110645A2 (en) 2005-04-11 2006-10-19 Advanced Technology Materials, Inc. Fluoride liquid cleaners with polar and non-polar solvent mixtures for cleaning low-k-containing microelectronic devices
US20070251551A1 (en) 2005-04-15 2007-11-01 Korzenski Michael B Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self-assembled monolayers in solvent systems
US8114220B2 (en) 2005-04-15 2012-02-14 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for cleaning ion-implanted photoresist layers from microelectronic devices
WO2006113573A1 (en) 2005-04-15 2006-10-26 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for supercritical fluid removal or deposition processes
SG162725A1 (en) 2005-05-26 2010-07-29 Advanced Tech Materials Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
JP2008546214A (ja) 2005-06-06 2008-12-18 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 集積された化学機械研磨組成物および単一プラテン処理のためのプロセス
CN102981377B (zh) 2005-06-07 2014-11-12 高级技术材料公司 金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物
KR20080015027A (ko) 2005-06-13 2008-02-15 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 금속 규화물 형성 후 금속 또는 금속 합금의 선택적인제거를 위한 조성물 및 방법
TW200710205A (en) 2005-06-16 2007-03-16 Advanced Tech Materials Dense fluid compositions for removal of hardened photoresist, post-etch residue and/or bottom anti-reflective coating layers
EP1929512A2 (en) 2005-08-05 2008-06-11 Advanced Technology Materials, Inc. High throughput chemical mechanical polishing composition for metal film planarization
KR100685738B1 (ko) * 2005-08-08 2007-02-26 삼성전자주식회사 절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법및 기판의 재생 방법
WO2007027522A2 (en) 2005-08-29 2007-03-08 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for removing thick film photoresist
CN101366107B (zh) 2005-10-05 2011-08-24 高级技术材料公司 用于除去蚀刻后残余物的含水氧化清洗剂
WO2007044447A2 (en) 2005-10-05 2007-04-19 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for selectively etching gate spacer oxide material
CN101421386B (zh) 2005-10-13 2011-08-10 高级技术材料公司 金属相容的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层去除组合物
WO2007120259A2 (en) 2005-11-08 2007-10-25 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices
EP1946358A4 (en) 2005-11-09 2009-03-04 Advanced Tech Materials COMPOSITION AND METHOD FOR RECYCLING SEMICONDUCTOR WAFERS WITH LOW DIELECTRICITY CONSTANT MATERIALS
TW200734448A (en) 2006-02-03 2007-09-16 Advanced Tech Materials Low pH post-CMP residue removal composition and method of use
WO2008036823A2 (en) 2006-09-21 2008-03-27 Advanced Technology Materials, Inc. Uric acid additive for cleaning formulations
US8685909B2 (en) 2006-09-21 2014-04-01 Advanced Technology Materials, Inc. Antioxidants for post-CMP cleaning formulations
US20080076688A1 (en) 2006-09-21 2008-03-27 Barnes Jeffrey A Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
WO2008039730A1 (en) 2006-09-25 2008-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for the removal of photoresist for a wafer rework application
US20080125342A1 (en) * 2006-11-07 2008-05-29 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for cleaning memory device structures
TWI562234B (en) 2006-12-21 2016-12-11 Entegris Inc Compositions and methods for the selective removal of silicon nitride
JP2008177180A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Ebara Corp 配線基板研磨用前処理液、研磨方法、配線基板製造方法及び配線基板製造装置
TW200916564A (en) 2007-01-31 2009-04-16 Advanced Tech Materials Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications
