RU95109629A - Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин в производстве полупроводниковых приборов - Google Patents
Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин в производстве полупроводниковых приборовInfo
- Publication number
- RU95109629A RU95109629A RU95109629/25A RU95109629A RU95109629A RU 95109629 A RU95109629 A RU 95109629A RU 95109629/25 A RU95109629/25 A RU 95109629/25A RU 95109629 A RU95109629 A RU 95109629A RU 95109629 A RU95109629 A RU 95109629A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor devices
- plate surface
- proposed method
- production
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение может быть использовано для очистки поверхности полупроводниковых пластин, в частности пластин кремния и арсенида галлия, в процессе производства разных классов полупроводниковых приборов: дискретных (диодов, транзисторов, варикапов, варакторов, источников света и т.д.), а также интегральных схем разных классов и технологий (МОП, КМОП, биполярных и других). Применим также для других полупроводниковых материалов. Предлагаемый способ состоит в погружении полупроводниковых пластин в водный раствор сульфомалеинового ангидрида с концентрацией последнего от 0,1 до10 мас.% с последующей обработкой в нем от 10 до 15 мин. при температуре от 60 до 80C. Предлагаемый способ позволяет эффективно очищать поверхность полупроводника от загрязнений в процессе производства полупроводниковых приборов, обеспечивает нетоксичность технологических операций, ресурсосбережение (исключает применение дорогостоящих минеральных кислот и растворов), охрану окружающей среды и повышение выхода годных выпускаемых изделий.
Claims (1)
- Изобретение может быть использовано для очистки поверхности полупроводниковых пластин, в частности пластин кремния и арсенида галлия, в процессе производства разных классов полупроводниковых приборов: дискретных (диодов, транзисторов, варикапов, варакторов, источников света и т.д.), а также интегральных схем разных классов и технологий (МОП, КМОП, биполярных и других). Применим также для других полупроводниковых материалов. Предлагаемый способ состоит в погружении полупроводниковых пластин в водный раствор сульфомалеинового ангидрида с концентрацией последнего от 0,1 до10 мас.% с последующей обработкой в нем от 10 до 15 мин. при температуре от 60 до 80oC. Предлагаемый способ позволяет эффективно очищать поверхность полупроводника от загрязнений в процессе производства полупроводниковых приборов, обеспечивает нетоксичность технологических операций, ресурсосбережение (исключает применение дорогостоящих минеральных кислот и растворов), охрану окружающей среды и повышение выхода годных выпускаемых изделий.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU95109629A RU2080687C1 (ru) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU95109629A RU2080687C1 (ru) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2080687C1 RU2080687C1 (ru) | 1997-05-27 |
| RU95109629A true RU95109629A (ru) | 1997-06-20 |
Family
ID=20168756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU95109629A RU2080687C1 (ru) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2080687C1 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2572793C1 (ru) * | 2014-10-21 | 2016-01-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ангарский государственный технический университет" | СПОСОБ СЕЛЕНАТНО-ТИОСУЛЬФАТНОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ n-ТИПА |
-
1995
- 1995-06-07 RU RU95109629A patent/RU2080687C1/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2080687C1 (ru) | 1997-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0690482A2 (en) | Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing | |
| ES2189814T3 (es) | Procedimiento y disolucion para limpiar de la contaminacion metalica a sustratos de obleas. | |
| WO2001043174A3 (en) | Fabrication of gallium nitride layers on textured silicon substrates | |
| KR950028002A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR920005290A (ko) | 반도체 기판을 클리닝하기 위한 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR960009041A (ko) | 세정제 및 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법 | |
| BR8305972A (pt) | Processo para a producao de composicoes de limpeza aquosas, estaveis | |
| RU95109629A (ru) | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин в производстве полупроводниковых приборов | |
| JPH01155628A (ja) | 超精密装置の超精密洗浄方法 | |
| ATE139561T1 (de) | Verwendung von reinigungsmitteln für harte oberflächen, insbesondere glas | |
| BR8006872A (pt) | Processo para lavagem de panos, e composicao detergente para uso com o mesmo | |
| US3679501A (en) | Method of polishing gallium phosphide | |
| KR980005900A (ko) | 반도체 장치의 웨이퍼 세정방법 | |
| KR950021190A (ko) | 반도체 소자 세정방법 | |
| KR940016540A (ko) | 반도체 소자의 클리닝 방법 | |
| SU1339100A1 (ru) | Раствор дл обработки изделий из стекла и кварца | |
| KR950007006A (ko) | 반도체 소자의 웰 크린닝 공정방법 | |
| KR970018741A (ko) | 반도체 장치의 벌크 다이오우드 형성 방법 | |
| KR890005847A (ko) | 실리콘 반도체 장치의 표면 매탈증착전 처리방법 | |
| BR8006871A (pt) | Processo para lavagem de panos e composicao detergente para uso no mesmo | |
| KR970003560A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| JPS6443384A (en) | Steam washing method and washer | |
| KR960019551A (ko) | 웨이퍼 세정방법 | |
| KR950021182A (ko) | 반도체 소자의 세정방법 | |
| KR950015625A (ko) | 웨이퍼 세정방법 |