JP2024058803A - 基板処理装置、および、基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】装置を大型化させずに、処理液の温度変化を抑制するための技術である。【解決手段】基板処理装置は、基板保持部に保持された基板に処理液を吐出するための処理液ノズルと、処理液が流れる内管と、内管との間に間隙空間を設けつつ内管を囲む外管とを備え、かつ、処理液ノズルへ処理液を供給するための供給配管と、圧縮気体を使う気体処理が行われ、かつ、気体処理で使われた圧縮気体を処理後気体として排気するための少なくとも１つの気体処理部と、処理後気体を使って、処理液の温度を制御するための制御部とを備える。【選択図】図３

Description

本願明細書に開示される技術は、基板処理技術に関するものである。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、セラミック基板、電界放出ディスプレイ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ、すなわち、ＦＥＤ）用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。

基板処理においては、一定の温度に保たれた処理液を基板に吐出することによって、基板処理の精度が維持されている。

たとえば、特許文献１に開示される場合では、薬液の温度が送液中に変化しにくくなるように、薬液が流れる配管に断熱材を巻く、または、当該配管を二重配管として間隙空間を真空状態にするなどの措置がとられている。

特開２０１２－１７５０３６号公報

しかしながら、上記のように配管に断熱材を巻くのみでは、処理液の温度変化を十分に抑制することができない場合がある。また、二重配管の間隙空間を真空状態にするためには別途減圧装置などが必要となり、装置を大型化させてしまう。

本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、装置を大型化させずに、処理液の温度変化を抑制するための技術である。

本願明細書に開示される技術の第１の態様である基板処理装置は、基板を保持するための基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板に処理液を吐出するための処理液ノズルと、前記処理液が流れる内管と、前記内管との間に間隙空間を設けつつ前記内管を囲む外管とを備え、かつ、前記処理液ノズルへ前記処理液を供給するための供給配管と、圧縮気体を使う気体処理が行われ、かつ、前記気体処理で使われた前記圧縮気体を処理後気体として排気するための少なくとも１つの気体処理部と、前記処理後気体を使って、前記処理液の温度を制御するための制御部とを備える。
本願明細書に開示される技術の第２の態様である基板処理装置は、第１の態様である基板処理装置に関連し、前記制御部が、排気される前記処理後気体の流動を利用して前記供給配管の前記間隙空間を負圧にすることによって、前記処理液の温度を制御する。
本願明細書に開示される技術の第３の態様である基板処理装置は、第２の態様である基板処理装置に関連し、前記気体処理部から排気された前記処理後気体が流れるための排気配管と、前記排気配管から分岐しつつ、前記間隙空間と前記排気配管とを接続する接続配管とをさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第４の態様である基板処理装置は、第３の態様である基板処理装置に関連し、前記排気配管と前記接続配管との接続部分に設けられるエジェクターと、前記接続配管に設けられる制御バルブとをさらに備え、前記エジェクターが、前記処理後気体を駆動流体として、前記間隙空間を負圧にし、前記制御部が、前記制御バルブの開閉度を制御することによって、前記間隙空間の圧力を調整する。
本願明細書に開示される技術の第５の態様である基板処理装置は、第１の態様である基板処理装置に関連し、前記制御部が、前記処理後気体を前記供給配管の前記間隙空間に供給することによって、前記処理液の温度を制御する。
本願明細書に開示される技術の第６の態様である基板処理装置は、第５の態様である基板処理装置に関連し、前記気体処理部から排気された前記処理後気体が流れ、かつ、前記間隙空間に接続される少なくとも１つの排気配管をさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第７の態様である基板処理装置は、第６の態様である基板処理装置に関連し、前記気体処理部を複数備え、それぞれの前記気体処理部に対応して、前記排気配管を複数備え、複数の前記排気配管に流れる前記処理後気体の温度が互いに異なり、前記基板処理装置が、それぞれの前記排気配管から前記間隙空間に供給される前記処理後気体の流量を制御するための制御バルブをさらに備え、前記制御部が、それぞれの前記制御バルブの開閉度を制御することによってそれぞれの前記排気配管から供給される前記処理後気体を混合させ、前記間隙空間に供給される前記処理後気体の温度を調整する。
本願明細書に開示される技術の第８の態様である基板処理装置は、第１から７のうちのいずれか１つの態様である基板処理装置に関連し、前記処理後気体が、窒素を含む。
本願明細書に開示される技術の第９の態様である基板処理装置は、第１から８のうちのいずれか１つの態様である基板処理装置に関連し、前記気体処理部が、前記処理液を加熱するためのヒーターであり、前記気体処理が、前記圧縮気体を使って前記ヒーターを空冷する処理である。
本願明細書に開示される技術の第１０の態様である基板処理装置は、第１から９のうちのいずれか１つの態様である基板処理装置に関連し、前記気体処理部が、前記処理液を前記処理液ノズルへ流すためのポンプであり、前記気体処理が、前記圧縮気体を使って前記ポンプを駆動させる処理である。
本願明細書に開示される技術の第１１の態様である基板処理装置は、第１から１０のうちのいずれか１つの態様である基板処理装置に関連し、前記気体処理部が、前記処理液を貯留するための貯留タンクであり、前記気体処理が、前記圧縮気体を使って前記貯留タンク内の雰囲気を外部へ排出する処理である。
本願明細書に開示される技術の第１２の態様である基板処理装置は、第１から１１のうちのいずれか１つの態様である基板処理装置に関連し、前記供給配管が、前記気体処理部の下流に位置する。
本願明細書に開示される技術の第１３の態様である基板処理方法は、基板保持部に保持された基板に処理液を吐出するための処理液ノズルと、前記処理液が流れる内管と、前記内管との間に間隙空間を設けつつ前記内管を囲む外管とを備え、かつ、前記処理液ノズルへ前記処理液を供給するための供給配管と、圧縮気体を使う気体処理が行われ、かつ、前記気体処理で使われた前記圧縮気体を処理後気体として排気するための少なくとも１つの気体処理部とを備える基板処理装置を使って行う基板処理方法であり、前記処理後気体を使って、前記処理液の温度を制御する工程と、温度が制御された前記処理液を前記基板に吐出して基板処理を行う工程とを備える。

本願明細書に開示される技術の少なくとも第１、１３の態様によれば、処理後気体を使って処理液の温度を制御することによって、装置を大型化させずに、処理液の温度変化を抑制することができる。

