WO2020059722A1 - 基板処理装置、温度制御システム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

基板処理装置、温度制御システム及び半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2020059722A1
WO2020059722A1 PCT/JP2019/036426 JP2019036426W WO2020059722A1 WO 2020059722 A1 WO2020059722 A1 WO 2020059722A1 JP 2019036426 W JP2019036426 W JP 2019036426W WO 2020059722 A1 WO2020059722 A1 WO 2020059722A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
processing chamber
transmitter
temperature
temperature sensor
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/036426
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
徳信 赤尾
村田　等
昭典 田中
上野　正昭
Original Assignee
株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ filed Critical 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
Priority to JP2020548523A priority Critical patent/JP7034324B2/ja
Priority to CN201980060431.8A priority patent/CN112689887A/zh
Publication of WO2020059722A1 publication Critical patent/WO2020059722A1/ja
Priority to US17/185,408 priority patent/US11906367B2/en
Priority to US18/411,949 priority patent/US20240151591A1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/14—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • G01K1/146—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations arrangements for moving thermometers to or from a measuring position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/02—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers
    • G01K1/026—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers arrangements for monitoring a plurality of temperatures, e.g. by multiplexing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/14—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/14—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • G01K1/143—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations for measuring surface temperatures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a temperature control system, and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • FIG. 5 shows an example of routing the cable 101c when measuring the substrate temperature using the conventional substrate 101 with a thermocouple.
  • the cable 101c coming out of the substrate 101 with a thermocouple is routed, for example, along a pillar of a substrate holder (hereinafter, also referred to as a boat) 31 and closed while supporting the boat.
  • the cable 101c is pulled out to the outside of a seal cap (hereinafter, referred to as CAP) 25 as a lid.
  • CAP seal cap
  • the cable 101c drawn out of the CAP 25 must be further extended and routed to the temperature controller 64.
  • the cable 101c may be disconnected. Therefore, the boat 31 and the substrate 1 may not be able to rotate.
  • An object of the present disclosure is to provide a configuration in which a temperature sensor is provided near a substrate and a substrate temperature of a rotating substrate can be measured.
  • a substrate holder inserted into the processing chamber with the substrate mounted thereon, a rotating mechanism for rotating the substrate holder, and measuring the temperature of the substrate while rotating the substrate holder in the same manner as the substrate when rotating.
  • a substrate temperature sensor a transmitter connected to the outside of the processing chamber with the substrate temperature sensor and configured to rotate similarly to the substrate, a receiver for receiving a signal output from the transmitter, and And a controller to be connected.
  • the temperature sensor near the substrate and measure the substrate temperature of the rotating substrate.
  • FIG. 1 is a front sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a partially cut front view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a diagram illustrating a hardware configuration of a controller in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure. It is a figure showing an example of a substrate with a thermocouple. It is a figure explaining the example of cable routing at the time of substrate temperature measurement using a substrate with a thermocouple.
  • 1 is a diagram illustrating a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 7A is a schematic diagram illustrating a transition at the time of boat loading of the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure, FIG.
  • FIG. 7A is a diagram illustrating a state where substrates are being transferred, and FIG. FIG. 7C illustrates a state in which the boat is being lifted, and FIG. 7C illustrates a state in which the boat loading is completed.
  • 5 is a flowchart of a substrate processing step according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 9A is an exploded perspective view of a modified example of the boat according to an embodiment of the present disclosure, and FIG. 9B is a longitudinal sectional view of FIG. 9A.
  • the substrate processing apparatus 10 shown in FIG. 1 includes a process tube 11 as a supported vertical reaction tube, and the process tube 11 is an outer tube 12 as an outer tube and an inner tube as an inner tube arranged concentrically with each other. And the inner tube 13.
  • the outer tube 12 is made of quartz (SiO 2 ), and is integrally formed in a cylindrical shape having an upper end closed and a lower end opened.
  • the inner tube 13 is formed in a cylindrical shape whose upper and lower ends are open.
  • the cylindrical hollow portion of the inner tube 13 forms a processing chamber 14 into which the boat 31 is carried, and the lower end side (opening space) of the inner tube 13 has a furnace opening (furnace space) 15 for inserting and removing the boat 31. Is composed.
  • the boat 31 is configured to hold a plurality of substrates (hereinafter, also referred to as wafers) 1 in a long aligned state. Therefore, the inner diameter of the inner tube 13 is set to be larger than the maximum outer diameter (for example, 300 mm in diameter) of the substrate 1 to be handled.
  • a lower end between the outer tube 12 and the inner tube 13 is hermetically sealed by a manifold 16 as a furnace port flange constructed in a substantially cylindrical shape.
  • the manifold 16 is detachably attached to the outer tube 12 and the inner tube 13 for exchanging the outer tube 12 and the inner tube 13 and the like.
  • the process tube 11 is in a vertically installed state.
  • the inner tube 13 may be omitted as the process tube 11 in the drawings.
  • the exhaust path 17 is formed in a circular ring shape with a constant width in cross section by the gap between the outer tube 12 and the inner tube 13. As shown in FIG. 1, one end of an exhaust pipe 18 is connected to an upper portion of a side wall of the manifold 16, and the exhaust pipe 18 communicates with the lowermost end of the exhaust path 17.
  • An exhaust device 19 controlled by a pressure controller 21 is connected to the other end of the exhaust pipe 18, and a pressure sensor 20 is connected in the middle of the exhaust pipe 18.
  • the pressure controller 21 is configured to feedback-control the exhaust device 19 based on the measurement result from the pressure sensor 20.
  • a gas introduction pipe 22 is provided below the manifold 16 so as to communicate with the furnace port 15 of the inner tube 13.
  • the gas introduction pipe 22 has a source gas supply device, a reaction gas supply device, and an inert gas supply device. (Hereinafter, referred to as a gas supply device) 23 is connected.
  • the gas supply device 23 is configured to be controlled by a gas flow controller 24.
  • the gas introduced from the gas introduction pipe 22 to the furnace port 15 flows through the processing chamber 14 of the inner tube 13, passes through the exhaust path 17, and is exhausted by the exhaust pipe 18.
  • a CAP 25 for closing the lower end opening is in contact with the manifold 16 from below in the vertical direction.
  • the CAP 25 is constructed in a disk shape substantially equal to the outer diameter of the manifold 16, and is configured to be vertically moved up and down by a boat elevator 26 protected by a boat cover 37 provided in the transfer chamber 3 of the housing 2.
  • the boat elevator 26 includes a motor-driven feed screw shaft device, a bellows, and the like, and the motor 27 of the boat elevator 26 is configured to be controlled by a drive controller 28.
  • a rotating shaft 30 is arranged on the center line of the CAP 25 and is rotatably supported.
  • the rotating shaft 30 is configured to be rotationally driven by a motor 29 controlled by a drive controller 28.
  • a boat 31 is vertically supported on the upper end of the rotating shaft 30.
  • a rotation mechanism is constituted by the rotation shaft 30 and the motor 29.
  • the boat 31 includes a pair of upper and lower end plates 32 and 33, and three supporting members (posts) 34 vertically provided between the end plates 32 and 33.
  • the holding grooves 35 are formed at regular intervals in the longitudinal direction.
  • the holding grooves 35 carved in the same step in the three pillars 34 are opposed to each other and open.
  • the substrates 1 are inserted between the holding grooves 35 of the same step of the three columns 34 to hold a plurality of substrates 1 in a horizontal and aligned state with each other. ing.
  • the heat insulating plate 120 between the holding grooves 39 of the same stage of the three columns 34, the plurality of heat insulating plates 120 are aligned and held horizontally and centered. Has become.
  • the boat 31 is provided with a substrate processing area between the end plate 32 and the end plate 38 where a plurality of substrates 1 are held, and an insulating plate between the end plate 38 and the end plate 33 where a plurality of heat insulating plates 120 are held.
  • the heat treatment plate is configured to be distinguished from the region, and the heat insulation plate region is arranged below the substrate processing region.
  • the heat insulating portion 36 is constituted by the heat insulating plate 120 held between the end plate 38 and the end plate 33.
  • the rotating shaft 30 is configured to support the boat 31 in a state of being lifted from the upper surface of the CAP 25.
  • the heat insulating part 36 is provided in the furnace port 15 and is configured to insulate the furnace port 15.
  • a motor 29 for rotating the boat 31 is provided below the CAP 25.
  • the motor 29 has a hollow motor structure, and a rotating shaft 30 extends through the motor 29.
  • a heater unit 40 as a heating unit is arranged concentrically outside the process tube 11, and is installed in a state supported by the housing 2.
  • the heater unit 40 is configured to heat the substrate 1 in the substrate processing area held by the boat 31.
  • the heater unit 40 has a case 41.
  • the case 41 is made of stainless steel (SUS) and is formed in a cylindrical shape, preferably a cylindrical shape, with an upper end closed and a lower end opened.
  • the inner diameter and the overall length of the case 41 are set larger than the outer diameter and the overall length of the outer tube 12.
  • a heat insulating structure 42 is provided in the case 41.
  • the heat insulating structure 42 includes a side wall outer layer (hereinafter, also referred to as an outer layer) 45 disposed on the outside, and a side wall inner layer (hereinafter, also referred to as the inner layer) 44 disposed on the inside, and has a cylindrical shape, preferably a cylindrical shape.
  • the side wall 43 of the cylindrical body is formed in a multi-layer structure.
  • the case 41 is provided with a check damper 104 provided with an anti-diffusion body 104a in each zone.
  • the opening / closing of the back diffusion prevention member 104 a supplies the cooling air 90 to the buffer unit 106 via the gas introduction path 107.
