KR101251594B1 - 레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물 - Google Patents

레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR101251594B1
KR101251594B1 KR1020060026545A KR20060026545A KR101251594B1 KR 101251594 B1 KR101251594 B1 KR 101251594B1 KR 1020060026545 A KR1020060026545 A KR 1020060026545A KR 20060026545 A KR20060026545 A KR 20060026545A KR 101251594 B1 KR101251594 B1 KR 101251594B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
weight
chemical rinse
rinse composition
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020060026545A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070096330A (ko
Inventor
김성배
박희진
윤석일
김병욱
신성건
Original Assignee
주식회사 동진쎄미켐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동진쎄미켐 filed Critical 주식회사 동진쎄미켐
Priority to KR1020060026545A priority Critical patent/KR101251594B1/ko
Priority to JP2007074815A priority patent/JP2007256955A/ja
Priority to TW096110228A priority patent/TWI421650B/zh
Priority to CN2007100866235A priority patent/CN101042543B/zh
Publication of KR20070096330A publication Critical patent/KR20070096330A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101251594B1 publication Critical patent/KR101251594B1/ko

Links

Images

Classifications

    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04H—BUILDINGS OR LIKE STRUCTURES FOR PARTICULAR PURPOSES; SWIMMING OR SPLASH BATHS OR POOLS; MASTS; FENCING; TENTS OR CANOPIES, IN GENERAL
    • E04H15/00—Tents or canopies, in general
    • E04H15/30—Tents or canopies, in general convertible, e.g. from one type tent to another type tent, from tent to canopy or from tent cover into diverse articles
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04H—BUILDINGS OR LIKE STRUCTURES FOR PARTICULAR PURPOSES; SWIMMING OR SPLASH BATHS OR POOLS; MASTS; FENCING; TENTS OR CANOPIES, IN GENERAL
    • E04H15/00—Tents or canopies, in general
    • E04H15/32—Parts, components, construction details, accessories, interior equipment, specially adapted for tents, e.g. guy-line equipment, skirts, thresholds
    • E04H15/34—Supporting means, e.g. frames
    • E04H15/44—Supporting means, e.g. frames collapsible, e.g. breakdown type
    • E04H15/48—Supporting means, e.g. frames collapsible, e.g. breakdown type foldable, i.e. having pivoted or hinged means
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04H—BUILDINGS OR LIKE STRUCTURES FOR PARTICULAR PURPOSES; SWIMMING OR SPLASH BATHS OR POOLS; MASTS; FENCING; TENTS OR CANOPIES, IN GENERAL
    • E04H15/00—Tents or canopies, in general
    • E04H15/32—Parts, components, construction details, accessories, interior equipment, specially adapted for tents, e.g. guy-line equipment, skirts, thresholds
    • E04H15/58—Closures; Awnings; Sunshades
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04H—BUILDINGS OR LIKE STRUCTURES FOR PARTICULAR PURPOSES; SWIMMING OR SPLASH BATHS OR POOLS; MASTS; FENCING; TENTS OR CANOPIES, IN GENERAL
    • E04H15/00—Tents or canopies, in general
    • E04H15/32—Parts, components, construction details, accessories, interior equipment, specially adapted for tents, e.g. guy-line equipment, skirts, thresholds
    • E04H15/64—Tent or canopy cover fastenings
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04H—BUILDINGS OR LIKE STRUCTURES FOR PARTICULAR PURPOSES; SWIMMING OR SPLASH BATHS OR POOLS; MASTS; FENCING; TENTS OR CANOPIES, IN GENERAL
    • E04H15/00—Tents or canopies, in general
    • E04H15/32—Parts, components, construction details, accessories, interior equipment, specially adapted for tents, e.g. guy-line equipment, skirts, thresholds
    • E04H2015/326—Frame members connected by elastic cord

