JP4145273B2 - Cmpパッドコンディショナー - Google Patents
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Description
図7に、CMP装置の構成を示す。
コンディショナー55は、コンディショナー回転軸60と円板状のコンディショニングディスク61とを備える。コンディショニングディスク61は、コンディショナー回転軸60を中心として回転する。
CMPパッドコンディショナーの砥粒先端の切れ刃状態が鋭利であると、ポリッシングパッドの目立ては進行しやすいが、刃先が鋭利であるために、砥粒の微細破砕が発生しやすい。この砥粒の微細破砕や、砥粒脱落、砥粒欠損によってパッド上に硬質物質が付着すると、シリコンウエハ面にスクラッチを発生させる。
ダイヤモンド等の超砥粒を用いて、特定の砥粒だけが加工に関与するように砥粒を配置した電着砥石が、特許文献1に記載されている。
また、台金表面をサイン波状にしスラリーの排出を促進し、非研磨面の研磨によるダメージを小さくする電着砥石が、特許文献2に記載されている。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、スクラッチの発生を抑制しつつ、台金表面の最適な曲率半径、ピッチ、段差条件を見出して、ポリッシングパッドの目立てを促進することが可能なCMPパッドコンディショナーを提供することを目的とする。
図1に、本発明の実施形態に係るCMPパッドコンディショナーの構成を示す。図1(a)は、CMPパッドコンディショナーのコンディショニングディスクを示し、コンディショニングディスク1の外周側に研削部2が設けられている。研削部2の詳細を図1(b)に示す。研削部2は、基台3に砥粒4が電着によって固定されており、砥粒4は、結晶形状が整ったダイヤモンドが用いられている。基台3の表面形状を図2に基づいて説明する。
砥粒は、粒径が200μm程度であって、長径短径比が1.1以下であるものを用い、R1とR2の関係をR2=(1/5×R1)とし、ピッチを0.3mmとし、段差を0.03mmとしたCMPパッドコンディショナー(以下、「発明品」という)を作製し、以下の試験条件で試験を行った。ポリッシュ試験条件を表1に示し、パッド除去条件を表2に示す。発明品との性能比較を行うために、研削面を平坦にしたCMPパッドコンディショナー(以下、「従来品」という)を作製した。発明品、従来品のいずれも、型式は100D−4T−10Wであり、電着による単層配列とした。
2 研削部
3 基台
4 砥粒
5 基台の表面
6 凸部
7 凹部
Claims (2)
- コンディショニングディスクの外周側に設けられた研削部の基台の表面には、凸部と凹部とが径方向に交互に形成され、前記凸部と前記凹部とは前記凸部の曲率半径R1と、前記凹部の曲率半径R2とが、R2=(1/10〜10)×R1の関係を満たす滑らかな曲線によって形成されており、前記凸部の最高点と前記凹部の最低点との段差は、0.005mm以上0.05mm以下の範囲であって、前記基台上に結晶形状が整ったダイヤモンド砥粒が、その砥粒先端部の平坦な結晶面を結ぶ線が、前記基台表面の形状と同じような形状となるように電着により単層配列で固定され、前記ダイヤモンド砥粒の長径と短径との比が1.1以下であることを特徴とするCMPパッドコンディショナー。
- 前記凸部と前記凹部のピッチは、0.1mm以上であることを特徴とする請求項1記載のCMPパッドコンディショナー。
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