CN115799063A - 一种氧化物层的刻蚀方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种氧化物层的刻蚀方法，包括：提供包括第一器件区和第二器件区的衬底，在衬底上形成有氧化物层；在氧化物层上形成仅暴露第一器件区的第一图案化光刻胶层；以第一图案化光刻胶层为掩模，对第一器件区的氧化物层进行第一次刻蚀；去除第一图案化光刻胶层；形成仅暴露第二器件区的第二图案化光刻胶层，第二器件区的氧化物层上形成有光刻胶残留物；以第二图案化光刻胶层为掩模，对第二器件区的氧化物层进行第二次刻蚀，以去除光刻胶残留物以及第二器件区的氧化物层。本发明提供的方法，在第二步刻蚀时选择对光刻胶残留物具有去除效果的刻蚀液，能有效解决光刻胶残留物阻挡第二步刻蚀并形成残留氧化物层的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种氧化物层的刻蚀方法。
背景技术
由于工艺需求，某些半导体工艺中需要对不同器件区的氧化层进行分步的选择性刻蚀，而每一步选择性刻蚀都涉及到光刻、刻蚀、去胶等制程，后一步选择性刻蚀难以避免地会受前一步选择性刻蚀的影响，在后一步选择性刻蚀的待刻蚀区域的表面形成有光刻胶残留物，此光刻胶残留物会阻挡后一步选择性刻蚀的正常进行，导致刻蚀不完全并在待刻蚀区域形成残留氧化物层。这种残留氧化物层可作为缺陷源，影响后续工艺的品质，例如影响后续的栅氧工艺形成的栅氧层的质量。
发明内容
为解决氧化层的分步刻蚀过程中，受前一步刻蚀制程的影响，在后一步刻蚀制程产生光刻胶残留物，进而阻挡后一步刻蚀制程的顺利进行，导致后一步刻蚀制程形成残留氧化物层的问题，本发明提供一种氧化物层的刻蚀方法，包括以下步骤：
提供包括第一器件区和第二器件区的衬底，在衬底上形成有氧化物层；
在氧化物层上形成第一图案化光刻胶层，第一图案化光刻胶层仅暴露第一器件区的氧化物层；
以第一图案化光刻胶层为掩模，对第一器件区的氧化物层进行第一次刻蚀；
去除第一图案化光刻胶层；
在氧化物层和衬底上形成第二图案化光刻胶层，第二图案化光刻胶层仅暴露第二器件区的氧化物层，此时第二器件区的氧化物层上形成有光刻胶残留物；
以第二图案化光刻胶层为掩模，对第二器件区的氧化物层进行第二次刻蚀，以去除光刻胶残留物以及第二器件区的氧化物层，第二次刻蚀包括湿法刻蚀，湿法刻蚀的刻蚀液包括添加有表面活性剂和有机溶剂的HF/NH4F混合溶液，有机溶剂包括脂肪族有机酸和/或脂肪族有机醇。
优选地，表面活性剂包括烷基硫酸铵盐阴离子；和/或，脂肪族有机酸包括乙酸、丁酸和辛酸中的至少一种，脂肪族有机醇包括异丙醇和正丁醇中的至少一种。
优选地，HF/NH4F混合溶液中，HF质量分数含量为14%~24%，NH4F质量分数不超过5%，表面活性剂的质量分数为1%~3%，有机溶剂的质量分数为1%~3%。
优选地，衬底用于形成闪存器件，第一器件区包括存储单元区，第二器件区包括高压器件区。
优选地，在氧化物层上形成第一图案化光刻胶层的步骤之后，且在对第一器件区的氧化物层进行第一次刻蚀的步骤之前，氧化物层的刻蚀方法还包括步骤：以第一图案化光刻胶层为掩模，对第一器件区进行阈值电压离子注入，以在第一器件区的衬底中形成阈值电压调整区。
优选地，第一图案化光刻胶层和第二图案化光刻胶层由相同种类的光刻胶形成。
优选地，去除第一图案化光刻胶层的方法包括湿法氧化去胶工艺，湿法氧化去胶工艺的去胶溶液包括HPM溶液。
优选地，在对第二器件区的氧化物层进行第二次刻蚀的步骤之后，氧化物层的刻蚀方法还包括：去除第二图案化光刻胶层。