KR101344541B1 (ko) * 2007-02-02 2013-12-26 동우 화인켐 주식회사 실리콘 산화막에 대한 선택적 에칭액 조성물
TWI516573B (zh) 2007-02-06 2016-01-11 安堤格里斯公司 選擇性移除ＴｉＳｉＮ之組成物及方法
TW200916183A (en) 2007-05-09 2009-04-16 Advanced Tech Materials Systems and methods for material blending and distribution
TW200918664A (en) * 2007-06-13 2009-05-01 Advanced Tech Materials Wafer reclamation compositions and methods
KR20100051839A (ko) 2007-08-02 2010-05-18 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 마이크로전자 장치로부터 잔사를 제거하기 위한 플루오라이드 비-함유 조성물
JP2010541192A (ja) 2007-08-20 2010-12-24 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド イオン注入フォトレジストを除去するための組成物および方法
JP2009075285A (ja) 2007-09-20 2009-04-09 Fujifilm Corp 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法
EP2227319A2 (en) 2007-11-14 2010-09-15 Advanced Technology Materials, Inc. Solvent-free synthesis of soluble nanocrystals
TW200934865A (en) 2007-11-30 2009-08-16 Advanced Tech Materials Formulations for cleaning memory device structures
US20110117751A1 (en) 2008-03-07 2011-05-19 Advanced Technology Materials, Inc. Non-selective oxide etch wet clean composition and method of use
US20090253072A1 (en) 2008-04-01 2009-10-08 Petruska Melissa A Nanoparticle reversible contrast enhancement material and method
WO2009135102A2 (en) 2008-05-01 2009-11-05 Advanced Technology Materials, Inc. Low ph mixtures for the removal of high density implanted resist
CN102216854A (zh) 2008-08-04 2011-10-12 高级技术材料公司 环境友好型聚合物剥离组合物
EP2342738A4 (en) 2008-10-02 2013-04-17 Advanced Tech Materials USE OF TENSID / DETOINT MIXTURES FOR INCREASED METAL LOADING AND SURFACE PASSIVATION OF SILICON SUBSTRATES
SG173172A1 (en) 2009-01-28 2011-08-29 Advanced Tech Materials Lithographic tool in situ clean formulations
WO2010086745A1 (en) 2009-02-02 2010-08-05 Atmi Taiwan Co., Ltd. Method of etching lanthanum-containing oxide layers
WO2010091045A2 (en) 2009-02-05 2010-08-12 Advanced Technology Materials, Inc. Non-fluoride containing composition for the removal of polymers and other organic material from a surface
US8754021B2 (en) 2009-02-27 2014-06-17 Advanced Technology Materials, Inc. Non-amine post-CMP composition and method of use
US8367555B2 (en) 2009-12-11 2013-02-05 International Business Machines Corporation Removal of masking material
SG182789A1 (en) 2010-01-29 2012-09-27 Advanced Tech Materials Cleaning agent for semiconductor provided with metal wiring
JP5858597B2 (ja) 2010-01-29 2016-02-10 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド タングステン配線半導体用洗浄剤
TW201634701A (zh) 2010-04-15 2016-10-01 安堤格里斯公司 廢棄印刷電路板之回收利用方法
JP2012021151A (ja) 2010-06-16 2012-02-02 Sanyo Chem Ind Ltd 銅配線半導体用洗浄剤
TWI548738B (zh) * 2010-07-16 2016-09-11 安堤格里斯公司 用於移除蝕刻後殘餘物之水性清潔劑
JP6101421B2 (ja) 2010-08-16 2017-03-22 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
WO2012024603A2 (en) 2010-08-20 2012-02-23 Advanced Technology Materials, Inc. Sustainable process for reclaiming precious metals and base metals from e-waste
SG10201506742RA (en) 2010-08-27 2015-10-29 Entegris Inc Method for preventing the collapse of high aspect ratio structures during drying
SG189292A1 (en) 2010-10-06 2013-05-31 Advanced Tech Materials Composition and process for selectively etching metal nitrides
TWI502065B (zh) 2010-10-13 2015-10-01 Entegris Inc 抑制氮化鈦腐蝕之組成物及方法
WO2012097143A2 (en) 2011-01-13 2012-07-19 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for the removal of particles generated by cerium- containing solutions
JP2012186470A (ja) 2011-02-18 2012-09-27 Sanyo Chem Ind Ltd 銅配線半導体用洗浄剤
