KR960005819A - 반도체기판의 세정방법 및 이에 사용되는 세정액 - Google Patents
반도체기판의 세정방법 및 이에 사용되는 세정액 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 기판 세정방법과 이에 사용되는 세정액이 개시되어 있다. 반도체 기판, 특히 폴리사이드 구조가 형성되어 있는 반도체 기판을 TC-1 새정액을 사용하여 세정한다. 상기 TC-l 세정액은 사에딜 수산화 앙모늄 수용액과 과산화수소 수용액을 순수물과 혼합한 알카리계 세정액이다. 본 발명에 따르면, TC-1 세정액을 사용한 세정방법은 폴리사이드 배선의 텅스덴 실리사이드층 및 BPSG층에 대해서도 식각성이 거의 없을뿐만 아나라, 반도체 제조공정 중 발생하는 파티클, 폴리머 및 금속성 불순물들을 충분히 제거할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1a 도 및 제 1b 도는 텅스텐 실리사이드층이 식각된 정도를 도시한 그래프들이고,
제 2a 도 및 제 2b 도는 BPSG충이 식각된 정도를 도시한 그래프들이고,
제 3a 도 및 제 3b 도는 SC-1과 TC-1 세정액의 파티클 제거력을 측정, 비교한 그래프들이고,
Claims (12)
- NR4OH의 수용액과 과산화수소 수용액 및 물을 혼합한 세정액으로 반도체 기판을 세정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 워드라인 배선층이 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 기판 세정방법.
- 제2항에 있어서, 상기 워드라인 배선층은 금속층, 금속질화물층, 금속실리사이드층, 폴리실리콘층과 금속층, 폴리실리콘층과 금속실리사이드층, 올리실리콘층과 금속질화물층 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 기판 세정방법.
- 제3항에 있어서, 상기 금속층은 텅스텐, 구리, 티타늄 및 몰리브데늄의 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 기판 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 세정방법은 워드라인 배선 형성 전 또는 형성 후 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 혼합 세정액으로 세정한 후 연속적으로 DHF(Deluted HF)로 세정하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 세정방법.
- NR4OH의 수용액과 과산화수소 수용액 및 물을 혼합한 것을 특징으로 하는 세정액.
- 제7항에 있어서, 상기 NR4OH 수용액의 NR4OH 농도는 l∼99%인 것을 특징으로 하는 하는 세정액.
- 제7항에 있어서, 상기 과산화수소 수용액의 과산화수소 농도는 10-50%인 것을 특징으로 하는 세정액.
- 제7항에 있이서, 상기 물을 순수(DIwater)인 것을 특징으로 하는 세정액.
- 제7항에 있어서, 상기 세정액은 NR4OH 수용액과 과산화수소 수용액과 물의 혼합비를 NR4OH 수용액 1에 대해 과산화수소 수용액의 부피비가 0.1∼50이고 물의 부피비가 1∼100인 것을 특징으로 하는 세정ㅙ액.
- 제7항에 있어서, 상기 NR4OH의 R은 메틸기를 포함하는 알킬기 그룹인 것을 특징으로 하는 세정액.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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