  • the cooling air 90 supplied to the buffer unit 106 flows through a gas supply channel 108 provided in the inner layer 44, and an opening hole as an opening as a part of a supply path including the gas supply channel 108.
  • the cooling air 90 is supplied from 110 to the space 75.
  • a ceiling wall 80 as a ceiling is covered on the upper end side of the side wall 43 of the heat insulating structure 42 so as to close the space 75.
  • An exhaust hole 81 as a part of an exhaust path for exhausting the atmosphere of the space 75 is formed in the ceiling wall portion 80 in a ring shape, and a lower end which is an upstream end of the exhaust hole 81 communicates with the inner space 75.
  • the downstream end of the exhaust hole 81 is connected to an exhaust duct 82.
  • the cooling air 90 blown out from the opening 110 into the space 75 is exhausted by the exhaust hole 81 and the exhaust duct 82.
  • the gas supply system and the exhaust system are omitted.
  • a controller 200 which is a control computer as a control unit, includes a computer main body 203 including a CPU (Central Pressing Unit) 201 and a memory 202, a communication IF (Interface) 204 as a communication unit. , A storage device 205 as a storage unit, and a display / input device 206 as an operation unit. That is, the controller 200 includes components as a general computer.
  • the CPU 201 constitutes the center of the operation unit, executes a control program stored in the storage device 205, and executes a recipe (for example, a process recipe) recorded in the storage device 205 in accordance with an instruction from the display / input device 206.
  • a recipe for example, a process recipe
  • the process recipe includes the temperature control from step S1 to step S9 shown in FIG.
  • the memory 202 serving as a temporary storage unit functions as a work area for the CPU 201.
  • the communication unit 204 is electrically connected to the pressure controller 21, the gas flow controller 24, the drive controller 28, and the temperature controller 64 (these may be collectively referred to as a sub-controller).
  • the controller 200 can exchange data relating to the operation of each component with the sub-controller via the communication unit 204.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure.
  • the processing substrate is denoted by “ 1 ” and is omitted.
  • the heater unit 40 is provided with a heater for each zone so that the heater unit 40 can be divided into a plurality of zones in the vertical direction (in FIG. 6, divided into five zones), so that a plurality of heaters are stacked.
  • a heater thermocouple (first temperature sensor) 65 for measuring the temperature of the heater is provided for each zone.
  • a cascade thermocouple (second temperature sensor) 66 for measuring the temperature inside the tube is provided inside the outer tube 12.
  • the cascade thermocouple 66 has a structure in which the number of thermocouples corresponding to the number of zones is contained in one quartz tube. The temperature measuring point is provided at a position facing the zone.
  • the substrate temperature measurement unit (third temperature sensor) 211 as a substrate temperature sensor is configured to rotate together with the substrate 1 when the boat 31 rotates and the substrate 1 rotates.
  • the substrate temperature measuring section 211 includes a temperature measuring section 211b for measuring the substrate temperature, and a cable 211c including a wire constituting the temperature measuring section. Note that the temperature measurement unit 211b and the substrate 1 do not necessarily need to be in contact with each other. However, since the temperature measurement unit 211b is configured to be disposed in the processing chamber 14, it is preferable to provide a protection unit (not shown) that covers the temperature measurement unit 211b.
  • the cable 211c extends to the lower part of the boat 31 along the column 34 of the boat 31. The cable 211c drawn out to the lower part of the boat 31 is routed and connected to the transmitter 221 below the seal cap 25 through the hole of the rotary shaft 30 provided in the hole opened in the seal cap 25.
  • the transmitter 221 is fixed to the rotating shaft 30 and has a structure that moves together with the rotating shaft 30. A hole through which the cable 211c passes is penetrated through the rotating shaft 30, and the cable 211c is transferred to the transmitter 221 outside the processing chamber 14 (for example, under the rotating shaft 30) while performing a vacuum seal using a hermetic seal or the like. It has a structure that can be pulled out.
  • the substrate temperature measuring unit 211 may be, for example, the substrate 101 with a thermocouple as shown in FIG.
  • the substrate temperature measuring unit 211 (101 in FIG. 4) is placed on the boat 31, and the cable 211c (101c in FIG. 4) is pulled out to the lower part of the boat 31 along the column 34 of the boat 31 to measure the substrate temperature. It can be measured at 101b.
  • the substrate temperature measuring section 211 may be any sensor that can measure temperature as an electric signal, and is not limited to a thermocouple, and may be another sensor such as a resistance temperature detector. Further, the cable 211c may be configured to be drawn up to the lower part of the boat 31 by crawling inside the column 34 of the boat 31. With this configuration, the cable 211c is not disposed in the processing chamber 14 up to the transmitter 221. Therefore, there is no disconnection of the cable 211c due to the rotation of the substrate 1 and the boat 31.
  • the transmitter 221 converts the electric signal (voltage) from the substrate temperature measuring unit 211 such as a thermocouple input through the cable 211c into a digital signal, and transmits the digital signal on a radio wave by wireless transmission.
  • a receiver 222 fixed in an area below the CAP 25, a terminal (output terminal) 222a that receives a signal output from the transmitter 221 and outputs the received digital signal through serial communication, or outputs the received digital signal to, for example, 4
  • a terminal (output terminal) 222b for converting into an analog signal such as -20 mA and outputting the signal.
  • the digital signal or analog signal output signal terminal is connected to a temperature indicator (not shown) or a temperature controller 64 by a cable 223, and temperature data is input to the temperature controller 64.
  • a temperature control system is configured by the substrate temperature measuring unit 211, the transmitter 221, the receiver 222, and the temperature controller 64.
  • wireless transmission is performed between the substrate temperature measuring unit 211, the boat 31, the rotating unit including the rotating shaft 30, and the transmitter 221 and the receiver 222 fixed to the apparatus, and the temperature data transmission path is It is separated mechanically while maintaining it.
  • the rotating unit including the substrate temperature measuring unit 211, the boat 31, the rotating shaft 30, and the transmitter 221 rotates integrally, the cable 211c does not wind around the boat 31.
  • a signal output from the output terminal 222a or the output terminal 222b of the receiver 222 is input to the temperature controller 64, and displayed as temperature data by the temperature controller 64. Further, by controlling the temperature of the heater unit 40 based on the temperature data input to the temperature controller 64, the temperature control by the conventional cascade thermocouple provided between the outer tube 12 and the inner tube 13 is performed. The substrate temperature can be controlled more accurately than in the case of
  • FIG. 7 shows a transition diagram of the substrate lifting operation in a state where a plurality of substrates 1 are mounted on the boat 31 and the substrate temperature measuring unit 211 is installed.
  • the processing substrate is denoted by “ 1 ” and omitted.
  • the entire boat 31 is located in the transfer room 3, and the transmitter 221 is located near the floor of the transfer room 3.
  • the receiver 222 is fixed to a wall near the floor of the transfer room 3.
  • the boat 31 and the transmitter 221 are raised by the boat elevator 26 (see FIG. 1).
  • the transmitter 221 rises from the lower part of the transfer room 3 toward the ceiling and moves away from the receiver 222.
  • the CAP 25 is fixed in contact with the manifold 16, and the boat 31 is stored in the processing chamber 14.
  • the transmitter 221 converts the input electric signal (voltage) into a digital signal, places the signal on a radio wave, and transmits the electric signal to the fixed receiver 222 in each part of the transfer room 3 by wireless transmission.
  • the receiver 222 is connected to a temperature controller 64 provided outside the transfer room 3 via a cable 223.
  • the rotating unit including the substrate temperature measuring unit 211, the boat 31 (the rotating shaft 30) and the transmitter 221, which rotates together with the substrate 1, and the measured temperature Can be connected as a temperature data transmission path while mechanically separating a fixed part such as a receiver 222 that inputs the temperature into the temperature controller 64. It becomes possible to measure the substrate temperature while rotating 1.
  • the wireless transmission technology for the temperature data transmission path the risk of disconnection of the cable when the elevating shaft of the boat 31 operates can be eliminated, and the workability of the substrate temperature measurement can be improved.
  • the temperature sensor can be provided near the substrate 1, so that the substrate temperature can be detected at a location close to the substrate 1.
  • the temperature controllability can be significantly improved as compared with the conventional temperature control.
  • the boat 31 as a substrate holder in the modified example includes a substrate holder 71 serving as a substrate processing region, a heat insulating plate holder 72 disposed below the substrate holder 71 and serving as a heat insulating region, and a quartz base 73 serving as a cylindrical portion. Be composed.
  • the substrate holder 71 includes a pair of upper and lower end plates 32 and 38a, and three columns 34a vertically provided between the pair of end plates 32 and 38a.
  • a large number of holding pins 35a are provided on the three columns 34a in the longitudinal direction. Are provided at equal intervals.
  • the holding pins 35a provided at the same step in the three columns 34a are configured to face each other and protrude.
  • the substrate holder 71 is arranged such that the substrate 1 is inserted between the holding pins 35a at the same stage of the three pillars 34a so that the plurality of substrates 1 are horizontally aligned and aligned in the center. Has become.
  • the heat insulating plate holder 72 includes end plates 38b and 33 and three columns 4b vertically provided between the end plates 38b and 33.
  • the heat insulating plate 120 is provided between the holding grooves 39b of the three columns 34b at the same level. Is inserted, and the plurality of heat insulating plates 120 are aligned and held horizontally and with their centers aligned. That is, the heat insulating portion 36 is constituted by the heat insulating plate holder 72 and the heat insulating plate 120 held by the heat insulating plate holder 72.
  • a substrate temperature measuring unit 211 as a substrate temperature sensor includes a temperature measuring unit 211b for measuring a substrate temperature, and a protective tube formed of quartz having a crank shape and a cable 211c including a wire constituting the temperature measuring unit. 76.
