JP6921964B2 - 脱気チャンバおよび半導体処理装置 - Google Patents

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Description

技術分野
本開示は、半導体の製造分野に関し、具体的には、脱気チャンバおよび半導体処理装置に関する。
背景
物理気相蒸着（ＰＶＤ）技術は、半導体の製造分野に広く適用されている。ＰＶＤプロセスにおいて、通常、後続の工程に可能な限り清潔な基板を提供するために、基板によって大気から吸収された水蒸気などの不純物を除去し、基板の表面を洗浄するための脱気工程を行う必要がある。例えば、図１に示された銅配線を形成するためのＰＶＤプロセスは、このような脱気工程を含む。
通常、脱気工程は、脱気加熱システムによって行われる。例えば、図２は、従来の脱気加熱システムを示している。この脱気加熱システムは、一般的に、真空チャンバ４、基板カセット２、昇降システム５および光源６を含む。真空チャンバ４は、処理環境を提供し、その側壁には、基板を真空チャンバに搬入するまたは真空チャンバから搬出するための基板搬送口１１が設けられている。基板カセット２は、複数の基板を載置するように構成されている。昇降システム５は、基板のピック＆プレースを行うために、基板カセット２を上下に駆動することによって、基板カセット２の異なる高さに配置された基板を基板搬送口１１に対応する高さに搬送する。光源６は、熱エネルギーを供給するように構成される。
上記の脱気加熱システムの動作フローは、以下のステップを含む。すなわち、１）基板搬送口１１から１回分の複数の基板を受け取り、昇降システム５の昇降によって、複数の基板を基板カセット２内の異なる高さに載置し、２）昇降システム５の駆動によって、基板カセット２を光源６近くの脱気処理位置に移動し、３）光源６を点灯し、基板を加熱することによって脱気操作を行い、４）光源６を消灯し、昇降システム５の駆動によって基板カセット２を基板搬送口１１に対応する高さまで移動させ、ロボットアームによって一部の基板を取り出し、５）基板カセット２に基板を補充し、６）全ての基板の脱気処理が完了するまで、ステップ１）〜５）を繰り返す。
実際の脱気工程において、基板搬送口１１が光源６の下方に位置するため、基板のピック＆プレースを行うたびに、基板カセット２を光源６に対応する位置から基板搬送口１１に対応する位置まで下方に移動する必要がある。したがって、基板カセット２が光源６に対応する位置から離れることにより、基板カセット２の温度および基板カセット２内の基板の温度が低下し、温度の低下が制御不能である。また、基板カセット２を下降させるときに、基板カセット２内の基板を一度に全部取り出さないため、基板カセット２から取り出された各々の基板の温度は、一貫性のある制御可能な理想温度ではないため、後続工程の結果の一貫性および安定性に影響を与える。
概要
本開示は、従来技術に存在する上記の問題に鑑みて、脱気チャンバおよび半導体処理装置を提供する。この脱気チャンバによれば、基板カセット内の基板が基板搬送口の上方領域または下方領域にあっても光源によって加熱されるため、基板の脱気工程およびピック＆プレース工程中に基板の処理温度を均一に維持することができる。
本開示によって提供された脱気チャンバは、チャンバと基板カセットとを含み、チャンバの側壁には、基板搬送口が設けられる。１つ以上の基板は、基板搬送口を通ってチャンバに搬入されまたはチャンバから搬出されるように構成される。基板カセットは、垂直方向に沿ってチャンバ内で移動可能である。脱気チャンバは、チャンバ内に配置された加熱アセンブリをさらに含み、加熱アセンブリは、第１光源と第２光源とを含む。チャンバは、基板搬送口を境界にして、第１チャンバと第２チャンバとに区画され、第１光源は、第１チャンバに配置され、第２光源は、第２チャンバに配置され、第１光源と第２光源とは、基板カセット内の基板を均一に加熱するように構成されている。