また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。

実施の形態に関する基板処理装置の構成の例を概略的に示す平面図である。 図１に例が示された制御部の構成の例を概念的に示す図である。 基板処理装置の構成のうち、特に処理液の供給経路に関する構成の例を概略的に示す図である。 供給配管の構造の例を示す図である。 エジェクターの構成の例を示す図である。 実施の形態に関する基板処理装置における、処理ユニットおよび関連する構成の例を概略的に示す図である。 実施の形態に関する処理液の供給経路に関する構成の例を概略的に示す図である。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるために、それらのすべてが必ずしも必須の特徴ではない。

なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化などが図面においてなされる。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

また、本願明細書に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。

また、本願明細書に記載される説明において、「第１の」または「第２の」などの序数が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態の内容はこれらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。

＜第１の実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。

＜基板処理装置の構成について＞
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。

＜基板処理装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する基板処理装置１の構成の例を概略的に示す平面図である。基板処理装置１は、ロードポート６０１と、インデクサロボット６０２と、センターロボット６０３と、制御部９０と、少なくとも１つの処理ユニット６００（図１においては４つの処理ユニット）とを備える。

処理ユニット６００は、基板処理に用いることができる枚葉式の装置であり、具体的には、基板Ｗに付着している有機物を除去する処理を行う装置である。基板Ｗに付着している有機物は、たとえば、使用済のレジスト膜である。当該レジスト膜は、たとえば、イオン注入工程用の注入マスクとして用いられたものである。なお、処理ユニット６００は基板を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である場合に限られるものではなく、複数の基板を一括して処理するバッチ式の装置であってもよい。

なお、処理ユニット６００は、チャンバ８０を有することができる。その場合、チャンバ８０内の雰囲気を制御部９０によって制御することで、処理ユニット６００は、所望の雰囲気中における基板処理を行うことができる。

制御部９０は、基板処理装置１におけるそれぞれの構成（後述のポンプ１４、温度制御部１６、バルブ、または、スピンチャック２５１のスピンモータ２５１Ｄなど）の動作を制御することができる。キャリアＣは、基板Ｗを収容する収容器である。また、ロードポート６０１は、複数のキャリアＣを保持する収容器保持機構である。インデクサロボット６０２は、ロードポート６０１と基板載置部６０４との間で基板Ｗを搬送することができる。センターロボット６０３は、基板載置部６０４および処理ユニット６００間で基板Ｗを搬送することができる。

以上の構成によって、インデクサロボット６０２、基板載置部６０４およびセンターロボット６０３は、それぞれの処理ユニット６００とロードポート６０１との間で基板Ｗを搬送する搬送機構として機能する。

未処理の基板ＷはキャリアＣからインデクサロボット６０２によって取り出される。そして、未処理の基板Ｗは、基板載置部６０４を介してセンターロボット６０３に受け渡される。

センターロボット６０３は、当該未処理の基板Ｗを処理ユニット６００に搬入する。そして、処理ユニット６００は基板Ｗに対して処理を行う。

処理ユニット６００において処理済みの基板Ｗは、センターロボット６０３によって処理ユニット６００から取り出される。そして、処理済みの基板Ｗは、必要に応じて他の処理ユニット６００を経由した後、基板載置部６０４を介してインデクサロボット６０２に受け渡される。インデクサロボット６０２は、処理済みの基板ＷをキャリアＣに搬入する。以上によって、基板Ｗに対する処理が行われる。

図２は、図１に例が示された制御部９０の構成の例を概念的に示す図である。制御部９０は、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成されていてよい。具体的には、制御部９０は、中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）９１、リードオンリーメモリ（ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＯＭ）９２、ランダムアクセスメモリ（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＡＭ）９３、記憶装置９４、入力部９６、表示部９７および通信部９８と、これらを相互に接続するバスライン９５とを備える。

ＲＯＭ９２は基本プログラムを格納している。ＲＡＭ９３は、ＣＰＵ９１が所定の処理を行う際の作業領域として用いられる。記憶装置９４は、フラッシュメモリまたはハードディスク装置などの不揮発性記憶装置によって構成されている。入力部９６は、各種スイッチまたはタッチパネルなどによって構成されており、オペレータから処理レシピなどの入力設定指示を受ける。表示部９７は、たとえば、液晶表示装置およびランプなどによって構成されており、ＣＰＵ９１の制御の下、各種の情報を表示する。通信部９８は、ｌｏｃａｌ ａｒｅａ ｎｅｔｗｏｒｋ（ＬＡＮ）などを介してのデータ通信機能を有する。

記憶装置９４には、図１の基板処理装置１におけるそれぞれの構成の制御についての複数のモードがあらかじめ設定されている。ＣＰＵ９１が処理プログラム９４Ｐを実行することによって、上記の複数のモードのうちの１つのモードが選択され、当該モードでそれぞれの構成が制御される。なお、処理プログラム９４Ｐは、記録媒体に記憶されていてもよい。この記録媒体を用いれば、制御部９０に処理プログラム９４Ｐをインストールすることができる。また、制御部９０が実行する機能の一部または全部は、必ずしもソフトウェアによって実現される必要はなく、専用の論理回路などのハードウェアによって実現されてもよい。

図３は、基板処理装置１の構成のうち、特に処理液の供給経路に関する構成の例を概略的に示す図である。処理液には、基板処理に使われる薬液、基板を洗浄する洗浄液、または、リンス液などが含まれる。

図３に例が示されるように、基板処理装置１は、処理液を貯留する貯留タンク１２と、貯留タンク１２から処理液を供給する供給配管１００と、供給配管１００に接続され、かつ、それぞれの処理ユニット６００に分岐して接続される供給配管１０１と、それぞれの処理ユニット６００において基板処理に用いられた処理液が流れる排液配管１０７と、排液配管１０７に接続され、かつ、貯留タンク１２へ戻る循環配管１０８とを備える。

貯留タンク１２は、配管１０９を介して処理液供給源３５Ａから供給される処理液および循環配管１０８を介して回収される処理液を貯留し、かつ、供給配管１００を介して貯留している処理液をそれぞれの処理ユニット６００へ供給する。また、貯留タンク１２は、貯留タンク１２内の雰囲気（処理液を含む）を圧縮気体を使って外部へ排出する（パージする）ための排気機構（ここでは、図示せず）を有している。そして、上記の気体処理の後貯留タンク１２内から排気された気体（すなわち、主目的であるパージ処理で使われた後の気体である処理後気体）は、排気配管２００に流れ、さらに、排気部３００から基板処理装置１の外部へ排出される。

ここで、排気配管２００には、排気配管２００から分岐しつつ、供給配管１０１と接続される接続配管２１０が設けられる。接続配管２１０にはバルブ２２０が設けられ、バルブ２２０の開閉が制御部９０によって制御されることによって、接続配管２１０内を流れる気体の流量が調整される。

