JP2022512386A - ルテニウムエッチング組成物及び方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、ルテニウム及び／又は銅を選択的にエッチングするのに有用な組成物を提供する。組成物が、特定の過ヨウ素酸塩化合物、アルキルアンモニウム又はアルキルホスホニウム水酸化物、炭酸塩又は重炭酸塩緩衝液、及び水を含み、組成物のｐＨが、約９～約１２．５である。本発明の組成物は、本発明の方法において効果的に利用され、誘電体のエッチング速度（＜２Å／分）を最小限に抑えながら、同様の速度、すなわち、＞２０Å／分でＣｕ及びＲｕをエッチングすることができることが分かった。【選択図】図１

Description

本発明は、電子化学の分野に属する。特に、ルテニウム及び／又は銅を選択的にエッチングするための組成物及び方法に関する。
ダイナミックランダムアクセス（ＤＲＡＭ）メモリデバイスにおいて、金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）キャパシタは、ルテニウムなどの貴金属を使用して製造された底部電極を有する。その電気的性能を考慮すると、ルテニウムはまた、銅相互接続のための銅拡散障壁材料として機能することが分かっている。
ルテニウムは一般にエッチング困難なＲｕＯ２酸化物膜で自己被覆されているため、ルテニウムの単離及び平坦化には問題がある。そのエッチングには強力な酸化剤を必要とするが、これはＲｕ及びＲｕＯ２を揮発性及び毒性酸化物ＲｕＯ４に変換する傾向がある。このようにして形成されたＲｕＯ４蒸気は、有機材料と反応してＲｕＯ２粒子を生成する。これらの特性は、ルテニウムの不揮発性オキシアニオンのみを形成するために、ルテニウムを安全にエッチングすることができるｐＨの範囲を９以上、好ましくは１０以上に制限する。
本発明は、添付の特許請求の範囲に記載されている通りである。第１の態様では、本発明は、
（ｉ）オルト過ヨウ素酸（Ｈ５ＩＯ６）若しくはメタ過ヨウ素酸（ＨＩＯ４）又はそれらの塩から選択される１つ又は複数の七価のヨウ素オキソ酸と、
（ｉｉ）アルキルアンモニウム水酸化物化合物又はアルキルホスホニウム水酸化物化合物と、
（ｉｉｉ）水とを含み、
上記組成物が、約９～約１２．５のｐＨを有する、組成物を提供する。本発明の組成物では、過ヨウ素酸が酸化剤として利用される。過ヨウ素酸は、２つの主な形態、オルト過ヨウ素酸（Ｈ５ＩＯ６）及びメタ過ヨウ素酸（ＨＩＯ４）で存在し、両方の形態が、上記成分（ｉ）としての使用が考えられる。また、他の遭遇するオキソ酸としては、Ｈ３ＩＯ５、Ｈ４Ｉ２Ｏ９及びＨ７Ｉ３Ｏ１４又はそれらの塩を挙げることができる。以下の実施例では、オルト過ヨウ素酸を利用した。別の実施形態では、組成物は、（ｉｖ）炭酸塩／重炭酸塩緩衝化合物を更に含む。本発明の組成物は、本発明の方法において効果的に利用され、誘電体のエッチング速度（＜２Å／分）を最小限に抑えながら、同様の速度、すなわち、＞２０Å／分でＣｕ及びＲｕをエッチングすることができることが分かった。
図１は、ＸＲＦ（Ｘ線蛍光対分単位の実行時間）によって決定されるオングストロームでのＣｕ厚み損失のプロットである。試験した組成物は、過ヨウ素酸（Ｈ５ＩＯ６）２．１０８％、水酸化テトラメチルアンモニウム水酸化物３．４９４％、及びＣＯ２ ０．４７５％であった（以下の配合例８）。
本明細書で使用される場合、「マイクロ電子デバイス」は、マイクロ電子、集積回路、又はコンピュータチップ用途で使用するために製造された、ＤＲＡＭ ３Ｄ ＮＡＮＤ構造、フラットパネルディスプレイ、及び微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）を含む半導体基板に対応する。「マイクロ電子デバイス」という用語は、決して限定することを意味するものではなく、負チャネル金属酸化膜半導体（ｎＭＯＳ）及び／又は正チャネル金属酸化膜半導体（ｐＭＯＳ）トランジスタを含み、最終的にマイクロ電子デバイス又はマイクロ電子アセンブリになる任意の基板を含むことを理解されたい。
本明細書で使用される場合、「約」は、記載された値の＋／－５％に対応することが意図されている。
本発明の組成物は、以下により詳細に記載されるように、多種多様な特定の配合で具体化され得る。
組成物の特定の実施形態において、成分（ｉ）が、約０．０１～２０重量パーセントの量で存在し、成分（ｉｉ）が、約０．０２～４０重量パーセントの量で存在し、（ｉ）、（ｉｉ）成分（ｉｉｉ）の合計は１００パーセントである。
組成物の特定の実施形態において、成分（ｉ）が、約０．５～１０重量パーセントの量で存在し、成分（ｉｉ）が、約１～２０重量パーセントの量で存在し、（ｉ）、（ｉｉ）成分（ｉｉｉ）の合計は１００パーセントである。
