KR101919674B1 - 프로세스 챔버 및 반도체 가공 장비 - Google Patents

프로세스 챔버 및 반도체 가공 장비 Download PDF

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Abstract

본 발명은 프로세스 챔버 및 반도체 가공 장비를 제공한다. 상기 프로세스 챔버는 적어도 2개의 반응 챔버, 서로 독립되는 적어도 2개의 흡기 시스템 및 칩 전송장치를 포함하고, 상기 적어도 2개의 반응 챔버는 프로세스 챔버의 내부에 설치되며, 원주방향에 따라 균일하게 분포되고, 각 반응 챔버내에는 독립된 프로세스 분위기를 구성하며, 흡기 시스템은 1대 1로 대응되게 반응 챔버로 프로세스 가스를 운송하고, 칩 전송장치는 칩을 반응 챔버내에 전송한다. 본 발명에 따른 프로세스 챔버 및 반도체 가공 장비에 있어서, 단일 프로세스 챔버는 동시에 2개 이상의 공정을 수행할 수 있으므로, 프로세스 챔버의 구조가 콤펙트하고, 차지하는 공간이 작으며, 또한 전송 챔버의 구조를 다시 설계할 필요가 없어, 장비의 제조원가를 낮출 수 있다.

Description

프로세스 챔버 및 반도체 가공 장비{PROCESS CHAMBER AND SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 반도체 장비의 제조분야에 관한 것이고, 구체적으로는 프로세스 챔버 및 반도체 가공장비에 관한 것이다.
물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD)의 기본원리는, 진공 조건하에서 금속, 금속합금 또는 화합물을 증발시키고, 기판 표면에 증착시켜, 특수 기능을 구비하는 박막을 형성하는 것이다. 물리적 기상 증착법의 주요한 방법에는, 진공증착법, 플라즈마 스퍼터링 증착법, 아크 플라즈마 증착법, 이온 플레이팅 및 분자선 에피택시 등이 있다. 그 중, 플라즈마 스퍼터링 증착법은 현재 가장 대표적이고 가장 널리 활용되는 물리적 기상 증착 기술이다. 플라즈마 스퍼터링 증착 기술을 이용하여 반도체칩에 대한 증착(플레이팅) 공정을 수행할 경우, 통상적으로 진공분위기의 프로세스 챔버를 이용하는 것으로서, 프로세스 챔버내에 프로세스 가스를 공급하여 플라즈마를 형성하도록 여기(excitation)시키며, 형성된 플라즈마가타겟 물질을 충격함으로써, 스퍼터링된 타겟 물질 재료는 칩의 표면에 증착되어, 프로세스에 필요한 박막을 형성한다.
프로세스 챔버는 박막을 제조하는 [공장]으로서, PVD 장비의 핵심이고, 전송, 가스제거, 예비 세정 등 기타 시스템은 모두 프로세스 챔버를 위해 작동된다. 도1은 종래 PVD 장비의 완제품(complete machine)을 도시하는 도면이다. 도1에 도시된 바와 같이, PVD 장비는 2개의 로딩/언로딩포트(1)(Load Port), 1개의 전단 챔버(2)(EMEF), 2개의 로딩/언로딩 챔버(3), 1개의 전송 챔버(4)(TM), 1개의 가스 제거 챔버(5)(Degas), 1개의 예비 세정 챔버(6)(Preclean) 및 2개의 프로세스 챔버(7)(PM)를 포함한다. 상기 PVD 장비의 작동 절차는 다음과 같다. 전단 챔버(2) 내의 매니퓰레이터(미도시)은 로딩/언로딩포트(1)상의 칩을 로드 챔버(3)로 전송하고, 전송 챔버(4) 내의 매니퓰레이터(8)(Scara Robot)는 로딩/언로딩 챔버(3)내의 칩을 가스 제거 챔버(5)로 전송하여 칩 상의 수증기를 제거하며, 수증기가 제거된 칩은 매니퓰레이터(8)에 의하여 예비 세정 챔버(6)로 전송되어 세정됨으로써, 그 표면의 산화물 등 잔여물질이 제거되고, 세정된 칩은 다시 매니퓰레이터(8)에 의해순차적으로 2개의 프로세스 챔버(71) 및 프로세스 챔버(72)로 전송되어 스퍼터링 증착을 수행하고, 플레이팅을 완료한 칩은 다시 매니퓰레이터(8)에 의해 로딩/언로딩 챔버(3)로 다시 전송되고, 전단 챔버(2) 내의 매니퓰레이터에 의해 로딩/언로딩포트(1)로 다시 전송됨으로써, 전체 작업 절차를 완료한다.
상기 PVD 장비는 실제 활용에 있어서 불가피하게 아래와 같은 문제점이 존재하게 된다.
첫 번째로, 상기 PVD 장비에 있어서, 단일 프로세스 챔버(71 또는 72)는 일회에 칩에 대해 한 개의 공정만 수행 즉, 일회에 칩에 한 가지의 박막층만 증착시킬 수 있다. 동시에 2개 이상의 공정을 수행하고자 하는 경우, 프로세스 챔버의 개수를 증가하는 것을 통하여 달성해야하고, 모든 프로세스 챔버와 전송 챔버 사이의 매칭을 달성하기 위해서는, 반드시 전송 챔버의 구조를 다시 설계하여, 전송구의 개수와 프로세스 챔버의 개수가 대응되도록 하고, 그 주변의 공간이 각각의 프로세스 챔버를 수용할 수 있도록 해야하기 때문에, 제조 원가를 증가시킨다.
두 번째로, 복수 개의 프로세스 챔버는 서로 독립되어있으며, 방사상으로 전송 챔버의 주변에 배치되므로, 이러한 배치방식은 큰 공간을 차지하며, 또한, 프로세스 챔버의 개수가 많을 때 더욱 선명하고, 이는 PVD 장비의 전체 체적을 증가시킨다.
본 발명은 적어도 종래 기술에 존재하는 기술적 문제 중의 하나를 해결하기 위한 것으로서, 프로세스 챔버 및 반도체 가공 장비를 제공하며, 단일 프로세스 챔버는 동시에 2개 이상의 공정을 수행할 수 있으므로, 프로세스 챔버의 구조가 콤팩트하고, 차지하는 공간이 작을 뿐만 아니라, 전송 챔버의 구조를 다시 설계할 필요도 없어, 장비의 제조 원가를 낮출 수 있다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 적어도 2개의 반응 챔버, 칩 전송 장치 및 서로 독립된 적어도 2개의 흡기 시스템을 포함하는 프로세스 챔버를 제공하고, 상기 적어도 2개의 반응 챔버는 상기 프로세스 챔버의 내부에 설치되어 있되, 상기프로세스 챔버의 원주 방향에 따라 균일하게 분포되어 있고, 각 반응 챔버 내부는 독립된 프로세스 분위기를 구성하고 있으며, 상기 흡기 시스템은 1대 1의 대응 관계로 상기 반응 챔버와 연통되어, 상기 반응 챔버로 프로세스 가스를 전송하며, 상기 칩 전송 장치는 칩을 반응 챔버 내로 전송한다.
상기 칩 전송 장치는 회전 받침판, 승강 받침대 및 씸블 장치를 포함하고, 상기 회전 받침판은 상기 적어도 2개의 반응 챔버하측에 설치되며, 상기 회전 받침판에는 칩을 적재하는 복수의 적재부가 설치되어 있고, 상기 복수의 적재부는 상기회전 받침판의 원주 방향에 따라 균일하게 분포되고, 상기 회전 받침판은 회전 운동을 하는 것을 통하여, 각 반응 챔버의 하측이 각각 상기 적재부에 대응되도록 하며, 상기 회전 받침판에서, 각 적재부가 있는 위치에는 관통홀이 설치되어 있고, 상기 승강 받침대는 1대 1의 대응관계로 상기 반응 챔버의 하측에 설치되며, 각 승강 받침대는 승강 운동을 통하여, 그에 대응하는 적재부를 관통하고, 상응한 상기 반응 챔버내로 상승하여 상기 반응 챔버를 폐쇄하거나 또는 상기 회전 받침판의 하측까지 하강하며, 상기 프로세스 챔버의 측벽에는 칩 전송구가 설치되어, 상기 프로세스 챔버로 칩을 공급하거나 상기 프로세스에서 칩을 반출하며, 상기 씸블장치는 상기 프로세스 챔버내의 상기 칩 전송구와 마주하는 위치에 설치되어 있고, 상기 씸블장치는 승강운동을 통하여, 그 끝단으로 하여금 상기 적재부를 관통하도록 하고, 상기 회전 받침판보다 높거나 낮은 위치까지 이르도록 한다.
상기 적재부의 개수는 상기 반응 챔버의 개수와 동일하거나, 상기 반응 챔버 개수의 정수 배이다.
상기 칩 전송장치는 매니퓰레이터 및 승강 받침대를 포함하고, 상기 승강 받침대의 개수와 상기 반응 챔버의 개수는 서로 대응되며, 상기 승강 받침대는 1대 1의 대응 관계로 상기 반응 챔버의 하측에 설치되고, 각 승강 받침대는 상응한 상기 반응 챔버내로 상승하여 상기 반응 챔버를 폐쇄하거나, 또는 그에 대응되는 상기 반응 챔버에서 이출될 수 있으며, 상기 매니퓰레이터는 칩을 상기 승강 받침대에 전송한다.
