KR102391974B1 - 온도 측정 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 온도 측정 유닛은 차단 부재를 포함한다. 차단 부재는 기판의 목표 지점은 상기 온도 측정 부재에 노출될 수 있게 하고, 기판에서 목표 지점 이외의 부분은 차단한다. 그러므로, 온도 측정 부재가 목표 지점 이외의 열에 간섭을 받지 않고 목표 지점의 온도를 정확하게 측정할 수 있다.
따라서, 기판 처리 장치가 기판을 처리하는 과정에서, 기판의 온도 측정 신뢰성이 종래의 온도 측정 유닛보다 현저하게 향상되어 기판의 온도를 정확하게 제어할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 온도 측정 유닛은 기판(W)이 과도하게 가열되어 기판(W)이 파손되거나, 기판(W)이 반응이 요구되는 온도로 가열되지 아니하여 열적 화학반응이 제대로 일어나지 못하게 되는 것을 방지할 수 있다.
뿐만 아니라, 본 발명에 따른 온도 측정 유닛은 구동 부재로 차단 부재를 기판의 회전 속도와 동일한 회전 속도로 회전시킴으로써, 목표 지점만 온도 측정 부재에 노출될 수 있게 할 수 있다. 이에 따라, 기판의 온도측정의 정밀도를 향상시킬 수 있다.

Description

온도 측정 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{TEMPERATURE MEASUREMENT DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 온도 측정 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
열처리 챔버는 반도체 웨이퍼와 같은 대상체를 빠르게 가열하는 장치를 지칭한다. 통상적으로 그러한 장치들은 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 잡고 있기 위한 기판 홀더(substrate holder)와, 가열램프 및/또는 전기 저항 히터와 같이, 웨이퍼를 가열하기 위한 에너지 소스를 포함한다. 가열 처리 동안에 미리 설정된 온도 체제에 따라 제어된 조건들 하에서 반도체 웨이퍼가 가열된다.
다수의 반도체 가열 프로세스는 웨이퍼를 장치로 제작할 경우 다양한 화학적 및 물리적 변형이 발생할 수 있도록 웨이퍼를 고온으로 가열할 필요가 있다. 고속 열처리 동안에 반도체 웨이퍼는 통상 광 어레이에 의해 통상 수 분보다 적은 시간동안 약 300℃ 내지 약 1200℃의 온도로 가열된다. 이들 프로세스들 동안에, 하나의 주된 목표는 웨이퍼를 가능한 한 균일하게 가열하는 것이다.
반도체 웨이퍼의 고속 열처리 동안에, 웨이퍼 온도를 모니터링하고 제어하는 것이 바람직하다. 특히, 고온 웨이퍼 프로세스에 대해 높은 정확도, 반복성 및 속도로 웨이퍼의 실제 온도를 결정하는 것이 중요하다. 웨이퍼의 온도를 정확하게 측정하는 능력은 제조된 집적 회로의 품질과 크기에서 직접적인 이점을 갖는다.
한국등록특허공보 제1057853호
본 발명에 따르면 웨이퍼의 온도를 정확하게 측정 가능한 온도 측정 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.
본 발명에 따른 온도 측정 유닛은 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 설치되어 회전되는 기판의 목표 지점의 온도를 측정하는 온도 측정 유닛에 있어서, 상기 지지 유닛으로부터 이격되게 설치되고, 상기 지지 유닛에 의해 회전되는 기판의 목표 지점의 온도를 측정하는 온도 측정 부재; 및 상기 지지 유닛과 상기 온도 측정 부재 사이에 위치되고, 기판의 목표 지점은 상기 온도 측정 부재에 노출될 수 있게 하고, 기판에서 목표 지점 이외의 부분은 차단하는 차단 부재;를 포함한다.
차단 부재는, 판 형상으로 이루어지고, 상기 기판과 대응되는 크기인 베이스부; 및 상기 베이스부에서 상기 온도 측정 부재와 대응되는 부분에 위치되고, 상하방향으로 관통되는 관통부를 포함할 수 있다.
차단 부재는 상기 관통부에 설치되고, 상기 관통부를 개방 또는 폐쇄하는 개폐부를 더 포함할 수 있다.
또한, 차단 부재가 상기 지지 유닛과 동일한 속도로 회전될 수 있게 하는 구동 부재를 더 포함할 수 있다.
