JP2009516360A - 金属適合フォトレジスト及び／又は犠牲反射防止コーティング除去組成物 - Google Patents

金属適合フォトレジスト及び／又は犠牲反射防止コーティング除去組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP2009516360A
JP2009516360A JP2008535667A JP2008535667A JP2009516360A JP 2009516360 A JP2009516360 A JP 2009516360A JP 2008535667 A JP2008535667 A JP 2008535667A JP 2008535667 A JP2008535667 A JP 2008535667A JP 2009516360 A JP2009516360 A JP 2009516360A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid removal
removal composition
group
ether
photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008535667A
Other languages
English (en)
Inventor
ラース，メリッサ，ケイ．
バーナード，デイビッド，ディー．
バウム，トーマス，エイチ．
ジアン，ピン
ジョウ，レンジー
ビー． コルゼンスキー，マイケル
Original Assignee
アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド filed Critical アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド
Publication of JP2009516360A publication Critical patent/JP2009516360A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D9/00—Chemical paint or ink removers
    • C09D9/04—Chemical paint or ink removers with surface-active agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3769—(Co)polymerised monomers containing nitrogen, e.g. carbonamides, nitriles or amines
    • C11D3/3773—(Co)polymerised monomers containing nitrogen, e.g. carbonamides, nitriles or amines in liquid compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/43—Solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/20—Other heavy metals
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/34—Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

フォトレジスト及び／又は犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）材料を、その上に当該材料を有するマイクロ電子デバイスから除去するための液体除去組成物及びプロセス。この液体除去組成物は、少なくとも１つの有機第４級塩基及び少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤を含む。この組成物は、集積回路の製造において、銅及びコバルトなどのマイクロ電子デバイス上の金属種のエッチングを最小限にしながら、さらに、マイクロ電子デバイス・アーキテクチャで使用される低ｋ誘電体材料への損傷なしに、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料の少なくとも部分的な除去を達成する。
【選択図】 なし

