KR20070023004A - 픽셀층 및 포토레지스트 제거액 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정표시소자 등의 제조공정에 있어서 사용되고 있는 픽셀층 및 포토레지스트등을 침적 또는 스프레이 방식으로 제거할 수 있는 조성물을 제공한다.

포토레지스트 박리액, 픽셀층 박리액,

Description

픽셀층 및 포토레지스트 제거액 {Remover of PR and pixel layer}

본 발명은 픽셀층 및 포토레지스트 박리액 및 이것을 이용한 박리 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 액정표시재료 중 포토레지스트의 제거 및 디바이스 제조에 사용되는 픽셀층(ITO, IZO)등을 제거할수 있는 박리액 및 이의 사용방법에 대한 것이다.

일반적으로 알려진 액정표시소자의 제조공정은 하기에 표현하는 바와 같이 제조공정에서 사용되는 포토레지스트의 사용횟수에 따라 mask 공정으로 표현되며, 통상 5mask공정이 사용되고 있다. 즉, 1단계로 gate제조공정(1mask), 2단계로 아몰포스 실리콘과 n+아몰포스실리콘으로 이루어진 반도체층의 형성공정(2mask), 3단계로 S/D형성공정(3mask), 4단계로 패시베이션 형성공정(통상 질화막계열의 물질이 사용, 4mask공정), 5단계로 pixel 층 형성공정(통상 ITO 또는 IZO 막질등이 널리 이용. 5mask)등으로 구분되어 지고 있다.

그러나 최근의 기술동향을 보면 제조공정의 단순화, 낮은 제조단가 그리고 제조 수율의 향상을 위하여, mask 공정을 단순화하는 움직임이 있으며, 이로인하여 2단계 및 3단계 공정을 하나의 공정으로 단순화시킨 4mask 공정이 개발 사용되고 있으며, 최근에는 보다 향상된 기술의 발달로 3mask 또는 2mask 공정에 의한 액정표시재료 소자를 제조 연구가 진행되고 있다.

이와 같이 3mask 또는 2mask 공정으로 단순화하기 위해서는 4mask공정에서 설명드린바와 같이 두개의 공정 또는 세개의 공정을 하나의 공정으로 단순화 시켜야만 가능하다. 즉, 3mask 이하의 공정을 도입하기 위해서는 반도체층 형성공정과 S/D형성공정의 단순화 이외에 패시베이션층 또는 픽셀층을 하나의 공정으로 진행시켜야만 가능하다.

일반적으로 5mask 또는 4mask 공정적용시 사용되는 포토레지스트을 제거하기 위하여 포토레지스트 박리액이 이용되고 있으며, 이 경우 사용되는 박리액은 포토레지스트 또는 드라이 에칭공정후 잔류하는 유기폴리머의 제거 및 기판 금속의 방식성을 목적으로 이용되고 있다.

일반적으로 알려진 포토레지스트 박리액의 경우, 일반적으로 탄화수소류의 유기용매, 아민류등의 혼합물등이 이용되고 있으며, 포토레지스트의 제거성능 및 포토레지스트 제거후 표면의 개선을 위해 계면제등 일부 첨가제가 이용되고 있다.

알칼리성 박리제 조성물은 종래에 포토레지스트을 제거하기위한 용도로 사용되어져 왔다. 예를 들어 미국특허 4,276,186은 N-메틸피롤리돈(NMP) 및 에탄올 아민을 포함하는 조성물을, 일본특허 공개 4-289866은 알칸올아민 및 히드록실 아민을 포함하는 조성물을 공개하였다. 히드록실 아민을 함유하는 조성물의 경우 높은 포토레지스트 박리성을 나타내는 것을 알려져 있으나 쉽게 분해하는 단점을 가지고 있 다. 국내공고특허 0173090은 히드록실 아민류, 수용성 유기용매, 방식제 및 물을 포함하는 조성물을 설명하였으며, 에칭, 에싱, 이온주입등에 의해 형성된 변질막의 박리성 및 Ti기판에 대한 방식성이 우수함을 설명하고 있다.

국내등록특허 10-0429920 에서는 질소함유 유기히드록실아민류, 수용성 유기용매, 물 및 특정의 벤조트리아졸계 화합물을 함유하는 조성물을 표현하면서 사용되는 기판의 방식성이 우수함을 설명하고 있다.