好ましくは、加熱アセンブリは、第１反射筒と第２反射筒とをさらに含み、第１反射筒は、第１チャンバと第１光源との間に配置され、第２反射筒は、第２チャンバと第２光源との間に配置される。第１反射筒と第２反射筒とは、その上に照射された光を基板カセット内の基板に向かって反射するように構成されている。
好ましくは、第１反射筒と第２反射筒とを相互接続することによって、一体構造を形成し、一体構造の基板搬送口に対応する位置に第１開口を設け、基板が第１開口を通過可能である。
好ましくは、加熱アセンブリは、第１反射板と第２反射板とをさらに含む。第１反射板は、基板搬送口の遠位側の第１反射筒の端部を覆っており、第２反射板は、基板搬送口の遠位側の第２反射筒の端部を覆っている。第１反射板と第２反射板とは、その上に照射された光を基板カセットに向かって反射するように構成されている。
好ましくは、第１光源は、複数の第１線光源を含み、複数の第１線光源は、互いに平行であり且つチャンバの周方向に沿って環状に配置され、第１線光源の各々の長さの方向は、基板カセットの移動方向と平行である。第２光源は、複数の第２線光源を含み、複数の第２線光源は、互いに平行であり且つチャンバの周方向に沿って環状に配置され、第２線光源の各々の長さの方向は、基板カセットの移動方向と平行である。基板カセットは、第１光源および第２光源によって囲まれた空間内で移動可能である。
好ましくは、第１反射筒および第２反射筒の内壁は、その上に照射された光を拡散反射および／または鏡面反射可能である。
好ましくは、第１反射筒の内側に面する第１反射板の内壁と第２反射筒の内側に面する第２反射板の内壁とは、その上に照射された光を拡散反射および／または鏡面反射可能である。
好ましくは、第１反射筒および第２反射筒は、ステンレス鋼から作られる。
好ましくは、第１反射板および第２反射板は、ステンレス鋼から作られる。
また、本開示は、上述した脱気チャンバを含む半導体処理装置を提供する。
本開示は、以下の有利な効果を有する。本開示によって提供された脱気チャンバは、基板搬送口を境界にして区画された第１チャンバおよび第２チャンバに第１光源および第２光源をそれぞれ設けることによって、基板カセット内の基板が基板搬送口の上方領域または下方領域にあっても光源によって加熱されるため、基板の脱気工程およびピック＆プレース工程中に基板の処理温度を均一に維持することができ、基板の脱気工程の品質を向上させると共に、後続工程により清潔な基板を提供することができる。
本開示に係る半導体処理装置は、上述した脱気チャンバを採用することによって、処理品質を向上させることができる。
従来の銅配線を形成するためのＰＶＤプロセスの流れを示す概略図である。 従来の脱気加熱システムの構成を示す断面図である。 本開示の第１実施形態に係る脱気チャンバの構成を示す概略図である。 図３の第１光源の構成を示す概略図である。 本開示の第１実施形態に係る脱気チャンバの構成を示す概略分解図である。 本開示の第１実施形態に係る第１光源の構成を示す概略分解図である。 本開示の第１実施形態に係る第２光源の構成を示す断面図である。
詳細な説明
当業者が本開示の技術的解決策をよりよく理解するために、以下、添付の図面および特定の実施形態を参照して、本開示に係る脱気チャンバおよび半導体処理装置をより詳細に説明する。
第１実施形態
図３に示すように、本実施形態は、チャンバ１と基板カセット２とを含む脱気チャンバを提供する。チャンバ１の側壁には、基板搬送口１１が設けられる。基板搬送口１１は、１つ以上の基板をチャンバ１に搬入するまたはチャンバ１から搬出するための通路として構成される。基板カセット２は、垂直方向に沿ってチャンバ１内で移動可能である。脱気チャンバは、チャンバ１内に配置された加熱アセンブリ３をさらに含む。加熱アセンブリ３は、第１光源３１と第２光源３２とを含む。チャンバ１は、基板搬送口１１を境界にして、第１チャンバ１２と第２チャンバ１３とに区画される。第１光源３１は、第１チャンバ１２に配置され、第２光源３２は、第２チャンバ１３に配置される。第１光源３１および第２光源３２は、基板カセット２内の基板を加熱するように構成されている。これによって、基板カセット２内の基板が基板搬送口１１の上方領域または下方領域にあっても光源によって加熱されるため、基板の脱気工程およびピック＆プレース工程中に基板の処理温度を均一に維持することができ、基板の脱気工程の品質を向上させると共に、後続工程により清潔な基板を提供することができる。
