JP2020150151A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents

半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム Download PDF

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Abstract

【課題】基板を加熱処理する基板処理装置において、基板上に形成する膜の膜質を向上させる。【解決手段】基板を処理する処理室２０１を有し、真空搬送室に固定されたリアクタ２００と、基板Ｓが載置される基板載置面２１１を有し、リアクタ内に配される基板載置台２１２と、基板を加熱する加熱部２１３と、処理室にガスを供給するガス供給部と、基板載置面の位置を推定する基礎情報を抽出する抽出部と、基礎情報に基づき基板載置面の中心の推定位置情報を算出する算出部と、基板を搬送する際に基板を支持するエンドエフェクタを有し、真空搬送室内に配置された搬送ロボットと、推定位置情報に応じてエンドエフェクタの目標座標を設定すると共に、目標座標にエンドエフェクタを移動させ、基板を基板載置面に載置するよう制御する制御部と、を有する。【選択図】図３

Description

半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラムに関する。
半導体デバイスを製造する装置としては、基板を一枚ごとに処理する枚葉装置が存在する（例えば特許文献１）。枚葉装置では、ロボットが枚葉装置内の処理室に基板を搬入し、処理室内の基板載置面に載置する。ここでは、例えば基板を加熱すると共に基板上にガスを供給して半導体デバイスの一部として構成される膜を形成する。
基板に対して膜を形成する場合、基板の面内や、複数の基板間において、処理状態のばらつきを抑制することが望ましい。
特開２０１２―５４３９９号公報
一般的な枚葉装置の処理室は、例えばアルミニウム等の金属で構成されている。金属は温度変化によって一定の線膨張係数を有している。部品の配置等を含めた装置設計をする際には、その線膨張係数を考慮する必要がある。
しかしながら、装置組み立て後に行われるロボットの教示作業は、通常室温で行われる。そのため、基板処理時と教示作業時とで処理室の熱膨張状態が異なってしまい、教示作業で設定した基板の載置位置とずれることがある。このずれによって、基板上に所望の膜質の膜を形成できない場合がある。
本技術は、基板を加熱処理する基板処理装置において、基板上に形成する膜の膜質を向上させることを目的とする。
基板を処理する処理室を有すると共に真空搬送室に固定されたリアクタと、前記基板が載置される基板載置面を有し、前記リアクタ内に配される基板載置台と、前記基板を加熱する加熱部と、前記処理室にガスを供給するガス供給部と、前記基板載置面の位置を推定する基礎情報を抽出する抽出部と、前記基礎情報に基づき前記基板載置面の中心の推定位置情報を算出する算出部と、前記基板を搬送する際に前記基板を支持するエンドエフェクタを有し、前記真空搬送室内に配置された搬送ロボットと、前記推定位置情報に応じて前記エンドエフェクタの目標座標を設定すると共に、前記目標座標に前記エンドエフェクタを移動させ、前記基板を前記基板載置面に載置するよう制御する制御部と、を有する技術を提供する。
基板上に形成する膜の膜質を向上できる。
基板処理装置を説明する説明図である。 基板処理装置を説明する説明図である。 基板処理装置を説明する説明図である。 基板載置台を説明する説明図である。 ガス供給部を説明する説明図である。 ガス供給部を説明する説明図である。 基板処理装置のコントローラを説明する説明図である。 座標テーブルを説明する説明図である。 比較例を説明する説明図である。 基板処理工程を説明するフロー図である。 基板載置台を説明する説明図である。 基板載置台を説明する説明図である。 座標テーブルを説明する説明図である。
以下に、実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（第１の実施形態）
第１の実施形態を説明する。
（１）基板処理装置の構成
本開示の一実施形態に係る基板処理装置の概要構成を、図１から図６を用いて説明する。図１は本実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す横断面図である。図２は、本実施形態に係る基板処理装置の構成例を示し、図１α−α’における縦断面図である。図３は本実施形態にリアクタＲＣ２００を説明する説明図である。図４は基板載置台２１２に基板Ｓを載置した状態を説明する説明図である。図５から図６はＲＣ２００に接続されるガス供給部を説明する説明図である。
図１および図２において、本開示が適用される基板処理装置１００は基板Ｓを処理するもので、ＩＯステージ１１０、大気搬送室１２０、ロードロック室１３０、真空搬送室１４０、ＲＣ２００で主に構成される。
（大気搬送室・ＩＯステージ）
基板処理装置１００の手前には、ＩＯステージ（ロードポート）１１０が設置されている。ＩＯステージ１１０上には複数のポッド１１１が搭載されている。ポッド１１１はシリコン（Ｓｉ）基板などの基板Ｓを搬送するキャリアとして用いられる。
ポッド１１１にはキャップ１１２が設けられ、ポッドオープナ１２１によって開閉される。ポッドオープナ１２１は、ＩＯステージ１１０に載置されたポッド１１１のキャップ１１２を開閉し、基板出し入れ口を開放・閉鎖することにより、ポッド１１１に対する基板Ｓの出し入れを可能とする。ポッド１１１は図示しないＡＭＨＳ（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｈａｎｄｌｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ、自動ウエハ搬送システム）によって、ＩＯステージ１１０に対して、供給および排出される。
ＩＯステージ１１０は大気搬送室１２０に隣接する。大気搬送室１２０は、ＩＯステージ１１０と異なる面に、後述するロードロック室１３０が連結される。大気搬送室１２０内には基板Ｓを移載する大気搬送ロボット１２２が設置されている。
