JPH0829989A - フォトレジスト膜の除去方法 - Google Patents
フォトレジスト膜の除去方法Info
- Publication number
- JPH0829989A JPH0829989A JP6162003A JP16200394A JPH0829989A JP H0829989 A JPH0829989 A JP H0829989A JP 6162003 A JP6162003 A JP 6162003A JP 16200394 A JP16200394 A JP 16200394A JP H0829989 A JPH0829989 A JP H0829989A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photo resist
- aqueous solution
- photoresist film
- sulfuric acid
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、フォトレジストの除去能力が高
く、かつ安全性、作業性等の取扱い性に優れたフォトレ
ジスト膜の除去方法を提供することを目的とする。 【構成】 無機系水溶液中で、紫外線を照射しながらフ
ォトレジスト膜を化学分解させて除去することを特徴と
する。前記無機系水溶液は、ペルオキソ１硫酸塩化合物
の水溶液であり、あるいは、硫酸を４．５〜３６ｗｔ％
及び過酸化水素を０．０５〜０．８ｗｔ％を含む水溶液
であることを特徴とする。
く、かつ安全性、作業性等の取扱い性に優れたフォトレ
ジスト膜の除去方法を提供することを目的とする。 【構成】 無機系水溶液中で、紫外線を照射しながらフ
ォトレジスト膜を化学分解させて除去することを特徴と
する。前記無機系水溶液は、ペルオキソ１硫酸塩化合物
の水溶液であり、あるいは、硫酸を４．５〜３６ｗｔ％
及び過酸化水素を０．０５〜０．８ｗｔ％を含む水溶液
であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトレジスト膜の除
去方法に係わり、特に、排液処理が容易な無機系溶液を
用いながら、安全で取扱い性が高いフォトレジスト膜の
除去方法に関する。
去方法に係わり、特に、排液処理が容易な無機系溶液を
用いながら、安全で取扱い性が高いフォトレジスト膜の
除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、液晶駆動用薄膜トランジスタ基板
の製造工程におけるフォトレジストの剥離には、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキシド等の有機系溶剤や
硫酸・過酸化水素混合液等の無機系溶液が用いられてい
る。
の製造工程におけるフォトレジストの剥離には、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキシド等の有機系溶剤や
硫酸・過酸化水素混合液等の無機系溶液が用いられてい
る。
【０００３】有機系溶剤は、酸等比べて安全で取扱い性
が良いという利点を有するが、フォトレジストを溶解し
て除去するというメカニズムであるため除去能力が低
く、レジスト膜を安定して安全に除去するのが難しいと
いう問題がある。
が良いという利点を有するが、フォトレジストを溶解し
て除去するというメカニズムであるため除去能力が低
く、レジスト膜を安定して安全に除去するのが難しいと
いう問題がある。
【０００４】また、有機系排水は無機系排水に比べ処理
コストが高いため、特に、液晶等の薄膜トランジスタ製
造プロセスでは、半導体製造プロセスとは逆に有機系排
水が７０％以上を占めるため、できるだけ有機系溶剤を
使わずに済ませるプロセスが望まれている。
コストが高いため、特に、液晶等の薄膜トランジスタ製
造プロセスでは、半導体製造プロセスとは逆に有機系排
水が７０％以上を占めるため、できるだけ有機系溶剤を
使わずに済ませるプロセスが望まれている。
【０００５】一方、硫酸・過酸化水素混合溶液に代表さ
れる無機系溶液によるレジスト除去方法は、分解速度が
高く、且つ完全にレジストを除去できるという特徴を持
っているが、高濃度（８５％以上）、高温（５０℃以
上）の溶液を用いるため、レジスト除去工程及び排液処
理時の取扱いに危険が伴い、安全性、取扱い性の観点か
ら問題がある。さらに、液及び蒸気の腐食性が高いた
め、周辺の容器、器具等も耐食性の高い材料で構成せね
ばならないという制約もある。そこで、危険性・腐食性
等を低減するために、低濃度・低温でレジスト処理する
ことも考えられるが、レジストの除去能力が大きく低下
してしまい実用的でなくなる。
れる無機系溶液によるレジスト除去方法は、分解速度が
高く、且つ完全にレジストを除去できるという特徴を持