  • the CAP 25 seals the inside of the furnace by contacting the inner tube 13 via the manifold 16 and an O-ring (not shown) when the substrate 1 is heat-treated.
  • the CAP 25 is attached to an E-axis that can move up and down, and can move up and down.
  • a hole is formed in the center of the CAP 25, and a boat receiver 74 penetrates the hole.
  • the boat receiver 74 is sealed by a magnetic seal unit 78, and can be rotated by the R-axis motor 29 while maintaining a vacuum in the furnace.
  • the protective tube 76 containing the substrate temperature measuring unit 211 has a structure that comes out below the CAP 25 through a hole opened at the center of the boat receiver 74.
  • the protection tube 76 coming out under the CAP 25 is fixed to the boat receiver 74 by a fixing method (for example, Ultra-Torr (registered trademark)) capable of vacuum sealing.
  • the quartz base 73 which is the lower end of the boat 31, on the boat receiver 74.
  • the quartz base 73 has a U-shaped notch, and the protection tube 76 extending into the furnace from the center of the boat receiver 74 extends in the lateral direction by using the notch as a guide.
  • the protection tube 76 is structured to stand up.
  • a heat insulating plate holder 72 capable of accommodating a plurality of heat insulating plates 120 is installed on the quartz base 73, but the thickness of the quartz base 73 is larger than the outer diameter of the protective tube 76 so that no load is applied to the protective tube 76. It has become.
  • the end plate 38b, which is the top plate, and the end plate 33, which is the bottom plate, of the heat insulating plate holder 72 are provided with cutouts through which the standing protective tubes 76 pass.
  • notches are also provided in the end plate 32 serving as a top plate and the end plate 38 a serving as a bottom plate of the substrate holder 71 of the boat 31.
  • the temperature measuring unit 211b which is the temperature measuring point of the substrate temperature measuring unit 211, can be disposed near the substrate 1, and the temperature closer to the substrate 1 can be further reduced than the conventional cascade TC installed near the reaction tube wall. Can be measured.
  • the protection tube 76 is provided near the columns 34a and 34b.
  • the boat 31 and the substrate temperature measuring unit 211 which are composed of the substrate holder 71, the heat insulating plate holder 72, and the quartz base 73, have a structure mounted on the boat receiver 74, and the R-axis motor 29 is driven via the drive belt 77. By rotating the boat receiver 74, the boat 31 and the substrate temperature measuring unit 211 rotate together. Note that the CAP 25 and the magnetic seal unit 78 do not rotate.
  • the substrate temperature measuring unit 211 is provided in the protective tube 76 .
  • the present invention is not limited to this, and the substrate temperature measuring unit 211 may be provided in the columns 34a and 34b.
  • the protection tube may not be provided, and the strands of the thermocouple may be laid on the columns 34a and 34b.
  • FIG. 8 illustrates a sequence example of a process of forming a film on a substrate (hereinafter, also referred to as a film forming process) as one process of manufacturing a semiconductor device (device) using the above-described substrate processing apparatus 10. It will be described using FIG.
  • a hexachlorodisilane (Si 2 Cl 6 , abbreviated to HCDS) gas is used as a source gas
  • an ammonia (NH 3 ) gas is used as a reaction gas
  • a silicon nitride film (Si 3 N 4 film, hereinafter referred to as SiN) is formed on the substrate 1.
  • SiN silicon nitride film
  • a step of supplying the HCDS gas to the substrate 1 in the processing chamber 14, a step of removing the HCDS gas (residual gas) from the processing chamber 14, By performing a predetermined number of (one or more) non-simultaneous cycles of simultaneously performing the step of supplying the NH 3 gas and the step of removing the NH 3 gas (residual gas) from the processing chamber 14, the SiN film is formed on the substrate 1.
  • Step S1 The transfer device 125 and the transfer device elevator are operated by the drive controller 28, and a plurality of substrates 1 are held and loaded (wafer charging) in the substrate processing region of the boat 31. Note that a plurality of heat insulating plates 120 are already held and loaded in the heat insulating plate region of the boat 31.
  • the boat 31 holding the substrate 1 and the heat insulating plate 120 is loaded into the process tube 11 by operating the boat elevator 26 by the drive controller 28, and is loaded (boat loaded) into the processing chamber 14.
  • the CAP 25 is in a state where the lower end of the inner tube 13 is hermetically closed (sealed) via an O-ring (not shown).
  • Step S2 Pressure adjustment and temperature adjustment: Step S2
  • the evacuation device 19 is controlled by the pressure controller 21 so that the processing chamber 14 has a predetermined pressure (degree of vacuum). At this time, the pressure in the processing chamber 14 is measured by the pressure sensor 20, and the exhaust device 19 is feedback-controlled based on the measured pressure information. The exhaust device 19 is always operated at least until the processing on the substrate 1 is completed.
  • the substrate 1 in the processing chamber 14 is heated by the heater unit 40 so as to reach a predetermined temperature.
  • the power supply to the heater unit 40 is feedback-controlled by the temperature controller 64 based on at least the temperature information detected by the substrate temperature measurement unit 211 so that the processing chamber 14 has a predetermined temperature distribution.
  • the heating of the processing chamber 14 by the heater unit 40 is continuously performed at least until the processing on the substrate 1 is completed.
  • the temperature information detected by the heater thermocouple 65 and the cascade thermocouple 66 may be used.
  • Step S3 (Source gas supply: Step S3) In this step, the HCDS gas is supplied to the substrate 1 in the processing chamber 14.
  • the flow rate of the HCDS gas introduced into the processing chamber 14 from the gas introduction pipe 22 is controlled by the gas flow controller 24, flows through the processing chamber 14 of the inner tube 13, passes through the exhaust path 17, Exhausted.
  • N 2 gas is simultaneously flowed into the gas introduction pipe 22.
  • the flow rate of the N 2 gas is adjusted by the gas flow controller 24, supplied to the processing chamber 14 together with the HCDS gas, and exhausted from the exhaust pipe 18.
  • Step S4 After the first layer is formed, the supply of the HCDS gas is stopped. At this time, the processing chamber 14 is evacuated by the exhaust device 19, and the HCDS gas remaining in the processing chamber 14 and remaining after the reaction has contributed to the formation of the first layer is exhausted from the processing chamber 14. At this time, the supply of the N 2 gas to the processing chamber 14 is maintained.
  • the N 2 gas acts as a purge gas, whereby the effect of discharging the gas remaining in the processing chamber 14 from the processing chamber 14 can be enhanced.
  • Step S5 NH 3 gas is supplied to the substrate 1 in the processing chamber 14, that is, the first layer formed on the substrate 1.
  • the NH 3 gas is activated by heat and supplied to the substrate 1.
  • the flow rate of NH 3 gas introduced from the gas introduction pipe 22 into the processing chamber 14 is controlled by the gas flow controller 24, flows through the processing chamber 14 of the inner tube 13, passes through the exhaust path 17, and passes through the exhaust pipe 18. It is exhausted from.
  • N 2 gas is simultaneously flowed into the gas introduction pipe 22.
  • the flow rate of the N 2 gas is adjusted by the gas flow controller 24, supplied to the processing chamber 14 together with the NH 3 gas, and exhausted from the exhaust pipe 18.
  • the NH 3 gas is supplied to the substrate 1.
  • the NH 3 gas supplied to the substrate 1 reacts with at least a part of the first layer formed on the substrate 1 in step S3, that is, the Si-containing layer. Thereby, the first layer is thermally nitrided by non-plasma, and is changed (modified) into a second layer, that is, a silicon nitride layer (SiN layer).
  • Step S6 After the second layer is formed, the supply of the NH 3 gas is stopped. Then, by the same processing procedure as in step S4, the NH 3 gas and reaction by-product remaining in the processing chamber 14 and remaining after the reaction has contributed to the formation of the second layer are discharged from the processing chamber 14. At this time, the point that the gas and the like remaining in the processing chamber 14 do not need to be completely exhausted is the same as step S4.
  • Step S7 (Performed a predetermined number of times: Step S7)
  • a SiN film having a predetermined thickness can be formed on the substrate 1.
  • the second layer (SiN layer) formed when the above-described cycle is performed once is made smaller than a predetermined thickness, and is formed by stacking the second layer (SiN layer). It is preferable to repeat the above cycle a plurality of times until the thickness of the SiN film reaches a predetermined thickness.
  • Step S8 After the film forming process is completed, N 2 gas is supplied from the gas introduction pipe 22 to the processing chamber 14 and exhausted from the exhaust pipe 18. N 2 gas acts as a purge gas. As a result, the processing chamber 14 is purged, and the remaining gas and reaction by-products are removed from the processing chamber 14 (purge).
  • cooling air 90 as a cooling gas is supplied to the gas introduction path 107 via the check damper 104. The supplied cooling air 90 is temporarily stored in the buffer unit 106 and is blown out from the plurality of opening holes 110 into the space 75 through the gas supply flow path 108 to cool the process tube 11. .
  • cooling of the processing chamber 14 by the cooling air may be controlled by the temperature controller 64 based on the temperature detected by the substrate temperature measurement unit 211, or the temperature controller 64 may determine whether to stop cooling. You may. Thereafter, the atmosphere in the processing chamber 14 is replaced with an inert gas (replacement with an inert gas), and the pressure in the processing chamber 14 is returned to normal pressure (return to atmospheric pressure).
  • the temperature controller 64 may determine whether to proceed to the next boat unloading.
  • Step S9 The CAP 25 is lowered by lowering the boat elevator 26 by the drive controller 28, and the lower end of the process tube 11 is opened. Then, the processed substrate 1 is carried out from the lower end of the process tube 11 to the outside of the process tube 11 while being supported by the boat 31 (boat unloading). The processed substrate 1 is taken out from the boat 31 (wafer discharging).
  • the film type is not particularly limited.
  • the present invention can be applied to various film types such as an oxide film such as a silicon oxide film (SiO film) and a metal oxide film.
  • the substrate processing apparatus has been described, but the present invention can be applied to all semiconductor manufacturing apparatuses. Further, the present invention can be applied not only to a semiconductor manufacturing apparatus but also to an apparatus for processing a glass substrate such as an LCD (Liquid Crystal Display) apparatus.
  • LCD Liquid Crystal Display