第１光源３１は、第１チャンバ１２の周方向に沿って第１チャンバ１２を取り囲むように、第１チャンバ１２の側壁の内側に配置され、第２光源３２は、第２チャンバ１３の周方向に沿って第２チャンバ１３を取り囲むように、第２チャンバ１３の側壁の内側に配置されている。具体的には、第１光源３１と第２光源３２とは、垂直方向に沿ってチャンバ１に設けられ、基板搬送口１１に対して対称である。基板カセット２は、第１光源３１および第２光源３２によって囲まれた空間内で垂直に移動可能である。したがって、基板カセット２がチャンバ１内に移動された位置に関係なく、基板カセット２内の全ての基板は、第１光源３１または第２光源３１によって均一に加熱される。よって、基板をチャンバ１に搬入するまたはチャンバ１から搬出するたびに、第１チャンバ１２および第２チャンバ１３内の基板カセット２の位置が変動しても、第１光源３１および／または第２光源３２は、基板カセット内の基板を加熱することができる。
第１光源３１または第２光源３２は、環状の加熱空間を形成し、基板カセット２の周囲から基板カセット２内の基板を均一に加熱することができるため、基板カセット内の基板の温度の均一性を高めることができる。当然ながら、実際の応用において、第１光源または第２光源は、基板カセット内の基板を加熱することができる限り、任意の他の構成を採用することができる。
図４に示すように、本実施形態において、第１光源３１は、複数の第１線光源３００を含み、第１線光源３００の各々の長さの方向は、基板カセット２の移動方向と平行である。複数の第１線光源３００は、互いに平行であり且つチャンバ１の周方向に沿って環状に配置されている。同様に、第２光源３２は、複数の第２線光源を含み、第２線光源の各々の長さの方向は、基板カセット２の移動方向と平行である。複数の第２線光源は、互いに平行であり且つチャンバ１の周方向に沿って環状に配置されている。
また、図４に示すように、複数の第１線光源３００の各々の上端が第１導電リング３３１に接続され、複数の第１線光源３００の各々の下端が第２導電リング３３２に接続される。これによって、複数の第１線光源３００は、第１導電リング３３１および第２導電リング３３２を介して並列に接続される。第１線光源３００と同様に、複数の第２線光源の各々の上端が第３導電リングに接続され、その下端が第４導電リングに接続される。これによって、複数の第２線光源は、第３導電リングおよび第４導電リングを介して並列に接続される。基板カセット２は、第１線光源３００および第２線光源によって囲まれた空間内で移動可能である。
好ましくは、第１光源３１および第２光源３２の各々が３６０度の範囲で熱エネルギーを均一に出射するするように、隣接する任意の２つの第１線光源３００は、等間隔に配置され、隣接する任意の２つの第２線光源は、等間隔に配置される。このように第１光源３１および第２光源３２を設けることによって、第１線光源３００および第２線光源によって囲まれた空間内の熱エネルギーおよび温度を均一に維持することができ、基板カセット２内の基板を均一に加熱することができる。
本実施形態において、加熱アセンブリ３は、第１反射筒３３と第２反射筒３４とをさらに含む。第１反射筒３３は、第１チャンバ１２と第１光源３１との間に配置され、第２反射筒３４は、第２チャンバ１３と第２光源３２との間に配置される。第１反射筒３３および第２反射筒３４は、その上に照射された光を基板カセット２および基板カセット２内の基板に向かって反射するように構成されている。すなわち、第１反射筒３３および第２反射筒３４は、その上面に伝達された熱エネルギーを基板カセット２および基板カセット２内の基板に向かって反射する。具体的には、第１反射筒３３は、周方向に沿って閉じた円筒状構造であり、第１光源３１の周方向に沿って第１光源３１を取り囲むように第１光源３１と第１チャンバ１２との間に配置されている。第２反射筒３４は、周方向に沿って閉じた円筒状構造であり、第２光源３２の周方向に沿って第２光源３２を取り囲むように第２光源３２と第２チャンバ１３との間に配置されている。これによって、第１光源３１および第２光源３２からの熱エネルギーを円筒内に良好に閉じ込むことができ、第１光源３１および第２光源３２の熱利用率を高め、加熱効率を向上させることができると共に、第１反射筒３３および第２反射筒３４内部の加熱温度を均一に維持し、基板カセット２内の基板を均一に加熱することができる。
