KR960019559A - 디글레이즈 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 표면의 자연산화막 및 불순물을 제거하는 디글레이즈 세정 방법에 있어서, 웨이퍼를 탈이온수로 소정 시간 동안 세척하는 제1단계; 웨이퍼 표면의 자연산화막 및 불순물을 소정 시간 동안 식각 제거하는 제2단계; 제2단계에서 발생되어 웨이퍼 표면에 흡착된 부산물을 NH4OH 용액으로 소정 시간 동안 제거하는 제3단계; 웨이퍼 표면을 소정의 시간 동안 식각하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하여, 반도체 소자 제조중 증착막 상의 불순물 제거시 발생된 부산물 및 기포를 효과적으로 제거하여 이후 증착되는 증착막과의 접착력을 향상시켜 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 향상시키는 특유의 효과가 있는 디글레이즈 세정 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (3)
- 웨이퍼 표면의 자연산화막 및 불순물을 제거하는 디글레이즈 세정 방법에 있어서, 웨이퍼를 탈이온수로 소정 시간 동안 세척하는 제1단계; 웨이퍼 표면의 자연산화막 및 불순물을 소정 시간 동안 식각 제거하는 제2단계; 제2단계에서 발생되어 웨이퍼 표면에 흡착된 부산물을 NH4OH 용액으로 소정 시간 동안 제거하는 제3단계; 웨이퍼 표면을 소정의 시간 동안 식각하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디글레이즈 세정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4단계 이후에, 웨이퍼를 탈이온수로 소정 시간 동안 세척하는 제5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디글레이즈 세정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3단계에서 부산물은 NH4OH 용액에 5분 내지 15분 동안 딥(dip)하여 제거하는 것을 특징으로 하는 디글레이즈 세정 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940032258A KR960019559A (ko) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 디글레이즈 세정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940032258A KR960019559A (ko) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 디글레이즈 세정 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960019559A true KR960019559A (ko) | 1996-06-17 |
Family
ID=66648987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940032258A KR960019559A (ko) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 디글레이즈 세정 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960019559A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443521B1 (ko) * | 1996-10-30 | 2004-10-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체디바이스의제조방법 |
-
1994
- 1994-11-30 KR KR1019940032258A patent/KR960019559A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443521B1 (ko) * | 1996-10-30 | 2004-10-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체디바이스의제조방법 |
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