さらに、排気配管２００から接続配管２１０が分岐する箇所にはエジェクター２３０が設けられる。エジェクター２３０は、貯留タンク１２側から流れてくる処理後気体を駆動気体として接続配管２１０内の気体を吸入し、さらに、当該気体を排気部３００側へ吐出する。

供給配管１００には、貯留タンク１２から供給配管１００へ処理液を流入させるポンプ１４と、供給配管１００に流れる処理液の温度を制御する温度制御部１６と、供給配管１００に流れる処理液中のパーティクルなどを除去するための、無数の細孔を有する樹脂などであるフィルター１８と、供給配管１００に流れる処理液の濃度を測定する濃度計２０とが設けられる。供給配管１００は、たとえば、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）などで構成される。

ポンプ１４は、たとえば、空気駆動式のベローズポンプであり、コンプレッサー（ここでは、図示せず）などで生成された圧縮気体が供給されることによってベローズを膨張させ、また、当該気体が排気されることによってベローズを収縮させるように駆動する。上記の気体処理の後ポンプ１４から排気された気体（すなわち、主目的であるポンプ駆動で使われた後の気体である処理後気体）は、排気配管２０２に流れ、さらに、排気部３００から基板処理装置１の外部へ排出される。なお、ポンプ１４はベローズポンプに限られるものではなく、たとえば、ダイヤフラムポンプであってもよい。

ここで、排気配管２０２には、排気配管２０２から分岐しつつ、供給配管１０１と接続される接続配管２１２が設けられる。接続配管２１２にはバルブ２２２が設けられ、バルブ２２２の開閉が制御部９０によって制御されることによって、接続配管２１２内を流れる気体の流量が調整される。

さらに、排気配管２０２から接続配管２１２が分岐する箇所にはエジェクター２３２が設けられる。エジェクター２３２は、ポンプ１４側から流れてくる処理後気体を駆動気体として接続配管２１２内の気体を吸入し、さらに、当該気体を排気部３００側へ吐出する。

温度制御部１６は、たとえば、伝導式のヒーターであり、供給配管１００に流れる処理液を直接的または間接的に加熱する。また、筐体に収容されている温度制御部１６は、駆動後に、冷却機構（ここでは、図示せず）によって圧縮気体を吹き付けられるなどして冷却される。そして、上記の気体処理の後温度制御部１６が収容されている筐体から排気された冷却使用後の気体（すなわち、主目的である冷却処理で使われた後の気体である処理後気体）は、排気配管２０４に流れ、さらに、排気部３００から基板処理装置１の外部へ排出される。

ここで、排気配管２０４には、排気配管２０４から分岐しつつ、供給配管１０１と接続される接続配管２１４が設けられる。接続配管２１４にはバルブ２２４が設けられ、バルブ２２４の開閉が制御部９０によって制御されることによって、接続配管２１４内を流れる気体の流量が調整される。

さらに、排気配管２０４から接続配管２１４が分岐する箇所にはエジェクター２３４が設けられる。エジェクター２３４は、温度制御部１６側から流れてくる処理後気体を駆動気体として接続配管２１４内の気体を吸入し、さらに、当該気体を排気部３００側へ吐出する。

配管１０９は、一端が処理液供給源３５Ａに接続されており、他端が貯留タンク１２に接続されている。また、配管１０９に設けられるバルブ２５の開閉動作が制御部９０に制御されることによって、処理液を貯留タンク１２へ供給することができる。

排液配管１０７には、それぞれの処理ユニット６００において基板処理に用いられた処理液を排液するか否かを切り替えるバルブ４８が設けられる。

循環配管１０８には、それぞれの処理ユニット６００において基板処理に用いられた処理液を、排液配管１０７から循環配管１０８に流して貯留タンク１２へ戻すか否かを切り替えるバルブ５２とが設けられる。

供給配管１０１は、二重配管である。具体的には、供給配管１０１は、内管と、外管とを備え、内管と外管との間に間隙空間を有する。また、供給配管１０１は、間隙空間における圧力を測定可能な圧力計１０２を備える。供給配管１０１は、たとえば、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）などで構成される。なお、図３においては、二重配管である供給配管１０１の範囲は濃度計２０の下流からバルブ４６の上流までに限られているが、二重配管である範囲（すなわち、供給配管１０１が設けられる範囲）は、この範囲に限定されるものではなく、たとえば、温度制御部１６の上流側にまで達していてもよいし、処理ユニット６００に処理液を吐出するノズルの先端まで達していてもよいし、排液配管１０７および循環配管１０８がその範囲に含まれていてもよい。二重配管である範囲（すなわち、供給配管１０１が設けられる範囲）が処理液の供給経路の下流に位置することによって、処理液の温度が維持された状態で処理液を処理液ノズルに到達させることができる。

図４は、供給配管１０１の構造の例を示す図である。図４に例が示されるように、供給配管１０１は、内管１０１Ａと、内管１０１Ａを周方向に囲む外管１０１Ｂとを備える。また、図４に例が示されるように、内管１０１Ａと外管１０１Ｂとは互いに離間しつつ設けられ、内管１０１Ａと外管１０１Ｂとの間には間隙空間１０１Ｃが形成されている。

接続配管２１０は、供給配管１０１の外管１０１Ｂから間隙空間１０１Ｃに連通しつつ接続される。同様に、接続配管２１２は、供給配管１０１の外管１０１Ｂから間隙空間１０１Ｃに連通しつつ接続される。同様に、接続配管２１４は、供給配管１０１の外管１０１Ｂから間隙空間１０１Ｃに連通しつつ接続される。

図５は、エジェクター２３０の構成の例を示す図である。なお、エジェクター２３２およびエジェクター２３４の構成も、図５に示される構成と同様であってよい。

図５に例が示されるように、エジェクター２３０は、ボディ内のノズル部２３０Ｂと、ボディの下流側に設けられる拡散部２３０Ｃとを備える。

エジェクター２３０によれば、貯留タンク１２側から供給される処理後気体が駆動気体となり、ノズル部２３０Ｂで低圧が生成されて処理後気体が高速で噴射されることによって、接続配管２１０内の気体を吸入することができる。そして、高速噴射された処理後気体は、接続配管２１０内の気体を伴って排気部３００へと排気される。

すなわち、エジェクター２３０によれば、貯留タンク１２側から供給される処理後気体を使って、間隙空間１０１Ｃ内の気体を吸引し、間隙空間１０１Ｃ内を減圧させることができる。

