JP5007089B2 - レジストの剥離方法 - Google Patents
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すなわち、本発明は、下記の通りである。
<1> 酸化剤でレジストを改質する改質工程並びにアミン化合物及びアルキレングリコール類を含有する剥離液でレジストを剥離する剥離工程をこの順で含むことを特徴とするレジストの剥離方法、
<2> 酸化剤が過酸化水素を含有する溶液である<1>に記載のレジストの剥離方法、
<3> 上記レジストがイオンインプランテーションされたレジストである<1>又は<2>に記載のレジストの剥離方法。
本発明は、酸化剤を用いてレジストを改質した後、アミン化合物及びアルキレングリコール類を含有する剥離液でレジストを剥離する方法であり、特にこれらの操作を繰り返すことにより基板上に存在するレジストを効果的に除去することができる。
酸化剤を用いてレジストを改質した後に剥離する工程を実施することにより、レジストを効果的に除去することができる。改質後に剥離されるレジストは、改質されたレジストに限定されず、改質されたレジスト及び改質されていないレジストの両者を含んでいても良い。
特に本発明は半導体基板上のレジストの剥離に好適に使用することができる。
以下発明を詳細に説明する。
本発明において、酸化剤は、レジストを改質する能力を有する。
本発明に使用する酸化剤としては、具体的には、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水及び銀(II)塩、鉄(III)塩及び過酸化水素と硫酸の混合物が例示できる。過酸化水素と硫酸の混合物がより好ましく用いられる。
酸化剤は、溶液状であることが好ましく、溶剤としては超純水イオン交換水、蒸留水などの各種の水、メタノール、エタノール、ブタノールなどのアルコール類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド等のアミド類;N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−プロピル−2−ピロリドン等のラクタム類、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類の極性有機溶媒が例示できる。溶剤は水、アルコール類、スルホキシド類、イミダゾリジノン類であることが好ましく、水であることがより好ましい。
また、本発明において、酸化剤は過酸化水素を含む溶液であることが好ましく、過酸化水素と硫酸の混合物溶液であることがより好ましい。
本発明において、レジスト剥離液(単に剥離液ともいう。)は上記酸化剤を用いて改質させた後に用いるものであり、アミン化合物及びアルキレングリコール類を含有する。
アミン化合物の濃度は、剥離液に対して10〜60重量%であることが好ましく、より好ましくは20〜50重量%であり、さらに好ましくは30〜50重量%である。アミン化合物の濃度が10重量%以上であると、剥離性能が高いため好ましい。また、60重量%以下であると基板へのダメージが少ないため好ましい。
アルキレングリコール類は、剥離液に対して10〜70重量%であることが好ましく、15〜60重量%であることがより好ましく、20〜50重量%であることがさらに好ましい。アルキレングリコール類の添加量が10重量%以上であると剥離性能が高いため好ましい。また、アルキレングリコール類の添加量が70重量%以下であると剥離液の粘性が高くなりすぎないため好ましい。
また、本発明において、アミン化合物とアルキレングリコール類の総量が、剥離液の30〜90重量%であることが好ましく、より好ましくは40〜90重量%であり、さらに好ましくは50〜85重量%である。アミン化合物とアルキレングリコール類の総量が上記範囲内であると剥離性濃が高く、基板へのダメージが少ないため好ましい。
尚、アミン化合物とアルキレングリコール類の他に、水、溶剤、pH調整剤等を添加することが好ましい。
本発明において、剥離液に含まれるアミン化合物としてはヒドロキシルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ブタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N,N−ジメチルアミノエタノール、N−エチルエタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、N−n−ブチルエタノールアミン、ジ−n−ブチルエタノールアミン、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラプロピルアンモニウム水酸化物、テトラブチルアンモニウム水酸化物等やその塩が例示できる。
アミン化合物としては、有機アミン化合物であることが好ましく、ジエチルアミン、エチルアミノエタノール、ブチルアミノエタノール、テトラメチルアンモニウム水酸化物が特に好ましく例示できる。
本発明において、レジスト剥離液は少なくとも1種のアミン化合物を含有するが、2種以上のアミン化合物を併用することもできる。
本発明の剥離液に含まれるアルキレングリコール類としてはエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、ネオペンチルグリコール等のグリコール化合物及びそれらのモノエーテル又はジエーテル化合物並びにそれらの塩が例示できる。さらに、ジアルキレングリコール、トリアルキレングリコール、テトラアルキレングリコール等のアルキレングリコール数が2〜4の化合物及びそれらのモノエーテル又はジエーテル化合物並びにそれらの塩が例示できる。本発明において、好ましいアルキレン基は、エチレン基である。すなわち、本発明において、アルキレングリコール類として、エチレングリコール類を使用することが好ましい。
具体的にはエチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート及び、これらのエチレングリコール数が2〜4の化合物(ジエチレングリコール類、トリエチレングリコール類及びテトラエチレングリコール類)が例示でき、好ましくはジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジアセテートを挙げることができる。
本発明において、剥離液を所望のpHとするために、酸又は緩衝剤を添加することも好ましい。