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 a) 유기 아민류 화합물 0.05 내지10 중량%, b) 유기 용제 0.05 내지30 중량%, c) 트리아졸계 부식방지제 0.005 내지 5 중량%, d) 하이드록시페놀류, 알킬 갈레이트류 및 환원제류로 이루어진 군에서 선택되는 부식방지제 0.005 내지 5 중량%, 및 e) 잔량의 물을 포함하여, 우수한 세정력을 가지면서 동시에 금속막질의 부식을 방지하고, 종래 세정 공정에 사용되오던 메탄올, 에탄올, 이소프로필알콜 등의 인화성 물질인 알코올류를 대체 가능하며, 효과적으로 기판으로부터 스트리퍼 등의 유기 이물 및 먼지등의 무기이물을 세정할 수 있다.
스트리퍼, 이물질, 케미칼 린스 조성물

Description

레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물{CHEMICAL RINSE COMPOSITION FOR REMOVING RESIST STRIPPER}
도 1은 (a) 본 발명의 실시예 및 (b) 비교예의 케미칼 린스 조성물을 이용하여 기판에 형성된 유기이물인 강제 오염 스트립퍼 폐액을 세정하기 전과 후의 결과를 나타낸 광학 전자 현미경 사진이다.
도 2는 (a) 본 발명의 실시예 및 (b) 비교예의 케미칼 린스 조성물을 이용하여 기판에 형성된 유기이물인 먼지를 세정하기 전과 후의 결과를 나타낸 광학 전자 현미경 사진이다.
도 3은 (a) 본 발명의 실시예 및 (b) 비교예의 케미칼 린스 조성물을 이용하여 기판에 형성된 유기이물인 지문을 세정하기 전과 후의 결과를 나타낸 광학 전자 현미경 사진이다.
본 발명은 TFT-LCD 또는 반도체 소자 제조공정에서 사용될 수 있는 케미칼 린스 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 우수한 세정력을 가짐과 동시에, 금속막질의 부식을 방지하고, 인화성, 저장성 및 환경에 있어서도 문제가 없으며, 특히 기존 세정공정에서 쓰이는 알코올류 화학물질을 대체할 수 있으며, Cu 층의 유기이물 흡착특성이 강하기 때문에 기존에서 볼 수 없던 이물발생에 대해 탁월한 세정효과를 가지는 레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물에 관한 것이다.
일반적으로 TFT-LCD 또는 반도체 소자를 포토리소그래피법에 의해 제조하는 경우, 글라스, 실리콘 웨이퍼 등의 기판상에 알루미늄, 알루미늄 알로이, 구리 등의 금속막이나 산화막 등의 절연막을 형성한 후, 그 표면에 레지스트를 균일하게 도포하고, 이것을 노광 및 현상 처리하여 레지스트 패턴을 형성하며, 상기 레지스트 패턴을 마스크(mask)로 하여 하층부의 얇은 막을 선택적 에칭(etching)하여 패턴을 형성시킨 후, 불필요한 레지스트를 기판상에서 스트리퍼로 완전히 제거하는 일련의 공정이 진행된다.
상기 기판 상에서 레지스트를 제거하는 스트리퍼로는, 알킬벤젠술폰산을 주성분으로 하는 유기 술폰산계 스트리퍼, 모노에탄올아민 등의 유기아민을 주성분으로 하는 유기아민계 스트리퍼들이 공지되어 있다.　 그러나 유기 술폰산계 스트리퍼는 작업시 안전성에 문제가 있어서, 근래에는 모노에탄올아민 등의 유기아민을 주성분으로 하는 유기아민계 스트리퍼가 주로 사용되고 있다.
이와 같이 유기아민계 스트리퍼로 레지스트 패턴층을 제거한 후 기판을 순수로 세정 처리하는 것이 일반적이나, 순수에 의한 세정 공정은 스트리퍼를 단시간 내에 완전히 세정하기 어렵고, 세정시간이 길어지면 금속막 및 절연막에 부식이 발생하기 때문에 순수로 세정하기 전에 스트리퍼를 케미칼 린스 조성물로 세정 처리한다.
종래에 사용되는 케미칼 린스 조성물로는 메탄올, 에탄올, 이소프로필알콜, 아세톤, 디메틸설폭사이드 (Dimethylsulfoxide) 등이 사용되고 있었으나, 상기 용매로서는 충분한 세정력을 기대할 수 없으며, 특히 미세회로 부위의 세정이 곤란하다.　 또한 상기 알코올류는 인화성 또는 저장성에 문제점을 갖고 있기 때문에 취급시 각별한 주의를 요하므로 작업능률이 떨어지는 문제점이 있으며, 공정단가의 상승 및 특정 배선재료에 대한 유기잔사 문제를 해결해 주지 못하는 단점이 있다.
또한, 국내특허공개 제2004-0037463호는 0.01-10 중량%의 알칸올아민, 0.01-50 중량%의 알킬렌글리콜알킬 에테르, 0.01-10 중량%의 하이드록시 벤젠류 및 잔량의 탈이온수를 포함하는 후-스트립 세정제 조성물을 개시한 바 있다. 그러나, 상기 방법은 사슬형아민을 사용함으로써 금속 배선라인상에서 금속막질층의 부식현상이 발생하는 문제가 있다.