WO2012154498A2 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Advanced Technology Materials, Inc. Removal of metal impurities from silicon surfaces for solar cell and semiconductor applications
JP2012251026A (ja) 2011-05-31 2012-12-20 Sanyo Chem Ind Ltd 半導体用洗浄剤
WO2012174518A2 (en) 2011-06-16 2012-12-20 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selectively etching silicon nitride
EP2724413B1 (en) 2011-06-21 2018-12-05 Warner Babcock Institute for Green Chemistry, LLC Method for the recovery of lithium cobalt oxide from lithium ion batteries
KR101776923B1 (ko) * 2011-08-05 2017-09-11 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법
JP5933950B2 (ja) 2011-09-30 2016-06-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅または銅合金用エッチング液
CN105869997A (zh) 2011-10-21 2016-08-17 安格斯公司 无胺cmp后组合物及其使用方法
US8618036B2 (en) 2011-11-14 2013-12-31 International Business Machines Corporation Aqueous cerium-containing solution having an extended bath lifetime for removing mask material
WO2013077855A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Taminco N.V. Stabilized choline solutions and methods for preparing the same
BR112014014495A2 (pt) 2011-12-15 2017-06-13 Advanced Tech Materials aparelho e método para decapar metais de solda durante a reciclagem de equipamento elétrico e eletrônico de refugo
JP6329909B2 (ja) * 2011-12-28 2018-05-23 インテグリス・インコーポレーテッド 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法
KR102105381B1 (ko) 2012-02-15 2020-04-29 엔테그리스, 아이엔씨. 조성물을 이용한 cmp-후 제거 방법 및 그의 이용 방법
WO2013138278A1 (en) 2012-03-12 2013-09-19 Advanced Technology Materials, Inc. Copper cleaning and protection formulations
CN104488068B (zh) 2012-03-12 2019-02-12 恩特格里斯公司 选择性去除灰化旋涂玻璃的方法
CN104334706A (zh) 2012-03-18 2015-02-04 安格斯公司 具有改进的阻挡层相容性和清洁性能的cpm后配制物
CA2869431A1 (en) 2012-04-06 2013-10-10 Entegris, Inc. Removal of lead from solid materials
BR112014007879B1 (pt) 2012-04-13 2021-07-06 Untsizan Petrocr Emical Llc composição quando usada como agente de neutralização para ingredientes herbicidas ativos ou alimento para animais, e, métodos para estabilizar uma solução de trialcanolamina quaternária, e para formação de uma solução de triquiletanolamina quaternária estabilizada, para uso como agente de neutralização para ingredientes herbicidas ativos ou alimento para animais
US20130295712A1 (en) 2012-05-03 2013-11-07 Advanced Technology Materials, Inc. Methods of texturing surfaces for controlled reflection
US20150162213A1 (en) 2012-05-11 2015-06-11 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for wet etching nipt during silicide fabrication
CN104487900B (zh) 2012-05-18 2019-07-23 恩特格里斯公司 用于从包括氮化钛的表面剥离光致抗蚀剂的组合物和方法
KR20150013830A (ko) 2012-05-18 2015-02-05 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 유기 잔류물 제거 개선을 위한 낮은 구리 에칭 속도를 가진 수성 세정 용액
US9765288B2 (en) 2012-12-05 2017-09-19 Entegris, Inc. Compositions for cleaning III-V semiconductor materials and methods of using same
TWI655273B (zh) 2013-03-04 2019-04-01 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 選擇性蝕刻氮化鈦之組成物及方法
US9520617B2 (en) 2013-03-14 2016-12-13 Advanced Technology Materials, Inc. Sulfolane mixtures as ambient aprotic polar solvents
CN105143517A (zh) 2013-04-22 2015-12-09 高级技术材料公司 铜清洁和保护配制物
US20160122696A1 (en) 2013-05-17 2016-05-05 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for removing ceria particles from a surface
CN105683336A (zh) 2013-06-06 2016-06-15 高级技术材料公司 用于选择性蚀刻氮化钛的组合物和方法
EP3110982A4 (en) 2014-02-25 2017-11-22 Entegris, Inc. Wet based formulations for the selective removal of noble metals