상기 프로세스 챔버의 측벽에는, 상기 프로세스 챔버로 칩을 공급하거나 상기 프로세스 챔버에서 칩을 이출하는데 사용되는 칩 전송구가 설치되어 있고, 상기칩 전송 장치는 승강 운동가능하게 상기 프로세스 챔버내의 상기 칩 전송구와 마주하는 위치에 설치된 씸블장치를 더 포함하며, 상기 매니퓰레이터는 상기 씸블장치와 어느 한 개의 승강 받침대 사이 및 어느 2개의 승강 받침대 사이에서 칩을 전송한다.
각 승강 받침대에는, 또한 한 개의 지지 링과 적어도 3개의 지지 핀을 포함하는 칩 브라켓이 설치되어 있고, 상기 지지 링은 상기 승강 받침대의 주변에 설치되어 있으며, 상기 승강 받침대가 승강운동할 때 상대적인 고정을 이루어 움직이지 않으며, 상기 적어도 3개의 지지 핀은 상기 지지 링에 고정되어있고, 상기 승강 받침대의 원주 방향에 따라 균일하게 분포되어있으며, 상기 적어도 3개의 지지 핀 끝단의 높이는,상기 승강 받침대가 미리 설정된 가장 낮은 위치에 있을 때, 상기 승강 받침대의 상부 면보다 높다.
상기 반응 챔버에는, 상기 흡기 시스템에 연결되는 등류 챔버가 설치되어 있고, 상기 등류 챔버는 원주방향에 따라 균일하게 배치되어 상기 등류 챔버내의 프로세스 가스가 상기 반응 챔버내로 이송되도록 복수의 배기구를 구비한다.
상기 반응 챔버내에는, 상부 고리와 하부 고리를 포함하는 부싱 링 조립체가 설치되어 있고, 상기 상부 고리는 상기 하부 고리의 내측에 위치하며, 상기 상부 고리와 상기 하부 고리 사이에는 환형 간극이 형성되고, 상기 반응 챔버의 측벽내부에는 그 원주방향에 따라 배치된 환형 통로가 형성되어 있으며, 상기 환형 통로는 상기 등류 챔버로 사용되며, 상기 반응 챔버의 내측벽에는 그 원주 방향에 따라, 상기 배기구로 사용되는 복수의 반경 방향의 관통 홀이 균일하게 분포되어 있으며, 상기 반경 방향의 관통 홀은 상기 환형 통로 및 상기 환형 간극과 연통되어 있다.
상기 각 승강 받침대는 협동으로 작동되어, 프로세스 수행 전에, 상기 각 승강 받침대로 하여금 동시에 상기 각 반응 챔버내로 상승하도록 하고, 상기 각 반응 챔버 중 적어도 하나가 프로세스를 수행하는 반응 챔버로 선택되며, 프로세스를 수행하는 모든 반응 챔버가 각자의 공정을 수행한 후, 상기 각 승강 받침대는 동시에 상기 회전 받침판의 하측으로 하강된다.
상기 칩 전송 장치는, 상기 회전 받침판의 외주벽에 설치되고, 미리 설정된 원점 위치에 대응하는 위치에 있는 원점 복귀센서의 검출부; 개수가 상기 적재부의 개수와 서로 대응되고, 상기회전 받침판의 외주벽에 설치되며, 상기 적재부에 1대 1로 대응하는 위치에 있는 위치센서 검출부; 상기 회전 받침판이 회전할 때, 상기원점 복귀 감지 시트를 인식하여 상기 회전 받침판의 원점 위치를 검출하는 원점 복귀 센서, 및 상기 회전 받침판이 회전할 때, 각 위치센서 검출부를 인식하여 각 적재부의 위치를 검출하는 위치센서를 더 포함한다.
상기 반응 챔버 내에는, 상기 승강 받침대가 상기 반응 챔버내로 상승되었을 때, 자중을 이용하여 칩을 상기 승강 받침대에 고정시키는 프레스 링이 더 설치되어 있고, 상기 하부 고리는 또한 상기 승강 받침대가 상기 반응 챔버에서 이출될 때, 상기 프레스 링을 지지한다.
상기 반응 챔버의 상부에는, 상기 반응 챔버의 상부 개구부를 개방하거나 폐쇄하는 데 사용되는 오픈 장치가 설치되어 있다.
상기 오픈 장치는, 상부 전극 챔버를 포함하며,상기 상부 전극 챔버는, 상기상부 전극 챔버의 밑부분에 설치된 타겟 물질, 상기 상부 전극 챔버내에 설치되고,상기 타겟 물질의 상측에 위치하는 마그네트론, 및 상기 타겟 물질 표면에 대하여 회전운동을 하도록 상기 마그네트론을 구동하는 마그네트론 구동기구를 포함한다.
상기 마그네트론 구동기구는, 대형 동기 풀리, 소형 동기 풀리 및 동기 벨트를 구비하는 회전 전달기구, 상기 회전 전달기구를 통하여 상기 타겟 물질의 표면에 대하여 회전 운동을 하도록 상기 마그네트론을 구동하는 마그네트론 회전 모터, 및 상기 마그네트론 회전 모터의 회전속도를 저감시키는 방향 전환 감속기를 포함한다.
상기 칩 전송장치는, 개수가 승강 받침대의 개수와 일치하고, 1대 1로 대응되게 상기 승강 받침대의 승강운동을 구동하는 승강 구동기구를 더 포함한다.
상기 관통 홀의 직경은 상기 칩의 직경보다 작고, 또는 상기 관통 홀의 직경은 상기 칩의 직경보다 크거나 동일하며, 각 관통 홀내에는 상기 관통 홀내에 위치하는 칩을 지지하는 지지부가 설치되어 있다.
상기 칩 전송장치는, 상기 회전 받침판을 회전운동을 하도록 구동시키는 회전 구동기구를 더 포함한다. 상기 회전 구동기구는, 상기 프로세스 챔버내의 중심위치에 설치되고, 상기 회전 받침판에 연결되는 자성 유체 베어링, 상기 자성 유체 베어링에 의하여 상기 회전 받침판을 상기 프로세스 챔버의 중심을 에워싸고 회전하도록 구동하는 회전모터를 포함한다.
다른 하나의 기술적 해결 수단으로서, 본 발명은 또한 칩을 가공하는데 사용되는 프로세스 챔버, 칩내의 가스를 제거하는 가스 제거 챔버, 칩 표면의 잔여물을 제거하는 예비 세정 챔버, 상기 프로세스 챔버 및 상기 가스 제거 챔버 및 상기 예비 세정 챔버에 각각 연결되고, 내부에 칩을 각 챔버에 각각 운송하는 매니퓰레이터가 설치되어있는 전송 챔버를 포함하는 반도체 가공 장비를 제공하며, 상기 프로세스 챔버는 본 발명에 의하여 제공되는 상기 프로세스 챔버를 사용한다.
상기 프로세스 챔버의 개수는 1개 또는 복수 개이고, 상기 복수 개의 프로세스 챔버는 상기 전송 챔버의 원주 방향에 따라 배치된다.
상기 반도체 가공 장비는 물리적 기상 증착 장비를 포함한다.
본 발명은 다음과 같은 유리한 효과를 갖는다.
본 발명에 의한 프로세스 챔버는, 내부에 원주방향에 따라 균일하게 분포되는 적어도 2개의 반응 챔버가 설치되어 있고, 각 반응 챔버는 독립된 프로세스 분위기를 형성하며, 흡기 시스템을 이용하여 1대 1로 대응되게 반응 챔버로 프로세스 가스를 운송하고, 칩 전송 장치를 이용하여 칩을 반응 챔버내로 전송한다. 이와 같이, 단일 프로세스 챔버내의 적어도 2개의 반응챔버를 이용하여 동시에 2개 이상의 공정을 실시할 수 있으므로, 프로세스 챔버의 개수를 증가할 필요가 없고, 따라서,전송 챔버의 구조를 다시 설계할 필요도 없으며, 이로써 장비의 제조 원가를 낮출 수 있다. 또한, 적어도 2개의 반응 챔버가 프로세스 챔버의 원주 방향에 따라 균일하게 배치되어 있으므로, 종래기술에 비교하여, 프로세스 챔버의 전체적 구조를 더욱 콤팩트하게 하고, 더욱 작은 공간을 차지하도록 한다.
본 발명에 의한 반도체 가공 장비는, 본 발명에 의한 프로세스 챔버를 사용하고, 적어도 2개의 반응 챔버를 이용하여 동시에 2개 이상의 공정을 실시할 수 있으므로, 프로세스 챔버의 개수를 증가할 필요가 없고, 따라서 전송챔버의 구조를 다시 설계할 필요도 없으며, 이로써 장비의 제조원가를 낮출 수 있다. 또한, 적어도 2개의 반응챔버가 프로세스 챔버의 원주방향에 따라 균일하게 배치되어 있으므로, 종래기술에 비교하여, 프로세스 챔버의 전체적 구조를 더욱 콤팩트하게 하고, 더욱 작은 공간을 차지하도록 한다.
도1은 종래의 PVD 장비의 완제품을 도시하는 도면이다.
도2a는 본 발명의 실시예에 따른 프로세스 챔버의 사시도이다.
도2b는 본 발명의 실시예에 따른 프로세스 챔버 내부구조의 평면도이다.
