TWI715742B - 一種去氣方法、去氣腔室和半導體處理裝置 - Google Patents

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侯玨
石璞
鄭金果
宗令蓓
趙夢欣
丁培軍
王厚工
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Abstract

本發明提供一種去氣方法、去氣腔室和半導體處理裝置。該去氣方法包括：步驟S1：加熱去氣腔室，以使其內部溫度達到預設溫度，並保持在該預設溫度不變；步驟S2：將待去氣晶片傳入去氣腔室內，並在加熱設定時間段之後取出。本發明提供的去氣方法，其不僅可以提高同一批次晶片和不同批次晶片的溫度均勻性，而且可以實現待去氣晶片的隨入隨出，從而可以提高裝置產能。

Description

一種去氣方法、去氣腔室和半導體處理裝置
本發明涉及半導體裝置製備技術領域，具體地，涉及一種去氣方法、去氣腔室和半導體處理裝置。
物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）技術廣泛地應用在半導體製造技術領域中。在PVD製程中，通常需要Degas（去氣）製程步驟，用以去除掉晶片在大氣中吸附的水蒸氣等雜質，清潔晶片的表面，為後續工序提供儘可能乾淨的晶片。例如第1圖所示的銅互連PVD製程流程中即包含該去氣製程步驟。
去氣腔室分為單片去氣腔室和多片去氣腔室兩種，其中多片去氣腔室因其能夠同時加熱多片晶片，具有產能較高的特點而越來越多的被採用。對於多片去氣腔室，在進行製程前，首先將腔室中的片盒下降至指定的裝卸位置，並通過真空機械手將晶片逐片傳輸到片盒內，直至片盒上放滿晶片，然後，將片盒上升至指定的加熱位置。開始製程，使用燈泡對片盒內的晶片進行快速加熱一定的時間，直至晶片達到製程所需的溫度。製程結束後，真空機械手再將晶片逐片傳出腔室，然後再放入下一批待加熱的晶片重複上述加熱過程。 上述去氣腔室在實際應用中存在以下問題：
其一，由於去氣腔室進行本次去氣製程的初始溫度勢必高於前一次去氣製程的初始溫度，即，去氣腔室的初始溫度隨製程次數的增加而逐漸升高，這使得不同批次的晶片在先後進入同一去氣腔室時，腔室的初始溫度存在差異，從而導致加熱時間相同的條件下，不同批次的晶片最終達到的溫度不同，進而造成不同批次的晶片的品質不一致。
其二，由於在使用燈泡加熱晶片時，位於腔室中心區域的晶片溫度往往高於位於腔室邊緣區域的晶片溫度，即，同一批晶片的溫度均勻性較差，從而造成同一批次的晶片的品質不一致。
其三，雖然多片去氣腔室可以一次加熱複數晶片，但是由於後一批晶片只能等到腔室內的前一批晶片均加熱完畢，並傳出腔室之後才能進入腔室，因此，單憑增加同一批晶片的數量來提升裝置產能的效果並不明顯，雖然可以通過配置2個或以上的多片去氣腔室來提升產能，但是這又會導致裝置的複雜度和成本增加。
本發明針對現有技術中存在的上述技術問題，提供一種去氣方法、去氣腔室和半導體處理裝置，其不僅可以提高同一批次晶片和不同批次晶片的溫度均勻性，而且可以實現待去氣晶片的隨入隨出，從而可以提高裝置產能。
本發明提供一種去氣方法，包括： 步驟S1：加熱去氣腔室，以使其內部溫度達到預設溫度，並保持在該預設溫度不變； 步驟S2：將待去氣晶片傳入該去氣腔室內，並在加熱設定時間段之後取出。
較佳的，該步驟S1進一步包括： 加熱去氣腔室，以使其內部溫度達到預設溫度； 即時檢測該去氣腔室的內部溫度，並將該內部溫度與該預設溫度進行差比較，然後根據比較結果控制該去氣腔室的內部溫度，以使其保持在該預設溫度不變。