차단 부재는, 상기 베이스부에서 상기 관통부와 점 대칭되는 곳에 위치되고, 상기 관통부와 동일한 크기로 관통되는 무게중심부를 더 포함할 수 있다.
또한, 차단 부재의 크기는 상기 기판의 크기와 동일하거나 작게 이루어 질 수 있다.
지지 유닛에서 회전되는 부분의 회전각을 측정하는 회전각 측정 부재; 및 상기 회전각 측정 부재로부터 측정된 회전각 정보를 전달받아서 상기 온도 측정 부재가 동작되는 시점을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.
온도 측정 부재는 고온계(PYROMETER)일 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 몸체 부재; 상기 몸체 부재의 내부에 설치되고, 기판을 지지하며, 기판을 회전시키는 지지 유닛; 및 상기 지지 유닛 상에서 회전중인 기판의 온도를 측정하는 온도 측정 유닛; 을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 온도 측정 유닛은 차단 부재를 포함한다. 차단 부재는 기판의 목표 지점은 상기 온도 측정 부재에 노출될 수 있게 하고, 기판에서 목표 지점 이외의 부분은 차단한다. 그러므로, 온도 측정 부재가 목표 지점 이외의 열에 간섭을 받지 않고 목표 지점의 온도를 정확하게 측정할 수 있다.
따라서, 기판 처리 장치가 기판을 처리하는 과정에서, 기판의 온도 측정 신뢰성이 종래의 온도 측정 유닛보다 현저하게 향상되어 기판의 온도를 정확하게 제어할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 온도 측정 유닛은 기판(W)이 과도하게 가열되어 기판(W)이 파손되거나, 기판(W)이 반응이 요구되는 온도로 가열되지 아니하여 열적 화학반응이 제대로 일어나지 못하게 되는 것을 방지할 수 있다.
뿐만 아니라, 본 발명에 따른 온도 측정 유닛은 구동 부재로 차단 부재를 기판의 회전 속도와 동일한 회전 속도로 회전시킴으로써, 목표 지점만 온도 측정 부재에 노출될 수 있게 할 수 있다. 이에 따라, 기판의 온도측정의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예를 나타낸 온도 측정 유닛을 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 온도 측정 유닛이 설치될 수 있는 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 3은 온도 측정 유닛에서 차단 부재를 발췌하여 도시한 도면이다.
도 4는 차단 부재의 다른 변형예를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예를 나타낸 온도 측정 유닛을 도시한 사시도이다.
도 6은 차단 부재의 또 다른 변형예를 도시한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 온도 측정 유닛을 설명하기에 앞서, 온도 측정 유닛이 설치될 수 있는 기판 처리 장치에 대해 설명하기로 한다. 그리고, 기판 처리 장치는 특정 방식으로 한정하지는 않으나, 이하에서는 매엽식 기판 처리 장치로 한정하여 설명한다.
도 1 및 도 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1000)는 몸체 부재(미도시), 지지 유닛(200), 온도 측정 유닛(100), 세정액 공급 유닛(미도시) 및 회수 유닛(미도시)을 포함할 수 있다.
몸체 부재는 기판 처리 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 몸체 부재는 상부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 몸체 부재의 개방된 상부는 지지 유닛(200)에 기판(W)을 로딩/언로딩하기 위한 기판(W) 출입구로 이용될 수 있다.
지지 유닛(200)은 몸체 부재 내측에 설치된다. 지지 유닛(200)은 공정 진행 중에 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안, 기판을 회전시킬 수 있다.
이를 위한 지지 유닛(200)은 일례로 지지판(210), 구동부(230) 및 지지축(220)을 포함할 수 있다.
지지판(210)은 원판 형상일 수 있다. 지지판(210)의 상측에는 기판(W)을 지지하는 지지핀(미도시)과 고정핀(미도시)이 설치될 수 있다. 지지핀은 기판(W)을 지지하고, 고정핀은 기판의 가장자리를 지지할 수 있다. 고정핀은 기판(W)이 회전되는 과정에서 지지판으로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다.
구동부(230)는 지지판(210)을 회전시킬 수 있다. 구동부(230)는 일례로 회전 모터일 수 있다. 또한, 구동부(230)는 지지판(210) 상에 기판(W)을 로딩하거나 지지판(210)으로부터 기판(W)을 언로딩하는 경우, 그리고 기판 처리 공정이나 지지판(210)의 세정 공정 중 필요가 있을 때 지지판을 상하로 이동시킬 수도 있다.