Description

[0001] 本発明は、マイクロ電子デバイス製造プロセスにおいて有用な液体除去組成物及びプロセスに関し、特に、犠牲反射防止ケイ酸塩材料が、液体除去組成物によって影響を受けないことが望ましい永久ケイ酸塩材料及び相互接続用金属と共に存在する、特に、例えば、犠牲反射防止ケイ酸塩材料などの材料が付着したマイクロ電子デバイスからのこうした材料の液体除去などのフォトレジスト除去及びケイ酸塩ストリッピングのための液体除去組成物及びプロセスに関する。
[0002] 現在、フォトリソグラフィ業界で使用される放射線には、４３６ｎｍ、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、及び１９３ｎｍの、４つの開発された波長があり、近年では、１５７ｎｍのリソグラフィ・プロセスに努力が注がれている。理論的には、各波長が短くなるにつれて、マイクロ電子デバイス・チップ上に作成されるフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅ）を小さくすることができる。しかし、マイクロ電子デバイス基板の反射性がフォトリソグラフィック波長に反比例するため、干渉や不均一に露光されたフォトレジストが、マイクロ電子デバイスの限界寸法の整合性を制限する。
[0003] 例えば、ＤＵＶ放射線に露光されると、ＤＵＶ波長に対して反射性の高い基板と組み合わされたフォトレジストの透過率は、ＤＵＶ放射線の反射をフォトレジストに戻すことになるため、それによって、フォトレジスト層内に定在波を発生させることは周知である。定在波はフォトレジスト内にさらなる光化学反応を誘発し、これが、放射線への露光を意図していないマスキング部分等のフォトレジストの不均一な露光を生じさせ、結果として線幅、間隔、及び他の限界寸法にばらつきが生じる。
[0004] 透過率及び反射性の問題に対処するために、フォトレジストの塗布に先立って基板に塗布される、２層及び３層のフォトレジスト、反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）、ならびに犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）が開発されてきた。これらの反射防止コーティングは、全て、典型的なデュアル・ダマシン集積において見られるトポロジカル・ウェハ表面上の平坦化効果を有し、いずれも、偶発ＵＶ放射線を吸収することになるスピンオン・ポリマー・マトリクスにＵＶ発色団を組み込んでいる。
[0005] ＳｉＯＣベースの誘電体と共に使用する場合、ＳＡＲＣは、２つの重要な利点を有する。すなわち、ＳＡＲＣはＴＥＯＳベースであるため、ＳｉＯＣ誘電体と同じ速度でエッチングし、これによって、トレンチ・エッチ・ストップをなくし、ビア・エッチ・ストップの厚さを５０％まで低減させることができるようなかなり優れたエッチング均一性及び制御が可能になること、ならびにエッチングされたフォトレジスト及びエッチングされたＢＡＲＣに比較して、エッチングされたＳＡＲＣにはエッチング後架橋に大幅な増加がないため、エッチングされたＳＡＲＣを液体除去組成物を使用して除去できることである。
[0006] 未処理のフォトレジストは、強アルカリ性水溶液ならびに選択された有機溶媒の溶液への溶解性を有する。しかし、通常は、誘電体材料のエッチングに使用されるような気相プラズマ・エッチングに露光されたフォトレジストは、材料の表面に硬化クラストを生じさせることになる。硬化クラストは、架橋された有機ポリマーからなり、少量のケイ素原子又は金属原子を含む可能性がある。デュアル・ダマシン・プロセスで使用されるようなフッ素ベースのプラズマ・エッチは、フォトレジスト・クラスト内にフッ素原子を付着させる可能性があり、これによりその溶解性が低下し、その化学的除去への抵抗力が増加する可能性がある。
[0007] マイクロ電子デバイス・ウェハからの硬化フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料の完全な除去は、困難及び／又は経費がかかることが証明された。層が除去されない場合、その後のケイ素化又は接触形成を妨げる可能性がある。通常、層は、酸化又は還元性のプラズマ・アッシング又は湿式洗浄によって除去される。しかし、それによって基板が酸化又は還元性のプラズマ・エッチングに露光されるプラズマ・アッシングは、結果として、フィーチャの形状及び寸法の変更、又は誘電体材料の誘電定数の増加のいずれかによって、誘電体材料に損傷を与える可能性がある。後者の問題は、オルガノシリケートグラス（ＯＳＧ）又は炭素をドープした酸化物ガラスなどの低ｋ誘電体材料（ｌｏｗ−ｋ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌ）が、下地誘電体材料である場合に、より顕著である。したがって、多くの場合、硬化フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ層を除去するためのプラズマ・アッシングの使用を避けることが望ましい。
[0008] アルミニウム、銅、又はコバルト相互接続用ワイヤを処理するためのバック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）用途において、クリーナ／腐食液組成物が使用される場合、その組成物が、例えば銅、アルミニウム、コバルトなどにおける低いエッチング率などの良好な金属適合性を有すること、ならびに永久ケイ酸塩材料がクリーナ組成物によって影響を受けないことが重要である。廃棄技法が単純であることから水性除去溶液が好ましいが、フォトレジスト「クラスト」は、通常、水性クリーナ、特に誘電体に損傷を与えないクリーナに、極端に溶けにくい。さらに水性除去溶液は、金属相互接続をエッチングすることで知られている。
[0009] フッ化水素（ＨＦ）溶液を使用して、酸化ケイ素材料をエッチングすることができる。しかし、ＨＦ溶液は、酸化ケイ素を急速かつ非選択的にエッチングするため、デバイス内の他のケイ素含有材料、特に、一般にＩＬＤとして使用されるケイ酸塩材料に損傷又は損失を引き起こす可能性がある。こうしたＩＬＤ材料には、多孔性及び非多孔性の両方の材料を含み、例えば、二酸化ケイ素、フッ素化ケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）、及びオルガノシリケートグラス（ＯＳＧ）が挙げられる。
[0010] したがって、当分野では、マイクロ電子デバイスから完全かつ効率的にフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ層を除去すると同時に、同一の広がりを持って存在する誘電体材料及び／又は相互接続用金属に対する損傷を最小限に抑えることが可能な、ＨＦを含まない液体除去組成物が求められている。
[0011] 本発明は、マイクロ電子デバイス製造プロセスにおいて有用な液体除去組成物及びプロセスに関し、特に、犠牲反射防止ケイ酸塩材料及びフォトレジスト材料などの材料がその上に付着したマイクロ電子デバイスからのこれらの材料の除去に関する。特に、液体除去組成物によって影響を受けないことが望まれる永久ケイ酸塩材料や相互接続用金属と共に、犠牲反射防止ケイ酸塩材料が存在している場合に関する。
[0012] 本発明の一態様は、ポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、ポリ（アクリルアミド）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド、アクリルアミド、アセトグアナミン、及びこれらの組合せを含むが、これらに限定されない、表面相互作用強化剤を含むクリーニング配合物などの基板処理配合物に関する。好ましくは、処理配合物は、５０重量％未満の水、より好ましくは４０重量％未満の水、さらにより好ましくは３０重量％の水、及びさらに好ましくは２５重量％未満の水を含む。
[0013] 他の態様では、本発明は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源、少なくとも１つの有機溶媒、少なくとも１つの界面活性剤、少なくとも１つのキレート剤、及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも１つの成分とを含む液体除去組成物に関し、上記液体除去組成物は、フォトレジスト及び／又は犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）材料をその上に有するマイクロ電子デバイスからこうした材料を除去するために有用である。好ましくは、液体除去組成物には研削材料を含まず、超臨界又は臨界未満ではない。
[0014] 他の態様では、本発明は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源と、少なくとも１つの有機溶媒と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として少なくとも１つの界面活性剤と、任意選択として少なくとも１つのキレート剤とを含む液体除去組成物に関し、上記液体除去組成物は、フォトレジスト及び／又は犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）材料をその上に有するマイクロ電子デバイスからこうした材料を除去するために有用である。
[0015] 他の態様では、本発明は、１つまたは複数の容器内に液体除去組成物を形成するための以下の試薬のうちの１つまたは複数を有するキットに関し、上記１つまたは複数の試薬は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源、少なくとも１つの有機溶媒、少なくとも１つの界面活性剤、少なくとも１つのキレート剤、及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも１つの成分とからなる群から選択され、このキットはフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料をその上に有するマイクロ電子デバイスからこうした材料を除去するために好適な液体除去組成物を形成するように適合される。
[0016] 他の態様では、本発明は、その上に除去材料を有するマイクロ電子デバイスから上記材料を除去する方法に関し、上記方法は、マイクロ電子デバイスから上記材料を少なくとも部分的に除去するために十分な時間、マイクロ電子デバイスを液体除去組成物と接触させるステップを有し、この液体除去組成物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源、少なくとも１つの有機溶媒、少なくとも１つの界面活性剤、少なくとも１つのキレート剤、及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも１つの成分とを含む。
[0017] 他の態様では、本発明は、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料をその上に有するマイクロ電子デバイスから上記材料を除去する方法に関し、上記方法は、マイクロ電子デバイスから上記材料を少なくとも部分的に除去するために十分な時間、マイクロ電子デバイスを液体除去組成物と接触させるステップを有し、この液体除去組成物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源、少なくとも１つの有機溶媒、少なくとも１つの界面活性剤、少なくとも１つのキレート剤、及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも１つの成分とを含む。
[0018] 他の態様では、本発明は、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料をその上に有するマイクロ電子デバイスから上記材料を除去する方法に関し、上記方法は、マイクロ電子デバイスから上記材料を少なくとも部分的に除去するために十分な時間、マイクロ電子デバイスを液体除去組成物と接触させるステップを有し、この液体除去組成物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源と、少なくとも１つの有機溶媒と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として少なくとも１つの界面活性剤と、少なくとも１つのキレート剤とを含む。
[0019] 本発明の他の態様は、液体除去組成物と、マイクロ電子デバイスと、その上のフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料とを含む製造品に関し、液体除去組成物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源、少なくとも１つの有機溶媒、任意選択として少なくとも１つの界面活性剤、少なくとも１つのキレート剤、及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも１つの成分とを含む。
[0020] 他の態様では、本発明は、マイクロ電子デバイスを製造する方法に関し、上記方法は、マイクロ電子デバイスからフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料を少なくとも部分的に除去するために十分な時間、マイクロ電子デバイスを液体除去組成物と接触させるステップを有し、この液体除去組成物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源、少なくとも１つの有機溶媒、少なくとも１つの界面活性剤、少なくとも１つのキレート剤、及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも１つの成分とを含む。
[0021] 本発明の他の態様は、改良されたマイクロ電子デバイスと、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料をその上に有するマイクロ電子デバイスからの上記材料の除去、本明細書に記載された方法及び／又は組成物を使用するステップ、ならびに任意選択として、マイクロ電子デバイスを製品に組み込むステップを含む本発明の方法を使用して作成された同一のものを組み込む製品とに関する。
[0022] 本発明の他の態様は、少なくとも１つの共溶媒及び少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤を含む液体除去組成物に関し、上記表面相互作用強化添加剤は、ポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、ポリ（アクリルアミド）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド、アクリルアミド、アセトグアナミン、及びこれらの組合せからなる群から選択された種を含み、上記除去組成物は、フォトレジスト及び／又は犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）材料をその上に有するマイクロ電子デバイスからこうした材料を除去するために有用である。好ましくは、除去組成物には研削材料を含まず、超臨界又は臨界未満ではない。
[0023] 本発明の他の態様、特徴、及び実施形態については、以下の開示及び添付の特許請求の範囲からより完全に明らかとなろう。
[0024] 本発明は、フォトレジスト及び／又は犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）材料をその上に有するマイクロ電子デバイスからこうした材料を除去するために有用な液体除去組成物を企図する。
[0025] 参照しやすくするために、「マイクロ電子デバイス」は、マイクロ電子、集積回路、又はコンピュータ・チップの用途に使用するために製造された半導体基板、フラット・パネル・ディスプレイ、及びマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）に対応する。「マイクロ電子デバイス」という用語は、いかなる場合も制限的な意味ではなく、最終的にはマイクロ電子デバイスまたはマイクロ電子アセンブリとなる任意の基板を含むことを理解されたい。
