JP4373457B2 - フォトレジストのための組成物及び方法 - Google Patents
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Description
例1
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 10.3
ベンジルアルコール 26
チオグリセロール 2
例2
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 45.9
p−トルエンスルホン酸 20
テトラヒドロフルフリルアルコール 9.1
ベンジルアルコール 23
チオグリセロール 2
例3
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 45.9
p−トルエンスルホン酸 20
1−オクタノール 9.1
ベンジルアルコール 23
チオグリセロール 2
例4
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 48.8
p−トルエンスルホン酸 15
テトラヒドロフルフリルアルコール 24.5
PG 9.7
チオグリセロール 2
例5
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
PG 10.3
ベンジルアルコール 26
チオグリセロール 2
例6
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 26
PG 10.3
チオグリセロール 2
例7(比較例1)
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 88
p−トルエンスルホン酸 10
チオグリセロール 2
BDIは、カリフォルニア州、サンタクララ、Applied Material社の方法及び前駆物質をもとに堆積させたケイ素酸化物誘電体である。
ntは試験しなかった(not tested)ことを示す。
例8(比較例2)
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 52.9
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 10.5
ベンジルアルコール 26.6
例9
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 10.3
ベンジルアルコール 26
ベンゾトリアゾール 2
例10
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 10.3
ベンジルアルコール 26
トリルトリアゾール 2
例11
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 52.85
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 10.3
ベンジルアルコール 26
1-[(2-ヒドロキシエチル)チオ]-3-(オクチロキシ)-2-プロパノール 0.85
例12
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 10.3
ベンジルアルコール 26
没食子酸 2
例13(比較例3)
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 52.9
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 26.6
プロピレングリコール 10.5
例14
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 26
プロピレングリコール 10.3
2−メルカプトベンゾイミダゾール 2
例15
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 26
プロピレングリコール 10.3
没食子酸 2
例16
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 51.7
メタンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 26
プロピレングリコール 10.3
チオグリセロール 2
例17
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 51.7
1,5−ナフタレンジスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 26
プロピレングリコール 10.3
チオグリセロール 2
例18
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 51.7
2−ナフタレンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 26
プロピレングリコール 10.3
チオグリセロール 2
例19
化合物 質量%
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル 51.7
1−ナフタレンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 26
プロピレングリコール 10.3
チオグリセロール 2
例20
化合物 質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 26
プロピレングリコール 10.3
チオグリセロール 2
例21
化合物 質量%
トリプロピレングリコールモノメチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 26
プロピレングリコール 10.3
チオグリセロール 2
例22
化合物 質量%
ジプロピレングリコールモノブチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 26
プロピレングリコール 10.3
チオグリセロール 2
例23
化合物 質量%
ジプロピレングリコールモノブチルエーテル 31.5
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 38.5
プロピレングリコール 18
チオグリセロール 2
例24
化合物 質量%
トリプロピレングリコールモノブチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 26
プロピレングリコール 10.3
チオグリセロール 2
例25
化合物 質量%
トリプロピレングリコールモノブチルエーテル 39.5
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 33.5
プロピレングリコール 15
チオグリセロール 2
例26
化合物 質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 10.3
ベンジルアルコール 26
チオグリセロール 2
例27
化合物 質量%
トリプロピレングリコールモノメチルエーテル 51.7
p−トルエンスルホン酸 10