지지축(220)은 기판(W)과 구동부(230)를 연결할 수 있다. 지지축(220)은 구동부(230)의 회전력을 지지판(210)으로 전달할 수 있다. 구동부(230)가 지지축(220)을 회전시키고, 지지판(210)은 지지축(220)에 의해 회전되며, 기판(W)은 지지판(210)과 함께 회전하게 된다.
기판 처리 장치(1000)에서 진행되는 기판 처리 공정은 약액 처리 공정, 린스 공정 및 건조 공정일 수 있다. 약액 처리 공정은 기판(W)에 약액을 공급하여 기판(W)상의 잔류 오염 물질을 식각 또는 박리시키는 공정이다. 린스 공정은 약액 처리된 기판(W)에 린스액을 공급하여 기판(W)상의 식각 또는 박리된 오염 물질을 제거하는 공정이다. 건조 공정은 기판상의 린스액을 제거하고 기판(W)을 건조하는 공정이다.
몸체 부재 내에서는 순차적으로 공급되는 다수의 기판들에 대해 약액 처리 공정, 린스 공정 및 건조 공정이 반복적으로 진행될 수 있다. 이들 공정이 반복적으로 진행되는 동안 기판(W)을 지지하는 지지 유닛(200) 상의 오염 물질을 주기적으로 제거하기 위해 지지 유닛(200)을 세정하는 세정 공정이 몸체 부재 내에서 추가적으로 진행될 수 있다.
이와 같은 기판 처리 공정들은 수백도 이상의 고온에서 열적 화학반응일 일으키는 바, 기판(W)이 과도하게 가열되어 기판(W)이 파손되거나, 열적 화학반응이 요구되는 온도로 가열되지 아니하여 열적 화학반응이 제대로 일어나지 못하게 되는 것을 방지할 필요성이 있다. 즉, 기판(W)이 목표 온도로 안정적으로 가열되기 위해서는 기판(W)의 온도가 정확하게 측정되어야 한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 측정 유닛(100)에 대해 설명하기로 한다.
도 1에 나타난 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 측정 유닛(100A)은 온도 측정 부재(110) 및 차단 부재(120)를 포함한다.
온도 측정 부재(110)는 지지 유닛(200)으로부터 이격되게 설치된다. 온도 측정 부재(110)는 지지 유닛(200)에 의해 회전되는 기판(W)의 목표 지점(A1)의 온도를 측정할 수 있다.
온도 측정 부재(110)는 일례로 온도 센서일 수 있다. 온도 센서는 수직방향에 해당하는 기판 위치의 온도를 측정하도록 설치된 비접촉식 온도센서로서, 적외선 온도센서, 서모파일 온도센서, 초전형 온도센서 등과 같이 다양한 비접촉식 온도센서일 수 있으나, 본 실시예에서는 기판(W)의 액처리시 고온상태의 기판(W)의 가열온도를 비접촉상태로 측정하도록 비접촉식 적외선 방사 온도계로서 파이로미터(pyrometer)와 같은 적외선 온도센서를 사용하는 것이 바람직하다.
차단 부재(120)는 지지 유닛(200)과 온도 측정 부재(110) 사이에 위치될 수 있다. 차단 부재(120)는 기판의 목표 지점(A1)에 온도 측정 부재(110)가 노출될 수 있게 하고, 기판(W)에서 목표 지점 이외의 부분(A2)은 차단시킨다.
이와 같이 차단 부재(120)가 기판(W)에서 온도 측정이 이루어져야 하는 목표 지점 이외의 부분(A2)의 열이 온도 측정 부재(110)로 전달되는 것을 차단함으로써, 목표 지점 이외의 부분(A2)에 의한 온도 간섭을 피할 수 있다.
도 2에 나타난 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 측정 유닛(100)은 회전각 측정 부재(150)와 제어부(140)를 포함할 수 있다.
회전각 측정 부재(150)는 지지 유닛(200)에서 회전되는 부분의 회전각을 측정할 수 있다. 예를 들어, 회전각 측정 부재(150)는 지지 유닛(200)에 포함된 지지판(210) 또는 지지축(220)의 회전각을 측정할 수 있다.
