KR970003599A - 반도체 소자의 자연 산화막 제거방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 자연 산화막 제거방법을 개시한다. 개시된 방법은 접촉창 형성후, 접촉부 하단에 자연적으로 발생하는 자연산화막의 제거를 위하여 세정 공정중 마지막 공정인 탈이온수의 린스 공정시 탈이온수에 소량의 HF 용액을 첨가하여 린스 공정을 진행함으로써 접촉창의 하단 영역에 자연산화막의 성장을 억제시킴으로써, 소자의 접촉 저항을 감소시켜 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- 접촉창이 형성된 반도체 시편을 H2SO4세정액으로 세정하고, 탈이온수로 세척한 다음, HF 및 BOE 세정액으로 세정하고, 다시 탈이온수로 세척하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 자연 산화막 제거방법에 있어서, 상기 HF 및 BOE 세정액으로 세정하고, 탈이온수로 세척하는 공정시, 상기 탈이온수에 소량의 HF 용액을 첨가하여 세척하여 자연 산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 자연 산화막 제거방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017579A KR970003599A (ko) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 반도체 소자의 자연 산화막 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017579A KR970003599A (ko) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 반도체 소자의 자연 산화막 제거방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003599A true KR970003599A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66524711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950017579A KR970003599A (ko) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 반도체 소자의 자연 산화막 제거방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003599A (ko) |
-
1995
- 1995-06-26 KR KR1019950017579A patent/KR970003599A/ko not_active Application Discontinuation
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