図６は、本実施の形態に関する基板処理装置における、処理ユニット６００および関連する構成の例を概略的に示す図である。なお、図６では、図３におけるバルブ６６Ａの下流に配置される処理ユニット６００の構成の例が示されているが、他のバルブ６６Ｂ、バルブ６６Ｃまたはバルブ６６Ｄの下流に配置される処理ユニット６００の構成も、図６に例が示される場合と同様である。

図６に例が示されるように、処理ユニット６００は、内部空間を有する箱形のチャンバ８０と、チャンバ８０内で１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持しつつ基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ｚ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック２５１と、基板Ｗの回転軸線Ｚ１まわりにスピンチャック２５１を取り囲む筒状の処理カップ５１１とを備える。

チャンバ８０は、箱状の壁２５０Ａによって囲まれている。壁２５０Ａには、チャンバ８０内に基板Ｗを搬出入するための開口部２５０Ｂが形成されている。

開口部２５０Ｂは、シャッタ２５０Ｃによって開閉される。シャッタ２５０Ｃは、シャッタ昇降機構（ここでは、図示しない）によって、開口部２５０Ｂを覆う閉位置（図６において二点鎖線で示される）と、開口部２５０Ｂを開放する開位置（図６において実線で示される）との間で昇降させられる。

図６に例が示されるように、スピンチャック２５１は、水平姿勢の基板Ｗに対向して設けられる円板状のスピンベース２５１Ａと、スピンベース２５１Ａの上面外周部から上方に突出し、かつ、基板Ｗの周縁部を挟持する複数のチャックピン２５１Ｂと、スピンベース２５１Ａの中央部から下方に延びる回転軸２５１Ｃと、回転軸２５１Ｃを回転させることによって、スピンベース２５１Ａに吸着されている基板Ｗを回転させるスピンモータ２５１Ｄとを備える。

なお、スピンチャック２５１は、図６に例が示された挟持式のチャックである場合に限られず、たとえば、基板Ｗの下面を真空吸着するスピンベースを備える、真空吸着式のチャックであってもよい。

図６に例が示されるように、処理ユニット６００には複数の配管が接続されている。処理ユニット６００に接続されている配管５１Ｃの先端には、処理液ノズルとしての薬液ノズル２５２が接続されている。薬液ノズル２５２は、スピンチャック２５１に保持されている基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する。薬液としては、たとえば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの有機溶剤、または、塩酸、フッ酸、硫酸またはアンモニアなどの無機溶剤が用いられる。

また、図６に例が示されるように、処理ユニット６００に接続されている配管５１Ｂの先端には、処理液ノズルとしてのリンス液ノズル６０が接続されている。リンス液ノズル６０は、スピンチャック２５１に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出する。リンス液としては、ＤＩＷ（脱イオン水）などが用いられる。

また、図６に例が示されるように、処理ユニット６００に接続されている配管５１Ａの先端には、処理液ノズルとしての洗浄液ノズル６４が接続されている。洗浄液ノズル６４は、チャンバ８０の内側の所定部位（たとえば、スピンベース２５１Ａ）に向けて洗浄液を吐出する。洗浄液としては、オゾン水などが用いられる。

なお、図３に示された供給配管１０１は、薬液ノズル２５２、リンス液ノズル６０および洗浄液ノズル６４のうちのいずれに接続されるものであってもよい。

処理カップ５１１は、スピンチャック２５１の周囲を取り囲むように設けられており、図示しない昇降機構（モータまたはシリンダーなど）によって、鉛直方向に昇降する。処理カップ５１１の上部は、その上端がスピンベース２５１Ａに保持された基板Ｗよりも上側となる上位置と、当該基板Ｗよりも下側になる下位置との間で昇降する。

基板Ｗの上面から外側に飛散した処理液は、処理カップ５１１の内側面に受け止められる。そして、処理カップ５１１に受け止められた処理液は、チャンバ８０の底部で、かつ、処理カップ５１１の内側に設けられた排液口５１３、さらには、排液用配管５１Ｄを介して、チャンバ８０の外部に適宜排液される。また、図示しないカップ排気機構によって処理カップ５１１内の雰囲気が排気される。

また、チャンバ８０の側部には、排気口５１５が設けられている。排気口５１５を通じて、チャンバ８０内の雰囲気がチャンバ８０外に適宜排出される。

＜基板処理装置の動作について＞
次に、基板処理装置の動作について説明する。本実施の形態に関する基板処理装置による基板処理方法は、処理ユニット６００へ搬送された基板Ｗに対し薬液処理を行う工程と、薬液処理が行われた基板Ｗに対し洗浄処理を行う工程と、洗浄処理が行われた基板Ｗに対し乾燥処理を行う工程と、乾燥処理が行われた基板Ｗを処理ユニット６００から搬出する工程とを備える。

以下では、上記の基板処理装置の動作に含まれる薬液処理について、図３から図６を参照しつつ説明する。なお、以下に示される動作は、制御部９０によって基板処理装置１におけるそれぞれの構成（ポンプ１４、温度制御部１６、バルブ、または、スピンチャック２５１のスピンモータ２５１Ｄなど）の動作が制御されることによって行われる。

まず、制御部９０の制御によって、処理液供給源３５Ａから貯留タンク１２へあらかじめ供給されていた処理液がポンプ１４によって吸い上げられ、供給配管１００から供給配管１０１へ供給される。

この際、供給配管１００において、温度制御部１６で処理液の温度が制御され（たとえば、処理液がヒーターで加熱され）、フィルター１８で処理液中のパーティクルなどが除去された後、濃度計２０で処理液の濃度がチェックされる。

次に、それぞれの処理ユニット６００において基板処理（たとえば、薬液処理）が行われるタイミングで、制御部９０の制御によってバルブ４６およびそれぞれの処理ユニット６００に対応するバルブ（バルブ６６Ａ、バルブ６６Ｂ、バルブ６６Ｃおよびバルブ６６Ｄ）が開かれて、処理液がそれぞれの処理ユニット６００へ供給される。そして、対応する処理ユニット６００の処理液ノズルから処理液が吐出される。

次に、それぞれの処理ユニット６００で基板処理に用いられた処理液が、排液配管１０７へ流れると、制御部９０は、バルブ４８を閉じ、かつ、バルブ５２を開く。そうすることによって、排液配管１０７における処理液は、循環配管１０８へ流れる。

ここで、それぞれの処理ユニット６００において用いられた処理液が回収に適していない場合（過度に汚染されている場合など）には、制御部９０は、バルブ４８を開き、かつ、バルブ５２を閉じる。そうすることによって、排液配管１０７における処理液は排液される。

