CN114908341B - 一种pcb化学镍钯金镀层专用表面处理剂及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂及其制备方法，属于金属材料表面处理用试剂技术领域。该表面处理剂包括浓度为1~10g/L的表面活性剂、浓度为5~20g/L的助洗剂、浓度为0.5~5.0g/L的缓蚀剂和水；其中表面活性剂为炔二醇类表面活性剂，缓蚀剂为酸酐类单体和二元伯胺类单体共缩聚反应制备得到的具有特定化学结构的自制缓蚀剂。该表面处理剂能够对镀层孔隙深入清洗彻底清除残留杂质，同时能够对孔隙进行封闭以隔绝空气并阻止其他外来污染物进入，从根本上解决了由残留杂质和外界污染物导致的PCB镍钯金镀层变质的问题。

Description

一种PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种金属层用表面处理剂及其制备方法，尤其涉及一种PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂及其制备方法，属于金属材料表面处理用试剂技术领域。
背景技术
目前现有印制线路板（PCB）大多采用覆铜板，其表面基材采用铜箔形成，铜箔构成的铜层表面在空气中倾向于以氧化物的形式存在，会严重影响PCB的可焊性和电气性能。因此，需要对PCB进行表面处理。目前PCB表面处理工艺有：热风整平、有机防氧化、化学镍金、化学沉银、电镀镍金和化学镍钯金等。与其他工艺相比，化学镍钯金具有增加布线密度、减小元件尺寸、长期可靠性、无铅焊接、焊接和金属丝键合可靠性高等优点；并且通过控制化学镀钯和浸金的厚度，能够满足金属丝键合、通孔插入式封装、表面组装技术等多种封装工艺的要求，因此具有良好的应用前景。
化学镀镍/化学镀钯/浸金的工艺过程比较复杂，其最终形成的是镍、钯和金的复合多金属层。限于工业生产的实际技术水平，使用该工艺在PCB表面上施加的金属镀层表面都会存在大小不一的孔隙，通过这些孔隙，非金物质会与大气中的氧气、水汽、二氧化硫或其他污染物接触而发生化学反应，使金面颜色发生变化，镀层变质，从而影响可靠性。另外随着PCB储存和使用时间的延长，镀层孔隙处残留的杂质、底层金属和表层金属之间会形成原电池，在镀层内部引起电化学腐蚀，从而加速镀层变质，镀层表观颜色和电性能都会发生变化，直接影响产品的外观和焊接组装效果，从而导致接触不良、电气性能变差，甚至会使PCB板内线路断路，造成产品报废。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂及其制备方法，其能够对镀层孔隙深入清洗彻底清除残留杂质，同时能够对孔隙进行封闭以隔绝空气并阻止其他外来污染物进入，从根本上解决了由残留杂质和外界污染物导致的PCB镍钯金镀层变质的问题。
本发明的技术方案是：
第一方面，本发明公开了一种PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂，该表面处理剂包括浓度为1~10g/L的表面活性剂、浓度为5~20g/L的助洗剂、浓度为0.5~5.0g/L的缓蚀剂和水。
所述表面活性剂为炔二醇类表面活性剂。炔二醇类表面活性剂中含有碳碳三键，该碳碳三键位于碳氢链的中央，在碳碳三键的两侧对称分布有羟基，或对称分布有乙氧基和羟基，使其具有较强的极性和亲水性；炔二醇类表面活性剂分子的二端是疏水的碳氢链，支链基团上基本上都是小基团（如甲基），这种独特的结构能够使表面张力降低程度较大，且对基材具有极强的润湿性。同时炔二醇中羟基支链减弱了相邻分子间的吸引力，在气液界面形成可压缩易透气的扩展膜，因而本身不易形成泡沫，还具有一定的消泡能力，所以炔二醇类表面活性剂具有优良的润湿性和低泡消泡性。
本申请中所述炔二醇类表面活性剂为炔二醇或炔二醇聚氧乙烯醚中的至少一种。其中炔二醇选自2,5-二甲基-3-己炔-2,5-二醇、3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇、2,4,7,9-四甲基-5-癸炔-4,7-二醇；其中炔二醇聚氧乙烯醚选自2,4,7,9-四甲基-5-癸炔-4,7-二醇聚氧乙烯醚、2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚。本申请中优选2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚，其能够显著降低溶液表面张力，增加金属表面润湿性，利于表面处理剂深入孔隙清洗残留杂质，同时还能与缓蚀剂协同封闭镀层表面的孔隙。
所述助洗剂为聚天冬氨酸钠、甲基甘氨酸二乙酸三钠、三聚硫氰酸三钠盐、硅酸钠、羟基乙叉二膦酸二钠、乙二胺四乙酸二钠、柠檬酸钠、葡萄糖酸钠、谷氨酸二乙酸四钠、亚氨基二琥珀酸四钠中的至少一种。本申请中优选谷氨酸二乙酸四钠，它除了螯合能力强，还具有环境友好、使用安全可靠、易于生物降解的优点。
所述缓蚀剂的化学通式如下（I）中所示：
Figure 979840DEST_PATH_IMAGE001
（I）
其中R1为C6~C22饱和碳链或C6~C22不饱和碳链；
其中R2为C2~C6饱和碳链；
其中n=1~20的整数。
该缓蚀剂分子链上的极性基团能够吸附在金属表面上，非极性基团端竖起能够形成致密有序排列的疏水保护膜，阻挡气体水分等外界腐蚀介质的浸入，并有效封闭镀层孔隙。
本申请中缓蚀剂由第一单体和第二单体按照摩尔比为1:(1.2~1.8)经共缩聚反应制备得到。
其中所述第一单体为饱和酸酐或不饱和酸酐中的至少一种，更具体的为十二烷基琥珀酸酐、十六烷基琥珀酸酐、十八烷基琥珀酸酐、壬烯基丁二酸酐、十二烯基丁二酸酐、十八烯基琥珀酸酐中的至少一种，优选为十二烯基丁二酸酐。