っているが、高濃度（８５％以上）、高温（５０℃以
上）の溶液を用いるため、レジスト除去工程及び排液処
理時の取扱いに危険が伴い、安全性、取扱い性の観点か
ら問題がある。さらに、液及び蒸気の腐食性が高いた
め、周辺の容器、器具等も耐食性の高い材料で構成せね
ばならないという制約もある。そこで、危険性・腐食性
等を低減するために、低濃度・低温でレジスト処理する
ことも考えられるが、レジストの除去能力が大きく低下
してしまい実用的でなくなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】かかる状況において、
本発明はフォトレジストの除去能力が高く、かつ安全
性、作業性等の取扱い性に優れたフォトレジスト膜の除
去方法を提供することを目的とする。
本発明はフォトレジストの除去能力が高く、かつ安全
性、作業性等の取扱い性に優れたフォトレジスト膜の除
去方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、無機系水溶液
中で、紫外線を照射しながらフォトレジスト膜を化学分
解させて除去することを特徴とする。
中で、紫外線を照射しながらフォトレジスト膜を化学分
解させて除去することを特徴とする。
【０００８】前記無機系水溶液は、ペルオキソ１硫酸塩
化合物の水溶液であり、その濃度は０．０４〜０．４ｍ
ｏｌ／ｌであるのが好ましい。さらに、前記ペルオキソ
１硫酸塩化合物は、ＫＨＳＯ5あるいは２ＫＨＳＯ5・Ｋ
ＨＳＯ4・Ｋ2ＳＯ4であるのが好ましい。
化合物の水溶液であり、その濃度は０．０４〜０．４ｍ
ｏｌ／ｌであるのが好ましい。さらに、前記ペルオキソ
１硫酸塩化合物は、ＫＨＳＯ5あるいは２ＫＨＳＯ5・Ｋ
ＨＳＯ4・Ｋ2ＳＯ4であるのが好ましい。
【０００９】また、前記無機系水溶液は、硫酸を４．５
〜３６ｗｔ％及び過酸化水素を０．０５〜０．８ｗｔ％
含むのが好ましい。
〜３６ｗｔ％及び過酸化水素を０．０５〜０．８ｗｔ％
含むのが好ましい。
【００１０】さらには、前記無機系水溶液に０．２ｍｏ
ｌ／ｌ以下の塩酸を添加するのが好ましい。
ｌ／ｌ以下の塩酸を添加するのが好ましい。
【００１１】本発明は、特に、ノボラック系樹脂からな
るフォトレジストに好適に適用される。
るフォトレジストに好適に適用される。
【００１２】
【作用】本発明者は、作業性、安全性の高い無機系フォ
トレジスト剥離水溶液の開発を進める過程で、無機系水
溶液単独では分解作用がみられない低濃度であっても、
紫外線を照射すると、フォトレジストの分解が起こり、
ある濃度範囲で分解速度が増加することを発見した。本
発明は、この発見に基づいて完成したものである。
トレジスト剥離水溶液の開発を進める過程で、無機系水
溶液単独では分解作用がみられない低濃度であっても、
紫外線を照射すると、フォトレジストの分解が起こり、
ある濃度範囲で分解速度が増加することを発見した。本
発明は、この発見に基づいて完成したものである。
【００１３】即ち、ペルオキソ１硫酸塩あるいは硫酸・
過酸化水素を含む無機系水溶液は、低濃度ではフォトレ
ジスト分解作用はみられず、またこれら無機化合物を含
有しない水溶液に紫外線を照射してもフォトレジストの
分解作用はみられないが、これら化合物を低濃度で適正
な濃度範囲として紫外線を照射することにより、フォト
レジスト膜を化学分解させて除去することが可能とな
る。
過酸化水素を含む無機系水溶液は、低濃度ではフォトレ
ジスト分解作用はみられず、またこれら無機化合物を含
有しない水溶液に紫外線を照射してもフォトレジストの
分解作用はみられないが、これら化合物を低濃度で適正
な濃度範囲として紫外線を照射することにより、フォト
レジスト膜を化学分解させて除去することが可能とな
る。
【００１４】無機水溶液中のペルオキソ１硫酸塩の好ま
しい濃度は、０．０４〜０．４ｍｏｌ／ｌであり、硫酸
・過酸化水素混合液の好ましい濃度は、Ｈ2ＳＯ4４．５
〜３６ｗｔ％、Ｈ2Ｏ2０．０５〜０．８ｗｔ％である。
硫酸濃度としては、４．５〜２７ｗｔ％がより好まし
い。
しい濃度は、０．０４〜０．４ｍｏｌ／ｌであり、硫酸
・過酸化水素混合液の好ましい濃度は、Ｈ2ＳＯ4４．５
〜３６ｗｔ％、Ｈ2Ｏ2０．０５〜０．８ｗｔ％である。
硫酸濃度としては、４．５〜２７ｗｔ％がより好まし
い。
【００１５】本発明の無機系水溶液は、低濃度であるた
め危険性が少なく取扱い性が良いだけでなく、排液処理
も容易となる。
め危険性が少なく取扱い性が良いだけでなく、排液処理
も容易となる。
【００１６】本発明において、ペルオキソ１硫酸塩とし
ては、例えばＫＨＳＯ5が挙げられるが、この他ペルオ
キソ１硫酸カリウム・硫酸カリウム複塩（２ＫＨＳＯ5
・ＫＨＳＯ4・Ｋ2ＳＯ4）等の複合塩も用いることがで
きる。
ては、例えばＫＨＳＯ5が挙げられるが、この他ペルオ
キソ１硫酸カリウム・硫酸カリウム複塩（２ＫＨＳＯ5
