KR102242289B1 - 가스 제거 챔버 및 반도체 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

가스 제거 챔버 및 반도체 처리 장치는, 캐비티(1) 및 카세트(2)를 포함하며, 캐비티(1)의 측벽에는 개구부(11)가 형성되고, 카세트(2)는 캐비티(1) 내에서 수직 방향으로 이동할 수 있다. 가스 제거 챔버는 챔버(1) 내에 구비되는 가열 유닛(3)을 더 포함하며, 가열 유닛(3)은 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)을 포함하며, 캐비티(1)는 개구부(11)에 의해 제1 캐비티(12) 및 제2 캐비티(13)로 분할되며; 제1 광원 유닛(31)은 제1 캐비티(12)의 내부에 위치하고, 제2 광원 유닛(32)은 제2 캐비티(13)의 내부에 위치하며; 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)은 카세트(2) 내의 기판에 대해 가열을 진행한다. 상기 가스 제거 챔버는 카세트(2) 내의 기판이 개구부(11)의 상부 영역에 있든 또는 개구부(11)의 하부 영역에 있든 상관없이 광원에 의해 가열될 수 있어, 가스 제거 공정 및 기판의 픽업/드롭 과정에서 기판의 공정 온도가 균형되는 것을 보장할 수 있다.

Description

가스 제거 챔버 및 반도체 처리 장치 {DEGASSING CHAMBER AND SEMICONDUCTOR PROCESSING DEVICE}
본 발명은 반도체 부품 제조 기술 분야와 관련되며, 구체적으로, 가스 제거 챔버 및 반도체 처리 설비와 관련된다.
물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 기술은 반도체 제조 기술 분야에서 널리 사용되고 있다. PVD 공정에서, 대기에서 기판에 의해 흡착된 수증기와 같은 불순물을 제거하고, 기판의 표면을 세정하고, 후속 공정에 가능한 깨끗한 기판을 제공하기 위해, 통상적으로 가스 제거(degas) 공정 단계가 요구된다. 예를 들면, 도 1에 도시된 구리 상호 연결 PVD 공정 흐름에는 가스 제거 공정 단계가 포함된다.
일반적으로, 가스 제거 공정은 가스 제거 가열 시스템에 의해 수행된다. 예를 들면, 도 2는 진공 챔버(4), 카세트(2), 리프팅 시스템(5) 및 광원(6)을 주로 포함하는, 종래의 가스 제거 가열 시스템을 도시하고 있다. 진공 챔버(4)는 처리 환경을 제공하고, 또한 그 측벽 상에 개구부(11)를 형성하여, 기판을 진공 챔버(4) 내외로 출입시키며; 카세트(2)는 복수의 기판을 운반하며, 리프팅 시스템(5)은 카세트(2)를 승강하도록 구동하여 상이한 높이의 위치에 놓인 카세트(2) 중의 기판을 개구부(11)에 대응하는 높이의 위치로 이송하여, 픽업/드롭을 용이하게 하며; 광원(6)은 열을 공급한다.
상기 가스 제거 가열 시스템의 작업 흐름은 다음과 같다: 1) 개구부(11)로부터 1배치의 복수의 기판을 받아, 리프팅 시스템(5)의 승강을 통해 상기 복수의 기판을 카세트(2) 내의 상이한 높이의 위치에 놓는다; 2) 카세트(2)는 리프팅 시스템(5)의 구동 하에 광원(6) 근처의 가스 제거 공정 위치로 이동된다; 3) 광원(6)을 턴온하고, 기판을 가열하여 가스 제거 작동을 수행한다; 4) 광원(6)을 턴오프하고, 리프팅 시스템(5)를 구동하여 기판(2)을 개구부(11)에 대응하는 높이 위치로 이동시키며, 로봇으로 기판을 제거한다; 5) 카세트(2)에 기판을 보충한다; 6) 가스 제거 대상 기판의 가스 제거 공정이 완료될 때까지 1) 단계 ~ 5) 단계를 반복한다
실제 가스 제거 공정 시, 개구부(11)는 광원(6)의 아래 방향에 위치하고 있기 때문에, 기판을 픽업/드롭할 때마다, 카세트(2)를 광원(6)과 대응하는 위치로부터 개구부(11)와 대응하는 위치로 아래로 이동시킬 필요가 있다. 따라서, 카세트(2)는 광원(6)과 대응하는 위치로부터 벗어날 수 있어, 그 내부의 기판과 함께 카세트(2)의 온도가 감소되고, 또한 기판의 온도 저하 정도가 제어 가능하지 않다. 또한, 카세트(2) 내의 기판은 카세트(2)의 동일한 하강 시에 완전히 제거되지 않기 때문에, 각각의 기판이 카세트(2)로부터 제거되는 온도는 제어 가능한 이상적인 온도가 아니고 또한 온도도 불일치하기 때문에, 후속 공정 결과의 일치성 및 안정성에 영향을 미친다.
본 발명은 종래 기술에 존재하는 상기 기술 문제를 해결하기 위해, 가스 제거 챔버 및 반도체 처리 장치를 제공한다. 상기 가스 제거 챔버는 카세트 내의 기판이 개구부의 상부 영역에 있든, 개구부의 하부 영역에 있든 상관없이, 광원에 의해 가열될 수 있도록 하여, 가스 제거 공정 및 픽업/드롭 과정에서 기판의 공정 온도가 균형되는 것을 보장한다.
본 발명은, 캐비티 및 카세트를 포함하고, 상기 캐비티의 측벽에는 개구부가 형성되고, 상기 개구부는 기판이 상기 캐비티를 출입하게 하며, 상기 카세트는 상기 캐비티 내에서 수직 방향으로 이동 가능한 가스 제거 챔버에 있어서, 상기 챔버 내에 구비되는 가열 유닛을 더 포함하며, 상기 가열 유닛은 제1 광원 유닛 및 제2 광원 유닛을 포함하며, 상기 캐비티는 상기 개구부에 의해 제1 캐비티 및 제2 캐비티로 분할되며; 상기 제1 광원 유닛은 상기 제1 캐비티의 내부에 위치하고, 상기 제2 광원 유닛은 상기 제2 캐비티의 내부에 위치하며; 상기 제1 광원 유닛 및 상기 제2 광원 유닛은 상기 카세트 내의 기판에 대해 가열을 진행하는 가스 제거 챔버를 제공한다.
바람직하게, 상기 가열 유닛은 제1 반사 실린더 및 제2 반사 실린더를 더 포함하며, 상기 제1 반사 실린더는 상기 제1 캐비티와 상기 제1 광원 유닛 사이에 위치하고; 상기 제2 반사 실린더는 상기 제2 캐비티와 상기 제2 광원 유닛 사이에 위치하며;
상기 제1 반사 실린더 및 상기 제2 반사 실린더는 그 위에 조사된 광을 상기 카세트 내의 기판에 반사시킨다.
바람직하게, 상기 제1 반사 실린더와 상기 제2 반사 실린더는 대접되어 일체를 형성하고, 또한 상기 개구부와 서로 대응되는 위치에는 제1 개구가 형성되고, 상기 제1 개구는 상기 기판을 통과시킬 수 있다.
바람직하게, 상기 가열 유닛은 제1 반사판 및 제2 반사판을 더 포함하며, 상기 제1 반사판은 상기 개구부로부터 떨어진 상기 제1 반사 실린더의 일단에 덮이고, 상기 제2 반사판은 상기 개구부로부터 떨어진 상기 제2 반사 실린더의 일단에 덮이며;
상기 제1 반사판 및 상기 제2 반사판은 그 위에 조사된 광을 상기 카세트로 반사시킨다.
바람직하게, 상기 제1 광원 유닛은 복수의 제1 라인 광원을 포함하며, 상기 복수의 제1 라인 광원은 서로 평행하며 원으로 배열되며; 상기 제1 라인 광원의 길이 방향은 상기 카세트의 이동 방향과 평행하며;
상기 제2 광원 유닛은 복수의 제2 라인 광원을 포함하며, 상기 복수의 제2 라인 광원은 서로 평행하며 원으로 배열되며; 상기 제2 라인 광원의 길이 방향은 상기 카세트의 이동 방향과 평행하며; 상기 카세트는 상기 제1 광원 유닛 및 상기 제2 광원 유닛에 의해 둘러싸인 공간 내에서 이동할 수 있다.
바람직하게, 상기 제1 반사 실린더 및 상기 제2 반사 실린더의 내벽은 그 위에 조사된 광이 난반사 및/또는 정반사되게 할 수 있다.
바람직하게, 상기 제1 반사 실린더의 실린더 내부와 마주보는 제1 반사판의 내벽 및 제2 반사 실린더의 실린더 내부와 마주보는 제2 반사판의 내벽은 그 위에 조사된 광이 난반사 및/또는 정반사되게 할 수 있다.
바람직하게, 상기 제1 반사 실린더 및 상기 제2 반사 실린더는 스테인레스강 재료를 사용한다.
바람직하게, 상기 제1 반사판 및 상기 제2 반사판은 스테인레스강 재료를 사용한다.
본 발명은 또한 상기 가스 제거 챔버를 포함하는 반도체 처리 장치를 제공한다.
본 발명에 의해 제공되는 가스 제거 챔버는, 개구부에 의해 제1 캐비티와 제2 캐비티로 분할되어 각각 제1 광원 유닛과 제2 광원 유닛이 구비됨으로써, 카세트 내의 기판이 개구부의 상부 영역에 있든 또는 개구부의 하부 영역에 있든 상관없이 광원에 의해 가열될 수 있게 되어, 가스 제거 공정 및 기판의 픽업/드롭 공정에서 공정 온도가 균형되는 것을 보장할 수 있으며, 기판의 가스 제거 공정 품질을 향상할 수 있을 뿐만 아니라, 후속 공정에 더욱 깨끗한 기판을 제공할 수 있다.