組成物の特定の実施形態では、成分（ｉ）が、約１～５重量パーセントの量で存在し、成分（ｉｉ）は、約２～１０重量パーセントの量で存在し、（ｉ）、（ｉｉ）成分（ｉｉｉ）の合計は１００パーセントである。
特定の実施形態では、組成物は、
約０．０１～５重量パーセント、０．１～２重量パーセント、又は０．２～１重量パーセントの量の（ｉｖ）炭酸塩／重炭酸塩緩衝化合物を更に含み、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、及び（ｉｖ）の合計が、１００パーセントである。
本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈上他に明確に指示されない限り、それらの複数の指示対象を含む。「含有する（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」又は「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語は、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語と同義であることを意図し、少なくとも指定された化合物、要素、粒子、又は方法工程などが、組成物又は物品又は方法中に存在することを意味する。しかし、他の化合物、材料、粒子、方法工程などが特許請求の範囲で明示的に除外されない限り、指定されたものと同じ機能を有する場合であっても、他の化合物、材料、粒子、方法工程などの存在を除外しない。
本発明の組成物において、アルキルアンモニウム（又はアルキルホスホニウム）過ヨウ素酸塩種は、通常、ｐＨが所望のレベルに調整されるので、過ヨウ素酸（成分（ｉ））と共に過剰のアルキルアンモニウム水酸化物又はアルキルホスホニウム水酸化物を使用しながら、ｉｎ ｓｉｔｕで形成される。あるいは、本発明の別の実施形態では、過ヨウ素酸塩は、ｐＨを所望のレベルに調整するために、純粋な形態で、又は過ヨウ素酸、水、及びアルキルアンモニウム水酸化物などの塩基から作られた溶液として、添加することができる。簡便には、炭酸塩／重炭酸塩緩衝系を利用して、溶液にＣＯ２を散布しながら水性組成物を安定化することができる。あるいは、一旦、溶解したＣＯ２を含有する水を所望の濃度で添加することができる。炭酸塩緩衝液の使用は、（酸化可能な）アミン緩衝液との潜在的な非相溶性を有利に回避する。あるいは、アルキルアンモニウム水酸化物又はアルキルホスホニウム水酸化物の炭酸塩及び／又は重炭酸塩を利用し、そのような種を固体又は液体として組成物に添加することができる。アルキルホスホニウム水酸化物化合物は、式ＨｘＮ（Ｐ）Ｒｙを有することができ、式中、ｘ＋ｙ＝４であり、ｙ＞０である。
一実施形態では、組成物は、（出発物質として）水約９３．９２３％、水酸化テトラメチルアンモニウム３．４９４％、Ｈ５ＩＯ６ ２．１０８％、ＣＯ２ ０．４７５％を含み、約１０．８のｐＨを有する。別の実施形態では、組成物は、水約９４重量パーセント、水酸化テトラメチルアンモニウム３．５重量パーセント、及び炭酸塩／重炭酸塩緩衝化合物約０．５重量パーセントを含む。
本発明者らは、そのような組成物が、有毒で揮発性のＲｕＯ４蒸気の形成を回避するのに十分に塩基性であり、過ヨウ素酸塩とのそのＣｕ３＋可溶型錯体としてＣｕを溶解する傾向がある一方で、＞２０Å／分でルテニウムを酸化するのに十分に活性である（Ｒｕエッチング速度はｐＨの上昇と共に低下する）ことを見出した。本発明のプロセスの実施において、上記の範囲内でｐＨを変化させることによって、ＲｕとＣｕとの間のエッチング速度を変化させることを選択することができ、Ｒｕは９に近いより低いｐＨで優先的にエッチングされ、Ｃｕは１１に近いより高いｐＨで優先的にエッチングされる。更に、本発明者らは、組成物のｐＨが十分に低く、ＰＥＴＥＯＳエッチング速度が、＜１Å／分であり、ＯＳＧエッチング速度が非常に低い（～約６Å／分）ことを見出した。
エッチング用途では、組成物は、ルテニウム及び／又は銅材料をその上に有するマイクロ電子デバイスの表面に任意の適切な方法で、例えば、デバイスの表面に組成物を噴霧することによって、ルテニウム及び銅を含むデバイスを（除去組成物の静的又は動的体積に）浸漬することによって適用される。一実施形態では、マイクロ電子デバイスの表面への除去組成物の適用は、撹拌を制御され、それにより、組成物は、上記組成物を収容する容器を通って循環される。
本明細書で定義されるように、「バリア材料」という用語は、金属ライン（例えば、銅相互接続）を封止して上記金属（例えば、銅）の誘電材料内への拡散を最小限に抑えるために当該技術分野で使用される任意の材料に対応する。好ましいバリア層材料には、タンタル、チタン、ルテニウム、ハフニウム、タングステン、及び他の高融点金属並びにそれらの窒化物及びケイ化物が含まれる。
