KR100980607B1 - 루테늄 연마용 슬러리 및 그를 이용한 연마 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유독가스가 발생하지 않으며, 잔여물에 의한 오염도 없고, 부식이 발생하지 않으면서 주변 물질과의 선택비(selectivity)를 확보할 수 있는 루테늄의 연마를 위한 슬러리 및 주변물질과의 높은 선택비를 얻으면서 높은 연마율을 확보할 수 있는 루테늄막의 연마 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 루테늄연마용 슬러리는 증류수, 과요오드산나트륨, 연마제(알루미나) 및 pH 조절제(pH 조절제의 첨가에 의해 pH가 5.5∼6.5 범위가 됨)를 포함하고, 상술한 본 발명은 산화제로서 과요오드산나트륨을 적용하여 루테늄을 연마하므로써, 루테늄의 높은 연마율과 함께 산화막 대비 루테늄의 우수한 선택비를 얻고 동시에 연마특성을 개선시킬 수 있으며 우수한 소자 분리 공정에 기여할 수 있다.
슬러리, 루테늄, CMP, 과요오드산나트륨, 알루미나

Description

루테늄 연마용 슬러리 및 그를 이용한 연마 방법{SLURRY FOR RUTHENIUM POLISHING AND METHOD FOR POLISHING USING THE SAME}
본 발명은 화학적기계적연마공정(CMP)에 사용되는 슬러리에 관한 것으로서, 특히 루테늄의 화학적기계적연마공정에 사용되는 슬러리 및 그를 이용한 연마 방법에 관한 것이다.
캐패시터에서 하부 전극으로 사용되었던 폴리실리콘 대신 금속 하부 전극을 사용한 캐패시터를 MIM(Metal-Insulator-Metal) 캐패시터라고 한다. MIM 구조의 캐패시터에서 금속 하부 전극으로 고려되고 있는 물질은 백금(Pt), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir) 등의 백금족 원소들이다. 이 하부 전극 물질들 중 기계적, 화학적 특성이 우수한 루테늄의 경우 다른 재료들보다 가공성이 우수하기 때문에 하부 전극으로의 도입이 용이하다. 이러한 루테늄을 이용한 하부전극과 고유전막 그리고 상부 전극을 모두 증착시킨 뒤 원하는 캐패시턴스 값을 얻기 위해서는 화학적기계적연마(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 통해 각각의 캐패시터를 분리하고 평탄화를 이루어야 한다.
이를 위하여 루테늄의 화학적기계적연마 공정에 사용되는 슬러리의 개발이 필요하다. 그러나 상온에서 루테늄을 습식식각 시키기는 매우 어렵다.
최근에는 질산(HNO3)과 세릭암모늄나이트레이트{CAN, (NH4)2Ce(NO)6}의 혼합액 또는 수산화칼륨(KOH)과 과망간산칼륨(KMnO4) 혼합액이 루테늄을 식각한다고 보고되고 있다. 하지만 이러한 화학액은 각각 강산성, 강염기성으로 여러 가지 문제점을 가지고 있다. 질산과 세릭암모늄나이트레이트 혼합액의 경우 강산성으로서 인체에 유해하며 슬러리로 사용하였을 경우 유독 가스가 발생할 수 있으며 연마후 잔여물에 의한 오염이 발생할 수 있다. 그리고 수산화칼륨과 과망간산 칼륨 혼합액의 경우 강염기성으로서 슬러리로 사용하였을 경우 절연물질인 산화막의 큰 식각속도로 인해 선택비(selectivity) 문제와 부식(erosion)이 발생할 수 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 유독가스가 발생하지 않으며, 잔여물에 의한 오염도 없고, 부식이 발생하지 않으면서 주변 물질과의 선택비(selectivity)를 확보할 수 있는 루테늄의 연마를 위한 슬러리를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 주변물질과의 높은 선택비를 얻으면서 높은 연마율을 확보할 수 있는 루테늄막의 연마 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 루테늄연마용 슬러리는 증류수, 과요오드산나트륨, 알루미나 및 pH 조절제를 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 pH 조절제의 첨가에 의해 pH가 5.5∼6.5 범위가 되는 것을 특징으로 하며, 상기 pH 조절제는, 산성조절제 또는 염기성조절제를 포함하고, 상기 산성 조절제는 염산(HCl), 질산(HNO3), 황산(H2SO4) 또는 인산(H3PO4)을 포함하며, 상기 염기성 조절제는 수산화암모늄(NH4OH), 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 테트라메틸아민하이드록사이드(TMAH) 또는 테트라메틸아민(TMA)을 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 과요오드산나트륨의 몰농도는 0.1∼10몰 범위인 것을 특징으로 한다.