好ましくは、第１反射筒３３と第２反射筒３４とを相互接続することによって、一体構造を形成し、一体構造の基板搬送口１１に対応する位置に第１開口３０を設ける。基板は、第１開口３０を通過可能である。相互接続することによって一体構造に形成された第１反射筒３３および第２反射筒３４は、円筒内の熱エネルギーをより良好に維持することができ、第１光源３１および第２光源３２の熱利用率をより効果的に高め、加熱効率を向上させると共に、相互接続することによって一体構造に形成された第１反射筒３３および第２反射筒３４の内部の加熱温度を均一に維持することができる。チャンバ１から基板１の出し入れを容易にするように、第１開口３０は、基板搬送口１１に対応している。
本実施形態において、好ましくは、第１反射筒３３および第２反射筒３４の内壁に対して研磨および／または表面処理を施すことによって、第１反射筒３３および第２反射筒３４の内壁に照射された光を拡散反射および／または鏡面反射することができる。拡散反射によって、円筒内で第１光源３１および第２光源３２から出射した光が均一に反射され、均一に照射するため、円筒内の熱エネルギーをより均一にすることができる。鏡面反射によって、第１光源３１および第２光源３２から出射した光の大部分が円筒内に反射されるため、熱エネルギーの損失を低減し、円筒内の熱エネルギーを均一に維持することができる。
本実施形態において、加熱アセンブリ３は、第１反射板３５および第２反射板３６をさらに含み、第１反射板３５は、基板搬送口１１の遠位側の第１反射筒３３の端部を覆っており、第２反射板３６は、基板搬送口１１の遠位側の第２反射筒３４の端部を覆っている。第１反射板３５および第２反射板３６は、その上に照射された光を基板カセット２および基板カセット２内の基板に向かって反射するように構成されている。第１反射板３５および第２反射板３６と、第１反射筒３３と第２反射筒３４とを相互接続することによって形成された円筒とは、密閉空間を形成する。第１反射板３５および第２反射板３６の反射によって、円筒内の密閉空間の熱エネルギーをより良好に維持ことができる。これによって、第１光源３１および第２光源３２の熱利用率を高め、加熱効率を向上させると共に、チャンバ１の外部環境から円筒内の密閉環境に与える干渉を低減し、円筒内に形成された密閉空間内の加熱環境を均一に維持することによって、円筒内に形成された密閉空間内の基板を均一に加熱することができる。
好ましくは、第１反射板３５および第２反射板３６の各々の対向壁面（すなわち、第１反射板３５の内壁および第２反射板３６の内壁）に対して研磨および／または表面処理を施すことによって、その上に照射された光を拡散反射および／または鏡面反射することができる。拡散反射によって、円筒内で第１光源３１および第２光源３２から出射した光が均一に反射され、均一に照射するため、円筒内の熱エネルギーをより均一にすることができる。鏡面反射によって、第１光源３１および第２光源３２から出射した光の大部分が円筒内に反射されるため、熱エネルギーの損失を低減し、円筒内の熱エネルギーの熱利用率および均一性を確保することができる。
本実施形態において、好ましくは、第１反射筒３３、第２反射筒３４、第１反射板３５および第２反射板３６は、ステンレス鋼から作られてもよい。ステンレス鋼は、良好な熱伝導性を有するため、円筒内の熱エネルギーをより均一にする。当然ながら、第１反射筒３３、第２反射筒３４、第１反射板３５および第２反射板３６は、セラミック等の他の材料から作られてもよい。