도2c는 본 발명의 실시예에 따른 프로세스 챔버의 칩 전송장치의 사시도이다.
도2d는 본 발명의 실시예에 따른 프로세스 챔버의 단면도이다.
도3a는 본 발명의 실시예에 따른 프로세스 챔버에 사용되는 반응 챔버의 부분 단면도이다.
도3b는 도3a에서 II영역의 확대도이다.
도3c는 도3a에서 B~B선에 따른 단면도이다.
도4a는 본 발명의 실시예에 따른 프로세스 챔버 내부 구조의 사시도이다.
도4b는본 발명의 실시예에 따른 프로세스 챔버 내부 구조의 평면도이다.
도5a는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 가공 장비의 구조 개략도이다.
도5b는 본 발명의 실시예에 따른 다른 반도체 가공 장비의 구조 개략도이다.
당업자로 하여금 본 발명의 기술적 해결 수단을 보다 잘 이해할 수 있도록, 아래에 도면을 참조하여 본 발명에 따른 프로세스 챔버 및 반도체 가공장비를 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 프로세스 챔버는, 적어도 2개의 반응 챔버, 서로 독립된 적어도 2개의 흡기 시스템 및 칩 전송장치를 포함한다. 적어도 2개의 반응 챔버는 프로세스 챔버의 내부에 설치되어 있으며, 원주 방향에 따라 균일하게 배치되고, 각 반응 챔버 내부는 독립된 프로세스 분위기를 구성하여, 개별적으로 칩에 대한 하나의 공정을 수행할 수 있으며, 흡기 시스템은 1대 1로 대응되게 반응 챔버로 프로세스 가스를 전송하고, 칩 전송장치는 칩을 반응 챔버내로 전송한다.
각 반응 챔버가 독립된 프로세스 분위기를 구성하고, 흡기 시스템을 이용하여 각각 대응되게 반응 챔버로 프로세스 가스를 전송하며, 칩 전송장치를 이용하여 칩을 반응 챔버내에 전송하므로, 단일 프로세스 챔버 중 적어도 2개의 반응 챔버를 이용하기만 하여도 동시에 2개 이상의 공정을 실시할 수 있게 되어, 프로세스 챔버의 개수를 증가할 필요가 없다.즉, 프로세스 챔버의 개수를 변경하지 않는 전제하에서, 반응 챔버의 개수만을 증가하는 것을 통하여 동시에 가공을 진행하는 공정의수량을 증가할 수 있어, 전송 챔버의 구조를 다시 설계할 필요도 없고, 나아가 장비의 제조원가를 낮출 수 있다. 또한, 적어도 2개의 반응 챔버가 상기 프로세스 챔버의 원주 방향에 따라 균일하게 배치되어 있으므로, 종래기술에 비교하여, 프로세스 챔버의 전체적 구조를 더욱 콤팩트하게 하고, 더욱 작은 공간을 차지하게 된다.
칩 전송 장치는 칩을 반응 챔버내에 전송하는 전송 기능을 구비하고 있으며, 상기 기능은 적어도 하기 같은 동작을 포함한다. 즉, 동시에 또는 선후로 칩을 각반응 챔버내에 전송하거나 또는 칩을 모든 반응 챔버 중 적어도 한 개의 반응 챔버내에 선택적으로 전송할 수도 있다. 상기 동작의 구체적 절차는 하기와 같다.우선, 프로세스 챔버의 외부에 위치하는 매니퓰레이터에 의하여 가공되지 않은 칩을 프로세스 챔버내의 칩 전송장치로 전송하고, 이어서, 상기 칩 전송장치에 의하여 가공되지 않은 칩을 반응 챔버내로 전송한다.
바람직하게, 칩 전송장치는 또한 각 반응 챔버사이에서 칩을 전송할 수 있고, 예를 들면, 각 반응챔버가 서로 다른 공정을 실시하는 것에 대응하여, 그 중한개의 반응챔버내에서 칩에 대한 현재의 공정을 수행한 후, 칩 전송장치에 의하여 상기 칩을 다음 공정을 수행하는 반응 챔버내로 전송할 수 있다.
상기 칩 전송장치를 이용하여 서로 다른 프로세스, 공정 순서 등에 따라 서로 다른 전송 방식을 선택할 수 있으므로, 프로세스의 융통성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 활용 범위도 확대할 수 있다.
아래에, 본 발명에 의한 프로세스 챔버의 구체적인 실시예에 대해 상세하게 설명한다.
실시예1
도2a~2e에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 프로세스 챔버(10)는 4개의 반응챔버, 서로 독립되는 4개의 흡기 시스템 및 칩 전송장치를 포함한다. 4개의 반응 챔버는 각각 반응 챔버(12A), 반응챔버(12B), 반응챔버(12C) 및 반응챔버(12D)이고, 도2a에 도시된 바와 같이, 4개의 반응챔버는 프로세스 챔버(10)의 내부에 설치되어있으며, 원주 방향에 따라 균일하게 분포되어있고, 각 반응 챔버는 독립된 프로세스 분위기를 구성하며, 4개의 흡기 시스템(미도시)을 이용하여 1대 1로 대응되게 4개의 반응 챔버내에 프로세스 가스를 이송하고, 칩 전송장치의 상기 전송기능을 이용하여, 단일 프로세스 챔버에서 동시에 2개 이상의 공정을 수행할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 칩 전송장치의 구조는 구체적으로, 회전 받침판(14), 승강 받침대 및 씸블장치(15)를 포함한다. 회전 받침판(14)은 4개의 반응챔버 하측에 설치되고, 회전 받침판(14)에는 8개의 칩(16)을 적재하는 적재부(141~148)가 설치되어있으며,
8개의 적재부(141~148)는 도2c에 도시된 바와 같이, 회전 받침판(14)의 원주 방향에 따라 균일하게 배치되어 있다. 적재부란, 회전 받침판의 윗면에서 구획된 칩을 배치하는 영역을 말한다.
회전 받침판(14)은 축 방향의 중심선을 중심으로 회전운동을 하고, 각 반응 챔버의 하측으로 하여금 모두 한 개의 적재부에 대응하도록 할 수 있다. 회전 받침판(14)에는 8개의 적재부가 있으므로, 적재부의 개수가 반응 챔버 개수의 2배이며, 이러한 경우, 회전 받침판(14)은 매번 미리 설정된 각도를 회전한 후, 8개의 적재부 중 4개의 서로 인접하지 않는 적재부를 1대 1로 대응되게 4개 반응 챔버의 바로 하측, 즉,도2c에 도시한 적재부(142, 144, 146 및 148)에 위치시킨다. 나머지 4개의 서로 인접하지 않는 적재부는 1대 1로 대응되게 각각의 서로 인접하는 2개 반응 챔버 사이의 간극, 즉,도2c에 도시된 적재부(141, 143, 145 및 147)에 위치한다. 즉, 회전 받침판(14)은 회전하여, 8개의 적재부를 2차로 나누어 차례로 4개 반응 챔버의 바로 하측에 위치하도록 한다.
물론 실제 활용에 있어서, 적재부의 개수는 반응 챔버의 개수와 동일하거나, 또는 반응 챔버 개수의 2배일 수도 있다. 또한, 후자의 경우에 있어서, 회전 받침판(14)이 배수에 따라 여러 차례로 나누어 적재부를 차례로 4개 반응 챔버의 바로 하측에 위치하도록 하기만 하면 된다.
본 실시예에 있어서, 도2b에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(10) 내에는 4개의 승강 받침대(13A~13D)가 설치되어 있고, 4개의 승강 받침대는 1대 1로 대응되게 4개 반응 챔버의 하측에 위치한다.
회전 받침판(14)이 미리 설정한 각도를 회전하여, 각 반응 챔버의 하측으로 하여금 모두 한 개의 적재부에 대응되게 한후, 각 승강 받침대는 승강운동하여, 그에 대응되는 적재부를 관통하고, 대응되는 반응 챔버내로 상승하거나 회전 받침판(14)의 하측으로 하강함으로써, 상승하는 것을 통하여 상기 적재부의 칩을 반응 챔버내로 전송하고, 회전 받침판(14)의 하측까지 하강하는 것을 통하여 반응 챔버내의 칩을 적재부에 전송할 수 있다.
