JP5696576B2 - 温度測定用基板及び熱処理装置 - Google Patents
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Description
請求項1及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理装置に用いられる温度測定用基板において、振動子の接続されるアンテナ部を基板本体の周辺部側に配置するようにしたので、このアンテナ部から発せられる電波が抑制されるのを防止することが可能となり、特に、温度測定用基板の温度が高温になってもこのアンテナ部から発せられる電波が抑制されるのを一層防止することができる。
請求項14及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理装置において、前記温度測定用基板で測定した温度に基づいて被処理基板の温度を精度良く制御することができる。
次に、温度制御系の変形実施例について説明する。先の図3に示す温度制御系にあっては、各送受信用アンテナ52a〜52eを別個独立に送受信器56に接続したが、これに限定されず、各送受信用アンテナ52a〜52eを図7に示すように共通に接続するようにしてもよい。図7はこのような温度制御系の変形実施例を示す図である。尚、ここでは図1乃至図6に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
次に、温度測定用基板の第2及び第3実施例について説明する。図8は温度測定用基板の第2及び第3実施例を示す平面図であり、図8(A)は第2実施例を示し、図8(B)は第3実施例を示す。尚、図4に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
次に、温度測定用基板の第4〜第8実施例について説明する。先に説明した温度測定用基板50の第1〜第3実施例においては、1つの温度測定用基板50に対して1つの振動子64及びアンテナ部66を設けていたが、これに限定されず、1つの温度測定用基板50に対して複数組の振動子とこれに接続されるアンテナ部を設けるようにしてもよい。
次に、熱処理装置の第1変形実施例について説明する。図1に示す熱処理装置は、例えば10枚以上の多数枚の半導体ウエハWを一度に処理する装置であるが、これに限定されず、数枚程度の半導体ウエハWを同時に処理することができる熱処理装置にも本発明を適用することができる。
次に、熱処理装置の第2変形実施例について説明する。図1及び図11に示す熱処理装置は、一度に複数枚の半導体ウエハWを処理する装置であるが、これに限定されず、半導体ウエハを1枚ずつ処理する枚葉式の熱処理装置にも本発明を適用することができる。
8 処理容器
10 加熱ヒータ
10a〜10e ゾーン加熱ヒータ
12 加熱手段
16a〜16e 加熱ゾーン
22 ウエハボート(保持手段)
46 温度制御部
50,50a〜50e 温度制御用基板
52,52a〜52e 送受信用アンテナ
56 送受信器
58 温度分析部
62 基板本体
64,64a〜64c 振動子
66,66a〜64c アンテナ部
68 圧電素子
70 電極
74,74a、74b アンテナ設置部
76,76a〜76c アンテナ線
W 半導体ウエハ(被処理基板)
Claims (19)
- 被処理基板に対して熱処理を施す熱処理装置に用いられる温度測定用基板において、
前記被処理基板と同じ材料よりなる基板本体と、
圧電素子を有すると共に前記基板本体の中央部に設けられる振動子と、
前記基板本体の周辺部側に設けた絶縁部材よりなるアンテナ設置部に設けられると共に前記振動子に接続されたアンテナ部と、
を備えたことを特徴とする温度測定用基板。 - 前記アンテナ設置部は、円形リング状に成形されていることを特徴とする請求項1記載の温度測定用基板。
- 前記アンテナ設置部は、前記基板本体よりも半径方向の外方に向けて部分的に突出させて設けられていることを特徴とする請求項2記載の温度測定用基板。
- 前記振動子は、絶縁部材又は半導体よりなるケース内に収容されて封止されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の温度測定用基板。
- 前記振動子及び前記振動子に接続される前記アンテナ部は、複数組み設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の温度測定用基板。
- 前記各振動子の固有振動数は、互いに異なるように設定されていることを特徴とする請求項5記載の温度測定用基板。
- 前記各振動子に接続される前記アンテナ部の巻数は互いに異なるように設定されていることを特徴とする請求項5又は6記載の温度測定用基板。
- 複数の被処理基板に対して熱処理を施す熱処理装置において、
排気が可能になされた縦型の処理容器と、
前記被処理基板を加熱する加熱手段と、
前記複数の被処理基板と請求項1乃至7のいずれか一項に記載の温度測定用基板とを保持して前記処理容器内へロード及びアンロードされる保持手段と、
前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、
前記温度測定用基板に向けて測定用電波を送信するために送信器に接続された送信用アンテナと、
前記温度測定用基板の前記振動子より発せられる電波を受信するために受信器に接続された受信用アンテナと、
前記受信用アンテナで受信した電波に基づいて前記振動子の温度を求める温度分析部と、
前記温度分析部で得られた温度に基づいて前記加熱手段を制御する温度制御部と、
を備えたことを特徴とする熱処理装置。 - 前記送信用アンテナと前記受信用アンテナとが兼用される送受信用アンテナを有しており、前記送信器と前記受信器とは送受信器として一体的にまとめられていることを特徴とする請求項8記載の熱処理装置。
- 前記加熱手段は加熱ヒータを有しており、前記処理容器内を温度制御用の複数の加熱ゾーンに分割するために前記加熱ヒータはそれぞれ個別に供給電力の制御が可能になされた複数のゾーン加熱ヒータに区分されていることを特徴とする請求項8又は9記載の熱処理装置。
- 前記送信用アンテナと前記受信用アンテナとは、前記温度測定用基板に対応させて前記処理容器の外側又は内側に配置されていることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか一項に記載の熱処理装置。