図４に示すように、本実施形態において、第１光源３１は、複数の第１線光源３００を含み、第１線光源３００の各々の長さの方向は、基板カセット２の移動方向と平行である。複数の第１線光源３００は、互いに平行であり且つチャンバ１の周方向に沿って環状に配置されている。同様に、第２光源３２は、複数の第２線光源を含み、第２線光源の各々の長さの方向は、基板カセット２の移動方向と平行である。複数の第２線光源は、互いに平行であり且つチャンバ１の周方向に沿って環状に配置されている。
図４に示すように、本実施形態において、複数の第１線光源３００の各々の上端が第１導電リング３３１に接続され、複数の第１線光源３００の各々の下端が第２導電リング３３２に接続される。これによって、複数の第１線光源３００は、第１導電リング３３１および第２導電リング３３２を介して並列に接続される。すなわち、第１導電リング３３１および第２導電リング３３２は各々、第１線光源３００の各々の共通正極および共通負極を構成する。第１線光源３００と同様に、複数の第２線光源の各々の上端が第３導電リングに接続され、複数の第２線光源の各々の下端が第４導電リングに接続される。これによって、複数の第２線光源は、第３導電リングおよび第４導電リングを介して並列に接続される。すなわち、第１導電リング３３１および第２導電リング３３２は各々、第２線光源の各々の共通正極および共通負極を構成する。
基板カセット２は、第１線光源３００と第２線光源とによって囲まれた空間内で移動可能である。好ましくは、第１光源３１および第２光源３２の各々が３６０度の範囲で熱エネルギーを均一に出射するするように、隣接する任意の２つの第１線光源３００は、等間隔に配置され、隣接する任意の２つの第２線光源は、等間隔に配置される。このように第１光源３１および第２光源３２を設けることによって、第１線光源３００および第２線光源によって囲まれた空間内の熱エネルギーおよび温度を均一に維持することができ、基板カセット２内の基板を均一に加熱することができる。
図５および６に示すように、本実施形態において、脱気チャンバは、チャンバ１と、基板カセット２と、昇降システム５と、反射筒７と、第１光源３１と、第２光源３２と、上部電気接続用短部品８１と、上部電気接続用長部品９１と、下部電気接続用短部品８２と、下部電気接続用長部品９２とを含む。下部電気接続用短部品８２と下部電気接続用長部品９２とは、チャンバ１を貫通して第２光源３２の共通正極および共通負極（第３導電リングおよび第４導電リング）に各々電気的に接続され、第２光源３２を点灯させるための電気信号を第２光源３２に伝送するように構成されている。上部電気接続用短部品８１と上部電気接続用長部品９１とは、チャンバ１を貫通して第１光源３１の共通正極および共通負極（第１導電リングおよび第２導電リング）に各々電気的に接続され、第１光源３１を点灯させるための電気信号を第１光源３１に伝送するように構成されている。このような構成によって、第１光源３１および第２光源３２は、１つの電気接続用短部品および１つの電気接続用長部品のみを介して、全ての第１線光源３００および第２線光源に電力を供給することができ、電力の供給構造が簡単になり、コストが低くなる。
図６に示すように、本実施形態において、第１光源３１は、上蓋アセンブリ３１１を含む。上蓋アセンブリ３１１は、環状に配置され且つ第２光源３２から遠位である第１線光源３００の端部に設けられる。上蓋アセンブリ３１１は、２つの上部導電性ハーフリングと、上部セラミック内側リングと、上部セラミック外側リングとを含む。２つの上部導電性ハーフリングを各々第１光源３１および第２光源３２の共通正極または共通負極に電気的に接続し且つ２つの上部導電性ハーフリングを互いに電気的に接続することによって、第１光源３１および第２光源３２の並列接続を実現する。すなわち、２つの上部導電性ハーフリングは、第１光源３１の一方の共通電極および第２光源３２の一方の共通電極を構成する。上部セラミック内側リングおよび上部セラミック外側リングは、２つの上部導電性ハーフリングを囲み、外部環境から絶縁させるように構成されている。第１光源３１の第１線光源３００を交換するときに、まず、上部セラミック外側リングおよび上部導電性ハーフリングを分解する必要があるため、２つの上部導電性ハーフリングを別々に配置することによって、第１線光源３００の組立および分解を容易にする。また、別々の部品を有するように上部セラミック外側リングを設けることによって、すなわち、上部セラミック外側リングを複数の部分に分割することによって、上部セラミック外側リング自体だけでなく、第１線光源３００および上蓋アセンブリ３１１の組立および分解も容易にする。