본 발명에 의해 제공되는 반도체 처리 장치는, 상기 가스 제거 챔버를 사용함으로써, 반도체 처리 장치의 처리 공정 품질을 제고한다.
도 1은 종래 기술에서 구리 상호 연결 PVD의 공정 흐름의 개략도이다.
도 2는 종래 기술에서 가스 제거 가열 시스템의 구조 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 가스 제거 챔버의 구조 개략도이다.
도 4는 도 3의 제1 광원 유닛의 구조 개략도이다.
도 5는 본 발명의 실시예1에 따른 가스 제거 챔버의 구조 분해 개략도이다.
도 6은 본 발명의 실시예1에 따른 제1 광원 유닛의 구조 분해 개략도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 1에 따른 제2 광원 유닛의 구조 단면도이다.
본 분야의 기술자가 본 발명의 기술 방안 더 잘 이해할 수 있도록, 다음은 첨부 도면 및 구체적 실시 방식을 결합하여 본 발명에 의해 제공되는 가스 제거 챔버 및 반도체 처리 장치에 대해 더 상세히 설명한다.
실시예 1:
본 실시예는 가스 제거 챔버를 제공하며, 도 3에 도시된 바와 같이 캐비티(1) 및 카세트(2)를 포함한다. 캐비티(1)의 측벽에는 개구부(11)가 형성되고, 개구부(11)는 기판이 캐비티(1)를 출입하는 통로가 되며; 카세트(2)는 캐비티(1) 내에서 수직 방향으로 이동할 수 있다. 가스 제거 챔버는 챔버(1) 내에 구비되는 가열 유닛(3)을 더 포함하며, 가열 유닛(3)은 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)을 포함하며, 캐비티(1)는 개구부(11)에 의해 제1 캐비티(12) 및 제2 캐비티(13)로 분할되며; 제1 광원 유닛(31)은 제1 캐비티(12)의 내부에 위치하고, 제2 광원 유닛(32)은 제2 캐비티(13)의 내부에 위치한다. 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)은 카세트(2) 내의 기판에 대해 가열을 진행한다. 따라서, 카세트(2) 내의 기판은 개구부(11)의 상부 영역에 있든 또는 개구부(11)의 하부 영역에 있든 상관없이 광원에 의해 가열될 수 있어, 가스 제거 공정 및 기판의 픽업/드롭 과정에서 기판의 공정 온도가 균형되는 것을 보장할 수 있으며, 기판의 가스 제거 공정 품질을 향상할 수 있을 뿐만 아니라, 후속 공정에 더욱 깨끗한 기판을 제공할 수 있다.
그 중, 제1 광원 유닛(31)은 제1 캐비티(12)의 원주 방향을 따라 제1 캐비티(12)를 둘러싸 제1 캐비티(12)의 측벽의 내측에 구비되며; 제2 광원 유닛(32)은 제2 캐비티(13)의 원주 방향을 따라 제2 캐비티(13)를 둘러싸 제2 캐비티(13)의 측벽의 내측에 구비된다; 구체적으로, 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)은 캐비티(1) 내에서 수직 방향으로 구비되고, 또한 개구부(11)에 대해 대칭이며, 카세트(2)는 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛에 의해 둘러싸인 공간 내에서 수직으로 이동할 수 있어, 카세트(2)가 캐비티(1) 내의 어느 위치로 이동하든 관계없이, 카세트(2) 내의 기판이 제1 광원 유닛(31) 또는 제2 광원 유닛(32)에 의해 균형 가열되게 할 수 있다. 따라서, 기판을 캐비티(1) 내외로 출입시킬 필요가 있는 경우, 제1 캐비티(11) 및 제2 캐비티(12) 내의 카세트(2)의 위치가 변경되더라도, 그 내부의 기판은 제1 광원 유닛(31) 및/또는 제2 광원 유닛(32)에 의해 가열될 수 있다.
제1 광원 유닛(31) 또는 제2 광원 유닛(32)은 둘러싸 가열 공간을 형성하기 때문에, 이들은 각자 카세트(2) 주위에서 그 내부의 기판을 균일하게 가열 할 수 있어, 카세트(2) 내의 기판의 온도 균일성을 향상시킬 수 있다. 물론, 실제 응용에서, 카세트 내의 기판을 가열할 수 있는 한, 제1 광원 유닛 또는 제2 광원 유닛은 임의의 다른 구조를 채용할 수 있다.