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001135601A (ja) * 1999-11-09 2001-05-18 Speedfam Co Ltd 半導体デバイス平坦化の研磨方法
JP2001257191A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法及びエッチング液
JP2005227749A (ja) * 2004-02-11 2005-08-25 Mallinckrodt Baker Inc ハロゲン酸素酸、その塩及び誘導体含有、マイクロエレクトロニクス洗浄組成物
JP2009531511A (ja) * 2006-03-27 2009-09-03 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード Ｃｍｐ後洗浄プロセスのための改善されたアルカリ性の溶液
JP2010515246A (ja) * 2006-12-21 2010-05-06 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド エッチング後残留物を除去するための液体洗浄剤
US20100112728A1 (en) * 2007-03-31 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
JP2012506457A (ja) * 2008-10-21 2012-03-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅の洗浄及び保護配合物
JP2014084489A (ja) * 2012-10-22 2014-05-12 Fujifilm Corp エッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法

Cited By (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10920141B2 (en) 2013-06-06 2021-02-16 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
JP2017514986A (ja) * 2014-02-21 2017-06-08 エコラブ ユーエスエイ インク オレフィンまたはスチレン生成における中和剤の使用
JP2017073545A (ja) * 2015-10-08 2017-04-13 三菱瓦斯化学株式会社 半導体素子の洗浄用液体組成物および半導体素子の洗浄方法、並びに半導体素子の製造方法
JP2017076783A (ja) * 2015-10-15 2017-04-20 三菱瓦斯化学株式会社 半導体素子の洗浄用液体組成物、半導体素子の洗浄方法および半導体素子の製造方法
KR102372109B1 (ko) * 2017-01-17 2022-03-08 엔테그리스, 아이엔씨. 첨단 노드 beol 공정을 위한 에칭-후 잔류물 제거
JP2020505765A (ja) * 2017-01-17 2020-02-20 インテグリス・インコーポレーテッド 進歩したノードｂｅｏｌ処理のためのエッチング後残留物除去
KR20210062099A (ko) * 2017-01-17 2021-05-28 엔테그리스, 아이엔씨. 첨단 노드 beol 공정을 위한 에칭-후 잔류물 제거
US11713504B2 (en) 2017-12-18 2023-08-01 Entegris, Inc. Chemical resistant multi-layer coatings applied by atomic layer deposition
US11390943B2 (en) 2017-12-18 2022-07-19 Entegris, Inc. Chemical resistant multi-layer coatings applied by atomic layer deposition
JP2019179829A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 ナガセケムテックス株式会社 エッチング液組成物
JP7105084B2 (ja) 2018-03-30 2022-07-22 ナガセケムテックス株式会社 エッチング液組成物
WO2019208684A1 (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 三菱瓦斯化学株式会社 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法
WO2019208685A1 (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 三菱瓦斯化学株式会社 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法
US11352593B2 (en) 2018-04-27 2022-06-07 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Aqueous composition and cleaning method using same
JP7331842B2 (ja) 2018-04-27 2023-08-23 三菱瓦斯化学株式会社 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法
JPWO2019208684A1 (ja) * 2018-04-27 2021-05-13 三菱瓦斯化学株式会社 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法
JPWO2019208686A1 (ja) * 2018-04-27 2021-05-27 三菱瓦斯化学株式会社 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法
JPWO2019208685A1 (ja) * 2018-04-27 2021-05-27 三菱瓦斯化学株式会社 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法
US11629315B2 (en) 2018-04-27 2023-04-18 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Aqueous composition and cleaning method using same
US11613720B2 (en) 2018-04-27 2023-03-28 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Aqueous composition and cleaning method using same
WO2019208686A1 (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 三菱瓦斯化学株式会社 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法
KR102579803B1 (ko) 2018-07-06 2023-09-19 엔테그리스, 아이엔씨. 물질의 선택적 에칭을 위한 개선
JP2021528867A (ja) * 2018-07-06 2021-10-21 インテグリス・インコーポレーテッド 材料を選択的にエッチングするための改善
JP7128948B2 (ja) 2018-07-06 2022-08-31 インテグリス・インコーポレーテッド 材料を選択的にエッチングするための改善
KR20210006000A (ko) * 2018-07-06 2021-01-15 엔테그리스, 아이엔씨. 물질의 선택적 에칭을 위한 개선
JP2020017732A (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー ＴｉＮハードマスク除去及びエッチング残渣クリーニング用組成物
