KR100474743B1 - 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법 - Google Patents
알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100474743B1 KR100474743B1 KR10-2002-0032622A KR20020032622A KR100474743B1 KR 100474743 B1 KR100474743 B1 KR 100474743B1 KR 20020032622 A KR20020032622 A KR 20020032622A KR 100474743 B1 KR100474743 B1 KR 100474743B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- aluminum pad
- fluorine polymer
- aluminum
- present
- pad
- Prior art date
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 23
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/03—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/03—Manufacturing methods
- H01L2224/038—Post-treatment of the bonding area
- H01L2224/0381—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 HOCH2CH2NH2와 (CH3)2SO를 혼합한 용액을 사용하여 소자를 외부 단자와 연결시켜 주는 알루미늄 패드(aluminum pad)의 표면을 습식 처리해서 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머(fluorine polymer)를 제거하는 동시에 그 표면에 산화막을 형성하여 표면이 더 이상 산화되는 것을 방지한다. 따라서, 알루미늄 패드의 전기적 특성이 저하되지 않는다.
Description
본 발명은 알루미늄 패드 표면(aluminum pad surface)의 플루오린 폴리머(fluorine polymer) 제거 방법에 관한 것으로, 특히, 알루미늄 패드 표면에 존재하는 플루오린 폴리머를 제거하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 소자를 외부 단자와 연결시켜 주는 알루미늄 패드 표면에 보호막을 형성하기 위해 건식 식각(dry etch)을 하는 경우 CxFy계 가스를 사용하는데, 이때 플루오린 폴리머가 발생되어 알루미늄 패드 표면에 존재하게 된다. 따라서, 알루미늄 패드 표면에 있는 플루오린 폴리머가 수분을 만나면서 알루미늄 패드 표면을 계속 부식시켜 알루미늄 패드의 전기적 특성을 저하시킨다.
종래의 기술에 있어서 소자를 외부 단자와 연결시켜 주는 알루미늄 패드 표면의 플루오린을 제거하고 이 표면에 보호막을 형성하기 위해 알루미늄 패드 표면을 UV 오존(ozone) 처리하여 알루미늄 패드 표면의 부식 저항을 증가시켰다. 그러나, 이와 같은 종래의 기술은 알루미늄 패드 표면의 막 두께를 균일하게 조절하기가 어렵다.
종래의 다른 기술에 있어서 MPA(MethyPhosphonic Acid)와 NTMP(NitroTrisMethy-Phosphonic acid) 용액을 사용해서 소자를 외부 단자와 연결시켜 주는 알루미늄 패드의 표면 저항 특성을 개선시켰다. 그러나, 이와 같은 종래의 기술은 용액 합성이 어렵고 그 용액의 농도를 조절하기가 어렵다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 결점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, MonoetanolAmino(HOCH2CH2NH2)와 Dimethylsulfoxide((CH3)2SO)를 혼합한 용액을 사용하여 소자를 외부 단자와 연결시켜 주는 알루미늄 패드 표면을 습식(wet) 처리해서 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머를 제거하는 동시에 그 표면에 산화막을 형성하여 표면이 더 이상 산화되는 것을 방지하는 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 소자를 외부 단자와 연결시켜 주는 알루미늄 패드의 표면에 보호막을 선택적으로 형성하는 제 1 단계; HOCH2CH2NH2와 (CH3)2SO를 혼합한 용액을 사용하여 상기 알루미늄 패드의 드러난 표면을 습식 처리해서 상기 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머를 제거하고 상기 알루미늄 패드 표면에 산화막을 형성하는 제 2 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
동 도면에 있어서, 소자를 외부 단자와 연결시켜 주는 알루미늄 패드(10)의 표면에 보호막을 선택적으로 형성한다. 상기 보호막은 SiN과 PBO(Poly BenzOxasole)를 선택적으로 사용하여 형성한다.
보호막에 손상을 주지 않도록 60 내지 80%의 HOCH2CH2NH2와 40 내지 20%의 (CH3)2SO를 혼합한 용액을 사용해서 10 내지 30분 동안 30 내지 60℃의 온도에서 알루미늄 패드(10)의 드러난 표면을 습식 처리해서 알루미늄 패드(10)의 표면에 있는 플루오린 폴리머(12)를 제거하는 동시에 그 표면에 산화막을 형성하여 표면이 더 이상 산화되는 것을 방지한다.
에탄올에 5 내지 10분 동안 담근다.
DI 워터(water)로 5 내지 10분 동안 세정한다.
"hot N2"로 10 내지 20분 동안 스핀 건조(spin dry)시킨다.
AES 분석을 통해 알루미늄 패드(10)의 표면을 분석한 결과, 40℃ 이상의 온도에서 20분 이상 진행된 표면에서 플루오린 폴리머가 검출되지 않았다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법에 있어서 습식 처리 전후에 알루미늄 패드 표면의 성분 분석을 각각 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법에 있어서 습식 처리 전후에 각 성분의 두께에 따른 변화를 각각 나타낸 도면이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은, HOCH2CH2NH2와 (CH3)2SO를 혼합한 용액을 사용하여 소자를 외부 단자와 연결시켜 주는 알루미늄 패드 표면을 습식 처리해서 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머를 제거하는 동시에 그 표면에 산화막을 형성하여 표면이 더 이상 산화되는 것을 방지한다. 따라서, 알루미늄 패드의 전기적 특성이 저하되지 않는다.