酸又は緩衝剤としては、硝酸、硫酸、りん酸などの無機酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、コハク酸、アジピン酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などの有機酸、炭酸ナトリウムなどの炭酸塩、リン酸三ナトリウムなどのリン酸塩、ホウ酸塩、四ホウ酸塩、ヒドロキシ安息香酸塩等の緩衝剤を挙げることができる。特に好ましい酸として乳酸がある。
本発明の剥離液に使用可能な溶媒としてはメタノール、エタノール、ブタノールなどのアルコール類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド等のアミド類;N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−プロピル−2−ピロリドン等のラクタム類、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類の極性有機溶媒が挙げられる。これらの中でもN−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシドを好ましく使用することができる。
本発明のイオンインプランテーションされたレジストの剥離方法は、改質工程及び剥離工程をこの順で含むことを特徴とする。
(改質工程)
本発明の酸化剤による改質工程は、レジスト表面を改質できれば公知のいずれの方法も使用できる。具体的には、浸漬法、噴霧法、塗布法などのいずれの方法も使用できる。これらの中でも浸漬法、噴霧法が好ましく、浸漬法がより好ましい。
また、改質工程は100〜160℃で行われることが好ましく、120〜150℃で行われることがより好ましい。
改質工程において、レジストに酸化剤を5〜30分接触させることが好ましく10〜20分接触させることがより好ましい。接触時間が5分以上であると、イオンインプランテーションされたレジストを改質することができ、その後の剥離工程でのレジスト剥離能が向上するので好ましい。また、接触時間が30分以下であると、剥離方法に要する時間が短時間であるので好ましい。
本発明において、剥離工程は上述の改質工程の後に行われる。
剥離工程は公知のいずれの方法により行うことができる。具体的には剥離液と剥離するレジストが接触可能な方法であることが好ましい。
剥離工程としては、浸漬法、噴霧法及び、枚葉方式を用いた方法等が例示でき、適切な温度、適切な時間処理される。
剥離工程において剥離温度は、用いる溶媒、方法によっても異なるが、一般的には20〜80℃であることが好ましく、40〜60℃であることがより好ましい。剥離温度が上記範囲内であると濃度変化が少なく、剥離性能が維持できるため好ましい。
このように改質工程及び剥離工程を2回以上繰り返すことにより、レジストの除去能が向上するので好ましい。改質工程及び剥離工程はレジストが完全に除去されるまで任意の回数で繰り返すことができるが、1〜3回繰り返すことが好ましく、1〜2回繰り返すことがさらに好ましい。
本発明は、半導体工業に使用される公知のレジストに適用可能であり、特にKrFポジティブフォトレジストに使用することが好ましいが、本発明はこれに限定されるものではない。
(試料の作製)
シリコンウエハ上に汎用レジスト(市販のKrFレジスト)をレジストの厚さが1000Å程度になるように塗布した。次に、このレジストが塗布された試料を、プリベークし、マスクパターンを介して露光し、現像した。
その後、イオン注入操作を行った。イオンはAsイオンを用い、ドーズ量は1E15〜16atoms/cm2として試料を作製した。
以下の表に示す組成を有する剥離液を調製した。実施例1〜3及び比較例1、2で得られたレジスト剥離液を用いて、各基板からレジストを除去した。はじめに、硫酸:過酸化水素=2:1(98%硫酸水:30%過酸化水素水=2:1(体積比))とした溶液に5分間浸漬し、レジスト表面を改質させた。
その後、実施例1〜3及び比較例1、2に示す溶液に浸し、レジストの剥離性を評価した。溶液の温度を50℃、浸漬時間を20分とし、超純水により洗浄を行った。
その後、走査電子顕微鏡でレジストの残存の有無を確認した。比較例1及び2は、はじめに硫酸、過酸化水素の混合液による改質を行わなかった。
○:剥離性良好
△:一部残存有り
×:大部分残存
結果を以下の表1に示す。
Claims (3)
- 酸化剤でレジストを改質する改質工程並びにアミン化合物及びアルキレングリコール類を含有する剥離液でレジストを剥離する剥離工程をこの順で含み、
前記改質工程が、硫酸及び過酸化水素を含有する溶液に5〜30分浸漬させ、レジスト表面を改質する工程であり、
前記剥離工程が、剥離液全量に対して10〜60重量%のアミン化合物(A)、剥離液全量に対して10〜70重量%のアルキレングリコール類(B)、及び、水(C)を含有し、前記(A)及び(B)の総量が剥離液全量に対して30〜90重量%である、40〜60℃の剥離液でレジストを剥離する工程であり、
前記剥離工程の後に、更に、超純水による洗浄工程を含むことを特徴とするイオンインプランテーションされたレジストの剥離方法。 - 前記改質工程及び前記剥離工程を2回以上繰り返す、請求項1に記載のレジストの剥離方法。
- (i)剥離液全量に対し10〜60重量%のアミン化合物(A)、剥離液全量に対して10〜70重量%のアルキレングリコール類(B)、水(C)、及び、溶媒のみからなるか、又は、
(ii)剥離液全量に対し10〜60重量%のアミン化合物(A)、剥離液全量に対して10〜70重量%のアルキレングリコール類(B)、水(C)、及び、pH調整剤のみからなり、
前記(A)及び(B)の総量が剥離液全量に対して30〜90重量%であり、
前記溶媒は、メタノール、エタノール、ブタノール、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−プロピル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、及び、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジノンよりなる群から選択されることを特徴とする
イオンインプランテーションされたレジストの剥離液。
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