JPH03112141A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
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- JPH03112141A JPH03112141A JP25151789A JP25151789A JPH03112141A JP H03112141 A JPH03112141 A JP H03112141A JP 25151789 A JP25151789 A JP 25151789A JP 25151789 A JP25151789 A JP 25151789A JP H03112141 A JPH03112141 A JP H03112141A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路のボンディング用アルミニウム
パッドの腐蝕を防止する製造方法に関する。
パッドの腐蝕を防止する製造方法に関する。
従来の技術では、ボンディング用アルミニウムパッドを
その上に被着した絶縁膜（シリコン窒化膜）をＣＦ、ガ
スを用いてドライエツチングにより開口した場合、露出
したアルミニウムパッド上に直接外部接続用のボンディ
ングを行ないプラスチックモールドに封止していた。
その上に被着した絶縁膜（シリコン窒化膜）をＣＦ、ガ
スを用いてドライエツチングにより開口した場合、露出
したアルミニウムパッド上に直接外部接続用のボンディ
ングを行ないプラスチックモールドに封止していた。
上述した従来の方法では、ボンディング用アルミニウム
パッドをその上に被着した絶縁膜（シリコン窒化膜）を
弗化炭素（ＣＦ４）ガスを用いて、ドライエツチングに
より開口した場合、露出したアルミニウムパッド上に弗
素ＣＦ）が付着した状態となる。この付着弗素（Ｆ）は
水洗工程では除去できず、アルミニウムパッド上に弗素
（Ｆ）あるいは弗化物が残留した状態となる。この状態
でボンディングを行ない、プラスチックモールドに封止
した場合、耐湿性試験である圧力釜テスト（湿度８５％
、温度８５℃）で、あるいは実際の製品のフィールドで
の使用状態において、製品の外部コンタクトリードとモ
ールド樹脂のすき間、あるいはモールド樹脂そのものを
通じて外部の水分がパッドアルミニウムまで浸入してき
て残留している弗素（Ｆ）が触媒作用をして水酸化アル
ミニウムＡｊ７ （ＯＨ）ｓが形成され、配線の断線（
オープン不良）が生ずるという欠点がある。
パッドをその上に被着した絶縁膜（シリコン窒化膜）を
弗化炭素（ＣＦ４）ガスを用いて、ドライエツチングに
より開口した場合、露出したアルミニウムパッド上に弗
素ＣＦ）が付着した状態となる。この付着弗素（Ｆ）は
水洗工程では除去できず、アルミニウムパッド上に弗素
（Ｆ）あるいは弗化物が残留した状態となる。この状態
でボンディングを行ない、プラスチックモールドに封止
した場合、耐湿性試験である圧力釜テスト（湿度８５％
、温度８５℃）で、あるいは実際の製品のフィールドで
の使用状態において、製品の外部コンタクトリードとモ
ールド樹脂のすき間、あるいはモールド樹脂そのものを
通じて外部の水分がパッドアルミニウムまで浸入してき
て残留している弗素（Ｆ）が触媒作用をして水酸化アル
ミニウムＡｊ７ （ＯＨ）ｓが形成され、配線の断線（
オープン不良）が生ずるという欠点がある。
上述した従来の方法が、ボンディングパッド上に残留弗
素（Ｆ）を残したまま、ボンディング樹脂封止するのに
対し、本発明はボンディング用アルミニウムパッド上の
残留弗素を除去する工程を含むという相違点を有する。
素（Ｆ）を残したまま、ボンディング樹脂封止するのに
対し、本発明はボンディング用アルミニウムパッド上の
残留弗素を除去する工程を含むという相違点を有する。
本発明はボンディング用アルミパッドを、その上に被着
した絶縁物（シリコン窒化膜）を弗化水素（ＣＦ’４）
ガスを用いてドライエツチングにより開口、露光した後
、硫酸を含有する洗浄液でパッド開口部のアルミニウム
上に残留した弗素（Ｆ）を除去するという特徴を有する
。この様にして弗素（Ｆ）のない状態のチップをボンデ
ィングし、プラスチックモールドに封止することにより
、残留弗素による触媒作用が除去され、アルミ配線の腐
蝕が防止される。
した絶縁物（シリコン窒化膜）を弗化水素（ＣＦ’４）
ガスを用いてドライエツチングにより開口、露光した後
、硫酸を含有する洗浄液でパッド開口部のアルミニウム
上に残留した弗素（Ｆ）を除去するという特徴を有する
。この様にして弗素（Ｆ）のない状態のチップをボンデ
ィングし、プラスチックモールドに封止することにより
、残留弗素による触媒作用が除去され、アルミ配線の腐
蝕が防止される。
第１図は本発明の一実施例を工程順に示した断面図、第
１図（Ａ）はアルミニウム配線３上にカバー用のシリコ
ン窒化膜（ＰＳｉＮ）５を被着しだ状態を示している。
１図（Ａ）はアルミニウム配線３上にカバー用のシリコ
ン窒化膜（ＰＳｉＮ）５を被着しだ状態を示している。
次にボンディングパッド開口部を通常のフォトリングラ
フィを用いて設ける。
フィを用いて設ける。
この際、第１図（Ｂ）に示す様にシリコン窒化膜をＣＦ
、ガスでエツチングした際にパッド開口部のアルミ表面
４に弗素又は弗素化合物６が残留する。
、ガスでエツチングした際にパッド開口部のアルミ表面
４に弗素又は弗素化合物６が残留する。
この状態が硫酸を含む洗浄液で洗浄すると、残留してい
る弗素ないし弗素化合物が除去され、クリーンなパッド
アルミ７が実現される（第１図（Ｃ））。
る弗素ないし弗素化合物が除去され、クリーンなパッド
アルミ７が実現される（第１図（Ｃ））。
第２図は本発明の他の実施例を工程順に示した断面図で
、第２図（Ａ）で残留弗素の除去をウェハー拡散工程で
は行なわず、チップに分離後、リードフレーム１０にチ
ップのマウントを行なったあと、ボンディングを行なう
（第２図（Ａ））。この状態でリードフレームごと硫酸
を含んだ洗浄液で洗浄を行ないパッド部の残留弗素８を
除去し去り、樹脂封止を行なう。これによりボンディン
グワイヤーので覆われないパッド部１１に残留弗素が除
去されているという利点がある（第２図（Ｂ））。
、第２図（Ａ）で残留弗素の除去をウェハー拡散工程で
は行なわず、チップに分離後、リードフレーム１０にチ