JP2021536669A (ja) * 2018-08-28 2021-12-27 インテグリス・インコーポレーテッド セリア粒子向けのｃｍｐ後洗浄用組成物
JP7269348B2 (ja) 2018-12-14 2023-05-08 インテグリス・インコーポレーテッド ルテニウムエッチング組成物及び方法
KR102646575B1 (ko) 2018-12-14 2024-03-13 엔테그리스, 아이엔씨. 루테늄 에칭 조성물 및 방법
JP2022512386A (ja) * 2018-12-14 2022-02-03 インテグリス・インコーポレーテッド ルテニウムエッチング組成物及び方法
KR20210092311A (ko) * 2018-12-14 2021-07-23 엔테그리스, 아이엔씨. 루테늄 에칭 조성물 및 방법
JPWO2020184618A1 (ja) * 2019-03-14 2020-09-17
WO2020184618A1 (ja) * 2019-03-14 2020-09-17 日産化学株式会社 洗浄剤組成物及び洗浄方法
JP7323870B2 (ja) 2019-03-14 2023-08-09 日産化学株式会社 洗浄剤組成物及び洗浄方法
US12012658B2 (en) 2019-07-05 2024-06-18 Fujifilm Corporation Composition, kit, and method for treating substrate
JPWO2021005980A1 (ja) * 2019-07-05 2021-01-14
WO2021005980A1 (ja) * 2019-07-05 2021-01-14 富士フイルム株式会社 組成物、キット、基板の処理方法
WO2021176913A1 (ja) * 2020-03-04 2021-09-10 富士フイルム株式会社 処理液、処理液収容体
JPWO2021176913A1 (ja) * 2020-03-04 2021-09-10
WO2021210458A1 (ja) * 2020-04-14 2021-10-21 三菱瓦斯化学株式会社 チタンおよび／またはチタン合金のエッチング液、該エッチング液を用いたチタンおよび／またはチタン合金のエッチング方法、および該エッチング液を用いた基板の製造方法
JPWO2022030627A1 (ja) * 2020-08-07 2022-02-10
WO2022030627A1 (ja) * 2020-08-07 2022-02-10 株式会社トクヤマ 半導体ウエハ用処理液
JP7507309B2 (ja) 2020-08-13 2024-06-27 インテグリス・インコーポレーテッド 窒化物エッチング剤組成物及び方法
JP7516664B2 (ja) 2020-09-22 2024-07-16 インテグリス・インコーポレーテッド エッチング剤組成物
WO2022071069A1 (ja) * 2020-09-29 2022-04-07 三菱瓦斯化学株式会社 半導体基板洗浄用組成物及び洗浄方法
WO2023042490A1 (ja) * 2021-09-16 2023-03-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
WO2023204141A1 (ja) * 2022-04-20 2023-10-26 東京応化工業株式会社 エッチング用組成物、それを用いたエッチング方法および電子部品の製造方法
WO2024004980A1 (ja) * 2022-07-01 2024-01-04 三菱瓦斯化学株式会社 半導体基板洗浄用組成物、半導体基板の洗浄方法、及び半導体基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3004287A4 (en) 2017-06-21
US20160130500A1 (en) 2016-05-12
JP2019134168A (ja) 2019-08-08
EP3004287B1 (en) 2021-08-18
SG10201708364XA (en) 2017-11-29
JP6723152B2 (ja) 2020-07-15
CN111394100A (zh) 2020-07-10
TWI651396B (zh) 2019-02-21
EP3004287A1 (en) 2016-04-13
CN105683336A (zh) 2016-06-15
TW201504397A (zh) 2015-02-01
SG11201509933QA (en) 2016-01-28
US10920141B2 (en) 2021-02-16
WO2014197808A1 (en) 2014-12-11
KR102338550B1 (ko) 2021-12-14
KR20160014714A (ko) 2016-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019134168A (ja) 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法
US10392560B2 (en) Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
KR102338526B1 (ko) Cu/W 호환성을 갖는, 금속 하드 마스크 및 에칭-후 잔여물을 제거하기 위한 수성 제형
US10472567B2 (en) Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US10428271B2 (en) Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
WO2016042408A2 (en) Compositions for etching titanium nitride having compatability with silicon germanide and tungsten
JP7507309B2 (ja) 窒化物エッチング剤組成物及び方法
TWI824299B (zh) 蝕刻劑組合物

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20160713

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20170518

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170601

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170601

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20170606

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180612

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180904

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20181106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190301

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20190308

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20190405

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200623

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6723152

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250