优选地，第一次刻蚀包括氢氟酸湿法刻蚀。
优选地，第一器件区与第二器件区相邻。
优选地，衬底包括硅衬底；和/或，氧化物层包括而氧化硅层。
与现有技术相比，本发明提供的一种氧化物层的刻蚀方法，具有以下优点：
现有技术中，当对氧化物层进行分步刻蚀时，受前一步刻蚀制程的影响，在后一步刻蚀制程会产生光刻胶残留物。本发明提供的氧化物层的刻蚀方法，通过在第二步刻蚀（后一步刻蚀）时选择对光刻胶残留物具有去除效果的刻蚀液，能有效解决光刻胶残留物阻挡第二步刻蚀并形成残留氧化物层的问题，避免了残留氧化物层作为缺陷源降低后续工艺的品质。本发明提供的氧化物层的刻蚀方法，仅需要改变第二次刻蚀的刻蚀液，无需对现有工艺流程进行较大改动，提高了与现有工艺的兼容性。
附图说明
图1所示为一实施例提供的一种氧化物层的刻蚀方法的步骤流程图；
图2所示为一实施例提供的一种氧化物层的刻蚀方法中在衬底上形成氧化物层后的结构示意图；
图3所示为一实施例提供的一种氧化物层的刻蚀方法中形成第一图案化光刻胶层后的结构示意图；
图4所示为一实施例提供的一种氧化物层的刻蚀方法中对第一器件区进行阈值电压离子注入后的结构示意图；
图5所示为一实施例提供的一种氧化物层的刻蚀方法中进行第一次刻蚀后的结构示意图；
图6所示为一实施例提供的一种氧化物层的刻蚀方法中去除第一图案化光刻胶层后的结构示意图；
图7所示为一实施例提供的一种氧化物层的刻蚀方法中形成第二图案化光刻胶层后的结构示意图；
图8所示为一实施例提供的一种氧化物层的刻蚀方法中进行第二次刻蚀后的结构示意图；
其中，附图标记说明如下：
10-衬底；101-第一器件区；102-第二器件区；20-氧化物层；30-第一图案化光刻胶层；1011-阈值电压调整区；40-第二图案化光刻胶层；50-光刻胶残留物。
具体实施方式
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图对本发明所提供的一种氧化物层的刻蚀方法作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
以下，将以现有技术中闪存器件的牺牲氧化物层的分步刻蚀过程为例，对涉及到分步刻蚀氧化物层的工艺中，在后一步刻蚀制程中产生光刻胶残留物的问题进行说明。
在半导体衬底上进行栅氧工艺以形成栅氧介质层之前，通常需要进行阈值电压离子注入工艺。阈值电压离子注入工艺是指通过离子注入调整器件沟道区的杂质浓度，通常提高沟道区的杂质浓度可以提高阈值电压，降低器件的漏电流。在进行阈值电压离子注入工艺之前，需要在半导体衬底，例如硅衬底，上生长一层牺牲氧化物层（Sacrifice Oxide），例如二氧化硅层，该牺牲氧化物层可以防止阈值电压离子注入的隧道效应，可以隔离衬底与光刻胶，防止光刻胶中的有机物因与衬底直接接触而污染衬底，还可以防止注入过程对衬底表面的损伤。在进行阈值电压离子注入工艺之后，需去除所述牺牲氧化物层，以利于下一道栅氧工艺能在裸露的衬底表面形成高质量的栅氧介质层。去除所述牺牲氧化物层的方法一般包括氢氟酸湿法刻蚀或清洗。对于闪存器件，其至少包括存储单元区和高压器件区，在进行阈值电压离子注入工艺时，仅需对存储单元区进行离子注入，而无需对高压器件区进行离子注入，因此去除所述牺牲氧化物层会通过两步湿法刻蚀制程完成。现有的一种闪存器件的牺牲氧化物层的刻蚀方法包括以下步骤：
步骤S01：提供包括存储单元区和高压器件区的衬底，在所述衬底上形成有牺牲氧化物层，在所述牺牲氧化物层上经第一次光刻形成有第一图案化光刻胶层，所述第一图案化光刻胶层仅暴露所述存储单元区；