作為另一個技術方案，本發明還提供一種去氣腔室，包括： 控溫單元，用於加熱該去氣腔室的內部，以使該去氣腔室的內部溫度達到預設溫度，並保持在該預設溫度不變； 控制單元，用於控制機械手將待去氣晶片傳入該去氣腔室內，並在加熱設定時間段之後取出。
較佳的，該溫控單元包括： 加熱元件，用於加熱該去氣腔室，以使其內部溫度達到預設溫度； 測溫元件，用於即時檢測該去氣腔室的內部溫度； 控制元件，用於將該內部溫度與該預設溫度進行差比較，然後根據比較結果控制該加熱元件，以使該去氣腔室的內部溫度，保持在該預設溫度不變。
較佳的，該去氣腔室還包括腔體和用於承載該待去氣晶片的片盒；該腔體的側壁上開設有傳片口，該傳片口用作該晶片傳入或傳出該腔體的通道；該片盒在該腔體內可沿豎直方向移動； 該加熱元件包括第一光源件和第二光源件，該腔體以該傳片口為界分為第一腔體和第二腔體；該第一光源件位於該第一腔體內，該第二光源件位於該第二腔體內；該第一光源件和該第二光源件用於對該片盒內的該待去氣晶片進行加熱。
較佳的，該測溫元件通過檢測該片盒的溫度來獲得該去氣腔室的內部溫度；或者， 在該片盒上設置有檢測晶片，該測溫元件用於通過測量該檢測晶片的溫度來獲得該去氣腔室的內部溫度。
較佳的，該加熱元件還包括第一反光筒和第二反光筒，其中，該第一反光筒位於該第一腔體和該第一光源件之間；該第二反光筒位於該第二腔體和該第二光源件之間； 該第一反光筒和該第二反光筒用於將照射到其上的光線向該片盒內的該待去氣晶片反射。
較佳的，該第一反光筒包括頂板，該第二反光筒包括底板；該頂板蓋合在該第一反光筒的遠離該傳片口的一端，該底板蓋合在該第二反光筒的遠離該傳片口的一端； 該頂板和該底板用於將照射到其上的光線向該腔體內的該待去氣晶片反射。
較佳的，該測溫元件包括第一測溫件和第二測溫件，其中，該第一測溫件用於通過檢測該第一反光筒的溫度來獲得該第一腔體的內部溫度；該第二測溫件用於通過檢測該第二反光筒的溫度來獲得該第二腔體的內部溫度； 該控制元件包括第一控溫件和第二控溫件，其中，該第一控溫件用於接收由該第一測溫件發送而來的該第一腔體的內部溫度，並將該內部溫度與該預設溫度進行差比較，然後根據比較結果控制該第一光源件，以使該第一腔體的內部溫度，保持在該預設溫度不變；該第二控溫件用於接收由該第二測溫件發送而來的該第二腔體的內部溫度，並將該內部溫度與該預設溫度進行差比較，然後根據比較結果控制該第二光源件，以使該第二腔體的內部溫度，保持在該預設溫度不變。
較佳的，該測溫元件還包括第一備用件和第二備用件，其中，該第一備用件用於檢測該第一反光筒的溫度；該第二備用件用於檢測該第二反光筒的溫度； 該第一控溫件還用於判斷分別由該第一測溫件和該第一備用件發送而來的該第一反光筒的溫度的差值是否在預設範圍內；該第二控溫件還用於判斷分別由該第二測溫件和該第二備用件發送而來的該第二反光筒的溫度的差值是否在預設範圍內。
較佳的，該去氣腔室還包括第一報警元件和第二報警元件，其中， 該第一控溫件在判斷該第一反光筒的溫度的差值不在預設範圍內時，控制該第一報警元件進行報警； 該第二控溫件在判斷該第二反光筒的溫度的差值不在預設範圍內時，控制該第二報警元件進行報警。
較佳的，該測溫元件採用熱電偶或紅外感測器。
作為另一個技術方案，本發明還提供一種半導體處理裝置，包括本發明提供的上述去氣腔室。