또한 국내공개특허10-2004-0010068에서는 반도체 회로소자의 제조공정에 있어서 드라이 에칭 후에 잔류하는 포토레지스트 잔사의 제거성이 뛰어남과 동시에 새로운 배선재료나 배리어 메탈층, 층간절연막등에 대해서도 손상을 주지 않는 포토레지스트 잔사제거액 조성물을 설명하고 있다.

이와 같이 지금까지 알려진 포토레지스트 박리액의 조성물의 경우, 반도체 소자나 액정표시소자의 제작시 사용되는 포토레지스트 및 공정중 에칭이나 에싱등에 의하여 형성된 변질된 포토레지스트의 박리등에 대해서는 우수한 효과를 한편 SiO2, ITO, IZO, SiN등 기판에 대한 방식성 또한 양호함을 특징으로 하고 있다.

그러나 앞서 설명드린바와 같이 3mask 공정으로 적용하기 위해서는 포토레지스트의 제거 및 패시베이션층인 SiNx 또는 Pixel 층인 ITO 혹은 IZO 막을 동시에 제거시킬수 있는 새로운 개념의 포토레지스트 박리액이 요구된다. 3mask공정에 기존의 박리제를 사용하는 경우에는 포토레지스트의 박리는 가능하나 산화막(ITO, IZO)의 박리는 불가능하다. 따라서 포토레지스트 제거에 의해 lift off된 산화막(ITO, IZO)이 박리제 용액속에 고형분으로 잔류하여 particle의 근원이 되며 기판에 부착 되어 수율 저하의 원인이 되게 된다. 3mask공정에 새로운 개념의 포토레지스트 박리액을 적용하는 경우 패시베이션층인 SiNx 또는 Pixel 층인 ITO 혹은 IZO 막은 3mask공정특성에 의해 lift off 된 SiNx, 또는 ITO혹은 IZO막만을 선택적으로 용해시켜 기판상에 재흡착되는 것을 방지하며, 기판에 증착되어 있는 패시베이션 층 및 픽셀층은 그대로 존재하거나 일부 식각되어 패시베이션층 이나 픽셀층의 두께가 일부 얇아질수 있다.

본 발명은 반도체 소자 및 액정표시소자의 제조공정에서 사용되는 mask 공정을 단순화하기 위해서 사용되는 포토레지스트의 제거뿐만 아니라 mask 공정 단순화에 의해 lift off 된 패시베이션층인 SiNx 또는 Pixel 층인 ITO 혹은 IZO막만을 선택적으로 동시에 제거해야할 필요성이 있다.

본 발명자들은 이러한 문제점을 해결하기 위해 노력한 결과 통상의 유기 포토레지스트 박리제조성에 패시베이션층인 SiNx 또는 Pixel 층인 ITO 혹은 IZO막 을 제거할수 있는 성분을 함유시킴으로서 3mask공정에서 요구하는 포토레지스트 및 lift off 된 패시베이션층인 SiNx 또는 Pixel 층인 ITO 혹은 IZO막만을 선택적으로 동시에 제거시킬수 있음을 발명하게 되었다.

본 발명의 박리제는 포토레지스트 박리와 동시에 lift off된 산화막만을 선택적으로 용해하여 박리제 용액속에 산화물 고형분이 존재하지 않게 하며, 따라서 particle이 부착되지 않은 깨끗한 가판을 형성 할 수 있다. 또한 기판상에 pixel층 으로 사용될 산화막은 그대로 존재하게끔 할수 있다. 조건에 따라 분당 30Å이하의 에칭이 이루어 질 수도 있으나 제품의 성능에는 영향이 없다. 에칭 정도는 사용되는 산의 농도로 조절 가능하다.

본 발명은 0.1~20중량 %의 유기산 혹은 무기산, 1~ 40중량%의 유기아민화합물, 10~ 80중량%의 유기용매류, 2~30중량%의 물 및 0.1~20중량%의 방식제를 포함하는 것으로 pH가 7이상의 값을 가지는 것으로 산화막 및 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

본 발명에 사용되는 산(acid)로서는 유기산 및 무기산등이 사용될수 있으며, 유기산은 하기와 같은 화학식 (1)로 표기되는 구조를 가지v는 것을 특징으로 한다.