其中所述第二单体为饱和碳链二元伯胺中的至少一种，更具体的为乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺中的至少一种，优选为1,3-丙二胺。
第二方面，本发明还公开第一方面所述的PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂的制备方法，该制备方法包括下述步骤：在搅拌釜内加入配方用量水总量中的部分，然后常温下边搅拌边依次加入配方用量的表面活性剂、助洗剂和缓蚀剂后，再将剩余的水加入，进行机械搅拌60min，确保混合均匀，得到所述PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂。其中上述缓蚀剂可以是符合本申请化学通式（I）的以任何方式制备得到的缓蚀剂。
进一步的，所述的缓蚀剂的制备方法包括下述步骤：将配方用量的第一单体和溶剂置于反应容器中搅拌均匀后形成混合物，将配方用量的第二单体使用恒压滴液方式于15~18℃下缓慢滴加至混合物中，滴加结束后进行化学反应2~2.5h后，控制升温至140~145℃后继续反应1~1.5h结束反应；待自然降温冷却后，通过减压蒸馏出溶剂得到所述缓蚀剂。
本发明的有益技术效果是：
和现有技术相比，本申请的表面处理剂通过所含表面活性剂、助洗剂的协同作用，能够有效对镀层进行渗透交换清洗，去除镀层表面及其孔隙中的污染物，实现对镀层的清洁；本申请中使用的缓蚀剂搭配炔二醇类表面活性剂，能够在镀层表面均匀形成一层疏水膜，封闭孔隙，隔绝外界污染物进入，降低或者避免镀层发生电化学腐蚀，提高镀层耐蚀防腐性能。
具体实施方式
为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，下面结合实施例和对比例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述，以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
具体实施例1
在1L容器中加入600mL水，然后加入3g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、10g谷氨酸二乙酸四钠和2g自制缓蚀剂（A），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（A）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.12mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
具体实施例2
在1L容器中加入600mL水，然后加入1g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、5g谷氨酸二乙酸四钠和0.5g自制缓蚀剂（B），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（B）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.15mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
具体实施例3
在1L容器中加入600mL水，然后加入10g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、20g谷氨酸二乙酸四钠和1g自制缓蚀剂（C），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（C）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.18mol 1,4-丁二胺共缩聚产物。
具体实施例4
在1L容器中加入600mL水，然后加入5g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、15g谷氨酸二乙酸四钠和3g自制缓蚀剂（D），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（D）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.15mol乙二胺共缩聚产物。
具体实施例5
在1L容器中加入600mL水，然后加入2g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、10g亚氨基二琥珀酸四钠和5g自制缓蚀剂（A），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（A）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.12mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
具体实施例6
在1L容器中加入600mL水，然后加入10g 3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇、15g聚天冬氨酸钠和3g自制缓蚀剂（B），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（B）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.15mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