本發明的有益效果：本發明提供的去氣方法、去氣腔室和半導體處理裝置的技術方案中，首先加熱去氣腔室，以使其內部溫度達到預設溫度，並保持在該預設溫度不變，然後將待去氣晶片傳入去氣腔室內進行恆溫加熱，並在加熱設定時間段之後取出。通過將去氣腔室內的溫度始終保持在預設溫度，不僅可以避免因腔室的初始溫度不同造成不同批次的晶片最終達到的溫度不同的問題，從而可以提高不同批次的晶片的品質一致性。通過將待去氣晶片恆溫加熱設定時間段之後取出，可以實現待去氣晶片的隨入隨出，即，任何時間都可以向去氣腔室內傳入任意數量的待去氣晶片，並在加熱設定時間段之後即可取出，而無需等待前一批晶片加熱完畢並傳出腔室之後才能進行下一批晶片的製程，從而提高了裝置產能。同時，通過將待去氣晶片恆溫加熱設定時間段之後取出，還可以確保任意時間進入腔室內的晶片均能夠達到預設的目標溫度，從而實現了對晶片溫度的準確控制。
為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖和具體實施方式對本發明所提供的一種去氣方法、去氣腔室和半導體處理裝置作進一步詳細描述。 實施例1： 本實施例提供一種去氣方法，如第2圖所示，包括：
步驟S1：加熱去氣腔室，以使其內部溫度達到預設溫度，並保持在該預設溫度不變。
步驟S2：將待去氣晶片傳入去氣腔室內，並在加熱設定時間段之後取出。
步驟S1可以使去氣腔室保持恆溫狀態，從而使進入去氣腔室的晶片能夠被恆溫加熱。這可以避免因腔室的初始溫度不同造成不同批次的晶片最終達到的溫度不同的問題，從而可以提高不同批次的晶片的品質一致性。步驟S2可以實現待去氣晶片的隨入隨出，即，任何時間都可以向去氣腔室內傳入任意數量的待去氣晶片，並在加熱設定時間段之後即可取出，而無需等待腔室內的所有晶片加熱完畢並傳出腔室之後才能進行下一批晶片的製程，從而提高了裝置產能。同時，通過將待去氣晶片恆溫加熱設定時間段之後取出，還可以確保任意時間進入腔室內的晶片均能夠達到預設的目標溫度，從而實現了對晶片溫度的準確控制。
在實際應用中，步驟S2中對晶片加熱時間可以根據具體情況而定，只要能夠使晶片最終達到目標溫度即可。另外，可以通過程式對機械手的傳片進行控制，以實現晶片能夠在加熱指定時間之後取出。 較佳的，步驟S1進一步包括：
步驟S11，加熱去氣腔室，以使其內部溫度達到預設溫度；
步驟S12，即時檢測去氣腔室的內部溫度，並將該內部溫度與預設溫度進行差比較，然後根據比較結果控制去氣腔室的內部溫度，以使其保持在預設溫度不變。
在步驟S12中，若內部溫度與預設溫度之間的差值超出允許的溫度範圍內，則增大或減小去氣腔室的內部溫度，直至內部溫度與預設溫度趨於一致，從而實現去氣腔室的內部溫度保持在預設溫度不變。
通過即時檢測去氣腔室的內部溫度，並根據該內部溫度與預設溫度調節去氣腔室的內部溫度，可以實現溫度調節的閉環控制，從而可以實現對去氣腔室的內部溫度的精確控制。
由於去氣腔室是對待去氣晶片進行恆溫加熱，待去氣晶片的目標溫度與上述預設溫度之間的差值是個固定值，因此，若已知待去氣晶片的目標溫度，即可確定上述預設溫度。例如，當預設溫度為130℃時，待去氣晶片經加熱一定時間之後達到其目標溫度160℃。在這種情況下，當需要將待去氣晶片加熱到160℃時，就需要將預設溫度設置為130℃。 實施例2：
作為另一個技術方案，本發明實施例還提供一種去氣腔室，其包括控溫單元和控制單元，其中，控溫單元用於加熱去氣腔室的內部，以使去氣腔室的內部溫度達到預設溫度，並保持在該預設溫度不變。控制單元用於將控制機械手將待去氣晶片傳入去氣腔室內，並在加熱設定時間段之後取出。控制單元可以為上位機等。