상기 종래기술에서의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 목적은 세정 후 금속막질에 대한 부식이 없으며, 린스효과가 우수할 뿐만 아니라, 기존 사용되는 알코올류를 대체할 수 있으므로 인화점, 저장성 및 환경에 대한 문제점을 해결할 수 있는 레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명은 a) 유기 아민류 화합물 0.05 내지10 중량%, b) 유기 용제 0.05 내지30 중량%, c) 트리아졸계 부식방지제 0.005 내지 5 중량%, d) 하이드록시페놀류, 알킬 갈레이트류 및 환원제류로 이루어진 군에서 선 택되는 부식방지제 0.005 내지 5 중량%, 및 e) 잔량의 물을 포함하는 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물을 제공한다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 TFT-LCD 또는 반도체 소자 제조공정에서 레지스트를 최종 제거한 후 잔존하는 스트리퍼액을 세정하는 것을 주목적으로 하는 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 케미칼 린스 조성물은 우수한 세정력을 가짐과 동시에, 금속막질의 부식을 방지하고, 인화성, 저장성 및 환경에 있어서도 문제가 없다. 특히, 본 발명에 따르면 기존 세정공정에서 사용되는 알코올류의 화합물질을 대체할 수 있으며, Cu 층(layer)의 유기이물 흡착특성이 강하기 때문에 기존 레이어(layer)에서 볼 수 없던 이물발생에 대해 탁월한 세정효과를 볼 수 있다.
이러한 본 발명의 케미칼 린스 조성물은 적어도 1종 이상의 유기 아민류, 적어도 1종 이상의 유기용제, 물, 1종 이상의 트리아졸계 부식방지제, 및 적어도 1종 이상의 하이드록시페놀류, 알킬 갈레이트류 및 환원제류로 이루어진 군에서 선택되는 부식방지제를 포함한다.
상기 유기 아민류 화합물은 일반적인 사슬형 아민을 사용하는 것이 아닌 고리형 아민을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 고리형 아민은 사슬형 아민에 비해 금속막질층에 대한 부식력이 높지 않아, 세정시 금속막질층에 부식이 낮은 효과를 나타낸다. 상기 고리형 아민의 구체적인 예를 들면, 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 4-(3-아미노프로필)몰포린, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)- 4-에틸 피페라진, 4-아미노-1-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 2-메틸피페라진, 1-벤질피페라진, 및 2-페닐피페라진으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 사용할 수 있다. 상기 유기 아민류 화합물의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.05 내지 10 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 그 함량이 0.05 중량% 미만이면 낮은 세정력을 가지는 문제가 있고, 10 중량%를 초과하면 아민의 부식력에 의해 금속막질층에 손상이 가는 문제가 있다.
본 발명의 케미칼 린스 조성물에서, 상기 유기용제는 에틸렌글리콜 메틸에테르, 에틸렌글리콜 에틸 에테르, 에틸렌글리콜 부틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸에테르, 디에틸렌글리콜 부틸에테르 및 디에틸렌글리콜 프로필에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 글리콜 에테르 화합물인 것이 바람직하다. 상기 유기 용제의 사용량은 전체 조성물에 대하여 0.05 내지 30 중량%로 사용하며, 그 함량이 0.05 중량% 미만이면 레지스트 및 유기아민계 화합물에 대한 용해력이 떨어지며, 30 중량%를 초과하면 폐액 처리가 쉽지 않은 문제점이 있다.
상기 트리아졸계 부식방지제는 트리아졸 분자와 금속표면에 강한 결합이 형성되는 화학흡착(chemisorption)을 이루게 되어, 금속부식의 원인인 유기아민 성분의 침투를 막아주어 부식방지 효과를 나타내게 된다. 상기 트리아졸계 부식방지제는 다음 화학식 1로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure 112006020394581-pat00001