[0026] 本明細書においては、「低ｋ誘電体材料」は、層状のマイクロ電子デバイスにおいて誘電体材料として使用される任意の材料に対応し、この材料は約３．５未満の誘電定数を有する。好ましくは、低ｋ誘電体材料は、ケイ素含有有機ポリマー、ケイ素含有ハイブリッド有機／無機材料、オルガノシリケートグラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化ケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）、二酸化ケイ素、及び炭素をドープした酸化物（ＣＤＯ）ガラスなどの低極性材料を含む。低ｋ誘電体材料は、変動密度及び変動多孔性を有することがある。
[0027] 本明細書で使用される場合、「約」とは、示された値の±５％に対応することが意図される。
[0028] 本明細書で使用される場合、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料をその上に有するマイクロ電子デバイスからこうした材料を除去するための「適応性」とは、マイクロ電子デバイスからの上記材料の少なくとも部分的な除去に対応する。好ましくは材料の少なくとも約９０％、より好ましくは材料の少なくとも９５％、最も好ましくは材料の少なくとも９９％が、本発明の組成物を使用してマイクロ電子デバイスから除去される。
[0029] 本明細書においては、「フォトレジスト」は、現像済み及び未現像のフォトレジスト材料、プラズマ・エッチングされた例えば集積回路のＢＥＯＬデュアル・ダマシン処理中に硬化されたフォトレジスト、及び／又は例えば半導体ウェハの適切な層にドーパント種を注入するためのフロント・エンド・オブ・ライン（ＦＥＯＬ）処理中に、イオン注入されたフォトレジストを含むが、これらに限定されない。ＦＥＯＬ処理中にイオン注入されたフォトレジストは、ホウ素、ヒ素、及びリンからなる群から選択された種を含むことができ、したがって、エッチング後の残留物には上記種が含まれる場合がある。
[0030] 本明細書において、「エッチング後の残留物」は、気相プラズマ・エッチング・プロセス、例えば、ＢＥＯＬデュアル・ダマシン処理、の後に残る物質に対応する。エッチング後の残留物は、例えば、ケイ素含有材料、窒素含有材料、酸素含有材料、ポリマー残留材料、銅含有残留材料、塩素及びフッ素などのエッチング・ガス残留物、ならびにこれらの組合せなどの本質的に有機、有機金属、有機ケイ素、又は無機物であってもよい。
[0031] 本発明の組成物は、以下でより完全に説明するように、多種多彩な特定の配合で具体化することができる。
[0032] 重要なことに、本発明の液体除去組成物は、良好な金属適合性、例えば金属に対する低いエッチング速度等、を有していなければならない。当該金属には、銅、タングステン、コバルト、アルミニウム、タンタル、モリブデン、ニッケル、ルテニウム、これらのケイ化物、これらの合金、及びこれらの組合せが含まれるが、これらに限定されない。
[0033] 組成物の特定の成分について下限値ゼロを含む重量％範囲に関して論じられるこうしたすべての組成物においては、組成物の様々な特定の実施形態において、これらの成分は存在する場合としない場合があり、例えばこうした成分が存在する場合、これらは、これらの成分が使用される組成物の総重量に対して、０．００１重量％まで低い濃度で存在することができる。
[0034] 一態様では、本発明は、マイクロ電子デバイスの基板からフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ層を除去する際に有用な液体除去組成物に関する。広義には、本発明の配合物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、水と、任意選択として少なくとも１つのアルカリまたはアルカリ土類金属源と、任意選択として少なくとも１つの溶媒、アミン、又はこれらの組合せと、任意選択として少なくとも１つのキレート／不活性化剤と、任意選択として少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として少なくとも１つの界面活性剤とを含む。この配合物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、水と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源と、任意選択として少なくとも１つの溶媒、アミン、又はこれらの組合せと、任意選択として少なくとも１つのキレート／不活性化剤と、任意選択として少なくとも１つの界面活性剤とを含むことができる。一実施形態では、この配合物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、水と、少なくとも１つのアルカリまたはアルカリ土類金属源と、少なくとも１つの溶媒、アミン、またはこれらの組合せと、少なくとも１つのキレート／不活性化剤とを含む。他の実施形態では、この配合物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、水と、少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源と、少なくとも１つの溶媒、アミン、またはこれらの組合せと、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として少なくとも１つのキレート／不活性化剤と、任意選択として少なくとも１つの界面活性剤とを含む。さらに他の実施形態は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、水と、少なくとも１つのアルカリまたはアルカリ土類金属源と、少なくとも１つのキレート／不活性化剤と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤とを含む配合物に関する。さらに他の実施形態では、この配合物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、水と、少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、少なくとも１つの界面活性剤とを含む。他の実施形態では、この配合物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、水と、少なくとも１つの溶媒、アミン、又はこれらの組合せと、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、少なくとも１つの界面活性剤とを含む。さらに他の実施形態では、この配合物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、水と、少なくとも１つのアルカリまたはアルカリ土類金属源と、少なくとも１つの溶媒、アミン、又はこれらの組合せと、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、少なくとも１つの界面活性剤とを含む。さらにまた他の実施形態では、この配合物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、水と、少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源と、少なくとも１つの溶媒、アミン、又はこれらの組合せと、少なくとも１つのキレート／不活性化剤と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤とを含む。
[0035] 広義には、本発明の配合物は、組成物の総重量に基づいて、以下の範囲内に存在する以下の成分を含む。
Figure 2009516360
 各任意成分は存在する場合、その下限は、約０．０１重量％であり、例外としてアルカリ又はアルカリ土類金属源は、約０．００１重量％まで低い場合がある。
[0036] 本発明の広義の実施では、液体除去組成物は、（ｉ）有機第４塩基と、水と、アルカリ又はアルカリ土類金属源と、溶媒、アミン、又はこれらの組合せと、キレート／不活性化剤、（ｉｉ）有機第４級塩基と、水と、アルカリ又はアルカリ土類金属源と、溶媒、アミン、又はこれらの組合せと、表面相互作用強化添加剤と、任意のキレート／不活性化剤と、任意の界面活性剤、（ｉｉｉ）有機第４級塩基と、水と、アルカリ又はアルカリ土類金属源と、キレート／不活性化剤と、表面相互作用強化添加剤、（ｉｖ）有機第４塩基と、水と、アルカリ又はアルカリ土類金属源と、表面相互作用強化添加剤と、界面活性剤、（ｖ）有機第４級塩基と、水と、溶媒、アミン、又はこれらの組合せと、表面相互作用強化添加剤と、界面活性剤、（ｖｉ）有機第４級塩基と、水と、アルカリ又はアルカリ土類金属源と、溶媒、アミン、又はこれらの組合せと、表面相互作用強化添加剤と、界面活性剤、（ｖｉｉ）有機第４塩基と、水と、アルカリ又はアルカリ土類金属源と、溶媒、アミン、又はこれらの組合せと、キレート／不活性化剤と、表面相互作用強化添加剤、又は（ｖｉｉｉ）有機第４級塩基と、水と、表面相互作用強化添加剤と、任意のアルカリ又はアルカリ土類金属源と、任意の溶媒、アミン、又はこれらの組合せと、任意のキレート／不活性化剤と、任意の界面活性剤を含むか、これらからなるか、又は本質的にこれらからなることができる。一般に、互いの特定の割合及び量の成分は、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ層種及び／又は処理機器に対して、液体除去組成物の所望の除去作用を提供するために、好適に変えることができることは、当業者であれば過度の努力なしに容易に判別できる。
[0037] 本発明の組成物は、以下でより十分に説明するように、多種多彩な特定の配合物で具体化することができる。さらに、マイクロ電子デバイス基板からフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ層を除去するために組成物が配合される場合、組成物は、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、セリア、ジルコニア、ゲルマニア、マグネシア、これらの共形成及びこれらの組合せ、フッ素種、ならびにヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミンの誘導体などのオキソアンモニウム化合物などの研削剤がほとんど含まれない。本明細書で「ほとんど含まれない」とは、２重量％未満として定義され、好ましくは１重量％未満、より好ましくは０．５重量％未満、さらにより好ましくは０．１重量％未満、最も好ましくは約０．０１％未満である。
[0038] 本発明の組成物は、約１１から約１４の範囲のｐＨを有し、好ましくは約１２から約１４の範囲である。
[0039] 特定の一実施形態では、液体除去組成物は、以下の成分を含む。
Figure 2009516360
 ここで、成分の割合は組成物の総重量に基づく重量による割合であって、組成物のこうした成分の重量割合の合計が１００重量％を超えることはない。好ましい実施形態では、液体除去組成物は、約０．０１％から約１．０％のキレート／不活性化剤を含む。
[0040] さらに他の実施形態では、液体除去組成物は以下の成分を含む。
Figure 2009516360
 ここで、成分の割合は組成物の総重量に基づく重量による割合であって、組成物のこうした成分の重量割合の合計が１００重量％を超えることはない。
[0041] 好ましい実施形態では、組成物は、約０．０１重量％から約５．０重量％の濃度の界面活性剤を含む。
[0042] こうした組成物は、任意選択として、安定剤、分散剤、抗酸化剤、浸透剤、補助剤、添加剤、充填剤、賦形剤などの活性成分ならびに非活性成分を含む追加の成分を含むことができる。
[0043] 本明細書で企図される有機第４級塩基は、（ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４）ＯＨを含むが、これらに限定されることはなく、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は同じであるか、又は互いに異なり、水素と、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、及びヘプチルなどの直鎖または分岐状のＣ１−Ｃ７アルキル基と、例えばベンジルなどのＣ６−Ｃ１０アリール基と、アルコール基と、アルケン、アルキンなどの任意の炭素系有機基であって、アルキル、アルコール、及び炭素系の基は直鎖及び／又は分岐状である可能性があり、すべての基は置換可能である炭素系有機基と、これらの組合せとからなる群からそれぞれ独立に選択される。「アリール」という用語は、炭素環式（例えば、フェニル、ナフチル）基を言い表し、未置換ならびに置換のアリール基を包含するものと広義に解釈されることが意図される。アルコール基を伴う水酸化テトラアルキルアンモニウムの例にはコリンが含まれる。置換アリール基に対する置換基の例には、１つまたは複数のＣ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、及びヒドロキシル基が含まれる。好ましくは、有機第４級塩基は、水酸化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＨ）、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム（ＢＴＭＡＨ）、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、及びこれらの組合せを含む。
[0044] アルカリ又はアルカリ土類金属源成分が、水酸化カリウム、塩化カリウム、塩化物イオン及び水酸化物イオンとサイズが相応した陰イオンを有する他のカリウム塩、ならびにこれらの組合せを含むようなタイプの組成物は、誘電体層への悪影響なしに効率の高いクリーニングを達成する際に、特に有利である。アルカリ又はアルカリ土類金属陽イオンがカリウムのイオン半径よりも大きいか又は等しいイオン半径を有するという条件で、他のアルカリ又はアルカリ土類金属塩が検討される。
[0045] こうした組成物に好適な溶媒種は、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチレンジアミン、メチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ペンタメチルジエチレントリアミン、ジメチルジグリコールアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン、アミノプロピルモルホリン、ヒドロキシエチルモルホリン、アミノエチルモルホリン、ヒドロキシプロピルモルホリン、ジグリコールアミン、Ｎ−メチルピロリジノン（ＮＭＰ）、Ｎ−オクチルピロリジノン、Ｎ−フェニルピロリジノン、シクロヘキシルピロリジノン、及びビニルピロリジノンなどのアミン類と、テトラメチレン・スルホンなどの硫黄含有溶媒と、エチレン・グリコール、プロピレン・グリコール（１，２−プロパンジオール）、及びネオペンチル・グリコールなどのグリコール類と、ジエチレン・グリコール・モノメチル・エーテル、トリエチレン・グリコール・モノメチル・エーテル、ジエチレン・グリコール・モノエチル・エーテル、トリエチレン・グリコール・モノエチル・エーテル、エチレン・グリコール・モノプロピル・エーテル、エチレン・グリコール・モノブチル・エーテル、ジエチレン・グリコール・モノブチル・エーテル、トリエチレン・グリコール・モノブチル・エーテル、エチレン・グリコール・モノヘキシル・エーテル、ジエチレン・グリコール・モノヘキシル・エーテル、エチレン・グリコール・フェニル・エーテル、プロピレン・グリコール・メチル・エーテル、ジプロピレン・グリコール・メチル・エーテル、トリプロピレン・グリコール・メチル・エーテル、プロピレン・グリコールｎ−プロピル・エーテル、ジプロピレン・グリコールｎ−プロピル・エーテル、トリプロピレン・グリコールｎ−プロピル・エーテル、プロピレン・グリコールｎ−ブチル・エーテル、ジプロピレン・グリコールｎ−ブチル・エーテル、トリプロピレン・グリコールｎ−ブチル・エーテル、及びプロピレン・グリコール・フェニル・エーテル（フェノキシ−２−プロパノール）などのグリコール・エーテル類と、これらの組合せとを含むが、これらに限定されない。好ましくは、溶媒種は、１，２−プロパンジオール、フェノキシ−２−プロパノール、ヒドロキシエチルモルホリン、及びジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテルを含む。