大気搬送室１２０の筐体１２７の前側には、基板Ｓを大気搬送室１２０に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口１２８と、ポッドオープナ１２１とが設置されている。大気搬送室１２０の筐体１２７の後ろ側には、基板Ｓをロードロック室１３０に搬入搬出するための基板搬入出口１２９が設けられる。基板搬入出口１２９は、ゲートバルブ１３３によって開放・閉鎖することにより、基板Ｓの出し入れを可能とする。
（ロードロック室）
ロードロック室１３０は大気搬送室１２０に隣接する。ロードロック室１３０を構成する筐体１３１が有する面のうち、大気搬送室１２０と異なる面には、後述する真空搬送室１４０が配置される。
ロードロック室１３０内には基板Ｓを載置する載置面１３５を、少なくとも二つ有する基板載置台１３６が設置されている。ロードロック室１３０内部は、搬送口１３２を介して真空搬送室１４０に連通する。搬送口１３２にはゲートバルブ１３４が設けられる。
（真空搬送室）
基板処理装置１００は、負圧下で基板Ｓが搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室（トランスファモジュール）１４０を備えている。真空搬送室１４０を構成する筐体１４１は平面視が五角形に形成され、五角形の各辺には、ロードロック室１３０及び基板Ｓを処理するリアクタ（ＲＣ）２００（ＲＣ２００ａからＲＣ２００ｄ）が固定されている。真空搬送室１４０の略中央部には、負圧下で基板Ｓを移載（搬送）する搬送部としての搬送ロボット１７０がフランジ１４４を基部として設置されている。
真空搬送室１４０内に設置される真空搬送ロボット１７０は、エレベータ１４５およびフランジ１４４によって真空搬送室１４０の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。ロボット１７０が有する二つのアーム１８０は昇降可能なよう構成されている。アーム１８０の先端には、基板Ｓを支持するエンドエフェクタ１８１が設けられている。各アーム１８０はリンク構造１８２を有し、複数のリンク構造１８２とエンドエフェクタ１８１とでアーム１８０が構成される。尚、図２においては、説明の便宜上、アーム１８０と、エンドエフェクタ１８１を表示し、他の構造は省略している。
筐体1４１の側壁のうち、各ＲＣ２００と向かい合う壁には基板搬入出口１４８が設けられる。例えば、図２に記載のように、ＲＣ２００ｃと向かい合う壁には、基板搬入搬出口１４８ｃが設けられる。更には、ゲートバルブ１４９がＲＣ２００ごとに設けられる。ＲＣ２００ｃにはゲートバルブ１４９ｃが設けられる。なお、ＲＣ２００ａ、２００ｂ、２００ｄは２００ｃと同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
エレベータ１４５内には、アーム１８０の昇降や回転を制御するアーム制御部１７１が内蔵される。アーム制御部１７１は、アーム１８０の軸を支持する支持軸１７１ａと、支持軸１７１ａを昇降させたり回転させたりする作動部１７１ｂを主に有する。フランジ１４４のうち、アーム１８０の軸と支持軸１７１ａの間には穴が設けられており、支持軸１７１ａはアーム１８０の軸を直接支持するよう構成される。
作動部１７１ｂは、例えば昇降を実現するためのモータを含む昇降機構１７１ｃと、支持軸１７１ａを回転させるための歯車等の回転機構１７１ｄを有する。尚、エレベータ１４５内には、アーム制御部１７１の一部として、作動部１７１ｂに昇降・回転支持するための指示部１７１ｅを設けても良い。指示部１７１ｅはコントローラ４００に電気的に接続される。指示部１７１ｅはコントローラ４００の指示に基づいて、作動部１７１ｂを制御する。指示部はアーム制御部とも呼ぶ。
アーム制御部１７１がアーム１８０を制御することで、エンドエフェクタ１８１の回転や延伸が可能となる。回転や延伸を行うことで、ＲＣ２００内に基板Ｓを搬送したり、ＲＣ２００内から基板Ｓを搬出したりする。更には、コントローラ４００の指示に応じて、指定のＲＣ２００にウエハを搬送可能とする。
図２に記載のように、各ＲＣ２００には、ＲＣ２００を支持する支持部２７０が設けられている。支持部２７０は、例えば複数の柱で構成され、ＲＣ２００が熱膨張により伸びたとしても支持できるよう、フレキシブル性を有する。
ここで、フレキシブル性を有する理由を説明する。前述のようにＲＣ２００は真空搬送室１４１に固定されている。一般的に、真空搬送室１４１は他のＲＣ２００に接続されていたり、ロボット１７０を有したりしていることから、床に固定されている。そのため、後述するようにＲＣ２００が熱膨張した場合、真空搬送室１４１を基準として搬送室１４１と逆方向に膨張してしまう。このような状態であるので、ＲＣ２００を動かないよう固定すると支持部２７０の破損等を引き起こす可能性がある。そこでＲＣ２００が膨張しても破損しないよう、支持部２７０はフレキシブル性を有する。
（リアクタ）
次に、図３から図６を用いてＲＣ２００について説明する。なお、ＲＣ２００ａ〜ＲＣ２００ｄはそれぞれ同様の構成であるため、ここではＲＣ２００として説明する。
図３はＲＣ２００の縦断面図である。図４は基板載置台２１２を説明する図であり、（ａ）は基板載置台２１２の縦断面図、（ｂ）は基板載置台２１２を上方から見た図である。図５は後述する第一ガス供給部を説明する図であり、図６は第二ガス供給部を説明する図である。
図３に記載のように、ＲＣ２００は容器２０２を備えている。容器２０２は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料により構成されている。容器２０２内には、シリコンウエハ等の基板Ｓを処理する処理空間２０５を構成する処理室２０１と、基板Ｓを処理空間２０５に搬送する際に基板Ｓが通過する搬送空間を有する搬送室２０６とが形成されている。容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には仕切り板２０８が設けられる。