步骤S02：以所述第一图案化光刻胶层为掩模，对所述存储单元区的衬底进行阈值电压离子注入；
步骤S03：以所述第一图案化光刻胶层为掩模，对所述存储单元区的牺牲氧化物层进行第一次氢氟酸湿法刻蚀，并用去胶工艺去除所述第一图案化光刻胶层；
步骤S04：经第二次光刻形成第二图案化光刻胶层，所述第二图案化光刻胶层仅暴露所述高压器件区；
步骤S05：以所述第二图案化光刻胶层为掩模，对所述高压器件区的牺牲氧化物层进行第二次氢氟酸湿法刻蚀，并去除所述第二图案化光刻胶层。
上述方法中，由于受步骤S04之前进行的光刻、刻蚀、去胶制程的影响，在形成所述第二图案化光刻胶层时，在所述第二图案化光刻胶层的开口图案中的牺牲氧化物层上会形成光刻胶残留物，此光刻胶残留物会阻挡所述第二次氢氟酸湿法刻蚀；特别是当所述高压器件区的关键尺寸较小时，所述第二图案化光刻胶层的开口图案较窄，所述光刻胶残留物更会严重阻挡所述第二次氢氟酸湿法刻蚀，导致所述高压器件区的牺牲氧化物层刻蚀不完全并形成氧化层残留缺陷，进而影响后续的栅氧工艺形成的栅氧介质层的品质。
发明人对所述光刻胶残留物进行EDS元素分析发现其为薄膜状的含碳物质，并且薄膜厚度非常小（通常为几Å到几十Å），难以被现有的光刻后检查制程及时监测到，造成后续工艺的良率损失。发明人尝试用SPM溶液（一种硫酸与双氧水的混合溶液）将所述光刻胶残留物氧化分解去除，但由于所述薄膜状的含碳物质与其下的氧化物层之间的黏附力较强等原因，实际的去除效果并不理想；并且SPM溶液同样能氧化分解所述第二图案化光刻胶层造成所述第二图案化光刻胶层的图形异常，因此SPM溶液并不是一种好的选择。
发明人分析所述光刻胶残留物的形成原因，可总结为以下几点：
1）现有的去胶工艺并不能彻底去除所述第一图案化光刻胶层，导致在所述去胶工艺之后在所述牺牲氧化物层上黏附有初始光刻胶残留物；且由于现有工艺中在所述第一次光刻时所述牺牲氧化物层表面会加入光刻胶粘结助剂（例如，Hexa MethyleneDiSilazane，HMDS)来提高光刻胶黏合力，这将会使得所述牺牲氧化物层形成疏水性表面，对具有疏水性的初始光刻胶残留物的粘附力提高，使所述初始光刻胶残留物难以被所述去胶工艺彻底去除；
2）所述第一图案化光刻胶层长时间浸泡于所述氢氟酸溶液中，会导致所述第一图案化光刻胶层剥落形成初始光刻胶残留物，并且该光刻胶残留物同样难以被所述去胶工艺彻底去除；
3）上述的初始光刻胶残留物遗留至第二次光刻，可直接在第二次光刻形成的开口图案中形成所述光刻胶残留物，或者影响所述第二次光刻的显影步骤，造成显影不完全，在所述开口图案中（特别是开口图案中的边缘）形成所述光刻胶残留物。
基于上述分析可知，在通过分步刻蚀去除氧化物层的工艺中，受前一步刻蚀的影响，在后一步刻蚀中形成所述光刻胶残留物的问题难以避免；并且所述光刻胶残留物形成很薄（几Å到几十Å）的薄膜，难以通过光刻后的检查制程监测到，也就无法通过诸如返工工艺等方法及时去除，造成后续工艺的良率损失。
基于此，发明人经过不断实验和研究后，提出了一种氧化物层的刻蚀方法，可有效解决上述问题。
请参阅图1，本发明提供的一种氧化物层的刻蚀方法，包括以下步骤：
步骤S1：提供包括第一器件区和第二器件区的衬底，在所述衬底上形成有氧化物层；
步骤S2：在所述氧化物层上形成第一图案化光刻胶层，所述第一图案化光刻胶层仅暴露所述第一器件区的氧化物层；
步骤S3：以所述第一图案化光刻胶层为掩模，对所述第一器件区的氧化物层进行第一次刻蚀；
步骤S4：去除所述第一图案化光刻胶层；
步骤S5：在所述氧化物层和所述衬底上形成第二图案化光刻胶层，所述第二图案化光刻胶层仅暴露所述第二器件区的氧化物层，此时所述第二器件区的氧化物层上形成有光刻胶残留物；