[0046] こうした組成物中のキレート／不活性化剤は、任意の好適なタイプとすることができ、１，２，４−トリアゾールなどのトリアゾール類、又はベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロ−ベンゾトリアゾール（ハロ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩ）、ナフトトリアゾールなどのようなＣ１−Ｃ８アルキル、アミノ、チオール、メルカプト、イミノ、カルボキシ、及びニトロ基などの置換基で置換されたトリアゾール類、ならびに２−メルカプトベンゾイミジゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、メルカプトベンゾチアゾール、イミダゾリン・チオン、メルカプトベンズイミダゾール、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾチアゾール、リン酸トリトリル、インジアゾールなどのようなチアゾール類、テトラゾール類、イミダゾール類、リン酸塩類、チオール類、及びアジン類を含むことができるが、これらに限定されない。好適なキレート種は、グアニン、尿素、アデニン、グリセロール、チオグリセロール、ニトリロ三酢酸、サリチルアミド、ベンゾグアナミン、メラミン、ｔｈｉｏｃｙｒａｎｕｒｉｃ ａｃｉｄ、アントラニル酸、没食子酸、アスコルビン酸、サリチル酸、８−ヒドロキシキノリン、５−カルボン酸−ベンゾトリアゾール、３−メルカプトプロパノール、ホウ酸、イミノ二酢酸などのようなグリセロール類、アミノ酸類、カルボン酸類、アルコール類、アミド類、及びキノリン類をさらに含む。キレートは、組成物と、半導体デバイスで使用される金属及び誘電体材料との適合性を向上させるために有用に使用される。好ましくは、キレートは２−メルカプトベンズイミダゾールである。
[0047] 本発明の液体除去組成物中の好適な界面活性剤は、クラッチャー他の名前で米国特許第５９７２８７５号に記載されたような、ＴＯＭＡＨ ＡＯ−４５５、ＡＯ−４０５などのビス−（２−ヒドロキシエチル）イソデシルオキシプロピルアミン・オキシド、アルコキシル化エーテル・アミン・オキシド類、及びＴＯＭＡＨ ＡＯ−１４−２などの分岐状のＣ１０アルコールから導出されたエーテル・アミン・オキシド類を含むことができる。
[0048] 理論によって縛られることは望まないが、表面相互作用強化添加剤は、水酸化物化合物と連携して、ＳＡＲＣ層材料を効率よく除去するための機能を向上させると考えられる。表面相互作用強化添加剤は、ポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルメチルアンモニウム・クロライド）、ポリ（アクリルアミド）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド、アクリルアミド、アセトグアナミン、及びこれらの組合せを含むが、これらに限定されない。
[0049] 様々な好ましい実施形態では、液体除去組成物は以下の配合Ａ〜Ｗで配合され、ここですべての割合は配合物の総重量に基づく重量による。
配合Ａ：３．６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１５．７３％の水、１８．８３％のフェノキシ−２−プロパノール、５６．４９％の１，２−プロパンジオール、５％のヒドロキシエチルモルホリン
配合Ｂ：３．６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１５．７３％の水、１８．８３％のフェノキシ−２−プロパノール、５６．４９％の１，２−プロパンジオール、５％のシクロヘキシルピロリジノン
配合Ｃ：４．８％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１７．５３％の水、４２．１９％のフェノキシ−２−プロパノール、３０．１３％の１，２−プロパンジオール、５％のヒドロキシエチルモルホリン
配合Ｄ：６．０％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１９．３３％の水、４０．４１％のフェノキシ−２−プロパノール、２８．９１％の１，２−プロパンジオール、５％のヒドロキシエチルモルホリン
配合Ｅ：４．８％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１７．５３％の水、３９．２５％のフェノキシ−２−プロパノール、２８．０７％の１，２−プロパンジオール、１０％のヒドロキシエチルモルホリン
配合Ｆ：３．６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、１．２５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１９．４８％の水、４１．００％のフェノキシ−２−プロパノール、２９．３２％の１，２−プロパンジオール、５％のヒドロキシエチルモルホリン
配合Ｇ：３．６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、２．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、２３．２３％の水、３８．０８％のフェノキシ−２−プロパノール、２７．２４％の１，２−プロパンジオール、５％のヒドロキシエチルモルホリン
配合Ｈ：３．６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、１．２５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１９．４８％の水、３８．０８％のフェノキシ−２−プロパノール、２７．２４％の１，２−プロパンジオール、１０％のヒドロキシエチルモルホリン
配合Ｉ：１．６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、２．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１０．２３％の水、４９．７４％のフェノキシ−２−プロパノール、３５．５８％の１，２−プロパンジオール
配合Ｊ：１．６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、２．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、２０．２３％の水、４３．９１％のフェノキシ−２−プロパノール、３１．４１％の１，２−プロパンジオール
配合Ｋ：１．６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、２．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、２０．２３％の水、４１．０％のフェノキシ−２−プロパノール、２９．３２％の１，２−プロパンジオール、５．０％のテトラメチレン・スルホン
配合Ｌ：１．６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、２．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１０．２３％の水、５％のテトラメチレン・スルホン、４６．８３％のフェノキシ−２−プロパノール、３３．４９％の１，２−プロパンジオール
配合Ｍ：３．６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、２．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１３．２３％の水、５％のテトラメチレン・スルホン、４３．９１％のフェノキシ−２−プロパノール、３１．４１％の１，２−プロパンジオール
配合Ｎ：３．６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、２．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、２３．２３％の水、５％のテトラメチレン・スルホン、３８．０８％のフェノキシ−２−プロパノール、２７．２４％の１，２−プロパンジオール
配合Ｏ：３．６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、２．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１８．２３％の水、５％のテトラメチレン・スルホン、４１．００％のフェノキシ−２−プロパノール、２９．３２％の１，２−プロパンジオール
配合Ｐ：３．３４％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、１．１９％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、８．９２％の水、１７．２４％のテトラメチレン・スルホン、５１．７２％の１，２−プロパンジオール、１７．２４％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル
配合Ｑ：４．０％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、２．０％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、７．２５％の水、２５％のテトラメチレン・スルホン、５１．４％の１，２−プロパンジオール、１０％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル
配合Ｒ：３．４６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、１．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１０．０５％の水、３０％のテトラメチレン・スルホン、５％のフェノキシ−２−プロパノール、３４．５５％の１，２−プロパンジオール、１５％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル
配合Ｓ：３．４６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、１．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、９．９４％の水、２０％のテトラメチレン・スルホン、５％のフェノキシ−２−プロパノール、４４．７５％の１，２−プロパンジオール、１５％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル
配合Ｔ：３．４６％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、１．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１０．０２％の水、２５％のテトラメチレン・スルホン、５％のフェノキシ−２−プロパノール、３９．６７％の１，２−プロパンジオール、１５％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル
配合Ｕ：３．４６％のＢＴＭＡＨ、０．３６％の水酸化カリウム、１．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１０．１３％の水、２５％のテトラメチレン・スルホン、５％のフェノキシ−２−プロパノール、３９．４７％の１，２−プロパンジオール、１５％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル
配合Ｖ：３．７３％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、１．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１０．４２５％の水、２５％のテトラメチレン・スルホン、５％のフェノキシ−２−プロパノール、３８．９９５％の１，２−プロパンジオール、１５％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル
配合Ｗ：３．７３％のＢＴＭＡＨ、０．３６％の水酸化カリウム、１．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１０．５３５％の水、２５％のテトラメチレン・スルホン、５％のフェノキシ−２−プロパノール、３８．７９５％の１，２−プロパンジオール、１５％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル
[0050] 他の実施形態は、クリーニング配合Ｘ〜ＡＪを含み、ここですべての割合は配合物の総重量に基づく重量による。配合Ｘ〜ＡＪはすべて、１５％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、２５％のテトラメチレン・スルホン、５％のフェノキシ−２−プロパノール、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、０．２７％の水酸化カリウム、ならびに列挙された割合のＢＴＭＡＨ、ＴＭＡＨ、水、及びプロピレン・グリコールを含む。
Figure 2009516360
[0051] 他の実施形態は、クリーニング配合ＡＫ〜ＡＱを含み、ここですべての割合は、配合物の総重量に基づく重量による。配合ＡＫ〜ＡＱは、すべて、３．７３％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、１．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、０．２７％の水酸化カリウム、５％のフェノキシ−２−プロパノール、及び１２．５％の水、ならびに列挙された割合のテトラメチレン・スルホン、ジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、及びプロピレン・グリコールを含む。
Figure 2009516360
[0052] さらに他の実施形態では、液体除去組成物は配合ＢＡ〜ＢＮを含み、ここですべての割合は、配合物の総重量に基づく重量による。配合ＢＡ〜ＢＮはすべて、３．０％のＢＴＭＡＨ、０．２９２５％の水酸化カリウム、及び対応する量の列挙された成分を含む。
Figure 2009516360
[0053] さらに他の実施形態では、液体除去組成物は配合ＢＯ〜ＢＴを含み、ここですべての割合は配合物の総重量に基づく重量による。配合ＢＯ〜ＢＴはすべて、３．０％のＢＴＭＡＨ、０．２９２５％の水酸化カリウム、及び対応する量の列挙された成分を含む。
Figure 2009516360
[0054] さらに他の実施形態では、液体除去組成物は配合ＢＵ〜ＢＺを含み、ここですべての割合は、配合物の総重量に基づく重量による。配合ＢＵ〜ＢＺは、すべて、３．０％のＢＴＭＡＨ、０．２９２５％の水酸化カリウム、０．１５％のポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、及び対応する量の列挙された成分を含む。
Figure 2009516360