通過借助控溫單元加熱去氣腔室，以使其內部溫度達到預設溫度，並保持在該預設溫度不變，不僅可以避免因腔室的初始溫度不同造成不同批次的晶片最終達到的溫度不同的問題，從而可以提高不同批次的晶片的品質一致性。借助控制單元控制機械手將待去氣晶片傳入去氣腔室內，並在加熱設定時間段之後取出，可以實現待去氣晶片的隨入隨出，即，任何時間都可以向去氣腔室內傳入任意數量的待去氣晶片，並在加熱設定時間段之後即可取出，而無需等待前一批晶片加熱完畢並傳出腔室之後才能進行下一批晶片的製程，從而提高了裝置產能。同時，通過將待去氣晶片恆溫加熱設定時間段之後取出，還可以確保任意時間進入腔室內的晶片均能夠達到預設的目標溫度，從而實現了對晶片溫度的準確控制。
較佳的，溫控單元包括加熱元件、測溫元件和控制元件，其中，加熱元件用於加熱該去氣腔室，以使其內部溫度達到預設溫度；測溫元件用於即時檢測去氣腔室的內部溫度，該測溫元件採用熱電偶或紅外感測器等等。控制元件用於將該內部溫度與預設溫度進行差比較，然後根據比較結果控制加熱元件，以使去氣腔室的內部溫度，保持在預設溫度不變。
具體地，控制單元判斷內部溫度與預設溫度之間的差值是否超出允許的溫度範圍內，若是，則增大或減小去氣腔室的內部溫度，直至內部溫度與預設溫度趨於一致，從而實現去氣腔室的內部溫度保持在預設溫度不變。通過借助測溫元件即時檢測去氣腔室的內部溫度，並借助控制元件根據該內部溫度與預設溫度調節去氣腔室的內部溫度，可以實現溫度調節的閉環控制，從而可以實現對去氣腔室的內部溫度的精確控制。
下面對本發明實施例提供的去氣腔室的具體實施方式進行詳細描述。具體地，如第3圖和第4圖所示，去氣腔室還包括腔體1和用於承載待去氣晶片的片盒2，其中，腔體1限定了去氣腔室的加熱空間。腔體1的側壁上開設有傳片口13，該傳片口13用作晶片傳入或傳出腔體1的通道；片盒2包括基體23、頂蓋21和底蓋22，其中，基體23設置有複數槽位，用於放置複數晶片，而且，基體23的排布須考慮晶片的可傳輸性，以防止晶片通過機械手傳輸時碰撞到基體23。頂蓋21和底蓋22分別設置在基體23的相對兩端，且頂蓋21與腔體1的頂部相對，底蓋22與腔體1的底部相對。基體23用於支撐頂蓋21、底蓋22以及位於其上的晶片。片盒2為鋁制材料，頂蓋21和底蓋22的存在使得位於片盒2內上下兩端的晶片也能受到燈管輻射而被較好的加熱，減少了片盒2中間區域的晶片和上下兩端區域晶片的溫度差距。
加熱元件3包括第一光源件31和第二光源件32，腔體1以傳片口11為界分為第一腔體11和第二腔體12；第一光源件31位於第一腔體11內，第二光源件32位於第二腔體12內。第一光源件31和第二光源件32用於對片盒2內的晶片進行加熱。這樣，片盒2內的晶片無論是在傳片口11的上方區域，還是在傳片口11的下方區域，均可以得到光源的加熱，從而確保了晶片在去氣製程和取放片過程中的製程溫度均衡，進而不僅提高了晶片的去氣製程品質，而且為後續製程過程提供了更加潔淨的晶片。
在本實施例中，第一光源件31沿第一腔體11的周向而環繞第一腔體11設置於第一腔體11的側壁的內側；第二光源件32沿第二腔體12的周向而環繞第二腔體12設置於第二腔體12的側壁的內側；具體地，第一光源件31和第二光源件32在腔體1內沿豎直方向設置，且相對於傳片口11對稱，片盒2可在第一光源件31和第二光源件32環繞圍成的空間內豎直移動，這能使片盒2無論移動到腔體1內的什麼位置，片盒2內的晶片都能受到第一光源件31或第二光源件32的均衡加熱，這樣，當有晶片需要傳入或者傳出腔體1時，即便片盒2在第一腔體11和第二腔體12內的位置發生變動，其內的晶片也能受到第一光源件31和/或第二光源件32的加熱。