본 실시예에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 광원 유닛(31)은 복수의 제1 라인 광원(300)을 포함한다. 각 제1 라인 광원(300)의 길이 방향은 카세트(2)의 이동 방향이고, 복수의 제1 라인 광원(300)은 서로 평행하며 캐비티(1)의 원주 방향을 따라 원으로 배열된다. 유사하게, 제2 광원 유닛(32)은 복수의 제2 라인 광원을 포함하며, 각 제2 라인 광원의 길이 방향은 카세트(2)의 이동 방향이고, 복수의 제2 라인 광원은 서로 평행하며 캐비티(1)의 원주 방향을 따라 원으로 배열된다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 라인 광원(300)의 상단은 제1 도전성 링(311)에 연결되고, 복수의 제1 라인 광원(300)의 하단은 제2 도전성 링(312) 에 연결된다. 따라서, 복수의 제1 라인 광원(300)은 제1 도전성 링(311) 및 제2 도전성 링(312)에 의해 병렬로 연결된다. 제1 라인 광원(300)과 유사하게, 복수의 제2 라인 광원의 상단은 제 3 도전성 링에 연결되고, 복수의 제2 라인 광원의 하단은 제 4 도전성 링에 연결된다. 따라서, 복수의 제2 라인 광원은 제 3 도전성 링 및 제 4 도전성 링에 의해 병렬로 연결된다. 카세트(2)는 제1 라인 광원(300)과 제2 라인 광원에 의해 둘러싸인 공간 내에서 이동 가능하다.
바람직하게, 제1 광원 유닛(31)과 제2 광원 유닛(32)이 각각 360 도의 범위 내에서 균일하게 발열하기 위해서, 임의의 인접된 2 개의 제1 라인 광원(300)의 간격은 동일하게 되게 하고, 임의의 2 개의 제2 라인 광원의 간격은 동일하게 한다. 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)을 이와 같이 배치함으로써, 제1 라인 광원(300) 및 제2 라인 광원에 의해 둘러싸인 공간 내의 가열 에너지 및 온도가 균일하게 유지될 수 있어, 카세트(2) 내의 기판이 균일하게 가열될 수 있다.
본 실시예에서, 가열 유닛(3)은 제1 반사 실린더(33) 및 제2 반사 실린더(34)를 더 포함한다. 그 중, 제1 반사 실린더(33)는 제1 캐비티(12)와 제1 광원 유닛(31) 사이에 위치하며; 제2 반사 실린더(34)는 제2 캐비티(13)와 제2 광원 유닛(32) 사이에 위치한다; 제1 반사 실린더(33) 및 제2 반사 실린더(34)는 그 위에 조사된 광을 카세트(2) 및 그 내부의 기판에 반사시키는데 사용된다. 즉, 제1 반사 실린더(33) 및 제2 반사 실린더(34)는 그 위로 전달된 열을 카세트(2) 및 그 내부의 기판에 반사시키는데 사용된다. 구체적으로, 제1 반사 실린더(33)는 원주 방향을 따라 폐쇄된 원통형 구조이며, 제1 광원 유닛(31)의 원주 방향을 따라 제1 광원 유닛(31)의 주위를 둘러싸 제1 광원 유닛(31)과 제1 캐비티(12) 사이에 구비된다; 제2 반사 실린더(34)는 원주 방향을 따라 폐쇄된 원통형 구조이며, 제2 광원 유닛(32)의 원주 방향을 따라 제2 광원 유닛(32)의 주위를 둘러싸 제2 광원 유닛(32)과 제2 캐비티(13) 사이에 구비된다. 이러한 구성에 의해, 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)에서 발생된 열을 실린더 내에 양호하게 유지할 수 있어, 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)의 열 이용율을 제고하고, 가열 효율을 향상시킬 수 있다. 동시에, 제1 반사 실린더(33) 및 제2 반사 실린더(34) 내의 가열 온도를 균형되게 하여, 카세트(2) 내의 기판이 균일하게 가열될 수 있게 한다.
바람직하게, 제1 반사 실린더(33)와 제2 반사 실린더(34)는 대접되어 일체를 형성하고, 또한 개구부(11)와 서로 대응되는 위치에는 제1 개구(30)가 형성되고, 제1 개구(30)는 기판을 통과시킬 수 있다. 대접되어 일체로 형성된 제1 반사 실린더(33) 및 제2 반사 실린더(34)는 실린더 내의 가열 에너지를 보다 양호하게 유지할 수 있어, 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)의 열 이용율을 보다 향상시키고, 가열 효율을 제고한다. 동시에 대접되어 일체로 형성된 제1 반사 실린더(33) 및 제2 반사 실린더(34) 내의 가열 온도가 균일함을 보장한다. 제1 개구(30)는 개구부(11)와 대응되어, 캐비티(1) 내로 기판의 진출입을 용이하게 한다.
