KR960005759A - 포토레지스트막의 제거방법 - Google Patents

포토레지스트막의 제거방법 Download PDF

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지사또 이와사끼
아까네 세끼야
야스히꼬 가사마
다다히로 오오미
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다다히로 오오미
아베 아끼라
가부시끼 가이샤 프론테크
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/42—Stripping or agents therefor

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Abstract

본 발명은 포토레지스트의 제거능력이 높고, 또 안정성, 작업성 등의 취급성이 뛰어난 포토레지스트막의 제거방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
무기계수용액중에서 자외선을 조사하면서 포토레지스트막을 화학분해시켜 제거하는 것을 특징으로 한다. 상기 무기계수용액은 퍼옥소1황산염 화합물의 수용액이고, 혹은 황산을 4.5~36wt% 및 과산화수소를 0.05~0.8wt% 함유하는 수용액인 것을 특징으로 한다.

Description

포토레지스트막의 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 포토레지스트막의 제거장치의 일례를 나타내는 개략도이고,
제2도는 포토레지스트 분해속도와 퍼옥소1 황산염농도와의 관계를 나타내는 그래프이며,
제3도는 포토레지스트막 감량의 시간변화를 나타내는 그래프이고,
제4도는 포토레지스트 분해속도에 미치는 첨가물의 영향을 나타내는 그래프이며,
제5도는 포토레지스트 분해속도와 황산ㆍ과산화수소농도와의 관계를 나타내는 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101 : 레지스트도포한 웨이퍼(레지스터면이 아래를 향하도록 배치) 102 : 무기계 수용액
103 : 웨이퍼카셋트(바닥면의 테프론부재가 없는 가공품) 104 : 석영제비이커
105 : 램프하우스 106 : 램프
107 : 석영제커버 108 : 질소가스도입관

Claims (8)

  1. 무기계수용액중에서, 자외선을 조사하면서 포토레지스트막을 화학분해시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트막의 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 무기계수용액은 퍼옥소1황산염화합물의 수용액인 것을 특징으로 하는 포토레지스트막의 제거방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 무기계수용액중의 퍼옥소1황산염 화합물의 농도는 0.04~0.4㏖/ℓ인 것을 특징으로 하는 포토레지스트막의 제거방법.
  4. 제2항 또는 제3항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 퍼옥소1황산염 화합물은 KHSO5인 것을 특징으로 하는 포토레지스트막의 제거방법.
  5. 제2항 또는 제3항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 퍼옥소1황산염 화합물은 2KHSO5ㆍKHSO4ㆍK2SO4인 것을 특징으로 하는 포토레지스트막의 제거방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 무기계수용액은 황산을 4.5~36wt% 및 과산화수소를 0.05~0.8wt% 함유하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트막의 제거방법.
  7. 제1항 내지 제6항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 무기계수용액에 0.2㏖/ℓ이하의 염산을 첨가하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트막의 제거방법.
  8. 제1항 내지 제7항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 포토레지스트는 노보락계수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트막의 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950020164A 1994-07-14 1995-07-10 포토레지스트막의 제거방법 KR0158752B1 (ko)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6524936B2 (en) * 2000-12-22 2003-02-25 Axcelis Technologies, Inc. Process for removal of photoresist after post ion implantation
US6635409B1 (en) * 2001-07-12 2003-10-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method of strengthening photoresist to prevent pattern collapse
US6846748B2 (en) * 2003-05-01 2005-01-25 United Microeletronics Corp. Method for removing photoresist
US7534365B2 (en) * 2004-07-29 2009-05-19 Purdue Research Foundation Ultra-violet assisted anisotropic etching of PET
CA2525205C (en) * 2004-11-08 2013-06-25 Ecolab Inc. Foam cleaning and brightening composition, and methods
TW200927918A (en) * 2007-08-20 2009-07-01 Advanced Tech Materials Composition and method for removing ion-implanted photoresist
EP2288965A4 (en) * 2008-05-01 2011-08-10 Advanced Tech Materials LOW PH MIXTURES FOR REMOVAL OF HIGH DENSITY IMPLANTED RESERVE

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3787239A (en) * 1970-09-25 1974-01-22 Allied Chem Chemical strippers and method of using
JPS5313172B2 (ko) * 1973-06-14 1978-05-08
US3900337A (en) * 1974-04-05 1975-08-19 Ibm Method for stripping layers of organic material
JPS61223838A (ja) * 1985-03-29 1986-10-04 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS62226153A (ja) * 1986-03-27 1987-10-05 Matsushita Electronics Corp フオトマスクのレジスト除去方法
GB8813889D0 (en) * 1988-06-11 1988-07-13 Micro Image Technology Ltd Solutions of permonosulphuric acid
US5068040A (en) * 1989-04-03 1991-11-26 Hughes Aircraft Company Dense phase gas photochemical process for substrate treatment
US5269850A (en) * 1989-12-20 1993-12-14 Hughes Aircraft Company Method of removing organic flux using peroxide composition
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid

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