步骤S6：以所述第二图案化光刻胶层为掩模，对所述第二器件区的氧化物层进行第二次刻蚀，以去除所述光刻胶残留物以及所述第二器件区的氧化物层，所述第二次刻蚀包括湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的蚀刻液包括添加有表面活性剂和有机溶剂的HF/NH4F混合溶液，所述有机溶剂包括脂肪族有机酸和/或脂肪族有机醇。
请参阅图2，执行步骤S1，提供包括第一器件区101和第二器件区102的衬底10，在所述衬底10上形成有氧化物层20。
在本实施例中，优选地，所述衬底10包括硅衬底，但不限于此，还可以是其他合适的半导体衬底。优选地，所述氧化物层20包括SiO2层。所述氧化物层20的厚度可根据实际的工艺需求而定，在本实施例中，优选地，所述氧化物层的厚度为100Å~500Å。优选地，如图2所示，所述第一器件区101与第二器件区102相邻，但不限于此。若所述第一器件区101与第二器件区102相邻，则对所述第一器件区101和第二器件区102进行分步的光刻和刻蚀时，后一步的刻蚀更容易受到前一步的光刻和刻蚀的影响，从而在后一步的光刻和刻蚀过程中更容易形成光刻胶残留物。
在本实施例中，所述衬底10用于形成闪存器件，所述闪存器件至少包括存储单元和高压器件，所述高压器件用于给所述闪存单元的擦除和编程提供所需的电压；相对应的，所述第一器件区101包括存储单元区，所述第二器件区102包括高压器件区，所述氧化物层20作为栅氧工艺之前的牺牲氧化物层。在另一实施例中，所述衬底10还包括第三器件区，所述第三器件区可以是外围电路区。需说明的是，本发明提供的氧化物层的刻蚀方法，可适用于不同的工艺中，因此所述第一器件区101、第二器件区102、第三器件区根据不同的工艺可以有不同的具体结构。
所述第一器件区101或第二器件区102中还可以形成有隔离结构（图2中未示出），以将所述第一器件区101或第二器件区102电性隔离为若干间隔的单元，所述隔离结构优选为浅沟槽隔离（STI）结构。所述隔离结构的形成工艺可参考现有技术，在此不做赘述。
请参阅图3，执行步骤S2，在所述氧化物层20上形成第一图案化光刻胶层30，所述第一图案化光刻胶层30仅暴露所述第一器件区101的氧化物层20。
形成所述第一图案化光刻胶层30的方法包括光刻工艺，所述光刻工艺包括以下步骤：在所述氧化物层20上涂覆一层光刻胶；对所述光刻胶执行曝光和显影后，形成所述第一图案化光刻胶层30。
在本实施例中，所述第一图案化光刻胶层30仅暴露所述第一器件区101的氧化物层20，并覆盖所述第二器件区102。在另一实施例中，所述衬底10还包括所述第三器件区，对应的，所述第一图案化光刻胶层30还覆盖所述第三器件区。
请参阅图4，在本实施例中，在执行步骤S2之后，还可以包括步骤：以所述第一图案化光刻胶层30为掩模，对所述第一器件区101进行阈值电压离子注入，以在所述第一器件区101中形成阈值电压调整区1011。
在进行所述阈值电压离子注入时，高能离子轰击所述第一图案化光刻胶层30，会使所述第一图案化光刻胶层30硬化，这种硬化的光刻胶层不容易被去胶工艺去除，更容易形成光刻胶残留。
请参阅图5，执行步骤S3，以所述第一图案化光刻胶层30为掩模，对所述第一器件区101的氧化物层20进行第一次刻蚀。
所述第一次刻蚀用于去除所述第一器件区101的氧化物层20。优选地，所述第一次刻蚀包括氢氟酸湿法刻蚀，所述氢氟酸湿法刻蚀的刻蚀液包括稀释氢氟酸溶液，所述稀释氢氟酸溶液的HF质量分数不超过49%。优选地，所述稀释氢氟酸溶液中氢氟酸的质量分数不超过10%，以防止所述氢氟酸湿法刻蚀因刻蚀速率过快而难以控制刻蚀终点并对所述氧化物层20之下的衬底10产生腐蚀。