그리고, 본 발명의 루테늄막의 연마 방법은 표면에 요부를 갖는 절연막 위에 루테늄막을 형성하는 단계; 및 증류수, 과요오드산나트륨, 알루미나 및 pH 조절제를 포함하고 상기 pH 조절제의 첨가에 의해 pH가 5.5∼6.5 범위가 되는 슬러리를 이용하여 상기 요부 외측의 루테늄막을 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 슬러리에 포함되는 산화제로서 과요오드산나트륨을 적용하여 루테늄을 연마하므로써, 루테늄의 높은 연마율과 함께 산화막 대비 루테늄의 우수한 선택비를 얻고 동시에 연마특성을 개선시킬 수 있으며 우수한 소자 분리 공정에 기여할 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
루테늄의 화학적기계적연마 공정시 사용하는 슬러리는 다음과 같은 작용을 한다.
슬러리는 화학적으로 루테늄으로부터 전자를 제거함으로써 루테늄을 산화시킬 수 있는 산화제를 포함한다. 이어서, 형성된 산화된 막은 연마 공정에 의해 제 거될 수 있다.
그리고, 슬러리는 기계적으로 실리카(SiO2) 또는 세리아(CeO2) 같은 연마제를 포함한다. 연마제의 목적은, 연마패드가 루테늄에 압착되어 루테늄 상에서 움직여 산화된 막을 연마하는 것이다.
산화된 막이 제거되고 나면, 새롭게 노출된 루테늄은 다시 산화되어 또 다른 산화된 막을 형성하고, 산화된 막은 다시 연마제를 사용하여 제거될 것이다.
루테늄이 필요한 두께로 제거될 때까지 위와 같은 과정을 계속한다.
본 발명에서는 산화제로서 과요오드산나트륨(NaIO4)를 사용하여 루테늄의 화학적기계적연마를 위한 슬러리를 제작한다.
본 발명에 따른 루테늄의 화학적기계적연마용 슬러리는 증류수(DI water), 과요오드산나트륨(NaIO4) 및 연마제를 포함하고, pH 조절제를 더 포함하여 pH는 4∼10 범위가 된다. 그리고, 슬러리에서 과요오드산나트륨은 0.01∼10 몰(Mole) 농도를 갖고, 연마제는 0.1∼20중량%(wt%)로 포함되어 있다. 더 바람직하게는 과요오드산나트륨은 0.01∼1 몰(Mole), 연마제는 0.1∼5중량%(wt%)가 포함되며, pH는 5.5∼6.5 범위가 되도록 한다.
과요오드산나트륨은 루테늄을 산화시킬 수 있는 아이오데이트이온(IO- 4)을 공급한다. 아이오데이트 이온은 하기의 반응식에 따라 루테늄을 산화할 수 있다.
7Ru(s) + 4IO- 4 + 4H+ →7RuO2 + 2I2 + 2H2O
루테늄 산화물은 'RuO2'처럼 플러스 4(+4)의 산화 상태로 형성될 수 있다. 본 발명의 슬러리는 pH가 5.5∼6.5 범위(약산성, 중성 및 약염기)로 유지되기 때문에, 루테늄이 플러스 4의 산화 상태로 산화된다.
슬러리의 pH가 강산성인 경우(pH=3 이하)에는 형성된 루테늄 산화물은 RuO4와 같이 플러스 8(+8)의 산화 상태일 수 있다. RuO4는 폭발성 및 독성이 강해, 반도체 소자 제조에서 부적합한 것으로 당업자에게 공지되어 있다.
본 발명에 따른 슬러리 제조방법은 다음과 같다.
증류수를 교반하면서 산화제 역할을 하는 과요오드산나트륨을 0.01∼10몰로 첨가하고 pH 조절제를 이용하여 pH를 조절한 후, 연마제를 0.1∼20중량%로 첨가하여 제조한다.