여기서, 각 반응 챔버의 밑부분은 개방되어 있고, 승강 받침대는 반응 챔버내로 상승된 후, 반응 챔버의 밑부분을 폐쇄할 수 있으며, 이에 따라 반응 챔버의 내부로 하여금 상대적으로 독립된 프로세스 분위기를 구성하도록 한다. 즉, 각 반응 챔버와 프로세스 챔버(10) 사이 및 기타 반응 챔버와의 사이를 서로 분리시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서, 프로세스 전에, 각 승강 받침대는 협동으로 작동되어,각 승강 받침대가 동시에 상기 각 반응 챔버내로 상승하도록 하고, 상기 각 반응 챔버 중 적어도 하나가 프로세스를 실시하는 반응 챔버로 선택되도록 하며, 프로세스를 실시하는 모든 반응 챔버가 각자의 공정을 수행한후, 각 승강 받침대는 동시에 상기 회전 받침판의 하측으로 하강된다. 회전 받침판(14)과 승강 받침대를 이용하여 칩을 전송하는 절차는 구체적으로 하기와 같다. 먼저, 회전 받침판(14)은 4개 반응 챔버의 하측이 모두 한개의 적재부에 대응되도록, 미리 설정된 각도 만큼 회전된 후 정지되며 이어서, 회전 받침판(14)의 하측에 위치하는 4개의 승강 받침대는 동시에 상승되고, 상기 4개 적재부의 4개 칩을 들어올린 후, 1대 1로 대응되게 4개의 반응 챔버내로 전송한다. 각 반응 챔버에서의 칩에 대한 가공이 수행된 후, 4개의 승강 받침대는 동시에 회전 받침판(14)의 아래쪽으로 하강하는데, 이 과정에서, 가공이 완료된 칩은 다시 회전 받침판(14)의 적재부에 전송된다. 적재부의 개수가 반응 챔버 개수의 정수 배인 경우, 회전 받침판(14) 위의 모든 칩에 대한 가공이 완료될 때까지 상기 절차가 반복된다. 따라서, 회전 받침판(14)의 회전운동과 승강 받침대의 승강운동을 결합하는 것을 통하여, 칩을 반응 챔버내로 전송하고, 각 반응 챔버 사이에서도 칩을 전송할 수 있다. 회전받침판(14)이 회전운동을 할 때, 승강 받침대는 회전 받침판(14)의 하측에 위치하여 정지하고 있으며, 회전받침판(14)이 소정의 위치까지 회전된 후, 승강받침대가 승강운동을 하고, 이때의 회전받침판(14)은 정지하고 있으므로, 회전받침판(14)과 승강받침대의 운동이 서로 간섭되지 않도록 확보할 수 있음은 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
여기서, 실제 활용에 있어서, 구체적인 수요에 따라 모든 반응 챔버를 동시에 작동하도록 할 수 있고(동일하거나 다른 공정을 수행), 또한 그 중 적어도 한개의 반응 챔버를 선택적으로 작동시키고, 나머지 선택되지 않은 반응 챔버는 작동되지 않도록 할 수 있다. 하지만, 모든 반응 챔버가 작동되든, 아니면 일부 반응 챔버만 작동되든, 각 승강 받침대는 프로세스가 시작되기 전에 반드시 동시에 각 반응 챔버내로 상승되어야 하고, 각 승강 받침대는 작동되는 각 반응 챔버의 각자의 공정이 수행 완료된 후, 다시 동시에 회전 받침판(14)의 아래쪽으로 하강하여, 각 반응 챔버가 작동될 때 기타 반응 챔버와 서로 분리될 수 있게끔 확보한다.
또한, 회전 받침판(14) 중 각각의 적재부의 구체적인 구조는 아래의 두가지 요구를 만족시켜야 한다. 즉, 칩을 적재할 수 있을 뿐만 아니라, 승강 받침대가 수직 방향에서 이를 통과(이하, 수직 관통이라고함)할 수 있도록 확보해야 한다. 본 실시예에 있어서, 회전 받침판(14)의 각 적재부에 대응하는 위치에는 관통 홀이 설치되어있고, 상기 관통홀의 직경은 칩(16)의 직경보다 크며, 각 관통 홀내에는 지지부가 설치되어있고, 상기 지지부는 관통 홀의 벽으로부터 돌출된 복수의 지지 돌기이며, 홀 벽의 원주 방향에 따라 간극을 두고 배치된다. 회전 받침판(14)에 적재된 칩(16)은 상기 관통 홀내에 위치하며, 복수 개의 지지 돌기에 의해 지지된다. 승강 받침대의 외경은 복수개의 지지 돌기에 의하여 관통 홀의 원주 방향에서 형성된 지지 링의 내경보다 작아야 한다는 것을 쉽게 알 수 있을 것이다. 물론, 실제 활용에있어서, 지지부를 생략하고, 관통 홀의 직경을 칩의 직경보다 작게 할 수 있으나, 이러한 경우, 칩은 회전 받침판 윗면의 관통 홀 주변에 가까운 부분에 의해 지지되고, 승강 받침대의 외경은 상기 관통 홀의 직경보다 작아야한다. 즉, 칩을 적재할 수 있을 뿐만 아니라, 승강 받침대로 하여금 수직 방향에서 상기 관통홀을 통과할 수 있도록, 상기 관통홀의 직경은 칩의 직경보다 작고 승강 받침대의 직경보다 커야한다.
본 실시예에 있어서, 칩 전송장치는 회전 받침판(14)으로 하여금 그 중심선을 중심으로 회전운동을 하도록 구동하는 회전 구동기구를 더 포함한다. 구체적으로, 도2d에 도시된 바와 같이, 상기 회전 구동기구는 자성 유체 베어링(181) 및 회전모터(183)를 포함한다. 자성 유체 베어링(181)은 프로세스 챔버(10)내의 중심 위치에 설치되며, 회전 받침판(14)에 연결되어 있고, 회전모터(183)는 감속기(182)를 이용하여 자성 유체 베어링(181)으로 하여금 프로세스 챔버(10)의 중심을 둘러싸고 회전하도록 구동하여, 회전 받침판(14)의 회전을 구동한다. 자성 유체 베어링(181)은 도전성 유체를 윤활제로 사용하고 외부 자기장을 구비하는 슬라이드 베어링이며, 자성 유체 베어링(181)을 통하여, 이에 의해 생성된 자기장을 이용하여 유체의 유동에 대해 저애작용을 발휘할 수 있고, 이에 따라 유체의 등가점도(equivalent viscosity)를 배로 증가시킬 수 있으며, 나아가 베어링의 적재 능력을 향상시킬 수 있다. 물론, 실제 활용에 있어서, 또한 기타 임의의 구조를 가진 회전 구동기구를 적용할 수 도있고, 본 발명은 회전 구동기구의 구조에 대하여 한정하지않으며, 회전 받침판(14)을 수평면내에서 회전하도록 구동할 수 있기만 하면 된다.
또한, 바람직하게는, 회전받침판(14)의 회전 각도를 정확하게 제어하고 교정하여, 각 적재부가 소정의 위치까지 정확하게 회전될 수 있도록 확보하기 위하여, 칩 전송장치는 원점 복귀 센서 검출부(171), 위치 센서 검출부(172), 원점 복귀 센서(미도시) 및 위치 센서(미도시)를 더포함한다. 원점 복귀 센서 검출부(171)는 회전 받침판(14) 외주벽상의 미리 설정한 원점 위치와 대응되는 위치에 설치되고, 원점위치란, 회전 받침판(14)의 회전각도가 0일 때의 초기위치를 말한다. 원점 복귀 센서는 회전 받침판(14)이 회전할 때, 원점 복귀 센서 검출부(171)를 인식하는 것을 통하여 회전 받침판(14)의 원점 위치를 검출한다. 위치 센서 검출부(172)의 개수와 적재부의 개수는 일치하고, 위치 센서 검출부(172)는 회전 받침판(14) 외주벽상의 적재부와 1대 1로 대응되는 위치에 설치되어 있으며, 위치 센서는 회전 받침판(14)이 회전할 때, 각 위치센서 검출부(172)를 인식하는 것을 통하여 각 적재부의 위치를 검출한다. 실제 활용에 있어서, 원점 복귀 센서 검출부(171) 및 위치 센서 검출부(172)는 돌기, 홈 또는 표시선 등 위치를 표기할 수 있는 각종 형식으로 설치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 칩 전송장치는, 개수가 4개로서 승강 받침대의 개수와 일치하고, 1대 1로 대응되게 승강 받침대를 승강운동하도록 구동하는 승강 구동 기구를 더 포함한다. 각 승강 구동기구의 구조는 구체적으로, 도2d에 도시된 바와 같이, 각 승강 구동 기구는 프로세스 챔버(10)의 밑부분에 설치되고, 회전모터(215), 받침대 승강축(212), 리니어 베어링(211), 선형 전동기구를 포함한다. 리니어 베어링(211)은 프로세스 챔버(10)의 밑부분에 고정되고, 받침대 승강축(212)의 상단은 수직 방향에 따라 리니어 베어링(211)을 관통하며(양자는 슬라이딩 협동함), 프로세스 챔버(10)내로 연장되어 승강 받침대에 연결되고, 회전모터(215)는 회전력을 제공하며, 선형 전동기구는 회전모터(215)의 회전 동력을 수직방향에서의 직선 동력으로 전환하여, 받침대 승강축(212)에 전달한다. 구체적으로, 선형 전동기구는 너트(213) 및 나사(214)를 포함하고, 너트(213)는 나사(214)에 결합되어, 나사(214)를 따라 슬라이딩할 수 있으며, 너트(213)는 받침대 승강축(212)의 하단에 연결되고, 나사(214)는 받침대 승강축(212)의 하단 및 회전모터(215)의 구동축에 각각 연결된다.
회전모터(215)에 의한 구동하에, 나사(214)는 회전운동을 하여, 너트(213)로 하여금 승강 운동을 하도록 함으로써, 받침대 승강축(212) 및 그에 연결된 승강 받침대를 연동시켜 동기적으로 승강운동을 하도록 한다. 바람직하게, 승강 구동기구는 받침대 승강축에 대해 가이드 작용을 하는 선형 가이드 레일을 더 포함할 수도있다. 또한, 바람직하게, 받침대 승강축(212)에 플랙시블 튜브(216)를 씌워, 받침대 승강축(212)과 프로세스 챔버(10) 사이의 간극을 밀봉할 수도 있다.