それぞれの処理ユニット６００から回収されて循環配管１０８へ流れる処理液は、貯留タンク１２へ戻る。

なお、図３においては、それぞれの処理ユニット６００において用いられた処理液は排液配管１０７で合流しているが、それぞれの処理ユニット６００において用いられた処理液が独立に循環配管１０８への回収の有無が判断される配管構造であってもよい。

ここで、処理液の温度は、温度制御部１６で温度制御された後、それぞれの処理ユニット６００に到達するまでに通る配管経路において、変動する可能性がある。処理液の温度は、基板処理の精度に影響を与えるため、均一な基板処理または高い精度での基板処理を実現するためには、処理液の温度変化を抑制することが重要である。

本実施の形態においては、処理ユニット６００へ処理液を供給する供給配管１０１が、間隙空間１０１Ｃを有する二重配管となっている。そのため、内管１０１Ａと外管１０１Ｂとが間隙空間１０１Ｃによって隔てられているため、内管１０１Ａ内を流れる処理液の温度変化を抑制することができる。

加えて、間隙空間１０１Ｃに連通される接続配管２１０によって、間隙空間１０１Ｃにおける気体が貯留タンク１２から排気された気体（処理後気体）とともに排気配管２００に流れる。具体的には、接続配管２１０と排気配管２００との分岐箇所に設けられるエジェクター２３０が、貯留タンク１２から排気された気体を駆動気体として間隙空間１０１Ｃにおける気体を吸入し、さらに、当該気体を排気部３００側へ吐出することで、間隙空間１０１Ｃ内が減圧される。

同様に、間隙空間１０１Ｃに連通される接続配管２１２によって、間隙空間１０１Ｃにおける気体がポンプ１４から排気された気体（処理後気体）とともに排気配管２０２に流れる。具体的には、接続配管２１２と排気配管２０２との分岐箇所に設けられるエジェクター２３２が、ポンプ１４から排気された気体を駆動気体として間隙空間１０１Ｃにおける気体を吸入し、さらに、当該気体を排気部３００側へ吐出することで、間隙空間１０１Ｃ内が減圧される。

同様に、間隙空間１０１Ｃに連通される接続配管２１４によって、間隙空間１０１Ｃにおける気体が温度制御部１６から排気された気体（処理後気体）とともに排気配管２０４に流れる。具体的には、接続配管２１４と排気配管２０４との分岐箇所に設けられるエジェクター２３４が、温度制御部１６から排気された気体を駆動気体として間隙空間１０１Ｃにおける気体を吸入し、さらに、当該気体を排気部３００側へ吐出することで、間隙空間１０１Ｃ内が減圧される。

上記のように間隙空間１０１Ｃ内が減圧されることによって、間隙空間１０１Ｃにおける熱の移動がさらに抑制される（すなわち、断熱性が向上する）ため、内管１０１Ａ内を流れる処理液の温度変化を抑制することができる。

この際、制御部９０は、圧力計１０２の出力を参照しつつ、バルブ２２０、バルブ２２２およびバルブ２２４の開閉動作を制御することができる。すなわち、制御部９０は、圧力計１０２の出力が所望の圧力となるように、上記の複数のバルブの開閉度合いを互いに調整することができる。

＜第２の実施の形態＞
本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。

＜基板処理装置の構成について＞
図７は、本実施の形態に関する処理液の供給経路に関する構成の例を概略的に示す図である。

図７に例が示されるように、処理液の供給経路には、処理液を貯留する貯留タンク１２と、貯留タンク１２から処理液を供給する供給配管１００と、供給配管１００に接続され、かつ、それぞれの処理ユニット６００に分岐して接続される供給配管１０１と、それぞれの処理ユニット６００において基板処理に用いられた処理液が流れる排液配管１０７と、排液配管１０７に接続され、かつ、貯留タンク１２へ戻る循環配管１０８とを備える。

貯留タンク１２は、貯留タンク１２内の雰囲気を圧縮気体を使って外部へ排出するための排気機構を有している。そして、貯留タンク１２内から排気された気体（処理後気体）は、排気配管２００に流れ、さらに、排気部３００から基板処理装置１の外部へ排出される。

ここで、排気配管２００には、排気配管２００から分岐しつつ、供給配管１０１と接続される接続配管２１０が設けられる。接続配管２１０にはバルブ２２０が設けられ、バルブ２２０の開閉が制御部９０によって制御されることによって、接続配管２１０内を流れる気体の流量が調整される。

さらに、排気配管２００から接続配管２１０が分岐する箇所の下流にはバルブ２４０が設けられる。バルブ２４０の開閉が制御部９０によって制御されることによって、接続配管２１０に分岐する箇所の下流における排気配管２００内を流れる気体の流量が調整される。

供給配管１００には、貯留タンク１２から供給配管１００へ処理液を流入させるポンプ１４と、供給配管１００に流れる処理液の温度を制御する温度制御部１６と、供給配管１００に流れる処理液中のパーティクルなどを除去するフィルター１８と、供給配管１００に流れる処理液の濃度を測定する濃度計２０とが設けられる。

ポンプ１４から排気された気体（処理後気体）は、排気配管２０２に流れ、さらに、排気部３００から基板処理装置１の外部へ排出される。なお、ポンプ１４から排気された処理後気体は、圧縮気体が断熱膨張した気体であるため、比較的低温の気体である。

ここで、排気配管２０２には、排気配管２０２から分岐しつつ、供給配管１０１と接続される接続配管２１２が設けられる。接続配管２１２にはバルブ２２２が設けられ、バルブ２２２の開閉が制御部９０によって制御されることによって、接続配管２１２内を流れる気体の流量が調整される。

さらに、排気配管２０２から接続配管２１２が分岐する箇所の下流にはバルブ２４２が設けられる。バルブ２４２の開閉が制御部９０によって制御されることによって、接続配管２１２に分岐する箇所の下流における排気配管２０２内を流れる気体の流量が調整される。

温度制御部１６は、圧縮気体を吹き付けるなどによって温度制御部１６を冷却するための冷却機構（ここでは、図示せず）を有している。そして、冷却機構から排気された冷却使用後の気体（処理後気体）は、排気配管２０４に流れ、さらに、排気部３００から基板処理装置１の外部へ排出される。なお、ヒーターなどの温度制御部１６から排気された処理後気体は、高温のヒーターなどに吹き付けられることによって、比較的高温となった気体である。

ここで、排気配管２０４には、排気配管２０４から分岐しつつ、供給配管１０１と接続される接続配管２１４が設けられる。接続配管２１４にはバルブ２２４が設けられ、バルブ２２４の開閉が制御部９０によって制御されることによって、接続配管２１４内を流れる気体の流量が調整される。