(화학식 1)

R-COOM

여기서 R은 수소원자, 알킬기 또는 방향족 구조를 갖을수 있으며, 알킬기를 가지는 구조중에서는 또다른 COOM을 가지는 구조를 나타낼수 있다. M은 수소원자, 알칼리 금속 또는 암모늄 염 구조를 가질수 있다.

유기산의 예로서 포름산, 아세트산, 살리실산, 옥살산, 시트릭산, 글리콘산, 글리옥실릭산과 그의 염들, 글리실산, 이미노디아세틱산, 트리아미노아세틱산등의 아미노 카르본산과 그의 염들, 술포살리실산과 그의 염들, 폴리아세틱산 등 폴리카르본산과 그의 염들이 본 특허의 성능을 달성하기 위해 사용될수 있다.

유기산 중에서 IZO막과 같은 산화물을 제거하기 위해서는 시트릭산, 살리실산, 옥살산, 글리콘산, 글리옥실산, 포름산, 말레인산, 말론산 또는 이들의 염들이 바람직하며, 단독 혹은 2개이상의 혼합물로 사용될수도 있다.

또한 무기산으로는 염산, 질산, 황산, 아황산, 차아황산, 인산, 제1인산염, 제 2인산염 등이 사용될수 있으며, 특히 ITO와 같은 산화물을 제거하기 위해서는 염산과 염화철 그리고 물로 이루어진 혼합조성이나 염산과 질산 그리고 물로 이루어진 혼합조성이 사용되어지는 것이 바람직하다.

그러나 강산성의 염산과 같이 무기산이 사용되는 경우 박리액 조성물의 전체적인 pH 7이하로 될 수 가 있다. 박리액 조성물의 pH 가 7이하인 경우 포토레지스트의 박리성이 감소하는 효과가 있기 때문에 박리액의 pH 조절이 필요하다.

본 발명에 사용되는 아민으로서는 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, t-부틸아민, 이소부틸아민, 헥실아민, 옥틸 아민, 헥사데실아민등과 같은 1차알킬아민류, 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로판아민, 디이소프로판아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 디sec-부틸아민, 디t-부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸이소부틸아민, 에틸프로필아민, 에틸이소프로필아민, 에틸부틸아민, 에틸이소부틸아민, 프로필부틸아민, 프로필이소프로필아민 등과 같은 2차알킬아민류,

트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민, 메틸디프로필아민과 같은 제3차알킬아민류, 에탄올아민, N-메틸에 낱올아민, N-에틸에탄올아민, N-프로필에탄올아민, N-부틸에탄올아민, 디에탄올아민, 이소프로판올아민, N-메틸이소프로판올아민, N-에틸이소프로판올아민, N-프로필이소프판올아민, 2-아미노프로판-1-올, N-메틸-2-아미노프로판-1-올, N-메틸-1-아미노프로판-3-올, N-에틸-1-아미노프로판-3-올, 1-아미노부틸-2-올, N-메틸-1-아미노부탄-2올, N-메틸-1-아미노부탄-2-올 과 같은 알칸올아민, 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 트리메틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 1,3-디아미노부탄, 2.3-디아미노부탄, 펜타메틸렌디아민, N-메틸에틸디아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, 트리메틸에틸렌디아민, N-메틸에틸렌디아민, N,N-디에틸에틸렌디아민, 트리에틸에틸렌디아민, 1,2,3-트리아미노프로판, 히드라진, 디에틸렌드리아민 등의 폴리아민류, 히드록실 아민, N-메틸히드록실아민, N-에틸히드록실아민, N,N-디에틸히드록실아민 등의 히드록실아민화합물, 피롤, 2-메틸피롤, 3-메틸피롤, 2-에틸피롤, 3-에틸피롤, 2,3-디메틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 3,4-디메틸피롤, 2,3,4-트리메틸피롤, 2,3,5-트리메틸피롤, 2-피롤린, 3-피롤린, 피롤리딘, (n-메틸피롤리딘), 2-메틸피롤리딘, 3-메틸피롤리딘, 피라졸, 이미다졸, 1,2,3-트리아졸, 1,2,3,4-테트라졸, 피페리딘, 2-피페롤린, 3-피페롤린, 4-피페롤린, 피페라진, 2-메틸피페라진, 2,5-디메틸피페라진 등의 고리형 아민류, 또한 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라프로필암모늄이드록시드, 테트라부틸암모늄히드록시드 등의 4차암모늄 히드록시드류 등을 포함한다. 본 발명에서 유용한 아민류는 상술한 화합물에 특별히 한정하지 않으며, 특별한 제한없이 사용되는 임의의 알칼리성 화합물이어도 된다. 알칼리성 화합물은 단독 혹은 2개 이상의 화합물의 조합으로 사용되기도 한다.