具体实施例7
在1L容器中加入600mL水，然后加入3g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、10g乙二胺四乙酸二钠和2g自制缓蚀剂（A），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（A）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.12mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
具体实施例8
在1L容器中加入600mL水，然后加入3g 2,4,7,9-四甲基-5-癸炔-4,7-二醇、10g谷氨酸二乙酸四钠和2g自制缓蚀剂（A），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（A）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.12mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
具体实施例9
在1L容器中加入600mL水，然后加入3g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、10g谷氨酸二乙酸四钠和2g自制缓蚀剂（E），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（E）为0.1mol十二烷基琥珀酸酐和0.12mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
对比例1
纯水。
对比例2
在1L容器中加入600mL水，然后加入0.5g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、10g谷氨酸二乙酸四钠和2g自制缓蚀剂（A），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（A）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.12mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
对比例3
在1L容器中加入600mL水，然后加入12g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、10g谷氨酸二乙酸四钠和2g自制缓蚀剂（A），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（A）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.12mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
对比例4
在1L容器中加入600mL水，然后加入1g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、2g谷氨酸二乙酸四钠和0.5g自制缓蚀剂（B），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（B）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.15mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
对比例5
在1L容器中加入600mL水，然后加入1g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、25g谷氨酸二乙酸四钠和0.5g自制缓蚀剂（B），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（B）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.15mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
对比例6
在1L容器中加入600mL水，然后加入0.5g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、20g谷氨酸二乙酸四钠和1g自制缓蚀剂（C），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（C）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.18mol 1,4-丁二胺共缩聚产物。
对比例7
在1L容器中加入600mL水，然后加入5g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、15g谷氨酸二乙酸四钠和0.1g自制缓蚀剂（D），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（D）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.15mol乙二胺共缩聚产物。
对比例8