さらに、排気配管２０４から接続配管２１４が分岐する箇所の下流にはバルブ２４４が設けられる。バルブ２４４の開閉が制御部９０によって制御されることによって、接続配管２１４に分岐する箇所の下流における排気配管２０４内を流れる気体の流量が調整される。

配管１０９は、一端が処理液供給源３５Ａに接続されており、他端が貯留タンク１２に接続されている。また、配管１０９に設けられるバルブ２５の開閉動作が制御部９０に制御されることによって、処理液を貯留タンク１２へ供給することができる。

排液配管１０７には、それぞれの処理ユニット６００において基板処理に用いられた処理液を排液するか否かを切り替えるバルブ４８が設けられる。

循環配管１０８には、それぞれの処理ユニット６００において基板処理に用いられた処理液を、排液配管１０７から循環配管１０８に流して貯留タンク１２へ戻すか否かを切り替えるバルブ５２とが設けられる。

供給配管１０１は、二重配管である。具体的には、供給配管１０１は、内管と、外管とを備え、内管と外管との間に間隙空間を有する。また、供給配管１０１は、間隙空間における温度を測定可能な温度計１０４を備える。

＜基板処理装置の動作について＞
次に、基板処理装置の動作について説明する。以下では、上記の基板処理装置の動作に含まれる薬液処理について説明する。なお、以下に示される動作は、制御部９０によって基板処理装置１におけるそれぞれの構成（ポンプ１４、温度制御部１６、バルブ、または、スピンチャック２５１のスピンモータ２５１Ｄなど）の動作が制御されることによって行われる。

まず、制御部９０の制御によって、処理液供給源３５Ａから貯留タンク１２へあらかじめ供給されていた処理液がポンプ１４によって吸い上げられ、供給配管１００から供給配管１０１へ供給される。

この際、供給配管１００において、温度制御部１６で処理液の温度が制御され（たとえば、処理液がヒーターで加熱され）、フィルター１８で処理液中のパーティクルなどが除去された後、濃度計２０で処理液の濃度がチェックされる。

次に、それぞれの処理ユニット６００において基板処理（たとえば、薬液処理）が行われるタイミングで、制御部９０の制御によってバルブ４６およびそれぞれの処理ユニット６００に対応するバルブ（バルブ６６Ａ、バルブ６６Ｂ、バルブ６６Ｃおよびバルブ６６Ｄ）が開かれて、処理液がそれぞれの処理ユニット６００へ供給される。そして、対応する処理ユニット６００の処理液ノズルから処理液が吐出される。

次に、それぞれの処理ユニット６００で基板処理に用いられた処理液が、排液配管１０７へ流れると、制御部９０は、バルブ４８を閉じ、かつ、バルブ５２を開く。そうすることによって、排液配管１０７における処理液は、循環配管１０８へ流れる。

それぞれの処理ユニット６００において用いられた処理液が回収に適していない場合（過度に汚染されている場合など）には、制御部９０は、バルブ４８を開き、かつ、バルブ５２を閉じる。そうすることによって、排液配管１０７における処理液は排液される。

それぞれの処理ユニット６００から回収されて循環配管１０８へ流れる処理液は、貯留タンク１２へ戻る。

ここで、処理液の温度は、温度制御部１６で温度制御された後、それぞれの処理ユニット６００に到達するまでに通る配管経路において、変動する可能性がある。

本実施の形態においては、処理ユニット６００へ処理液を供給する供給配管１０１が、間隙空間１０１Ｃを有する二重配管となっている。そのため、内管１０１Ａと外管１０１Ｂとが間隙空間１０１Ｃによって隔てられているため、内管１０１Ａ内を流れる処理液の温度変化を抑制することができる。

加えて、間隙空間１０１Ｃに連通される接続配管２１０によって、間隙空間１０１Ｃに、貯留タンク１２から排気された気体（処理後気体）が供給される。具体的には、制御部９０によって、排気配管２００から接続配管２１０が分岐する箇所の下流におけるバルブ２４０が閉じられ、かつ、接続配管２１０におけるバルブ２２０が開かれることによって、貯留タンク１２から排気された気体が間隙空間１０１Ｃに流れ込む。

同様に、間隙空間１０１Ｃに連通される接続配管２１２によって、間隙空間１０１Ｃに、ポンプ１４から排気された気体（処理後気体）が供給される。具体的には、制御部９０によって、排気配管２０２から接続配管２１２が分岐する箇所の下流におけるバルブ２４２が閉じられ、かつ、接続配管２１２におけるバルブ２２２が開かれることによって、ポンプ１４から排気された気体が間隙空間１０１Ｃに流れ込む。

同様に、間隙空間１０１Ｃに連通される接続配管２１４によって、間隙空間１０１Ｃに、温度制御部１６から排気された気体（処理後気体）が供給される。具体的には、制御部９０によって、排気配管２０４から接続配管２１４が分岐する箇所の下流におけるバルブ２４４が閉じられ、かつ、接続配管２１４におけるバルブ２２４が開かれることによって、温度制御部１６から排気された気体が間隙空間１０１Ｃに流れ込む。

そして、上記のように間隙空間１０１Ｃ内に流れ込む処理後気体の温度を制御部９０が制御することによって、内管１０１Ａ内を流れる処理液の温度変化を抑制することができる。

具体的には、制御部９０が、温度計１０４の出力を参照しつつ、バルブ２２０、バルブ２２２およびバルブ２２４の開閉動作を制御することができる。すなわち、制御部９０は、温度計１０４の出力（すなわち、間隙空間１０１Ｃ内の温度）が所望の温度となるように、たとえば、温度制御部１６から排気される高温の処理後気体と、ポンプ１４から排気される低温の処理後気体との混合比を、上記の複数のバルブの開閉度合いを調整することによって制御することができる。なお、供給される処理後気体の温度が、処理液の所望の温度に一致している必要はなく、所望の温度に十分に近い温度であればよい。そのような場合でも、処理液の温度変化を小さくする効果は発揮される。

また、間隙空間１０１Ｃに処理後気体が充填されることによって、内管１０１Ａ内の処理液雰囲気が間隙空間１０１Ｃに透過することを抑制することができる。

ここで、間隙空間１０１Ｃに供給される処理後気体は、窒素（Ｎ_２）などの不活性ガスであってもよい。処理後気体が窒素（Ｎ_２）である場合、外管１０１Ｂの外側などにおける空気から水分または酸素などが処理液に浸透することを抑制することができる。