상술한 알칼리성 화합물중에서 바람직한 것은 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 에탄올아민, 이소프로판올 아민, 디에탄올아민, N-메틸에탄올아민, 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 부틸렌디아민 등이다.

본 발명에서 사용되는 유기용매는 특별한 제한이 없는한 아민류와 혼합성이 있는 것이면 사용될수 있다. 수용성 유기용매가 사용될수 있으며, 이러한 예로서, 에틸렌글리콜, 테트라에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌 글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르 용매류; 프롬아미드, 모노메틸프롬아미드, 디메틸프롬아미드, 모노에틸프롬아미드, 디에틸프롬아미드, 아세타미드, 모노에틸아세타미드, 디메틸아세타미드, 모노에틸아세타미드, 디에틸아세타미드, N-메틸피롤리돈, 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드 용매류, 디메틸술폰, 디에틸술폰, 테트라메틸렌 술폰 같은 술폭시드 용매류,; 디메틸술폰, 디에틸술폰, 테트라메틸렌 술폰같은 술폰용매류, 1,3- 디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디에틸-2-이미다졸리디논 및 1,3-디이소프로필-2-이미다졸리디논같은 이미다졸리디논 용매류, 메틸베타메톡시프로피오네이트등을 포함한다.

이런 유기용매중에서 바람직한 것은 테트라에틸렌 글리콜, N-메틸-2-피롤리디논 (N-메틸피롤리돈), N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌 글리콜, 메틸베타메톡시프로피오네이트, 디메틸술폰시드등이다. 이러한 것이 사용되는 이유는 사용의 용이성 및 고비점이기 때문에 온도를 가하여 사용하여도 안정하게 유지할수 있기 때문이다.

본 발명에 사용되는 방식제로는 아졸 화합물 및 당알콜류 방향족 히드록시 화합물을 포함하기도 한다.

아졸 화합물의 예로서 1,2,3-벤조트리아졸, 1,2,4-벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 아미노트리아졸 및 트리아졸 유도체류, 5-아미노테트라졸을 포함한다. 당알콜류의 예로서는 자일리톨, 솔비톨, 마니톨, 에리스리톨, 팔라트니트, 피니톨, 마이오이노시톨, 이노시톨 등을 포함한다. 방향성 히드록시 화합물의 예로서는 페놀, 크레졸, 피로카테콜, t-부틸카테콜, 히드로퀴논, 피로가롤, 1,2,4-벤젠트리올, 살리실알콜, p-히드록시벤질알콜, o-히드록시벤질알콜, p-아미노페놀, m-아미노페놀, 디아미노 페놀, p-히드록시벤조산, o-히드록시벤조산, 2,4-디히드록시벤조산, 2,5-디히드록시벤조산등을 포함한다.

이들 화합물은 단독 혹은 2개 이상의 화합물을 조합하여 사용하여도 좋다.

본 발명의 조성물에는 계면활성제가 첨가될수도 있다. 계면활성제의 예로는 양이온성, 음이온성, 비이온성 등 어느것이 사용되어도 무방하다.

산(acid)의 사용시 농도는 특별히 제한하지 않으나 박리액 조성물의 20중량%이하로 하며 바람직하게는 10중량%이하로 한다.

아민(알칼리성 화합물) 사용시 농도는 포토레지스트 박리액 조성물의 0.1 내지 70중량%, 바람직하게는 1 내지 50중량%이다.

유기용매의 농도는 특별히 제한하지 않으며, 포토레지스트 박리액 조성물의 점도나 비중, 박리조건등에 따라 결정할수 있다. 유기용매의 농도는 70중량%이하 이다.

방식제의 농도는 특별히 제한하지 않으나 포토레지스트 박리액 조성물의 20중량%이하이며, 보다 바람직하게는 10중량%이하이다.