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

基板が載置された状態で処理室に挿入される基板保持具と、基板保持具を回転させる回転機構と、基板保持具が回転する際に基板と同様に回転すると共に基板の温度を測定する基板温度センサと、基板温度センサと処理室の外側で接続され、基板と同様に回転するように構成される送信機と、送信機から出力される信号を受信する受信機と、該受信機に接続されるコントローラと、を備えた構成が提供される。

Description

基板処理装置、温度制御システム及び半導体装置の製造方法
　本開示は、基板処理装置、温度制御システム及び半導体装置の製造方法に関する。
　従来の熱電対付き基板１０１を用いた基板温度測定時のケーブル１０１ｃの引き回し例を図５に示す。熱電対付き基板１０１を使用した場合、熱電対付き基板１０１から出たケーブル１０１ｃを基板保持具(以後、ボートともいう)３１の柱に沿わせるなどして引き回し、該ボートを支持しつつ閉塞する蓋体としてのシールキャップ(以後、ＣＡＰという)２５の外までケーブル１０１ｃを引き出す。ＣＡＰ２５の外まで引き出されたケーブル１０１ｃをさらに延長し、温度コントローラ６４まで配線しなければならない。
　しかしながら、この状態でボート３１を回転すると、ケーブル１０１ｃが断線してしまうことがある。このため、ボート３１および基板１を回転することができない場合がある。
特開２０１４－０６７７６６号公報
　本開示の目的は、温度センサを基板近傍に設けると共に、回転する基板の基板温度を測定することができる構成を提供することにある。
　本開示の一態様によれば、
　基板が載置された状態で処理室に挿入される基板保持具と、基板保持具を回転させる回転機構と、基板保持具が回転する際に基板と同様に回転すると共に基板の温度を測定する基板温度センサと、基板温度センサと処理室の外側で接続され、基板と同様に回転するように構成される送信機と、送信機から出力される信号を受信する受信機と、該受信機に接続されるコントローラと、を備えた構成が提供される。
　本開示によれば、温度センサを基板近傍に設けると共に、回転する基板の基板温度を測定することができる。
本開示の一実施形態に係る基板処理装置の正面断面図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置を示す一部切断正面図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置におけるコントローラのハードウェア構成を示す図である。 熱電対付き基板の例を示す図である。 熱電対付き基板を用いた基板温度測定時のケーブル引き回し例を説明する図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置の概略図を示す図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置のボートロード時の遷移を示す概略図であり、図７（ａ）は基板の移載中の状態を示す図であり、図７（ｂ）はボートが上昇中の状態を示す図であり、図７（ｃ）はボートロードが完了した状態を示す図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理工程のフローチャートである。 図９（ａ）は本開示の一実施形態に係るボートの変形例の分解斜視図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）の縦断面図である。
　以下、本開示の一実施の形態を図面に即して説明する。
　図１に示された基板処理装置１０は、支持された縦形の反応管としてのプロセスチューブ１１を備えており、プロセスチューブ１１は互いに同心円に配置された外管としてのアウタチューブ１２と内管としてのインナチューブ１３とから構成されている。アウタチューブ１２は石英（ＳｉＯ２）が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されている。インナチューブ１３は上下両端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ１３の筒中空部はボート３１が搬入される処理室１４を形成しており、インナチューブ１３の下端側(開口空間)はボート３１を出し入れするための炉口部（炉口空間）１５を構成している。後述するように、ボート３１は複数枚の基板（以後、ウエハともいう。）１を長く整列した状態で保持するように構成されている。したがって、インナチューブ１３の内径は取り扱う基板１の最大外径（例えば、直径３００ｍｍ）よりも大きくなるように設定されている。
　アウタチューブ１２とインナチューブ１３との間の下端部は、略円筒形状に構築された炉口フランジ部としてのマニホールド１６によって気密封止されている。アウタチューブ１２およびインナチューブ１３の交換等のために、マニホールド１６はアウタチューブ１２およびインナチューブ１３にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。マニホールド１６が基板処理装置１０の筐体２に支持されることによって、プロセスチューブ１１は垂直に据え付けられた状態になっている。以後、図ではプロセスチューブ１１としてインナチューブ１３を省略する場合もある。
　アウタチューブ１２とインナチューブ１３との隙間によって排気路１７が、横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されている。図１に示されているように、マニホールド１６の側壁の上部には排気管１８の一端が接続されており、排気管１８は排気路１７の最下端部に通じた状態になっている。排気管１８の他端には圧力コントローラ２１によって制御される排気装置１９が接続されており、排気管１８の途中には圧力センサ２０が接続されている。圧力コントローラ２１は圧力センサ２０からの測定結果に基づいて排気装置１９をフィードバック制御するように構成されている。
　マニホールド１６の下方にはガス導入管２２がインナチューブ１３の炉口部１５に通じるように配設されており、ガス導入管２２には原料ガス供給装置、反応ガス供給装置および不活性ガス供給装置（以下、ガス供給装置という。）２３が接続されている。ガス供給装置２３はガス流量コントローラ２４によって制御されるように構成されている。ガス導入管２２から炉口部１５に導入されたガスは、インナチューブ１３の処理室１４内を流通して排気路１７を通って排気管１８によって排気される。
　マニホールド１６には下端開口を閉塞するＣＡＰ２５が垂直方向下側から接するようになっている。ＣＡＰ２５はマニホールド１６の外径と略等しい円盤形状に構築されており、筐体２の移載室３に設備されたボートカバー３７に保護されたボートエレベータ２６によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ２６はモータ駆動の送りねじ軸装置およびベローズ等によって構成されており、ボートエレベータ２６のモータ２７は駆動コントローラ２８によって制御されるように構成されている。ＣＡＰ２５の中心線上には回転軸３０が配置されて回転自在に支持されており、回転軸３０は駆動コントローラ２８によって制御されるモータ２９により回転駆動されるように構成されている。回転軸３０の上端にはボート３１が垂直に支持されている。本実施形態では、回転軸３０とモータ２９により回転機構を構成する。
　ボート３１は上下で一対の端板３２，３３と、これらの間に垂直に架設された三本の保持部材としての支柱(柱)３４とを備えており、三本の支柱３４には多数の保持溝３５が長手方向に等間隔に刻まれている。三本の支柱３４において同一の段に刻まれた保持溝３５同士は、互いに対向して開口するようになっている。ボート３１は三本の支柱３４の同一段の保持溝３５間に基板１を挿入されることにより、複数枚の基板１を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。また、三本の支柱３４の同一段の保持溝３９間に断熱板１２０を挿入されることにより、複数枚の断熱板１２０を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。
　つまり、ボート３１は、複数枚の基板１が保持される端板３２から端板３８間の基板処理領域と、複数枚の断熱板１２０が保持される端板３８から端板３３間の断熱板領域とを区別するように構成され、基板処理領域の下方に断熱板領域が配置されるよう構成されている。端板３８と端板３３の間に保持される断熱板１２０により断熱部３６が構成される。