なお、間隙空間１０１Ｃに供給される処理後気体の流量が多すぎる場合には、排気配管２００の下流におけるバルブ２４０、排気配管２０２の下流におけるバルブ２４２および排気配管２０４の下流におけるバルブ２４４を適宜開いて、処理後気体の一部を排気部３００へ流れさせてもよい。または、間隙空間１０１Ｃに供給された処理後気体が排気される排気口が、供給配管１０１に適宜設けられていてもよい。

また、排気部３００へ処理後気体を流す必要がない場合には、それぞれの排気配管と接続配管との接続部よりも下流の排気配管は、備えられなくてもよい。すなわち、バルブを備える排気配管が、直接間隙空間１０１Ｃに接続される態様であってもよい。

＜以上に記載された複数の実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された複数の実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された複数の実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。すなわち、以下では便宜上、対応づけられる具体的な構成のうちのいずれか１つのみが代表して記載される場合があるが、代表して記載された具体的な構成が対応づけられる他の具体的な構成に置き換えられてもよい。

また、当該置き換えは、複数の実施の形態に跨ってなされてもよい。すなわち、異なる実施の形態において例が示されたそれぞれの構成が組み合わされて、同様の効果が生じる場合であってもよい。

以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、基板保持部と、処理液ノズルと、供給配管１０１と、少なくとも１つの気体処理部と、制御部９０とを備える。ここで、基板保持部は、たとえば、スピンチャック２５１などに対応するものである。また、処理液ノズルは、たとえば、薬液ノズル２５２、リンス液ノズル６０または洗浄液ノズル６４などのうちの少なくとも１つに対応するものである。また、気体処理部は、たとえば、貯留タンク１２、ポンプ１４または温度制御部１６などのうちの少なくとも１つに対応するものである。スピンチャック２５１は、基板Ｗを保持する。薬液ノズル２５２は、スピンチャック２５１に保持された基板Ｗに処理液を吐出する。供給配管１０１は、処理液が流れる内管１０１Ａと、内管１０１Ａとの間に間隙空間１０１Ｃを設けつつ内管１０１Ａを囲む外管１０１Ｂとを備える。そして、供給配管１０１は、薬液ノズル２５２へ処理液を供給する。気体処理部は、圧縮気体を使う気体処理が行われ、かつ、気体処理で使われた圧縮気体を処理後気体として排気する。制御部９０は、処理後気体を使って、処理液の温度を制御する。

このような構成によれば、処理後気体を使って処理液の温度を制御することによって、装置を大型化させずに、処理液の温度変化を抑制することができる。

なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、制御部９０が、排気される処理後気体の流動を利用して供給配管１０１の間隙空間１０１Ｃを負圧にすることによって、処理液の温度を制御する。このような構成によれば、間隙空間１０１Ｃを負圧にすることで供給配管１０１の断熱性が向上し、処理液の温度変化を抑制することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、気体処理部から排気された処理後気体が流れるための排気配管２００（または、排気配管２０２、排気配管２０４）と、排気配管から分岐しつつ、間隙空間１０１Ｃと排気配管とを接続する接続配管２１０（または、接続配管２１２、接続配管２１４）とを備える。このような構成によれば、接続配管２１０を介して間隙空間１０１Ｃ内の気体が排気配管２００に流れることによって、間隙空間１０１Ｃ内の気体を排気することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、排気配管２００（または、排気配管２０２、排気配管２０４）と接続配管２１０（または、接続配管２１２、接続配管２１４）との接続部分に設けられるエジェクター２３０（または、エジェクター２３２、エジェクター２３４）と、接続配管２１０に設けられる制御バルブとを備える。ここで、制御バルブは、たとえば、バルブ２２０、バルブ２２２またはバルブ２２４などのうちの少なくとも１つに対応するものである。また、エジェクターは、処理後気体を駆動流体として、間隙空間１０１Ｃを負圧にする。そして、制御部９０は、バルブ２２０（または、バルブ２２２、バルブ２２４）の開閉度を制御することによって、間隙空間１０１Ｃの圧力を調整する。このような構成によれば、処理後気体を駆動流体としてエジェクター２３０が動作することによって、接続配管２１０を介して間隙空間１０１Ｃ内の気体が排気配管２００に効果的に流入し、間隙空間１０１Ｃを負圧にすることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、制御部９０が、処理後気体を供給配管１０１の間隙空間１０１Ｃに供給することによって、処理液の温度を制御する。このような構成によれば、間隙空間１０１Ｃに処理後気体を供給することで間隙空間１０１Ｃ内の温度を制御し、間接的に処理液の温度を制御することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、気体処理部から排気された処理後気体が流れ、かつ、間隙空間１０１Ｃに接続される排気配管２００（または、排気配管２０２、排気配管２０４）を備える。このような構成によれば、排気配管２００を介して間隙空間１０１Ｃに処理後気体が供給されることによって、間隙空間１０１Ｃ内の温度を制御することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、気体処理部を複数備える。また、基板処理装置は、それぞれの気体処理部に対応して、排気配管２００（または、排気配管２０２、排気配管２０４）を備える。ここで、複数の排気配管２００（または、排気配管２０２、排気配管２０４）に流れる処理後気体の温度が互いに異なる。また、基板処理装置は、それぞれの排気配管から間隙空間１０１Ｃに供給される処理後気体の流量を制御するための制御バルブを備える。ここで、制御バルブは、たとえば、バルブ２２０、バルブ２２２、バルブ２２４、バルブ２４０、バルブ２４２またはバルブ２４４などのうちの少なくとも１つに対応するものである。そして、制御部９０は、それぞれの制御バルブの開閉度を制御することによってそれぞれの排気配管から供給される処理後気体を混合させ、間隙空間１０１Ｃに供給される処理後気体の温度を調整する。このような構成によれば、制御部９０が、複数の気体処理部から供給される処理後気体の混合比率を制御することによって、間隙空間１０１Ｃに供給される処理後気体の温度を調整して、間隙空間１０１Ｃ内の温度を高い精度で制御することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、処理後気体が、窒素を含む。このような構成によれば、外管１０１Ｂの外側などにおける空気から水分または酸素などが処理液に浸透することを抑制することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、気体処理部が、処理液を加熱するためのヒーターである。そして、気体処理が、圧縮気体を使ってヒーターを空冷する処理である。このような構成によれば、ヒーターなどである温度制御部１６から排気される処理後気体を流用して間隙空間１０１Ｃ内の気体を吸入または間隙空間１０１Ｃ内に気体を供給することができるため、新たな装置などを追加せずに処理液の温度変化を抑制することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、気体処理部が、処理液を薬液ノズル２５２へ流すためのポンプ１４である。そして、気体処理が、圧縮気体を使ってポンプ１４を駆動させる処理である。このような構成によれば、ポンプ１４から排気される処理後気体を流用して間隙空間１０１Ｃ内の気体を吸入または間隙空間１０１Ｃ内に気体を供給することができるため、新たな装置などを追加せずに処理液の温度変化を抑制することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、気体処理部が、処理液を貯留するための貯留タンク１２である。そして、気体処理が、圧縮気体を使って貯留タンク１２内の雰囲気を外部へ排出する処理である。このような構成によれば、貯留タンク１２から排気される処理後気体を流用して間隙空間１０１Ｃ内の気体を吸入または間隙空間１０１Ｃ内に気体を供給することができるため、新たな装置などを追加せずに処理液の温度変化を抑制することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、供給配管１０１が、気体処理部の下流に位置する。このような構成によれば、供給配管１０１が処理液の供給経路の下流に位置することによって、処理液の温度が維持された状態で処理液を処理液ノズルに到達させることができる。よって、基板Ｗに吐出される処理液の温度の変化を抑制して、基板処理の精度を高く保つことができる。