- 前記送信器は、前記温度測定用基板の振動子の固有振動数の近傍の周波数の電波を、その周波数を変えながら時分割的に送信するように構成されていることを特徴とする請求項8乃至11のいずれか一項に記載の熱処理装置。
- 前記温度分析部には、前記振動子から発せられる電波の前記振動子の固有振動数に対する周波数偏差と温度との関係を求める温度算出手段が記憶されていることを特徴とする請求項8乃至12のいずれか一項に記載の熱処理装置。
- 被処理基板に対して熱処理を施す熱処理装置において、
排気可能になされた処理容器と、
前記被処理基板を加熱する加熱手段と、
前記被処理基板又は請求項1乃至7のいずれか一項に記載の温度測定用基板を載置して保持する載置台と、
前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、
前記温度測定用基板に向けて測定用電波を送信するために送信器に接続された送信用アンテナと、
前記温度測定用基板の前記振動子より発せられる電波を受信するために受信器に接続された受信用アンテナと、
前記受信用アンテナで受信した電波に基づいて前記振動子の温度を求める温度分析部と、
前記温度分析部で得られた温度に基づいて前記加熱手段を制御する温度制御部と、
を備えたことを特徴とする熱処理装置。 - 前記送信用アンテナと前記受信用アンテナとは、前記温度測定用基板の周辺部に対応させて配置されていることを特徴とする請求項14記載の熱処理装置。
- 被処理基板に対して熱処理を施す熱処理装置において、
排気可能になされた処理容器と、
前記被処理基板を加熱する加熱手段と、
前記被処理基板を複数枚と請求項1乃至7のいずれか一項に記載の温度測定用基板とを保持すると共に回転可能になされた載置台と、
前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、
前記温度測定用基板に向けて測定用電波を送信するために送信器に接続された送信用アンテナと、
前記温度測定用基板の前記振動子より発せられる電波を受信するために受信器に接続された受信用アンテナと、
前記受信用アンテナで受信した電波に基づいて前記振動子の温度を求める温度分析部と、
前記温度分析部で得られた温度に基づいて前記加熱手段を制御する温度制御部と、
を備えたことを特徴とする熱処理装置。 - 前記送信用アンテナと前記受信用アンテナとは、前記温度測定用基板の回転軌跡に対応させて配置されていることを特徴とする請求項16記載の熱処理装置。
- 前記送信用アンテナと前記受信用アンテナとは、前記温度測定用基板の回転軌跡の所定の角度範囲内に対応させて配置されており、前記温度計測用基板が前記所定の角度範囲内に入ったところで通信を行うようにしたことを特徴とする請求項16記載の熱処理装置。
- 前記送信用アンテナと前記受信用アンテナとが兼用される送受信用アンテナを有しており、前記送信器と前記受信器とは送受信器として一体的にまとめられていることを特徴とする請求項14乃至18のいずれか一項に記載の熱処理装置。
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US10069200B2 (en) | 2014-03-19 | 2018-09-04 | Insitu, Inc. | Mechanically steered and horizontally polarized antenna for aerial vehicles, and associated systems and methods |
JP6219227B2 (ja) * | 2014-05-12 | 2017-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ給電機構及びステージの温度制御方法 |
CN106856182B (zh) * | 2015-12-09 | 2019-09-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种腔体温度检测方法 |
CN107868942B (zh) * | 2016-09-27 | 2019-11-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备 |
WO2020059722A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、温度制御システム及び半導体装置の製造方法 |
US11281401B2 (en) * | 2018-10-23 | 2022-03-22 | Micron Technology, Inc. | Controlled heating of a memory device |
CN111579112B (zh) * | 2020-05-27 | 2022-04-12 | 应急管理部国家自然灾害防治研究院 | 一种可远程检测的石英温度计和测温系统及远程检测方法 |
US11901875B2 (en) | 2020-10-12 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Surface acoustic wave sensor assembly |
US11920994B2 (en) | 2020-10-12 | 2024-03-05 | Applied Materials, Inc. | Surface acoustic wave sensor assembly |
DE102022128091B4 (de) * | 2022-10-25 | 2024-06-06 | Technische Universität Dresden, Körperschaft des öffentlichen Rechts | Wafer-Chuck, Träger und Verfahren |
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AT526503B1 (de) * | 2022-12-15 | 2024-04-15 | Sensideon Gmbh | Vorrichtung zur in-situ Oberflächentemperaturmessung von Beschichtungsobjekten in einem Gasphasenabscheidungsverfahren |
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