・ＫＨＳＯ4・Ｋ2ＳＯ4）等の複合塩も用いることがで
きる。
【００１７】本発明において用いる紫外線は、１８０〜
４２０ｎｍの波長の光が用いられ、特に２００ｎｍ以下
が好ましい。また、照射パワーとしては、４００Ｗ以上
が好適に用いられる。
４２０ｎｍの波長の光が用いられ、特に２００ｎｍ以下
が好ましい。また、照射パワーとしては、４００Ｗ以上
が好適に用いられる。
【００１８】さらに、本発明は、水溶液に塩酸を０．２
ｍｏｌ／ｌ添加することにより、レジスト分解速度をさ
らに高めることができる。
ｍｏｌ／ｌ添加することにより、レジスト分解速度をさ
らに高めることができる。
【００１９】
【実施例】以下に実施例をあげて、本発明をより詳細に
説明する。
説明する。
【００２０】（実施例１）２インチウエハーにフォトレ
ジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００）をスピンコート
し、１３０℃の窒素雰囲気中で３分熱処理した。
ジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００）をスピンコート
し、１３０℃の窒素雰囲気中で３分熱処理した。
【００２１】次ぎに、図１に示すように、レジスト塗布
したウエハー１０１をレジスト面が下を向くようにテフ
ロン製のウエハーカセット１０３に設置し、石英製ビー
カー１０４中の種々の濃度のペルオキソ１硫酸塩水溶液
１０２に浸漬し、ランプハウス１０５に取り付けた４０
０Ｗの紫外線ランプ（東芝ライテック社製Ｈ４００−
Ｐ）１０６を点灯して紫外線を照射することによりレジ
スト剥離を行って、ペルオキソ１硫酸塩濃度とレジスト
剥離速度の関係を調べた。なお、本実施例においては、
ペルオキソ１硫酸塩として、アンドリッチ社製オキソン
（２ＫＨＳＯ5・ＫＨＳＯ4・Ｋ2ＳＯ4）を用いた。ま
た、ウエハーカセットは、レジスト面全面に光が照射す
るように底部取り除いたものである。また、ランプハウ
スが加熱しないように、窒素導入管１０８を通して内部
に乾燥窒素ガスをパージし、ランプハウスの蓋１０７は
紫外線が透過するように石英製板で構成した。
したウエハー１０１をレジスト面が下を向くようにテフ
ロン製のウエハーカセット１０３に設置し、石英製ビー
カー１０４中の種々の濃度のペルオキソ１硫酸塩水溶液
１０２に浸漬し、ランプハウス１０５に取り付けた４０
０Ｗの紫外線ランプ（東芝ライテック社製Ｈ４００−
Ｐ）１０６を点灯して紫外線を照射することによりレジ
スト剥離を行って、ペルオキソ１硫酸塩濃度とレジスト
剥離速度の関係を調べた。なお、本実施例においては、
ペルオキソ１硫酸塩として、アンドリッチ社製オキソン
（２ＫＨＳＯ5・ＫＨＳＯ4・Ｋ2ＳＯ4）を用いた。ま
た、ウエハーカセットは、レジスト面全面に光が照射す
るように底部取り除いたものである。また、ランプハウ
スが加熱しないように、窒素導入管１０８を通して内部
に乾燥窒素ガスをパージし、ランプハウスの蓋１０７は
紫外線が透過するように石英製板で構成した。
【００２２】オキソン濃度とレジスト膜減り量の関係を
図２に示す。図２から明らかなように、オキソンを添加
しない水溶液では紫外線を照射してもレジスト膜厚は逆
に増加してしまうが、オキソンを加えることによりレジ
ストが分解剥離するのが分かる。特に、オキソン濃度が
０．０２〜０．２ｍｏｌ／ｌの範囲（ペルオキソ１硫酸
換算濃度０．０４〜０．４ｍｏｌ／ｌ）で高い分解速度
が得られることが分かる。
図２に示す。図２から明らかなように、オキソンを添加
しない水溶液では紫外線を照射してもレジスト膜厚は逆
に増加してしまうが、オキソンを加えることによりレジ
ストが分解剥離するのが分かる。特に、オキソン濃度が
０．０２〜０．２ｍｏｌ／ｌの範囲（ペルオキソ１硫酸
換算濃度０．０４〜０．４ｍｏｌ／ｌ）で高い分解速度
が得られることが分かる。
【００２３】次に、オキソン濃度を０．０５ｍｏｌ／ｌ
とし、紫外線照射の有無によるレジスト膜減り量の時間
変化を調べた結果を図３に示す。なお、紫外線照射しな
い場合は、液温を６０℃に加熱しあるいは室温で行っ
た。
とし、紫外線照射の有無によるレジスト膜減り量の時間
変化を調べた結果を図３に示す。なお、紫外線照射しな
い場合は、液温を６０℃に加熱しあるいは室温で行っ
た。
【００２４】図３が示すように、紫外線を照射すること
によりレジスト膜は減少した。一方、紫外線を照射しな
い場合（液温６０℃）は逆に増加した（液温を室温２５
℃とした場合は図示してないが、同様に膜厚は増加し
た）。これから、ペルオキソ１硫酸だけでは、レジスト
は膨潤しレジスト分解効果はないことが分る。
によりレジスト膜は減少した。一方、紫外線を照射しな
い場合（液温６０℃）は逆に増加した（液温を室温２５
℃とした場合は図示してないが、同様に膜厚は増加し
た）。これから、ペルオキソ１硫酸だけでは、レジスト