[0055] さらに他の実施形態では、液体除去組成物は配合ＢＡ２〜ＢＨ２を含み、ここですべての割合は、配合物の総重量に基づく重量による。配合ＢＡ２〜ＢＨ２はすべて、３．０％のＢＴＭＡＨ、０．２９２５％の水酸化カリウム、０．１５％のポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、及び対応する量の列挙された成分を含む。
Figure 2009516360
[0056] さらに他の実施形態では、液体除去組成物は配合ＢＩ２〜ＢＲ２を含み、ここですべての割合は、配合物の総重量に基づく重量による。配合ＢＩ２〜ＢＲ２はすべて、０．１５％のポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、０．１％のＴＯＭＡＨ ＡＯ−４０５、及び対応する量の列挙された成分を含む。
Figure 2009516360
[0057] さらに他の実施形態では、液体除去組成物は配合ＢＳ２〜ＢＢ２を含み、ここですべての割合は、配合物の総重量に基づく重量による。配合ＢＳ２〜ＢＢ２はすべて、０．１５％のポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、０．１％のＴＯＭＡＨ ＡＯ−４０５、５．２％のＢＴＭＡＨ、及び対応する量の列挙された成分を含む。
Figure 2009516360
[0058] 他の実施形態では、液体除去組成物は配合ＢＣ３〜ＢＨ３を含み、ここですべての割合は、配合物の総重量に基づく重量による。配合ＢＣ３〜ＢＨ３は、すべて、０．１５％のポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、０．１％のＴＯＭＡＨ ＡＯ−４５５、８．２５％の水酸化テトラブチルアンモニウム、１０％のテトラメチレン・スルホン、２０％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、及び対応する量の列挙された成分を含む。
Figure 2009516360
[0059] 本発明の他の実施形態では、液体除去組成物は配合ＢＩ３〜ＢＭ３を含み、ここですべての割合は、配合物の総重量に基づく重量による。配合ＢＩ３〜ＢＭ３は、すべて、０．１５％のポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、０．１％のＴＯＭＡＨ ＡＯ−４０５、８．２５％の水酸化テトラブチルアンモニウム、２２％のテトラメチレン・スルホン、２７％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、及び対応する量の列挙された成分を含む。
Figure 2009516360
[0060] 本発明のさらに他の実施形態では、液体除去組成物は配合ＢＮ３〜ＢＳ３を含み、ここですべての割合は、配合物の総重量に基づく重量による。配合ＢＮ３〜ＢＳ３は、すべて、０．１５％のポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、０．１％のＴＯＭＡＨ ＡＯ−４０５、２０％のテトラメチレン・スルホン、１０％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、６０％の水、及び対応する量の列挙された成分を含む。
Figure 2009516360
[0061] 本発明のさらに他の実施形態では、液体除去組成物は配合ＢＴ３〜ＣＥを含み、ここですべての割合は、配合物の総重量に基づく重量による。配合ＢＴ３〜ＣＥは、すべて、０．１５％のポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、０．１％のＴＯＭＡＨ ＡＯ−４０５、及び対応する量の列挙された成分を含み、ここで、テトラメチレン・スルホン：ジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル溶液は、２２：２７の割合である。
Figure 2009516360
[0062] 本発明の他の実施形態では、液体除去組成物は配合ＣＦ〜ＣＱを含み、ここですべての割合は、配合物の総重量に基づく重量による。配合ＣＦ〜ＣＱは、すべて、０．１５％のポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、０．１％のＴＯＭＡＨ ＡＯ−４０５、２２％のテトラメチレン・スルホン、２７％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、及び対応する量の列挙された成分を含む。
Figure 2009516360
[0063] 本発明の他の実施形態では、液体除去組成物は配合ＣＲ及びＣＳを含み、ここで、ＣＲは、０．１５％のポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、２２％のスルホン、２７％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、２．９％のＢＴＭＡＨ、０．０１８％のＫＯＨ、１７．９％のプロピレン・グリコール、０．０８％のＭＢＩ、及び２９．９５％の水を含み、ＣＳは、０．１５％のポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、２２％のスルホン、２７％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、２．９％のＢＴＭＡＨ、０．００９％のＫＯＨ、１７．９％のプロピレン・グリコール、０．０８％のＭＢＩ、及び２９．９６％の水を含む。
[0064] 本発明のさらに他の実施形態では、液体除去組成物は、上記で列挙された少なくとも１つの第４級塩基、塩化カリウム、及び少なくとも１つの、上記に列挙したキレート／不活性化剤を含む。好ましくは、キレート／不活性化剤は、尿素、２−メルカプトベンズイミダゾール、１，２，４−トリアゾール、及びこれらの組合せからなる群から選択することができる。別の方法としては、液体除去組成物は、少なくとも１つの第４級塩基、塩化カリウム、尿素、及び少なくとも１つの追加のキレート／不活性化剤を含む。液体除去組成物のこの実施形態は、配合ＤＡ〜ＤＩを含み、ここですべての割合は、配合物の総重量に基づく重量による。
配合ＤＡ：２．９％のＢＴＭＡＨ、０．０２５％のＫＯＨ、２２％のジ（エチレン・グリコール）ブチル・エーテル、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１．５重量％の尿素、２７％のスルホン、１７．９のプロピレン・グリコール、２８．５９５％の水
配合ＤＢ：２．９％のＢＴＭＡＨ、０．０２５％のＫＯＨ、２２％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１．５重量％の尿素、２７％のスルホン、１７．９のエチレン・グリコール、２８．５９５％の水
配合ＤＣ：２．９％のＢＴＭＡＨ、０．０２５％のＫＣＬ、２２％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１．５重量％の尿素、２７％のスルホン、１７．９のプロピレン・グリコール、２８．５９５％の水
配合ＤＤ：１．５％のＢＴＭＡＨ、０．０２５％のＫＯＨ、２２％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１．５重量％の尿素、２７％のスルホン、１７．９のプロピレン・グリコール、２７．９９５％の水
配合ＤＥ：２．９％のＢＴＭＡＨ、０．０２５％のＫＯＨ、２２％のジ（エチレン・グリコール）ブチル・エーテル、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１．５重量％の尿素、２７％のスルホン、１７．９のエチレン・グリコール、２８．５９５％の水
配合ＤＦ：２．９％のＴＭＡＨ、０．０２５％のＫＯＨ、２２％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１．５重量％の尿素、２７％のスルホン、１７．９のプロピレン・グリコール、２８．５９５％の水
配合ＤＧ：２．９％のＴＭＡＨ、０．０２５％のＫＣＬ、２２％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１．５重量％の尿素、２７％のスルホン、１７．９のプロピレン・グリコール、２８．５９５％の水
配合ＤＨ：２．９％のＴＭＡＨ、０．０２５％のＫＣＬ、２２％のジ（エチレン・グリコール）ブチル・エーテル、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１．５重量％の尿素、２７％のスルホン、１７．９のエチレン・グリコール、２８．５９５％の水
配合ＤＩ：２．９％のＴＭＡＨ、０．０２５％のＫＣＬ、２２％のジ（エチレン・グリコール）ブチル・エーテル、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１．５重量％の尿素、１４％のスルホン、１７．９のエチレン・グリコール、４１．５９５％の水
[0065] 本発明のさらに他の実施形態では、液体除去組成物は約３５から約６５重量％の１，２−プロパンジオール、約５から約２５重量％のテトラメチレン・スルホン、約２から約１５重量％のフェノキシ−２−プロパノール、約２から約１５重量％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル、約１から約６重量％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、約０．５から約３重量％の水酸化テトラエチルアンモニウム、約０．００１から約０．３重量％の２−メルカプトベンズイミダゾール、約０．１から約０．５重量％のＫＯＨ、及び約５から約５０重量％の水を含む。例えば、液体除去組成物は、以下の配合ＥＡ〜ＥＤで配合され、ここですべての割合は、配合物の総重量に基づく重量による。
配合ＥＡ：３．７３％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、１．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１２．７７７％の水、２５％のテトラメチレン・スルホン、５％のフェノキシ−２−プロパノール、３６．６４％の１，２−プロパンジオール、１５％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル
配合ＥＢ：３．７３％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、１．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１０．３９％の水、２５％のテトラメチレン・スルホン、５％のフェノキシ−２−プロパノール、３９．０３２％の１，２−プロパンジオール、１５％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル
配合ＥＣ：３．１８％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、１．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１３％の水、２５％のテトラメチレン・スルホン、５％のフェノキシ−２−プロパノール、３６．９７６％の１，２−プロパンジオール、１５％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル
配合ＥＤ：３．１８％のＢＴＭＡＨ、０．２７％の水酸化カリウム、１．５％のＴＭＡＨ、０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール、１３％の水、２０％のテトラメチレン・スルホン、５％のフェノキシ−２−プロパノール、４１．９７６％の１，２−プロパンジオール、１５％のジ（エチレン・グリコール）メチル・エーテル
[0066] 除去組成物が存在する場合、その成分の重量％比の範囲は、アルカリまたはアルカリ土類金属源対有機第４塩基が、約０．００１：１から約０．３：１、より好ましくは約０．００１：１から約０．１：１、表面相互作用強化添加剤対有機第４級塩基が約０．０１：１から約０．２：１、好ましくは約０．０３：１から約０．０７：１、
界面活性剤対有機第４級塩基が、約０．０１：１から約０．０７：１、好ましくは約０．０３：１から約０．０５：１、水対有機第４級塩基が、約１：１から約６５：１、好ましくは約２：１から約４５：１、溶媒、アミン、又はこれらの組合せ対有機第４級塩基が、約１：１から約５５：１、好ましくは約１０：１から約３０：１、及びキレート／不活性化剤対有機第４級塩基が、約０．０１：１から約０．１：１、好ましくは約０．０１：１から約０．０３：１である。
[0067] さらに他の実施形態では、本発明の広義にまたは具体的に説明された除去組成物のいずれかが、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料の残留物をさらに含む。重要なことには、この残留材料及び／又はハードマスク材料は、本発明の洗浄組成物中で溶解及び／又は浮遊する場合がある。
[0068] 本発明の液体除去組成物は、それぞれの含有物を単に添加し、均一条件まで混合することによって、容易に配合される。さらに液体除去組成物は、使用する時点で混合される単一パッケージの配合物又は複数部分の配合物として、容易に配合することができる。複数部分の配合物の個々の部分は、ツールで、またはツールの格納タンク上流で混合することができる。それぞれの含有物の濃度は、本発明の広範囲の実施において、除去組成物の特定の倍数で大きく異なる、すなわち、より低濃度又はより高濃度となる場合があり、さらに様々に、また代替的に、本発明の液体除去組成物は、本明細書における開示に適合する含有物の任意の組合せを含むか、これらから構成されるか、または本質的にこれらから構成されることができることを理解されたい。
[0069] 一般的な除去の適用例では、極端に希釈して使用されることになるものを高度に濃縮した形にすることは通常の方法であることを理解されたい。例えば除去組成物は、使用前に製造業者側で、及び／又は工場で使用時に、希釈することが可能である。希釈の割合は、希釈剤１：除去組成物１から希釈剤２００：除去組成物１までの範囲とすることができる。希釈の際には、除去組成物の成分の重量％比は未変更のままとなることを理解されたい。
[0070] 本発明の他の態様は、１つまたは複数の容器内に、本発明の液体除去組成物を形成するように適合された１つまたは複数の成分を含むキットに関する。好ましくは、このキットは、１つ又は複数の容器内に、工場で任意の水と組み合わせるための、有機第４級塩基と、溶媒と、任意のアルカリ又はアルカリ土類金属源と、任意のキレート／不活性化剤と、任意の界面活性剤と、任意の表面相互作用強化添加剤とを含む。本明細書では、液体除去組成物成分の他の組合せが企図される。キットの容器は、内部に格納された成分を保存及び供給するために化学的に評定されるものとする。例えば、キットの容器は、ＮＯＷＰａｋ（登録商標）容器（米国コネチカット州ダンベリー、Ａｄａｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．）とすることができる。
[0071] クリーニングの適用例においては、液体除去組成物は、例えば、液体除去組成物をクリーニングされる材料の表面に噴霧することによって、クリーニングされる材料または材料を含む物品を（多量の液体除去組成物中に）浸漬することによって、クリーニングされる材料または物品を、その上に液体除去組成物が吸収された他の材料（例えば、パッド、または繊維状の吸収剤アプリケータ要素）と接触させることによって、クリーニングされる材料または材料を含む物品を、循環する液体除去組成物と接触させることによって、または液体除去組成物をクリーニングされる材料と接触するクリーニング状態にするための任意の他の好適な手段、様式、または技法によって、任意の好適な様式で、クリーニングされる材料に付される。
[0072] 本発明の液体除去組成物は、マイクロ電子デバイス製造操作に適用される場合、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料が付着している基板及びマイクロ電子デバイス構造からこうした材料を除去するために有用に使用される。