상기 식에서, R1은 탄소수 1 내지 12의 알킬, 탄소수 1내지 12의 알릴, 카르복실기, 하이드록실기, 또는 아미노기이고, R2는 탄소수 1 내지 12의 알킬, 하이드록실기, 탄소수 1내지 12의 알킬하이드록실, 탄소수 1 내지 12의 디알킬하이드록실, 카르복실, 탄소수 1 내지 12의 알킬카르복실, 탄소수 1 내지 12의 디알킬카르복실, 아미노, 탄소수 1 내지 12의 알킬아미노, 또는 탄소수 1 내지 12의 디알킬아미노이다.
더욱 바람직하게, 상기 트리아졸류는 톨릴트리아졸(Tolytriazole), 벤조트리아졸(Benzotriazole), 아미노트리아졸, 카르복실벤조트리아졸, 1-[비스(하이드록시에틸)아미노에틸]톨릴트리아졸, 1-하이드록시 벤조트리아졸(HBT), 및 니트로 벤조트리아졸(NBT)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택하여 사용할 수 있다.
이때, 상기 트리아졸계의 부식방지제는 상온에서 고체 상태로 존재하고 물에 용해되기 어렵기 때문에 미리 유기 용제에 녹여 액상으로 제조한 후 사용하는 것이 좋다.
상기 트리아졸계 부식방지제의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.005 내지 5 중량%로 사용하는 것이 바람직하다.　 상기 트리아졸계 부식방지제의 함량이 0.005 중량% 미만이면 금속막질층이 부식되는 문제점이 있고, 5 중량%를 초과하면 세정 공정시 거품이 형성되어 공정 진행이 어렵다.
상기 하이드록시페놀류 또는 알킬 갈레이트류 부식방지제는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것이 바람직하다.
[화학식 2]
Figure 112006020394581-pat00002
상기 식에서, R1 내지 R3는 각각 수소, 하이드록실기, 또는 카르복실기이고, R4는 탄소수가 1~12개인 알킬에스테르, 카르복실, 또는 수소이다.
더욱 바람직하게, 상기 하이드록시페놀류 또는 알킬 갈레이트류 부식방지제는 카테콜, 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트, 및 갈릭산으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것이 좋다.
상기 환원제류 부식방지제는 아스코신 및 엘리소르빈산으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것이 좋다.
상기 하이드록시페놀류, 알킬갈레이트류 및 환원제류로 이루어진 군에서 선택되는 부식방지제의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.005 내지 5 중량%로 사용하는 것이 바람직하다.　 이때, 하이드록시페놀류 또는 알킬 갈레이트류 부식방지제의 함 량이 0.005 중량% 미만이면 금속막질층이 부식되는 문제점이 있고, 5 중량%를 초과하면 세정 공정시 거품이 형성되어 공정 진행이 어렵다. 또한, 상기 환원제류 부식방지제의 함량이 0.005 중량% 미만이면 금속막질층이 부식되는 문제점이 있고, 5 중량%를 초과하면 세정액의 알칼리도가 떨어져 세정이 잘 안되는 문제점이 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물은 필수 구성 성분인 물을 잔부로 포함하며, 바람직하게는 50 내지 99 중량%로 포함할 수 있다. 상기 물의 함량이 50 중량% 미만이면 폐액처리 등에 문제가 있으며, 물의 함량이 99 중량%를 초과되면 세정력이 떨어지는 문제점이 있다.
상기 물은 이온교환수지를 통해 여과한 순수가 바람직한데, 비저항이 18메가오옴(㏁) 이상인 초순수를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명의 케미칼 린스 조성물은 전체 조성물에 대하여 적어도 하나 이상의 실리콘계 소포제를 0.005 내지 5 중량%로 더욱 포함할 수 있다. 상기 실리콘계 소포제는 분자량이 적어도 740이상인 소수성의 폴리실록산 또는 디메틸폴리실록산에 분자량이 적어도 300이상인 친수성의 폴리에테르가 공중합된 소포제로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 소포제의 함량이 0.005 중량% 미만이면 충분히 기포를 없애주지 못하는 문제점이 있고, 5 중량%를 초과하면 소포제가 액중 충분히 용해되지 못해 백탁이 일어나는 문제가 있다.
이하 본 발명을 하기 실시예를 참조로 하여 보다 상세히 설명한다. 이들 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의하여 한정되는 것이 아님은 물론이다.