は膨潤しレジスト分解効果はないことが分る。
【００２５】以上、図２及び３から明らかなように、ペ
ルオキソ１硫酸と紫外線の相乗効果により、初めて好適
なレジスト分解速度が得られることが分かる。
ルオキソ１硫酸と紫外線の相乗効果により、初めて好適
なレジスト分解速度が得られることが分かる。
【００２６】（実施例２）無機系水溶液として０．０５
ｍｏｌ／ｌオキソン溶液（８０ｍｌ）を用い、これに種
々の物質を添加した以外は、実施例１と同様にして一定
時間におけるフォトレジスト膜の膜減り量を比較した。
結果を図４に示す。
ｍｏｌ／ｌオキソン溶液（８０ｍｌ）を用い、これに種
々の物質を添加した以外は、実施例１と同様にして一定
時間におけるフォトレジスト膜の膜減り量を比較した。
結果を図４に示す。
【００２７】図４が示すように、アセトン、酢酸を添加
した場合レジスト分解の効果は失われてしまい、燐酸の
場合は殆ど効果はみられない。一方、塩酸を０．２ｍｏ
ｌ／ｌ以下の範囲で添加することにより、レジスト分解
効果は大きく向上した。
した場合レジスト分解の効果は失われてしまい、燐酸の
場合は殆ど効果はみられない。一方、塩酸を０．２ｍｏ
ｌ／ｌ以下の範囲で添加することにより、レジスト分解
効果は大きく向上した。
【００２８】（実施例３）実施例１において、オキソン
溶液の代わりに、種々の濃度の硫酸・過酸化水素溶液を
用いて同様の実験を行った。なお、本実施例では、硫酸
・過酸化水素溶液として、ラサ工業社製ＲＳ−３０（硫
酸濃度９０ｗｔ％、過酸化水素１ｗｔ％）を用い、これ
を純水で希釈し、さらには過酸化水素を添加して種々の
濃度の溶液を調合した。
溶液の代わりに、種々の濃度の硫酸・過酸化水素溶液を
用いて同様の実験を行った。なお、本実施例では、硫酸
・過酸化水素溶液として、ラサ工業社製ＲＳ−３０（硫
酸濃度９０ｗｔ％、過酸化水素１ｗｔ％）を用い、これ
を純水で希釈し、さらには過酸化水素を添加して種々の
濃度の溶液を調合した。
【００２９】結果の一例を図５に示す。図５は、ＲＳ−
３０を室温または１０℃で希釈した液を用いて行った結
果である。図５より、希釈温度によりレジスト分解の様
相は異なり、希釈温度により分解速度のピークはシフト
した。この理由は現在のところ明らかではないが、ＲＳ
−３０が５〜４０ｖｏｌ％の範囲（硫酸濃度４．５〜３
６ｗｔ％，過酸化水素０．０５〜０．４％）で高い分解
速度を示した。
３０を室温または１０℃で希釈した液を用いて行った結
果である。図５より、希釈温度によりレジスト分解の様
相は異なり、希釈温度により分解速度のピークはシフト
した。この理由は現在のところ明らかではないが、ＲＳ
−３０が５〜４０ｖｏｌ％の範囲（硫酸濃度４．５〜３
６ｗｔ％，過酸化水素０．０５〜０．４％）で高い分解
速度を示した。
【００３０】さらに、希釈と硫酸または過酸化水素の添
加を組み合わせて、硫酸と過酸化水素の比率を変えて溶
液をつくり同様な実験を行った結果、硫酸４．５〜３６
ｗｔ％、過酸化水素０．０５〜０．８ｗｔ％の範囲で高
いレジスト分解速度を示すことが分かった。
加を組み合わせて、硫酸と過酸化水素の比率を変えて溶
液をつくり同様な実験を行った結果、硫酸４．５〜３６
ｗｔ％、過酸化水素０．０５〜０．８ｗｔ％の範囲で高
いレジスト分解速度を示すことが分かった。
【００３１】なお、紫外線を照射する代わりに６０℃に
加熱して、レジスト分解速度を調べたところ、殆ど分解
しないことが分かった。
加熱して、レジスト分解速度を調べたところ、殆ど分解
しないことが分かった。
【００３２】
【発明の効果】本発明のレジスト除去方法により、即
ち、フォトレジストをペルオキソ１硫酸塩水溶液あるい
は低濃度硫酸・過酸化水素水溶液中に浸漬し同時に紫外
線を照射することで、レジスト分解除去が可能となり、
あわせて除去工程、排液処理工程における作業の安全性
が高まり、取扱い性が向上する。
ち、フォトレジストをペルオキソ１硫酸塩水溶液あるい
は低濃度硫酸・過酸化水素水溶液中に浸漬し同時に紫外
線を照射することで、レジスト分解除去が可能となり、
あわせて除去工程、排液処理工程における作業の安全性
が高まり、取扱い性が向上する。
【００３３】しかも、無機系水溶液での処理であること
から、排水処理を含めたトータルの製造コストを下げる
ことができる。
から、排水処理を含めたトータルの製造コストを下げる
ことができる。
【図１】フォトレジスト膜の除去装置の一例を示す概念
図である。
図である。
【図２】フォトレジスト分解速度とペルオキソ１硫酸塩
濃度との関係を示すグラフである。
濃度との関係を示すグラフである。
【図３】フォトレジスト膜減り量の時間変化を示すグラ
フである。
フである。
【図４】フォトレジスト分解速度に及ぼす添加物の影響
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図５】フォトレジスト分解速度と硫酸・過酸化水素濃