テトラヒドロフルフリルアルコール 10.3
ベンジルアルコール 26
チオグリセロール 2
溶媒配合物 40 〜98.9%
スルホン酸 1 〜30 %
腐食防止剤 0.1〜10 %
好ましい範囲
溶媒配合物 75 〜94.5%
スルホン酸 5 〜20 %
腐食防止剤 0.5〜 5 %
Claims (16)
- 電子デバイス基板上の多重層フォトレジスト層の再加工のために、65℃以下の温度で且つ3分以下の接触時間で該基板上の該フォトレジストを除去することができる非水の、非フッ素化物−含有組成物であって;(i)少なくとも一の非ポリマー性グリコールエーテル溶媒、(ii)少なくとも一の非芳香族アルコール溶媒、(iii)芳香族アルコール及びグリコールからなる群から選択される少なくとも一の溶媒、(iv)少なくとも一の有機スルホン酸、並びに(v)少なくとも一の腐食防止剤、を含む組成物。
- 該(iii)の溶媒がプロピレングリコール及びベンジルアルコールからなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
- 該有機スルホン酸が、
R1SO3H(ここでR1は1〜4の炭素を有するアルキル基を意味する);
R2−A−SO3H(ここでR2は1〜16の炭素を有するアルキル基を意味し、そしてAはフェニレン又はナフタレン基を意味する);
及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。 - 該有機スルホン酸が、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、4−エチルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、クメンスルホン酸、メチルエチルベンゼンスルホン酸、キシレンスルホン酸の異性体、ベンゼンスルホン酸、フェノールスルホン酸、ナフタレンスルホン酸及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
- 該腐食防止剤が、チオグリセロール、メルカプトエタノール、メルカプトベンゾチアゾール、没食子酸、1−[(2−ヒドロキシエチル)チオ]−3−(オクチロキシ)−2−プロパノール及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
- 電子デバイス基板上の多重層フォトレジスト層の再加工のために該基板上の該フォトレジストを除去するための組成物であって、ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル、p−トルエンスルホン酸、テトラヒドロフルフリルアルコール、ベンジルアルコール、1−[(2−ヒドロキシエチル)チオ]−3−(オクチロキシ)−2−プロパノール及び没食子酸を含んでなる、組成物。
- 電子デバイス基板上の多重層フォトレジスト層の再加工のために、65℃以下の温度で且つ3分以下の接触時間で該基板上の該フォトレジストを除去することができる組成物であって、ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル、p−トルエンスルホン酸、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール及びチオグリセロールを含んでなる、組成物。
- 電子デバイス基板上の多重層フォトレジスト層の再加工のために、65℃以下の温度で且つ3分以下の接触時間で該基板上の該フォトレジストを除去することができる組成物であって、ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル、p−トルエンスルホン酸、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール及び没食子酸を含んでなる、組成物。
- 電子デバイス基板上の多重層フォトレジスト層の再加工のために、該基板上の該フォトレジストを除去する方法であって、
(i)少なくとも一の非ポリマー性グリコールエーテル溶媒、(ii)少なくとも一の非芳香族アルコール溶媒、(iii)芳香族アルコール及びグリコールからなる群から選択される少なくとも一の溶媒、(iv)少なくとも一の有機スルホン酸、並びに(v)少なくとも一の腐食防止剤、を含む非水の、非フッ素化物−含有フォトレジストストリッパー組成物と、該電子デバイス基板上の多重層フォトレジスト層とを、65℃以下の温度で且つ3分以下の接触時間で接触させること、を含んでなる方法。 - 該接触が枚葉式ウェハーツールで実施される、請求項9に記載の方法。
- 該(iii)の溶媒がプロピレングリコール及びベンジルアルコールからなる群から選択される、請求項9に記載の方法。
- 該有機スルホン酸が、
R1SO3H(ここでR1は1〜4の炭素を有するアルキル基を意味する);
R2−A−SO3H(ここでR2は1〜16の炭素を有するアルキル基を意味し、そしてAはフェニレン又はナフタレン基を意味する);
及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項9に記載の方法。 - 該有機スルホン酸が、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、4−エチルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、クメンスルホン酸、メチルエチルベンゼンスルホン酸、キシレンスルホン酸の異性体、ベンゼンスルホン酸、フェノールスルホン酸、ナフタレンスルホン酸及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項9に記載の方法。
- 該腐食防止剤が、チオグリセロール、メルカプトエタノール、メルカプトベンゾチアゾール、1−[(2−ヒドロキシエチル)チオ]−3−(オクチロキシ)−2−プロパノール、没食子酸及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項9に記載の方法。
- 電子デバイス基板上の多重層フォトレジスト層の再加工のために、該基板上の該フォトレジストを除去する方法であって、
該電子デバイス基板上の多層フォトレジスト層を、ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル、p−トルエンスルホン酸、テトラヒドロフルフリルアルコール、ベンジルアルコール及びチオグリセロールを含むフォトレジストストリッパー組成物と、65℃以下の温度で接触させること並びに3分以下の間接触させること、を含んでなる方法。 - 電子デバイス基板上の多重層フォトレジスト層の再加工のために、該基板上の該フォトレジストを除去する方法であって、
該電子デバイス基板上の多層フォトレジスト層を、ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル、p−トルエンスルホン酸、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール及びチオグリセロールを含むフォトレジストストリッパー組成物と、65℃以下の温度で接触させること並びに3分以下の間接触させること、を含んでなる方法。
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