경우에 따라서 물을 사용하여도 된다. 물의 양은 박리조건에 따라 달라질 수 있는데 이는 가온 조건 하에서 박리하는 경우 증발에 의하여 수분이 제거되고 이로 인하여 박리 액 조성물의 농도가 달라질 수 있으며, 이로 인하여 박리성능이 달라질 수 있기 때문이다. 또한 사용되는 유기산에 의해서도 결정되어 질 수 있다. 옥살산이나 옥살산염과 같이 고체상 성질을 가지고 있는 유기산의 경우 아민이나 유기용매에 의한 용해도가 극히 미미하거나 거의 용해되지 않기 때문에 아민과 유기용매로 이루어진 조성물의 경우에 유기산을 용해 시키기는 매우 어렵다. 이러한 이유 때문에 3mask 공정에서 요구되는 질화막 이나 ITO, IZO막 등을 동시에 제거시키기 위해서는 유기산 혹은 무기산이 균일하게 혼합되어 있어야만 한다. 이러한 이유 때문에 박리액 조성물 중의 물 성분은 유기산 및 무기산의 균일한 혼합물을 이룰 수 있는 범위를 고려하여 결정하며, 일반적으로 50중량%이하로 한다.

본 발명에서 언급한 조성의 농도는 특별히 제한된 것은 없으며, 포토레지스트 박리의 성능과 질화막 또는 ITO, IZO막의 제거 성능을 고려하여 적절한 범위에서 선정될 수 있다.

본 발명의 포토레지스트 및 질화막 또는 ITO, IZO막의 박리 및 제거방법은 포토레지스트을 마스크로 이용하여 기판위에 잔존하는 포토레지스트층 및 질화막 또는 ITO, IZO 막을 박리액 조성물과 직접 접촉시켜 제거하는 단계를 포함한다. 박리액 조성물과 직접 접촉하는 방법으로는 침적법 혹은 스프레이 방법 및 이들의 혼합방법에 의해 진행하는 방법을 말한다.

다음에 실시예에 의해 본 발명을 상세하게 설명하나 본 발명이 이들의 예에 한정되는 것은 아니다.

[실시예 1 내지 11]

표1에 표시한 조성의 박리액을 이용하여 65c에서 10분간 침적처리한후 기판을 순수로 린스 처리하여 건조시킨후, 포토레지스트의 박리상태 및 기판 배선의 부식 그리고 기판에서 lift off된 산화막(IZO)의 제거(용해)상태를 SEM을 이용하여 관찰, 평가하였다.

포토레지스트의 박리성 및 부식성은 이하와 같이 평가하였다.

판단 기준	포토레지스트 박리성	금속 부식성	산화막 제거성
O	박리성 양호	부식없음	제거성 양호
ㅿ		약간 부식
X	박리성 미비	다수의 부식	제거성 미비

	산(acid)류	유기아민화합물	유기용매류		방식제	물	포토레지스트박리성	기판부식	IZO 용해성
실시예1	옥살산(2)	MEA (33)	BDG (65)				O	X	X
실시예2	옥살산(2)	MEA (10)	BDG (30)	NMP (48)	피로카테콜(10)		O	O	X
실시예3	옥살산(2)	MEA (15)	BDG (35)	DMSO (40)	피로카테콜(10)	10	O	O	O
실시예4	암모늄옥살레이트(3)	MEA (5)	BDG (45)	MMP (42)	피로카테콜(5)	15	O	O	O
실시예5	옥살산(5)	MEA (15)	BDG (20)	DMSO (40)	피로카테콜(5)	15	O	O	O
실시예6	옥살산(1)	MIPA (20)	BDG (30)	DMSO (30)	솔비톨(10)	10	O	O	O
실시예7	옥살산(5)	MIPA (20)	BDG (20)	NMP (30)	솔비톨(5)	20	O	O	O
실시예8	암모늄옥살레티트(5)	MIPA (20)	BDG (20)	NMP (30)	솔비톨(5)	20	O	O	O
실시예9	암모늄옥살레이트(2)	MIPA (18)	BDG (25)	DMSO (30)	피로카테콜(5)	20	O	O	O
실시예 10	옥살산(10)	MIPA (10)	BDG (15)	NMP (20)	피로카테콜(5)	40	O	O	O
실시예 11	옥살산 (5)	MEA (10)	BDG (15)	DMSO (20)	솔비톨(5)	45	O	ㅿ	O
비교예1		히드록실아민(10)	BTG (25)	DMSO (55)	피로카테콜(10)		O	O	X
비교예2		MEA (15)	BDG (30)	DMSO (50)	피로카테콜(5)		O	O	X
비교예3		MIPA(20)	BDG(20)	NMP(50)	피로카테콜(10)		O	O	X

