KR960019553A - 웨이퍼 세정 방법 - Google Patents

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KR960019553A
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KR
South Korea
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treatment step
deionized water
hydrogen fluoride
containing liquid
wafer surface
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Application number
KR1019940029515A
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English (en)
Inventor
정인철
정기철
정영철
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 세정 방법에 관한 것으로서, 웨이퍼 표면의 유지류를 유기 용매를 사용하여 제거하는 전단 세정 처리 단계와, 상기 전단 세정 처리 단계에서 웨이퍼 표면에 형성되는 자연산화막을 제거하는 불화수소 함유액 처리 단계와, 상기 불화수소 함유액 처리 단계에서 사용된 불화수소 함유액이나 웨이퍼 표면의 미립자를 탈이온수로서 제거하는 린스 처리 단계 및 상기 린스 처리 단계에서 잔류된 상기 탈이온수를 제거하는 스핀 드라이 처리 단계로 진행되는 웨이퍼 세정 방법에 있어서, 상기 린스 처리 단계를 상기 탈이온수의 흐름을 적게하여 세정 욕조내에 정체시켜 상기 미립자를 떠오르게 하는 아이들 플로우 단계와 떠오른 상기 미립자를 상기 탈이온수의 흐름을 증가시켜 상기 세정 욕조 밖으로 유출시키는 오버플로우 단계로 이분화시킨 것이다.

Description

웨이퍼 세정 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)는 본 발명에 따른 세정 처리 단계를 나타내는 흐름도.

Claims (2)

  1. 웨이퍼 표면의 유지류를 유기 용매를 사용하여 제거하는 전단 세정 처리 단계와, 상기 전단 세정 처리 단계에서 웨이퍼 표면에 형성되는 자연산화막을 제거하는 불화수소 함유액 처리 단계와, 상기 불화수소 함유액 처리 단계에서 사용된 불화수소 함유액이나 웨이퍼 표면의 미립자를 탈이온수로서 제거하는 린스 처리 단계 및 상기 린스 처리 단계에서 잔류된 상기 탈이온수를 제거하는 스핀 드라이 처리 단계로 진행되는 웨이퍼 세정 방법에 있어서, 상기 린스 처리 단계를 상기 탈이온수의 흐름을 적게하여 세정욕조내에 정체시켜 상기 미립자를 떠오르게 하는 아이들 플로우 단계와 떠오른 상기 미립자를 상기 탈이온수의 흐름을 증가시켜 상기 세정 욕조 밖으로 유출시키는 오버플로우 단계로 이분화시킨 웨이퍼 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 아이들 플로우 단계는 250~350초이고, 상기 오버플로우 단계는 550~650초인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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