下部容器２０２ｂの側壁２０２ｃは、ゲートバルブ１４９に隣接した基板搬入出口１４８に直接的に、あるいは間接的に固定されており、基板Ｓは基板搬入出口１４８を介して真空搬送室１４０との間を移動する。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。
処理空間２０５には、基板Ｓを支持する基板支持部２１０が配される。基板支持部２１０は、基板Ｓを載置する基板載置面２１１と、基板載置面２１１を表面に持つ基板ホルダ２１５と、基板載置ホルダ２１５が設けられる基板載置台２１２と、基板載置台２１２内に設けられた加熱部としてのヒータ２１３とを主に有する。
基板載置台２１２は、窒化アルミや石英等で構成される。基板載置台２１２は、図４（ｂ）に記載のように、上方から見ると円周状に構成される。基板ホルダ２１５の中心は基板載置台２１２の中心と重なるよう配置される。基板載置面２１１も同様に、上方から見ると円周状に構成される。基板載置面２１５の中心は基板載置台２１２の中心と重なるよう配置される。
基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。なお、図４においては貫通孔２１４を省略する。
基板ホルダ２１５は、基板載置台２１２のうち、ガス供給孔２３１ａと対向する位置に設けられる。基板ホルダ２１５は凹構造であり、凹構造の底面に基板載置面２１１がある。
基板ホルダ２１５の径は、載置される基板Ｓの径よりも大きく構成される。したがって、基板Ｓは凹構造の底面に載置される。基板Ｓは凹構造の底面に配されるため、基板載置台２１２の周囲の構造によるガス流れの影響を受けにくい。例えば、基板載置台２１２の上面の内、排気管２７１側は他に比べ少々ガス流量が少なくなったりするが、底面ではその影響を受けにくい。したがって、基板Ｓに供給される処理ガスの供給量を制御しやすい。
基板Ｓを載置する際は、エンドエフェクタ１８１が目標座標に移動できるようアーム制御部１７１がアーム１８０を制御する。目標座標は、基板載置面２１１の径方向の中心であって、基板Ｓの中心位置と基板載置面２１１の中心位置とが重なる座標である。
これについて、図４を用いて説明する。図４では、（ａ）が基板載置台２１２の側断面図であり、（ｂ）は上面図である。なお、（ａ）は（ｂ）のＤ−Ｄ’における断面図である。Ｓｅは基板Ｓのエッジである。エッジＳｅは基板Ｓの周方向に構成されている。２１５ｅは基板ホルダ２１５のうち、基板ＳのエッジＳｅと向かい合う側のエッジである。エッジＳｅと同様に、周方向に構成されている。２１２ｅは基板載置台２１２の外周側エッジである。
ＬａはエッジＳｅとエッジ２１２ｅとの間の距離を示す。また、Ｌａ１は基板搬入出口１４８側の距離Ｌａであり、Ｌａ２は基板搬入出口１４８と異なる側の距離Ｌａを示す。
ＬｂはエッジＳｅとエッジ２１５ｅとの間の距離を示す。また、Ｌｂ１は基板搬入出口１４８側の距離Ｌｂであり、Ｌｂ２は基板搬入出口１４８と異なる側の距離Ｌｂを示す。
アーム制御部１７１はエンドエフェクタ１８１を目標座標に到達させることで、図４に記載のように、周方向において距離Ｌａ、Ｌｂを一定にするよう、基板Ｓが載置される。
距離Ｌａを一定に保つことで、周方向に渡ってエッジＳｅとエッジ２１２ｅとの間の空間における乱流状態を同じにできる。したがって、基板Ｓの周方向処理を均一にできる。
また、距離Ｌｂを一定に保つことで、さらに周方向に渡ってエッジＳｅとエッジ２１５ｅとの間の空間における乱流状態を同じにできる。したがって、より基板Ｓの周方向処理を均一にできる。
他の基板Ｓを処理する際もＬａ、Ｌｂをそれぞれ一定にすることで、複数の基板Ｓ間で均一に処理できる。
基板載置台２１２内には、ヒータ２１３の温度を測定する第一の温度測定器である温度測定器２１６を有する。温度測定端器２１６は、配線２２０を介して第一の温度測定部である温度測定部２２１に接続される。
ヒータ２１３には、電力を供給するための配線２２２が接続される。配線２２２はヒータ制御部２２３に接続される。
温度測定部２２１、ヒータ制御部２２３は後述するコントローラ４００に電気的に接続されている。コントローラ４００は、温度測定部２２１で測定した温度情報をもとにヒータ制御部２２１に制御情報を送信する。ヒータ制御部２２３は受信した制御情報を参照し、ヒータ２１３を制御する。
基板載置台２１２は、シャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、容器２０２の底部２０２ｄの孔２０９を貫通しており、さらに容器２０２の外部でシャフト支持部２１８に接続されている。シャフト２１７は、例えば窒化アルミ等で構成されている。
シャフト支持部２１８は、昇降軸２２４に接続される。昇降軸２２４にはモータ２２５が接続されている。モータ２２５が昇降軸２２４を回転させて、シャフト支持部２１８を昇降させる。昇降軸２２４は、昇降軸支持部２２６に固定される。昇降軸支持部２２６は、底部２０２ｄに固定される。シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、これにより処理空間２０５内は気密に保持されている。
ところで、容器２０２が熱膨張した場合、前述のように容器２０２は真空搬送室１４１と逆側である矢印２７６方向に延びる。容器２０２が加熱されると、それに固定されているシャフト２１７や基板載置台２１２の位置がずれる。具体的には、加熱により底部２０２ｄが矢印２７６の方向に延びると底部２０２に固定された昇降軸支持部２２６の位置が矢印方向にずれる。それに伴い、昇降軸支持部２２６に固定されたシャフト支持部２１８の位置が矢印２７６にずれる。それらの位置ずれと共に、基板載置面２１１の中心位置もずれることになるので、教示した当時の目標座標からもずれることになる。
なお、セラミックや石英で構成されているシャフト２１７や基板載置台２１２は、金属製の容器２０２に比べて熱膨張係数が著しく低く、熱による膨張は非常に小さい。すなわち、加熱した際には、容器２０２の熱膨張の影響が支配的である。したがって、シャフト２１７や基板載置台２１２は、前述のような金属の熱膨張に追従することがない。そのため、目標座標からのずれ量はより顕著となる。
