KR960026324A - 반도체 장치의 패드 세정 방법 - Google Patents

반도체 장치의 패드 세정 방법 Download PDF

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KR960026324A
KR960026324A KR1019940037795A KR19940037795A KR960026324A KR 960026324 A KR960026324 A KR 960026324A KR 1019940037795 A KR1019940037795 A KR 1019940037795A KR 19940037795 A KR19940037795 A KR 19940037795A KR 960026324 A KR960026324 A KR 960026324A
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cleaning
cleaning method
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KR1019940037795A
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Inventor
맹창호
송치화
최봉호
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 패키지 제조 공정에서 외부 회로와 연결하기 위해 사용되는 페드의 세정 방법에 관한 것으로서, 특히 탈이온수로 패드 표면을 세정하여 불소 성분의 제거 및 균일한 산화알루미늄을 형성함으로써 금속 배선막을 부식을 방지할 수 있는 패드 세정 방법에 관한 것으로서, 금속 배선막이 부식을 방지할 수 있는 패드 세정 방법에 관한 것으로서,금속 배선막이 형성된 패드 상에 보호막을 형성한 후 소정의 감광막 패턴에 의해 보호막을 불소 성분의 가스로 제거한 후, 상기 감광막 패턴을 산소 성분의 가스로 제거한 다음 세정제로 불소 성분을 제거하나거, 또는 역으로 세정제로 불소 성분을 제거한 다음 상기 감광막 패턴을 산소 성분의 사스로 제거함으로써 알루미늄막에 수분 및 성장액의 침투가 방지되어 알루미늄막의 단선이나 외부 회로와 단락되는 현상을 막게 되어 결과적으로 제조 수율이 행상될 수 있다.

Description

반도체 장치의 패드 세정 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제5도는 본 발명에 다른 패드 세정 방법의 공정을 순차적으로 설명하기 위한 단면도.

Claims (2)

  1. 금속 배선막이 형성된 패드 상에 보호막을 형성하는 단계, 소정의 감광막 패턴에 의해 보호막을 불소 성분의 가스로 제거하는 단계, 상기 감광막 패턴을 산소 성분의 가스로 제거한 다음 세정제로 불소 성분을 제거하거나, 또는 역으로 세정제로 불소 성분을 제거한 다음 상기 감광막 패턴을 산소 성분의 가스로 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정제는 탈이온수인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 세정 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940037795A 1994-12-28 1994-12-28 반도체 장치의 패드 세정 방법 KR960026324A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100474743B1 (ko) * 2002-06-11 2005-03-10 동부아남반도체 주식회사 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법
KR101026485B1 (ko) * 2008-08-29 2011-04-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100474743B1 (ko) * 2002-06-11 2005-03-10 동부아남반도체 주식회사 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법
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