度との関係を示すグラフである。
度との関係を示すグラフである。
１０１ レジスト塗布したウエハー（レジスト面が下を
向くように配置）、 １０２ 無機系水溶液、 １０３ ウエハーカセット（底面のテフロン部材がない
加工品）、 １０４ 石英製ビーカー、 １０５ ランプハウス、 １０６ ランプ、 １０７ 石英製蓋、 １０８ 窒素ガス導入管。
向くように配置）、 １０２ 無機系水溶液、 １０３ ウエハーカセット（底面のテフロン部材がない
加工品）、 １０４ 石英製ビーカー、 １０５ ランプハウス、 １０６ ランプ、 １０７ 石英製蓋、 １０８ 窒素ガス導入管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関谷 あかね 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 岩崎 千里 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 笠間 泰彦 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ケ袋２の１の17の 301
Claims (8)
- 【請求項１】 無機系水溶液中で、紫外線を照射しなが
らフォトレジスト膜を化学分解させて除去することを特
徴とするフォトレジスト膜の除去方法。 - 【請求項２】 前記無機系水溶液は、ペルオキソ１硫酸
塩化合物の水溶液であることを特徴とする請求項１に記
載のフォトレジスト膜の除去方法。 - 【請求項３】 前記無機水溶液中のペルオキソ１硫酸塩
化合物の濃度は０．０４〜０．４ｍｏｌ／ｌであること
を特徴とする請求項２に記載のフォトレジスト膜の除去
方法。 - 【請求項４】 前記ペルオキソ１硫酸塩化合物は、ＫＨ
ＳＯ5であることを特徴とする請求項２または３に記載
のフォトレジスト膜の除去方法。 - 【請求項５】 前記ペルオキソ１硫酸塩化合物は、２Ｋ
ＨＳＯ5・ＫＨＳＯ4・Ｋ2ＳＯ4であることを特徴とする
請求項２または３に記載のフォトレジスト膜の除去方
法。 - 【請求項６】 前記無機系水溶液は、硫酸を４．５〜３
６ｗｔ％及び過酸化水素を０．０５〜０．８ｗｔ％を含
むこと特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト膜の
除去方法。 - 【請求項７】 前記無機系水溶液に０．２ｍｏｌ／ｌ以
下の塩酸を添加することを特徴とする請求項１〜６のい
ずれか１項に記載の記載のフォトレジスト膜の除去方
法。 - 【請求項８】 前記フォトレジストは、ノボラック系樹
脂からなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１
項に記載のフォトレジスト膜の除去方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6162003A JPH0829989A (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | フォトレジスト膜の除去方法 |
| US08/499,538 US5681487A (en) | 1994-07-14 | 1995-07-07 | Method of removing photoresist film |
| KR1019950020164A KR0158752B1 (ko) | 1994-07-14 | 1995-07-10 | 포토레지스트막의 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6162003A JPH0829989A (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | フォトレジスト膜の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0829989A true JPH0829989A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15746198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6162003A Pending JPH0829989A (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | フォトレジスト膜の除去方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5681487A (ja) |
| JP (1) | JPH0829989A (ja) |