실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 6
하기 표 1 및 2의 조성으로 케미칼 린스 조성물을 제조하였다.
[표 1]
케미칼 린스 조성물의 조성(중량%)
AEP HEP 물 EGME BT 엘리소르빈산 피로갈롤 소포제
실
시
예		 1 0.1 0.3 98.47 1 0.2 0.01 0.01
2 0.4 98.67 1 0.2 0.01
3 0.4 98.87 1 0.2 0.01 0.01
4 0.1 0.3 99.51 0.5 0.06 - 0.02 0.01
5 0.2 0.2 99.52 0.5 0.06 - 0.02 -
6 0.3 0.1 99.52 0.5 0.06 - 0.02 -
7 0.5 - 99.4 0.5 0.08 - 0.02 -
8 - 0.5 99.4 0.5 0.08 - 0.02 -
[표 2]
케미칼 린스 조성물의 조성(중량%)
IPA MEA TMAH
20%		 숙신산 옥살산 시트르산 물 EGME
비
교
예		 1 - - 1 - - 99 -
2 - - - 1 - 99 -
3 - - - - 1 99 -
4 - 2 - - - - 98 -
5 - 1 - - - - 99 -
6 - 2 - - - 98 -
7 100 - - - - - -
8 1 - - - - 99 -
9 100
주) 상기 표 1 및 2에서,
TMAH: 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetra-methyl ammonium hydroxide)
AEP: 1-(2-아미노에틸)피페라진
HEP: 1-(2-하이드록시에틸)피페라진
BT: 벤조트리아졸
TT: 톨릴트리아졸
소포제: 분자량이 900 이상인 폴리실록산과 폴리에테르의 공중합체 (BYK-023)
실험예 1
유기이물 (지문, 스트립퍼 (stripper) 폐액 ) 세정에 대한 실험
초순수로 세정된 글라스 위에 임의적인 지문을 묻혀 유기이물(지문)을 형성시킨 후, 상기 실시예 및 비교예의 케미칼 린스 조성물에 5분 동안 침지 시키고 광학전자현미경(LEICA사, 모델: FTM-200)으로 결과를 측정하여 표 3에 나타내었다.
또한, 초순수로 세정된 글라스 위에 스트립퍼 폐액을 묻힌 후 90℃ 오븐에서 5시간 동안 건조 시킨 후, 상기 실시예 및 비교예의 케미칼 린스 조성물에 5분 동안 침지 시키고, 광학전자현미경(LEICA사, 모델: FTM-200)으로 결과를 측정하여 표 3에 나타내었다.
실험예 2
무기이물 (먼지) 세정에 대한 실험
초순수로 세정된 글라스 위에 임의적인 먼지를 묻혀 무기이물(먼지)을 형성시킨 후, 상기 실시예 및 비교예의 케미칼 린스 조성물에 5분 동안 침지 시키고, 광학전자현미경(LEICA사, 모델: FTM-200)으로 결과를 측정하여 표 3에 나타내었다.
금속막질 데미지 (damage) 관찰
초순수로 세정된 모노 알루미늄 기판을 상온에서 상기 실시예 및 비교예의 케미칼 린스 조성물에 30분간 침지시킨 후, 상기 시편을 초순수로 수세하고 질소가스로 건조한 다음, 패턴 내에 부식이 발생했는지 여부를 주사전자현미경(SEM)으로 검사하여 그 결과를 표 3에 나타내었다.
또한, (a) 본 발명의 실시예 및 (b) 비교예의 케미칼 린스 조성물을 이용하여 기판에 형성된 유기이물인 강제 오염 스트립퍼 폐액, 먼지, 및 지문을 세정하기 전과 후의 광학 전자 현미경 사진 결과를 도 1 내지 3에 각각 나타내었다.
[표 3]
지문 먼지 스트리퍼 폐액 금속막질
실
시
예		 1 양호 양호 양호 양호
2 양호 양호 양호 양호
3 양호 양호 양호 양호
4 양호 양호 양호 양호
5 양호 양호 양호 양호
6 양호 양호 양호 양호
7 양호 양호 양호 양호
8 양호 양호 양호 양호
비
교
예		 1 양호 불량 불량 불량
2 양호 불량 불량 불량
3 양호 불량 불량 불량
4 양호 양호 양호 불량
5 양호 양호 양호 불량
6 양호 양호 양호 불량
7 불량 불량 불량 양호
8 양호 불량 양호 양호
9 양호 불량 양호 양호
상기 표 3에서, 양호는 평가된 시편 면적의 2% 미만으로 이물이 남아있는 상태를 나타낸 것이고, 불량은 50% 이상 남아있는 상태를 나타낸 것이다.
본 발명의 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물은 세정력이 우수하고 금속막질의 부식을 방지하며 인화성, 저장성, 및 환경에 있어서 문제가 없으며, 기존 세정 공정에서 사용되오던 이소프로필 등과 같은 알코올류 화학물질을 대체할 수 있고, 유기 및 무기 이물 제거에 대해 탁월한 효과가 있다.