실제 활용에 있어서, 승강 구동기구는 리니어 모터를 사용하여 받침대 승강축을 승강운동하도록 직접 구동할 수도 있다. 또는, 기타 임의의 구조를 가진 상승 구동기구를 사용할 수도 있으며, 본 발명은 승강 구동 기구의 구조에 대하여 한정하지 않으며, 승강 받침대를 승강 운동하도록 구동하는 기능만 구비하면 된다.
본 실시예에 있어서, 프로세스 챔버(10)의 측벽에는 프로세스 챔버(10)로 칩을 공급하거나 프로세스 챔버(10)에서 칩을 송출하는 칩 전송구(11)가 설치되어 있고, 도2b에 도시된 바와 같이, 씸블장치(15)는 프로세스 챔버(10)내의 칩 전송구(11)와 마주하는 위치에 설치되어 있다. 씸블장치(15)는 승강운동하여, 그 끝단으로 하여금 적재부를 관통하여, 회전 받침판(14)보다 높거나 낮은 위치까지 이르도록 한다.
씸블장치(15)의 구조는 구체적으로, 적어도 3개의 씸블(151) 및 적어도 3개의 씸블을 동기적으로 승강운동하도록 구동하는 씸블 승강기구(152)를 포함한다. 회전 받침판(14)로부터 가공이 완료된 칩을 꺼내고, 프로세스 챔버(10)로부터 송출해야하는 경우, 먼저, 회전 받침판(14)은 가공이 완료된 칩이 위치하고 있는 적재부를 적어도 3개의 씸블(151)의 상측까지 회전(씸블(151)의 초기 위치는 회전 받침판(14)의 하측임), 즉, 칩 전송구(11)와 마주하는 위치까지 회전시키고, 이어서, 적어도 3개의 씸블(151)은 씸블 승강기구(152)의 구동하에서 그 끝단이 상기 적재부를 관통하여, 회전 받침판(14) 보다 높은 위치에 이르기까지 상승되며, 이 과정에서, 적어도 3개의 씸블(151)은 적재부의 칩이 회전 받침판(14)에서 이탈되도록 들어올리며, 프로세스챔버(10) 이외의 매니퓰레이터는 칩 전송구(11)를 통하여 프로세스 챔버(10)내로 이동하여 씸블(151)로부터 칩(16)을 꺼낸 후, 칩(16)을 휴대하여 프로세스 챔버(10)로부터 이탈하여, 칩(16)의 언로딩을 완료한다. 가공하고자하는 칩을 회전 받침판(14)에 로딩하는 절차는 상기 칩의 언로딩 절차와 유사하고, 단지 작업 순서가 상반되기 때문에, 더 이상 설명하지 않는다. 여기서, 회전받침판(14)이 회전 운동할 때, 씸블장치(15)는 회전 받침판(14)의 하측에 위치하되 정지되어있으며, 로딩/언로딩하고자 하는 적재부가 소정의 위치까지 회전된 후, 씸블장치(15)로 하여금 회전받침판(14) 보다 높은 위치까지 상승하도록 할 때, 회전 받침판(14)은 정지되어 있으므로, 회전 받침판(14)과 씸블장치(15)의 운동이 서로 간섭되지 않는 것이 확보된다는 점은 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
아래에, 흡기 시스템의 구조와 흡기 방식 및 반응 챔버의 내부 구조에 대해 상세히 설명한다. 도3a~도3c에 도시된 바와 같이, 도면에는 단일 반응챔버(12A)의 구체적인 구조만을 도시하였고, 나머지 3개의 반응챔버(12B~12C)의 구조는 반응 챔버(12A)와 동일하다. 구체적으로, 각 반응 챔버에는, 흡기 시스템에 연결되고, 복수개의 배기구를 구비하는 등류 챔버가 설치되어 있으며, 복수개의 배기구는 등류 챔버의 원주 방향에 따라 균일하게 배치되어, 흡기 시스템으로부터의 프로세스 가스를 균일하게 반응 챔버내로 이송한다.
아래에, 등류 챔버의 구조에 대해 상세히 설명한다. 구체적으로, 도3b에 도시된 바와 같이, 반응챔버(12A)내에는, 하부 고리(25) 및 상부 고리(23)를 포함하는 부싱 링 조립체가 설치되어 있고, 상부 고리(23)는 하부 고리(25)의 내측에 위치하고 있다. 하부 고리(25)와 상부 고리(23)는 반응 챔버의 측벽을 보호하는 작용을 하여, 그 위에 오염물질이 부착되는 것을 방지한다. 실제 활용에있어서, 하부 고리(25)와 상부 고리(23)는, 세정하기 쉽도록, 반응챔버(12A)와 착탈 가능한 방향으로 연결된다. 하부 고리(25)와 상부 고리(23)로 구성된 환형의 벽은 전체 반응 챔버(12A)의 측벽 표면을 피복할 수 있어야 한다는 것은 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
본 실시예에 있어서, 반응챔버(12A)의 측벽 내부에는 그의 원주 방향에 따라 배치된 환형통로(244)가 형성되어있고, 상기 환형 통로(244)는 등류 챔버로 사용되어 흡기 시스템에 연결되며, 반응 챔버(12A)의 내부 측벽에서, 원주 방향에 따라,배기구로 사용되는 복수의 반경방향의 관통 홀(245)이 균일하게 배치되어 있고, 상기 반경 방향의 관통 홀(245)은 환형 통로(244) 및 반응 챔버(12A) 내부와 각각 연결된다. 즉, 반경 방향의 관통 홀(245)의 외측 단부(도3b에 도시된 반경 방향 관통 홀(245)의 오른쪽)는 환형 통로(244)에 연결되고, 반경 방향의 관통 홀(245)의 내측 단부는 반응 챔버(12A)의 내부 측벽에 위치된다. 상기로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 등류 챔버(즉, 환형 통로(244))는 반응 챔버(12A)의 측벽 내부에 인서트 되어있으므로, 장비의 구조를 간소화할 수 있을 뿐만 아니라, 가공과 장착에 유리하다.
흡기 시스템은, 반응 챔버(12A)의 측벽(24) 내에 형성된 흡기통로(243)를 포함하고, 상기 흡기통로(243)의 배기단은 환형 통로(244)에 연결되어있으며, 흡기 통로(243)의 흡기단은 반응 챔버의 상부면에 위치하고, 가스통로(미도시)의 연결 팁(242)에 연결되어있다.
반응 챔버(12A)가 작동될 때, 프로세스 가스는 먼저 흡기 통로(243)를 통과하여 등류 챔버로 사용되는 환형 통로(244)에 유입되고, 환형 통로(244)를 전부 충진할 때까지 사방으로 확산된 후, 각 반경 방향의 관통 홀(245)을 통해 환형 간극(272)내로 균일하게 흘러들어가고, 최종적으로, 반응 챔버12A내에 유입된다. 이에 따라, 흡기 시스템의 가스 통로는 차례로 흡기 통로(243)와 등류 챔버를 통과하여 프로세스 가스를 직접 반응 챔버(12A)내로 운송할 수 있어, 프로세스 가스가 반응 챔버(12A) 내부까지 이르는 유동시간을 단축시킬 수 있을 뿐만 아니라, 프로세스 과정에 참여하는 프로세스 가스의 유량을 보다 정확하게 제어할 수 있으므로, 프로세스 결과에 유리하다. 또한, 반응 챔버(12A)의 사이즈는 프로세스 챔버(10) 보다 작기 때문에, 반응챔버(12A)내에 직접 흘러 들어간 프로세스 가스의 분포가 더욱 균일할 수 있고, 이에 따라, 프로세스의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 흡기 통로(243)의 흡기단을 반응 챔버(12A)의 상부면에 설치함으로써, 반응 챔버(12A) 주변의 공간을 절약할 수 있어, 프로세스 챔버(10)의 구조를 더욱 콤팩트하게할 뿐만 아니라, 기체 통로 등 부품의 착탈에 유리하다.
본 실시예에 있어서, 반응 챔버(12A)내에는 프레스 링(26)이 더 설치되어 있고, 프레스 링(26)은 승강 받침대(13A)가 반응 챔버12A 내로 상승하여 도3a의 위치 E와 같은 위치까지 상승했을 경우, 자중에 의해 칩을 승강 받침대(13A)에 고정시키고, 이때, 승강 받침대(13A)와 프레스 링(26)은 함께 반응챔버(12A) 밑부분의 개구부를 폐쇄하여, 반응챔버(12A)로 하여금 상대적으로 독립된 프로세스 분위기를 형성하도록 한다. 또한, 승강 받침대(13A)가 하강하여, 반응챔버(12A)에서 이출될 때, 프레스링(26)은 하부 고리(25)에 의해 지지되는데, 구체적으로, 하부고리(25)의 하단에는 프레스링(26)을 지지하는 만곡부(252)가 구비되며, 상기만곡부(252)는승강받침대(13A)가 E위치에 위치할 때, 그 끝단은 프레스 링(26) 밑부분이 지지되는 부분보다 낮고, 승강받침대(13A)가 반응챔버(12A)에서 이출되는 경우, 프레스 링(26)은 자동으로 상기 만곡부(252)의 끝단까지 하강된다,
바람직하게, 각 반응 챔버의 끝단에는,각 반응 챔버 내부의 부품을 개별적으로 편리하게 유지보수할 수 있도록, 반응 챔버의 상부 개구부를 개방하거나 폐쇄하는 오픈 장치가 설치되어 있다. 본 실시예에 있어서, 도2d에 도시된 바와 같이, 각 오픈 장치는 반응 챔버의 상부에 설치된 상부 전극 챔버(221)를 포함하고, 상부 전극 챔버(221)와 반응 챔버 사이에는,양자를 전기적으로 절연시키는 절연 고리가 더 설치되어있고, 상기 절연 고리는 세라믹, 유리 등 절연재료를 사용하여 제작될 수 있다.