| KR (1) | KR0158752B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011520142A (ja) * | 2008-05-01 | 2011-07-14 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 高密度注入レジストの除去のための低ｐＨ混合物 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6524936B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-02-25 | Axcelis Technologies, Inc. | Process for removal of photoresist after post ion implantation |
| US6635409B1 (en) * | 2001-07-12 | 2003-10-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of strengthening photoresist to prevent pattern collapse |
| US6846748B2 (en) * | 2003-05-01 | 2005-01-25 | United Microeletronics Corp. | Method for removing photoresist |
| US7534365B2 (en) * | 2004-07-29 | 2009-05-19 | Purdue Research Foundation | Ultra-violet assisted anisotropic etching of PET |
| CA2525205C (en) * | 2004-11-08 | 2013-06-25 | Ecolab Inc. | Foam cleaning and brightening composition, and methods |
| KR20100056537A (ko) * | 2007-08-20 | 2010-05-27 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 이온-주입된 포토레지스트를 제거하기 위한 조성물 및 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61223838A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62226153A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Matsushita Electronics Corp | フオトマスクのレジスト除去方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3787239A (en) * | 1970-09-25 | 1974-01-22 | Allied Chem | Chemical strippers and method of using |
| JPS5313172B2 (ja) * | 1973-06-14 | 1978-05-08 | ||
| US3900337A (en) * | 1974-04-05 | 1975-08-19 | Ibm | Method for stripping layers of organic material |
| GB8813889D0 (en) * | 1988-06-11 | 1988-07-13 | Micro Image Technology Ltd | Solutions of permonosulphuric acid |
| US5068040A (en) * | 1989-04-03 | 1991-11-26 | Hughes Aircraft Company | Dense phase gas photochemical process for substrate treatment |
| US5269850A (en) * | 1989-12-20 | 1993-12-14 | Hughes Aircraft Company | Method of removing organic flux using peroxide composition |
| US5464480A (en) * | 1993-07-16 | 1995-11-07 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
-
1994
- 1994-07-14 JP JP6162003A patent/JPH0829989A/ja active Pending
-
1995