과요오드산나트륨은 루테늄을 효과적으로 산화시키며 그 농도가 증가할수록 루테늄의 식각속도가 증가하고, 얇은 부동태막을 형성시킨다. 이를 이용하여 슬러리를 제작할 경우 pH 조절제를 첨가하여 원하는 pH를 쉽게 조절할 수 있다.
증류수에 과요오드산나트륨만 용해되어 있을 경우 pH는 4.5이다. 하지만, 루테늄의 연마율(Removal Rate) 및 선택비(Selectivity) 조절을 위해 그에 맞는 pH를 조절한다. 하지만, 강산성의 경우 인체에 유해하며 유독 가스를 발생시킬수 있고, 강염기성의 경우 역시 인체에 유해하며 산화막과의 높은 식각속도로 인해 선택비의 문제가 발생할 수 있다. 이로 인해 pH는 약산에서 중성, 약염기 영역인 4∼10으로 조절하는 것이 바람직하다.
따라서, 연마율 및 선택비 향상을 위해 사용되는 pH 조절제는 산성 조절제와 염기성 조절제를 포함한다. 여기서, 약산성으로 조절하기 위한 산성조절제는 염산(HCl), 질산(HNO3), 황산(H2SO4) 또는 인산(H3PO4)을 포함하고, 약염기성으로 조절하기 위한 염기성 조절제는 수산화암모늄(NH4OH), 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 테트라메틸아민하이드록사이드(TMAH) 또는 테트라메틸아민(TMA)을 포함할 수 있다.
연마제는 알루미나(Al2O3), 실리카(SiO2), 세리아(CeO2) 및 지르코니아(ZrO2)로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있으며, 둘 이상이 조합된 조성물로도 사용할 수 있다. 루테늄의 효과적인 연마를 위해 다른 연마제에 비해 상대적으로 강도가 강한 알루미나를 선택하는 것이 더욱 바람직하다.
이하, 실험예들은 롬앤해스(Rohm & Hass) 사의 IC1400 패드를 사용하여 G&P 사의 Poli-500으로 수행되었다. 실험예3 및 실험예4를 제외한 실험예에서는 공정압력을 3 psi에서 수행하였으며 플레이튼(platen)과 헤드(head)의 회전속도를 50rpm으로 설정하였다. 슬러리 공급속도는 140ml/min로 하였으며 연마시간은 1분동안 수행하였다.
(실험예1)
실험예1에서는 과요오드산나트륨의 농도에 따른 루테늄의 연마율을 측정하였다.
증류수에 과요오드산나트륨을 0.01몰, 0.02몰, 0.06몰, 0.1몰을 각각 첨가한 후, 수산화암모늄(NH4OH)으로 pH를 9로 조절하여 연마제인 알루미나를 1중량%로 첨가하여 슬러리를 제조하였다.
도 1은 과요오드산나트륨의 농도 변화에 따른 루테늄의 연마율을 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 과요오드산나트륨의 농도가 증가함에 따라 루테늄의 제거율이 증가함을 알 수 있다. 부연하면, 과요오드산나트륨의 농도가 증가함에 따라 식각률이 증가하면서 보호막(passivation layer)이 증가하고, 이에 따라 루테늄의 식각률 증가, 보호막의 생성 및 제거로 인해 루테늄의 연마율도 동시에 증가되는 경향을 보인다.
(실험예2)
실험예2에서는 연마제로 첨가된 알루미나의 농도에 따른 루테늄의 연마율을 측정하였다. 증류수에 과요오드산 나트륨 0.1몰을 첨가한 후, 수산화암모늄(NH4OH)으로 pH를 9로 조절하여 알루미나를 0, 1, 2, 3중량%로 각각 첨가하여 슬러리를 제조하였다.
도 2는 알루미나의 농도 변화에 따른 연마율 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 알루미나의 농도가 증가함에 따라 연마율은 35nm/min까지 증가하다가 2중량% 이상에서는 더 이상 증가하지 않는다. 부연하면, 일정한 농도에서 보호막이 생성되는 속도는 일정하여 알루미나의 농도 증가에 의한 기계적 제거 효과가 증가하여도 일정 연마율 이상의 증가에는 큰 영향을 주지 못한다.