由於第一光源件31或第二光源件32環繞形成加熱空間，其各自能夠在片盒2的周圍對其內的晶片均勻加熱，從而可以提高片盒2內的晶片的溫度均勻性。當然，在實際應用中，第一光源件或第二光源件還可以採用其他任意結構，只要其能夠對片盒內的晶片進行加熱即可。
較佳的，測溫元件5可以通過檢測片盒2的溫度來獲得去氣腔室的內部溫度，即，將片盒2的溫度視為去氣腔室的內部溫度，這是因為片盒2的溫度可以較為準確地反映去氣腔室的內部溫度，從而可以提高檢測的準確度。或者，在片盒2上設置有檢測晶片（假晶片），測溫元件5通過測量該檢測晶片的溫度來獲得去氣腔室的內部溫度，即，將該檢測晶片的溫度視為去氣腔室的內部溫度，檢測晶片的溫度同樣可以較為準確地反映去氣腔室的內部溫度，從而可以提高檢測的準確度。
在本實施例中，加熱元件3還包括第一反光筒41和第二反光筒42，其中，第一反光筒41位於第一腔體11和第一光源件31之間；第二反光筒42位於第二腔體12和第二光源件32之間；第一反光筒41和第二反光筒42用於將照射到其上的光線朝向片盒2及其內的晶片反射，即，第一反光筒41和第二反光筒42用於將熱傳遞到其上的熱量朝向片盒2及其內的晶片反射。具體地，第一反光筒41為沿周向閉合的筒狀結構，其沿第一光源件31的周向而環繞第一光源件31設置在第一光源件31和第一腔體11之間；第二反光筒42為沿周向閉合的筒狀結構，其沿第二光源件32的周向而環繞第二光源件32設置在第二光源件32和第二腔體12之間；如此設置，能使第一光源件31和第二光源件32產生的熱量很好地保持在筒內，從而提高第一光源件31和第二光源件32的熱利用率，提升加熱效率，同時確保第一反光筒41和第二反光筒42內的加熱溫度均衡，使片盒2內的晶片能夠被均勻加熱。
其中，第一反光筒41包括頂板411，第二反光筒42包括底板421；頂板411蓋合在第一反光筒41的遠離傳片口13的一端，底板421蓋合在第二反光筒42的遠離傳片口13的一端；頂板411和底板421用於將照射到其上的光線向腔體1內的待去氣晶片反射。頂板411和底板421的設置，使設置於腔體1內的反光筒4能夠形成封閉的加熱空間，從而確保腔體1內良好的保持預設溫度的效果。
本實施例中，較佳地，通過對第一反光筒41和第二反光筒42的內壁進行拋光和/或表面處理，能使照射到其上的光線發生漫反射和/或鏡面反射。漫反射能使筒內第一光源件31和第二光源件32發出的光線照射均勻以及反射均勻，從而使筒內的加熱能量更加均勻。鏡面反射能使第一光源件31和第二光源件32發出的光線絕大部分都反射回筒內，從而減少了加熱能量的損失，確保了筒內熱量均衡。
在本實施例中，通過使第一反光筒41位於第一腔體11和第一光源件31之間；第二反光筒42位於第二腔體12和第二光源件32之間，可以實現將第一光源件31和第二光源件32分別於第一腔體11的側壁和第二腔體12的側壁隔離開，加之第一反光筒41和第二反光筒42的上述結構及材質，能夠分別在第一腔體11和第二腔體12內形成一個相對密閉和恆定高溫的環境。在恆定高溫環境下，第一腔體11和第二腔體12內各部件的吸熱和散熱保持平衡。當晶片被傳入到腔體1內時，單個晶片的熱容量相對整個腔體1內的熱容量相對小很多，故腔體1內的部件對於晶片本身都是一個熱源，因此晶片會在第一反光筒41和第二反光筒42、第一光源件31和第二光源件32的熱輻射的作用下快速達到熱平衡狀態。