　回転軸３０はボート３１をＣＡＰ２５の上面から持ち上げた状態に支持するように構成されている。断熱部３６は、炉口部１５に設けられ、炉口部１５を断熱するよう構成されている。また、ＣＡＰ２５の下にはボート３１を回転するモータ２９があり、そのモータ２９は中空モータ構造となっており、回転軸３０がモータ２９を貫通している。
　図２に示すように、プロセスチューブ１１の外側には、加熱部としてのヒータユニット４０が同心円に配置されて、筐体２に支持された状態で設置されている。これにより、ヒータユニット４０は、ボート３１に保持される基板処理領域内の基板１を加熱するよう構成される。ヒータユニット４０はケース４１を備えている。ケース４１はステンレス鋼（ＳＵＳ）が使用されて上端閉塞で下端開口の筒形状、好ましくは円筒形状に形成されている。ケース４１の内径および全長はアウタチューブ１２の外径および全長よりも大きく設定されている。
　図２に示すように、ケース４１内には断熱構造体４２が設置されている。断熱構造体４２は、外側に配置された側壁外層（以後、外層ともいう。）４５と、内側に配置された側壁内層（以後、内層ともいう。）４４とを備え、筒形状好ましくは円筒形状に形成されており、その円筒体の側壁部４３が複数層構造に形成されている。
　また、図２に示すように、ケース４１には、各ゾーンに逆拡散防止体１０４ａを備えたチェックダンパ１０４が設けられている。この逆拡散防止体１０４ａの開閉により冷却エア９０がガス導入路１０７を介してバッファ部１０６に供給されるように構成されている。
　そして、バッファ部１０６に供給された冷却エア９０は、内層４４内に設けられたガス供給流路１０８を流れ、該ガス供給流路１０８を含む供給経路の一部としての開口部としての開口穴１１０から冷却エア９０を空間７５に供給するように構成されている。
　図１および図２に示されているように、断熱構造体４２の側壁部４３の上端側には天井部としての天井壁部８０が空間７５を閉じるように被せられている。天井壁部８０には空間７５の雰囲気を排気する排気経路の一部としての排気孔８１が環状に形成されており、排気孔８１の上流側端である下端は内側空間７５に通じている。排気孔８１の下流側端は排気ダクト８２に接続されている。そして、開口穴１１０から空間７５に吹き出した冷却エア９０は排気孔８１および排気ダクト８２によって排気されるように構成されている。尚、図２では、ガス供給系及び排気系が省略されている。
　図３に示すように、制御部としての制御用コンピュータであるコントローラ２００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｅｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）２０１およびメモリ２０２などを含むコンピュータ本体２０３と、通信部としての通信ＩＦ（Ｉｎｔｅｒ　ｆａｃｅ）２０４と、記憶部としての記憶装置２０５と、操作部としての表示・入力装置２０６とを有する。つまり、コントローラ２００は一般的なコンピュータとしての構成部分を含んでいる。
　ＣＰＵ２０１は、操作部の中枢を構成し、記憶装置２０５に記憶された制御プログラムを実行し、表示・入力装置２０６からの指示に従って、記憶装置２０５に記録されているレシピ（例えば、プロセス用レシピ）を実行する。尚、プロセス用レシピは、図８に示す後述するステップＳ１からステップＳ９までの温度制御を含むのは言うまでもない。
　また、一時記憶部としてのメモリ２０２は、ＣＰＵ２０１のワークエリアとして機能する。
　通信部２０４は、圧力コントローラ２１、ガス流量コントローラ２４、駆動コントローラ２８、温度コントローラ６４（これらをまとめてサブコントローラということもある。）と電気的に接続されている。コントローラ２００は、この通信部２０４を介してサブコントローラと各部品の動作に関するデータをやり取りすることができる。
　図６は本開示の一実施形態の基板処理装置の概略図である。図６では処理基板は「１」と表記し省略している。
　ヒータユニット４０の構造を説明する。ヒータユニット４０は縦方向に複数ゾーンに分割制御可能（図６では５ゾーン分割）なように、ゾーン毎にヒータが設けられているため、複数のヒータが積み重なって構成されている。そして、それぞれのゾーン毎にヒータの温度を測定するヒータ熱電対（第１温度センサ）６５が設置されている。
　アウタチューブ１２の内側には、チューブ内部の温度を測定するカスケード熱電対（第２温度センサ）６６が設置されている。このカスケード熱電対６６は1つの石英管の中にゾーン数に応じた数の熱電対が収められている構造となっている。そしてその測温点はゾーンに対向した位置に設けられている。
　基板温度センサとしての基板温度測定部（第３温度センサ）２１１は、ボート３１が回転し基板１が回転する時に、基板１と共に回転するように構成されている。基板温度測定部２１１は、基板温度を測定する測温部２１１ｂと、測温部を構成する素線を包含するケーブル２１１ｃを含む構成となっている。なお、測温部２１１ｂと基板１は必ずしも接触させる必要はない。但し、測温部２１１ｂが処理室１４に配置される構成であるため、測温部２１１ｂを覆う保護部(図示せず)を設けるのが好ましい。また、ケーブル２１１ｃは、ボート３１の支柱３４に沿わせボート３１の下部まで引き出されている。ボート３１の下部まで引き出されたケーブル２１１ｃは、シールキャップ２５に空いた孔に設けられた回転軸３０の孔を通して、シールキャップ２５の下の送信機２２１まで引き回し接続する。
　この送信機２２１は回転軸３０に固定されており、回転軸３０と共に動く構造になっている。回転軸３０にはケーブル２１１ｃを通す孔が貫通しており、ハーメチックシールなどを使って真空シールをしつつ、ケーブル２１１ｃを処理室１４の外側（例えば、回転軸３０の下部）の送信機２２１まで引き出せる構造となっている。
　基板温度測定部２１１は、例えば、図４に示すように、熱電対付き基板１０１であってもよい。この基板温度測定部２１１(図４では１０１)をボート３１に載せ、ケーブル２１１ｃ（図４では１０１ｃ）をボート３１の支柱３４に沿わせボート３１の下部まで引き出すことで、基板温度を測温部１０１ｂで測定することができる。
　なお、基板温度測定部２１１は、温度を電気信号として測定できるものであれば良く、熱電対に限らず、測温抵抗体などの他のセンサでも良い。また、ケーブル２１１ｃは、ボート３１の支柱３４内を這わせて、ボート３１の下部まで引き出されるように構成してもよい。このように構成すれば、送信機２２１までケーブル２１１ｃが処理室１４に配置されることはないので、基板１及びボート３１の回転によるケーブル２１１ｃ断線がない。
　そして、送信機２２１はケーブル２１１ｃを介して入力された熱電対等の基板温度測定部２１１からの電気信号(電圧)をデジタル変換し、電波に乗せて無線伝送で送信する。
　ＣＡＰ２５の下のエリアに固定された受信機２２２があり、送信機２２１が出した信号を受信し、受信したデジタル信号をシリアル通信出力する端子（出力端子）２２２ａ、または受信したデジタル信号を例えば４－２０ｍＡなどのアナログ信号に変換し出力する端子（出力端子）２２２ｂがある。このデジタル信号またはアナログ信号の出力信号端子と温度表示器（不図示）または温度コントローラ６４との間をケーブル２２３で接続し、温度データを温度コントローラ６４に入力する。
　本実施形態では、基板温度測定部２１１、送信機２２１、受信機２２２、温度コントローラ６４により温度制御システムを構成する。この構成にすることで、基板温度測定部２１１、ボート３１、回転軸３０および送信機２２１からなる回転部と、装置に固定された受信機２２２との間はワイヤレス伝送となり、温度データ伝送経路は維持したまま、機械的には切り離される。また、基板温度測定部２１１、ボート３１、回転軸３０および送信機２２１からなる回転部は一体となって回転するため、ケーブル２１１ｃがボート３１に巻き付くことはない。
　受信機２２２の出力端子２２２ａまたは出力端子２２２ｂから出た信号を温度コントローラ６４に入力し、温度コントローラ６４で温度データとして表示する。また、この温度コントローラ６４に入力された温度データをもとにヒータユニット４０の温度制御を行うことで、アウタチューブ１２とインナチューブ１３との間に設けられた従来のカスケード熱電対での温度制御に比べ、より基板温度を精度よく制御することができる。