[0073] 「マイクロ電子デバイスからフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料を除去する」という言い回しは、決して制限的な意味ではなく、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料の、最終的にマイクロ電子デバイスとなるいずれの基板からの除去をも含むことを理解されたい。
[0074] このようなフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料に対するこれらの選択効力により、マイクロ電子デバイスの基板上に存在し、液体除去組成物にさらされる可能性のあるＩＬＤ構造、金属化層、バリア層などの他の材料に対して、本発明の組成物は、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料の少なくとも部分的な除去をかなり効率的に達成する。
[0075] 重要なことには、本発明の組成物は、好ましくは５０重量％未満の水、より好ましくは４０重量％未満の水、さらに好ましくは３０重量％未満の水、さらに好ましくは２５重量％未満の水という少量の水を有するため、銅、アルミニウム、及びコバルトの層に適合可能である。本発明の組成物存在下での銅及び／又はコバルトのエッチング速度は、５Å／分未満、好ましくは２Å／分、最も好ましくは１Å／分である。
[0076] フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料をその上に有するマイクロ電子デバイス基板からそれらを除去するために、本発明の組成物を使用する場合、液体除去組成物は、通常、約５０℃から約８０℃までの温度で、約１から約６０分の間、好ましくは約２０から約３０分の間、デバイス基板と接触する。こうした接触の時間及び温度は例示的なものであり、デバイス基板からフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料を少なくとも部分的に除去するために効果的な任意の他の好適な時間及び温度条件が適用可能である。本明細書に定義される場合「少なくとも部分的な除去」とは、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料の少なくとも５０％の除去、好ましくはフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料の少なくとも８０％の除去に対応する。最も好ましくは、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料の少なくとも９０％が、本発明の組成物を使用して除去される。
[0077] 所望のクリーニング作業が達成された後、液体除去組成物は、本発明の組成物の所与の最終使用時に、所望かつ効果的であるように、例えば、すすぎ、洗浄、又は他の除去ステップによって、あらかじめ供給されていた基板または物品から容易に除去される。例えば、デバイスは、脱イオン水を含むすすぎ溶液ですすぎ、及び／又は乾燥（例えば、脱水、Ｎ2、蒸気乾燥など）させることができる。
[0078] さらに他の実施形態では、本発明の液体除去組成物は、マイクロ電子デバイス製造プロセスの他の態様で、すなわち、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料除去の処理ステップに続いて使用可能である。例えば、液体除去組成物は、希釈され、化学機械研磨（ＣＭＰ）後のクリーニングとして使用することができる。
[0079] 別の方法としては、本発明のクリーニング組成物は、研削材料と組み合わせて、Ｓｔｅｐ ＩＩ ＣＭＰスラリーとして使用することができる。Ｓｔｅｐ ＩＩ ＣＭＰスラリーは、通常、銅及び誘電体材料の除去速度に対して、高いバリア材料除去速度を有する。例えば、（クリーニング組成物スラリーを生じさせるために）本発明のクリーニング組成物に研削材料を追加して、タングステン及びＴｉ／ＴｉＮバリア層材料を有するマイクロ電子デバイスのＣＭＰに使用することができる。マイクロ電子デバイスが銅材料を有する場合、平坦化プロセス中に銅を保護するために、好ましくは、銅阻害種がクリーニング組成物スラリーに追加される。本明細書で企図された研削剤は、シリカ、アルミナ、セリア、及びこれらの混合物を含む。本明細書で企図された阻害剤は、イミダゾール、アミノテトラゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、アミノ、イミノ、カルボキシ、メルカプト、ニトロ、アルキル、尿素及びチオ尿素の化合物、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ニトリロ三酢酸、イミノ二酢酸、ならびにこれらの組合せを含む。好ましくは、代替のＳｔｅｐ ＩＩ ＣＭＰ組成物は、研削剤、阻害剤、有機第４級塩基、アルカリ又はアルカリ土類金属基、共溶媒、任意選択として界面活性剤、及び任意選択としてキレート剤を含む。
[0080] 本発明のさらに他の態様は、本発明の方法に従って作成された改良型マイクロ電子デバイス、及びこうしたマイクロ電子デバイスを含む製品に関する。
[0081] 本発明のさらに他の態様は、マイクロ電子デバイスを備える物品を製造する方法に関し、上記方法は、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料を、その上に上記フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料を有するマイクロ電子デバイスから少なくとも部分的に除去するのに十分な時間、マイクロ電子デバイスを液体除去組成物に接触させるステップと、上記マイクロ電子デバイスを上記物品に組み込むステップとを有し、ここで、液体除去組成物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、水と、任意選択として少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源と、任意選択として少なくとも１つの溶媒、アミン、又はこれらの組合せと、任意選択として少なくとも１つのキレート／不活性化剤と、任意選択として少なくとも１つの界面活性剤と、任意選択として少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤とを含む。
[0082] 本発明の特徴及び利点は、以下で論じる実施例によってより完全に示される。
実施例１
[0083] フォトレジスト及びＳＡＲＣの除去は、フォトレジスト層及びＳＡＲＣ層を含むパターン化された低ｋ誘電体基板のサンプルで実施された。サンプルは、除去溶媒Ｘ〜ＡＪに６０℃で３０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。パターン化されたウェハからのフォトレジスト及びＳＡＲＣ材料の除去率は、走査型電子顕微鏡を使用して概算された。この結果は、以下の表１にまとめられている。
Figure 2009516360
実施例２
[0084] フォトレジスト及びＳＡＲＣ除去は、フォトレジスト層及びＳＡＲＣ層を含むパターン化された低ｋ誘電体基板のサンプルで実施された。サンプルは、除去溶媒ＡＫ〜ＡＱに６０℃で３０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。パターン化されたウェハからのフォトレジスト及びＳＡＲＣ材料の除去率は、走査型電子顕微鏡を使用して概算された。この結果は、以下の表２にまとめられている。
Figure 2009516360
実施例３
[0085] ＳＡＲＣ除去は、ＳＡＲＣ層を含むパターン化された低ｋ誘電体基板のサンプルで実施された。サンプルは、除去溶媒ＢＡ〜ＢＮに４０℃で３０分または６０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。パターン化されたウェハからのＳＡＲＣ材料の除去率は、走査型電子顕微鏡を使用して概算された。この結果は、以下の表３にまとめられている。
Figure 2009516360
実施例４
[0086] ＳＡＲＣ除去は、ＳＡＲＣ層を含むパターン化された低ｋ誘電体基板のサンプルで実施された。サンプルは、除去溶媒ＢＯ〜ＢＴに４０℃で３０分又は６０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。パターン化されたウェハからのＳＡＲＣ材料の除去率は、走査型電子顕微鏡を使用して概算された。この結果は、以下の表４にまとめられている。
Figure 2009516360
実施例５
[0087] 銅エッチング速度は、１０００オングストローム厚さの全面ＰＶＤ銅ウェハのサンプルで測定された。サンプルは、攪拌（６０分、４８時間、及び７２時間で）有又は無で、除去溶媒ＢＵ〜ＢＺに５０℃で６０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。銅エッチング速度は、４点プローブ比抵抗測定法を使用して測定された。この結果は、以下の表５にまとめられている。
Figure 2009516360
実施例６
[0088] ＳＡＲＣ及びクラスト除去は、ＳＡＲＣ層を含むパターン化された低ｋ誘電体基板のサンプルで実施された。サンプルは、除去溶媒ＢＡ２〜ＢＨ２に５０℃で３０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。パターン化されたウェハからのＳＡＲＣ材料及びクラストの除去率は、走査型電子顕微鏡を使用して概算された。この結果は、以下の表６にまとめられている。
Figure 2009516360
実施例７
[0089] ＳＡＲＣ除去は、ＳＡＲＣ層を含むパターン化された低ｋ誘電体基板のサンプルで実施された。サンプルは、除去溶媒ＢＩ２〜ＢＲ２に５０℃で３０分又は６０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。パターン化されたウェハからのＳＡＲＣ材料の除去率は、走査型電子顕微鏡を使用して概算された。この結果は、以下の表７にまとめられている。
Figure 2009516360
実施例８
[0090] ＳＡＲＣ除去は、ＳＡＲＣ層を含むパターン化された低ｋ誘電体基板のサンプルで実施された。サンプルは、除去溶媒ＢＳ２〜ＢＢ３に４０℃で３０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。パターン化されたウェハからのＳＡＲＣ材料の除去率は、走査型電子顕微鏡を使用して概算された。この結果は、以下の表８にまとめられている。
Figure 2009516360
実施例９
[0091] ＳＡＲＣ除去は、ＳＡＲＣ層を含むパターン化された低ｋ誘電体基板のサンプルで実施された。サンプルは、除去溶媒ＢＣ３〜ＢＨ３に４０℃で３０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。パターン化されたウェハからのＳＡＲＣ材料の除去率は、走査型電子顕微鏡を使用して概算された。この結果は、以下の表９にまとめられている。
Figure 2009516360
実施例１０
[0092] ＳＡＲＣ除去は、ＳＡＲＣ層を含むパターン化された低ｋ誘電体基板のサンプルで実施された。サンプルは、除去溶媒ＢＩ３〜ＢＭ３に４０℃で３０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。パターン化されたウェハからのＳＡＲＣ材料の除去率は、走査型電子顕微鏡を使用して概算された。この結果は、以下の表１０にまとめられている。
Figure 2009516360
実施例１１
[0093] ＳＡＲＣ除去は、ＳＡＲＣ層を含むパターン化された低ｋ誘電体基板のサンプルで実施された。サンプルは、除去溶媒ＢＮ３〜ＢＳ３に４０℃で３０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。パターン化されたウェハからのＳＡＲＣ材料の除去率は、走査型電子顕微鏡を使用して概算された。この結果は、以下の表１１にまとめられている。
Figure 2009516360
実施例１２
[0094] ＳＡＲＣ除去は、ＳＡＲＣ層を含むパターン化された低ｋ誘電体基板のサンプルで実施された。サンプルは、除去溶媒ＢＴ３〜ＣＥに４０℃で３０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。パターン化されたウェハからのＳＡＲＣ材料の除去率は、走査型電子顕微鏡を使用して概算された。この結果は、以下の表１２にまとめられている。
Figure 2009516360
実施例１３
[0095] ＳＡＲＣ除去は、ＳＡＲＣ層を含むパターン化された低ｋ誘電体基板のサンプルで実施された。サンプルは、除去溶媒ＣＦ〜ＣＱに５０℃で１８分または３０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。パターン化されたウェハからのＳＡＲＣ材料の除去率は、走査型電子顕微鏡を使用して概算された。この結果は、以下の表１３にまとめられている。
Figure 2009516360
実施例１４
[0096] ＳＡＲＣ及びフォトレジストの除去は、ＳＡＲＣ層及びフォトレジスト層を含むパターン化された低ｋ誘電体基板のサンプルで実施された。サンプルは、除去溶媒ＣＲに４０℃で３０分間浸漬された後、多量の脱イオン水ですすがれ、窒素で乾燥された。パターン化されたウェハからのＳＡＲＣ及びフォトレジスト材料の１００％除去が、走査型電子顕微鏡を使用して観察された。
実施例１５
[0097] エッチング後のアッシュレス・フォトレジストをその上に有するパターン化されたウェハは、配合ＤＡ〜ＤＨと５０℃で２０分間接触された。重要なことに、ウェハは露出されたＴＥＯＳ及び低ｋ誘電体材料を含んでいた。それぞれのケースで、フォトレジスト材料はウェハの表面から剥離し、配合物及び／又はすすぎ水容器内に浮遊した。各ウェハのＦＥＳＥＭ顕微鏡写真は、フォトレジストがほとんど除去されたこと、配合ＤＧ及びＤＨと接触されたウェハ上で最低量の低ｋ誘電体材料の侵食が観察されたことを示した。
[0098] ウェハの表面からフォトレジストを除去するためには、第４級塩基及びＫＯＨ／ＫＣＩが重要な成分であることが解明された。
実施例１６
[0099] 窒化シリコン層（ＳｉＮ、約３００Å厚さ）、Ｂｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄ（商標）（ＢｌａｃｋＤ、約１０ｋÅ厚さ）、及びＴＥＯＳウェハ（約８０００Å厚さ）が、それぞれの材料のエッチング速度を決定するために、除去溶媒ＤＨ及びＤＩに５０℃、６０℃、及び７０℃で２０分間浸漬された。エッチング速度はＮａｎｏｓｐｅｃを使用して測定された。それぞれの材料のエッチング速度は、以下にまとめられている。未処理及び処理済みのＢｌａｃｋＤウェハのＦＴＩＲが、処理後のＢｌａｃｋＤウェハの化学構造又は誘電特性に有害な変化がないことを示したことに留意されたい。
Figure 2009516360
[0100] エッチング後のアッシュレス・フォトレジストをその上に有するパターン化されたウェハは、配合ＤＨ及びＤＩと、５０℃、６０℃、及び７０℃で２０分間接触された後、ＤＩ水ですすがれ、Ｎ2ガスで乾燥された。重要なこととしては、ウェハは露出されたＴＥＯＳ及び低ｋ誘電体材料を含んでいた。それぞれのケースで、フォトレジスト材料は１分以内にウェハの表面から剥離し、表面上への再付着はなかった。各ウェハのＦＥＳＥＭ顕微鏡写真は、フォトレジストがほとんど除去されたことを示した。ＦＥＳＥＭ結果ならびにＢｌａｃｋＤ及びＴＥＯＳのエッチング速度によって証明されたように、５０℃での処理が、低ｋ誘電体材料への損害が最も少ない最良の除去結果を示した。
[0101] したがって、これまで特定の態様、特徴、及び例示としての実施形態を参照しながら本発明について説明してきたが、本発明の効用は限定されるものではなく、むしろ多数の他の態様、特徴、及び実施形態を包含するものであることを理解されたい。したがって、添付の特許請求の範囲は、これらの精神及び範囲内のかかるすべての態様、特徴、及び実施形態を含むものとして、それに対応して広義に解釈されることが意図される。