在1L容器中加入600mL水，然后加入5g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、15g谷氨酸二乙酸四钠和8g自制缓蚀剂（D），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（D）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.15mol乙二胺共缩聚产物。
对比例9
在1L容器中加入600mL水，然后加入3g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、10g谷氨酸二乙酸四钠和2g自制缓蚀剂（A），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（A）为0.12mol十二烯基丁二酸酐和0.1mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
对比例10
在1L容器中加入600mL水，然后加入3g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、10g谷氨酸二乙酸四钠和2g自制缓蚀剂（A），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（A）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.2mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
对比例11
在1L容器中加入600mL水，然后加入3g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚和10g谷氨酸二乙酸四钠，再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。
对比例12
在1L容器中加入600mL水，然后加入3g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚，再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。
对比例13
在1L容器中加入600mL水，然后加入3g 2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚、10g谷氨酸二乙酸四钠和2g常规缓蚀剂，再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中常规缓蚀剂为苯并三氮唑。
对比例14
在1L容器中加入600mL水，然后加入10g谷氨酸二乙酸四钠和2g自制缓蚀剂（A），再定容至1L，机械搅拌30min，溶液各组分混合均匀。其中自制缓蚀剂（A）为0.1mol十二烯基丁二酸酐和0.12mol 1,3-丙二胺共缩聚产物。
上述具体实施例和对比例中自制缓蚀剂的制备方法为：先称取上述举例中的第一单体置入三口烧瓶中，再加入适量的二甲苯做为溶剂（其中溶剂用量为第一单体和第二单体总质量的4.5-5倍），搅拌，再称取第二单体加入恒压滴液漏斗中，15℃时通过滴加方式加入三口瓶中，滴加结束后反应2h，控制升温到140℃，继续反应1h，自然降温冷却，再减压蒸馏出溶剂即可得到目标产物。其中减压蒸馏的温度为60℃，真空度为0.1-0.3MPa。
以覆铜板基材做为基片，按照PCB常规生产工艺做镍钯金镀层，并裁为面积大小为25mm×100mm测试片后备用。将上述制备得到的表面处理剂按照50mL/L的比例进行稀释，得到表面处理剂的工作液。将该表面处理剂的工作液工作温度设定为45℃，在该温度下喷淋清洗测试片60s后取出水洗，接着于100℃下热风干燥90s。上述PCB做镍钯金镀层的常规生产工艺的主要流程如下，酸性除油剂进行酸性除油→微蚀剂进行微蚀刻→硫酸预浸→活化→化学镀镍→化学镀钯→化学镀金，上述PCB进行镍钯金镀层的制备属于本领域的公知常识。
对上述经表面处理剂处理后的测试片进行性能评价，评价方法如下：
参考ASTM B735-16标准，使用在低的相对湿度下应用硝酸蒸汽（NAV）的对金属基片上金层多孔性的标准测试。测试参数如下：HNO3 浓度为69wt.%；暴露时间为120min；相对湿度为最大55%，温度为20℃。在该测试中，在小孔位置气体混合物与可被腐蚀的基层金属的反应会在金表面上呈现为离散斑点的反应产物。该测试方法被用于多孔性与耐腐蚀的定量描述（即，以mm2提供总的被腐蚀面积）。总的被腐蚀面积的值高表示耐腐蚀性低，反之亦然。
将经实施例与对比例工作液处理过的测试片的耐腐蚀性在硝酸蒸汽气氛中测试，之后用光学显微镜检查样品并统计被腐蚀面积。测试结果如下表1：
表1 测试片腐蚀性能测试结果
Figure 162559DEST_PATH_IMAGE002
上述对比例中，对比例1为不采用表面处理剂进行处理的情况，可知其被腐蚀的总面积较大。对比例2为与具体实施例1对比，对比例6和具体实施例3对比，对比例3和具体实施例1对比，可见当炔二醇类表面活性剂用量低于或高于本申请所述用量范围时，由于不能对镀层进行有效的渗透交换清洗，从而去除深层孔隙中的污染物，因此即便后续本申请缓蚀剂能够封闭孔隙，但仍然会造成腐蚀面积较大的情况。
对比例4与具体实施例2对比，对比例5与具体实施例2对比，当助洗剂用量低于或高于本申请所述用量范围时，其不能和表面活性剂产生协同作用，也会出现不能对孔隙深层清洁的情况，从而造成腐蚀面积较大的情况。
对比例7与具体实施例4对比，对比例8与具体实施例4对比，当缓蚀剂用量低于或高于本申请所限定范围时，由于其不能在镀层表面全覆盖的形成均匀的疏水膜来封闭孔隙，也不能和炔二醇类表面活性协同作用封闭孔隙，从而会使外界污染物进行孔隙造成镀层发生电化学腐蚀的情况。