　次に、ボートロード時の動作の遷移図を図７に示す。図７はボート３１に基板１を複数枚搭載し、基板温度測定部２１１を設置した状態での基板上昇動作の遷移図を示している。処理基板は「１」と表記し省略している。
　図７（ａ）に示すように、移載装置１２５によりボート３１に基板１を搭載する場合、ボート３１の全体は移載室３内に位置し、送信機２２１は移載室３の床付近に位置する。なお、受信機２２２は移載室３の床付近の壁に固定されている。その後、ボート３１への基板１の搭載が終了し、図７（ｂ）に示すように、ボート３１および送信機２２１がボートエレベータ２６（図１参照）によって上昇する。送信機２２１は移載室３の下部から天井に向けて上昇し受信機２２２から遠ざかる。その後、ＣＡＰ２５がマニホールド１６に接して固定され、ボート３１は処理室１４に格納される。
　送信機２２１は入力された電気信号（電圧）をデジタル変換し、電波に乗せて、移載室３の各部の固定された受信機２２２に無線伝送で送信する。受信機２２２は移載室３の外に設けられた温度コントローラ６４とケーブル２２３で接続されている。
　この構成にすることで、ＣＡＰ２５の下のエリアである移載室３でケーブルを引き回す必要が無くなる。ケーブルが無くなることで、ボート３１の昇降軸が動作してもケーブル長が足りない、ケーブルがどこかに引っかかって断線するというリスクは無くなる。
　実施形態によれば、温度データ伝達経路に無線伝送技術を用いることにより、基板１と共に回転する基板温度測定部２１１、ボート３１（回転軸３０）、送信機２２１を含む回転部と、測定した温度を温度コントローラ６４に入力する受信機２２２等の固定部と、を機械的に分離しつつ、温度データ伝達経路としてはつながった状態にできるため、基板温度センサ２１１を基板１近傍に設けつつ、基板１を回転しながら基板温度を測定することが可能となる。また、温度データ伝達経路に無線伝送技術を用いることにより、ボート３１の昇降軸が動作時のケーブルの断線リスクを無くし、基板温度測定の作業性が向上することが可能となる。
　また、本実施形態によれば、基板１近傍に温度センサを設けることができるので、基板温度を基板１に近い場所で検出できる。これにより、例えば、従来の温度制御に比べ、格段に温度制御性が向上させることができる。
　実施形態の変形例のボートについて図９を用いて説明する。変形例における基板保持具としてのボート３１は基板処理領域となる基板ホルダ７１と、基板ホルダ７１の下方に配置され、断熱領域となる断熱板ホルダ７２と、筒部としての石英ベース７３と、で構成される。基板ホルダ７１は上下で一対の端板３２，３８ａと、これらの間に垂直に架設された三本の支柱３４ａとを備えており、三本の支柱３４ａには多数の保持ピン３５ａが長手方向に等間隔に設けられている。三本の支柱３４ａにおいて同一の段に設けられた保持ピン３５ａ同士は、互いに対向して突出するようになっている。基板ホルダ７１は三本の支柱３４ａの同一段の保持ピン３５ａ間に基板１が挿入されることにより、複数枚の基板１を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。
　また、断熱板ホルダ７２は端板３８ｂ，３３とこれらの間に垂直に架設された三本の支柱４ｂとを備えており、三本の支柱３４ｂの同一段の保持溝３９ｂ間に断熱板１２０を挿入されることにより、複数枚の断熱板１２０を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。つまり、断熱板ホルダ７２と断熱板ホルダ７２に保持される断熱板１２０により断熱部３６が構成される。
　基板温度センサとしての基板温度測定部２１１は、基板温度を測定する測温部２１１ｂと、測温部を構成する素線を包含するケーブル２１１ｃをクランク状の形状をした石英で形成される保護管７６の内部に格納される。
　ＣＡＰ２５は基板１を熱処理するときにマニホールド１６とＯリング（不図示）を介してインナチューブ１３に接触することで、炉内をシールする。図示しないがＣＡＰ２５は昇降動作可能なＥ軸に取り付けられており昇降動作が可能である。ＣＡＰ２５の中心には孔が空いており、当該孔の中をボート受け７４が貫通している。ボート受け７４は磁気シールユニット７８でシールされており、炉内の真空を保ちつつＲ軸のモータ２９で回転動作を行うことができる。
　基板温度測定部２１１を内包する保護管７６は、ボート受け７４の中心に開いている孔を通ってＣＡＰ２５の下に出てくる構造となっている。ＣＡＰ２５の下に出てきた保護管７６は、真空シール可能な固定方法（例えば、Ultra-Torr（登録商標）)によってボート受け７４に固定される。
　ボート受け７４の上にボート３１の下端部である石英ベース７３を設置する。この石英ベース７３にはＵ字型に切欠きがあり、当該切欠きをガイドにしてボート受け７４の中心から炉内に出た保護管７６が横方向に伸び、断熱板ホルダ７２の外周で再び保護管７６が上方向に立ち上がる構造となっている。石英ベース７３の上に断熱板１２０を複数枚収納できる断熱板ホルダ７２が設置されるが、石英ベース７３の厚みは保護管７６の外径より大きくなっており、保護管７６に荷重がかからないようになっている。
　断熱板ホルダ７２の天板である端板３８ｂおよび底板である端板３３には、立ち上がった保護管７６が通るための切欠きが設けられている。基板１の近傍に保護管７６を設置するため、ボート３１の基板ホルダ７１の天板である端板３２および底板である端板３８ａにも切欠きが設けられている。これにより基板１の近傍に基板温度測定部２１１の測温点である測温部２１１ｂを配置することができ、従来の反応管壁近傍に設置されたカスケードＴＣより、さらに基板１に近い温度を測定することができる。なお、保護管７６は支柱３４ａ，３４ｂの近傍に設けられている。
　基板ホルダ７１、断熱板ホルダ７２および石英ベース７３で構成されるボート３１および基板温度測定部２１１、は、ボート受け７４の上に載っている構造となり、Ｒ軸のモータ２９が駆動ベルト７７を介してボート受け７４を回転することで、ボート３１および基板温度測定部２１１が一緒に回転することになる。なお、ＣＡＰ２５および磁気シールユニット７８は回転しない。
　ＣＡＰ２５の下まで引き出されたケーブル２１１ｃを、ボート受け７４と共に回転する送信機２２１に接続することで、基板１を回転させながら基板温度を測定することが可能である。
　なお、変形例では、基板温度測定部２１１を保護管７６内に設ける例を説明したが、これに限定されるものではなく、支柱３４ａ，３４ｂ内に設ける構成にしてもよい。また、保護管を設けず、支柱３４ａ，３４ｂに熱電対の素線を這わせてもよい。
　次に、上述の基板処理装置１０を用い、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成する処理（以下、成膜処理ともいう。）のシーケンス例について図８を用いて説明する。
　以下、原料ガスとしてヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６、略称：ＨＣＤＳ）ガスを用い、反応ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）ガスを用い、基板１上にシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜、以下、ＳｉＮ膜ともいう）を形成する例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１０を構成する各部の動作はコントローラ２００及びサブコントローラにより制御される。
　本実施形態における成膜処理では、処理室１４の基板１に対してＨＣＤＳガスを供給する工程と、処理室１４からＨＣＤＳガス（残留ガス）を除去する工程と、処理室１４の基板１に対してＮＨ３ガスを供給する工程と、処理室１４からＮＨ3ガス（残留ガス）を除去する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことで、基板１上にＳｉＮ膜を形成する。
　（基板搬入：ステップＳ１）
　駆動コントローラ２８により移載装置１２５及び移載装置エレベータを動作させて、ボート３１の基板処理領域に複数枚の基板１が保持されて装填（ウエハチャージ）される。尚、ボート３１の断熱板領域には、既に、複数枚の断熱板１２０が保持されて装填されている。