測溫元件5包括第一測溫件51和第二測溫件52，其中，第一測溫件51用於通過檢測第一反光筒41的溫度來獲得第一腔體11的內部溫度；第二測溫件52用於通過檢測第二反光筒42的溫度來獲得第二腔體12的內部溫度。相應的，控制元件6包括第一控溫件61和第二控溫件62，其中，第一控溫件61用於接收由第一測溫件51發送而來的第一腔體11的內部溫度，並將該內部溫度與預設溫度進行差比較，然後根據比較結果控制第一光源件31，以使第一腔體11的內部溫度，保持在預設溫度不變。第二控溫件62用於接收由第二測溫件52發送而來的第二腔體12的內部溫度，並將該內部溫度與預設溫度進行差比較，然後根據比較結果控制第二光源件32，以使第二腔體12的內部溫度，保持在預設溫度不變。這樣，可以分別對第一腔體11和第二腔體12溫度調節的閉環控制，從而可以實現分別對第一腔體11和第二腔體12的內部溫度的精確控制。
較佳的，測溫元件5還包括第一備用件53和第二備用件54，其中，第一備用件53用於檢測第一反光筒41的溫度，並將該溫度回饋給第一控溫件61；第二備用件54用於檢測第二反光筒42的溫度，並將該溫度回饋給第二控溫件62。第一控溫件61還用於判斷分別由第一測溫件51和第一備用件53發送而來的第一反光筒41的溫度的差值是否在預設範圍內；第二控溫件62還用於判斷分別由第二測溫件52和第二備用件54發送而來的第二反光筒42的溫度的差值是否在預設範圍內。借助第一備用件53和第二備用件54，可以分別對第一測溫件51和第二測溫件52的工作情況是否正常進行監控，從而防止第一測溫件51和第二測溫件52因意外損壞而使第一控溫件61和第二控溫件62獲得的回饋溫度有誤，避免因此而導致的溫度控制出現異常。
進一步較佳的，去氣腔室還包括第一報警元件9和第二報警元件10，其中，第一控溫件61在判斷第一反光筒41的溫度的差值不在預設範圍內時，控制第一報警元件9進行報警；第二控溫件62在判斷第二反光筒42的溫度的差值不在預設範圍內時，控制第二報警元件10進行報警。借助第一報警元件9和第二報警元件10，可以及時獲知溫度控制出現異常。
需要說明的是，在本實施例中，第一測溫件51和第二測溫件52採用熱電偶，二者分別安裝在第一反光筒41和第二反光筒42上，採用接觸的方式進行測量。但是，本發明並不侷限於此，在實際應用中，第一測溫件51和第二測溫件52也可以採用諸如紅外感測器等的非接觸的方式式測量。在測量時，只要將紅外感測器的測量面對准反光筒，並將紅外感測器的測量面與反光筒之間的距離調整到紅外感測器的測量範圍內即可。
另外，去氣腔室還包括升降機構7，升降機構7貫穿腔體1的底部，並與片盒2的底蓋22連接，用於驅動片盒2升降以將片盒2中的放置於不同高度位置的晶片傳輸到傳片口13所對應的高度位置，以便取放片。另外，在升降機構7與底蓋22的連接處設置有隔熱件8，用於隔絕片盒2與升降機構7之間的熱傳導。
上述去氣腔室的具體去氣過程為：在開始加熱待去氣晶片之前，加熱元件3在控制元件6的控制下，輸出較大功率對腔體1快速加熱到預設溫度。當腔體1內部組件的溫度達到預設溫度後，加熱元件3在控制元件6的控制下，輸出較小功率將腔體1內的溫度維持在恆定的預設溫度。製程開始，自傳片口13接收一個或複數晶片，並通過升降機構7的升降將晶片放置於片盒2中的不同高度位置；片盒2在升降機構7的帶動下運動至靠近加熱元件3的去氣製程位置上；當晶片達到預設的目標溫度之後，升降機構7帶動片盒2運動至傳片口13所對應的高度位置，由機械手取走一些晶片；向片盒2中補充晶片；重複上述裝載和卸載晶片的過程，直至待去氣的晶片均完成去氣製程。 實施例3：
本實施例提供一種半導體處理裝置，包括本發明上述實施例提供的去氣腔室。