请参阅图6，执行步骤S4，去除所述第一图案化光刻胶层30。
去除所述第一图案化光刻胶层30的方法包括去胶工艺。在本实施例中，所述去胶工艺优选为湿法氧化去胶工艺，所述湿法氧化去胶工艺通过氧化性的去胶溶液将所述第一图案化光刻胶层30分解去除。所述氧化性的去胶溶液优选为SPM溶液，所述SPM溶液为一定比例的硫酸与双氧水的混合溶液。在进行所述湿法氧化去胶工艺之后，还可以进行去离子水冲洗，以将分解的光刻胶残渣和去胶溶液冲洗干净。所述湿法氧化去胶工艺的工艺参数包括：去胶溶液温度为100℃~150℃，清洗时间为5min~15min。
请参阅图7，执行步骤S5，在所述氧化物层20和所述衬底10上形成第二图案化光刻胶层40，所述第二图案化光刻胶层40仅暴露所述第二器件区102的氧化物层20，此时所述第二器件区102的氧化物层20上形成有光刻胶残留物50。
形成所述第二图案化光刻胶层40的方法包括光刻工艺，所述光刻工艺包括以下步骤：在所述氧化物层20和所述衬底10上涂覆一层光刻胶；对所述光刻胶执行曝光和显影后，形成所述第二图案化光刻胶层40。优选地，所述第二图案化光刻胶层40和所述第一图案化光刻胶层30由相同种类的光刻胶形成，例如均由KrF光刻胶形成。
在本实施例中，所述第二图案化光刻胶层40仅暴露所述第二器件区102，并覆盖所述第一器件区101。在另一实施例中，所述衬底10还包括所述第三器件区，对应的，所述第二图案化光刻胶层40还覆盖所述第三器件区。
如前所述的光刻胶残留物的形成原因的分析，在本实施例中同理，受步骤S5之前的第一次光刻、第一次刻蚀以及去胶工艺的影响，难以避免地会在所述第二器件区102的氧化物层20上形成光刻胶残留物50。所述光刻胶残留物包括含碳聚合物，所述含碳聚合物一般形成薄膜状，且薄膜厚度较小，例如，薄膜厚度为几Å到几十Å。通常无法通过优化第一次光刻、第一次刻蚀以及去胶工艺解决此问题。因此，在所述光刻胶残留物50形成后，在后续的刻蚀所述第二器件区的氧化物层20的同时，将所述光刻胶残留物50去除，是一种有效的方法。
请参阅图8，执行步骤S6，以所述第二图案化光刻胶层40为掩模，对所述第二器件区102的氧化物层20进行第二次刻蚀，以去除所述光刻胶残留物50以及所述第二器件区102的氧化物层20，所述第二次刻蚀包括湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括添加有表面活性剂和有机溶剂的HF/NH4F混合溶液，所述有机溶剂包括脂肪族有机酸和/或脂肪族有机醇。
优选地，所述HF/NH4F混合溶液可通过将HF溶液、NH4F溶液与去离子水混合形成。优选地，所述HF/NH4F混合溶液中，HF质量分数为14%~24%，NH4F质量分数不超过5%，表面活性剂的质量分数为1%~3%，有机溶剂的质量分数为1%~3%。相较于所述第一次湿法刻蚀，所述第二次刻蚀的刻蚀液中，HF具有较高的浓度，可提高刻蚀液对所述光刻胶残留物50的化学腐蚀能力，以利于所述光刻胶残留物50的去除；同时，刻蚀液中的NH4F可提高所述表面活性剂在所述混合溶液中的分散性；另外，刻蚀液中的NH4F作为缓冲剂，可避免氟离子的消耗引起的刻蚀速率不稳定的问题。