　そして、基板１と断熱板１２０が保持されたボート３１は、駆動コントローラ２８によりボートエレベータ２６を動作させてプロセスチューブ１１内に装入され、処理室１４に搬入（ボートロード）される。このとき、ＣＡＰ２５は、不図示のＯリングを介してインナチューブ１３の下端を気密に閉塞（シール）した状態となる。
　（圧力調整および温度調整：ステップＳ２）
　処理室１４が所定の圧力（真空度）となるように、圧力コントローラ２１によって排気装置１９が制御される。この際、処理室１４の圧力は、圧力センサ２０で測定され、この測定された圧力情報に基づき排気装置１９が、フィードバック制御される。排気装置１９は、少なくとも基板１に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。
　また、処理室１４の基板１が所定の温度となるように、ヒータユニット４０によって加熱される。この際、温度コントローラ６４により処理室１４が所定の温度分布となるように、少なくとも基板温度測定部２１１が検出した温度情報に基づきヒータユニット４０への通電具合がフィードバック制御される。ヒータユニット４０による処理室１４の加熱は、少なくとも基板１に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。なお、更に、ヒータ熱電対６５、カスケード熱電対６６が検出した温度情報を用いてもよいのは言うまでもない。
　また、モータ２９によるボート３１および基板１の回転を開始する。具体的には、駆動コントローラ２８によりモータ２９を回転させると、ボート３１及び送信機２２１が回転されるに伴い、基板１が回転される。このモータ２９の回転によるボート３１、送信機２２１および基板１の回転は、少なくとも、基板１に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
　＜成膜処理＞
　処理室１４内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、次の４つのステップ、すなわち、ステップＳ３～Ｓ６を順次実行する。
　（原料ガス供給：ステップＳ３）
　このステップでは、処理室１４の基板１に対し、ＨＣＤＳガスを供給する。
　このステップでは、ガス導入管２２から処理室１４に導入されたＨＣＤＳガスが、ガス流量コントローラ２４によって流量制御され、インナチューブ１３の処理室１４を流通して排気路１７を通って排気管１８から排気される。このとき、同時に、ガス導入管２２内へＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスは、ガス流量コントローラ２４により流量調整され、ＨＣＤＳガスと一緒に処理室１４へ供給され、排気管１８から排気される。基板１に対してＨＣＤＳガスを供給することにより、基板１の最表面上に、第１の層として、例えば１原子層未満から数原子層の厚さのシリコン（Ｓｉ）含有層が形成される。
　（パージガス供給：ステップＳ４）
　第１の層が形成された後、ＨＣＤＳガスの供給を停止する。このとき、排気装置１９により処理室１４を真空排気し、処理室１４に残留する未反応もしくは第１の層の形成に寄与した後のＨＣＤＳガスを処理室１４から排出する。このとき、Ｎ２ガスの処理室１４への供給を維持する。Ｎ２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室１４に残留するガスを処理室１４から排出する効果を高めることができる。
　（反応ガス供給：ステップＳ５）
　ステップＳ４が終了した後、処理室１４の基板１、すなわち、基板１上に形成された第１の層に対してＮＨ３ガスを供給する。ＮＨ３ガスは熱で活性化されて基板１に対して供給されることとなる。
　このステップでは、ガス導入管２２から処理室１４に導入されたＮＨ３ガスが、ガス流量コントローラ２４によって流量制御され、インナチューブ１３の処理室１４を流通して排気路１７を通って排気管１８から排気される。このとき、同時に、ガス導入管２２内へＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスは、ガス流量コントローラ２４により流量調整され、ＮＨ３ガスと一緒に処理室１４へ供給され、排気管１８から排気される。このとき、基板１に対してＮＨ３ガスが供給されることとなる。基板１に対して供給されたＮＨ３ガスは、ステップＳ３で基板１上に形成された第１の層、すなわちＳｉ含有層の少なくとも一部と反応する。これにより第１の層は、ノンプラズマで熱的に窒化され、第２の層、すなわち、シリコン窒化層（ＳｉＮ層）へと変化させられる（改質される）。
　（パージガス供給：ステップＳ６）
　第２の層が形成された後、ＮＨ３ガスの供給を停止する。そして、ステップＳ４と同様の処理手順により、処理室１４に残留する未反応もしくは第２の層の形成に寄与した後のＮＨ3ガスや反応副生成物を処理室１４から排出する。このとき、処理室１４に残留するガス等を完全に排出しなくてもよい点は、ステップＳ４と同様である。
　（所定回数実施：ステップＳ７）
　上述した４つのステップを非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数（ｎ回）行うことにより、基板１上に、所定膜厚のＳｉＮ膜を形成することができる。なお、上述のサイクルを１回行う際に形成される第２の層（ＳｉＮ層）の厚さを所定の膜厚よりも小さくし、第２の層（ＳｉＮ層）を積層することで形成されるＳｉＮ膜の膜厚が所定の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
　（パージおよび大気圧復帰：ステップＳ８）
　成膜処理が完了した後、ガス導入管２２からＮ2ガスを処理室１４へ供給し、排気管１８から排気する。Ｎ２ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室１４がパージされ、残留するガスや反応副生成物が処理室１４から除去される（パージ）。同時に、処理室１４の温度を処理温度から効率よく低下させるために、冷却ガスとしての冷却エア９０がチェックダンパ１０４を介してガス導入路１０７に供給される。供給された冷却エア９０はバッファ部１０６内で一時的に溜められ、複数個の開口穴１１０からガス供給流路１０８を介して空間７５に吹出され、プロセスチューブ１１を冷却するように構成される。このとき、基板温度測定部２１１により検出される温度によって、冷却エアによる処理室１４の冷却を温度コントローラ６４に制御させるようにしてもよいし、冷却を停止させるか温度コントローラ６４に判定させるようにしてもよい。その後、処理室１４の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室１４の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。ここで、基板温度測定部２１１により検出される温度に基づき、次のボートアンロードに移行するか温度コントローラ６４に判定させるようにしてもよい。
　（基板搬出：ステップＳ９）
　駆動コントローラ２８によりボートエレベータ２６を下降させることによりＣＡＰ２５が下降され、プロセスチューブ１１の下端が開口される。そして、処理済の基板１が、ボート３１に支持された状態で、プロセスチューブ１１の下端からプロセスチューブ１１の外部に搬出される（ボートアンロード）。処理済の基板１は、ボート３１より取出される（ウエハディスチャージ）。
　以上、本発明の実施形態について具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
　また、上述の実施形態では、ＳｉＮ膜を形成する例について説明したが、膜種は特に限定されない。例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）、金属酸化膜等の酸化膜等の種々の膜種に適用することができる。
　また、上述の実施形態では、基板処理装置について説明したが、半導体製造装置全般に適用することができる。また、半導体製造装置に限らずＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ）装置のようなガラス基板を処理する装置にも適用することができる。
１　基板（ウエハ）
１０　基板処理装置
１４　処理室
３０　回転軸
３１　ボート（基板保持具）
４０　ヒータユニット（加熱部）
６４　温度コントローラ
２１１　基板温度測定部（基板温度センサ）
２２１　送信機
２２２　受信機