以上に記載された実施の形態によれば、薬液ノズル２５２と、供給配管１０１と、気体処理部とを備える基板処理装置を使って行う基板処理方法において、処理後気体を使って、処理液の温度を制御する工程と、温度が制御された処理液を基板Ｗに吐出して基板処理を行う工程とを備える。

このような構成によれば、処理後気体を使って処理液の温度を制御することによって、装置を大型化させずに、処理液の温度変化を抑制することができる。

なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。

＜以上に記載された複数の実施の形態の変形例について＞
以上に記載された複数の実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではない。

したがって、例が示されていない無数の変形例と均等物とが、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの実施の形態における少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態における構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。

また、以上に記載された少なくとも１つの実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。

１ 基板処理装置
１２ 貯留タンク
１４ ポンプ
２５ バルブ
４６ バルブ
４８ バルブ
５１Ａ 配管
５１Ｂ 配管
５１Ｃ 配管
５２ バルブ
６６Ａ バルブ
６６Ｂ バルブ
６６Ｃ バルブ
６６Ｄ バルブ
９０ 制御部
１００ 供給配管
１０１ 供給配管
１０１Ａ 内管
１０１Ｂ 外管
１０１Ｃ 間隙空間
１０９ 配管
２００ 排気配管
２０２ 排気配管
２０４ 排気配管
２１０ 接続配管
２１２ 接続配管
２１４ 接続配管
２２０ バルブ
２２２ バルブ
２２４ バルブ
２３０ エジェクター
２３２ エジェクター
２３４ エジェクター
２４０ バルブ
２４２ バルブ
２４４ バルブ
Ｗ 基板

Claims (13)

1. 基板を保持するための基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された前記基板に処理液を吐出するための処理液ノズルと、
   前記処理液が流れる内管と、前記内管との間に間隙空間を設けつつ前記内管を囲む外管とを備え、かつ、前記処理液ノズルへ前記処理液を供給するための供給配管と、
   圧縮気体を使う気体処理が行われ、かつ、前記気体処理で使われた前記圧縮気体を処理後気体として排気するための少なくとも１つの気体処理部と、
   前記処理後気体を使って、前記処理液の温度を制御するための制御部とを備える、
   基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であり、
   前記制御部が、排気される前記処理後気体の流動を利用して前記供給配管の前記間隙空間を負圧にすることによって、前記処理液の温度を制御する、
   基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であり、
   前記気体処理部から排気された前記処理後気体が流れるための排気配管と、
   前記排気配管から分岐しつつ、前記間隙空間と前記排気配管とを接続する接続配管とをさらに備える、
   基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置であり、
   前記排気配管と前記接続配管との接続部分に設けられるエジェクターと、
   前記接続配管に設けられる制御バルブとをさらに備え、
   前記エジェクターが、前記処理後気体を駆動流体として、前記間隙空間を負圧にし、
   前記制御部が、前記制御バルブの開閉度を制御することによって、前記間隙空間の圧力を調整する、
   基板処理装置。
5. 請求項１に記載の基板処理装置であり、
   前記制御部が、前記処理後気体を前記供給配管の前記間隙空間に供給することによって、前記処理液の温度を制御する、
   基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置であり、
   前記気体処理部から排気された前記処理後気体が流れ、かつ、前記間隙空間に接続される少なくとも１つの排気配管をさらに備える、
   基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置であり、
   前記気体処理部を複数備え、
   それぞれの前記気体処理部に対応して、前記排気配管を複数備え、
   複数の前記排気配管に流れる前記処理後気体の温度が互いに異なり、
   前記基板処理装置が、それぞれの前記排気配管から前記間隙空間に供給される前記処理後気体の流量を制御するための制御バルブをさらに備え、
   前記制御部が、それぞれの前記制御バルブの開閉度を制御することによってそれぞれの前記排気配管から供給される前記処理後気体を混合させ、前記間隙空間に供給される前記処理後気体の温度を調整する、
   基板処理装置。
8. 請求項１から７のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
   前記処理後気体が、窒素を含む、
   基板処理装置。
9. 請求項１から７のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
   前記気体処理部が、前記処理液を加熱するためのヒーターであり、
   前記気体処理が、前記圧縮気体を使って前記ヒーターを空冷する処理である、
   基板処理装置。
10. 請求項１から７のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
    前記気体処理部が、前記処理液を前記処理液ノズルへ流すためのポンプであり、
    前記気体処理が、前記圧縮気体を使って前記ポンプを駆動させる処理である、
    基板処理装置。
11. 請求項１から７のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
    前記気体処理部が、前記処理液を貯留するための貯留タンクであり、
    前記気体処理が、前記圧縮気体を使って前記貯留タンク内の雰囲気を外部へ排出する処理である、
    基板処理装置。
12. 請求項１から７のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
    前記供給配管が、前記気体処理部の下流に位置する、
    基板処理装置。
13. 基板保持部に保持された基板に処理液を吐出するための処理液ノズルと、
    前記処理液が流れる内管と、前記内管との間に間隙空間を設けつつ前記内管を囲む外管とを備え、かつ、前記処理液ノズルへ前記処理液を供給するための供給配管と、
    圧縮気体を使う気体処理が行われ、かつ、前記気体処理で使われた前記圧縮気体を処理後気体として排気するための少なくとも１つの気体処理部とを備える基板処理装置を使って行う基板処理方法であり、
    前記処理後気体を使って、前記処理液の温度を制御する工程と、
    温度が制御された前記処理液を前記基板に吐出して基板処理を行う工程とを備える、
    基板処理方法。

Images