KR970023782A - 반도체장치의 세정방법 - Google Patents

반도체장치의 세정방법 Download PDF

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KR970023782A
KR970023782A KR1019950035631A KR19950035631A KR970023782A KR 970023782 A KR970023782 A KR 970023782A KR 1019950035631 A KR1019950035631 A KR 1019950035631A KR 19950035631 A KR19950035631 A KR 19950035631A KR 970023782 A KR970023782 A KR 970023782A
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KR
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semiconductor device
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water tank
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buried layer
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KR1019950035631A
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한창엽
전찬봉
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 웨이퍼표면에 매몰층이 형성되어 있는 반도체장치의 세정방법에 관한 것으로서, 그 방법은 사진현상 공정후 매몰층의 형성시에 남아 있는 고농도의 불순물을 사진현상장비(10)에 장착된 탈이온수조(12)에서 세척하는 공정을 포함한다. 이러한 사진현상장비에 설치된 탈이온수조에 의해서, 상기 사진현상공정에서 남아있는 고농도의 불순물을 세척하므로서, 후속하는 에퍼택셜층의 성장시 웨이퍼의 배면으로부터 고농도의 불순물이 확산되는 것을 방지할 수 있다.

Description

반도체장치의 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부도면은 본 발명의 실시예에 따른 반도체장치의 세정방법을 설명하기 위한 탈이온수조가 장착된 사진현상장비의 구조를 보인 개략적 블럭도.

Claims (1)

  1. 웨이퍼표면에 매몰층이 형성되어 있는 반도체장치의 세정방법에 있어서, 사진현상공정후 매몰층의 형성시에 남아 있는 고농도의 불순물을 사진현상장비(10)에 장착된 탈이온수조(12)에서 세척하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950035631A 1995-10-16 1995-10-16 반도체장치의 세정방법 KR970023782A (ko)

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