処理室２０１は、例えば後述するバッファ構造２３０と基板載置台２１２とで構成される。なお、処理室２０１は基板Ｓを処理する処理空間２０５を確保できればよく、他の構造により構成されてもよい。
基板載置台２１２は、基板Ｓの搬送時には、基板載置面２１１が基板搬入出口１４８に対向する搬送ポジションＰ０まで下降し、基板Ｓの処理時には、図３で示されるように、基板Ｓが処理空間２０５内の処理ポジションとなるまで上昇する。
処理空間２０５の上部（上流側）には、ガスを拡散させるバッファ構造２３０が設けられている。バッファ構造２３０は、主に蓋２３１で構成される。
蓋２３１に設けられたガス導入孔２３１ａと連通するよう、蓋２３１には、後述する第一ガス供給部２４０、第二ガス供給部２５０と連通する。図３に記載のＡは図５のＡに対応し、Ｂは図６のＢに対応し、それぞれガス供給部が接続されることを意味する。なお、図３ではガス導入孔２３１ａが一つしか示されていないが、ガス供給部ごとにガス導入孔を設けてもよい。
容器２０２の底部２０２ｄには、温度測定器２３５が設けられる。温度測定器２３５は、配線２３６を介して第二の温度測定部である温度測定部２３７に接続される。温度測定器２３５は、容器２０２の温度、特に底部２０２ｄの温度を検出する。後述するように、検出された温度は基板載置面２１１の位置を検出するものでもあるので、位置検出部とも呼ぶ。
（第一ガス供給部）
次に、図５を用いて第一ガス供給部２４０を説明する。
第一ガス供給管２４１には、上流方向から順に、第一ガス源２４２、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４３、及び開閉弁であるバルブ２４４が設けられている。
第一ガス源２４２は第一元素を含有する第一ガス（「第一元素含有ガス」とも呼ぶ。）源である。第一元素含有ガスは、原料ガス、すなわち、処理ガスの一つである。ここで、第一元素は、例えばシリコン（Ｓｉ）である。すなわち、第一元素含有ガスは、例えばシリコン含有ガスである。具体的には、シリコン含有ガスとして、モノシラン（ＳｉＨ４）ガスが用いられる。
主に、第一ガス供給管２４１、マスフローコントローラ２４３、バルブ２４４により、第一ガス供給部２４０（シリコン含有ガス供給系ともいう）が構成される。
（第二ガス供給部）
次に、図６を用いて第二ガス供給部２５０を説明する。
第二ガス供給管２５１には、上流方向から順に、第二ガス源２５２、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２５３、及び開閉弁であるバルブ２５４が設けられている。
第二ガス源２５２は第二元素を含有する第二ガス（以下、「第二元素含有ガス」とも呼ぶ。）源である。第二元素含有ガスは、処理ガスの一つである。なお、第二元素含有ガスは、反応ガスまたは改質ガスとして考えてもよい。
ここで、第二元素含有ガスは、第一元素と異なる第二元素を含有する。第二元素としては、例えば、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）のいずれか一つである。ここでは、第二元素含有ガスは、例えば酸素含有ガスとして説明する。具体的には、酸素含有ガスとして、酸素ガス（Ｏ２）が用いられる。
主に、第二ガス供給管２５１、マスフローコントローラ２５３、バルブ２５４により、第二ガス供給部２５０（反応ガス供給系ともいう）が構成される。
なお、第一ガス単体で基板Ｓ上に膜を形成する場合は、第二ガス供給部２５０を設けなくてもよい。
以上説明した第一ガス供給部２４０、第二ガス供給部２５０をまとめてガス供給部と呼ぶ。
（排気部）
図３にて排気部２７１を説明する。
処理空間２０５には、排気管２７２が連通される。排気管２７２は、処理空間２０５に連通するよう、上部容器２０２ａに接続される。排気管２７２には、処理空間２０５内を所定の圧力に制御する圧力制御器であるＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２７３が設けられる。ＡＰＣ２７３は開度調整可能な弁体（図示せず）を有し、コントローラ４００からの指示に応じて排気管２７２のコンダクタンスを調整する。また、排気管２７２においてＡＰＣ２７３の上流側にはバルブ２７４が設けられる。排気管２７２とバルブ２７４、ＡＰＣ２７３をまとめて排気部と呼ぶ。
さらに、排気管２７２の下流には、ＤＰ（Ｄｒｙ Ｐｕｍｐ。ドライポンプ）２７５が設けられる。ＤＰ２７５は、排気管２７２を介して、処理空間２０５の雰囲気を排気する。
（コントローラ）
次に図７を用いてコントローラ４００を説明する。
基板処理装置１００は、各部の動作を制御するコントローラ４００を有している。
制御部（制御手段）であるコントローラ４００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）４０１、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）４０２、記憶装置としての記憶部４０３、Ｉ／Ｏポート４０４を備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ４０２、記憶部４０３、Ｉ／Ｏポート４０４は、内部バス４０５を介して、ＣＰＵ４０１とデータ交換可能なように構成されている。基板処理装置１００内のデータの送受信は、ＣＰＵ４０１の一つの機能でもある送受信指示部４０６の指示により行われる。
ＣＰＵ４０１は、さらに抽出部４０７と算出部４０８とを有する。抽出部４０７は、後述する基礎情報を抽出し、基礎情報記憶部４１１に記憶する役割を有する。算出部４０８は、後述する基礎情報記憶部４１１と座標テーブル４１２との関係を分析し、エンドエフェクタ１８１の目標座標を算出する役割を有する。
更に、上位装置２８４にネットワークを介して接続されるネットワーク送受信部２８３が設けられる。ネットワーク送受信部２８３は、ロット中の基板Ｓの処理履歴や、実行すべきレシピ等に関する基板処理情報等を受信することが可能である。