Claims (10)

  1. a) 유기 아민류 화합물 0.05 내지 10 중량%,
    b) 유기 용제 0.05 내지 30 중량%,
    c) 트리아졸계 부식방지제 0.005 내지 5 중량%,
    d) 하이드록시페놀류, 알킬 갈레이트류 및 환원제류로 이루어진 군에서 선택되는 부식방지제 0.005 내지 5 중량%, 및
    e) 잔량의 물을 포함하며,
    상기 유기 아민류 화합물이 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)-4-에틸 피페라진, 4-아미노-1-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 2-메틸피페라진, 1-벤질피페라진, 및 2-페닐피페라진으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 고리형 아민인 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 유기용제는 에틸렌글리콜 메틸에테르, 에틸렌글리콜 에틸 에테르, 에틸렌글리콜 부틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸에테르, 디에틸렌글리콜 부틸에테르 및 디에틸렌글리콜 프로필에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 글리콜 에테르 화합물인 레지스트 스트리 퍼 세정용 케미칼 린스 조성물.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 트리아졸류는 다음 화학식 1로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것인 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112006020394581-pat00003
    상기 식에서, R1은 탄소수 1 내지 12의 알킬, 탄소수 1 내지 12의 알릴, 카르복실기, 하이드록실기, 또는 아미노기이고, R2는 탄소수 1 내지 12의 알킬, 하이드록실기, 탄소수 1 내지 12의 알킬하이드록실, 탄소수 1 내지 12의 디알킬하이드록실, 카르복실, 탄소수 1 내지 12의 알킬카르복실, 탄소수 1 내지 12의 디알킬카르복실, 아미노, 탄소수 1 내지 12의 알킬아미노, 또는 탄소수 1 내지 12의 디알킬아미노이다.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 트리아졸류는 톨릴트리아졸, 벤조트리아졸, 아미노트리아졸, 카르복실벤조트리아졸, 1-[비스(하이드록시에틸)아미노에틸]톨릴트리아졸, 1-하이드록시 벤조트리아졸(HBT), 및 니트로 벤조트리아졸(NBT)로 이루어진 군으로 부터 1종 이상 선택되는 것인 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 하이드록시페놀류 또는 알킬 갈레이트류의 부식방지제는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것인 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물.
    [화학식 2]
    Figure 112006020394581-pat00004
    상기 식에서, R1 내지 R3는 각각 수소, 하이드록실기, 또는 카르복실기이고, R4는 탄소수가 1~12개인 알킬에스테르, 카르복실, 또는 수소이다.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 하이드록시페놀류 또는 알킬 갈레이트류는 카테콜, 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트, 및 갈릭산으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것인 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 환원제류의 부식방지제는 아스코신, 엘리소르빈산, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 조성물은 적어도 하나 이상의 실리콘계 소포제를 0.005 내지 5 중량%로 더욱 포함하는 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 실리콘계 소포제는 분자량이 적어도 740이상인 소수성의 폴리실록산 또는 디메틸폴리실록산에 분자량이 적어도 300이상인 친수성의 폴리에테르가 공중합된 소포제로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물.
KR1020060026545A 2006-03-23 2006-03-23 레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물 KR101251594B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060026545A KR101251594B1 (ko) 2006-03-23 2006-03-23 레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물
JP2007074815A JP2007256955A (ja) 2006-03-23 2007-03-22 レジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物
TW096110228A TWI421650B (zh) 2006-03-23 2007-03-23 用於清洗抗蝕劑脫膜劑的化學清洗組成物
CN2007100866235A CN101042543B (zh) 2006-03-23 2007-03-23 用于清洗抗蚀剂脱膜剂的化学清洗组合物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060026545A KR101251594B1 (ko) 2006-03-23 2006-03-23 레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070096330A KR20070096330A (ko) 2007-10-02
KR101251594B1 true KR101251594B1 (ko) 2013-04-08