본 실시예에서, 바람직하게, 제1 반사 실린더(33) 및 제2 반사 실린더(34)의 내벽에 대해 광택 및/또는 표면 처리를 통해, 그 위에 조사된 광이 및/또는 정반사되게 할 수 있다. 난반사는 실린더 내에서 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)에 의해 방출된 광이 균일하게 조사되고 균일하게 반사되게 하여, 실린더 내의 가열 에너지를 보다 균일하게 할 수 있다. 정반사는 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)에 의해 방출된 대부분의 광이 실린더 내로 다시 반사되도록 하여, 가열 에너지의 손실을 감소시키고, 실린더 내에서 열균형이 보장되게 할 수 있다.
본 실시예에서, 가열 유닛(3)은 제1 반사판(35) 및 제2 반사판(36)을 더 포함한다. 제1 반사판(35)은 개구부(11)로부터 떨어진 제1 반사 실린더(33)의 일단에 덮이고, 제2 반사판(36)은 개구부(11)로부터 떨어진 제2 반사 실린더(34)의 일단에 덮인다; 제1 반사판(35) 및 제2 반사판(36)은 그 위에 조사된 광을 카세트(2) 및 그 내부의 기판으로 반사시키기 위한 것이다. 제1 반사판(35) 및 제2 반사판(36)을 구비함으로써, 제1 반사판(35) 및 제2 반사판(36)이 대접되어 형성된 실린더가 밀폐된 공간을 형성하게 하여, 제1 반사판(35) 및 제2 반사판(36)의 광반사 작용 하에, 실린더 내 밀폐 공간의 가열 에너지가 그 내부에 유지되게 하여, 제1 반사판(35) 및 제2 반사판(36)의 열이용율을 향상시키고, 가열 효율을 제고한다. 동시에, 또한 캐비티(1)의 외부 환경의 실린더 내 밀폐 환경에 대한 간섭을 감소시켜, 실린더 내에 형성된 밀폐 공간의 가열 환경이 균형을 이루도록 보장하고, 또한 실린더 내에 형성된 밀폐 공간 내의 기판이 균형되게 가열되는 것을 보장할 수 있다.
바람직하게, 제1 반사판(35) 및 제2 반사판(36)이 서로 마주보는 벽면(즉, 제1 반사판(35)의 내벽 및 제2 반사판(36)의 내벽)에 대해 광택 및/또는 표면 처리를 통해, 그 위에 조사된 광이 난반사 및/또는 정반사되게 할 수 있다. 난반사는 실린더 내에서 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)에 의해 방출된 광이 균일하게 조사되고 균일하게 반사되게 하여, 실린더 내의 가열 에너지를 보다 균일하게 할 수 있다. 정반사는 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)에 의해 방출된 대부분의 광이 실린더 내로 다시 반사되도록 하여, 가열 에너지의 손실을 감소시키고, 실린더 내에서 열의 이용율 및 균형성이 보장되게 할 수 있다.
본 실시예에서, 바람직하게, 제1 반사 실린더(33), 제2 반사 실린더(34), 제1 반사판(35) 및 제2 반사판(36)은 스테인레스강 재료를 사용할 수 있다. 스테인리스강은 열을 잘 전달하므로, 실린더 내부의 열을 보다 균일하게 한다. 물론, 제1 반사 실린더(33) 및 제2 반사 실린더(34), 제1 반사판(35) 및 제2 빈시판(36)은 세라믹스 등과 같은 다른 재료를 사용할 수도 있다.
본 실시예에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 광원 유닛(31)은 복수의 제1 라인 광원(300)을 포함한다. 각 제1 라인 광원(300)의 길이 방향은 카세트(2)의 이동 방향이고, 복수의 제1 라인 광원(300)은 서로 평행하며, 캐비티(1)의 원주 방향을 따라 원으로 배열된다. 유사하게, 제2 광원 유닛(32)은 복수의 제2 라인 광원을 포함하며, 각 제2 라인 광원의 길이 방향은 카세트(2)의 이동 방향이고, 복수의 제2 라인 광원은 서로 평행하며, 캐비티(1)의 원주 방향을 따라 원으로 배열된다.
본 실시예에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 라인 광원(300)의 상단은 제1 도전성 링(331)에 연결되고, 복수의 제1 라인 광원(300)의 하단은 제2 도전성 링(332) 에 연결된다. 따라서, 복수의 제1 라인 광원(300)은 제1 도전성 링(331) 및 제2 도전성 링(332)에 의해 병렬로 연결된다. 즉, 제1 도전성 링(331) 및 제2 도전성 링(332)은 각각의 제1 라인 광원(300)의 양극 및 음극의 공통 전극으로서 사용된다. 제2 라인 광원의 연결 방식은 제1 라인 광원(300)과 유사하게, 복수의 제2 라인 광원의 상단은 제 3 도전성 링에 연결되고, 복수의 제2 라인 광원의 하단은 제 4 도전성 링에 연결된다. 따라서, 복수의 제2 라인 광원은 제 3 라인 도전성 링 및 제 4 도전성 링에 의해 병렬로 연결된다. 즉, 제 3 도전성 링 및 제 4 도전성 링은 각각의 제2 라인 광원의 양극 및 음극의 공통 전극으로서 사용된다.
