JP2022011581A - 基板処理装置、および、基板処理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 491
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 358
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 356
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 19
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 33
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 30
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
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- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/72—Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation
- C02F1/78—Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation with ozone
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
Description
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。
図1は、本実施の形態に関する基板処理装置1の構成の例を概略的に示す平面図である。基板処理装置1は、ロードポート601と、インデクサロボット602と、センターロボット603と、制御部90と、少なくとも1つの処理ユニット600(図1においては4つの処理ユニット)とを備える。
次に、基板処理装置の動作について説明する。本実施の形態に関する基板処理装置による基板処理方法は、処理ユニット600へ搬送された基板Wに対し薬液処理を行う工程と、薬液処理が行われた基板Wに対し洗浄処理を行う工程と、洗浄処理が行われた基板Wに対し乾燥処理を行う工程と、乾燥処理が行われた基板Wを処理ユニット600から搬出する工程とを備える。
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。
12 オゾン水貯留槽
14 ポンプ
16,16A 温度制御部
18,24 フィルター
20,28,34 濃度計
22,25,26,27,31,32,36,37,44,46,48,52,54,66A,66B,66C,66D バルブ
30 オゾン水生成部
33 オゾン溶解部
35,35A 純水供給源
42 オゾンガス供給源
51A,51B,51C,100,101,102,103,104,105,106,107,108,109 配管
51D 排液用配管
60 リンス液ノズル
64 洗浄液ノズル
80 チャンバ
90 制御部
91 CPU
92 ROM
93 RAM
94 記憶装置
94P 処理プログラム
95 バスライン
96 入力部
97 表示部
98 通信部
250A 壁
250B 開口部
250C シャッタ
251 スピンチャック
251A スピンベース
251B チャックピン
251C 回転軸
251D スピンモータ
252 薬液ノズル
511 処理カップ
513 排液口
515 排気口
600 処理ユニット
601 ロードポート
602 インデクサロボット
603 センターロボット
604 基板載置部
Claims (9)
- オゾンガスを用いてオゾン水を生成するためのオゾン水生成部と、
前記オゾン水生成部で生成された前記オゾン水のオゾン濃度を測定するための第1の濃度計と、
基板に前記オゾン水を供給して前記基板を処理するための基板処理部と、
前記オゾン水を回収して前記オゾン水生成部へ供給するための回収部と、
前記オゾン水生成部の動作を制御するための制御部とを備え、
前記回収部は、
回収された前記オゾン水の温度を制御するための温度制御部と、
回収された前記オゾン水のオゾン濃度を測定するための第2の濃度計とを備え、
前記制御部は、前記第2の濃度計において測定された前記オゾン水の前記オゾン濃度に基づいて、前記オゾン水生成部における前記オゾンガスの供給量を制御する、
基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であり、
前記制御部は、前記第2の濃度計において測定された前記オゾン水の前記オゾン濃度がしきい値以上である場合には前記オゾン水生成部において前記オゾンガスを供給せずに前記オゾン水を生成させ、前記オゾン濃度がしきい値未満である場合には前記オゾン水生成部において前記オゾンガスを供給して前記オゾン水を生成させる、
基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であり、
前記オゾン水生成部は、
前記オゾン水に前記オゾンガスを供給するためのオゾン溶解部が設けられる第1の経路と、
前記第1の経路から分岐し、かつ、前記オゾン溶解部が設けられない第2の経路とを備え、
前記制御部は、前記第2の濃度計において測定された前記オゾン水の前記オゾン濃度がしきい値以上である場合には前記オゾン水生成部において前記第2の経路を介して前記オゾン水を生成させ、前記オゾン濃度がしきい値未満である場合には前記オゾン水生成部において前記第1の経路を介して前記オゾン水を生成させる、
基板処理装置。 - 請求項1から3のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記オゾン水に純水を加えて前記オゾン水を希釈するための希釈部をさらに備え、
前記制御部は、前記第2の濃度計において測定された前記オゾン水の前記オゾン濃度に基づいて、前記希釈部の動作を制御する、
基板処理装置。 - 請求項1から4のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記回収部は、前記基板処理部において前記基板の処理に用いられた後の前記オゾン水を回収する、
基板処理装置。 - 請求項1から4のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記回収部は、前記基板処理部において前記基板の処理に用いられる前の前記オゾン水を回収する、
基板処理装置。 - 請求項1から6のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記回収部は、回収された前記オゾン水を循環させるための循環経路をさらに備え、
前記制御部は、回収された前記オゾン水を前記循環経路で循環させるか前記オゾン水生成部へ供給するかを選択する、
基板処理装置。 - 請求項1から7のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記回収部は、回収された前記オゾン水におけるパーティクルを除去するためのフィルターをさらに備える、
基板処理装置。 - オゾン水生成部において、オゾンガスを用いてオゾン水を生成する工程と、
前記オゾン水生成部で生成された前記オゾン水のオゾン濃度を測定する工程と、
基板に前記オゾン水を供給して前記基板を処理する工程と、
前記オゾン水を回収して前記オゾン水生成部へ供給する工程と、
前記オゾン水生成部の動作を制御する工程とを備え、
前記オゾン水を回収して前記オゾン水生成部へ供給する工程は、
回収された前記オゾン水の温度を制御する工程と、
回収された前記オゾン水のオゾン濃度を測定する工程とを備え、
前記オゾン水生成部の動作を制御する工程は、測定された前記オゾン水の前記オゾン濃度に基づいて、前記オゾン水生成部における前記オゾンガスの供給量を制御する工程である、
基板処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020112806A JP7504679B2 (ja) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 基板処理装置、および、基板処理方法 |
TW110119326A TWI771024B (zh) | 2020-06-30 | 2021-05-28 | 基板處理裝置以及基板處理方法 |
KR1020210083679A KR20220002125A (ko) | 2020-06-30 | 2021-06-28 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN202110723910.2A CN113871320A (zh) | 2020-06-30 | 2021-06-29 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020112806A JP7504679B2 (ja) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 基板処理装置、および、基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022011581A true JP2022011581A (ja) | 2022-01-17 |
JP7504679B2 JP7504679B2 (ja) | 2024-06-24 |
Family
ID=78990047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020112806A Active JP7504679B2 (ja) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 基板処理装置、および、基板処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7504679B2 (ja) |
KR (1) | KR20220002125A (ja) |
CN (1) | CN113871320A (ja) |
TW (1) | TWI771024B (ja) |
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2020
- 2020-06-30 JP JP2020112806A patent/JP7504679B2/ja active Active
-
2021
- 2021-05-28 TW TW110119326A patent/TWI771024B/zh active
- 2021-06-28 KR KR1020210083679A patent/KR20220002125A/ko not_active Application Discontinuation
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Publication number | Publication date |
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TW202205414A (zh) | 2022-02-01 |
KR20220002125A (ko) | 2022-01-06 |
CN113871320A (zh) | 2021-12-31 |
JP7504679B2 (ja) | 2024-06-24 |
TWI771024B (zh) | 2022-07-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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