바람직하게, 오픈 장치는 오픈 구동장치(19)를 더포함하여, 상부 전극 챔버(221)가 회전운동을 하도록 구동한다.즉, 상부 전극 챔버(221)로 하여금 반응 챔버의 상부에 덮히도록 결합시켜, 반응 챔버의 상부 개구부를 폐쇄하거나, 또는반응챔버의 상부에서 바깥쪽으로 회전하도록 하여, 반응챔버의 상부 개구부를 개방하게끔 한다. 오픈 장치(19)는 기압 또는 유압의 방식으로 구동될 수 있다. 본 발명에서는 오픈 구동장치(19)의 구조에 대해 한정하지 않으며, 그 구조가 상기 기능을 실현할 수 있기만 하면 된다. 또한, 실제 활용에있어서, 오픈 구동장치(19)를 생략하여, 수동방식으로 회전운동을 하도록 상부 전극챔버를 구동할 수도 있다.
아래에,상부 전극 챔버(221)의 구조에 대해 상세히 설명한다. 구체적으로, 상부 전극 챔버(221)의 밑부분에 설치된 타겟 물질(20)을 포함한다. 즉, 상부 전극 챔버(221)가 반응 챔버의 상부에 덮이도록 결합될 때, 상기 타겟물질(20)은 반응 챔버의 내부에 위치한다. 또한, 상부 전극 챔버(221)는 상부 전극 챔버(221)내에 설치되고 타겟 물질(20)의 위쪽에 위치하는 마그네트론(222) 및 마그네트론(222)으로 하여금 타겟 물질의 표면에 대하여 회전운동을 하도록 구동하는 마그네트론 구동기구를 더 포함한다.
본 실시예에 있어서, 상기 마그네트론 구동 기구의 구조는 구체적으로, 회전 전동기구, 마그네트론 회전 모터(225) 및 원형 감속기(미도시)를 포함한다.
회전 전동 기구는 대형 동기 풀리(224), 소형 동기 풀리(227) 및 동기 벨트(226)로 구성되고, 동기 벨트를 사용하는 방식으로 회전력을 전달하며, 마그네트론 회전 모터(225)는 상기 회전 전동기구를 통하여 마그네트론(222)으로 하여금 타겟 물질(20)의 표면에 대하여 회전운동을 하도록 구동하고, 방향 전환 감속기는 마그네트론 회전모터(225)의 회전속도를 저감시킨다. 물론, 실제 활용에있어서, 기타 임의의 구조의 마그네트론 구동 기구를 사용할 수도 있으며, 타겟 물질의 표면에 대하여 회전하도록 구동할 수만 있기만 하면 된다.
여기서, 본실시예에있어서, 반응챔버의개수는 4개이지만, 본발명은이에한정되지않고, 실제활용에있어서, 반응챔버의개수는 2개, 3개또는 5개이상일수도있다.
여기서, 본 실시예에 있어서, 적재부는 모두 칩을 적재하는데 사용되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 실제 활용에 있어서, 적재부는 기타 기능, 예를 들면, 차단판(Disk)을 설치하는데 사용되는 등 기능을 구비할 수도 있다.
실시예2
본 실시예는 상기 실시예1과 비교하여, 그 차이점은 단지 칩 전송장치의 구조가 다르다는 것 뿐이다. 본 실시예에 따른 프로세스 챔버의 기타 구조 및 기능에 대해서는 상기 실시예1에서 이미 상세하게 설명하였으므로, 여기서 더 이상 설명하지않는다. 아래에, 본 실시예에 따른 칩 전송장치의 구조에 대해서만 상세히 설명하도록 한다.
구체적으로, 도4a는 본 발명의 실시예2에 따른 프로세스 챔버 내부구조의 사시도이다. 도4b는 본 발명의 실시예2에 따른 프로세스 챔버 내부구조의 평면도이다. 도4a 및 도4b에 도시된 바와 같이, 칩 전송장치는, 매니퓰레이터(13), 승강 받침대(13) 및 씸블장치(15)를 포함한다. 승강 받침대(13)의 개수는 반응 챔버의 개수와 대응되고, 상기 승강 받침대(13)의 구조 및 기능은 상기 실시예1에서의 승강 받침대와 동일하다. 즉, 승강 받침대의 개수는 반응 챔버의 개수와 대응되고, 승강 받침대는 1대 1로 대응되게 반응챔버의 하측에 설치되어 있으며, 각 승강 받침대로 하여금 승강 운동을 하게 함으로써, 그에 대응되는 반응 챔버내로 상승하게 하거나, 또는 그에 대응되는 반응 챔버내로부터 반응 챔버의 하측으로 하강하도록 할 수있다.
씸블장치(15)는 승강 운동이 가능하게 프로세스 챔버(10)내의 칩 전송구(11)와 마주하는 위치에 설치되어있고, 상기 씸블장치(15)의 구조는 상기 실시예1에서의 씸블장치와 동일하다. 즉, 적어도 3개의 씸블(151) 및 적어도 3개의 씸블이 동기적으로 승강 운동을 하도록 구동하는 씸블 승강기구(152)를 포함한다. 프로세스 챔버(10)내로 칩(16)을 적재해야 할 때, 프로세스챔버(10) 외부의 매니퓰레이터는 칩 전송구(11)를 통과하여 프로세스챔버(10) 내로 이동되고, 씸블 승강기구(152)는 적어도 3개 의씸블(151)을 구동하여 상승하도록 하여, 칩(16)을 들어올린 후,프로세스 챔버(10) 외부의 매니퓰레이터는 프로세스 챔버(10)에서 이출된다.
매니퓰레이터(31)는 씸블장치(15)와 임의의 한 개의 승강 받침대(13) 사이 및 임의의 2개의 승강 받침대(13) 사이에서 칩을 전송한다. 구체적으로는, 도4b에 도시된 바와 같이, 매니퓰레이터(31)는 회전가능하게 프로세스 챔버(10)내의 중심 위치에 설치되어있고, 반응 챔버와 미리 설정된 최저 위치의 승강 받침대(13) 사이에 위치된다. 이로부터, 승강 받침대(13)는 상기 최저 위치에 있을 때, 칩(16)을 로딩하거나 언로딩한다는 것을 쉽게 알 수 있다. 본 실시예에 있어서, 매니퓰레이터(31)는 칩 적재부, 3개의 연결 봉 및 3개 부분으로 하여금 차례로 수평면에서 상대적 회전을 하게 하는 2개의 회전 조인트(Revolute)에 의하여 구성되어, 매니퓰레이터(31)는 수평면에서 신축 가능하게 된다. 또한, 매니퓰레이터(31)는 수직방향에 따라 승강 운동을 할 수도 있다. 이에 따라, 매니퓰레이터(31)는 수평면에서의 회전운동, 신축운동 및 수직방향에서의 승강 운동을 결합하여, 가공되지 않은 칩을 반응 챔버내로 전송할 수 있으며, 서로 다른 공정을 수행하는 각 반응챔버에 있어서, 칩은그 중 한 개의 반응 챔버내에서 현재의 공정을 종료한 후, 매니퓰레이터(31)에 의하여 현재의 공정에 대응되는 승강 받침대(13)에서 다음 공정에 대응되는 승강 받침대(13)로 전송될 수 있다.
또한, 매니퓰레이터(31)가 각 승강 받침대(13)에서 칩을 꺼내거나 넣을 수 있도록, 각 승강 받침대(13)에는 칩 브라켓이 더 설치되어 있고, 상기 칩 브라켓은 한 개의 지지 링(322) 및 적어도 3개의 지지 핀(321)을 포함하며, 상기 지지 링(322)은 승강 받침대(13)의 외주를 둘러싸고 설치되며, 승강 받침대(13)가 승강운동할 때 상대적으로 고정되어 움직이지 않는다. 즉, 지지 링(322)은 승강 받침대(13)를 따라 상승하거나 하강하지않고, 적어도 3개의 지지 핀(321)은 지지 링(322)에 고정되며, 승강 받침대(13)의 원주 방향에 따라 균일하게 분포되고, 적어도 3개의 지지 핀(321) 끝단의 높이는 승강 받침대(13)가 미리 설정된 최저 위치에 있을 때, 승강 받침대(13)의 상부면보다 높고, 적어도 3개의 지지 핀(321) 끝단의 높이는 매니퓰레이터(31)의 칩 적재부의 높이보다 높다.