本發明實施例提供的半導體處理裝置，其通過採用本發明實施例提供的上述去氣腔室，不僅可以提高同一批次晶片和不同批次晶片的溫度均勻性，而且可以實現待去氣晶片的隨入隨出，從而可以提高裝置產能。
可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不侷限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
1、11、12‧‧‧腔體2‧‧‧片盒3‧‧‧發光元件4、41、42‧‧‧反光筒5、51、52‧‧‧測溫元件6‧‧‧控制元件7‧‧‧升降機構8‧‧‧隔熱件9、10‧‧‧報警元件13‧‧‧傳片口21‧‧‧頂蓋22‧‧‧底蓋23‧‧‧基體31、32‧‧‧光源件53、54‧‧‧備用件61、62‧‧‧控溫件411‧‧‧頂板421‧‧‧底板
第1圖為現有技術中銅互連PVD製程流程的示意圖； 第2圖為本發明實施例1中去氣方法的流程圖； 第3圖為本發明實施例2中去氣腔室的結構示意圖； 第4圖為第3圖中去氣腔室的結構俯視圖。
1、11、12‧‧‧腔體
2‧‧‧片盒
3‧‧‧發光元件
4、41、42‧‧‧反光筒
5、51、52‧‧‧測溫元件
6‧‧‧控制元件
7‧‧‧升降機構
8‧‧‧隔熱件
9、10‧‧‧報警元件
13‧‧‧傳片口
21‧‧‧頂蓋
22‧‧‧底蓋
23‧‧‧基體
31、32‧‧‧光源件
53、54‧‧‧備用件
61、62‧‧‧控溫件
411‧‧‧頂板
421‧‧‧底板

Claims (13)

  1. 一種去氣方法，其特徵在於，包括：步驟S1：加熱一去氣腔室，以使其內部溫度達到一預設溫度，並保持在該預設溫度不變，以使該去氣腔室保持恆溫狀態；步驟S2：將待去氣晶片傳入該去氣腔室內，並在加熱設定時間段之後取出，以提高同一批次該待去氣晶片和不同批次該待去氣晶片的溫度均勻性。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之去氣方法，其特徵在於，該步驟S1進一步包括：加熱該去氣腔室，以使其內部溫度達到該預設溫度；即時檢測該去氣腔室的內部溫度，並將該內部溫度與該預設溫度進行差比較，然後根據比較結果控制該去氣腔室的內部溫度，以使其保持在該預設溫度不變。
  3. 一種去氣腔室，其特徵在於，包括：一控溫單元，用於加熱該去氣腔室的內部，以使該去氣腔室的內部溫度達到一預設溫度，並保持在該預設溫度不變，以使該去氣腔室保持恆溫狀態；一控制單元，用於控制一機械手，當該去氣腔室保持在該預設溫度時，將一待去氣晶片傳入該去氣腔室內，並在一加熱設定時間段之後取出，以提高同一批次該待去氣晶片和不同批次該待去氣晶片的溫度均勻性。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之去氣腔室，其特徵在於，該溫控單元包括：一加熱元件，用於加熱該去氣腔室，以使其內部溫度達到一預設溫度；一測溫元件，用於即時檢測該去氣腔室的內部溫度； 一控制元件，用於將該內部溫度與該預設溫度進行差比較，然後根據比較結果控制該加熱元件，以使該去氣腔室的內部溫度，保持在該預設溫度不變。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之去氣腔室，其特徵在於，該去氣腔室還包括一腔體和用於承載該待去氣晶片的一片盒；該腔體的側壁上開設有一傳片口，該傳片口用作該晶片傳入或傳出該腔體的通道；該片盒在該腔體內可沿豎直方向移動；該加熱元件包括一第一光源件和一第二光源件，該腔體以該傳片口為界分為一第一腔體和一第二腔體；該第一光源件位於該第一腔體內，該第二光源件位於該第二腔體內；該第一光源件和該第二光源件用於對該片盒內的該待去氣晶片進行加熱。