Family

ID=38631197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060026545A KR101251594B1 (ko) 2006-03-23 2006-03-23 레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2007256955A (ko)
KR (1) KR101251594B1 (ko)
CN (1) CN101042543B (ko)
TW (1) TWI421650B (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201013338A (en) * 2008-08-04 2010-04-01 Advanced Tech Materials Environmentally friendly polymer stripping compositions
KR101082011B1 (ko) 2009-02-05 2011-11-10 램테크놀러지 주식회사 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
WO2010098899A1 (en) * 2009-02-25 2010-09-02 Mallinckrodt Baker, Inc. Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition
TWI481706B (zh) * 2009-07-29 2015-04-21 Dongwoo Fine Chem Co Ltd 清潔組成物及使用該組成物清潔面板的方法
WO2011065603A1 (ko) * 2009-11-26 2011-06-03 주식회사 엘지화학 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법
CN102540776B (zh) * 2010-12-30 2013-07-03 苏州瑞红电子化学品有限公司 一种去除半导体工艺中残留光刻胶的剥离液
US9643221B2 (en) * 2011-01-18 2017-05-09 Denka Company Limited Ultrasonic cleaning method and apparatus
KR102032321B1 (ko) * 2012-11-13 2019-10-15 동우 화인켐 주식회사 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물
JP6075556B2 (ja) 2013-07-10 2017-02-08 株式会社オートネットワーク技術研究所 端子付き電線
CN103425001A (zh) * 2013-07-19 2013-12-04 杨桂望 抗蚀剂膜清洗组合物
KR101710171B1 (ko) * 2014-09-17 2017-02-24 주식회사 엘지화학 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법
CN104330959B (zh) * 2014-10-25 2018-04-10 江阴市化学试剂厂有限公司 光刻胶剥离液制备方法
TWI690780B (zh) * 2014-12-30 2020-04-11 美商富士軟片電子材料美國股份有限公司 用於自半導體基板去除光阻之剝離組成物
CN106591870B (zh) * 2017-01-04 2018-06-29 河北医科大学 一种银电极表面清洁保护剂及其制备方法
CN107908084A (zh) * 2017-11-21 2018-04-13 东莞市广华化工有限公司 一种新式无机环保型退膜液
CN111381458B (zh) * 2018-12-27 2024-04-30 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种光刻胶清洗液
CN113614647A (zh) * 2019-03-25 2021-11-05 松下知识产权经营株式会社 抗蚀剂剥离液
CN110331048B (zh) * 2019-07-02 2021-07-20 深圳市大正瑞地科技有限公司 环保剥膜液及其制备方法
CN113009793A (zh) * 2019-12-19 2021-06-22 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种去除光刻胶残留物的清洗液
CN113176718B (zh) * 2021-05-06 2021-12-14 肇庆微纳芯材料科技有限公司 聚酰亚胺剥离液、其制备方法及聚酰亚胺膜的清洗方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5597420A (en) * 1995-01-17 1997-01-28 Ashland Inc. Stripping composition having monoethanolamine
JP2001022095A (ja) * 1999-07-02 2001-01-26 Nippon Zeon Co Ltd ポジ型レジスト用剥離液
KR20010034007A (ko) * 1998-01-09 2001-04-25 버논 에프. 번 개선된 수성 스트립핑 및 세정 조성물
KR20020091702A (ko) * 2001-05-31 2002-12-06 에스케이케미칼주식회사 포토레지스트 제거액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트제거 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5419779A (en) * 1993-12-02 1995-05-30 Ashland Inc. Stripping with aqueous composition containing hydroxylamine and an alkanolamine