図７に示すように、第２光源３２は、下蓋アセンブリ３２１を含む。下蓋アセンブリ３２１は、環状に配置され且つ第１光源３１から遠位である第２線光源の端部に設けられる。下蓋アセンブリ３２１は、２つの下部導電性ハーフリングと、下部セラミック内側リング３０１と、下部セラミック外側リング３０２とを含む。２つの下部導電性ハーフリングを各々第１光源３１および第２光源３２の共通正極または共通負極に電気的に接続し且つ２つの下部導電性ハーフリングを互いに電気的に接続することによって、第１光源３１および第２光源３２の並列接続を実現する。すなわち、２つの下部導電性ハーフリングは、第１光源３１の他方の共通電極および第２光源３２の他方の共通電極を構成する。下部セラミック内側リング３０１および下部セラミック外側リング３０２は、２つの下部導電性ハーフリングを囲み、外部環境から絶縁させるように構成されている。第２光源３２の第２線光源を交換するときに、まず、下部セラミック外側リング３０１および下部導電性ハーフリングを分解する必要があるため、２つの下部導電性ハーフリングを別々に配置することによって、第２線光源の組立および分解を容易にする。また、別々の部品を有するように下部セラミック内側リング３０１を設けることによって、すなわち、下部セラミック内側リング３０１を複数の部分に分割することによって、下部セラミック内側リング自体だけでなく、第２線光源および下蓋アセンブリ３２１の組立および分解も容易にする。
上部電気接続用短部品８１および上部電気接続用長部品９１は、第１光源３１に接続されている上部導電ハーフリングおよび下部導電ハーフリングに各々接続されている。これによって、第１線光源に流れる電流の回路を形成し、第１線光源の電力供給を実現する。下部電気接続用短部品８２および下部電気接続用長部品９２は、第２光源３２に接続されている下部導電ハーフリングおよび上部導電ハーフリングに各々接続されている。これによって、第２線光源に流れる電流の回路を形成し、第２線光源の電力供給を実現する。
第１実施形態は、以下の有利な効果を有する。第１実施形態に係る脱気チャンバは、基板搬送口を境界にして区画された第１チャンバおよび第２チャンバに第１光源および第２光源をそれぞれ設けることによって、基板カセット内の基板が基板搬送口の上方領域または下方領域にあっても光源によって加熱されるため、基板の脱気工程およびピック＆プレース工程中に基板の処理温度を均一に維持することができ、基板の脱気工程の品質を向上させると共に、後続工程により清潔な基板を提供することができる。
第２実施形態
本実施形態は、第１実施形態の脱気チャンバを含む半導体処理装置を提供する。
第１実施形態の脱気チャンバを採用することによって、半導体処理装置の処理品質を向上させることができる。
理解すべきことは、上記の実施形態は、本開示の原理を説明するための例示的な実施形態にすぎず、本開示は、これらに限定されないことである。当業者であれば、本開示の精神および本質から逸脱することなく、様々な改良および修正を行うことができ、これらの改良および修正も本開示の範囲に含まれる。
１ チャンバ、２ 基板搬送口、１２ 第１チャンバ、１３ 第２チャンバ、２ 基板カセット、３ 加熱アセンブリ、３１ 第１光源、３１１ 上蓋アセンブリ、３２ 第２光源、３２１ 下蓋アセンブリ、３３ 第１反射筒、３４ 第２反射筒、３０ 第１開口、３５ 第１反射板、３６ 第２反射板、３００ 第１線光源、３０１ 下部セラミック内側リング、３０２ 下部セラミック外側リング、４ 真空チャンバ、５ 昇降システム、６ 光源、７ 反射筒、８１ 上部電気接続用短部品、９１ 上部電気接続用長部品、８２ 下部電気接続用短部品、９２ 下部電気接続用長部品。

Claims (9)

  1. 脱気チャンバであって、