記憶部４０３は、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶部４０３内には、基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ４０９や、基板処理装置の動作を制御する制御プログラム４１０が読み出し可能に格納されている。また、温度測定部２２１、２３７が計測した温度データ等の基礎情報が記録される基礎情報記憶部４１１や、その基礎情報とエンドエフェクタ１８１の目標座標との関係を示した座標テーブル４１２を有する。
なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ４００に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ４０２は、ＣＰＵ４０１によって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
Ｉ／Ｏポート４０４は、ゲートバルブ１４９、モータ２２５、各圧力調整器、各ポンプ、ヒータ制御部２２３、アーム制御部１７１、基板処理装置１００の各構成に接続されている。
ＣＰＵ４０１は、記憶部４０３からの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置２８１からの操作コマンドの入力等に応じて記憶部４０３からプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ４０１は、読み出されたプロセスレシピの内容に沿うように、ゲートバルブ１４９の開閉動作、モータ２２５の動作、温度測定部２２１、２３７、ヒータ制御部２２３、各ポンプのオンオフ制御、マスフローコントローラの流量調整動作、バルブ等を制御可能に構成されている。
また、後述する座標テーブル４１２の情報に基づき、作動部１７１ｂや指示部１７１ｅを制御し、アームの侵入位置を制御する。座標テーブル４１２については、後に詳述する。
コントローラ４００は、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、ハードディスク等の磁気ディスク、ＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ等の半導体メモリ）２８２を用いてコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本技術に係るコントローラ４００を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置２８２を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置２８２を介さずにプログラムを供給するようにしても良い。なお、記憶部４０３や外部記憶装置２８２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶部４０３単体のみを含む場合、外部記憶装置２８２単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
次に、図８を用いて座標テーブル４１２を説明する。
座標テーブル４１２は、基礎情報としての容器２０２の温度と、熱膨張により移動した基板ホルダ２１５の中心座標である推定位置座標と、エンドエフェクタ１８１の目標座標との関係を示すものである。容器２０２の温度は例えば底部２０２ｄの温度である。目標座標は、エンドエフェクタ１８１が基板ホルダ２１５の中心に基板Ｓを載置するための座標である。
容器温度として記載されている「Ｔｅｍｐ Ｚｏｎｅ１」〜「Ｔｅｍｐ Ｚｏｎｅ ｍ」〜「Ｔｅｍｐ Ｚｏｎｅ ｎ」は、それぞれ一定の幅（例えば５０℃ごと）を有する。Ｔｅｍｐ Ｚｏｎｅ１は初期温度であり、熱膨張が発生しない程度の温度である。したがって、一枚目の基板Ｓの処理では、ロボット１７０は目標座標Ａ２が設定される。ｍ、ｎは任意数であり、プロセスに応じて温度が設定される。なお、ｍ＜ｎとする。また、「Ｔｅｍｐ Ｚｏｎｅ ｍ」＜「Ｔｅｍｐ Ｚｏｎｅ ｎ」とする。
ここで、発明者は鋭意研究の結果、容器２０２の温度と基板載置面２１１の位置ずれ量とは一定の関係を有していることを見出した。前述のように、熱膨張による伸び方向が一定であるため、容器２０２の温度を検出すれば、自ずと熱膨張後の基板載置面２１１の中心位置を割り出すことができるためである。
熱膨張により基板載置面２１１がずれた場合、座標テーブル４１２を用いて目標座標を再設定し、エンドエフェクタ１８１が常に基板載置面２１１の中心座標に基板Ｓを搬送するようにする。
このように再設定することで、距離Ｌａ１と距離Ｌａ２、距離Ｌｂ１と距離Ｌｂ２それぞれを同じ距離にできるため、熱膨張が起きて基板載置面２１１がずれたとしても、エッジＳｅではガスの影響を等しくできる。従って、面内膜厚均一性を向上できる。更には複数の基板を処理した際、基板間の膜厚均一性を向上できる。
次に比較例として、図９を用いて、座標テーブル４１２を有していない装置の問題点を説明する。図９は、容器２０２が熱膨張した場合の基板載置面２１１の状態を説明した説明図である。図９では図の左側に側壁２０２ｃが配されているが、図示は省略する。
図９（ａ）は熱膨張の影響を受けていない状態であり、図４（ａ）と同様の状態である。図９（ｂ）は容器２０２が熱膨張して、基板載置面２１１を有する基板載置台２１２が基板搬入出口１４８と逆側の方向にずれた状態である。点線Ｃは基板Ｓの中心を示す。
通常ロボット１７０は、図９（ａ）に記載のように、基板Ｓの中心Ｃの座標と基板載置面２１１中心の座標とが重なるよう、搬送制御される。従って、距離Ｌａ１とＬａ２は等しくなる。さらに、距離Ｌｂ１とＬｂ２は等しくなる。座標を重ねる作業は、例えばクリーンルーム等に装置を据え付ける際のティーチング作業で調整される。
前述したように、加熱処理を行うと、基板載置台２１２の位置、即ち基板載置面２１１の位置がずれてしまうことがある。
比較例では座標テーブル４１２が存在しないため、アーム１８０は熱膨張前の目標座標に基板を載置するよう制御されている。そのため、基板載置面２１１の位置ずれが起きた場合、図９（ｂ）に記載のように、アーム１８０は基板Ｓを基板ホルダ２１５の中心からずれた位置に置いてしまうことになる。このような場合次の問題が起きる。