카세트(2)는 제1 라인 광원(300)과 제2 라인 광원에 의해 둘러싸인 공간 내에서 이동할 수 있다. 바람직하게, 제1 광원 유닛(31)과 제2 광원 유닛(32)이 각각 360 도의 범위 내에서 균일하게 발열하기 위해서, 임의의 인접된 2 개의 제1 라인 광원(300)의 간격은 동일하게 되게 하고, 임의의 2 개의 제2 라인 광원의 간격은 동일하게 되게 한다. 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)을 이와 같이 배치함으로써, 제1 라인 광원(300) 및 제2 라인 광원에 의해 둘러싸인 공간 내의 가열 에너지 및 온도가 균일하게 유지될 수 있어, 카세트(2) 내의 기판이 균일하게 가열될 수 있다.
본 실시예에서, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 가스 제거 챔버는 캐비티(1), 카세트(2), 리프팅 시스템(5), 반사 실린더(7), 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32), 상부 전원 연결용 짧은 유닛(81), 상부 전원 연결용 긴 유닛(91), 하부 전원 연결용 짧은 유닛(82) 및 하부 전원 연결용 긴 유닛(92)을 포함한다. 그 중, 하부 전원 연결용 짧은 유닛(82) 및 하부 전원 연결용 긴 유닛(92)은 캐비티(1)를 관통하여 각각 제2 광원 유닛(32)의 양극 및 음극의 공통 전극(제 3 도전성 링 및 제 4 도전성 링)과 전기적으로 연결되어, 제2 광원 유닛(32)에 전기 신호를 전송하여, 조명을 턴온하게 한다. 상부 전원 연결용 짧은 유닛(81) 및 상부 전원 연결용 긴 유닛(91)은 캐비티(1)를 관통하여 각각 제1 광원 유닛(31)의 양극 및 음극의 공통 전극(제1 도전성 링 및 제2 도전성 링)과 전기적으로 연결되어, 제1 광원 유닛(31)에 전기 신호를 전송하여, 조명을 턴온하게 한다. 따라서, 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)는 모두 제1 라인 광원(300) 및 제2 라인 광원에 전원을 공급하기 위해, 단지 하나의 전원 연결용 짧은 유닛 및 하나의 전원 연결용 긴 유닛만이 필요하므로, 전원 공급 구조가 간단하고, 비용이 적게 든다.
본 실시예에서, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 광원 유닛(31)은 상부 커버 유닛(311)을 더 포함한다. 상부 커버 유닛(311)은 제2 광원 유닛(32)로부터 떨어져 둘러싸게 분포된 제1 라인 광원(300)의 일단에 구비되며; 상부 커버 유닛(311)은 2 개의 상부 도전성 하프 링, 상부 세라믹 내부 링 및 상부 세라믹 외부 링을 포함한다. 2 개의 상부 도전성 하프 링은 각각 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)의 양극 또는 음극의 공통 전극에 전기적으로 연결되고, 또한 2 개의 상부 도전성 하프 링은 전기적으로 연결되어 제1 광원 유닛(31)과 제2 광원 유닛(32)을 병렬로 연결한다. 즉, 2 개의 상부 도전성의 하프 링은 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32) 중의 하나의 공통 전극으로서 사용된다. 상부 세라믹 내부 링 및 상부 세라믹 외부 링은 2 개의 상부 도전성 하프 링을 감싸서 외부와 절연 시키는데 사용된다. 여기서, 제1 광원 유닛(31)의 제1 라인 광원(300)을 교체하는 경우, 먼저 상부 세라믹 외부 링 및 상부 도전성 하프 링을 분해할 필요가 있기 때문에, 2개의 상부 도전성 하프 링의 분리 설치가 제1 라인 광원(300)의 분해 및 장착에 유리하다. 또한, 상부 세라믹 외부 링을 분리 설치함으로써, 즉 상부 세라믹 외부 링을 복수의 부분으로 분할함으로써, 그 자신의 분해가 용이할 뿐만 아니라, 제1 라인 광원(300)과 상부 커버 유닛(311) 간의 조립 및 분해가 용이하다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제2 광원 유닛(32)은 하부 커버 유닛(321)를 더 포함한다. 하부 커버 유닛(321)은 제1 광원 유닛(31)로부터 떨어져 둘러싸게 배치된 제2 라인 광원의 일단에 구비되며; 하부 커버 유닛(321)은 2개의 하부 도전성 하프 링, 하부 세라믹 내부 링(301) 및 하부 세라믹 외부 링(302)을 포함한다. 2개의 하부 도전성 하프 링은 각각 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)의 음극 또는 양극의 공통 전극에 전기적으로 연결되고, 또한 2개의 하부 도전성 하프 링은 전기적으로 연결되어 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32)을 병렬로 연결한다. 즉, 2 개의 하부 도전성 하프 링은 제1 광원 유닛(31) 및 제2 광원 유닛(32) 중의 다른 하나의 공통 전극으로서 사용된다. 하부 세라믹 내부 링(301) 및 하부 세라믹 외부 링(302)은 2 개의 하부 도전성 하프 링을 감싸서 외부와 절연 시키는데 사용된다. 여기서, 제2 광원 유닛(32)의 제2 라인 광원을 교체하는 경우, 먼저 하부 세라믹 내부 링(301) 및 하부 도전성 하프 링을 분해할 필요가 있기 때문에, 2개의 하부 도전성 하프 링의 분리 설치가 제2 라인 광원의 분해 및 장착에 유리하다. 또한, 하부 세라믹 내부 링(301)을 분리 설치함으로써, 즉 하부 세라믹 내부 링(301)을 복수의 부분으로 분할함으로써, 그 자신의 분해가 용이할 뿐만 아니라, 제2 라인 광원과 하부 커버 유닛(321) 간의 조립 및 분해가 용이하다.