所述HF/NH4F混合溶液去除所述光刻胶残留物50的原理包括：所述表面活性剂可降低所述光刻胶残留物50与所述氧化物层20间的黏附力，所述有机溶剂可溶解所述光刻胶残留物50，在所述表面活性剂和所述有机溶剂的作用下，所述光刻胶残留物50更容易溶解于所述HF/NH4F混合溶液中，从而脱离所述氧化物层20表面；同时，较高浓度的HF可对所述光刻胶残留物50进行化学分解；另外，所述光刻胶残留物50脱离所述氧化物层20表面后，所述HF/NH4F混合溶液能与所述氧化物层20表面更好地接触进而刻蚀掉所述氧化物层20，所述氧化物层20之上的光刻胶残留物50也会被一并去除。
优选地，所述表面活性剂包括烷基硫酸铵盐阴离子；优选地，所述脂肪族有机酸包括乙酸、丁酸和辛酸等分子式中碳原子数不超过12的脂肪族有机酸中的至少一种，所述脂肪族有机醇包括异丙醇和正丁醇等分子式中碳原子数不超过12的脂肪族有机醇中的至少一种；在本实施例中，更优选地，所述脂肪族有机酸包括正辛酸，所述脂肪族有机醇包括异丙醇。
优选地，所述HF/NH4F混合溶液的刻蚀速率为150Å/min~200Å/min；优选地，所述第二次刻蚀进行一定量（例如30%）的过刻蚀，以确保所述氧化物层20能被完全去除。
需说明的是，所述HF/NH4F混合溶液在去除所述光刻胶残留物50的同时，并不会对所述第二图案化光刻胶层40产生腐蚀作用，也就避免了所述第二次刻蚀形成异常的刻蚀图形。
在本实施例中，在执行步骤S6之后，及在对所述第二器件区102的氧化物层20进行第二次刻蚀的步骤之后，还包括步骤：去除所述第二图案化光刻胶层40。去除所述第二图案化光刻胶层40的方法可参考去除所述第一图案化光刻胶层30的方法，在此不做赘述。在去除所述第二图案化光刻胶层40之后，还可以包括对器件结构表面进行酸洗、水洗、干燥等处理，所述酸洗、水洗、干燥等处理可参考现有技术，在此不做赘述。
综上所述，本发明提供的氧化物层的刻蚀方法，通过在第二步刻蚀（后一步刻蚀）时选择对光刻胶残留物具有去除效果的刻蚀液，能有效解决光刻胶残留物阻挡第二步刻蚀并形成残留氧化物层的问题，避免了残留氧化物层作为缺陷源降低后续工艺的品质。本发明提供的氧化物层的刻蚀方法，仅需要改变第二次刻蚀的刻蚀液，无需对现有工艺流程进行较大改动，提高了与现有工艺的兼容性。
此外，可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。而且还应该理解的是，本发明并不限于此处描述的特定的方法、化合物、材料、制造技术、用法和应用，它们可以变化。还应该理解的是，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”、“一种”以及“该”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。因此，例如，对“一个步骤”引述意味着对一个或多个步骤的引述，并且可能包括次级步骤。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。因此，词语“或”应该被理解为设有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此处描述的结构将被理解为还引述该结构的功能等效物。可被解释为近似的语言应该被那样理解，除非上下文明确表示相反意思。
Claims (11)
1.氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供包括第一器件区和第二器件区的衬底，在所述衬底上形成有氧化物层；
在所述氧化物层上形成第一图案化光刻胶层，所述第一图案化光刻胶层仅暴露所述第一器件区的氧化物层；
以所述第一图案化光刻胶层为掩模，对所述第一器件区的氧化物层进行第一次刻蚀；