KR100286860B1 (ko) * 1998-12-31 2001-07-12 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 리무버 조성물
JP2007536566A (ja) * 2004-05-07 2007-12-13 ドウジン セミケム カンパニー リミテッド （フォト）レジスト除去用組成物
KR101152139B1 (ko) * 2005-12-06 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치용 세정제 및 이를 사용하는 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5597420A (en) * 1995-01-17 1997-01-28 Ashland Inc. Stripping composition having monoethanolamine
KR20010034007A (ko) * 1998-01-09 2001-04-25 버논 에프. 번 개선된 수성 스트립핑 및 세정 조성물
JP2001022095A (ja) * 1999-07-02 2001-01-26 Nippon Zeon Co Ltd ポジ型レジスト用剥離液
KR20020091702A (ko) * 2001-05-31 2002-12-06 에스케이케미칼주식회사 포토레지스트 제거액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트제거 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TWI421650B (zh) 2014-01-01
CN101042543A (zh) 2007-09-26
CN101042543B (zh) 2011-12-28
JP2007256955A (ja) 2007-10-04
KR20070096330A (ko) 2007-10-02
TW200736857A (en) 2007-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101251594B1 (ko) 레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물
KR101167240B1 (ko) 레지스트 제거용 조성물
KR101707155B1 (ko) 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법
CN105849245A (zh) 用于去除表面上残余物的清洗调配物
JP2017536560A (ja) フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法
KR20080025697A (ko) 구리를 부동태화하는 ｃｍｐ후 세정 조성물 및 이용 방법
EP3537474B1 (en) Photoresist stripper
JP6121570B2 (ja) フォトレジスト除去用ストリッパ組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法
JP2016511843A (ja) フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法
KR20110007828A (ko) 구리 또는 구리합금 배선용 박리액 조성물
KR20050110955A (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 및 이를 포토레지스트박리에 사용하는 방법
KR102392062B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물
KR101082018B1 (ko) 레지스트 제거용 조성물
CN101685272A (zh) 一种光刻胶清洗剂
KR102512488B1 (ko) 포토레지스트 제거용 박리액 조성물
JP5890306B2 (ja) 洗浄液組成物及びこれを用いたパネルの洗浄方法
KR101957525B1 (ko) 포토레지스트 박리액 조성물
KR102213779B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR101799592B1 (ko) 평판 디스플레이 기판용 세정제 조성물 및 이를 이용한 세정방법
KR20150146285A (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR101686175B1 (ko) 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 박리방법
TWI793500B (zh) 用於移除光阻的剝離劑組合物及使用其的光阻剝離方法
JP7081739B2 (ja) フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法
KR100361481B1 (ko) 케미칼 린스 조성물
KR20110121122A (ko) 평판표시장치의 유리기판용 세정제 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160308

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170308

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180319

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200309

Year of fee payment: 8