(실험예3)
실험예3에서는 연마압력의 변화에 따른 루테늄의 연마율을 측정하였다. 증류수에 과요오드산 나트륨 0.1몰을 첨가한 후, 수산화암모늄(NH4OH)으로 pH를 9로 조절하여 알루미나를 2중량%로 첨가하여 슬러리를 제조하였다. 공정압력은 1, 2, 3, 4 psi로 각각 변화시키며 실험을 수행하였다.
도 3은 연마 공정 중 가해지는 압력변수의 변화에 따른 연마율을 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 4 psi의 압력에서 70 nm/min의 연마율 보였다. 하지만 그 이상 압력이 증가하여도 연마율은 더 이상 증가하지 않았다. 부연하면, 알루미나의 경우와 마찬가지로 압력이 증가하여 기계적인 영향이 커지지만 일정 연마율 이상으로는 증가하지 않았다.
(실험예4)
실험예4에서는 pH의 변화에 따른 루테늄과 테트라에틸오소실리게이트(Tetra Ethyl Ortho Silicate, 이하, 'TEOS'라 함)의 연마율을 측정하여 선택비(Selectivity)를 측정하였다. 증류수에 과요오드산 나트륨 0.1몰을 첨가한 후, pH를 4, 6, 8, 9, 10으로 각각 조절하여 알루미나를 2중량%로 첨가하여 슬러리를 제조하였다.
도 4는 슬러리의 pH에 따른 루테늄과 TEOS의 연마율과 선택비를 보여주는 도면이다.
도 4를 참조하면, pH 6(pH=6)에서 140 nm/min의 가장 높은 연마율을 나타내었으며 TEOS에 대해 90:1의 우수한 선택비를 보여 pH=6에서 가장 우수한 연마 특성을 나타내었다
(비교예)
이하, 비교예에서는 과요오드산나트륨(NaIO4)과 같은 과요오드산의 일종인 오르토과요오드산(H5IO6)과 과요오드산칼륨(KIO4)을 적용한 경우를 비교하였다.
(pH 비교)
아래 표1은 과요오드산의 몰 농도 변화에 따른 pH를 비교한 표이다.
케미컬 몰농도 pH

H5IO6

0.01몰 1.95
0.02몰 1.6
0.06몰 1.2
0.1몰 1.02

KIO4

0.01 4.74
0.02 4.79
0.06 4.86
0.1 4,8

NaIO4

0.01 5.97
0.02 5.2
0.06 4.64
0.1 4.42
먼저, 오르토과요오드산의 경우, 강산이기 때문에 유독성의 RuO4 가스를 발생시키고, 또한 용액 상태에서 강산이므로 인체에 위험하며, pH 조절에 어려움이 있다.
그리고, 과요오드산칼륨의 경우는, 과요오드산나트륨과 비슷한 영역대의 pH를 얻을 수 있다.
(연마율 비교)
도 5는 과요오드산나트륨(NaIO4), 오르토과요오드산(H5IO6)과 과요오드산칼륨(KIO4)을 적용한 경우의 몰농도에 따른 연마율을 비교한 도면이다.
도 5를 참조하면, 몰농도가 증가할 수록 과요오드산나트륨은 연마율이 증가하고 있으나, 오르토과요오드산(H5IO6)과 과요오드산칼륨(KIO4)을 적용한 경우는 몰농도가 증가하더라도 연마율의 변화가 없다.
아울러, 오르토과요오드산(H5IO6)과 과요오드산칼륨(KIO4)을 적용한 경우는 동일한 몰농도에서 과요오드산나트륨에 비해 연마율이 현저히 낮음을 알 수 있다. 또한, 모든 몰농도에서도 오르토과요오드산(H5IO6)과 과요오드산칼륨(KIO4)을 적용한 경우는 과요오드산나트륨에 비해 연마율이 현저히 낮게 측정되었다.
특히, 과요오드산칼륨은 매우 낮은 용해도를 가져 0.06몰 이상에서는 2시간동안 스티링(stirring)을 해주어도 용해가 되지 않으며, 용해가능한 0.03몰 이하의 농도에서는 거의 식각이 일어나지 않는다. 이로 미루어 볼 때, 과요오드산칼륨은 루테늄의 연마에 적합하지 않음을 알 수 있다.
(산화막 생성 비교)
도 6은 과요오드산나트륨(NaIO4), 오르토과요오드산(H5IO6)과 과요오드산칼륨(KIO4)을 적용한 경우의 몰농도에 따른 산화막 생성 정도를 비교한 도면이다. 산 화막 생성정도는 콘택각도(Contact angle)로 측정한다.