对比例9与具体实施例1对比，对比例10与具体实施例1对比，当缓释剂中第一单体与第二单体的摩尔比低于或高于本申请所述用量范围时，由于其不能在镀层表面全覆盖的形成均匀的疏水膜来封闭孔隙，也不能和炔二醇类表面活性协同作用封闭孔隙，从而会使外界污染物进行孔隙造成镀层发生电化学腐蚀的情况。
对比例11与具体实施例1比对，当表面处理剂中仅使用炔二醇类表面活性剂和助洗剂时，由于缺少缓蚀剂的缓蚀作用以及其和炔二醇类表面活性剂配合产生的封闭孔隙的作用，其总腐蚀面积较大。对比例12与具体实施例1对比，当表面处理剂中仅使用表面活性剂时，其总腐蚀面积较大。对比例13与具体实施例1比对，当表面处理剂中使用常规的缓蚀剂代替本申请限定结构的缓蚀剂时，由于常规缓蚀剂不能像本申请缓蚀剂在金属表面形成致密有序排列的疏水保护膜，不能和炔二醇类表面活性剂协同作用，因此外界污染物依然会进入孔隙内，造成腐蚀。对比例14与具体实施例1比对，当表面处理剂中仅使用助洗剂和本申请缓蚀剂时，由于缺少高效能表面活性剂与助洗剂的配合，其不能对镀层深层进行充分清洁后再封闭孔隙，仍然会造成腐蚀面积较大的情况。
由对比例1、对比例11、对比例12、对比例14的测试片腐蚀性能测试结果来看，表面处理剂中缺少多种组分（对比例1、对比例12）比表面处理剂中缺少单一组分（对比例11、对比例14）的效果差。由此可见，本申请的表面处理剂所含表面活性剂、助洗剂具有协同作用，能够有效对镀层进行渗透交换清洗，去除镀层表面及其孔隙中的污染物，实现对镀层的清洁。
由表1以及上述分析可知，采用本申请选择的表面活性剂、助洗剂和缓蚀剂以及各成分使用范围内的实施例的总腐蚀面积明显小于对比例，本发明具体实施例提供的表面处理剂能够有效对镀层进行渗透交换清洗，实现对镀层有效的清洗作用，同时能够与镀层表面成膜并强化所形成的膜层，提高镀层耐蚀防腐性能。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂，其特征在于：包括浓度为1~10g/L的表面活性剂、浓度为5~20g/L的助洗剂、浓度为0.5~5.0g/L的缓蚀剂和水；
所述表面活性剂为炔二醇类表面活性剂；
所述助洗剂为聚天冬氨酸钠、甲基甘氨酸二乙酸三钠、三聚硫氰酸三钠盐、硅酸钠、羟基乙叉二膦酸二钠、乙二胺四乙酸二钠、柠檬酸钠、葡萄糖酸钠、谷氨酸二乙酸四钠、亚氨基二琥珀酸四钠中的至少一种；
所述缓蚀剂的化学通式如下（I）中所示：
Figure 417671DEST_PATH_IMAGE001
（I）
其中R1为C6~C22饱和碳链或C6~C22不饱和碳链；
其中R2为C2~C6饱和碳链；
其中n=1~20的整数。
2.根据权利要求1所述的PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂，其特征在于：所述炔二醇类表面活性剂为2,5-二甲基-3-己炔-2,5-二醇、3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇、2,4,7,9-四甲基-5-癸炔-4,7-二醇、2,4,7,9-四甲基-5-癸炔-4,7-二醇聚氧乙烯醚、2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂，其特征在于：所述炔二醇类表面活性剂为2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚。
4.根据权利要求1所述的PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂，其特征在于：所述缓蚀剂由第一单体和第二单体按照摩尔比为1:(1.2~1.8)经共缩聚反应制备得到，其中所述第一单体为饱和酸酐或不饱和酸酐中的至少一种，其中所述第二单体为饱和碳链二元伯胺。
5.根据权利要求4所述的PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂，其特征在于：所述第一单体为十二烷基琥珀酸酐、十六烷基琥珀酸酐、十八烷基琥珀酸酐、壬烯基丁二酸酐、十二烯基丁二酸酐、十八烯基琥珀酸酐中的至少一种；所述第二单体为乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂，其特征在于：所述第一单体为十二烯基丁二酸酐。
7.根据权利要求4所述的PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂，其特征在于：所述第二单体为1,3-丙二胺。
8.一种权利要求5至7中任意一项所述的PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：在搅拌釜内加入配方用量水总量中的部分，然后常温下边搅拌边依次加入配方用量的表面活性剂、助洗剂和缓蚀剂后，再将剩余的水加入，进行机械搅拌，确保混合均匀，得到所述PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂。
9.如权利要求8所述的PCB化学镍钯金镀层专用表面处理剂的制备方法，其特征在于，所述的缓蚀剂的制备方法包括下述步骤：
将配方用量的第一单体和溶剂置于反应容器中搅拌均匀后形成混合物，将配方用量的第二单体使用恒压滴液方式于15~18℃下缓慢滴加至混合物中，滴加结束后进行化学反应2~2.5h后，控制升温至140~145℃后继续反应1~1.5h结束反应；待自然降温冷却后，通过减压蒸馏出溶剂得到所述缓蚀剂。
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