상부 전원 연결용 짧은 유닛(81) 및 상부 전원 연결용 긴 유닛(91)은 각각 제1 광원 유닛(31)과 연결된 상부 도전성 하프 링 및 하부 도전성 하프 링에 연결되어; 제1 라인 광원에 흐르는 전류가 회로를 형성하게 하여, 제1 라인 광원에 대한 전원 공급을 수행한다. 하부 전원 연결용 짧은 유닛(82) 및 하부 전원 연결용 긴 유닛(92)은 각각 제2 광원 유닛(32)과 연결된 하부 도전성 하프 링 및 상부 도전성 하프 링에 연결되어; 제2 라인 광원에 흐르는 전류가 회로를 형성하게 하여, 제2 라인 광원에 대한 전원 공급을 수행한다.
제1 실시예의 유리한 효과: 제1 실시예에 의해 제공된 가스 제거 챔버는, 개구부에 의해 제1 캐비티와 제2 캐비티로 분할되어 각각 제1 광원 유닛과 제2 광원 유닛이 구비됨으로써, 카세트 내의 기판이 개구부의 상부 영역에 있든 또는 개구부의 하부 영역에 있든 상관없이 광원에 의해 가열될 수 있게 되어, 가스 제거 공정 및 기판의 픽업/드롭 공정에서 공정 온도가 균형되는 것을 보장할 수 있으며, 기판의 가스 제거 공정 품질을 향상할 수 있을 뿐만 아니라, 후속 공정에 더욱 깨끗한 기판을 제공할 수 있다.
실시예 2:
본 실시예는 실시예 1의 가스 제거 챔버를 포함하는 반도체 처리 장치를 제공한다.
실시예 1의 가스 제거 챔버를 사용함으로써, 상기 반도체 처리 장치의 처리 공정의 품질이 향상된다.
상기 실시 방식은 본 발명의 원리를 설명하기 위해 사용된 예시적인 실시 방식에 불과하며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다는 점을 이해해야 한다. 본 분야의 기술자는, 본 발명의 사상 및 실질을 벗어나지 않는 상황 하에서, 다양한 변경 및 개선을 행할 수 있는 바, 이러한 변형 및 개선은 본 발명의 보호 범위로 간주된다.
1: 챔버, 11: 개구부, 12: 제1 캐비티, 13: 제2 캐비티, 2: 카세트, 3, 가열 유닛, 31: 제1광원 유닛, 311: 상부 커버 유닛, 32: 제2 광원 유닛, 321: 하부 커버 유닛, 33: 제1 반사 실린더, 34: 제2 반사 실린더, 30: 제1 개구, 35: 제1 반사판, 36: 제2 반사판, 300: 제1 라인 광원, 301: 하부 세라믹 내부 링, 302: 하부 세라믹 외부 링, 4: 진공 챔버, 5: 리프팅 시스템, 6: 광원, 7: 반사 실린더, 81: 상부 전원용 짧은 유닛, 91: 상부 전원용 긴 유닛, 82: 하부 전원용 짧은 유닛, 92: 하부 전원용 긴 유닛.