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之去氣腔室，其特徵在於，該測溫元件通過檢測該片盒的溫度來獲得該去氣腔室的內部溫度；或者，在該片盒上設置有一檢測晶片，該測溫元件用於通過測量該檢測晶片的溫度來獲得該去氣腔室的內部溫度。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之去氣腔室，其特徵在於，該加熱元件還包括一第一反光筒和一第二反光筒，其中，該第一反光筒位於該第一腔體和該第一光源件之間；該第二反光筒位於該第二腔體和該第二光源件之間；該第一反光筒和該第二反光筒用於將照射到其上的光線向該片盒內的該待去氣晶片反射。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之去氣腔室，其特徵在於，該第一反光筒包括一頂板，該第二反光筒包括一底板；該頂板蓋合在該第一反光筒的遠離該傳片口的一端，該底板蓋合在該第二反光筒的遠離該傳片口的一端；該頂板和該底板用於將照射到其上的光線向該腔體內的該待去氣晶片反射。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之去氣腔室，其特徵在於，該測溫元件包括一第一測溫件和一第二測溫件，其中，該第一測溫件用於通過檢測該第一反光筒的溫度來獲得該第一腔體的內部溫度；該第二測溫件用於通過檢測該第二反光筒的溫度來獲得該第二腔體的內部溫度；該控制元件包括一第一控溫件和一第二控溫件，其中，該第一控溫件用於接收由該第一測溫件發送而來的該第一腔體的內部溫度，並將該內部溫度與該預設溫度進行差比較，然後根據比較結果控制該第一光源件，以使該第一腔體的內部溫度，保持在該預設溫度不變；該第二控溫件用於接收由該第二測溫件發送而來的該第二腔體的內部溫度，並將該內部溫度與該預設溫度進行差比較，然後根據比較結果控制該第二光源件，以使該第二腔體的內部溫度，保持在該預設溫度不變。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之去氣腔室，其特徵在於，該測溫元件還包括一第一備用件和一第二備用件，其中，該第一備用件用於檢測該第一反光筒的溫度；該第二備用件用於檢測該第二反光筒的溫度；該第一控溫件還用於判斷分別由該第一測溫件和該第一備用件發送而來的該第一反光筒的溫度的差值是否在預設範圍內；該第二控溫件還用於判斷分別由該第二測溫件和該第二備用件發送而來的該第二反光筒的溫度的差值是否在預設範圍內。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之去氣腔室，其特徵在於，該去氣腔室還包括一第一報警元件和一第二報警元件，其中，該第一控溫件在判斷該第一反光筒的溫度的差值不在預設範圍內時，控制該第一報警元件進行報警；該第二控溫件在判斷該第二反光筒的溫度的差值不在預設範圍內時，控制該第二報警元件進行報警。
  12. 如申請專利範圍第4項所述之去氣腔室，其特徵在於，該測溫元件採用熱電偶或紅外感測器。
  13. 一種半導體處理裝置，其特徵在於，包括申請專利範圍第3項至第12項任一項所述之去氣腔室。
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