例えば、距離Ｌａ１と距離Ｌａ２、距離Ｌｂ１と距離Ｌｂ２とが異なってしまう。図９（ｂ）では、距離Ｌａ１は、距離Ｌａ２よりも小さくなる。距離Ｌｂ１は、距離Ｌｂ２よりも小さくなる。
図９（ａ）の状態でガスを供給した場合、距離Ｌａ１と距離Ｌａ２、距離Ｌｂ１と距離Ｌｂ２とがそれぞれ同じである。したがって、基板Ｓの周囲では乱流状態を同じにできるため、基板Ｓを均一に処理できる。
然しながら、図９（ｂ）の状態でガスを供給した場合、距離Ｌａ１と距離Ｌａ２、距離Ｌｂ１と距離Ｌｂ２が異なる。したがって基板Ｓの周囲では乱流状態が異なってしまう。すなわち、基板Ｓを均一に処理できない。
このような状況は、基板Ｓの面内膜厚均一性を低下させる。したがって、著しい歩留まりの低下につながる。
そこで本技術では、座標テーブル４１２を有すると共に、更にその情報をもとにしてロボット１７０を制御することとした。ここでは、基板載置面２１１の中心座標に基板Ｓを搬送するようロボット１７０が制御される。このようにすることで距離Ｌａ１と距離Ｌａ２、距離Ｌｂ１と距離Ｌｂ２とを同じにできるため、熱膨張が起きて基板載置面２１１がずれたとしても、エッジＳｅにおける乱流状態を等しくできる。したがって、面内膜厚均一性を向上させ、更には複数の基板間の膜厚均一性を向上できる。
（２）基板処理工程
次に図１０を用いて、半導体製造工程の一工程として基板処理装置１００を用いて基板Ｓ上に膜を形成する工程について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ４００により制御される。
ここでは、一つのＲＣ２００における基板処理方法を例にして説明する。
（ティーチング工程Ｓ１０２）
ティーチング工程Ｓ１０２を説明する。ここでは、ヒータ２１３が稼働していない状態、即ち基板Sを処理していない状態でエンドエフェクタ１８１の軌道や目標座標を調整する。具体的には、アーム１８０を操作して、基板載置面２１１に基板Sが載置されるよう、アーム１８０の動作を学習させる。その際、エンドエフェクタ１８１の目標座標は、搬送する基板Ｓと基板載置面２１１の中心が重なる座標とする。なお、この時の目標座標は後述する初期座標Ａ２となる。
（基礎情報抽出工程Ｓ１０４）
基礎情報抽出工程Ｓ１０４を説明する。
ここでは、基板載置面２１１の中心が初期座標Ａ２からずれているか否かを判定するための基礎情報を抽出する。基礎情報とは、例えば容器２０２の温度である。検出された基礎情報は、基礎情報記憶部４１１に記録される。
（判定Ｓ１０６）
判定Ｓ１０６を説明する。
ここでは、エンドエフェクタ１８１の目標座標を再設定するか否かを判定する。具体的には、基礎情報抽出工程Ｓ１０４で検出した温度が、初期設定の温度範囲である「Ｔｅｍｐ Ｚｏｎｅ １」の範囲よりも高い場合、歩留まりに影響がある熱膨張レベルであり、目標座標を再設定する必要があると判断され、目標座標設定工程Ｓ１０８に移行する。
「Ｔｅｍｐ Ｚｏｎｅ １」の範囲、もしくはそれよりも低い場合は、歩留まりに影響がある熱膨張レベルに無く、目標座標を再設定する必要が無いと判断され、基板搬送工程Ｓ１１０に移行する。このとき、基板搬送工程Ｓ１１０では、初期座標Ａ２を維持する。
（目標座標設定工程Ｓ１０８）
目標座標設定工程Ｓ１０８を説明する。
判定Ｓ１０６でＹｅｓと判断されたら、目標座標設定工程Ｓ１０８に移動する。ここでは、算出部４０８が座標テーブル４１２にて、基礎情報抽出工程Ｓ１０４にて検出した値に対応したエンドエフェクタ１８１の目標座標を算出する。例えば、基礎情報抽出工程Ｓ１０４で検出した温度が「Ｔｅｍｐ Ｚｏｎｅ ｍ」の範囲の場合、基板ホルダ２１５の推定位置情報がＢ１であると推察され、それに対応した目標座標Ｂ２を算出する。算出された目標座標に設定後、基板搬送工程Ｓ１１０に移行する。
（基板搬送工程Ｓ１１０）
基板搬送工程Ｓ１１０を説明する。
目標座標設定工程Ｓ１０８が終了したら、もしくは判定Ｓ１０６でＮｏと判断されたら、基板搬送工程Ｓ１１０に移動する。
ここでは、基板載置台２１２を基板Ｓの搬送位置（搬送ポジションＰ０）まで下降させ、基板載置台２１２の貫通孔２１４にリフトピン２０７を貫通させる。その結果、リフトピン２０７が、基板載置台２１２表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。これらの動作と並行して、搬送室２０６の雰囲気を排気し、隣接する真空搬送室１４０と同圧、あるいは隣接する真空搬送室１４０の圧力よりも低い圧力とする。
次にゲートバルブ１４９を開いて、搬送室２０６を隣接する真空搬送室１４０と連通させる。そして、真空搬送ロボット１７０は、設定した目標座標まで基板Ｓを支持するエンドエフェクタ１８１を延伸させる。その後、リフトピン２０７上に基板Ｓを載置する。
このように制御することで、熱膨張によって基板ホルダ２１５の位置がずれたとしても、常にＬ１とＬ２との距離を等しくできる。
（基板載置工程Ｓ１１２）
基板載置工程Ｓ１１２を説明する。
リフトピン２０７上に基板Ｓが載置されたら、基板載置台２１２を上昇させ、基板ホルダ２１５の基板載置面２１１上に基板Ｓを載置する。
（基板処理ポジション移動工程Ｓ１１４）
基板載置面２１１上に基板Sが載置されたら、図１のように基板載置台２１２を基板処理ポジションまで上昇させる。このとき、図４（ａ）のように、距離Ｌａ１と距離Ｌａ２、距離Ｌｂ１と距離Ｌｂ２はそれぞれ等しい状態である。
（成膜工程Ｓ１１６）
成膜工程Ｓ１１６を説明する。
基板載置台２１２が基板処理ポジションに移動したら、排気管２７２を介して処理室２０１から雰囲気を排気して、処理室２０１内の圧力を調整する。
更に基板Ｓは、基板載置面２１１に載置された状態で、ヒータ２１３によって加熱される。所定の圧力に調整しつつ、基板Ｓの温度が所定の温度、例えば５００℃から６００℃に到達したら、ガス供給部から処理ガス、例えばモノシランガスと酸素ガスとを処理室に供給する。