매니퓰레이터(31)이 임의의 한 개의 승강 받침대(31)에서 칩을 적재하는 경우, 상기 승강 받침대(13)는 미리 설정한 최저 위치에 있고, 칩(16)을 적재한 매니퓰레이터(31)는 수평면내에서 신축운동과 회전운동을하여, 칩 적재부로 하여금 상기 승강 받침대(31)에 위치하는 적어도 3개의 지지 핀(321) 끝단 상측으로 이동하도록 하고, 매니퓰레이터(31)는 하강하여, 칩(16)으로 하여금 상기 칩적재부에서 적어도 3개의 지지 핀(321)으로 전달되게 하며, 이어서, 승강 받침대(31)가 상승하여, 상기 칩(16)을 적어도 3개의 지지 핀(321)에서 상기 승강 받침대(16)로 전달되게 하며, 이로써 매니퓰레이터(31)는 임의의 한 개의 승강 받침대(31)로의 칩을 적재하는 동작을 완성한다.
매니퓰레이터(31)가 임의의 한 개의 승강 받침대(31)에서 칩을 꺼내는 경우, 칩(16)이 적재된 상기 승강 받침대(13)는 미리 설정된 최저 위치까지 하강하고, 하강 과정에서 칩(16)을 적어도 3개의 지지 핀(321)의 끝단에 전달시키며, 매니퓰레이터(31)는 수평면내에서 신축운동과 회전운동을하여, 칩 적재부를 상기 지지 핀(321)의 끝단에 설치된 칩(16)의 아래쪽으로 이동시키며, 매니퓰레이터(31)는 상승하여, 칩(16)을 적어도 3개의 지지 핀(321)에서 칩 적재부로 전달되도록 하고, 이로써 매니퓰레이터(31)는 임의의 한 개의 승강 받침대(31)에서 칩을 꺼내는 동작을 완성한다.
상기로부터 알 수 있듯이, 본 실시예의 칩 전송장치는 프로세스 챔버내에 매니퓰레이터(31)를 설치하여, 상기 실시예1의 회전 받침판과 씸블장치를 대체하여, 적어도 하기의 전송 동작을 실현할 수 있다. 즉, 동시에 또는 선후로 칩을 각 반응 챔버내로 전송하거나, 또는선택적으로 칩을 모든 반응 챔버중 적어도 한 개의 반응챔버 내로 전송하며, 각 반응 챔버 사이에서 칩을 전송할 수도있다.
상기 매니퓰레이터(31)는 더욱 원활하게 칩을 전송할 수 있을 뿐만 아니라, 각 반응 챔버에서 서로 다른 공정을 수행하고, 상기 공정에서 소모된 프로세스 시간이 서로 다른 경우, 공정을 먼저 끝낸 칩을 칩 전송구(11)로부터 프로세스 챔버(10)에서 우선적으로 이출시킬 수도 있고, 모든 칩이 공정을 완료하기를 기다렸다가 프로세스 챔버(10)에서 이출시킬 필요가 없으며, 따라서 프로세스 효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 프로세스의 융통성을 가일층 향상시킬 수도 있다.
여기서, 매니퓰레이터(31)의 구조는 본 발명의 상기 실시예의 매니퓰레이터 구조에 한정되지 않고, 실제 활용에 있어서, 기타 임의의 구조의 매니퓰레이터를 사용할 수도 있으며, 씸블장치와 임의의 한 개의 승강 받침대 사이 및 임의의 2개의 승강 받침대 사이에서 칩을 전송할 수 있기만 하면 된다.
또한, 여기서, 본 실시예에 있어서, 씸블장치(15)는 각각 프로세스 챔버(10) 외부의 매니퓰레이터 및 프로세스 챔버(10)내의 매니퓰레이터(31)와 협동하여, 칩을 프로세스 챔버(10) 외부의 매니퓰레이터와 프로세스 챔버(10)내의 매니퓰레이터(31) 사이에서 전송할 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 실제 활용에 있어서, 씸블장치(15)는 생략될 수도 있다. 즉, 프로세스 챔버(10) 외부의 매니퓰레이터와 프로세스 챔버(10)내의 매니퓰레이터는 직접 칩을 전송하는 동작을 수행할 수 있고, 이러한 경우, 구체적인 상황에 따라 프로세스 챔버(10) 내의 매니퓰레이터 구조에 대하여 대응되는 설계를 진행할 수 있다.
다른 하나의 기술적 해결수단으로서, 도5a는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 가공 장비의 구조 간략도이다. 도5a에 도시된 바와 같이, 반도체 가공 장비는 프로세스 챔버(66), 가스제거 챔버(64), 예비세정 챔버(65) 및 전송 챔버(63)를 포함한다.
상기 프로세스 챔버(66)는 칩을 가공하는데 사용되고, 가스제거 챔버(64)는칩상의 수증기를 제거하는데 사용되며, 예비세정 챔버(65)는 칩 표면의 잔여물을 제거하는데 사용되고, 전송 챔버(63)는 프로세스 챔버(66), 가스제거 챔버(64) 및 예비세정 챔버(65)에 각각 연결되며, 내부에는 칩을 각 챔버내로 각각 전송하는 매니퓰레이터(631)가 설치되어 있다.
본 실시예에 있어서, 프로세스 챔버(66)의 개수는 1개이고, 상기 프로세스 챔버(66)는 본 발명의 각 실시예에 따른 상기 한 프로세스 챔버를 사용하며, 구체적으로, 프로세스 챔버(66) 내에는 동시에 칩을 가공하기 위한 4개의 반응 챔버(661A~661D)가 설치되어 있다.
본 실시예에있어서, 반도체 가공 장비는 가공되지 않은 칩과 가공된 칩을 각각 적재하는 2개의 적재 테이블(62)을 더 포함하고, 전송 챔버(63)는 2개의 적재 테이블(62)과 각각 연결되어, 그 중 한 개의 적재 테이블(62)에서 가공되지 않은 칩을 꺼내고, 가공된 칩을 다른 한 개의 적재 테이블(62)에 전송하는데 사용된다.
본 실시예에 있어서, 반도체 가공 장비는 4개의 기능모듈, 즉, 프로세스 챔버(66), 가스제거 챔버(64), 예비세정 챔버(65) 및 적재 테이블(62)을 구비하므로, 전송 챔버(63)를 장방체로 설계할 수 있고, 상기 장방체의 4측면은 1대 1로 대응되게 4개의 기능모듈에 연결되어있다. 상기로부터 알 수 있다싶이, 프로세스챔버(66)의 개수, 즉, 기능모듈의 개수를 증가하지 않는 전제에서, 반응 챔버의 개수가 증가하거나 감소하여도, 프로세스 챔버(66)와 전송 챔버(63)의 대응연결에 영향을 주지 않으며 (전송챔버(63) 주변의 공간이 허용하는 조건하에), 따라서 반응 챔버의 개수만을 증가하여 동시에 가공을 실시하는 공정의 개수를 증가하는 경우, 전송챔버(63)의 구조를 다시 설계할 필요가 없게 되고, 장비의 제조원가를 낮출 수 있다.
여기서, 본 실시예에 있어서, 프로세스 챔버(66)의 개수는 1개이지만, 본 발명은 이에 한정되지않고, 실제 활용에 있어서, 프로세스 챔버의 개수는 2개 이상으로 설치될 수도 있다. 또한, 복수개의 프로세스 챔버는 전송 챔버의 원주방향에 따라 분포된다. 예를 들면, 도5b에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 가공 장비는 2개의 프로세스 챔버(711,712)를 구비한다.즉, 도5a에 도시된 반도체 가공 장비를 기반으로 한 개의 프로세스 챔버를 증가하였고, 기타 기능모듈은 동일하다. 이러한 경우, 기능모듈의 개수가 5개로 증가되므로, 전송챔버(63)는 입체 오각형으로설계될 수 있고, 상기 입체 오각형의 5개 측면은 1대 1로 대응되게 5개의 기능모듈에 연결된다.
실제 활용에 있어서, 반도체 가공 장비는 물리적 기상 증착 장비를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 가공 장비는, 본 발명의 상기 각 실시예에 따른 프로세스 챔버를 사용하고, 적어도 2개의 반응 챔버를 이용하여 동시에 2개 이상의 공정을 실시함으로써, 챔버의 개수를 증가할 필요가 없고, 따라서 전송챔버의 구조를 다시 설계할 필요도 없으며, 장비의 제조원가를 더욱 낮출 수 있다. 또한, 적어도 2개의 반응챔버가 프로세스 챔버의 원주방향에 따라 균일하게 분포되어 있으므로, 종래기술에 비교하여, 프로세스 챔버의 전체 구조가 더욱 콤팩트하게 되고, 보다 작은 공간을 차지하게 된다.
상기 실시형태는 본 발명의 원리를 설명하기 위하여 사용한 예시적인 실시형태에 불과할 뿐, 본 발명은 이에 한정되지않는다는 것은 쉽게 이해될 수 있을 것이다. 해당 분야의 일반 기술자라면,본 발명의 주지와 본질을 벗어나지 않는 상황에서, 여러 가지 변형이나 개선을 실시할 수 있고, 이러한 변형이나 개선도 본 발명의 보호범위에 속한다.