제어부(140)는 회전각 측정 부재(150)의 측정 결과에 따라 온도 측정 부재(110)가 동작되는 시점을 제어하는 것일 수 있다. 제어부(140)는 온도 측정 부재(110)가 기판의 온도를 측정하는 시점뿐만 아니라, 기판(W)의 회전 속도도 제어할 수 있다.
이에 따라, 기판(W)의 목표 지점(A1)이 온도 측정 부재(110)와 서로 마주하는 위치가 되는 경우, 온도 측정 부재(110)가 기판(W)의 목표 지점(A1)의 온도를 측정할 수 있다. 그러므로, 온도 측정 부재(110)가 기판(W)의 목표 지점(A1)의 온도를 매우 정확하게 측정할 수 있다.
도 3을 참조하면, 차단부재(120)는 베이스부(121) 및 관통부(122)를 포함할 수 있다.
베이스부(121)는 판 형상으로 이루어질 수 있다. 베이스부(121)는 기판(W)에 대응되는 크기일 수 있다. 이와 다르게, 베이스부(121)의 크기는 기판(W)의 크기와 동일하거나 작게 이루어질 수 있다.
관통부(122)는 베이스부(121)에서 온도 측정 부재(110)와 대응되는 부분에 위치되고, 상하방향으로 관통된다.
도 4를 참조하면, 차단 부재(220)는 변형예로 개폐부(124)를 더 포함할 수 있다. 개폐부(124)는 관통부(122)를 개방 또는 폐쇄할 수 있다.
개폐부(124)는 베이스부(121)에서 관통부(122)가 위치된 부분에 설치될 수 있다. 개폐부(124)는 관통부(122)의 개방된 정도 또는 개방되는 시간을 제어할 수 있다. 관통부(122)가 과도하게 개방되면, 온도 측정 부재(110)가 목표 지점(A1) 주변의 열에 의하여 목표 지점(A1)의 온도를 정확하게 측정하기 어려울 수 있다.
이와 반대로 관통부(122)가 거의 개방되지 않으면, 온도 측정 부재(110)가 목표 지점(A1)의 온도를 측정하기 어려울 수 있다. 이를 위한 개폐부(124)는 조리개 형상일 수도 있고 셔터 형상일 수도 있다. 여기서, 조리개는 복수의 회전판이 서로 간격마다 위치되어 동시에 회전되면서 내부의 공간이 증가되거나 감소될 수 있게 하는 것일 수 있다.
이와 같은 개폐부(124)는 관통부(122)가 적절한 크기로 개방되게 하여 온도 측정 부재(110)가 목표 지점(A1)의 온도만 측정하도록 할 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 온도 측정 유닛(100B)은구동 부재(130)를 더 포함할 수 있다.
구동 부재(130)는 차단 부재(120)의 중심에 결합될 수 있다. 구동 부재(130)는 차단 부재(120)를 회전시킬 수 있다.
구동 부재(130)는 차단 부재(120)가 지지 유닛(200)과 동일한 속도로 회전될 수 있게 할 수 있다. 구동 부재(130)는 일례로 회전 모터일 수 있다. 이와 같은 구동 부재(130)가 차단 부재(120)를 지속적으로 회전시키면, 기판(W)과 차단 부재(120)가 함께 연동하여 회전될 수 있다.
즉, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 온도 측정 유닛(100B)은 구동 부재(130)를 포함함으로써, 기판(W)에서 온도가 측정되어야 하는 목표 지점(A1)만 온도 측정 부재(110)에 노출되도록 할 수 있다. 즉, 온도 측정 부재(110)가 기판(W)의 목표 지점(A1)의 열을 측정하는 과정에서, 목표 지점 이외의 부분(A2)의 열에 의한 간섭을 최소화할 수 있으므로, 기판의 목표 지점(A1)의 온도를 전술한 실시예에 따른 온도 측정 유닛(100A)과 비교하여 더욱 안정적으로 측정할 수 있다.
도 6을 참조하면, 차단 부재(320)는 또 다른 변형예로 무게중심부(123)를 더 포함할 수 있다. 무게중심부(123)는 베이스부(121)에서 관통부(122)와 점대칭 되는 곳에 위치되고, 관통부(122)와 동일한 크기로 관통된 것일 수 있다.