- 1995-07-07 US US08/499,538 patent/US5681487A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-10 KR KR1019950020164A patent/KR0158752B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61223838A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62226153A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Matsushita Electronics Corp | フオトマスクのレジスト除去方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011520142A (ja) * | 2008-05-01 | 2011-07-14 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 高密度注入レジストの除去のための低ｐＨ混合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5681487A (en) | 1997-10-28 |
| KR0158752B1 (ko) | 1999-02-01 |
| KR960005759A (ko) | 1996-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1113393C (zh) | 从衬底表面除去碳的方法 | |
| EP0867924B1 (en) | Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface | |
| KR20010042266A (ko) | 유기물 제거 공정 | |
| JPH07297163A (ja) | 被膜除去方法および被膜除去剤 | |
| JPH0829989A (ja) | フォトレジスト膜の除去方法 | |
| JP6904525B2 (ja) | 水中の塩化物を除去する方法 | |
| TW200902454A (en) | Method and apparatus for organic matter removal | |
| JP3852471B2 (ja) | 物質の酸化方法およびその酸化装置 | |
| US20020173156A1 (en) | Removal of organic material in integrated circuit fabrication using ozonated organic acid solutions | |
| Albalgane et al. | Advanced reduction processes for degradation of refractory organics in landfill leachate | |
| TWI358770B (en) | Method for oxidizing substance and oxidizing appar | |
| JPH11174692A (ja) | 半導体基板上のフォトレジストを除去する装置および方法 | |
| JP3238745B2 (ja) | フッ化アンモニウム含有水の処理方法 | |
| JPH04114428A (ja) | 洗浄法 | |
| JP2001345304A (ja) | 電子工業用基板表面の付着物の除去方法及び除去装置 | |
| JPH06335688A (ja) | アンモニア含有水の処理方法 | |
| JPH0475323A (ja) | レジスト除去法 | |
| TWI301075B (en) | Apparatus for removing ozone and method thereof | |
| JP2000319689A (ja) | 電子材料用洗浄水 | |
| JPH0317557B2 (ja) | ||
| JP2007227813A (ja) | フォトレジストの剥離及び清浄方法 | |
| JPS5852599A (ja) | 放射性廃液の処理方法 | |
| US20020155715A1 (en) | Gas assisted method for applying resist stripper and gas-resist stripper combinations | |
| Vankerckhoven et al. | Determination of photoresist degradation products in O3/DI processing | |
| JPS60143884A (ja) | 洗浄方法 |