Claims (20)

  1. 적어도 2개의 반응 챔버, 칩 전송장치 및 서로 독립된 적어도 2개의 흡기 시스템을 포함하는 프로세스 챔버에 있어서,
    상기 적어도 2개의 반응 챔버는 상기 프로세스 챔버의 내부에 설치되며, 상기 프로세스 챔버의 원주 방향에 따라 균일하게 분포되고, 각 반응 챔버내는 독립된 프로세스 환경을 구성하며,
    상기 흡기 시스템은 1대 1로 대응되게 상기 반응 챔버와 연통되고, 상기 반응 챔버로 프로세스 가스를 전송하며,
    상기 칩 전송장치는 칩을 상기 반응 챔버내로 전송하고, 칩 전송장치는 승강 받침대를 포함하고, 승강 받침대는 1대 1로 대응되게 상기 반응 챔버의 하측에 설치되고, 각각의 승강 받침대는 승강운동하여 상응하는 반응 챔버를 내로 상승하여 반응 챔버를 폐쇄하거나 상응하는 반응 챔버부로부터 이출가능하게 구동되는 것을 특징으로 하는 프로세스챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 칩 전송장치는 회전 받침판 및 씸블장치를 포함하고,
    상기 회전 받침판은 상기 적어도 2개의 반응 챔버의 하측에 설치되며, 상기회전 받침판 위에는 칩을 적재하는 복수의 적재부가 설치되어있고, 상기 복수의 적재부는 상기 회전 받침판의 원주방향에 따라 균일하게 분포되며, 상기 회전 받침판은 회전운동을 하여, 각 반응 챔버의 하측으로 하여금 1개의 상기 적재부에 각각 대응하게하며, 상기 회전 받침판의 각 적재부가 있는 위치에는 관통 홀이 설치되어있고,
    각 승강 받침대는 승강운동하여, 그와 대응하는 적재부를 관통하며, 상응한 상기 반응 챔버내로 상승하여, 상기 반응챔버를 폐쇄하거나 상기 회전 받침판의 아래쪽으로 하강하며,
    상기 프로세스 챔버의 측벽에는 칩을 상기 프로세스 챔버로 공급하거나 상기 프로세스 챔버에서 이출하는데 사용되는 칩 전송구가 설치되어 있고, 상기 씸블장치는 상기 프로세스 챔버내의 상기 칩 전송구와 마주하는 위치에 설치되어 있으며, 상기 씸블장치는 승강운동을 통하여, 그 끝단으로 하여금 상기 적재부를 관통하도록 하고, 상기 회전 받침판보다 높거나 낮은 위치에 이르도록 하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 적재부의 개수는 상기 반응 챔버의 개수와 동일하거나, 또는 상기 반응챔버 개수의 정수 배인 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 칩 전송장치는 칩을 상기 승강 받침대에 전송하는 매니퓰레이터를 포함하며,
    상기 승강 받침대의 개수는 상기 반응 챔버의 개수와 대응되는 것을 특징으로하는 프로세스 챔버.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버의 측벽에는 칩을 상기 프로세스 챔버로 공급하거나 상기 프로세스 챔버에서 이출하는데 사용되는 칩 전송구가 설치되어 있으며,
    상기 칩 전송장치는, 승강운동이 가능하게 상기 프로세스 챔버내의 상기 칩 전송구와 마주하는 위치에 설치된 씸블장치를 더 포함하고,
    상기 매니퓰레이터는 상기 씸블장치와 임의의 한 개의 승강 받침대 사이 및 임의의 2개의 승강 받침대 사이에서 칩을 전송하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    각 승강 받침대에는 1개의 지지링과 적어도 3개의 지지핀을 포함하는 칩 브라켓이 설치되어 있으며,
    상기 지지링은 상기 승강 받침대의 외주에 설치되어 있고, 상기 승강 받침대가 승강 운동할 때 상대적으로 고정되어 움직이지않으며,
    상기 적어도 3개의 지지핀은 상기 지지링에 고정되고, 상기 승강 받침대의 원주방향에 따라 균일하게 분포되며, 상기 적어도 3개의 지지핀의 끝단의 높이는,상기 승강 받침대가 미리 설정된 최저위치에 있을 때, 상기 승강 받침대의상부면보다 높은 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  7. 제2항 또는 제4항에 있어서,
    상기 반응 챔버에는 상기 흡기 시스템에 연결된 등류 챔버가 설치되어있으며,
    상기 등류 챔버는 복수 개의 배기구를 구비하고, 상기 등류 챔버의 원주방향에 따라 균일하게 분포되어있으며, 상기 등류 챔버내의 프로세스 가스를 상기 반응 챔버내로 이송시키는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 반응 챔버내에는 상부 고리 및 하부 고리를 포함하는 부싱링 조립체가 설치되어있고, 상기 상부 고리는 상기 하부 고리의 내측에 위치하며, 상기 상부 고리와 상기 하부 고리 사이에 환형 간극을 구비하고,
    상기 반응 챔버의 측벽 내부에는 원주방향에 따라 배치되고 등류 챔버로 사용되는 환형 통로가 형성되어있으며,
    상기 반응 챔버의 내측벽에는 원주방향에 따라, 상기 배기구로 사용되며,각각 상기 환형 통로와 상기 환형 간극에 연결되는 복수 개의 반경방향의 관통 홀이 균일하게 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 각 승강 받침대는 협동으로 작동되어,
    프로세스 시작 전에, 상기 각 승강 받침대가 동시에 상기 각 반응 챔버내로 상승하고, 상기 각 반응 챔버중 적어도 한 개는 프로세스를 실시하는 반응 챔버로 선택되며, 또한,
    프로세스를 실시하는 모든 반응 챔버가 각자의 공정을 완료한 후, 상기 각 승강 받침대는 동시에 상기 회전 받침판의 하측으로 하강시키는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 칩 전송장치는,
    상기 회전 받침판의 외주벽에 설치되며, 미리 설정된 원점위치에 대응하는 위치에 있는 원점복귀 센서의 검출부;
    상기 회전 받침판이 회전할 때, 상기 원점복귀 감지 시트를 인식하는 것을 통하여 상기 회전 받침판의 원점위치를 검출하는 원점복귀 센서;
    개수가 상기 적재부의 개수와 대응되고, 상기 회전 받침판의 외주벽에 설치되며, 상기 적재부와 1대 1로 대응되는 위치에 있는 위치센서 검출부;
    회전 받침판이 회전할 때, 각 위치센서 검출부를 인식하는 것을 통하여 각 적재부의 위치를 검출하는 위치 센서;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 반응 챔버내에는 상기 승강 받침대가 상기 반응 챔버내로 상승했을 때, 자중을 이용하여 칩을 상기 승강 받침대에 고정시키는 프레스링이 더 설치되어있고,
    상기 하부고리는 상기 승강 받침대가 상기 반응 챔버에서 이출될 때, 상기프레스링을 지지하는 것을 특징으로하는 프로세스 챔버.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 반응 챔버의 상부에는 상기 반응 챔버의 상부 개구부를 개방하거나 폐쇄하는 오픈 장치가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 오픈장치는 상부 전극 챔버를 포함하고,
    상기 상부 전극 챔버는,
    저면에 설치된 타겟 물질,
    내부에 설치되고 상기 타겟 물질의 상부에 위치하는 마그네트론,
    상기 마그네트론으로 하여금 상기 타겟 물질 표면에 대하여 회전운동을 하도록 구동하는 마그네트론 구동기구,
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 마그네트론 구동기구는,
    대형 동기 풀리, 소형 동기 풀리 및 동기 벨트를 구비하는 회전 전동기구;
    상기 회전 전동기구에 의하여, 상기 마그네트론을 구동하여, 상기 타겟 물질의 표면에 대하여 회전 운동을 하도록하는 마그네트론 회전모터;
    상기 마그네트론 회전모터의 회전속도를 저감시키는 방향전환 감속기;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  15. 제2항 또는 제4항에 있어서,
    상기 칩 전송장치는, 개수가 승강 받침대의 개수와 대응되고, 1대 1로 대응되게 상기 승강 받침대를 구동하여 승강운동을 하도록하는 승강 구동기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  16. 제2항에 있어서,
    상기 관통홀의 직경은 상기 칩의 직경보다 작거나, 또는
    상기 관통홀의 직경은 상기 칩의 직경보다 크거나 동일하며,
    각 관통홀내에는 상기 관통홀내에 위치하는 칩을 지지하는 지지부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  17. 제2항에 있어서,
    상기 칩 전송장치는, 상기 회전 받침판을 회전 운동하도록 구동시키는 회전 구동기구를 더 포함하며,
    상기 회전 구동기구는,
    상기 프로세스 챔버내의 중심위치에 설치되어, 상기 회전 받침판에 연결되는 자성 유체 베어링;
    상기 자성 유체 베어링에 의하여 상기 회전 받침판을 상기 프로세스 챔버의 중심을 에워싸고 회전하도록 구동하는회전모터;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  18. 반도체 가공 장비에 있어서,
    칩을 가공하는데 사용되는 프로세스 챔버;
    칩상의 가스를 제거하는데 사용되는 가스제거 챔버;
    칩 표면의 잔여물을 제거하는데 사용되는 예비세정 챔버;
    상기 프로세스 챔버, 상기 가스제거 챔버 및 상기 예비세정 챔버에 각각 연결되고, 내부에 칩을 각 챔버내로 각각 운송하는 매니퓰레이터가 설치된 전송 챔버;
    를 포함하고,
    상기 프로세스 챔버는 청구항 1에 기재된 프로세스 챔버를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 장비.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버의 개수는 1개 또는 복수 개이고, 상기 복수 개의 프로세스 챔버는 상기 전송 챔버의 원주 방향에 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 장비.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 반도체 가공 장비는 물리적 기상 증착 장비를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 장비.

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