ルテニウム及び／又は銅材料をその上に有するマイクロ電子デバイス構造体から除去するための本発明の組成物の使用において、組成物は、通常、これらに限定されないが、バッチエッチングの場合には約２０℃～約９０℃、又は別の実施形態では、単一ウェハツールエッチングの場合には約５０℃～約９０℃の範囲の温度を含む十分な条件で、一実施形態では、単一ウェハツールについて約１分～約２００分、一実施形態では約１５分～約１００分、又は約１分～約２分の十分な時間、マイクロ電子デバイス構造体と接触される。そのような接触時間及び温度は例示であり、本発明の実施範囲内で、デバイス構造からルテニウム及び／又は銅材料を少なくとも部分的に除去するのに有効な任意の他の適切な時間及び温度条件を使用することができる。
ｐＨ約９～約１２．５を達成するために、組成物の成分（ｉｉ）を過剰に添加し、式ＮＲ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＯＨを有するアルキルアンモニウム水酸化物化合物とすることができ、式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７は、互いに同じであっても異なっていてもよく、水素、直鎖又は分岐Ｃ１－Ｃ６アルキル（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、及びヘキシル）基、Ｃ１－Ｃ６ヒドロキシアルキル（例えば、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシペンチル、及びヒドロキシヘキシル）基、及び置換又は非置換Ｃ６－Ｃ１０アリール基（例えば、ベンジル基）から選択される。市販のアルキルアンモニウム水酸化物には、水酸化物トラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化テトラエチルアンモニウム（ＴＥＡＨ）、水酸化テトラプロピルアンモニウム（ＴＰＡＨ）、水酸化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＨ）、水酸化トリブチルメチルアンモニウム（ＴＢＭＡＨ）、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム（ＢＴＭＡＨ）、水酸化コリン、水酸化エチルトリメチルアンモニウム、トリス（２－ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド、水酸化ジエチルジメチルアンモニウム、及びそれらの組み合わせが含まれ、使用され得る。代替的又は追加的に、組成物の成分（ｉｉ）は、式（ＰＲ８Ｒ９Ｒ１０Ｒ１１）ＯＨを有するホスホニウム塩基であってもよく、式中、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１は、互いに同じであっても異なっていてもよく、水素、直鎖Ｃ１－Ｃ６アルキル（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、及びヘキシル）基、分岐Ｃ１－Ｃ６アルキル基、Ｃ１－Ｃ６ヒドロキシアルキル（例えば、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシペンチル、及びヒドロキシヘキシル）基、置換Ｃ６－Ｃ１０アリール基、非置換Ｃ６－Ｃ１０アリール基（例えば、ベンジル基）、及びそれらの任意の組み合わせ、例えば、水酸化テトラブチルホスホニウム（ＴＢＰＨ）、水酸化テトラメチルホスホニウム、水酸化テトラエチルホスホニウム、水酸化テトラプロピルホスホニウム、水酸化ベンジルトリフェニルホスホニウム、水酸化メチルトリフェニルホスホニウム、水酸化エチルトリフェニルホスホニウム、ｎ－プロピルトリフェニルホスホニウムヒドロキシドからなる群から選択される。
更なる実施形態では、本発明の組成物は、１つ又は複数の腐食防止剤を更に含む。本発明の文脈では、そのような腐食防止剤は、金属の腐食速度を低下させる。腐食防止剤の種類は、それだけに限らないが、以下が含まれ得る。１．金属表面に結合し、吸着し、被覆し、又は金属表面と反応し、金属表面への酸素又は水の輸送の障壁を提供するか、又は表面からの酸化金属カチオンの透過を防止する分子、２．金属の電気化学的表面電位を変化させ、それをより腐食しないようにさせる分子、３．腐食速度を増加させる酸素又は酸を犠牲的に除去する分子。例示的な腐食防止剤としては、トリアゾール及びその誘導体、ベンゾトリアゾール及びその誘導体、トリルトリアゾール、チアゾール及びその誘導体、テトラゾール及びその誘導体、イミダゾール及びその誘導体、並びにアジン及びその誘導体などの化合物が挙げられる。