이러한 무게중심부(123)는 차단 부재(120)가 가상의 중심(M)을 기준으로 대칭인 형상이 되도록 할 수 있다. 이에 따라, 차단 부재(120)가 회전되는 과정에서 무게중심이 맞지 않게 되어 진동이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 무게중심부(123)는 차단 부재(120)의 무게중심이 베이스부(121)의 정중앙이 되게 함으로써, 차단 부재(120)를 회전시키는 구동 부재(130)의 축에 부하가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명에 따른 온도 측정 유닛(100)은 차단 부재(120)를 포함한다.
차단 부재(120)는 기판(W)의 목표 지점(A1)은 상기 온도 측정 부재(110)에 노출될 수 있게 하고, 기판(W)에서 목표 지점 이외의 부분(A2)은 차단한다. 그러므로, 온도 측정 부재(110)가 목표 지점 이외의 열에 간섭을 받지 않고 목표 지점의 온도를 정확하게 측정할 수 있다.
따라서, 기판 처리 장치(1000)가 기판(W)을 처리하는 과정에서, 기판(W)의 온도 측정 신뢰성이 종래의 온도 측정 유닛보다 현저하게 향상되어 기판(W)의 온도를 정확하게 제어할 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 온도 측정 유닛(100)은 기판(W)이 과도하게 가열되어 기판이 파손되거나, 기판에서 화학반응을 발생시키기 위해 요구되는 온도로 가열되지 아니하여 열적 화학반응이 제대로 일어나지 못하게 되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
1000: 기판 처리 장치
100A, 100B: 온도 측정 유닛 200: 지지 유닛
110: 온도 측정 부재 210: 지지판
120: 차단 부재 220: 지지축
121: 베이스부 230: 구동부
122: 관통부
123: 무게중심부
124: 개폐부
130: 구동 부재
140: 제어부
150: 회전각 측정 부재

Claims (9)

  1. 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 설치되어 회전되는 기판의 목표 지점의 온도를 측정하는 온도 측정 유닛에 있어서,
    상기 지지 유닛으로부터 이격되게 설치되고, 상기 지지 유닛에 의해 회전되는 기판의 목표 지점의 온도를 측정하는 온도 측정 부재; 및
    상기 지지 유닛과 상기 온도 측정 부재 사이에 위치되고, 기판의 목표 지점은 상기 온도 측정 부재에 노출될 수 있게 하고, 기판에서 목표 지점 이외의 부분은 차단하는 차단 부재;
    를 포함하고,
    상기 차단 부재는,
    판 형상으로 이루어지고, 상기 기판과 대응되는 크기인 베이스부; 및
    상기 베이스부에서 상기 온도 측정 부재와 대응되는 부분에 위치되고, 상하방향으로 관통되는 관통부;
    를 포함하며,
    상기 베이스부의 크기는 상기 기판의 크기와 동일하거나 작게 이루어진 온도 측정 유닛.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 차단 부재는
    상기 관통부에 설치되고, 상기 관통부를 개방 또는 폐쇄하는 개폐부를 더 포함하는 온도 측정 유닛.
  4. 삭제
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 차단 부재가 상기 지지 유닛과 동일한 속도로 회전될 수 있게 하는 구동 부재를 더 포함하는 온도 측정 유닛.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 차단 부재는,
    상기 베이스부에서 상기 관통부와 점대칭 되는 곳에 위치되고, 상기 관통부와 동일한 크기로 관통되는 무게중심부를 더 포함하는 온도 측정 유닛.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 지지 유닛에서 회전되는 부분의 회전각을 측정하는 회전각 측정 부재; 및
    상기 회전각 측정 부재로부터 측정된 회전각 정보를 전달받아서 상기 온도 측정 부재가 동작되는 시점을 제어하는 제어부;
    를 포함하는 온도 측정 유닛.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 온도 측정 부재는 고온계(PYROMETER)인 온도 측정 유닛.
  9. 몸체 부재;
    상기 몸체 부재의 내부에 설치되고, 기판을 지지하며, 기판을 회전시키는 지지 유닛; 및
    상기 지지 유닛 상에서 회전중인 기판의 온도를 측정하는 온도 측정 유닛;
    을 포함하고,
    상기 온도 측정 유닛은 제1항, 제3항, 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 온도 측정 유닛인 기판 처리 장치.
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