    チャンバと基板カセットとを含み、
    前記チャンバの側壁には、基板搬送口が設けられ、
    前記基板搬送口は、１つ以上の基板を前記チャンバに搬入するまたは前記チャンバから搬出するための通路として構成され、
    前記基板カセットは、垂直方向に沿って前記チャンバ内で移動可能であり、
    前記脱気チャンバは、前記チャンバ内に配置された加熱アセンブリをさらに含み、
    前記加熱アセンブリは、第１光源と第２光源とを含み、
    前記チャンバは、前記基板搬送口を境界にして、第１チャンバと第２チャンバとに区画され、
    前記第１光源は、前記第１チャンバに配置され、前記第２光源は、前記第２チャンバに配置され、
    前記第１光源と前記第２光源とは、前記基板カセット内の前記基板を加熱するように構成されており、
    前記第１光源は、前記第１チャンバの周方向に沿って前記第１チャンバを取り囲むように、前記第１チャンバの側壁の内側に配置され、
    前記第２光源は、前記第２チャンバの周方向に沿って前記第２チャンバを取り囲むように、前記第２チャンバの側壁の内側に配置され、
    前記基板カセットは、前記第１光源および前記第２光源によって囲まれた空間内で移動可能であり、
    前記加熱アセンブリは、第１反射筒と第２反射筒とをさらに含み、
    前記第１反射筒は、前記第１チャンバと前記第１光源との間に配置され、
    前記第２反射筒は、前記第２チャンバと前記第２光源との間に配置され、
    前記第１反射筒と前記第２反射筒とは、その上に照射された光を前記基板カセット内の前記基板に向かって反射するように構成されており、
    前記第１反射筒と前記第２反射筒とを相互接続することによって、一体構造を形成し、前記一体構造の前記基板搬送口に対応する位置に第１開口を設け、前記基板が前記第１開口を通過可能である、脱気チャンバ。
  2. 前記第１光源は、複数の第１線光源を含み、
    前記第１線光源の各々の長さの方向は、前記基板カセットの移動方向と平行であり、
    前記複数の第１線光源は、互いに平行であり且つ前記チャンバの周方向に沿って環状に配置され、
    前記第２光源は、複数の第２線光源を含み、
    前記第２線光源の各々の長さの方向は、前記基板カセットの移動方向と平行であり、
    前記複数の第２線光源は、互いに平行であり且つ前記チャンバの周方向に沿って環状に配置されている、請求項１に記載の脱気チャンバ。
  3. 前記複数の第１線光源のうち、隣接する任意の２つは、等間隔に配置され、
    前記複数の第２線光源のうち、隣接する任意の２つは、等間隔に配置されている、請求項２に記載の脱気チャンバ。
  4. 前記加熱アセンブリは、第１反射板と第２反射板とをさらに含み、
    前記第１反射板は、前記基板搬送口の遠位側の前記第１反射筒の端部を覆っており、
    前記第２反射板は、前記基板搬送口の遠位側の前記第２反射筒の端部を覆っており、
    前記第１反射板と前記第２反射板とは、その上に照射された光を前記基板カセットに向かって反射するように構成されている、請求項１に記載の脱気チャンバ。
  5. 前記第１反射筒および前記第２反射筒の内壁は、その上に照射された光を拡散反射および／または鏡面反射可能である、請求項１に記載の脱気チャンバ。
  6. 前記第１反射筒の内側に面する前記第１反射板の内壁と前記第２反射筒の内側に面する前記第２反射板の内壁とは、その上に照射された光を拡散反射および／または鏡面反射可能である、請求項４に記載の脱気チャンバ。
  7. 前記第１反射筒および前記第２反射筒は、ステンレス鋼から作られる、請求項１に記載の脱気チャンバ。
  8. 前記第１反射板および前記第２反射板は、ステンレス鋼から作られる、請求項４に記載の脱気チャンバ。
  9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の脱気チャンバを備える半導体処理装置。
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