例示的な腐食防止剤には、５－アミノテトラゾール、５－フェニル－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－テトラゾール－５－酢酸、１－フェニル－２－テトラゾリン－５－チオン、ベンズイミダゾール、メチルテトラゾール、ビスムチオールＩ、シトシン、グアニン、チミン、ピラゾール、イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、プロパンチオール、ベンゾヒドロキサム酸、クエン酸、アスコルビン酸、５－アミノ－１，３，４－チアジアゾール－２－チオール（ＡＴＤＴ）、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）、トリルトリアゾール、５－メチル－ベンゾトリアゾール（ｍＢＴＡ）、５－フェニル－ベンゾトリアゾール、５－ニトロ－ベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾールカルボン酸、３－アミノ－５－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、１－アミノ－１、２，４－トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、２－（５－アミノ－ペンチル）－ベンゾトリアゾール、１－アミノ－１，２，３－トリアゾール、１－アミノ－５－メチル－１，２，３－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール（３－ＡＴＡ）、３－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、３－イソプロピル－１，２，４－トリアゾール、５－フェニルチオール－ベンゾトリアゾール、ハロ－ベンゾトリアゾール（ｈａｌｏ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）、ナフトトリアゾール、２－メルカプトベンゾトリアゾール（ＭＢＩ）、２－メルカプトベンゾトリアゾール、４－メチル－２－フェニルイミダゾール、２－メルカプトチアゾリン、５－アミノ－１，２，４－トリアズオレ（５－ＡＴＡ）、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）、ＡＴＡ－ＳＤＳ、３－アミノ－５－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、ペンチレンテトラゾール、５－フェニル－１Ｈ－テトラゾール、５－ベンジル－１Ｈ－テトラゾール、アブルミン Ｏ、２－ベンジルピリジン、スクシンイミド、２，４－ジアミノ－６－メチル－１，３，５－トリアゾール、トリアゾール、トリアゾール、メチルテトラゾール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、１，５－ペンタメチレンテトラゾール、１－フェニル－５－メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、イミダゾリンチオン、４－メチル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－チオール、４－アミノ－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－５－メチルチオ－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール、ベンゾチアゾール、イミダゾール、インジアゾール、アデニン、スクシンイミド、アデノシン、カルバゾール、サッカリン、尿酸、ベンゾイノキシム、カチオン性四級塩（例えば、ベンザルコニウムクロライド、ベンジルジメチルドデシルアンモニウムクロライド、ミリスチルトリムブロミド、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルピリジニウムクロライド、アリコート３３６（Ｃｏｇｎｉｓ）、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムクロライド、Ｃｒｏｄａｑｕａｔ ＴＥＳ（Ｃｒｏｄａ）、Ｒｅｗｏｑｕａｔ ＣＰＥＭ（Ｗｉｔｃｏ）、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムｐ－トルエンスルホン酸塩、ヘキサデシルトリメチルアンモニウム水酸化オニウム、１－メチル－１’－テトラデシル－４，４’－ビピリジウムジクロライド、アルキルトリメチルアンモニウムブロミド、アンプロリウム塩酸塩、水酸化ベンゼトニウム、ベンゼトニウムクロライド、ベンジルジメチルヘキサデシルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、ベンジルドデシルジメチルアンモニウムブロミド、ベンジルドデシルジメチルアンモニウムトルエンスルホン酸塩、ジメチルジオクタデシルアンモニウムブロミド、ドデシルエチルダイムチラモニウムブロミド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、エチルヘキサデシルジメチルアンモニウムブロミド、ジラール試薬、ヘキサデシル（２－ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウムリン酸二水素、ヘキサデシルピリジニウムブロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド、メチルベンズエトニウムクロライド、Ｈｙａｍｉｎｅ（登録商標）１６２２、Ｌｕｖｉｑｕａｔ（商標）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－ポリオキシエチレン（１０）－Ｎ－ｔａｌｌｏｗ－１，３－ジアミノプロパン液、オキシフェノニウムブロミド、テトラヘプチルアンモニウムブロミド、テトラキス（デシル）アンモニウムブロミド、トンゾニウムブロミド、トリドデシルアンモニウムクロライド、トリメチルオクタデシルアンモニウムブロミド、１－メチル－３－ｎ－オクチルイミダゾリウムテトラフルオロボラート、１－デシル－３－メチルイミダゾリウムテトラフルオロボラートが含まれる。１－デシル－３－メチルイミダゾリウムクロライド、トリドデシルメチルアンモニウムブロミド、ジメチルジステアリルアンモニウムクロライド、セチルトリメチルアンモニウムブロミド、ミリスチルトリメチルアンモニウムブロミド、及びヘキサメトニウムクロライド）、アニオン性界面活性剤（例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ドデシルホスホン酸（ＤＤＰＡ）、ステアロイルサルコシン、ラウリルサルコシン、Ｓｕｒｆｙｎｏｌ（登録商標）１０４（テトラメチルデシンジオール、Ｅｖｏｎｉｋ）、プロパルギルアルコール、ジシアンジアミド、ジメチルプロパルギルアルコール、サッカリンジエチルヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン、２－メルカプト－２－チアゾリン、メルカプトチアジアゾールアミノメルカプトチアジアゾール、ジメルカプトチアジアゾール、３－メチルピラゾリン－５－オン、及びそれらの組み合わせ。
所望の除去作用の達成に続いて、エッチング剤組成物は、本発明の組成物の所与の最終使用用途において所望され、効果的であり得るように、例えば、すすぎ、洗浄、又は他の除去工程によって、以前に塗布されたマイクロ電子デバイスから容易に除去される。例えば、デバイスは、脱イオン水を含むすすぎ溶液ですすぐ、及び／又は乾燥させることができる（例えば、スピンドライ、Ｎ２、蒸気乾燥）。したがって、更なる実施形態では、本発明は、マイクロ電子デバイスからルテニウム及び／又は銅を除去する方法を提供し、この方法は、マイクロ電子デバイスから上記ルテニウム及び／又は銅を少なくとも部分的に除去するのに十分な条件下で、電子デバイスを本明細書に記載の組成物と十分な時間接触させることを含む。
本発明のなお更なる態様は、マイクロ電子デバイスを含む物品を製造する方法に関し、上記方法は、ルテニウム及び／又は銅材料をその上に有するマイクロ電子デバイスの表面からエッチング除去するのに十分な時間、マイクロ電子デバイスを本発明の組成物と接触させることと、上記マイクロ電子デバイスを上記物品に組み込むことと、を含む。
本明細書に記載の組成物は、それぞれの成分の単純な添加及び均一な状態への混合によって容易に配合される。
本発明は、その実施形態を特に参照して詳細に説明されてきたが、本発明の主旨及び範囲内で変形及び修正を行うことができることが理解されよう。
以下に表に示す配合物は、５０％のオルト過ヨウ素酸溶液を計算量の水に添加し、次いで、特定の塩基の２０～２５％溶液の指定量（過ヨウ素酸１モル当たり２モルの塩基を超える）を撹拌及び冷却しながら添加することによって調製した。ＣＯ２含有溶液（＃６～８）については、ｐＨが約１１．５に低下するまで２５％ＴＭＡＨ溶液にＣＯ２をゆっくりとバブリングすることによって、テトラメチルアンモニウム炭酸塩－重炭酸塩緩衝液を調製し、その後、計算量のその緩衝液を水、過ヨウ素酸、及びＴＭＡＨの混合物に添加した。