주) DMSO : 디메틸술폭시드

NMP : N-메틸-2-피롤리돈

BDG : 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르

MMP : 메틸베타메톡시프로피오네이트

실시예 (12)

실시예 1~11 에서 언급한 유기아민 화합물 및 수용성 유기용매 그리고 방식제 성분에 무기산으로 염산, 염화철(FeCl3) 및 일부 물 성분을 함유하는 박리액을 제조하여 60C에서 20분간 침적방법으로 평가, SEM으로 관찰한 결과 기판에서 lift off된 산화막(ITO)이 제거(용해)됨을 확인할 수 있었다.

이상 상세히 기술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 기존에 알려진 포토레지스트 박리액 조성물에 유기산이 함유된 새로운 개념의 박리액 조성물을 이용함으로서 포토레지스트의 제거뿐만 아니라 액정표시소자등에서 pixel 층 의 재료로 사용되고 있는 ITO, IZO막등도 함께 제거함으로서 mask 공정의 단순화를 얻을 수 있는 포토레지스트 박리 및 산화막 제거가 가능한 조성물 및 박리방법을 제공할 수 있다는 효과를 나타낸다.

Claims (11)

1. 0.1~20중량 %의 유기산 또는 무기산으로 표시되는 산화막 식각제, 1~ 40중량%의 유기아민화합물, 10~ 80중량%의 유기용매류, 2~30중량%의 물 및 0.1~20중량%의 방식제를 포함하는 것을 특징으로하는 산화막 및 포토레지스트 용해 조성물
2. 제 1항에 있어서 유기산으로 표시되는 산화물 식각제는 식(1)로 표시되는 구조를 가지는 군에서 선택되어지는 것으로

   (식 1) R-COOM

   여기서 R은 알킬기 또는 수소원자로 표시될 수 있으며, M은 수소원자 또는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 암모늄기, 알킬암모늄기 또는 치환알킬암모늄기를 표시는 것을 특징으로하는 것으로 단독 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 용해 조성물
3. 제 1항에 있어서 무기산으로 표시되는 산화물 식각제는 염산, 과염소산, 차아염소산, 질산, 인산, 황산, 아황산, 차아황산인 것을 특징으로 하는 것으로 단독 혹은 2개 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 산화막 및 포토레지스트 용해 조성물
4. 제 1항에 있어서, 유기 아민 화합물은 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 프로판올아민, 디프로판올아민, 트리프로판올아민, 이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, 부탄올아민, 부틸모노에탄올아민, N-메틸에탄올아민, 에틸디에탄올아민 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 산화막 및 포토레지스트 박리액 조성물
5. 제 1항에 있어서, 수용성 유기용매가 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 테트라히드로프루프릴알코올, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸 설폭사이드, 메틸베타메톡시프로피오네이트 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 산화막 및 포토레지스트 용해 조성물.
6. 제 1항에 있어서, 방식제가 피로카테콜, 벤조트리아졸 및 트리아졸 유도체, 당알콜인것을 특징으로 하는 산화막 및 포토레지스트 용해 조성물.
7. 제 2항에 있어서 유기산으로 표시되는 산화물 식각제가 시트릭산, 살리실산, 옥살산, 글리콘산, 글리옥실산, 포름산, 말레인산, 말론산, 숙신산 또는 이들의 염인 것을 특징으로 하는 것으로 단독 혹은 2개 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 산화막 및 포토레지스트 용해 조성물.
8. 제 3항에 있어서 무기산으로 표시되는 산화물 식각제가 염화철, 염화제2철을 단독 혹은 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 산화막 및 포토레지스트 용해 조성물
9. 제 6항에 있어서, 당알콜이 솔비톨, 마니톨, 트레오졸, 자일리톨 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 산화막 및 포토레지스트 용해 조성물.
10. 반도체소자, 액정표시소자등과 같이 소자제작중 이용되는 포토레지스트 및 pixel 층인 산화막등을 청구항 1항의 박리액을 이용하여 제거하는 방법
11. 제 10항에 있어서 pixel층은 ITO, IZO등을 포함한다.