Claims (11)

  1. 　基板が載置された状態で処理室に挿入される基板保持具と、
    　前記基板保持具を回転させる回転機構と、
    　前記基板保持具が回転する際に前記基板と同様に回転すると共に前記基板の温度を測定する基板温度センサと、
    　前記基板温度センサと前記処理室の外側で接続され、前記基板と同様に回転するように構成される送信機と、
    　前記送信機から出力される信号を受信する受信機と、
    　該受信機に接続されるコントローラと、
    を備えた基板処理装置。
  2. 　前記基板温度センサ、前記基板保持具、前記回転機構、前記送信機を含む回転部は一体となって回転するよう構成されている請求項１記載の基板処理装置。
  3. 　前記基板温度センサのケーブルは前記基板保持具の支柱に沿わせるよう設けられている請求項１記載の基板処理装置。
  4. 　前記基板温度センサのケーブルが前記基板保持具の支柱内を這わせるよう設けられている請求項１記載の基板処理装置。
  5. 　前記基板保持具の下部まで引き出されたケーブルは、前記回転機構を通して前記送信機に接続され、
    　前記送信機は入力された電気信号をデジタル変換し、電波に乗せて無線伝送で前記受信機に送信するよう構成されている請求項４記載の基板処理装置。
  6. 　前記処理室と隣接する搬送室に前記受信機が設けられ、
    　前記送信機が出したデジタル信号を受信し、受信した前記デジタル信号をアナログ信号に変換し出力するよう構成されている請求項５記載の基板処理装置。
  7. 　更に、前記基板温度センサを内部に有する保護管を有し、
    　前記保護管は、前記基板保持具の支柱の近傍に設けられる請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  8. 　更に、前記基板温度センサを保護する保護管を有し、
    　前記保護管は、少なくとも前記基板保持具の天板及び底板に設けられる切り欠きに設置されるよう構成されている請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  9. 　前記基板保持具の下端部に引き出されたケーブルをガイドする筒部が設けられる請求項１記載の基板処理装置。
  10. 　基板が載置された状態で処理室に挿入される基板保持具が回転する際に前記基板と回転すると共に前記基板の温度を測定する基板温度センサと、
    　前記基板温度センサと前記処理室の外側で接続され、前記基板と同様に回転するように構成される送信機と、
    　前記送信機から出力される信号を受信する受信機と、
    　前記受信機で受信した信号に基づいて前記処理室の温度を制御するコントローラと、を備えた温度制御システム。
  11. 　複数枚の基板を保持した基板保持具を処理室に搬入する工程と、
    　前記基板保持具が回転する際に前記基板と回転すると共に前記基板の温度を測定する基板温度センサと、前記基板温度センサと前記処理室の外側で接続され、前記基板と同様に回転するように構成される送信機と、前記送信機から出力される信号を受信する受信機と、前記受信機で受信した信号に基づいて前記処理室の温度を制御するコントローラにより、前記処理室の温度を制御しつつ、前記基板を処理する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
PCT/JP2019/036426 2018-09-18 2019-09-17 基板処理装置、温度制御システム及び半導体装置の製造方法 WO2020059722A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020548523A JP7034324B2 (ja) 2018-09-18 2019-09-17 基板温度センサ、温度制御システム、基板処理装置および半導体装置の製造方法
CN201980060431.8A CN112689887A (zh) 2018-09-18 2019-09-17 基板处理装置、温度控制系统以及半导体装置的制造方法
US17/185,408 US11906367B2 (en) 2018-09-18 2021-02-25 Substrate temperature sensor, substrate retainer and substrate processing apparatus
US18/411,949 US20240151591A1 (en) 2018-09-18 2024-01-12 Substrate temperature sensor, substrate retainer and substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018173328 2018-09-18
JP2018-173328 2018-09-18

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US17/185,408 Continuation US11906367B2 (en) 2018-09-18 2021-02-25 Substrate temperature sensor, substrate retainer and substrate processing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020059722A1 true WO2020059722A1 (ja) 2020-03-26

Family

ID=69887066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/036426 WO2020059722A1 (ja) 2018-09-18 2019-09-17 基板処理装置、温度制御システム及び半導体装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11906367B2 (ja)
JP (1) JP7034324B2 (ja)
CN (1) CN112689887A (ja)
WO (1) WO2020059722A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023053172A1 (ja) * 2021-09-28 2023-04-06 株式会社Kokusai Electric 支持具、基板処理装置、および半導体装置の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7055075B2 (ja) * 2018-07-20 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006737A (ja) * 2002-03-29 2004-01-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置、熱処理装置および半導体製造方法
JP2005147976A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Ulvac Japan Ltd 温度測定装置、チャックモニター及びプラズマ処理装置
JP2006173157A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2009200131A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP2016119412A (ja) * 2014-12-22 2016-06-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US20170229331A1 (en) * 2016-02-08 2017-08-10 Watlow Electric Manufacturing Company Temperature sensing system for rotatable wafer support assembly

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5217663B2 (ja) * 2008-06-11 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法
JP2011198957A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法
JP5696576B2 (ja) * 2011-04-25 2015-04-08 東京エレクトロン株式会社 温度測定用基板及び熱処理装置
JP6080451B2 (ja) 2012-09-25 2017-02-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び熱電対支持体
JP2015163850A (ja) * 2014-02-28 2015-09-10 株式会社東芝 温度検出装置及び半導体製造装置
KR102372555B1 (ko) * 2015-02-25 2022-03-08 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 히터 및 반도체 장치의 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006737A (ja) * 2002-03-29 2004-01-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置、熱処理装置および半導体製造方法
JP2005147976A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Ulvac Japan Ltd 温度測定装置、チャックモニター及びプラズマ処理装置
JP2006173157A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2009200131A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP2016119412A (ja) * 2014-12-22 2016-06-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US20170229331A1 (en) * 2016-02-08 2017-08-10 Watlow Electric Manufacturing Company Temperature sensing system for rotatable wafer support assembly

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023053172A1 (ja) * 2021-09-28 2023-04-06 株式会社Kokusai Electric 支持具、基板処理装置、および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2020059722A1 (ja) 2021-08-30
JP7034324B2 (ja) 2022-03-11
US20240151591A1 (en) 2024-05-09
US20210181033A1 (en) 2021-06-17
CN112689887A (zh) 2021-04-20
US11906367B2 (en) 2024-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11049742B2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and thermocouple support
US9269638B2 (en) Temperature detecting apparatus, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US20240151591A1 (en) Substrate temperature sensor, substrate retainer and substrate processing apparatus
KR102225741B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
US20180087709A1 (en) Substrate processing apparatus and heat insulating pipe structure
JP6651591B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法
JP2009302177A (ja) 基板処理装置
JP4880408B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、メインコントローラおよびプログラム
JP2008235865A (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
WO2023053172A1 (ja) 支持具、基板処理装置、および半導体装置の製造方法
JP2012054408A (ja) 基板処理装置及び被処理基板の製造方法
JP2020150151A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2006032386A (ja) 熱処理装置
JP2012195375A (ja) 基板処理装置
WO2021192090A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、記録媒体およびインナーチューブ
JPWO2017138183A1 (ja) 基板処理装置、継手部および半導体装置の製造方法
JP2007266118A (ja) 基板処理装置
JP2010283270A (ja) 熱処理装置
JP2005116734A (ja) 基板処理装置
JP2007258255A (ja) 基板処理装置
JP2004296571A (ja) 基板処理装置
JP2009088305A (ja) 半導体デバイスの製造方法
JP2012216703A (ja) 基板処理装置
JP2010147174A (ja) 基板処理装置
JP2011171509A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19863653

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020548523

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19863653

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1