KR940027094A - 반도체 소자의 포토레지스트 제거방법 - Google Patents
반도체 소자의 포토레지스트 제거방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 플라즈마를 활성화하여 포토레지스트 에싱을 촉진하여 생산율을 높이기 위하여 산소 플라즈마를 얻는 반응원 가스로 산소(O2) 분자와 N2O가스를 함께 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 제거 방법에 관한 것이다.
따라서 본 발명은 종래의 산소 가스만을 사용하는 포토레지스트 제거 방법보다 N2O가스에 의한 산소를 플라즈마를 추가적으로 사용하게 됨으로써 포토레지스트 제거률을 높이게 되어 포토레지스트 제거 공정 시간의 절감을 얻을 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- 산소 플라즈마를 이용한 반도체 소자의 포토레지스트 제거 방법에 있어서, 상기 산소 플라즈마를 얻는 반응원 가스로 산소(O2) 분자와 N2O가스를 함께 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 포토레지스트 제거 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930008321A KR940027094A (ko) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 반도체 소자의 포토레지스트 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930008321A KR940027094A (ko) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 반도체 소자의 포토레지스트 제거방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940027094A true KR940027094A (ko) | 1994-12-10 |
Family
ID=67137426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930008321A KR940027094A (ko) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 반도체 소자의 포토레지스트 제거방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940027094A (ko) |
-
1993
- 1993-05-14 KR KR1019930008321A patent/KR940027094A/ko not_active Application Discontinuation
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