오르토 과요오드산과 과요오드산칼륨 모두 실험에 사용된 농도영역에서 과요오드산나트륨에 비해 콘택각도가 현저히 높았으며 변화가 크지 않음을 알 수 있다. 이러한 결과는 과요오드산나트륨에서만큼 산화막이 생성되지 않았음을 의미한다.
전술한 바와 같은 표1, 도 5 및 도 6의 결과를 정리하면 다음과 같다.
오르토과요오드산은 용액내에 용해되면 H+의 발생으로 인해 pH가 강산이 되므로 유해하고, 강산의 경우 유독성 RuO4 가스를 발생시켜 인체에 유해하다. 또한, pH 조절시에도 어려움이 있고, 연마율이 과요오드산나트륨에 비해 현저히 떨어지며, 콘택각도가 과요오드산나트륨에 비해 높게 측정되어 산화력이 저하된다.
과요오드산칼륨은 pH가 과요오드산나트륨과 비슷한 값을 가지나, 용해도가 매우 낮아 슬러리로의 제작이 어렵다. 또한, 연마율이 과요오드산나트륨에 비해 현저히 떨어지고, 콘택각도가 과요오드산나트륨에 비해 높게 측정되어 산화력이 저하된다.
결국, 과요오드산나트륨은 용액내에서 약산 및 중성에 가까운 pH를 가지며, 다른 케미컬에 비해 pH의 조절이 용이하다. 그리고, 높은 연마율과 낮은 콘택각도를 가지며, 루테늄 표면에서 산화막을 용이하게 생성시킬 수 있다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 실시예에 따른 슬러리를 사용한 캐패시터의 제조 방법을 도시한 공정 단면도이다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 하부층(11) 상부에 절연막(12)을 형성한다. 여기서, 하부층(11)은 트랜지스터 및 비트라인이 등이 형성된 기판을 포함할 수 있으며, 또한 랜딩플러그콘택과 스토리지노드콘택을 포함할 수도 있다. 그리고, 절연막(12)은 산화막(Oxide)을 포함할 수 있고, 바람직하게는 포스포러스실리케이트글래스(Phosphorous Silicate Glass; PSG)와 플라즈마인핸스드테트라에틸오소실리케이트(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate; PETEOS)를 포함할 수 있다.
다음으로, 절연막(12)에 패터닝 공정을 진행하여 캐패시터의 하부전극이 형성될 요부 즉, 오픈영역을 형성한 후, 전면에 하부전극으로 사용될 도전막(13)을 증착한다. 이때, 도전막(13)은 폴리실리콘막, 티타늄질화막(TiN), 루테늄막(Ru)을 포함할 수 있다. 바람직하게, 도전막(13)은 루테늄막이고, 그 두께는 100∼1000Å 바람직하게는 100∼500Å으로 한다.
도 7b에 도시된 바와 같이, 도전막(13) 상에 캡핑막(14)을 형성한다. 이때, 캡핑막(14)은 후속 화학적기계적연마 공정시 오픈영역 내부에 형성되는 실린더구조의 하부전극에 연마잔류물에 의한 오염을 방지하기 위한 물질이다. 바람직하게, 캡핑막(14)은 감광막 또는 산화막을 이용할 수 있다.
도 7c에 도시된 바와 같이, 화학적기계적연마를 진행하여 하부전극 분리 공정을 진행한다. 즉, 도전막(13)을 화학적기계적연마를 통해 연마하므로써 오픈영역 내부에만 실린더 구조의 하부전극(13A)을 잔류시킨다. 바람직하게, 화학적기계적연마공정은 증류수, 과요오드산나트륨, 연마제 및 pH 조절제가 포함된 슬러리를 이용하여 진행한다.
먼저, pH조절제의 첨가에 의해 pH가 4∼10 범위가 되며, pH 조절제는 산성조절제 또는 염기성조절제를 포함한다. 산성 조절제는 염산(HCl), 질산(HNO3), 황산(H2SO4) 또는 인산(H3PO4)을 포함하고, 염기성 조절제는 수산화암모늄(NH4OH), 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 테트라메틸아민하이드록사이드(TMAH) 또는 테트라메틸아민(TMA)을 포함한다.