供給されたガスは、基板Ｓ上に供給されると共に、基板エッジＳｅと基板ホルダ２１５のエッジ２１５ｅの間、エッジ２１５ｅとエッジ２１２ｅの間に供給される。供給されたモノシランガスと酸素ガスによって基板Ｓ上にシリコン含有膜を形成する。シリコン含有膜が所望の膜厚となるまで基板Ｓを処理する。なお、このときは距離Ｌａ１と距離Ｌａ２、距離Ｌｂ１と距離Ｌｂ２はそれぞれ等しい状態であるため、周方向において基板エッジＳｅを均一に処理できる。また、距離Ｌａ、Ｌｂを確保できるので、基板Ｓの中央とエッジＳｅとで均一に処理できる。
（搬送ポジション移動工程Ｓ１１８）
搬送ポジション移動工程Ｓ１１８を説明する。
所望の膜厚の膜が形成されたら、基板載置台２１２を下降させて、図３に記載の搬送ポジションＰ０に移動する。したがって、基板Ｓは搬送室２０６に待機される。
（基板搬出工程Ｓ１２０）
基板搬出工程Ｓ１２０を説明する。
基板Ｓを搬送ポジションＰ０に移動したら、ゲートバルブ１４９を開として、搬送室２０６から真空搬送室１４０に基板Ｓを搬出する。
（判定Ｓ１２２）
判定Ｓ１２２を説明する。
ＲＣ搬出工程Ｓ１２０が終了したら、判定Ｓ１２２に移行する。ここでは、所定枚数の基板Ｓを処理した後、次に処理する基板Ｓの有無を判断する。他のＲＣ２００で処理した基板を含め、一ロット中の全ての基板であるｎ枚の基板を処理したと判断したら、処理を終了する。もしくは、ｎ枚の基板を処理していなくても、次に処理する基板Ｓが無ければ処理を終了する。次に処理する基板Ｓがあれば基礎情報抽出工程Ｓ１０４に移行する。
以上説明した方法によれば、基板ホルダ２１５が熱膨張により移動したとしても基板面内処理を均一にできる。更には、再現性良く処理できるため、複数の基板間の処理を均一にできる。
（第２の実施形態）
図１１を用いて、第２の実施形態を、図１１を用いて説明する。図１１では、（ａ）が基板載置台２１２の側断面図であり、（ｂ）は上面図である。なお、（ａ）は（ｂ）のＥ−Ｅ’における断面図である。第１の実施形態と同様の構成については、同様の番号を使用している。
第２の実施形態では、基板載置台２１２の形状が第１の実施形態と異なる。以下に、相違点を中心に説明する。
本実施形態の基板載置台２１２では、図１１に記載のように切り欠き２９１が設けられる。切り欠き２９１は、基板載置台２１２のうちエッジ２１２ｅとエッジ２１５ｅの間の部分であって、周方向に均等に配される。図１１においては、４つの切り欠きが設けられている。切り欠き２９１を設けることで、基板ホルダ２１５内に、過度のガスが留まることを抑制する。
本実施形態においても第１の実施形態と同様に、熱膨張後においても、基板載置面２１１の中心に基板Ｓを載置するよう、ロボット１７０は制御される。このようにすることで、切り欠き２１９においては距離Ｌａ１、距離Ｌａ２のそれぞれを、周方向に一定にできるため、基板ホルダ２１５内に過度のガスがたまることを抑制しつつ、周方向において基板エッジＳｅを均一に処理できる。
以上のように、切り欠き２１９を有する基板処理装置であっても、基板Ｓを均一に処理できる。
（第３の実施形態）
図１２を用いて、第３の実施形態を説明する。第３の実施形態では、第１の実施形態の基板ホルダ２１５を設けずに、基板載置台２１２中に、基板Sを吸着させるための電極２９２を設けている。以下に、相違点を中心に説明する。
基板Ｓは電極２９２により基板載置面２１１に吸着され、基板Ｓがスライドすることがない。したがって、エッジ２１２ｅと同じ高さに基板Ｓを載置できる。
本実施形態においても第１の実施形態と同様に、熱膨張後においても、基板載置面２１１の中心に基板Ｓを載置するよう、ロボット１７０は制御される。このようにすることで、距離Ｌａ１、距離Ｌａ２のそれぞれを、周方向に一定にできるため、周方向において基板エッジＳｅを均一に処理できる。
以上のように、エッジ２１２ｅと同じ高さに基板Ｓを載置する構造であっても、基板Ｓを均一に処理できる。
（第４の実施形態）
図１３を用いて第４の実施形態を説明する。
第４の実施形態では、第１の実施形態の座標テーブル４１２の替わりに、図１３に記載の座標テーブル４１３を使用する点で相違する。図７のコントローラ４００の構成においても、座標テーブル４１２の替わりに座標テーブル４１３が用いられる。他の構成は第一の実施形態と同様である。以下に、相違点を中心に説明する。
座標テーブル４１３は、基礎情報としてのレシピ情報を有する。さらに、レシピごとの基板温度情報を有する。基板温度情報とは、基板Ｓの処理温度を管理する情報であり、例えばヒータ２１３の温度である。推定位置情報は熱膨張により移動した基板ホルダ２１５の中心座標であり、目標座標はエンドエフェクタ１８１の目標座標である。
座標テーブル４１３の縦軸にはレシピの種類を示す。各レシピは、少なくとも基板Ｓを処理する温度が異なる。例えば、レシピ１は４００℃で、レシピｐは５５０℃で、レシピｑは７５０℃で基板Ｓを処理するレシピである。これらのレシピは、算出部４０８が上位装置２８４から受信した基板処理情報から判断する。
各レシピによって温度が設定されていることから、座標テーブル４１２と同様に、基板ホルダ２１５の移動先の位置情報が推定される。したがって、レシピの種類からエンドエフェクタ１８１の目標座標を設定する。
次に、図１０を用いて本実施形態における基板処理工程を説明する。
基板処理工程では、基礎情報抽出工程Ｓ１０４から目標座標設定工程Ｓ１０８が異なる。ここでは相違点を中心に説明する。
（基礎情報抽出工程Ｓ１０４）
本実施形態の、基礎情報抽出工程Ｓ１０４を説明する。
ここでは、基板Ｓがどのレシピで処理されるのかを判断する。まずＣＰＵ４０１は、上位装置２８４から受信した基板処理情報に基づき、どのレシピで処理するかを判断し、処理を設定する。抽出部４０７は、設定されたレシピ情報を基礎情報として抽出する。
（判定Ｓ１０６）
本実施形態の判定Ｓ１０６を説明する。
ここでは、エンドエフェクタ１８１の目標座標を設定するか否かを判定する。初めて基板Ｓを投入して処理する場合、または以前に処理した基板のレシピと熱影響が異なるレシピを実行する場合、歩留まりに影響がある熱膨張レベルであり、目標座標を再設定する必要があると判断され、目標座標設定工程Ｓ１０８に移行する。
次の基板で処理するレシピで設定された温度が、以前に処理した基板のレシピと同レベルの熱影響であれば、歩留まりに影響がある熱膨張レベルに無く、目標座標を再設定する必要が無いと判断され、基板搬送工程Ｓ１１０に移行する。