Claims (9)

  1. 캐비티 및 카세트를 포함하고, 상기 캐비티의 측벽에는 개구부가 형성되고, 상기 개구부는 기판이 상기 캐비티를 출입하는 통로가 되며, 상기 카세트는 상기 캐비티 내에서 수직 방향으로 이동 가능한 가스 제거 챔버에 있어서,
    상기 가스 제거 챔버는 상기 챔버 내에 구비되는 가열 유닛을 더 포함하며, 상기 가열 유닛은 제1 광원 유닛 및 제2 광원 유닛을 포함하며, 상기 캐비티는 상기 개구부에 의해 제1 캐비티 및 제2 캐비티로 분할되며; 상기 제1 광원 유닛은 상기 제1 캐비티의 내부에 위치하고, 상기 제2 광원 유닛은 상기 제2 캐비티의 내부에 위치하며; 상기 제1 광원 유닛 및 상기 제2 광원 유닛은 상기 카세트 내의 기판에 대해 가열을 진행하도록 구성되고,
    상기 가열 유닛은 제1 반사 실린더 및 제2 반사 실린더를 더 포함하며, 상기 제1 반사 실린더는 상기 제1 캐비티와 상기 제1 광원 유닛 사이에 위치하고; 상기 제2 반사 실린더는 상기 제2 캐비티와 상기 제2 광원 유닛 사이에 위치하며;
    상기 제1 반사 실린더 및 상기 제2 반사 실린더는 그 위에 조사된 광을 상기 카세트 내의 기판에 반사시키도록 구성되고,
    상기 제1 반사 실린더는 상기 제1 광원 유닛의 원주 방향을 따라 폐쇄된 원통형 구조이고,
    상기 제2 반사 실린더는 상기 제2 광원 유닛의 원주 방향을 따라 폐쇄된 원통형 구조이며,
    상기 제1 반사 실린더와 상기 제2 반사 실린더는 대접되어 일체를 형성하고, 또한 상기 개구부와 서로 대응되는 위치에는 제1 개구가 형성되고, 상기 제1 개구는 상기 기판을 통과시킬 수 있고,
    상기 가열 유닛은 제1 반사판 및 제2 반사판을 더 포함하며, 상기 제1 반사판은 상기 개구부로부터 떨어진 상기 제1 반사 실린더의 일단에 덮이고, 상기 제2 반사판은 상기 개구부로부터 떨어진 상기 제2 반사 실린더의 일단에 덮이며;
    상기 제1 반사판 및 상기 제2 반사판은 그 위에 조사된 광을 상기 카세트로 반사시키며,
    상기 제1 반사 실린더, 상기 제2 반사 실린더, 상기 제1 반사판 및 상기 제2 반사판은 밀폐된 공간을 형성하는 것을 특징으로 하는
    음을 특징으로 하는 가스 제거 챔버.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 광원 유닛은 상기 제1 캐비티의 원주 방향을 따라 상기 제1 캐비티를 둘러싸 상기 제1 캐비티의 측벽의 내측에 구비되며; 상기 제2 광원 유닛은 상기 제2 캐비티의 원주 방향을 따라 상기 제2 캐비티를 둘러싸 상기 제2 캐비티의 측벽의 내측에 구비되며;
    상기 카세트는 상기 제1 광원 유닛 및 상기 제2 광원 유닛에 의해 둘러싸인 공간 내에서 이동함을 특징으로 하는 가스 제거 챔버.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 광원 유닛은 복수의 제1 라인 광원을 포함하며, 각 상기 제1 라인 광원의 길이 방향은 상기 카세트의 이동 방향이고; 상기 복수의 제1 라인 광원은 서로 평행하며 상기 캐비티의 원주 방향을 따라 원으로 배열되며;
    상기 제2 광원 유닛은 복수의 제2 라인 광원을 포함하며, 각 상기 제2 라인 광원의 길이 방향은 상기 카세트의 이동 방향이고; 상기 복수의 제2 라인 광원은 서로 평행하며 상기 캐비티의 원주 방향을 따라 원으로 배열됨을 특징으로 하는 가스 제거 챔버.
  4. 청구항 3에 있어서,
    임의의 인접된 2 개의 상기 제1 라인 광원의 간격은 동일하게 되게 하고; 임의의 2 개의 상기 제2 라인 광원의 간격은 동일하게 되게 함을 특징으로 하는 가스 제거 챔버.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 반사 실린더 및 상기 제2 반사 실린더의 내벽은 그 위에 조사된 광이 난반사 및/또는 정반사되게 할 수 있음을 특징으로 하는 가스 제거 챔버.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 반사 실린더의 실린더 내부와 마주보는 제1 반사판의 내벽 및 제2 반사 실린더의 실린더 내부와 마주보는 제2 반사판의 내벽은 그 위에 조사된 광이 난반사 및/또는 정반사되게 할 수 있음을 특징으로 하는 가스 제거 챔버.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 반사 실린더 및 상기 제2 반사 실린더는 스테인레스강 재료를 사용함을 특징으로 하는 가스 제거 챔버.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 반사판 및 상기 제2 반사판은 스테인레스강 재료를 사용함을 특징으로 하는 가스 제거 챔버.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항의 상기 가스 제거 챔버를 포함함을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
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