그리고, 연마제는 알루미나(Al2O3)를 포함하고, 실리카(SiO2), 세리아(CeO2) 및 지르코니아(ZrO2)로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 포함할 수도 있다. 연마제는 알루미나를 포함하는 것이 바람직하다.
그리고, 과요오드산나트륨의 몰농도는 0.1∼10몰 범위이고, 연마제의 농도는 0.1∼20중량%인 것이 바람직하다.
도 7d에 도시된 바와 같이, 캡핑막(14A)을 제거한 후, 습식딥아웃을 통해 절연막(12)을 모두 제거한다. 이때, 캡핑막(14A)이 감광막인 경우에는 플라즈마를 이용한 감광막스트립을 통해서 제거하고, 산화막인 경우에는 습식딥아웃 공정시 동시에 제거된다. 습식딥아웃은 절연막(12)이 산화막이므로, HF 또는 BOE을 이용한다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 과요오드산나트륨의 농도 변화에 따른 루테늄의 연마율을 도시한 도면.
도 2는 알루미나의 농도 변화에 따른 연마율 보여주는 도면.
도 3은 연마 공정 중 가해지는 압력변수의 변화에 따른 연마율을 보여주는 도면.
도 4는 슬러리의 pH에 따른 루테늄과 TEOS의 연마율과 선택비를 보여주는 도면.
도 5는 과요오드산나트륨(NaIO4), 오르토과요오드산(H5IO6)과 과요오드산칼륨(KIO4)을 적용한 경우의 몰농도에 따른 연마율을 비교한 도면.
도 6은 과요오드산나트륨(NaIO4), 오르토과요오드산(H5IO6)과 과요오드산칼륨(KIO4)을 적용한 경우의 몰농도에 따른 산화막 생성 정도를 비교한 도면.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 실시예에 따른 슬러리를 사용한 캐패시터의 제조 방법을 도시한 공정 단면도.

Claims (22)

  1. 증류수, 0.1∼10몰 범위의 몰농도를 갖는 과요오드산나트륨, 0.1∼20중량%을 갖는 알루미나 및 pH 조절제를 포함하고, 상기 pH 조절제의 첨가에 의해 pH가 5.5∼6.5 범위가 되는
    루테늄 연마용 슬러리.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 pH 조절제는, 산성조절제 또는 염기성조절제를 포함하는 루테늄 연마용 슬러리.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 산성 조절제는,
    염산(HCl), 질산(HNO3), 황산(H2SO4) 또는 인산(H3PO4)을 포함하는 루테늄 연마용 슬러리.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 염기성 조절제는,
    수산화암모늄(NH4OH), 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 테트라메틸아민하이드록사이드(TMAH) 또는 테트라메틸아민(TMA)을 포함하는 루테늄 연마용 슬러리.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 표면에 요부를 갖는 절연막 위에 루테늄막을 형성하는 단계; 및
    증류수, 0.1∼10몰 범위의 몰농도를 갖는 과요오드산나트륨, 0.1∼20중량%을 갖는 알루미나 및 pH 조절제를 포함하고 상기 pH 조절제의 첨가에 의해 pH가 5.5∼6.5 범위가 되는 슬러리를 이용하여 상기 요부 외측의 루테늄막을 연마하는 단계
    를 포함하는 루테늄막의 연마 방법.
  12. 삭제
  13. 제11항에 있어서,
    상기 pH 조절제는, 산성조절제 또는 염기성조절제를 포함하는 루테늄막의 연마방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 산성 조절제는,
    염산(HCl), 질산(HNO3), 황산(H2SO4) 또는 인산(H3PO4)을 포함하는 루테늄막의 연마 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 염기성 조절제는,
    수산화암모늄(NH4OH), 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 테트라메틸아민하이드록사이드(TMAH) 또는 테트라메틸아민(TMA)을 포함하는 루테늄막의 연마 방 법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 제11항에 있어서,
    상기 절연막은 산화막을 포함하는 루테늄막의 연마 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 산화막은 테트라에틸오소실리케이트(TEOS)를 포함하는 루테늄막의 연마 방법.
  22. 제11항에 있어서,
    상기 연마후에 상기 절연막의 요부 내부에 잔류하는 루테늄막은 캐패시터의 전극이 되는 루테늄막의 연마 방법.
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