なお、ここで説明した熱影響とは、金属部品に対する熱の影響であり、例えば基板の処理温度や、その温度での処理時間等を勘案したものである。
（目標座標設定工程Ｓ１０８）
本実施形態における目標座標設定工程Ｓ１０８を説明する。
判定Ｓ１０６でＹｅｓと判断されたら、目標座標設定工程Ｓ１０８に移動する。ここでは、算出部４０８が座標テーブル４１３にて、基礎情報抽出工程Ｓ１０４にて検出した値に対応したエンドエフェクタ１８１の目標座標を算出する。
このようにすることで、レシピによって処理温度が変わったとしても、基板載置面２１１の中心に基板Ｓを載置するよう、ロボット１７０は制御される。そのため距離Ｌａ１、距離Ｌａ２のそれぞれを、周方向に一定にでき、周方向において基板エッジＳｅを均一に処理できる。
また、レシピに応じて目標座標を設定できるので、温度測定器２３５等の検出部を新たに設けることなく、歩留まりを向上できる。
（他の実施形態）
以上に、実施形態を具体的に説明したが、本技術は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、上述した実施形態では、容器２０２の温度を計測することで位置ずれを計測したが、それに限るものでは無く、例えば容器２０２に位置ずれセンサを用いて位置ずれをセンシングしてもよい。位置ずれセンサとしては、例えば基板載置台２１２の近傍に反射センサ２６１等を設けてもよい。
基板処理装置が行う成膜処理において、第一元素含有ガス（第一の処理ガス）としてモノシランガスを用い、第二元素含有ガス（第二の処理ガス）としてＯ２ガスを用いて、膜を形成する例を示したがそれに限るものでは無く、他の種類のガスを用いて他の種類の薄膜を形成してもよい。
また、ここでは二種類のガスを供給する例を用いたが、それに限るものでは無く、一種類のガスや３種類以上のガスを供給して膜を形成してもよい。
なお、以上の実施形態では「同じ」「等しく」「一定」と表現しているが、完全に「同じ」「等しい」「一定」とは限らない。歩留まりに影響のない範囲であれば、実質「同じ」や「等しい」「一定」の範囲も含むものとする。
１００…基板、２００…基板処理装置、２０１…処理室、２１３…ヒータ、２００…リアクタ、４００…コントローラ、４０３…記憶部、４１２…座標テーブル

Claims (8)

  1. 基板を処理する処理室を有すると共に真空搬送室に固定されたリアクタと、
    前記基板が載置される基板載置面を有し、前記リアクタ内に配される基板載置台と、
    前記基板を加熱する加熱部と、
    前記処理室にガスを供給するガス供給部と、
    前記基板載置面の位置を推定する基礎情報を抽出する抽出部と、
    前記基礎情報に基づき前記基板載置面の中心の推定位置情報を算出する算出部と、
    前記基板を搬送する際に前記基板を支持するエンドエフェクタを有し、前記真空搬送室内に配置された搬送ロボットと、
    前記推定位置情報に応じて前記エンドエフェクタの目標座標を設定すると共に、前記目標座標に前記エンドエフェクタを移動させ、前記基板を前記基板載置面に載置するよう制御する制御部と、
    を有する基板処理装置。
  2. 前記基礎情報は、前記リアクタの温度情報と対応する情報である請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記基礎情報は、レシピの情報である請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記基礎情報は、前記基板載置台の位置情報である請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記制御部は、前記基板のエッジと前記基板載置台のエッジとの距離が周方向で一定となるよう前記エンドエフェクタの移動を制御する請求項１から請求項４のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記基板載置面は、前記基板載置台に設けられた凹部の底に設けられ、
    前記制御部は、前記基板のエッジと前記凹部のエッジとの距離が周方向で一定となるようエンドエフェクタの移動を制御する請求項１から請求項５のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 真空搬送室に固定されたリアクタの内部に配された基板載置部が有する基板載置面の位置を推定する基礎情報を、抽出部が抽出する工程と、
    前記基礎情報に基づき、前記基板載置面の中心の推定位置情報を算出部が算出する工程と、
    前記真空搬送室内に配置された搬送ロボットを有するエンドエフェクタの目標座標を前記推定位置情報に応じて設定すると共に、前記エンドエフェクタに前記基板を支持した状態で前記エンドエフェクタを前記目標座標に移動し、前記基板載置面に基板を載置する工程と、
    前記基板載置面に基板が載置された状態で、前記リアクタが有する処理室にガス供給部がガスを供給すると共に、加熱部が前記基板を加熱する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  8. 真空搬送室に固定されたリアクタの内部に配された基板載置部が有する基板載置面の位置を推定する基礎情報を、抽出部が抽出する手順と、
    前記基礎情報に基づき、前記基板載置面の中心の推定位置情報を算出部が算出する手順と、
    前記真空搬送室内に配置された搬送ロボットを有するエンドエフェクタの目標座標を前記推定位置情報に応じて設定すると共に、前記エンドエフェクタに前記基板を支持した状態で前記エンドエフェクタを前記目標座標に移動し、前記基板載置面に基板を載置する手順と、
    前記基板載置面に基板が載置された状態で、前記リアクタが有する処理室にガス供給部がガスを供給すると共に、加熱部が前記基板を加熱する手順と、
    をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。


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