ブランケットフィルムクーポンのエッチングを、撹拌しながら６０℃で行った。ルテニウムの前処理を試みなかった。５％酢酸（ＨＡｃ）による銅前処理は、エッチング速度を増加させるがわずかしか増加させないことが示された。表にしたＣｕの結果は、ＨＡｃ前処理なしで得られたが、更に下にプロットした結果は、ＨＡｃ前処理銅で得られた。エッチングしたクーポンを脱イオン水ですすぎ、窒素ジェット中で乾燥させた。金属厚みの変化は、ＸＲＦ；偏光解析法による誘電体厚みの変化、によって決定した。
ＫＯＨベースの配合物は、アルキルアンモニウムベースの配合物よりもはるかに速くエッチングしたが、誘電体成分に対してより粗悪である。
Figure 2022512386000002
略語の説明：
ＰＩＡ＝過ヨウ素酸、Ｈ５ＩＯ６
ＭＴＥＡＨ＝水酸化メチルトリエチルアンモニウム
ＰＥＴＥＯＳ＝プラズマ増強テトラエチルオルトシリケート
ＯＳＧ＝有機ケイ酸塩ガラス

Claims (16)

  1. （ｉ）Ｈ５ＩＯ６又はＨＩＯ４から選択される１つ又は複数の七価の酸化剤と、
    （ｉｉ）アルキルアンモニウム水酸化物化合物又はアルキルホスホニウム水酸化物化合物と、
    （ｉｉｉ）水と、を含み、
    約９～約１２．５のｐＨを有する、組成物。
  2. アルキルアンモニウム化合物が、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化トリブチルメチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、水酸化コリン、水酸化エチルトリメチルアンモニウム、トリス（２－ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド、水酸化ジエチルジメチルアンモニウム、及びそれらの組み合わせから選択される、請求項１に記載の組成物。
  3. アルキルアンモニウム化合物が、水酸化テトラメチルアンモニウムである、請求項２に記載の組成物。
  4. アルキルホスホニウム水酸化物化合物が、水酸化テトラブチルホスホニウム、水酸化テトラメチルホスホニウム、水酸化テトラエチルホスホニウム、水酸化テトラプロピルホスホニウム、水酸化ベンジルトリフェニルホスホニウム、水酸化メチルトリフェニルホスホニウム、水酸化エチルトリフェニルホスホニウム、及び水酸化ｎ－プロピルトリフェニルホスホニウム、及びそれらの組み合わせから選択される、請求項１に記載の組成物。
  5. （ｉｖ）炭酸塩／重炭酸塩緩衝化合物を更に含む、請求項１に記載の組成物。
  6. 緩衝化合物が、組成物に二酸化炭素を散布することによってｉｎ ｓｉｔｕで形成される、請求項５に記載の組成物。
  7. 成分（ｉ）が、約０．０１～２０重量パーセントの量で存在し；成分（ｉｉ）が、約０．０２～４０重量パーセントの量で存在し；（ｉ）、（ｉｉ）成分（ｉｉｉ）の合計が、１００パーセントである、請求項１に記載の組成物。
  8. 成分（ｉ）が、約０．５～１０重量パーセントの量で存在し；成分（ｉｉ）が、約１～２０重量パーセントの量で存在し；（ｉ）、（ｉｉ）成分（ｉｉｉ）の合計が、１００パーセントである、請求項１に記載の組成物。
  9. 成分（ｉ）が、約１～５重量パーセントの量で存在し；成分（ｉｉ）が、約２～１０重量パーセントの量で存在し；（ｉ）、（ｉｉ）成分（ｉｉｉ）の合計が、１００パーセントである、請求項１に記載の組成物。
  10. 約０．０１～５重量パーセントの量の（ｉｖ）炭酸塩／重炭酸塩緩衝化合物を更に含み、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、及び（ｉｖ）の合計が、１００パーセントである、
    請求項７に記載の組成物。
  11. 約０．１～２重量パーセントの量の（ｉｖ）炭酸塩／重炭酸塩緩衝化合物を更に含み、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、及び（ｉｖ）の合計が、１００パーセントである、
    請求項８に記載の組成物。
  12. 約０．２～１重量パーセントの量の（ｉｖ）炭酸塩／重炭酸塩緩衝化合物を更に含み、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、及び（ｉｖ）の合計が１００パーセントである、
    請求項９に記載の組成物。
  13. 少なくとも１つの腐食防止剤を更に含む、請求項１に記載の組成物。
  14. 酸化剤が、Ｈ５ＩＯ６である、請求項１に記載の組成物。
  15. 酸化剤が、ＨＩＯ４である、請求項１に記載の組成物。
  16. マイクロ電子デバイスからルテニウム及び／又は銅を少なくとも部分的に除去するのに十分な条件下で、電子デバイスを請求項１に記載の組成物と十分な時間接触させることを含む、マイクロ電子デバイスからルテニウム及び／又は銅を除去する方法。
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