去除所述第一图案化光刻胶层；
在所述氧化物层和所述衬底上形成第二图案化光刻胶层，所述第二图案化光刻胶层仅暴露所述第二器件区的氧化物层，此时所述第二器件区的氧化物层上形成有光刻胶残留物；
以所述第二图案化光刻胶层为掩模，对所述第二器件区的氧化物层进行第二次刻蚀，以去除所述光刻胶残留物以及所述第二器件区的氧化物层，所述第二次刻蚀包括湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括添加有表面活性剂和有机溶剂的HF/NH4F混合溶液，所述有机溶剂包括脂肪族有机酸和/或脂肪族有机醇。
2.如权利要求1所述的氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述表面活性剂包括烷基硫酸铵盐阴离子；和/或，所述脂肪族有机酸包括乙酸、丁酸和辛酸中的至少一种，所述脂肪族有机醇包括异丙醇和正丁醇中的至少一种。
3.如权利要求1所述的氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述HF/NH4F混合溶液中，HF质量分数含量为14%~24%，NH4F质量分数不超过5%，所述表面活性剂的质量分数为1%~3%，所述有机溶剂的质量分数为1%~3%。
4.如权利要求1所述的氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述衬底用于形成闪存器件，所述第一器件区包括存储单元区，所述第二器件区包括高压器件区。
5.如权利要求4所述的氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，在所述氧化物层上形成第一图案化光刻胶层的步骤之后，且在对所述第一器件区的氧化物层进行第一次刻蚀的步骤之前，所述氧化物层的刻蚀方法还包括：以所述第一图案化光刻胶层为掩模，对所述第一器件区进行阈值电压离子注入，以在所述第一器件区的衬底中形成阈值电压调整区。
6.如权利要求1所述的氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述第一图案化光刻胶层和所述第二图案化光刻胶层由相同种类的光刻胶形成。
7.如权利要求1所述的氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述去除所述第一图案化光刻胶层的方法包括湿法氧化去胶工艺，所述湿法氧化去胶工艺的去胶溶液包括HPM溶液。
8.如权利要求1所述的氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，在对所述第二器件区的氧化物层进行第二次刻蚀的步骤之后，所述氧化物层的刻蚀方法还包括：去除所述第二图案化光刻胶层。
9.如权利要求1所述的氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述第一次刻蚀包括氢氟酸湿法刻蚀。
10.如权利要求1所述的氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述第一器件区与所述第二器件区相邻。
11.如权利要求1~10中任一项所述的氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述衬底包括硅衬底；和/或，所述氧化物层包括二氧化硅层。
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