ップのマウントを行なったあと、ボンディングを行なう
（第２図（Ａ））。この状態でリードフレームごと硫酸
を含んだ洗浄液で洗浄を行ないパッド部の残留弗素８を
除去し去り、樹脂封止を行なう。これによりボンディン
グワイヤーので覆われないパッド部１１に残留弗素が除
去されているという利点がある（第２図（Ｂ））。
以上説明したように本発明は、ボンディング用アルミパ
ッドを、その上に被着したシリコン窒化膜（ＰＳｉＮ）
を弗化水素（ＣＦ ａ ）ガスを用いてドライエツチン
グにより開口、露出する工程においてＡ１パッド上に残
留した弗素ないし弗素化合物を硫酸を含有した洗浄液で
除去することにより弗素ないし弗素化合物を触媒とする
パッドアルミないし内部アルミ配線の腐蝕を防止する効
果がある。次に示す表−１は本発明になる硫酸洗浄有無
の製品をプラスチックモールド封止した後、耐湿性試験
（温度８５℃、湿度８５％での圧力釜試験）を行なった
結果を示している。硫酸洗浄無水準では９６時間でパッ
ドアルミの腐蝕によるオープン不良が散発しているが硫
酸洗浄無水準では２８８時間でも不良発生なく、本発明
になる硫酸洗浄による残留弗素の除去の効果の大なるこ
とがわかる。
ッドを、その上に被着したシリコン窒化膜（ＰＳｉＮ）
を弗化水素（ＣＦ ａ ）ガスを用いてドライエツチン
グにより開口、露出する工程においてＡ１パッド上に残
留した弗素ないし弗素化合物を硫酸を含有した洗浄液で
除去することにより弗素ないし弗素化合物を触媒とする
パッドアルミないし内部アルミ配線の腐蝕を防止する効
果がある。次に示す表−１は本発明になる硫酸洗浄有無
の製品をプラスチックモールド封止した後、耐湿性試験
（温度８５℃、湿度８５％での圧力釜試験）を行なった
結果を示している。硫酸洗浄無水準では９６時間でパッ
ドアルミの腐蝕によるオープン不良が散発しているが硫
酸洗浄無水準では２８８時間でも不良発生なく、本発明
になる硫酸洗浄による残留弗素の除去の効果の大なるこ
とがわかる。
第１図（Ａ）乃至第１図（Ｃ）は本発明の一実施例の断
面図であり、第２図（Ａ）および第２図（Ｂ）は本発明
の他の実施例の断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シ、リフ
ン酸化膜、３・・・・・・アル［ｌＬ４・・・・・・パ
ッド部アルミ、５・・・・・・カバー絶縁膜（シリコン
窒化膜）、６・・・・・・カバー開口時のエツチングで
の残留弗素、７・・・・・・残留弗素の除去されたパッ
ド開口部、８・・・・・・カバー開口時のエツチングの
残留弗素（リードフレームヘマウントしたチップ）、９
・・・・・・ボンディングワイヤ、１０・・・・・・リ
ードフレーム、１１・・・・・・ボンディング後、残留
弗素の除去されたパッド開口部。
面図であり、第２図（Ａ）および第２図（Ｂ）は本発明
の他の実施例の断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シ、リフ
ン酸化膜、３・・・・・・アル［ｌＬ４・・・・・・パ
ッド部アルミ、５・・・・・・カバー絶縁膜（シリコン
窒化膜）、６・・・・・・カバー開口時のエツチングで
の残留弗素、７・・・・・・残留弗素の除去されたパッ
ド開口部、８・・・・・・カバー開口時のエツチングの
残留弗素（リードフレームヘマウントしたチップ）、９
・・・・・・ボンディングワイヤ、１０・・・・・・リ
ードフレーム、１１・・・・・・ボンディング後、残留
弗素の除去されたパッド開口部。
Claims (2)
- （１）半導体集積回路の最上層に被着された絶縁膜にボ
ンディング用の開口を設け、ボンディングアルミパッド
を露出させる工程において、前記の露出させたアルミパ
ッド表面を硫酸を含む洗浄液で洗浄することを特徴とす
る半導体集積回路の製造方法。 - （２）絶縁膜の開口は弗化水素ガスを用いたドライエッ
チングにより形成することを特徴とする特許請求の範囲
の範囲第（１）項に記載の半導体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25151789A JPH03112141A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25151789A JPH03112141A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112141A true JPH03112141A (ja) | 1991-05-13 |
Family
ID=17223991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25151789A Pending JPH03112141A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03112141A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030002766A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 본드패드 개구부 형성 방법 |
| KR100474743B1 (ko) * | 2002-06-11 | 2005-03-10 | 동부아남반도체 주식회사 | 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법 |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP25151789A patent/JPH03112141A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030002766A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 본드패드 개구부 형성 방법 |
| KR100474743B1 (ko) * | 2002-06-11 | 2005-03-10 | 동부아남반도체 주식회사 | 알루미늄 패드 표면의 플루오린 폴리머 제거 방법 |
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