Claims (31)

  1. 少なくとも１つの有機第４級塩基と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として、少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源、少なくとも１つの有機溶媒、少なくとも１つの界面活性剤、少なくとも１つのキレート剤、及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも１つの成分とを含む液体除去組成物であって、前記液体除去組成物は、フォトレジスト及び／又は犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）材料をその上に有するマイクロ電子デバイスからこうした材料を除去するために有用である液体除去組成物。
  2. 前記少なくとも１つの有機第４級塩基は、式ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＯＨを有する化合物を含み、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は同じであるか、又は互いに異なり、水素と、直鎖状のＣ１−Ｃ６アルキル基と、分岐状のＣ１−Ｃ６アルキル基と、置換のＣ６−Ｃ１０アリール基と、未置換のＣ６−Ｃ１０アリール基、アルコール基、アルケン類、及びアルキン類とからなる群から選択される、請求項１に記載の液体除去組成物。
  3. 前記少なくとも１つの有機第４級塩基は、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム（ＢＴＭＡＨ）、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、及びこれらの組合せからなる群から選択された化合物を含む、請求項１に記載の液体除去組成物。
  4. 前記少なくとも１つの第４級有機塩基は、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウムを含む、請求項１に記載の液体除去組成物。
  5. 前記少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤は、ポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、ポリ（アクリルアミド）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド、アクリルアミド、アセトグアナミン、及びこれらの組合せからなる群から選択された種を含む、請求項１に記載の液体除去組成物。
  6. 前記アルカリ又はアルカリ土類金属源を含み、前記少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源は、水酸化カリウム、塩化カリウム、及びこれらの組合せからなる群から選択されたカリウム塩を含む、請求項１に記載の液体除去組成物。
  7. 有機溶媒を含み、前記少なくとも１つの有機溶媒は、アミン、硫黄含有化合物、グリコール、グリコール・エーテル、及びこれらの組合せからなる群から選択された成分を含む、請求項１に記載の液体除去組成物。
  8. 前記有機溶媒は、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチレンジアミン、メチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ペンタメチルジエチレントリアミン、ジメチルジグリコールアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン、アミノプロピルモルホリン、ヒドロキシエチルモルホリン、アミノエチルモルホリン、ヒドロキシプロピルモルホリン、ジグリコールアミン、Ｎ−メチルピロリジノン（ＮＭＰ）、Ｎ−オクチルピロリジノン、Ｎ−フェニルピロリジノン、シクロヘキシルピロリジノン、ビニルピロリジノン、テトラメチル・スルホン、エチレン・グリコール、プロピレン・グリコール、ネオペンチル・グリコール、ジエチレン・グリコール・モノメチル・エーテル、トリエチレン・グリコール・モノメチル・エーテル、ジエチレン・グリコール・モノエチル・エーテル、トリエチレン・グリコール・モノエチル・エーテル、エチレン・グリコール・モノプロピル・エーテル、エチレン・グリコール・モノブチル・エーテル、ジエチレン・グリコール・モノブチル・エーテル、トリエチレン・グリコール・モノブチル・エーテル、エチレン・グリコール・モノヘキシル・エーテル、ジエチレン・グリコール・モノヘキシル・エーテル、エチレン・グリコール・フェニル・エーテル、プロピレン・グリコール・メチル・エーテル、ジプロピレン・グリコール・メチル・エーテル、トリプロピレン・グリコール・メチル・エーテル、プロピレン・グリコールｎ−プロピル・エーテル、ジプロピレン・グリコールｎ−プロピル・エーテル、トリプロピレン・グリコールｎ−プロピル・エーテル、プロピレン・グリコールｎ−ブチル・エーテル、ジプロピレン・グリコールｎ−ブチル・エーテル、トリプロピレン・グリコールｎ−ブチル・エーテル、プロピレン・グリコール・フェニル・エーテル、及びこれらの組合せからなる群から選択された成分を含む、請求項７に記載の液体除去組成物。
  9. 前記キレート剤を含み、前記少なくとも１つのキレート剤は、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロ−ベンゾトリアゾール類、ナフトトリアゾール、２−メルカプトベンゾイミジゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、メルカプトベンゾチアゾール、イミダゾリン・チオン、メルカプトベンズイミダゾール、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾチアゾール、リン酸トリトリル、インジアゾール、グアニン、アデニン、グリセロール、チオグリセロール、ニトリロ三酢酸、サリチルアミド、ベンゾグアナミン、メラミン、ｔｈｉｏｃｙｒａｎｕｒｉｃ ａｃｉｄ、アントラニル酸、没食子酸、アスコルビン酸、サリチル酸、８−ヒドロキシキノリン、５−カルボン酸−ベンゾトリアゾール、３−メルカプトプロパノール、ホウ酸、及びイミノ二酢酸からなる群から選択された種を含む、請求項１に記載の液体除去組成物。
  10. 前記界面活性剤を含み、前記少なくとも１つの界面活性剤は、ビス−（２−ヒドロキシエチル）イソデシルオキシプロピルアミン・オキシド、アルコキシル化エーテル・アミン・オキシド、分岐状のＣ１０アルコールから導出されたエーテル・アミン・オキシド、及びこれらの組合せからなる群から選択された種を含む、請求項１に記載の液体除去組成物。
  11. 前記マイクロ電子デバイスは、半導体基板、フラット・パネル・ディスプレイ、及びマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）からなる群から選択された物品を備える、請求項１に記載の液体除去組成物。
  12. フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣの残留材料をさらに含む、請求項１に記載の液体除去組成物。
  13. 前記フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣの残留材料は、有機フォトレジスト残留物と、ホウ素、ヒ素、及びリンからなる群から選択されたイオン注入元素と、ケイ素含有残留物と、酸素及びフッ素からなる群から選択されたプラズマ・エッチング・ガス元素とからなる群から選択された種を含む、請求項１２に記載の液体除去組成物。
  14. 前記表面相互作用強化添加剤と有機第４級塩基との重量％比が、約０．０１：１から約０．２：１の範囲内である、請求項１に記載の液体除去組成物。
  15. 前記アルカリまたはアルカリ土類金属源と有機第４級塩基との重量％比が、約０．００１：１から約０．３：１の範囲内である、請求項６に記載の液体除去組成物。
  16. 前記界面活性剤と有機第４級塩基との重量％比が、約０．０１：１から約０．０７：１の範囲内である、請求項１０に記載の液体除去組成物。
  17. 前記有機溶媒と有機第４級塩基との重量％比が、約１：１から約５５：１１の範囲内である、請求項１０に記載の液体除去組成物。
  18. 前記ｐＨが、約１１から約１４の範囲内である、請求項１に記載の液体除去組成物。
  19. 水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム及びポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）を含む、請求項１に記載の液体除去組成物。
  20. 前記表面相互作用強化添加剤と第４級塩基との重量％比が、約０．０３：１から約０．０７：１の範囲内である、請求項１９に記載の液体除去組成物。
  21. 液体除去組成物を形成するために以下の試薬のうちの１つ又は複数を１つまたは複数の容器内に備えるキットであって、前記１つ又は複数の試薬は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として、少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源、少なくとも１つの有機溶媒、少なくとも１つの界面活性剤、少なくとも１つのキレート剤、及びこれらの組合せからなる群から選択され、前記キットが、請求項１に記載の組成物を形成するように適合されるキット。
  22. フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料をその上に有するマイクロ電子デバイスから前記材料を除去する方法であって、前記方法は、前記マイクロ電子デバイスから前記材料を少なくとも部分的に除去するために十分な時間、前記マイクロ電子デバイスを液体除去組成物と接触させるステップを有し、前記液体除去組成物は、少なくとも１つの有機第４級塩基と、少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤と、任意選択として、少なくとも１つのアルカリ又はアルカリ土類金属源、少なくとも１つの有機溶媒、少なくとも１つの界面活性剤、少なくとも１つのキレート剤、及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも１つの成分とを含む方法。
  23. 前記マイクロ電子デバイスは、半導体基板、フラット・パネル・ディスプレイ、及びマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）からなる群から選択された物品を備える、請求項２２に記載の方法。
  24. 前記材料は、プラズマ・エッチングによって硬化されたフォトレジスト、イオン注入によって硬化されたフォトレジスト、及びＳＡＲＣ材料からなる群から選択された層を含む、請求項２２に記載の方法。
  25. 前記接触させるステップは、約１分から約６０分の時間、約３０℃から約８０℃の温度、及びこれらの組合せからなる群から選択された条件で実行される、請求項２２に記載の方法。
  26. 前記接触させるステップは、前記マイクロ電子デバイスの表面に前記液体除去組成物を噴霧するステップと、十分な量の液体除去組成物内に前記マイクロ電子デバイスを浸漬するステップと、前記マイクロ電子デバイスの表面をその上に前記液体除去組成物が吸収された他の材料と接触させるステップと、前記マイクロ電子デバイスを循環する液体除去組成物と接触させるステップとからなる群から選択されたプロセスを含む、請求項２２に記載の方法。
  27. 前記少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤は、ポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、ポリ（アクリルアミド）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド）、ジアリルジメチルアンモニウム・クロライド、アクリルアミド、アセトグアナミン、及びこれらの組合せからなる群から選択された種を含み、
    前記少なくとも１つの有機第４級塩基が、式ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＯＨを有する化合物を含み、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は同じであるか、または互いに異なり、水素と、直鎖状のＣ１−Ｃ６アルキル基と、分岐状のＣ１−Ｃ６アルキル基と、置換のＣ６−Ｃ１０アリール基と、未置換のＣ６−Ｃ１０アリール基、アルコール基、アルケン類、及びアルキン類とからなる群から選択される、請求項２２に記載の方法。
  28. 前記液体除去組成物との接触ステップに続いて、前記マイクロ電子デバイスを脱イオン水ですすぐステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
  29. 前記除去組成物のｐＨが、約１１から約１４の範囲内である、請求項２２に記載の方法。
  30. 少なくとも１つの第４級塩基と、塩化カリウムと、少なくとも１つのキレート／不活性化剤とを含む液体除去組成物であって、フォトレジスト材料をその上に有するマイクロ電子デバイスから前記材料を除去するために有用である液体除去組成物。
  31. 前記キレート／不活性化剤が、尿素、２−メルカプトベンズイミダゾール、１，２，４−トリアゾール、及びこれらの組合せからなる群から選択された種を含む、請求項３０に記載の除去組成物。
JP2008535667A 2005-10-13 2006-10-12 金属適合フォトレジスト及び／又は犠牲反射防止コーティング除去組成物 Pending JP2009516360A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US72641005P 2005-10-13 2005-10-13
PCT/US2006/039888 WO2007047365A2 (en) 2005-10-13 2006-10-12 Metals compatible photoresist and/or sacrificial antireflective coating removal composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009516360A true JP2009516360A (ja) 2009-04-16

Family

ID=37963086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008535667A Pending JP2009516360A (ja) 2005-10-13 2006-10-12 金属適合フォトレジスト及び／又は犠牲反射防止コーティング除去組成物

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8058219B2 (ja)
EP (1) EP1945748A4 (ja)
JP (1) JP2009516360A (ja)
KR (1) KR20080059442A (ja)
CN (1) CN101421386B (ja)
TW (1) TW200720862A (ja)
WO (1) WO2007047365A2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010002580A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Tosoh Corp レジスト剥離液
JP2014523538A (ja) * 2011-06-01 2014-09-11 アバンター・パフォーマンス・マテリアルズ・インコーポレイテッド 銅、タングステンおよび多孔質低κ誘電体に対する増強された相溶性を有する半水溶性ポリマー除去組成物
JP2016074906A (ja) * 2008-10-21 2016-05-12 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅の洗浄及び保護配合物
WO2016076031A1 (ja) * 2014-11-13 2016-05-19 三菱瓦斯化学株式会社 タングステンを含む材料のダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法
JP2018041033A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 花王株式会社 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
WO2024128210A1 (ja) * 2022-12-12 2024-06-20 三菱瓦斯化学株式会社 フォトレジスト除去用組成物およびフォトレジストの除去方法

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060154186A1 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 Advanced Technology Materials, Inc. Composition useful for removal of post-etch photoresist and bottom anti-reflection coatings
WO2007120259A2 (en) * 2005-11-08 2007-10-25 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices
US7960328B2 (en) 2005-11-09 2011-06-14 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon
US7674755B2 (en) * 2005-12-22 2010-03-09 Air Products And Chemicals, Inc. Formulation for removal of photoresist, etch residue and BARC
US8685909B2 (en) * 2006-09-21 2014-04-01 Advanced Technology Materials, Inc. Antioxidants for post-CMP cleaning formulations
EP1918322A1 (en) * 2006-11-03 2008-05-07 Henkel Kommanditgesellschaft auf Aktien Paint Stripper with Corrosion Inhibitor for Aluminium
TWI611047B (zh) * 2006-12-21 2018-01-11 恩特葛瑞斯股份有限公司 用以移除蝕刻後殘餘物之液體清洗劑
TWI516573B (zh) * 2007-02-06 2016-01-11 安堤格里斯公司 選擇性移除ＴｉＳｉＮ之組成物及方法
US7799139B2 (en) * 2007-03-28 2010-09-21 Intel Corporation Chemistry for removal of photo resist, organic sacrificial fill material and etch polymer
US20100112728A1 (en) * 2007-03-31 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
JP2010535422A (ja) * 2007-08-02 2010-11-18 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド マイクロ電子デバイスから残渣を除去するための非フッ化物含有組成物
US7655608B2 (en) * 2007-08-03 2010-02-02 Dynaloy, Llc Reduced metal etch rates using stripper solutions containing a copper salt
CN101373339B (zh) * 2007-08-23 2011-12-07 安集微电子（上海）有限公司 一种厚膜光刻胶的清洗剂
CN101373340B (zh) * 2007-08-23 2013-07-10 安集微电子（上海）有限公司 一种光刻胶清洗剂
TWI591158B (zh) * 2008-03-07 2017-07-11 恩特葛瑞斯股份有限公司 非選擇性氧化物蝕刻濕清潔組合物及使用方法
US20090241988A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Intel Corporation Photoresist and antireflective layer removal solution and method thereof
CN101597546B (zh) * 2008-06-04 2014-07-23 S.C.约翰逊父子公司 稳定的碱性液体磨料清洁剂组合物及其制法
WO2010091045A2 (en) * 2009-02-05 2010-08-12 Advanced Technology Materials, Inc. Non-fluoride containing composition for the removal of polymers and other organic material from a surface
US8754021B2 (en) 2009-02-27 2014-06-17 Advanced Technology Materials, Inc. Non-amine post-CMP composition and method of use
US9484218B2 (en) * 2009-07-30 2016-11-01 Basf Se Post ion implant stripper for advanced semiconductor application
SG170691A1 (en) 2009-10-14 2011-05-30 Rohm & Haas Elect Mat Method of cleaning and micro-etching semiconductor wafers
US9045717B2 (en) * 2010-01-29 2015-06-02 Advanced Technology Materials, Inc. Cleaning agent for semiconductor provided with metal wiring
US8058221B2 (en) * 2010-04-06 2011-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for removing a photoresist and method of manufacturing semiconductor device using the composition
US9063431B2 (en) 2010-07-16 2015-06-23 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaner for the removal of post-etch residues
JP6101421B2 (ja) 2010-08-16 2017-03-22 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
WO2012024603A2 (en) 2010-08-20 2012-02-23 Advanced Technology Materials, Inc. Sustainable process for reclaiming precious metals and base metals from e-waste
CN101957565B (zh) * 2010-08-28 2012-05-23 汕头超声印制板（二厂）有限公司 一种有机退膜剂
SG10201508015RA (en) * 2010-10-06 2015-10-29 Entegris Inc Composition and process for selectively etching metal nitrides
CN102109777B (zh) * 2010-12-15 2012-08-22 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 一种等离子显示用障壁浆料的再生液
US8889609B2 (en) * 2011-03-16 2014-11-18 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations
CN102199499B (zh) * 2011-04-02 2013-01-16 浙江向日葵光能科技股份有限公司 太阳能电池硅片清洗剂及其使用方法
JP5933950B2 (ja) 2011-09-30 2016-06-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅または銅合金用エッチング液
SG11201400840UA (en) 2011-10-05 2014-04-28 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic substrate cleaning compositions having copper/azole polymer inhibition
CN103958640B (zh) * 2011-10-21 2016-05-18 安格斯公司 无胺cmp后组合物及其使用方法
SG10201605172RA (en) 2011-12-28 2016-08-30 Entegris Inc Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
TWI565836B (zh) * 2011-12-28 2017-01-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Cleaning solution and anti-corrosion agent
HUE026813T2 (en) * 2012-02-10 2016-07-28 Atotech Deutschland Gmbh Composition and method for removing organic paint coatings from carriers
US10176979B2 (en) 2012-02-15 2019-01-08 Entegris, Inc. Post-CMP removal using compositions and method of use
CN102634809B (zh) * 2012-04-27 2013-11-13 东莞市广华化工有限公司 一种二次干膜去膜液
TW201406932A (zh) 2012-05-18 2014-02-16 Advanced Tech Materials 用於自包含氮化鈦之表面脫除光阻劑之組成物及方法
TWI593783B (zh) * 2012-07-24 2017-08-01 Ｌｔｃ股份有限公司 用於移除與防止於金屬線路表面形成氧化物之組合物
US9765288B2 (en) 2012-12-05 2017-09-19 Entegris, Inc. Compositions for cleaning III-V semiconductor materials and methods of using same
SG10201706443QA (en) 2013-03-04 2017-09-28 Entegris Inc Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
WO2014197808A1 (en) 2013-06-06 2014-12-11 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
EP3027709A4 (en) 2013-07-31 2017-03-29 Entegris, Inc. AQUEOUS FORMULATIONS FOR REMOVING METAL HARD MASK AND POST-ETCH RESIDUE WITH Cu/W COMPATIBILITY
US10428271B2 (en) 2013-08-30 2019-10-01 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
TWI654340B (zh) 2013-12-16 2019-03-21 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 Ｎｉ：ＮｉＧｅ：Ｇｅ選擇性蝕刻配方及其使用方法
JP6776125B2 (ja) 2013-12-20 2020-10-28 インテグリス・インコーポレーテッド イオン注入レジストの除去のための非酸化性の強酸の使用
KR102290209B1 (ko) 2013-12-31 2021-08-20 엔테그리스, 아이엔씨. 규소 및 게르마늄을 선택적으로 에칭하기 위한 배합물
US20160340620A1 (en) 2014-01-29 2016-11-24 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical mechanical polishing formulations and method of use
WO2015119925A1 (en) 2014-02-05 2015-08-13 Advanced Technology Materials, Inc. Non-amine post-cmp compositions and method of use
WO2015187675A2 (en) * 2014-06-04 2015-12-10 Entegris, Inc. Anti-reflective coating cleaning and post-etch residue removal composition having metal, dielectric and nitride compatibility
CN104531397A (zh) * 2014-11-18 2015-04-22 惠晶显示科技（苏州）有限公司 一种平板玻璃基板减薄预清洗用清洗液及其应用
CN108290775A (zh) * 2015-11-23 2018-07-17 康宁股份有限公司 从玻璃基材去除无机涂层
KR20170086838A (ko) * 2016-01-19 2017-07-27 동우 화인켐 주식회사 경화수지막 박리액 조성물
US10748757B2 (en) 2017-09-21 2020-08-18 Honeywell International, Inc. Thermally removable fill materials for anti-stiction applications
US10727044B2 (en) 2017-09-21 2020-07-28 Honeywell International Inc. Fill material to mitigate pattern collapse
US10529617B2 (en) * 2017-09-29 2020-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Metal routing with flexible space formed using self-aligned spacer patterning
CN112424327A (zh) * 2018-07-20 2021-02-26 恩特格里斯公司 含腐蚀抑制剂的清洗组合物
EP3959291A4 (en) 2019-03-11 2023-07-19 Versum Materials US, LLC ETCHING SOLUTION AND PROCESS FOR ALUMINUM NITRIDE
JP7365427B2 (ja) * 2019-11-22 2023-10-19 富士フイルム株式会社 洗浄液、洗浄方法
CN113430065B (zh) * 2020-03-23 2024-06-07 上海新阳半导体材料股份有限公司 抗反射涂层清洗及刻蚀后残留物去除组合物、制备方法及用途
US20230372981A1 (en) * 2020-10-30 2023-11-23 Postprocess Technologies, Inc. Compositions for removing resin and ceramic from a surface of an object and methods of using such compositions
CN114126245B (zh) * 2022-01-26 2022-04-22 深圳市板明科技股份有限公司 线路板图形电镀夹膜去除剂和图形电镀夹膜去除工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001312074A (ja) * 2000-02-25 2001-11-09 Shipley Co Llc ポリマー残さ除去用組成物
JP2003035963A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Kanto Chem Co Inc フォトレジスト残渣除去液組成物
JP2006515933A (ja) * 2002-12-20 2006-06-08 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド フォトレジスト除去

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5259888A (en) * 1992-02-03 1993-11-09 Sachem, Inc. Process for cleaning quartz and silicon surfaces
US5972875A (en) 1997-04-23 1999-10-26 Crutcher; Terry Low-foaming amine oxide surfactant concentrate and method of manufacture
KR100540477B1 (ko) * 1998-06-30 2006-03-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법
US6498131B1 (en) * 2000-08-07 2002-12-24 Ekc Technology, Inc. Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus
US6752878B2 (en) * 2000-09-19 2004-06-22 Shipley Company, L.L.C. Process for treating adhesion promoted metal surfaces
US6599370B2 (en) 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
US6525009B2 (en) * 2000-12-07 2003-02-25 International Business Machines Corporation Polycarboxylates-based aqueous compositions for cleaning of screening apparatus
US6627587B2 (en) * 2001-04-19 2003-09-30 Esc Inc. Cleaning compositions
US6551973B1 (en) * 2001-10-09 2003-04-22 General Chemical Corporation Stable metal-safe stripper for removing cured negative-tone novolak and acrylic photoresists and post-etch residue
JP2004101849A (ja) * 2002-09-09 2004-04-02 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 洗浄剤組成物
US8338087B2 (en) * 2004-03-03 2012-12-25 Advanced Technology Materials, Inc Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate
US20060154186A1 (en) 2005-01-07 2006-07-13 Advanced Technology Materials, Inc. Composition useful for removal of post-etch photoresist and bottom anti-reflection coatings

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001312074A (ja) * 2000-02-25 2001-11-09 Shipley Co Llc ポリマー残さ除去用組成物
JP2003035963A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Kanto Chem Co Inc フォトレジスト残渣除去液組成物
JP2006515933A (ja) * 2002-12-20 2006-06-08 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド フォトレジスト除去

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010002580A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Tosoh Corp レジスト剥離液
JP2016074906A (ja) * 2008-10-21 2016-05-12 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅の洗浄及び保護配合物
JP2014523538A (ja) * 2011-06-01 2014-09-11 アバンター・パフォーマンス・マテリアルズ・インコーポレイテッド 銅、タングステンおよび多孔質低κ誘電体に対する増強された相溶性を有する半水溶性ポリマー除去組成物
WO2016076031A1 (ja) * 2014-11-13 2016-05-19 三菱瓦斯化学株式会社 タングステンを含む材料のダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法
KR20170085483A (ko) * 2014-11-13 2017-07-24 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 텅스텐을 포함하는 재료의 데미지를 억제한 반도체 소자의 세정액, 및 이것을 이용한 반도체 소자의 세정방법
JPWO2016076031A1 (ja) * 2014-11-13 2017-08-24 三菱瓦斯化学株式会社 タングステンを含む材料のダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法
US10651028B2 (en) 2014-11-13 2020-05-12 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Semiconductor element cleaning solution that suppresses damage to tungsten-containing materials, and method for cleaning semiconductor element using same
KR102405637B1 (ko) * 2014-11-13 2022-06-07 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 텅스텐을 포함하는 재료의 데미지를 억제한 반도체 소자의 세정액, 및 이것을 이용한 반도체 소자의 세정방법
JP2018041033A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 花王株式会社 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
WO2018047631A1 (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 花王株式会社 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
CN109791377A (zh) * 2016-09-09 2019-05-21 花王株式会社 树脂掩膜剥离用洗涤剂组合物
WO2024128210A1 (ja) * 2022-12-12 2024-06-20 三菱瓦斯化学株式会社 フォトレジスト除去用組成物およびフォトレジストの除去方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080059442A (ko) 2008-06-27
EP1945748A2 (en) 2008-07-23
WO2007047365A2 (en) 2007-04-26
EP1945748A4 (en) 2009-01-07
CN101421386A (zh) 2009-04-29
CN101421386B (zh) 2011-08-10
TW200720862A (en) 2007-06-01
US20090118153A1 (en) 2009-05-07
WO2007047365A3 (en) 2007-08-09
US8058219B2 (en) 2011-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8058219B2 (en) Metals compatible post-etch photoresist remover and/or sacrificial antireflective coating etchant
US9422513B2 (en) Metal and dielectric compatible sacrificial anti-reflective coating cleaning and removal composition
JP4758982B2 (ja) 基板上に付着したフォトレジスト及び／又は犠牲反射防止材料のエッチング後除去のための組成物並びにプロセス
KR101444468B1 (ko) 에칭후 잔류물을 제거하기 위한 산화성 수성 세정제
KR101449774B1 (ko) 에칭 후 잔류물의 제거를 위한 액체 세정제
US20060063687A1 (en) Composition and process for ashless removal of post-etch photoresist and/or bottom anti-reflective material on a substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091009

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110826

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120209