도 1은 본 발명에 따른 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법의 일 실시예를 나타낸 단면도,
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법에 있어서 습식 처리 전후에 알루미늄 패드 표면의 성분 분석을 각각 나타낸 도면,
도 3은 본 발명에 따른 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법에 있어서 습식 처리 전후에 각 성분의 두께에 따른 변화를 각각 나타낸 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 알루미늄 패드 12 : 플루오린 폴리머
Claims (4)
- 소자를 외부 단자와 연결시켜 주는 알루미늄 패드의 표면에 보호막을 선택적으로 형성하는 제 1 단계;HOCH2CH2NH2와 (CH3)2SO를 혼합한 용액을 사용하여 상기 알루미늄 패드의 드러난 표면을 습식 처리해서 상기 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머를 제거하고 상기 알루미늄 패드 표면에 산화막을 형성하는 제 2 단계를 포함하는 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보호막은 SiN과 PBO(Poly BenzOxasole)를 선택적으로 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 혼합 용액은 60 내지 80 %의 HOCH2CH2NH2와 40 내지 20%의 (CH3)2SO가 혼합된 것임을 특징으로 하는 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계는 40 내지 60℃의 온도에서 10 내지 20 분 동안 진행되는 것을 특징으로 하는 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0032622A KR100474743B1 (ko) | 2002-06-11 | 2002-06-11 | 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0032622A KR100474743B1 (ko) | 2002-06-11 | 2002-06-11 | 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030095099A KR20030095099A (ko) | 2003-12-18 |
| KR100474743B1 true KR100474743B1 (ko) | 2005-03-10 |
Family
ID=32386656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0032622A KR100474743B1 (ko) | 2002-06-11 | 2002-06-11 | 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100474743B1 (ko) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03112141A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-13 | Nec Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
| KR960026324A (ko) * | 1994-12-28 | 1996-07-22 | 김주용 | 반도체 장치의 패드 세정 방법 |
| US5824234A (en) * | 1996-10-02 | 1998-10-20 | Mosel Vitelic, Inc. | Method for forming low contact resistance bonding pad |
| KR19990057067A (ko) * | 1997-12-29 | 1999-07-15 | 구본준 | 반도체 소자의 패드 형성 방법 |
| KR20000070378A (ko) * | 1997-01-23 | 2000-11-25 | 세미툴 인코포레이티드 | 금속층의 패시베이션 방법 |
-
2002
- 2002-06-11 KR KR10-2002-0032622A patent/KR100474743B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03112141A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-13 | Nec Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
| KR960026324A (ko) * | 1994-12-28 | 1996-07-22 | 김주용 | 반도체 장치의 패드 세정 방법 |
| US5824234A (en) * | 1996-10-02 | 1998-10-20 | Mosel Vitelic, Inc. | Method for forming low contact resistance bonding pad |
| KR20000070378A (ko) * | 1997-01-23 | 2000-11-25 | 세미툴 인코포레이티드 | 금속층의 패시베이션 방법 |
| KR19990057067A (ko) * | 1997-12-29 | 1999-07-15 | 구본준 | 반도체 소자의 패드 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030095099A (ko) | 2003-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5533635A (en) | Method of wafer cleaning after metal etch | |
| WO2007046835A1 (en) | Non-plasma method of removing photoresist from a substrate | |
| KR100310835B1 (ko) | 실리사이드층의 형성방법 및 반도체장치의 제조방법 | |
| KR100474743B1 (ko) | 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법 | |
| KR102071794B1 (ko) | 붕소막의 제거 방법 및 붕소막에 의한 패턴 형성 방법 | |
| KR100325052B1 (ko) | 반도체 장치 내에서의 내화성 금속 실리사이드층 형성 방법 | |
| JPH07230988A (ja) | 高温金属層上に絶縁体層を形成する方法 | |
| KR100972061B1 (ko) | 반도체 소자의 패드 알루미늄 처리 방법 | |
| US20080105934A1 (en) | Semiconductor device | |
| US6423646B1 (en) | Method for removing etch-induced polymer film and damaged silicon layer from a silicon surface | |
| TW375822B (en) | Method for manufacturing interconnect to prevent plug corrosion | |
| KR100502184B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR100732775B1 (ko) | 더미 웨이퍼 재생을 위한 세정조 및 이를 이용한 세정방법 | |
| JP2005116776A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR19980023075A (ko) | 웨이퍼 식각 방법 | |
| JPS60233824A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| KR100715001B1 (ko) | 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법 | |
| TW200507082A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for use in such a method | |
| KR100266900B1 (ko) | 디램 제조 방법 | |
| KR20050071115A (ko) | 반도체 제조 공정에서 에칭 얼룩 제거방법 | |
| CN112289676A (zh) | 一种去除半导体器件制造中的多晶硅残留的方法 | |
| JPH07326672A (ja) | ビアホール内の配線形成方法 | |
| KR20010058462A (ko) | 실리콘 기판의 식각후처리 방법 | |
| KR19980016838A (ko) | 실리사이드층을 갖는 트랜지스터 제조방법 | |
| KR19980039624A (ko) | 반도체 소자의 세정방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080103 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |