WO2024101252A1 - 温度計測装置、熱処理装置、及び、温度計測方法 - Google Patents

温度計測装置、熱処理装置、及び、温度計測方法 Download PDF

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WO2024101252A1
WO2024101252A1 PCT/JP2023/039513 JP2023039513W WO2024101252A1 WO 2024101252 A1 WO2024101252 A1 WO 2024101252A1 JP 2023039513 W JP2023039513 W JP 2023039513W WO 2024101252 A1 WO2024101252 A1 WO 2024101252A1
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WO
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antenna
space
saw sensor
measurement
processing
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PCT/JP2023/039513
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English (en)
French (fr)
Inventor
聖人 林
優 溝部
裕之 小田川
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
独立行政法人国立高等専門学校機構
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/32—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using change of resonant frequency of a crystal
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors

Definitions

  • This disclosure relates to a temperature measurement device, a heat treatment device, and a temperature measurement method.
  • Patent Document 1 discloses a temperature measuring device having, on a semiconductor wafer, multiple temperature detection means, a signal processing means for processing signals detected by the temperature detection means, and an information storage means for storing and storing the results of processing by the signal processing means.
  • This temperature measuring device further has, on the semiconductor wafer, a first control means for controlling the entire device, and a drive means for driving the temperature detection means, the signal processing means, the information storage means, and the first control means.
  • This disclosure provides a temperature measurement device, a heat treatment device, and a temperature measurement method that are useful for easily measuring the temperature in a space.
  • a temperature measuring device includes a SAW sensor capable of receiving an input signal from the outside and outputting a measurement signal corresponding to the ambient temperature, and a first antenna electrically connected to the SAW sensor.
  • the SAW sensor is configured to receive an input signal via the first and second antennas with the first antenna facing the second antenna in a predetermined space, and to output a measurement signal corresponding to the ambient temperature in the space.
  • the present disclosure provides a temperature measurement device, a heat treatment device, and a temperature measurement method that are useful for easily measuring the temperature in a space.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a substrate processing system.
  • FIG. 2 is a side view illustrating an example of a coating and developing apparatus.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example of a heat treatment unit and an example of a functional configuration of a control device.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of a temperature measuring device.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of the first measuring unit.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of a pair of opposing antennas.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing an example of the second measurement unit.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a temperature measurement system.
  • FIG. 9 is a graph showing an example of a measurement signal obtained from the SAW sensor.
  • FIG. 9 is a graph showing an example of a measurement signal obtained from the SAW sensor.
  • FIG. 10 is a schematic diagram illustrating an example of a hardware configuration of a control device.
  • FIG. 11 is a flowchart showing an example of a temperature measuring method.
  • FIG. 12 is a schematic diagram showing an example of a temperature measuring device.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing an example of a pair of opposing antennas.
  • the substrate processing system 1 (heat treatment device) shown in FIG. 1 is a system that forms a photosensitive film on a workpiece W, exposes the photosensitive film, and develops the photosensitive film.
  • the workpiece W to be processed is, for example, a substrate, or a substrate on which a film or circuit or the like has been formed by performing a predetermined process.
  • One example of the substrate is a silicon wafer.
  • the workpiece W (substrate) may be circular.
  • the workpiece W may be a glass substrate, a mask substrate, or an FPD (Flat Panel Display), etc.
  • the photosensitive film is, for example, a resist film.
  • the substrate processing system 1 includes a coating and developing apparatus 2, an exposure apparatus 3, and a control device 20.
  • the coating and developing apparatus 2 applies a resist (chemical solution) to the surface of the workpiece W to form a resist film before the exposure process by the exposure apparatus 3, and develops the resist film after the exposure process.
  • the exposure apparatus 3 is an apparatus that exposes a resist film (photosensitive coating) formed on the workpiece W (substrate). Specifically, the exposure apparatus 3 irradiates an energy beam onto the portion of the resist film to be exposed by a method such as immersion exposure.
  • the coating and developing apparatus 2 includes a carrier block 4, a processing block 5, and an interface block 6.
  • the carrier block 4 introduces the workpiece W into the coating and developing apparatus 2 and removes the workpiece W from the coating and developing apparatus 2.
  • the carrier block 4 can support multiple carriers C for the workpiece W and has a built-in transport device A1 including a transfer arm.
  • the carrier C accommodates, for example, multiple circular workpieces W.
  • the transport device A1 removes the workpiece W from the carrier C and passes it to the processing block 5, and receives the workpiece W from the processing block 5 and returns it to the carrier C.
  • the processing block 5 has processing modules 11, 12, 13, and 14.
  • the processing module 11 incorporates a liquid processing unit U1, a heat processing unit U2, and a transport device A3 that transports the workpiece W to these units.
  • the processing module 11 forms an underlayer film on the surface of the workpiece W using the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2.
  • the liquid processing unit U1 applies a processing liquid for forming the underlayer film onto the surface of the workpiece W.
  • the heat processing unit U2 performs various heat treatments associated with the formation of the underlayer film.
  • the processing module 12 incorporates a liquid processing unit U1, a heat processing unit U2, and a transport device A3 that transports the workpiece W to these units.
  • the processing module 12 forms a resist film on the underlayer film using the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2.
  • the liquid processing unit U1 applies a processing liquid for forming the resist film onto the underlayer film.
  • the heat processing unit U2 performs various heat treatments associated with the formation of the resist film.
  • the processing module 13 incorporates a liquid processing unit U1, a heat processing unit U2, and a transport device A3 that transports the workpiece W to these units.
  • the processing module 13 forms an upper layer film on the resist film using the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2.
  • the liquid processing unit U1 applies a processing liquid for forming the upper layer film onto the resist film.
  • the heat processing unit U2 performs various heat treatments associated with the formation of the upper layer film.
  • the processing module 14 incorporates a liquid processing unit U1, a heat processing unit U2, and a transport device A3 that transports the workpiece W to these units.
  • the processing module 14 uses the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2 to perform development processing of the resist film that has been subjected to exposure processing and heat processing associated with the development processing.
  • the liquid processing unit U1 applies a developer to the surface of the exposed workpiece W, and then washes it away with a rinsing liquid to perform development processing of the resist film.
  • the heat processing unit U2 performs various heat processing associated with the development processing. Specific examples of heat processing include a heating process before development (PEB: Post Exposure Bake) and a heating process after development (PB: Post Bake).
  • a shelf unit U10 is provided on the carrier block 4 side within the processing block 5.
  • the shelf unit U10 is divided into multiple cells arranged in the vertical direction.
  • a transport device A7 including a lifting arm is provided near the shelf unit U10. The transport device A7 raises and lowers the workpiece W between the cells of the shelf unit U10.
  • a shelf unit U11 is provided on the interface block 6 side of the processing block 5.
  • the shelf unit U11 is divided into multiple cells arranged vertically.
  • the interface block 6 transfers the workpiece W to and from the exposure device 3.
  • the interface block 6 has a built-in transport device A8 that includes a transfer arm, and is connected to the exposure device 3.
  • the transport device A8 transfers the workpiece W placed on the shelf unit U11 to the exposure device 3.
  • the transport device A8 receives the workpiece W from the exposure device 3 and returns it to the shelf unit U11.
  • the control device 20 controls the coating and developing device 2 to perform the coating and developing process, for example, in the following procedure. First, the control device 20 controls the transport device A1 to transport the workpiece W in the carrier C to the shelf unit U10, and then controls the transport device A7 to place the workpiece W in the cell for the processing module 11.
  • the control device 20 then controls the transport device A3 to transport the workpiece W from the shelf unit U10 to the liquid treatment unit U1 and heat treatment unit U2 in the processing module 11.
  • the control device 20 also controls the liquid treatment unit U1 and heat treatment unit U2 to form an underlayer film on the surface of the workpiece W.
  • the control device 20 then controls the transport device A3 to return the workpiece W with the underlayer film formed thereon to the shelf unit U10, and controls the transport device A7 to place the workpiece W in a cell for the processing module 12.
  • the control device 20 then controls the transport device A3 to transport the workpiece W from the shelf unit U10 to the liquid treatment unit U1 and heat treatment unit U2 in the processing module 12.
  • the control device 20 also controls the liquid treatment unit U1 and heat treatment unit U2 to form a resist film on the surface of the workpiece W.
  • the control device 20 then controls the transport device A3 to return the workpiece W to the shelf unit U10, and controls the transport device A7 to place the workpiece W in a cell for the processing module 13.
  • the control device 20 then controls the transport device A3 to transport the workpiece W from the shelf unit U10 to each unit in the processing module 13.
  • the control device 20 also controls the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2 to form an upper layer film on the resist film of the workpiece W. Thereafter, the control device 20 controls the transport device A3 to transport the workpiece W to the shelf unit U11.
  • the control device 20 then controls the transport device A8 to send the workpiece W from the shelf unit U11 to the exposure device 3.
  • the control device 20 then controls the transport device A8 to receive the workpiece W that has been subjected to the exposure process from the exposure device 3 and place it in a cell for the processing module 14 in the shelf unit U11.
  • the control device 20 then controls the transport device A3 to transport the workpiece W on the shelf unit U11 to each unit in the processing module 14, and controls the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2 to perform development processing of the resist film on the workpiece W.
  • the control device 20 then controls the transport device A3 to return the workpiece W to the shelf unit U10, and controls the transport device A7 and the transport device A1 to return the workpiece W into the carrier C. This completes the coating and developing processing for one workpiece W.
  • the control device 20 then causes the coating and developing device 2 to perform the coating and developing processing for each of the subsequent multiple workpieces W in the same manner as described above.
  • the control device 20 is a device that controls the coating and developing device 2.
  • the control device 20 is composed of one or more control computers. When the control device 20 is composed of multiple control computers, these multiple control computers may be connected to each other so that they can communicate with each other.
  • the control device 20 has a functional configuration (hereinafter referred to as "functional modules") including a memory unit 22 and a processing control unit 24, as shown in FIG. 3.
  • the memory unit 22 stores programs for operating the various units and devices included in the coating and developing apparatus 2.
  • the memory unit 22 also stores various data (for example, information related to signals for operating processing units, etc. included in the coating and developing apparatus 2) and information from sensors, etc. provided in each part.
  • the process control unit 24 controls the operation of the various units and devices included in the coating and developing apparatus 2 based on the program read from the storage unit 22.
  • the process control unit 24 controls the operation of the various units and devices included in the coating and developing apparatus 2 so as to perform the coating and developing process described above.
  • the heat-treating unit U2 performs heat treatment (heating) on the workpiece W in a state in which the workpiece W is placed in a treatment space.
  • the heat-treating unit U2 has, for example, a heat treatment section 51 and a lid section 55.
  • the heating processing section 51 is a stage configured to support and heat the workpiece W.
  • the heating processing section 51 may support the workpiece W so that the surface of the workpiece W is horizontal.
  • the heating processing section 51 includes, for example, a heat plate 52 and a plurality of support pins 53.
  • the heat plate 52 is made of metal.
  • the heat plate 52 includes a heater such as a resistance heating element.
  • the heat plate 52 may be formed in a circular plate shape.
  • the diameter of the heat plate 52 may be larger than the diameter of the workpiece W.
  • the plurality of support pins 53 are portions that support the workpiece W.
  • the plurality of support pins 53 are provided on the upper surface of the heat plate 52 and protrude above the upper surface of the heat plate 52.
  • the lid portion 55 is a member that forms a space for heating the workpiece W (hereinafter referred to as the "processing space S").
  • the lid portion 55 is made of metal.
  • the lid portion 55 is configured to surround the workpiece W supported by the heat processing portion 51.
  • the lid portion 55 may be provided so as to be movable in the vertical direction, and the processing space S is formed when the lid portion 55 approaches the heat processing portion 51.
  • the space above the heat processing portion 51 is opened when the lid portion 55 moves away from the heat processing portion 51.
  • the heat processing portion 51 supports and heats the workpiece W in the processing space S.
  • the lid portion 55 includes a top plate 56 and a side wall 57.
  • the top plate 56 forms a processing space S together with the side wall 57 and is a part that covers the heating processing section 51.
  • the top plate 56 is formed in a disk shape and has a diameter that is approximately the same as or larger than the diameter of the hot plate 52 of the heating processing section 51.
  • the top plate 56 is arranged so as to face the upper surface of the hot plate 52 in the vertical direction. In this case, the top plate 56 overlaps the upper surface of the hot plate 52 when viewed vertically from above.
  • the side wall 57 is a part that is formed so as to extend downward from the outer edge of the top plate 56. When viewed from above, the side wall 57 surrounds the upper surface of the hot plate 52.
  • the processing space S is formed by the upper surface of the hot plate 52, the inner surface of the side wall 57, and the lower surface of the top plate 56.
  • the top plate 56 includes a gas discharge section 58 provided on its underside.
  • the gas discharge section 58 discharges gas downward when the workpiece W is heated in the processing space S.
  • the gas discharged by the gas discharge section 58 is, for example, air, a gas containing moisture, or an inert gas.
  • the gas discharge section 58 includes a plurality of discharge holes 58a that open into the processing space S.
  • the plurality of discharge holes 58a may be scattered with a substantially uniform density in the portion of the underside of the top plate 56 that faces the workpiece W on the heat processing section 51 (see also FIG. 7).
  • the gas discharge section 58 may have a function (one or more exhaust holes) of sucking in the atmosphere in the processing space S or sublimates generated by heat treatment, in addition to discharging gas, and discharging them to the outside of the processing space S.
  • the top plate 56 may include an exhaust section that sucks in the atmosphere in the processing space S, or sublimates present in the processing space S, and discharging them to the outside of the processing space S.
  • the exhaust section may have one or more exhaust holes (suction holes) that open into the processing space S, similar to the gas discharge section 58.
  • the substrate processing system 1 includes a temperature measuring device 29.
  • the temperature measuring device 29 is a device that measures the temperature in the processing space S of the heat processing unit U2.
  • the temperature measuring device 29 may measure the temperature at multiple locations in the processing space S.
  • the temperature measuring device 29 measures the temperature at multiple locations in the processing space S when the heat processing is not being performed on the workpiece W and the heat processing unit U2 is performing an operation similar to the heat processing on the workpiece W.
  • the multiple locations where the temperature is measured are set at or near the location where the workpiece W is located when the heat processing is performed in the heat processing unit U2.
  • the temperature measuring device 29 has a first measuring unit 70 and a second measuring unit 90.
  • the first measuring unit 70 is a unit that generates signals corresponding to temperatures at multiple locations using a SAW (Surface Acoustic Wave) sensor described below.
  • the first measuring unit 70 receives a signal from the second measuring unit 90 via wireless communication, and outputs a signal generated by the SAW sensor to the second measuring unit 90.
  • the second measuring unit 90 is a unit that outputs a signal to be used for measurement to the first measuring unit 70 via wireless communication, and receives a measurement signal from the first measuring unit 70.
  • the second measuring unit 90 is connected to the control device 20 by wire.
  • the first measuring unit 70 may be a portable unit. When temperature measurement is performed in the processing space S, the first measuring unit 70 may be transported and set in the heat treatment unit U2 by the transport device A3 or manually. When heat treatment is performed on the workpiece W, the first measuring unit 70 may be transported out of the heat treatment unit U2. As shown in Figures 4 and 5, the first measuring unit 70 has, for example, a holding member 72, multiple SAW sensors 80, and multiple antennas 74.
  • the holding member 72 is a member (substrate) that holds the multiple SAW sensors 80 and the multiple antennas 74.
  • the multiple SAW sensors 80 and the multiple antennas 74 are attached (fixed) to the holding member 72. In this case, by disposing the holding member 72 in the processing space S, the multiple SAW sensors 80 and the multiple antennas 74 are also disposed in the processing space S.
  • the holding member 72 is formed, for example, in the same manner as the workpiece W (substrate).
  • the holding member 72 may be formed in a disk shape.
  • the diameter of the holding member 72 may be approximately the same as the diameter of the workpiece W.
  • the thickness of the holding member 72 may be approximately the same as the thickness of the workpiece W.
  • the holding member 72 may be made of the same material as the workpiece W (for example, silicon). By forming the holding member 72 in the same manner as the workpiece W, it is possible to measure the temperature at multiple locations in the processing space S in a state close to the state in which the heat treatment is performed on the workpiece W.
  • the multiple SAW sensors 80 are scattered on one main surface of the holding member 72.
  • the multiple SAW sensors 80 are scattered on the main surface of the holding member 72 so that they can measure the temperature at positions corresponding to multiple locations on the main surface of the workpiece W supported by the heat treatment section 51.
  • Two or more of the multiple SAW sensors 80 have different distances from the center of the holding member 72.
  • Two or more of the multiple SAW sensors 80 have different positions in the circumferential direction around the center of the holding member 72.
  • the mounting positions of the multiple SAW sensors 80 on the holding member 72 are set according to the location where the temperature is to be measured.
  • the SAW sensor 80 is a sensor that can receive a signal from the outside and output a signal corresponding to the surrounding temperature.
  • the SAW sensor 80 is configured to generate a signal corresponding to the temperature around it.
  • the signal that the SAW sensor 80 receives from the outside is referred to as the "input signal”
  • the signal generated by the SAW sensor 80 (the signal corresponding to the temperature around the sensor) is referred to as the "measurement signal”.
  • the SAW sensor 80 receives an input signal, it generates a SAW (surface acoustic wave) and generates a formed signal corresponding to the surrounding temperature.
  • a SAW is a wave that propagates by concentrating energy near the surface of a medium.
  • the SAW sensor 80 includes, for example, a piezoelectric substrate 82, an electrode 84, and one or more reflectors.
  • the SAW sensor 80 includes reflectors 86a and 86b as the one or more reflectors.
  • the electrode 84 is an interdigital electrode formed on the piezoelectric substrate 82.
  • the electrode 84 includes an electrode 84a and an electrode 84b.
  • the electrode 84a is electrically connected to the antenna 74, and the electrode 84b is connected to a ground potential.
  • Each of the electrodes 84a and 84b of the electrode 84 includes one or more convex portions and one or more concave portions.
  • the electrodes 84a and 84b are formed in a comb shape such that the convex portion of the electrode 84a is inserted into the concave portion of the electrode 84b, and the convex portion of the electrode 84b is inserted into the concave portion of the electrode 84a.
  • the signal input to the SAW sensor 80 (the input signal) is a high-frequency signal.
  • the SAW sensor 80 is electrically connected to the antenna 74, and a high-frequency input signal is supplied to the SAW sensor 80 via the antenna 74.
  • the antenna 74 receives the high-frequency input signal (radio wave)
  • a SAW is excited (generated) in the electrode 84 due to the inverse piezoelectric effect.
  • the excited SAW propagates toward each of the reflectors 86a and 86b, and is reflected by each reflector, returning the reflected wave to the electrode 84.
  • the reflected wave of the SAW is converted into a voltage due to the piezoelectric effect, and is output to the outside as a radio wave by the antenna 74.
  • the propagation time of the SAW changes depending on the temperature of the piezoelectric substrate 82. Therefore, the temperature around the SAW sensor 80 can be measured from the time it takes for the light to be reflected by the reflector of the SAW sensor 80 and return (propagation delay time). In other words, the measurement signal generated by the SAW sensor 80 contains information corresponding to the temperature around the SAW sensor 80.
  • the length of the propagation path between the electrode 84 and the reflector 86a is different from the length of the propagation path between the electrode 84 and the reflector 86b. This allows the temperature around one SAW sensor 80 to be measured using two propagation paths of different lengths (two measurements can be performed at approximately the same measurement timing), improving measurement accuracy.
  • the antenna 74 may be a loop antenna.
  • the shape of the annular antenna 74 may be circular, elliptical, or rectangular.
  • the antenna 74 may be a metal conductor, or a circuit pattern formed in a ring shape on a heat-resistant resin substrate or sheet such as polyimide.
  • the antenna 74 may be formed so that its opening portion is aligned with the main surface of the holding member 72.
  • the second measurement unit 90 may be fixed to the heat treatment unit U2 (lid 55).
  • the second measurement unit 90 includes, for example, a plurality of antennas 94 and a line 95.
  • the plurality of antennas 94 correspond to the plurality of antennas 74 of the first measurement unit 70, respectively.
  • the number of the plurality of antennas 94 is equal to the number of the plurality of antennas 74 (the number of the plurality of SAW sensors 80).
  • the measurement state In a state in which the holding member 72 of the first measurement unit 70 is supported by the heat treatment unit 51 and a treatment space S is formed (hereinafter referred to as the "measurement state"), each of the plurality of antennas 94 faces a corresponding antenna 74. In this case, at least a portion of the antenna 94 overlaps at least a portion of the corresponding antenna 74 when viewed from a direction perpendicular to the heat plate 52 of the heat treatment unit 51 (for example, the vertical direction).
  • the antenna 94 may be a loop antenna.
  • the shape of the annular antenna 94 may be circular, elliptical, or rectangular.
  • the size of the opening of the antenna 94 may be approximately the same as the size of the opening of the corresponding antenna 74. When the sizes of the openings are approximately the same, the size of the opening of the antenna 94 is 0.95 to 1.05 times the size of the opening of the corresponding antenna 74.
  • the multiple antennas 94 may be attached to the top plate 56 (the lower surface of the top plate 56).
  • the antenna 94 may be formed so that its opening portion is aligned with the lower surface of the top plate 56. Note that FIG.
  • the antenna 94 may be a metal conductor, or a circuit pattern formed in a ring shape on a heat-resistant resin substrate or sheet such as polyimide.
  • antenna 74 and antenna 94 are each a loop antenna, signals are transmitted between antenna 74 and antenna 94 by magnetic coupling (electromagnetic induction). Furthermore, antenna 74 and antenna 94 may be arranged so that most of the opening of antenna 74 faces most of the opening of antenna 94. That is, in the above measurement state, 50% to 100% of the opening of antenna 74 may face 50% to 100% of the opening of antenna 94. In the above measurement state, 70% to 100% of the opening of antenna 74 may face 70% to 100% of the opening of antenna 94, and 90% to 100% of the opening of antenna 74 may face 90% to 100% of the opening of antenna 94.
  • the line 95 is a connection line that electrically connects one or more of the multiple antennas 94 to the control device 20. Note that other lines may be provided in addition to the line 95 for electrically connecting the multiple antennas 94 to the control device 20. In the example shown in FIG. 7, the line 95 functions as a connection line that electrically connects three of the multiple antennas 94 to the control device 20. Signals are transmitted between the three antennas 94 and the control device 20 via the line 95.
  • a portion of the line 95 may be a coaxial cable or a microstrip line.
  • a portion of the line 95 may be provided along the lower surface of the top plate 56. The portion of the line 95 that is along the lower surface of the top plate 56 may be a microstrip line.
  • the portion of the line 95 that is a microstrip line is indicated by the symbol "96".
  • the microstrip line 96 includes a dielectric 96a (dielectric substrate) and a strip conductor 96b formed on the dielectric 96a.
  • One end of each of the one or more antennas 94 is electrically connected to the strip conductor 96b.
  • the other end of the antenna 94 may be connected to a ground potential.
  • the portion of the line 95 that runs along the lower surface of the top plate 56 may be a metal conductor instead of a microstrip line.
  • the portion of the line 95 that runs along the lower surface of the top plate 56 and the multiple antennas 94 are arranged so as not to interfere with the multiple discharge holes 58a.
  • the multiple antennas 94, etc. may be arranged so as not to interfere with the one or more exhaust holes.
  • each of the multiple SAW sensors 80 receives the above-mentioned input signal via the antenna 74 and antenna 94 in a state where the antenna 74 and antenna 94 face each other in the processing space S (predetermined space).
  • each of the multiple SAW sensors 80 receives the input signal, it outputs the above-mentioned measurement signal corresponding to the ambient temperature (temperature around itself) in the processing space S.
  • the SAW sensor 80 outputs the above-mentioned measurement signal in a state where the holding member 72 is supported by the heating processing unit 51.
  • the antenna 74 and antenna 94 are arranged to face each other in a direction perpendicular to the heat plate 52 of the heating processing unit 51 (for example, in the vertical direction).
  • the direction perpendicular to the heat plate 52 corresponds to the direction perpendicular to the upper surface of the heat plate 52.
  • one antenna 74 arbitrarily selected from the multiple antennas 74 constitutes a first antenna
  • the antenna 94 corresponding to that antenna 74 constitutes a second antenna.
  • the frequency of the input signal supplied to the SAW sensor 80 may be 0.2 GHz to 10 GHz.
  • the frequency of the radio waves propagating between the antenna 74 and the antenna 94 is 0.2 GHz to 10 GHz.
  • the frequency of the input signal may be 0.4 GHz to 6 GHz, or 0.6 GHz to 3 GHz.
  • the wavelength of the input signal may be 30 mm to 1500 mm, 50 mm to 750 mm, or 100 mm to 500 mm.
  • the size of the processing space S in a direction perpendicular to the heat plate 52 (predetermined direction) may be 1/2 or less of the wavelength of the input signal.
  • the size of the processing space S in a direction perpendicular to the heat plate 52 may be 1 mm to 15 mm, 2 mm to 13 mm, or 3 mm to 11 mm.
  • FIG. 8 shows a schematic diagram of the connection state between three of the multiple SAW sensors 80 and the control device 20.
  • the symbols “80A”, “80B”, and “80C” are used to individually distinguish the three SAW sensors 80 shown in FIG. 8.
  • the antenna 74 and antenna 94 corresponding to the SAW sensor 80A are referred to as “antenna 74A” and “antenna 94A”, respectively.
  • the antenna 74 and antenna 94 corresponding to the SAW sensor 80B are referred to as “antenna 74B” and “antenna 94B", respectively, and the antenna 74 and antenna 94 corresponding to the SAW sensor 80C are referred to as “antenna 74C” and “antenna 94C”, respectively.
  • SAW sensor 80A receives input signals via line 95, antenna 94A, and antenna 74A with antenna 74A (first antenna) facing antenna 94A (second antenna) in processing space S.
  • SAW sensor 80B (another antenna) receives input signals via line 95, antenna 94B, and antenna 74B with antenna 74B (third antenna) facing antenna 94B (fourth antenna) in processing space S.
  • SAW sensor 80C receives input signals via line 95, antenna 94C, and antenna 74C with antenna 74C facing antenna 94C in processing space S.
  • the branch point 95a (first branch point) on the line 95 to antenna 94A and the branch point 95b (second branch point) on the line 95 to antenna 94B are adjacent to each other on the line 95. In other words, there is no branch point to another antenna 94 between the branch point 95a and the branch point 95b.
  • the branch point 95b and the branch point 95c on the line 95 to antenna 94C are adjacent to each other on the line 95. In other words, there is no branch point to another antenna 94 between the branch point 95b and the branch point 95c.
  • Branch point 95a, branch point 95b, and branch point 95c are lined up in this order on line 95 from control device 20.
  • the signal transmitted from control device 20 branches into a signal heading for antenna 94A and a signal heading for antennas 94B and 94C.
  • the signal heading for antennas 94B and 94C from branch point 95a branches into a signal heading for antenna 94B and a signal heading for antenna 94C.
  • the signal heading for antenna 94C from branch point 95b branches into a signal heading for antenna 94C and a signal heading downstream.
  • the signals traveling from the control device 20 to the antenna 94A include a signal Id traveling directly from the control device 20 to the antenna 94A, and a signal Ir that is reflected (more specifically, reflected once) at the branch point 95b adjacent to the branch point 95a and travels to the antenna 94A.
  • the distance on the line 95 between the branch points 95a and 95b (hereinafter referred to as "distance Xab") may be set to a value that prevents the phenomenon of signals weakening each other due to the phase shift of the reflected wave (signal Ir) at the branch point 95b being 180° out of phase.
  • the value twice the distance Xab is set to a value different from a value that approximately corresponds to n times the wavelength of the input signal (n is an integer of 1 or more).
  • the value that approximately corresponds to n times the wavelength refers to a value that is 0.95 to 1.05 times the value obtained by multiplying the wavelength by n. That is, the value of twice the distance Xab may be different from the range of 0.95 to 1.05 times the value obtained by multiplying the wavelength by n (it may be outside the above range). In order to more reliably avoid interference between signals, as described below, the value of twice the distance Xab may be different from the range of 0.9 to 1.1 times the value obtained by multiplying the wavelength by n.
  • the value of twice the distance Xab is n times the wavelength of the input signal
  • the signal Ir returns to the branch point 95a, its phase is shifted by (n+1/2) times the wavelength, and a phenomenon occurs in which the signal Ir cancels out (interferes with and is attenuated by) the original signal Id.
  • the value of twice the distance on the line 95 between the branch points 95b and 95c may also be set to a value that is different from a value that is approximately equal to n times the wavelength of the input signal.
  • the control device 20 may have a function of controlling the temperature measuring device 29 and executing a measurement process for measuring the temperature, in addition to a function of controlling the coating and developing apparatus 2.
  • the control device 20 has, for example, a measurement processing unit 26 as a functional configuration.
  • the measurement processing unit 26 supplies input signals to the SAW sensors 80 via the antennas 74 and 94 for each of the multiple SAW sensors 80 to obtain measurement signals.
  • the measurement processing unit 26 supplies an input signal to the SAW sensor 80A via the line 95, antenna 94A, and antenna 74A, and acquires a measurement signal from the SAW sensor 80A.
  • the measurement processing unit 26 supplies an input signal to the SAW sensor 80B via the line 95, antenna 94B, and antenna 74B, and acquires a measurement signal (another measurement signal) from the SAW sensor 80B.
  • the measurement processing unit 26 supplies an input signal to the SAW sensor 80C via the line 95, antenna 94C, and antenna 74C, and acquires a measurement signal from the SAW sensor 80C.
  • the measurement processing unit 26 calculates the temperature around the SAW sensor 80 from the acquired measurement signal for each of the multiple SAW sensors 80.
  • FIG. 9 shows an example of a measurement signal when focusing on one SAW sensor 80.
  • FIG. 9 is a graph showing an example of a change in the intensity of the measurement signal over time.
  • "86a” represents the signal component reflected by the reflector 86a of the SAW sensor 80 and input to the measurement processing unit 26
  • "86b” represents the signal component reflected by the reflector 86b of the SAW sensor 80 and input to the measurement processing unit 26.
  • the signal component when the temperature is "T0" is shown by a solid line
  • the signal component when the temperature is "T1" different from T0 is shown by a dashed line.
  • the distance between the electrode 84 and the reflector 86a is different from the distance between the electrode 84 and the reflector 86b. Therefore, when the temperature around the SAW sensor 80 is the same, a difference occurs in the timing at which the measurement processing unit 26 receives the signal component based on reflection at the reflector 86a and the signal component based on reflection at the reflector 86b. This allows the measurement processing unit 26 to identify which reflector the signal component is based on.
  • the propagation time of the SAW differs when the temperature is T0 and when the temperature is T1, and a difference may occur in the timing at which the measurement processing unit 26 receives the signal.
  • the measurement processing unit 26 calculates the temperature according to the timing (propagation time) of receiving the signal component based on the reflection at each reflector of the SAW sensor 80. Instead of or in addition to the timing of receiving the signal component, the measurement processing unit 26 may calculate the temperature according to the phase of the received signal component.
  • the memory unit 22 of the control device 20 may hold information indicating the relationship between the temperature and at least one of the timing (propagation time) and phase of the return of the signal component based on the reflection at each reflector for each of the multiple SAW sensors 80.
  • the measurement processing unit 26 can identify which SAW sensor 80 the signal component is from.
  • the measurement processing unit 26 can calculate the temperature distribution on the surface corresponding to the main surface of the workpiece W by calculating the ambient temperature at each of the multiple SAW sensors 80.
  • An output device such as a monitor may be connected to the control device 20, and the measurement processing unit 26 may output the calculation result of the ambient temperature at each of the multiple SAW sensors 80 to the output device.
  • the measurement processing unit 26 and the temperature measuring device 29 form a temperature measurement system. Note that the control device 20 may not have the measurement processing unit 26, and a computer separate from the control device 20 may have the measurement processing unit 26.
  • FIG. 10 illustrates an example of the hardware configuration of the control device 20.
  • the control device 20 has, for example, a circuit 30.
  • the circuit 30 has one or more processors 32, a memory 34, a storage 36, an input/output port 38, and a timer 39.
  • the storage 36 has a computer-readable storage medium, for example a hard disk.
  • the storage medium stores a program for causing the coating and developing apparatus 2 to execute the above-mentioned coating and developing process, and a program for causing the control device 20 to execute a temperature measurement method described below.
  • the storage medium may be a removable medium, such as a non-volatile semiconductor memory, a magnetic disk, or an optical disk.
  • the memory 34 temporarily stores the programs loaded from the storage medium of the storage 36 and the results of calculations by the processor 32.
  • the processor 32 executes the above programs in cooperation with the memory 34 to configure each functional module of the control device 20 (e.g., the memory unit 22, the processing control unit 24, and the measurement processing unit 26).
  • the input/output port 38 inputs and outputs electrical signals between the heat treatment unit U2 and the second measurement unit 90 of the temperature measurement device 29, etc., in accordance with instructions from the processor 32.
  • the timer 39 measures the elapsed time, for example, by counting reference pulses at a constant period.
  • a circuit that generates an input signal to be supplied to the SAW sensor 80 may be provided inside or outside the input/output port 38.
  • each functional module may be realized by an individual computer.
  • each of these functional modules may be realized by a combination of two or more computers.
  • the multiple computers may be connected to each other so that they can communicate with each other and execute the above coating and developing process and the temperature measurement method described below in a coordinated manner.
  • the hardware configuration of the control device 20 is not necessarily limited to configuring each functional module by a program.
  • each functional module of the control device 20 may be configured by a dedicated logic circuit or an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) that integrates this.
  • ASIC Application Specific Integrated Circuit
  • Fig. 11 is a flowchart showing an example of the temperature measurement method.
  • step S11 is executed first in a state in which the lid 55 has moved upward to form no treatment space S and no member or workpiece W is placed in the heat processing unit 51.
  • step S11 the control device 20 controls the transport device A3 and the heat treatment unit U2 to set the first measuring unit 70 in the heat treatment unit 51.
  • the first measuring unit 70 may be set on the heat treatment unit 51 by hand.
  • the holding member 72 is placed on the multiple support pins 53 of the heat treatment unit 51 so that the holding member 72 is horizontal and the multiple SAW sensors 80 and multiple antennas 74 face away from the heat plate 52 of the heat treatment unit 51.
  • the center of the holding member 72 may approximately coincide with the center of the heat plate 52.
  • step S12 the process control unit 24 controls the heat treatment unit U2 to lower the lid portion 55 to form the treatment space S.
  • the control device 20 maintains a state in which heating by the heat plate 52 is possible, and the treatment space S is formed, and heat treatment in the treatment space S is started.
  • the holding member 72 is heated, and the surroundings of the holding member 72 become substantially the same state as when heat treatment is performed on the workpiece W.
  • each of the multiple antennas 94 provided on the lid portion 55 faces the corresponding antenna 74 attached to the holding member 72.
  • step S13 for example, the measurement processing unit 26 waits until a predetermined measurement timing occurs.
  • the measurement timing may be set in advance by an operator.
  • step S14 for example, the measurement processing unit 26 supplies input signals to the SAW sensors 80 via the antennas 94 and 74 for each of the multiple SAW sensors 80, and acquires measurement signals from the SAW sensors 80.
  • step S15 the process control unit 24 waits until a predetermined end timing is reached.
  • the end timing may be set in advance to match the execution time set as the conditions for performing heat treatment on the workpiece W.
  • step S16 the process control unit 24 controls the heat treatment unit U2 to raise the lid 55 to open the space above the heat treatment unit 51. This ends the heat treatment for temperature measurement.
  • step S17 the measurement processing unit 26 calculates the temperature around the SAW sensor 80 from the measurement signal obtained in step S14 for each of the multiple SAW sensors 80. This allows the temperature distribution on the upper surface of the holding member 72 to be obtained.
  • step S18 for example, the measurement processing unit 26 outputs the temperature distribution obtained in step S17 to an output device or the like connected to the control device 20.
  • the first measurement unit 70 may be removed from the heat treatment unit U2 by a device including the transport device A3 or by hand.
  • the measurement processing unit 26 acquires a measurement signal from the SAW sensor 80 while the holding member 72 is supported by the heating processing unit 51 and the processing space S is being heated by the heating processing unit 51.
  • the series of processes performed in the above-mentioned temperature measurement method is an example and can be changed as appropriate.
  • the control device 20 may execute one step and the next step in parallel, or may execute each step in an order different from the above-mentioned example.
  • the control device 20 may omit any step, or may execute a process different from the above-mentioned example in any step.
  • the control device 20 (measurement processing unit 26) may repeatedly execute step S14 while heating is being performed in the processing space S so as to obtain measurement signals at multiple measurement timings.
  • the control device 20 (measurement processing unit 26) may calculate the temperature from the measurement signal while the processing space S is formed and heat treatment is being performed.
  • the transmission path between the control device 20 and the SAW sensor 80 is an unbalanced circuit, but the transmission path may be a balanced circuit.
  • FIG. 12 shows a schematic diagram of a part of the temperature measuring device 29 in which the transmission path between the control device 20 and the SAW sensor 80 is a balanced circuit. In this case, a signal is transmitted between the control device 20 and the SAW sensor 80 using a pair of conductors.
  • the temperature measuring device 29 may have a line 95A instead of the line 95.
  • the line 95A is, for example, a microstrip line.
  • a strip conductor 96c and a strip conductor 96d are formed on a dielectric 96a.
  • the strip conductor 96c and the strip conductor 96d are electrically connected to the control device 20.
  • one end of the antenna 94 is electrically connected to the strip conductor 96c, and the other end of the antenna 94 is electrically connected to the strip conductor 96d.
  • antenna 74 and antenna 94 are arranged opposite each other.
  • One end of antenna 74 is electrically connected to electrode 84a (one electrode) included in electrode 84 of SAW sensor 80.
  • the other end of antenna 74 is electrically connected to electrode 84b (the other electrode) included in electrode 84.
  • a signal may be transmitted on line 95A so that the phase difference between the signal flowing in strip conductor 96c and the signal flowing in strip conductor 96d is 180°. This doubles the maximum amplitude due to the difference in the signal between strip conductor 96c and strip conductor 96d, and even if the same noise component occurs in both strip conductors, it is cancelled out when the signal is output, making it possible to measure temperature with high accuracy.
  • signals are transmitted between the first measuring unit 70 and the second measuring unit 90 by magnetic coupling (magnetic field coupling). Instead of magnetic coupling, signals may be transmitted between the first measuring unit 70 and the second measuring unit 90 by electrical coupling (capacitive coupling).
  • the first measuring unit 70 has an antenna 78Ba (first antenna) and an antenna 78Bb (first antenna) instead of the antenna 74.
  • Each of the antennas 78Ba and 78Bb is electrically connected to the SAW sensor 80.
  • Each of the antennas 78Ba and 78Bb is a metal plate (a flat plate made of metal).
  • the antennas 78Ba and 78Bb may be formed in a rectangular shape.
  • the second measurement unit 90 has a line 95B instead of the line 95 and the antenna 94.
  • the line 95B includes a dielectric 96a, a strip conductor 96c, and a strip conductor 96d, similar to the line 95A.
  • the line 95B also includes an antenna 98Ba (second antenna) electrically connected to the strip conductor 96c, and an antenna 98Bb (second antenna) electrically connected to the strip conductor 96d.
  • Each of the antennas 98Ba and 98Bb is a metal plate (a flat metal plate).
  • the antennas 98Ba and 98Bb may be formed on the dielectric 96a in continuity with the strip conductor.
  • the antennas 98Ba and 98Bb may be formed in a rectangular shape.
  • the antennas 78Ba and 98Ba face each other in parallel
  • the antennas 78Bb and 98Bb face each other in parallel.
  • the size of the main surface of the antenna 78Ba may be approximately the same as the size of the main surface of the antenna 98Ba
  • the size of the main surface of the antenna 78Bb may be approximately the same as the size of the main surface of the antenna 98Bb.
  • the majority of the antenna 78Ba (50% to 100% of the main surface) may face the majority of the antenna 98Ba (50% to 100% of the main surface).
  • the majority of the antenna 78Bb (50% to 100% of the main surface) may face the majority of the antenna 98Bb (50% to 100% of the main surface).
  • a parallel plate capacitor is formed by the antennas 78Ba and 98Ba, and a parallel plate capacitor is formed by the antennas 78Bb and 98Bb.
  • signals are transmitted by electrical coupling between the antennas 78Ba and 98Ba, and between the antennas 78Bb and 98Bb.
  • an antenna is defined as a member that transmits signals non-contact, and the metal plate that constitutes the parallel plate capacitor also functions as an antenna.
  • the substrate processing system 1 has been used as an example of a heat treatment apparatus, but the configuration of the heat treatment apparatus is not limited to the substrate processing system 1 described above.
  • the heat treatment apparatus may be configured in any manner as long as it includes a heat treatment unit that supports and heats the workpiece W, and a temperature measurement device 29 (or a temperature measurement device 29 and a measurement processing unit 26). In one of the various examples described above, at least some of the matters described in the other examples may be applied.
  • a temperature measuring device 29 comprising a SAW sensor 80, 80A capable of receiving an input signal from the outside and outputting a measurement signal corresponding to the ambient temperature, and antennas 74, 74A, 78Ba, 78Bb (first antennas) electrically connected to the SAW sensor 80, 80A, wherein the SAW sensor 80, 80A is configured to receive an input signal via the antennas 74, 74A, 78Ba, 78Bb and the antennas 94, 94A, 98Ba, 98Bb in a state in which the antennas 74, 74A, 78Ba, 78Bb face antennas 94, 94A, 98Ba, 98Bb (second antennas) in a specified space, and to output a measurement signal corresponding to the ambient temperature in the space.
  • thermocouple an RTD, a CMOS temperature sensor, or the like is placed on the workpiece to measure the temperature of the workpiece.
  • a control circuit and a battery drive source
  • measurement in a high-temperature environment is difficult due to the problem of the heat resistance of the control circuit, etc.
  • SAW sensor that receives a signal from the outside via an antenna and measures the temperature.
  • the present temperature measuring device can measure the temperature in a space with high accuracy using a non-contact signal transmission means even in a high temperature environment, and is therefore useful for simply measuring the temperature in a space.
  • the temperature measuring device 29 described in (2) above further includes an antenna 94, each of the antennas 74 and 94 being a loop antenna, and the antennas 74 and 94 being arranged so that a majority of the opening of the antenna 94 faces a majority of the opening of the antenna 94.
  • the attenuation of the signal between the antennas is more reliably suppressed, and therefore the temperature can be measured with high accuracy using the SAW sensor 80.
  • the temperature measuring device 29 according to any one of (1) to (3) above, further comprising a plate-shaped holding member 72 to which a SAW sensor 80 and an antenna 74 are attached.
  • a plate-shaped holding member 72 to which a SAW sensor 80 and an antenna 74 are attached.
  • the above space is a processing space S for heating the workpiece W
  • the SAW sensor 80 is configured to output a measurement signal when the holding member 72 is supported by a heating processing unit 51 that supports and heats the workpiece W in the processing space S, in the temperature measuring device 29 described in (4) above. In this case, even when the workpiece W is not being subjected to heat treatment, it is possible to measure a temperature corresponding to the temperature of the workpiece W during heat treatment.
  • the above space is a processing space S for heating the workpiece W
  • the antenna 74 and the antenna 94 are arranged to face each other in a predetermined direction perpendicular to a heat plate 52 included in a heating processing section 51 that supports and heats the workpiece W in the processing space S
  • the frequency of the input signal is 0.2 GHz to 10 GHz
  • the size of the processing space S in the predetermined direction is 1/2 or less of the wavelength of the input signal, a temperature measuring device 29 described in any one of (1) to (5) above.
  • the signal propagating between the antennas may be attenuated due to the small size of the processing space S in the direction perpendicular to the heat plate 52.
  • the antennas are arranged opposite each other to measure the temperature, so that even if the size of the processing space S in the above direction is small, the degree of signal attenuation is small, and high-precision measurement can be performed.
  • the SAW sensor 80B (another SAW sensor) further includes an antenna 94A, an input signal supplied from the outside and an antenna 74B (third antenna) electrically connected to the SAW sensor 80B, and an antenna 94B (fourth antenna) electrically connected to the antenna 94A via a line 95.
  • the SAW sensor 80B receives an input signal via the antennas 74B and 94B in a state where the antenna 74B faces the antenna 94B in the space, and outputs a measurement signal indicating the ambient temperature.
  • a branch point 95a (first branch point) on the line 95 to an antenna 94A and a branch point 95b (second branch point) on the line 95 to an antenna 94B are adjacent to each other on the line 95, and a value twice the distance Xab on the line 95 between the branch points 95a and 95b is set to a value different from a value that is approximately equal to n times the wavelength of the input signal (n is an integer equal to or greater than 1). If twice the distance on the line 95 between the branch points 95a and 95b is approximately equal to n times the wavelength of the input signal, the signal directly supplied from the branch point 95a to the antenna 94A may be attenuated due to interference with the signal reflected at the branch point 95b and input to the antenna 94A. In contrast, in the above configuration, twice the distance Xab is not approximately equal to n times the wavelength of the input signal, so signal attenuation due to reflection at adjacent branch points is unlikely to occur. Therefore, this is useful for high-precision temperature measurement.
  • a heat treatment apparatus comprising: a heating processing unit 51 that supports and heats a workpiece W in a processing space S; SAW sensors 80, 80A in the processing space S that receive an input signal from the outside and output a measurement signal corresponding to the ambient temperature; antennas 74, 74A, 78Ba, 78Bb (first antennas) that are arranged in the processing space S and electrically connected to the SAW sensors 80, 80A; antennas 94, 94A, 98Ba, 98Bb (second antennas) that are arranged in the processing space S and face the antennas 74, 74A at a distance; and a measurement processing unit 26 that supplies input signals to the SAW sensors 80, 80A via the antennas 74, 74A, 78Ba, 78Bb and the antennas 94, 94A, 98Ba, 98Bb to acquire the measurement signals.
  • the temperature in the treatment space S can be measured with high
  • the holding member 72 by disposing the holding member 72 in space, it becomes possible to measure the temperature by the SAW sensor 80. Therefore, it is possible to simplify the temperature measurement using the SAW sensor 80.
  • the signal propagating between the antennas may be attenuated due to the small size of the processing space S in the direction perpendicular to the heat plate 52.
  • the antennas are arranged opposite each other to measure the temperature, so that even if the size of the processing space S in the above direction is small, the degree of signal attenuation is small, and high-precision measurement can be performed.
  • a heat treatment apparatus according to any one of (9) to (14), further comprising: a SAW sensor 80B (another SAW sensor) that receives a signal from the outside in the processing space S and outputs a signal indicating the ambient temperature; an antenna 74B (third antenna) that is arranged in the processing space S and is electrically connected to the SAW sensor 80B; an antenna 94B (fourth antenna) that is arranged in the processing space S and faces the antenna 74B at a distance; a measurement processing unit 26; and a line 95 that electrically connects between the antennas 94A and 94B, wherein a branch point 95a (first branch point) on the line 95 to the antenna 94A and a branch point 95b (second branch point) on the line 95 to the antenna 94B are adjacent to each other on the line 95, and a value twice the distance Xab on the line 95 between the branch points 95a and 95b is set to a value different from a value that is approximately equal to n times the wavelength of the input
  • twice the distance on the line 95 between the branch points 95a and 95b is approximately equal to n times the wavelength of the input signal
  • the signal directly supplied from the branch point 95a to the antenna 94A may be attenuated due to interference with the signal reflected at the branch point 95b and input to the antenna 94A.
  • twice the distance Xab is not approximately equal to n times the wavelength of the input signal, so signal attenuation due to reflection at adjacent branch points is unlikely to occur. Therefore, this is useful for high-precision temperature measurement.
  • a heat treatment apparatus according to any one of (9) to (15) above, further comprising a top plate 56 that forms a treatment space S and covers the heat treatment section 51, and the antennas 94, 94A are attached to the top plate 56.
  • the antennas 94, 94A it is not necessary to set the antennas 94, 94A in the processing space S every time the temperature in the processing space S is measured. Therefore, this is useful for simplifying the temperature measurement in the processing space S using the SAW sensor 80.
  • a temperature measurement method including: disposing a SAW sensor 80 capable of receiving an input signal from the outside and outputting a measurement signal corresponding to the ambient temperature, and an antenna 74 (first antenna) electrically connected to the SAW sensor 80 in a predetermined space; supplying an input signal to the SAW sensor 80 via the antennas 74 and 94 with the antenna 74 facing an antenna 94 (second antenna) in the space; and obtaining a measurement signal corresponding to the ambient temperature in the space from the SAW sensor 80 to which the input signal has been supplied.
  • the temperature in a given space can be measured with high accuracy using wireless communication even in a high-temperature environment. Therefore, it is useful for simply measuring the temperature in the space.
  • 1...substrate processing system 2...coating and developing apparatus, U2...heat treatment unit, 20...controller, 51...heat treatment section, 52...hot plate, 55...lid, 56...top plate, S...treatment space, 29...temperature measuring device, 70...first measuring unit, 74, 74A, 74B, 74C, 78Ba, 78Bb...antennas, 80, 80A, 80B, 80C...SAW sensors, 90...second measuring unit, 94, 94A, 94B, 94C, 98Ba, 98Bb...antennas, 95...line, 95a, 95b, 95c...branch point.

Landscapes

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Abstract

本開示の一側面に係る温度計測装置は、外部から入力信号の供給を受けて周囲の温度に応じた計測信号を出力可能なＳＡＷセンサと、ＳＡＷセンサに電気的に接続された第１アンテナと、を備える。ＳＡＷセンサは、所定の空間において第１アンテナが第２アンテナと対向した状態で、第１アンテナ及び第２アンテナを介して入力信号の供給を受けて、空間内における周囲の温度に応じた計測信号を出力するように構成されている。

Description

温度計測装置、熱処理装置、及び、温度計測方法
　本開示は、温度計測装置、熱処理装置、及び、温度計測方法に関する。
　特許文献１には、半導体ウェハ上に、複数の温度検出手段と、この温度検出手段で検出した信号を処理する信号処理手段と、この信号処理手段で処理された結果を記憶し保持する情報保持手段とを有する温度測定装置が開示されている。この温度計測装置は、半導体ウェハ上に、全体を制御する第１の制御手段と、温度検出手段、信号処理手段、情報保持手段、及び第１の制御手段を駆動する駆動手段とを更に有する。
特開２００１－６６１９４号公報
　本開示は、空間内の温度を簡便に計測するのに有用な温度計測装置、熱処理装置、及び、温度計測方法を提供する。
　本開示の一側面に係る温度計測装置は、外部から入力信号の供給を受けて周囲の温度に応じた計測信号を出力可能なＳＡＷセンサと、ＳＡＷセンサに電気的に接続された第１アンテナと、を備える。ＳＡＷセンサは、所定の空間において第１アンテナが第２アンテナと対向した状態で、第１アンテナ及び第２アンテナを介して入力信号の供給を受けて、空間内における周囲の温度に応じた計測信号を出力するように構成されている。
　本開示によれば、空間内の温度を簡便に計測するのに有用な温度計測装置、熱処理装置、及び、温度計測方法が提供される。
図１は、基板処理システムの一例を示す模式図である。 図２は、塗布現像装置の一例を模式的に示す側面図である。 図３は、熱処理ユニットの一例及び制御装置の機能構成の一例を示す模式図である。 図４は、温度計測装置の一例を示す模式図である。 図５は、第１計測ユニットの一例を示す模式図である。 図６は、対向する一対のアンテナの一例を示す模式図である。 図７は、第２計測ユニットの一例を示す模式図である。 図８は、温度計測システムの構成の一例を示す模式図である。 図９は、ＳＡＷセンサから得られる計測信号の一例を示すグラフである。 図１０は、制御装置のハードウェア構成の一例を示す模式図である。 図１１は、温度計測方法の一例を示すフローチャートである。 図１２は、温度計測装置の一例を示す模式図である。 図１３は、対向する一対のアンテナの一例を示す模式図である。
　以下、図面を参照して一実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。一部の図面には、上下方向に対応する方向Ｚ１及び方向Ｚ２が示されており、方向Ｚ１が鉛直上方に向かう方向に対応し、方向Ｚ２が鉛直下方に向かう方向に対応する。
［基板処理システム］
　図１に示される基板処理システム１（熱処理装置）は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。当該基板は、一例として、シリコンウェハである。ワークＷ（基板）は、円形であってもよい。ワークＷは、ガラス基板、マスク基板、又はＦＰＤ（Flat　Panel　Display）などであってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
　図１及び図２に示されるように、基板処理システム１は、塗布現像装置２と、露光装置３と、制御装置２０とを備える。塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、を備える。
　キャリアブロック４は、塗布現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。
　処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷの表面上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
　処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
　処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
　処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理及び現像処理に伴う熱処理を行う。液処理ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像前の加熱処理（ＰＥＢ：Post　Exposure　Bake）、及び現像後の加熱処理（ＰＢ：Post　Bake）等が挙げられる。
　処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。
　処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
　インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
　制御装置２０は、例えば以下の手順で塗布現像処理を実行するように塗布現像装置２を制御する。まず制御装置２０は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
　次に制御装置２０は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置２０は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置２０は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
　次に制御装置２０は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置２０は、このワークＷの表面に対してレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置２０は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
　次に制御装置２０は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置２０は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置２０は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。
　次に制御装置２０は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置２０は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。
　次に制御装置２０は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷのレジスト膜の現像処理を行うように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置２０は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。以上で１枚のワークＷについての塗布現像処理が完了する。制御装置２０は、後続の複数のワークＷのそれぞれについても、上述と同様に塗布現像処理を塗布現像装置２に実行させる。
　制御装置２０は、塗布現像装置２を制御する装置である。制御装置２０は、１以上の制御用コンピュータにより構成される。制御装置２０が複数の制御用コンピュータで構成される場合に、これらの複数の制御用コンピュータが、互いに通信可能に接続されてもよい。
　制御装置２０は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、図３に示されるように、記憶部２２と処理制御部２４とを有する。記憶部２２は、塗布現像装置２に含まれる各種ユニット及び各種装置を動作させるためのプログラムを記憶している。記憶部２２は、各種のデータ（例えば、塗布現像装置２に含まれる処理ユニット等を動作させるための信号に係る情報）、及び各部に設けられたセンサ等からの情報も記憶している。
　処理制御部２４は、記憶部２２から読み出したプログラムに基づいて、塗布現像装置２に含まれる各種ユニット及び各種装置の動作を制御する。処理制御部２４は、上述した塗布現像処理を実行するように、塗布現像装置２に含まれる各種ユニット及び各種装置の動作を制御する。
（熱処理ユニット）
　続いて、熱処理ユニットＵ２の一例について、図３を参照しながら説明する。熱処理ユニットＵ２は、処理空間内にワークＷが配置された状態で、ワークＷに対する熱処理（加熱）を行う。熱処理ユニットＵ２は、例えば、加熱処理部５１と、蓋部５５と、を有する。
　加熱処理部５１は、ワークＷを支持して加熱するように構成されたステージである。加熱処理部５１は、ワークＷの表面が水平となるように、ワークＷを支持してもよい。加熱処理部５１は、例えば、熱板５２と、複数の支持ピン５３とを含む。熱板５２は、金属によって構成される。熱板５２は、抵抗発熱体等のヒータを含む。熱板５２は、円板状に形成されていてもよい。熱板５２の直径は、ワークＷの直径よりも大きくてもよい。複数の支持ピン５３は、ワークＷを支持する部分である。複数の支持ピン５３は、熱板５２の上面に設けられており、熱板５２の上面よりも突出している。
　蓋部５５は、ワークＷを加熱するための空間（以下、「処理空間Ｓ」という。）を形成する部材である。蓋部５５は、金属によって構成される。蓋部５５は、加熱処理部５１に支持されているワークＷを囲むように構成されている。蓋部５５は、上下方向に移動可能に設けられてもよく、蓋部５５が加熱処理部５１に近接することで、上記処理空間Ｓが形成される。蓋部５５が加熱処理部５１から遠ざかることで、加熱処理部５１の上方の空間が開放される。上記加熱処理部５１は、処理空間ＳにおいてワークＷを支持して加熱する。蓋部５５は、天板５６と、側壁５７とを含む。
　天板５６は、側壁５７と共に処理空間Ｓを形成し、加熱処理部５１を覆う部分である。天板５６は、円板状に形成されており、加熱処理部５１の熱板５２の径と同程度の径を有するか、又は、熱板５２の径よりも大きい径を有する。天板５６は、上下方向において熱板５２の上面と対向するように配置される。この場合、鉛直上方から見て、天板５６は、熱板５２の上面と重なっている。側壁５７は、天板５６の外縁から下方に延びるように形成された部分である。上方から見て、側壁５７は、熱板５２の上面を囲っている。上方から見て、側壁５７の少なくとも一部が、熱板５２の上面における周縁部分と重なっていてもよい。図３に示される例では、処理空間Ｓが、熱板５２の上面、側壁５７の内面、及び、天板５６の下面によって構成される。
　天板５６は、その下面に設けられたガス吐出部５８を含む。ガス吐出部５８は、処理空間ＳにおいてワークＷの加熱を行う際に、下方に向かってガスを吐出する。ガス吐出部５８が吐出するガスは、例えば、エア、水分を含有したガス、又は、不活性ガスである。ガス吐出部５８は、処理空間Ｓに開口する複数の吐出孔５８ａを含む。複数の吐出孔５８ａは、天板５６の下面のうちの加熱処理部５１上のワークＷに対向する部分において、略均一な密度で点在していてもよい（図７も参照）。
　上記ガス吐出部５８は、ガスの吐出に加えて、処理空間Ｓ内の雰囲気又は熱処理によって生じた昇華物等を吸引し、処理空間Ｓの外に排出する機能（１以上の排出孔）を有してもよい。天板５６は、ガス吐出部５８に代えて、処理空間Ｓ内の雰囲気、又は処理空間Ｓ内に存在する昇華物を吸引し、処理空間Ｓの外に排出する排出部を含んでもよい。当該排出部は、ガス吐出部５８と同様に、処理空間Ｓに開口する１以上の排出孔（吸引孔）を有してもよい。
（温度計測装置）
　図４に示されるように、基板処理システム１は、温度計測装置２９を備える。温度計測装置２９は、熱処理ユニットＵ２の処理空間Ｓ内の温度を計測する装置である。温度計測装置２９は、処理空間Ｓ内の複数箇所の温度を計測してもよい。温度計測装置２９は、例えば、ワークＷに対する熱処理が行われておらず、ワークＷに対する熱処理と同様の動作を熱処理ユニットＵ２が実行している状態で、処理空間Ｓ内の複数箇所の温度を計測する。温度計測が行われる複数箇所は、熱処理ユニットＵ２で熱処理が行われる際にワークＷが位置する箇所又はその近傍に設定される。
　温度計測装置２９は、第１計測ユニット７０と、第２計測ユニット９０とを有する。第１計測ユニット７０は、後述するＳＡＷ（Surface　Acoustic　Wave）センサを用いて、複数箇所における温度に応じた信号を生成するユニットである。第１計測ユニット７０は、無線通信により、第２計測ユニット９０から信号の供給を受けて、ＳＡＷセンサで生成した信号を第２計測ユニット９０に出力する。第２計測ユニット９０は、無線通信により、第１計測ユニット７０に対して計測に用いるための信号を出力し、第１計測ユニット７０から計測信号を受けるユニットである。第２計測ユニット９０は、有線により制御装置２０と接続されている。
　第１計測ユニット７０（温度計測装置）は、可搬式のユニットであってもよい。処理空間Ｓ内において温度計測が行われる際に、第１計測ユニット７０が、搬送装置Ａ３又は人手によって、熱処理ユニットＵ２内に搬送及びセットされてもよい。ワークＷに対して熱処理が行われる際には、第１計測ユニット７０が熱処理ユニットＵ２の外に搬出されてもよい。図４及び図５に示されるように、第１計測ユニット７０は、例えば、保持部材７２と、複数のＳＡＷセンサ８０と、複数のアンテナ７４と、を有する。
　保持部材７２は、複数のＳＡＷセンサ８０及び複数のアンテナ７４を保持する部材（基材）である。保持部材７２には、複数のＳＡＷセンサ８０と複数のアンテナ７４とが取り付けられている（固定されている）。この場合、保持部材７２が処理空間Ｓ内に配置されることで、複数のＳＡＷセンサ８０及び複数のアンテナ７４も処理空間Ｓ内に配置される。保持部材７２は、例えば、ワークＷ（基板）と同様に形成される。保持部材７２は、円板状に形成されていてもよい。保持部材７２の直径は、ワークＷの直径と同程度であってもよい。保持部材７２の厚さは、ワークＷの厚さと同程度であってもよい。保持部材７２は、ワークＷと同じ材料（例えば、シリコン）によって構成されてもよい。保持部材７２をワークＷと同様に形成することで、ワークＷに対する熱処理を実行する状態と近い状態で、処理空間Ｓ内の複数箇所の温度を計測することが可能である。
　複数のＳＡＷセンサ８０は、保持部材７２の一方の主面において点在している。複数のＳＡＷセンサ８０は、加熱処理部５１に支持されたワークＷの主面における複数箇所に対応する位置での温度を計測できるように、保持部材７２の主面に点在している。複数のＳＡＷセンサ８０のうちの２以上のセンサの間では、保持部材７２の中心からの距離が互いに異なっている。複数のＳＡＷセンサ８０のうちの２以上のセンサの間では、保持部材７２の中心まわりの周方向における位置が互いに異なっている。複数のＳＡＷセンサ８０の保持部材７２での取付位置は、温度の計測を行いたい箇所に応じて設定される。
　ＳＡＷセンサ８０は、外部から信号の供給を受けて、周囲の温度に応じた信号を出力可能なセンサである。ＳＡＷセンサ８０は、自身の周囲の温度に応じた信号を生成するように構成されている。以下では、ＳＡＷセンサ８０が外部から供給を受ける信号を「入力信号」と称し、ＳＡＷセンサ８０によって生成される信号（センサの周囲の温度に応じた信号）を「計測信号」と称する。ＳＡＷセンサ８０は、入力信号を受けるとＳＡＷ（弾性表面波）を生成して、周囲の温度に応じた形成信号を生成する。ＳＡＷとは、媒質の表面付近にエネルギーを集中させて伝搬する波である。
　ＳＡＷセンサ８０は、例えば、圧電体基板８２と、電極８４と、１以上の反射器とを含む。図５に示される例では、ＳＡＷセンサ８０は、１以上の反射器として、反射器８６ａと、反射器８６ｂとを含む。電極８４は、すだれ状の電極であり、圧電体基板８２上に形成されている。電極８４は、電極８４ａ及び電極８４ｂを含む。例えば、電極８４ａは、アンテナ７４に電気的に接続されており、電極８４ｂは、接地電位に接続されている。電極８４の電極８４ａ及び電極８４ｂのそれぞれは、１以上の凸部と１以上の凹部とを含む。電極８４ａ及び電極８４ｂは、電極８４ａの凸部が電極８４ｂの凹部に挿入され、且つ、電極８４ｂの凸部が電極８４ａの凹部に挿入されるように櫛型に形成される。
　ＳＡＷセンサ８０に入力される信号（上記入力信号）は、高周波の信号である。ＳＡＷセンサ８０は、アンテナ７４に電気的に接続されており、ＳＡＷセンサ８０には、アンテナ７４を介して高周波の入力信号が供給される。アンテナ７４が高周波の入力信号（電波）を受けると、電極８４において逆圧電効果によりＳＡＷが励振（生成）される。励振されたＳＡＷは、反射器８６ａ及び反射器８６ｂのそれぞれに向かって伝搬し、各反射器で反射されて電極８４に反射波が戻ってくる。ＳＡＷの反射波は、圧電効果により電圧に変換されて、アンテナ７４により外部に電波として出力される。
　ＳＡＷの伝搬時間は、圧電体基板８２の温度によって変化する。そのため、ＳＡＷセンサ８０の反射器で反射して戻ってくるまでの時間（伝搬遅延時間）から、ＳＡＷセンサ８０の周囲の温度を計測することができる。言い換えると、ＳＡＷセンサ８０が生成する計測信号には、ＳＡＷセンサ８０の周囲の温度に応じた情報が含まれている。電極８４と反射器８６ａとの間の伝搬路の長さと、電極８４と反射器８６ｂとの間の伝搬路の長さとが互いに異なっている。これにより、異なる長さの２つの伝搬路をそれぞれ利用して、１つのＳＡＷセンサ８０の周囲の温度を計測できるので（略同一の計測タイミングで２回の計測を行うことができるので）、計測精度が向上し得る。
　図６に示されるように、アンテナ７４は、ループアンテナであってもよい。環状のアンテナ７４の形状は、円形、楕円形、又は、四角形であってもよい。アンテナ７４は、金属導線であってもよく、ポリイミド等の耐熱性の樹脂基板又はシート上に環状に形成された回路パターンであってもよい。アンテナ７４は、その開口部分が保持部材７２の主面に沿うように形成されてもよい。
　図４に戻り、第２計測ユニット９０は、熱処理ユニットＵ２（蓋部５５）に固定されていてもよい。第２計測ユニット９０は、例えば、複数のアンテナ９４と、線路９５と、を含む。複数のアンテナ９４は、第１計測ユニット７０の複数のアンテナ７４にそれぞれ対応する。複数のアンテナ９４の個数は、複数のアンテナ７４の個数（複数のＳＡＷセンサ８０の個数）に一致する。第１計測ユニット７０の保持部材７２が加熱処理部５１に支持され、処理空間Ｓが形成された状態（以下、「計測状態」という。）において、複数のアンテナ９４それぞれは、対応するアンテナ７４に対向している。この場合、加熱処理部５１の熱板５２に直交する方向（例えば、上下方向）から見て、アンテナ９４の少なくとも一部が、対応するアンテナ７４の少なくとも一部と重なっている。
　アンテナ９４は、ループアンテナであってもよい。環状のアンテナ９４の形状は、円形、楕円形、又は、四角形であってもよい。アンテナ９４の開口部分の大きさは、対応するアンテナ７４の開口部分の大きさに略一致してもよい。開口部分同士の大きさが略一致する場合、アンテナ９４の開口部分の大きさは、対応するアンテナ７４の開口部分の大きさの０．９５倍～１．０５倍である。図７に示されるように、複数のアンテナ９４は、天板５６（天板５６の下面）に取り付けられていてもよい。アンテナ９４は、その開口部分が天板５６の下面に沿うように形成されてもよい。なお、図７では、複数のアンテナ９４の一部（３個のアンテナ９４）が示されており、一部のアンテナ９４は省略されている。アンテナ９４は、金属導線であってもよく、ポリイミド等の耐熱性の樹脂基板又はシート上に環状に形成された回路パターンであってもよい。
　アンテナ７４及びアンテナ９４それぞれが、ループアンテナである場合、アンテナ７４とアンテナ９４との間では、磁気的結合（電磁誘導）によって信号が伝送される。また、アンテナ７４の開口の大半が、アンテナ９４の開口の大半と対向するように、アンテナ７４及びアンテナ９４が配置されてもよい。すなわち、上記計測状態において、アンテナ７４の開口の５０％～１００％が、アンテナ９４の開口の５０％～１００％と対向してもよい。上記計測状態において、アンテナ７４の開口の７０％～１００％が、アンテナ９４の開口の７０％～１００％と対向してもよく、アンテナ７４の開口の９０％～１００％が、アンテナ９４の開口の９０％～１００％と対向してもよい。
　線路９５は、複数のアンテナ９４のうちの１以上のアンテナ９４と、制御装置２０とを電気的に接続する接続線である。なお、複数のアンテナ９４と、制御装置２０とを電気的に接続するための線路が、線路９５以外にも設けられる。図７に示される例では、線路９５は、複数のアンテナ９４のうちの３個のアンテナ９４と制御装置２０とを電気的に接続する接続線として機能する。線路９５を介して、３個のアンテナ９４と制御装置２０との間で信号が伝送される。線路９５の一部は、同軸ケーブルであってもよく、マイクロストリップ線路であってもよい。線路９５のうちの一部は、天板５６の下面に沿って設けられてもよい。線路９５のうちの天板５６の下面に沿う部分は、マイクロストリップ線路であってもよい。
　図６において、線路９５のうちのマイクロストリップ線路である部分が、符号「９６」で示されている。マイクロストリップ線路９６は、誘電体９６ａ（誘電体基板）と、誘電体９６ａ上に形成されたストリップ導体９６ｂとを含む。ストリップ導体９６ｂに、１以上のアンテナ９４それぞれにおける一端が電気的に接続されている。アンテナ９４の他端は、接地電位に接続されてもよい。なお、線路９５のうちの天板５６の下面に沿う部分は、マイクロストリップ線路に代えて、金属導線であってもよい。天板５６の下面にガス吐出部５８が形成されている場合、図７に示されるように、線路９５のうちの天板５６の下面に沿う部分、及び、複数のアンテナ９４は、複数の吐出孔５８ａと干渉しないように設けられている。天板５６に、吐出孔５８ａに代えて又は加えて、１以上の排出孔（吸引孔）が設けられている場合、複数のアンテナ９４等は、１以上の排出孔に干渉しないように設けられてもよい。
　以上のように構成された温度計測装置２９では、複数のＳＡＷセンサ８０のそれぞれが、処理空間Ｓ（所定の空間）においてアンテナ７４及びアンテナ９４が対向した状態で、アンテナ７４及びアンテナ９４を介して上記入力信号の供給を受ける。また、複数のＳＡＷセンサ８０のそれぞれは、入力信号の供給を受けると、処理空間Ｓ内における周囲の温度（自身の周囲の温度）に応じた上記計測信号を出力する。アンテナ７４及びＳＡＷセンサ８０が保持部材７２に取り付けられている場合、加熱処理部５１に保持部材７２が支持された状態で、ＳＡＷセンサ８０は上記計測信号を出力する。上記計測状態では、アンテナ７４及びアンテナ９４は、加熱処理部５１の熱板５２に直交する方向（例えば、上下方向）において対向するように配置されている。熱板５２に直交する方向は、熱板５２の上面に対して垂直な方向に相当する。本開示における温度計測装置２９では、複数のアンテナ７４のうちの任意に選択された１つのアンテナ７４が第１アンテナを構成し、そのアンテナ７４に対応するアンテナ９４が第２アンテナを構成する。
　ＳＡＷセンサ８０に供給される入力信号の周波数は、０．２ＧＨｚ～１０ＧＨｚであってもよい。この場合、アンテナ７４及びアンテナ９４の間を伝搬する電波の周波数が、０．２ＧＨｚ～１０ＧＨｚである。入力信号の周波数は、０．４ＧＨｚ～６ＧＨｚであってもよく、０．６ＧＨｚ～３ＧＨｚであってもよい。入力信号の波長は、３０ｍｍ～１５００ｍｍであってもよく、５０ｍｍ～７５０ｍｍであってもよく、１００ｍｍ～５００ｍｍであってもよい。熱板５２に直交する方向（所定方向）での上記処理空間Ｓの大きさは、入力信号の波長の１／２以下であってもよい。熱板５２に直交する方向（所定方向）での上記処理空間Ｓの大きさは、１ｍｍ～１５ｍｍであってもよく、２ｍｍ～１３ｍｍであってもよく、３ｍｍ～１１ｍｍであってもよい。
　図８には、複数のＳＡＷセンサ８０のうちの３つのＳＡＷセンサ８０と、制御装置２０との間の接続状態が模式的に示されている。以下では、図８に示される３つのＳＡＷセンサ８０を個々に区別するために、符号「８０Ａ」、「８０Ｂ」、及び、「８０Ｃ」を用いる。また、ＳＡＷセンサ８０Ａに対応するアンテナ７４及びアンテナ９４をそれぞれ「アンテナ７４Ａ」及び「アンテナ９４Ａ」とする。ＳＡＷセンサ８０Ｂに対応するアンテナ７４及びアンテナ９４をそれぞれ「アンテナ７４Ｂ」及び「アンテナ９４Ｂ」とし、ＳＡＷセンサ８０Ｃに対応するアンテナ７４及びアンテナ９４をそれぞれ「アンテナ７４Ｃ」及び「アンテナ９４Ｃ」とする。
　ＳＡＷセンサ８０Ａは、処理空間Ｓにおいてアンテナ７４Ａ（第１アンテナ）がアンテナ９４Ａ（第２アンテナ）と対向した状態で、線路９５、アンテナ９４Ａ、及びアンテナ７４Ａを介して入力信号の供給を受ける。ＳＡＷセンサ８０Ｂ（別のアンテナ）は、処理空間Ｓにおいてアンテナ７４Ｂ（第３アンテナ）がアンテナ９４Ｂ（第４アンテナ）と対向した状態で、線路９５、アンテナ９４Ｂ、及びアンテナ７４Ｂを介して入力信号の供給を受ける。ＳＡＷセンサ８０Ｃは、処理空間Ｓにおいてアンテナ７４Ｃがアンテナ９４Ｃと対向した状態で、線路９５、アンテナ９４Ｃ、及びアンテナ７４Ｃを介して入力信号の供給を受ける。
　線路９５におけるアンテナ９４Ａへの分岐点９５ａ（第１分岐点）と、線路９５におけるアンテナ９４Ｂへの分岐点９５ｂ（第２分岐点）とは、線路９５上において隣り合っている。すなわち、分岐点９５ａ及び分岐点９５ｂの間には、他のアンテナ９４への分岐点が設けられていない。分岐点９５ｂと、線路９５におけるアンテナ９４Ｃへの分岐点９５ｃとは、線路９５上において隣り合っている。すなわち、分岐点９５ｂ及び分岐点９５ｃの間には、他のアンテナ９４への分岐点が設けられていない。
　分岐点９５ａ、分岐点９５ｂ、及び、分岐点９５ｃは、線路９５上において、制御装置２０から、この順に並んでいる。制御装置２０から送信される信号は、分岐点９５ａにおいて、アンテナ９４Ａに向かう信号と、アンテナ９４Ｂ及びアンテナ９４Ｃに向かう信号とに分岐する。分岐点９５ａからアンテナ９４Ｂ及びアンテナ９４Ｃに向かう信号は、分岐点９５ｂにおいて、アンテナ９４Ｂに向かう信号と、アンテナ９４Ｃに向かう信号とに分岐する。分岐点９５ｂからアンテナ９４Ｃに向かう信号は、分岐点９５ｃにおいて、アンテナ９４Ｃに向かう信号と、下流に向かう信号とに分岐する。
　制御装置２０からアンテナ９４Ａに向かう信号には、制御装置２０からアンテナ９４Ａまで直接向かう信号Ｉｄと、分岐点９５ａに隣り合う分岐点９５ｂで反射して（より詳細には、１回だけ反射して）アンテナ９４Ａに向かう信号Ｉｒとが含まれる。分岐点９５ａと分岐点９５ｂとの線路９５上における距離（以下、「距離Ｘａｂ」という。）は、分岐点９５ｂにおいて反射波（信号Ｉｒ）の位相が１８０°ずれることに起因して、信号同士が弱め合う現象が起きないような値に設定されてもよい。具体的には、距離Ｘａｂの２倍の値が、入力信号の波長のｎ倍（ｎは、１以上の整数）に略一致する値とは異なる値に設定されている。波長のｎ倍に略一致する値とは、波長をｎ倍して得られる値の０．９５倍～１．０５倍の値をいう。すなわち、距離Ｘａｂの２倍の値は、波長をｎ倍して得られる値の０．９５倍～１．０５倍の範囲と異なっていてもよい（上記範囲外であってもよい）。なお、後述の信号同士の干渉をより確実に避ける観点から、距離Ｘａｂの２倍の値は、波長をｎ倍して得られる値の０．９倍～１．１倍の範囲と異なっていてもよい。距離Ｘａｂの２倍の値が入力信号の波長のｎ倍である場合、信号Ｉｒが分岐点９５ａに戻ってきた際には、その位相は、波長を（ｎ＋１／２）倍した分だけずれており、元の信号Ｉｄと打ち消し合う（干渉し減衰する）現象が生じる。分岐点９５ｂと分岐点９５ｃとの線路９５上における距離の２倍の値も、入力信号の波長のｎ倍に略一致する値とは異なる値に設定されてもよい。
（計測処理部）
　制御装置２０は、塗布現像装置２を制御する機能に加えて、温度計測装置２９を制御して、温度を計測するための計測処理を実行する機能を有してもよい。制御装置２０は、例えば、機能上の構成として、計測処理部２６を有する。計測処理部２６は、複数のＳＡＷセンサ８０それぞれについて、アンテナ７４及びアンテナ９４を介して、ＳＡＷセンサ８０に入力信号を供給して計測信号を取得する。
　一例では、計測処理部２６は、線路９５、アンテナ９４Ａ及びアンテナ７４Ａを介して、ＳＡＷセンサ８０Ａに入力信号を供給して、ＳＡＷセンサ８０Ａから計測信号を取得する。計測処理部２６は、線路９５、アンテナ９４Ｂ及びアンテナ７４Ｂを介して、ＳＡＷセンサ８０Ｂに入力信号を供給して、ＳＡＷセンサ８０Ｂから計測信号（別の計測信号）を取得する。計測処理部２６は、線路９５、アンテナ９４Ｃ及びアンテナ７４Ｃを介して、ＳＡＷセンサ８０Ｃに入力信号を供給して、ＳＡＷセンサ８０Ｃから計測信号を取得する。
　計測処理部２６は、複数のＳＡＷセンサ８０それぞれについて、取得した計測信号から、ＳＡＷセンサ８０の周囲における温度を演算する。図９には、１つのＳＡＷセンサ８０に着目した場合での計測信号の一例が模式的に示されている。図９は、計測信号の強度の時間変化の一例を模式的に表すグラフである。図９に示されるグラフにおいて、「８６ａ」は、ＳＡＷセンサ８０の反射器８６ａで反射されて、計測処理部２６に入力される信号成分を表し、「８６ｂ」は、ＳＡＷセンサ８０の反射器８６ｂで反射されて、計測処理部２６に入力される信号成分を表す。温度が「Ｔ０」である場合の信号成分が実線で示されており、温度がＴ０とは異なる「Ｔ１」である場合の信号成分が破線で示されている。
　ＳＡＷセンサ８０において、電極８４と反射器８６ａとの間の距離と、電極８４と反射器８６ｂとの間の距離とは互いに異なっている。そのため、ＳＡＷセンサ８０の周囲の温度が同じ場合に、反射器８６ａでの反射に基づく信号成分と、反射器８６ｂでの反射に基づく信号成分との間で、計測処理部２６が受信するタイミングに差が生じる。これにより、計測処理部２６は、どの反射器での反射に基づく信号成分であるかを識別することができる。反射器８６ａ及び反射器８６ｂのいずれか一方の１つの反射器に着目したときに、温度がＴ０である場合と温度がＴ１である場合とで、上述したように、ＳＡＷの伝搬時間が異なり、計測処理部２６が受信するタイミングに差が生じ得る。
　計測処理部２６は、ＳＡＷセンサ８０の各反射器での反射に基づく信号成分を受信したタイミング（伝搬時間）に応じて温度を演算する。計測処理部２６は、信号成分を受信したタイミングに代えて、又は加えて、受信した信号成分の位相に応じて温度を演算してもよい。制御装置２０の記憶部２２は、複数のＳＡＷセンサ８０のそれぞれについて、各反射器での反射に基づく信号成分が戻ってくるタイミング（伝搬時間）及び位相の少なくとも一方と、温度との関係を示す情報を保持してもよい。同じ線路で入力信号が供給される複数のＳＡＷセンサ８０（例えば、ＳＡＷセンサ８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ）の間においても、入力信号を出力してから、各ＳＡＷセンサ８０での反射に基づく信号成分が戻ってくるまでのタイミングが異なっている。そのため、計測処理部２６は、どのＳＡＷセンサ８０からの信号成分であるかを識別することができる。
　複数のＳＡＷセンサ８０が保持部材７２上に点在している場合、計測処理部２６は、複数のＳＡＷセンサ８０それぞれでの周囲の温度を演算することで、ワークＷの主面に対応する面における温度分布を演算することができる。制御装置２０には、モニタ等の出力デバイスが接続されていてもよく、計測処理部２６は、複数のＳＡＷセンサ８０それぞれでの周囲の温度の演算結果を出力デバイスに出力してもよい。本開示では、計測処理部２６と、温度計測装置２９とによって、温度計測システムが構成される。なお、制御装置２０が計測処理部２６を有さずに、制御装置２０とは別のコンピュータが、計測処理部２６を有してもよい。
　図１０には、制御装置２０のハードウェア構成が例示されている。制御装置２０は、例えば、回路３０を有する。回路３０は、１つ又は複数のプロセッサ３２と、メモリ３４と、ストレージ３６と、入出力ポート３８と、タイマ３９とを有する。ストレージ３６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、上記塗布現像処理を塗布現像装置２に実行させるためのプログラム、及び、後述の温度計測方法を制御装置２０に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。
　メモリ３４は、ストレージ３６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ３２による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ３２は、メモリ３４と協働して上記プログラムを実行することで、制御装置２０が有する各機能モジュール（例えば、記憶部２２、処理制御部２４、及び、計測処理部２６）を構成する。入出力ポート３８は、プロセッサ３２からの指令に従って、熱処理ユニットＵ２及び温度計測装置２９の第２計測ユニット９０等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ３９は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。入出力ポート３８内、又は、入出力ポート３８の外には、ＳＡＷセンサ８０へ供給するための入力信号を生成する回路が設けられてもよい。
　制御装置２０が、複数のコンピュータで構成される場合、各機能モジュールがそれぞれ、個別のコンピュータによって実現されていてもよい。あるいは、これらの各機能モジュールがそれぞれ、２つ以上のコンピュータの組み合わせによって実現されていてもよい。これらの場合、複数のコンピュータは、互いに通信可能に接続された状態で、上記塗布現像処理及び後述の温度計測方法を連携して実行してもよい。なお、制御装置２０のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置２０の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application　Specific　Integrated　Circuit）により構成されていてもよい。
［温度計測方法］
　続いて、温度計測装置２９及び計測処理部２６を用いて実行される温度計測方法の一例について説明する。この温度計測方法は、温度を測定する対象の熱処理ユニットＵ２がワークＷに対する熱処理を実行していない期間に実行される。図１１は、温度計測方法の一例を示すフローチャートである。この温度計測方法では、蓋部５５が上方に移動して処理空間Ｓが形成されておらず、加熱処理部５１にいずれの部材及びワークＷが載置されていない状態で、最初にステップＳ１１が実行される。
　ステップＳ１１では、例えば、制御装置２０が、第１計測ユニット７０を加熱処理部５１にセットするように、搬送装置Ａ３及び熱処理ユニットＵ２を制御する。なお、装置による第１計測ユニット７０のセットに代えて、人手によって、第１計測ユニット７０が加熱処理部５１上にセットされてもよい。ステップＳ１１では、保持部材７２が水平となり、複数のＳＡＷセンサ８０及び複数のアンテナ７４が、加熱処理部５１の熱板５２と反対側を向くように、保持部材７２が、加熱処理部５１の複数の支持ピン５３の上に載置される。保持部材７２が複数の支持ピン５３の上に載置された状態において、保持部材７２の中心が、熱板５２の中心に略一致してもよい。
　次に、制御装置２０は、ステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、例えば、処理制御部２４が、蓋部５５を下降させて処理空間Ｓを形成するように熱処理ユニットＵ２を制御する。一例では、ステップＳ１２の実行前において、制御装置２０は、熱板５２による加熱を可能な状態に維持しており、処理空間Ｓが形成されることで、処理空間Ｓ内での熱処理が開始される。処理空間Ｓが形成されることで、保持部材７２に対する加熱が行われ、保持部材７２の周囲が、ワークＷに対する熱処理が行われる状態とほぼ同じ状態となる。また、蓋部５５を下降させて処理空間Ｓが形成されることで、蓋部５５に設けられた複数のアンテナ９４それぞれが、保持部材７２に取り付けられた対応するアンテナ７４に対向した状態となる。
　次に、制御装置２０は、ステップＳ１３，Ｓ１４を実行する。ステップＳ１３では、例えば、計測処理部２６が、所定の計測タイミングとなるまで待機する。計測タイミングは、オペレータにより予め設定されてもよい。ステップＳ１４では、例えば、計測処理部２６が、複数のＳＡＷセンサ８０それぞれについて、アンテナ９４及びアンテナ７４を介してＳＡＷセンサ８０に対して入力信号を供給して、ＳＡＷセンサ８０から計測信号を取得する。
　次に、制御装置２０は、ステップＳ１５，Ｓ１６を実行する。ステップＳ１５では、例えば、処理制御部２４が、所定の終了タイミングとなるまで待機する。終了タイミングは、ワークＷに対する熱処理を行う条件に定められた実行時間に合わせて、予め設定されていてもよい。ステップＳ１６では、例えば、処理制御部２４が、蓋部５５を上昇させて加熱処理部５１の上方の空間を開放するように熱処理ユニットＵ２を制御する。これにより、温度計測のための熱処理が終了する。
　次に、制御装置２０は、ステップＳ１７，Ｓ１８を実行する。ステップＳ１７では、例えば、計測処理部２６が、複数のＳＡＷセンサ８０のそれぞれについて、ステップＳ１４において得られた計測信号からＳＡＷセンサ８０の周囲の温度を演算する。これにより、保持部材７２の上面における温度分布が求められる。ステップＳ１８では、例えば、計測処理部２６が、ステップＳ１７で求めた温度分布を、制御装置２０に接続された出力デバイス等に出力する。ステップＳ１７，Ｓ１８の実行前後又は実行中において、搬送装置Ａ３を含む装置、又は人手によって、熱処理ユニットＵ２から第１計測ユニット７０が搬出されてもよい。以上の温度計測方法では、計測処理部２６は、加熱処理部５１に保持部材７２が支持され、加熱処理部５１による処理空間Ｓの加熱が行われている状態で、ＳＡＷセンサ８０から計測信号を取得する。
［変形例］
　上述した温度計測方法で実行される一連の処理は一例であり、適宜変更可能である。上記一連の処理において、制御装置２０は、１つのステップと次のステップとを並列に実行してもよく、上述した例とは異なる順序で各ステップを実行してもよい。制御装置２０は、いずれかのステップを省略してもよく、いずれかのステップにおいて上述の例とは異なる処理を実行してもよい。制御装置２０（計測処理部２６）は、複数回の計測タイミングで計測信号を取得するように、処理空間Ｓ内の加熱が行われている間において、ステップＳ１４を繰り返し実行してもよい。制御装置２０（計測処理部２６）は、処理空間Ｓが形成されて、熱処理が実行されている間において、計測信号から温度を演算してもよい。
　以上に例示した温度計測装置２９では、制御装置２０とＳＡＷセンサ８０との間の伝送路が不平衡回路であるが、当該伝送路が、平衡回路であってもよい。図１２には、制御装置２０とＳＡＷセンサ８０との間の伝送路が平衡回路である場合の温度計測装置２９の一部が模式的に示されている。この場合、制御装置２０とＳＡＷセンサ８０との間において、一対の導体を用いて信号が伝送される。
　温度計測装置２９は、線路９５に代えて線路９５Ａを有してもよい。線路９５Ａは、例えば、マイクロストリップ線路である。線路９５Ａでは、誘電体９６ａ上に、ストリップ導体９６ｃと、ストリップ導体９６ｄとが形成されている。ストリップ導体９６ｃ及びストリップ導体９６ｄは、制御装置２０と電気的に接続されている。線路９５Ａを有する第２計測ユニット９０では、アンテナ９４の一端がストリップ導体９６ｃに電気的に接続され、アンテナ９４の他端がストリップ導体９６ｄに電気的に接続される。
　線路９５Ａが用いられる場合でも、アンテナ７４とアンテナ９４とは対向して配置される。アンテナ７４の一端は、ＳＡＷセンサ８０の電極８４に含まれる電極８４ａ（一方の電極）に電気的に接続される。アンテナ７４の他端は、電極８４に含まれる電極８４ｂ（他方の電極）に電気的に接続される。制御装置２０と複数のＳＡＷセンサ８０それぞれとの間の伝送路を平衡回路で構成することによって、ノイズの影響が低減され得る。
　ストリップ導体９６ｃに流れる信号と、ストリップ導体９６ｄに流れる信号との位相差が１８０°となるように、線路９５Ａにおいて信号が伝送されてもよい。これにより、ストリップ導体９６ｃ及びストリップ導体９６ｄの間の信号の差分によって、最大振幅が２倍となり、また、両方のストリップ導体に同じノイズ成分が発生しても、信号が出力される際にはキャンセルされるため、高精度な温度計測が可能である。
　以上に例示した温度計測装置２９では、第１計測ユニット７０と第２計測ユニット９０との間では、磁気的結合（磁界結合）によって信号が伝送される。第１計測ユニット７０と第２計測ユニット９０との間において、磁気的結合に代えて、電気的結合（容量結合）によって信号が伝送されてもよい。図１３に示されるように、第１計測ユニット７０は、アンテナ７４に代えて、アンテナ７８Ｂａ（第１アンテナ）と、アンテナ７８Ｂｂ（第１アンテナ）とを有する。アンテナ７８Ｂａ及びアンテナ７８Ｂｂそれぞれは、ＳＡＷセンサ８０に電気的に接続されている。アンテナ７８Ｂａ及びアンテナ７８Ｂｂそれぞれは、金属板（金属製の平板）である。アンテナ７８Ｂａ及びアンテナ７８Ｂｂは、矩形状に形成されてもよい。
　第２計測ユニット９０は、線路９５及びアンテナ９４に代えて、線路９５Ｂを有する。線路９５Ｂは、線路９５Ａと同様に、誘電体９６ａと、ストリップ導体９６ｃと、ストリップ導体９６ｄと、を含む。また、線路９５Ｂは、ストリップ導体９６ｃに電気的に接続されたアンテナ９８Ｂａ（第２アンテナ）と、ストリップ導体９６ｄに電気的に接続されたアンテナ９８Ｂｂ（第２アンテナ）と、を含む。アンテナ９８Ｂａ及びアンテナ９８Ｂｂそれぞれは、金属板（金属製の平板）である。アンテナ９８Ｂａ及びアンテナ９８Ｂｂは、誘電体９６ａ上にストリップ導体と連続して形成されてもよい。アンテナ９８Ｂａ及びアンテナ９８Ｂｂは、矩形状に形成されてもよい。
　アンテナ７８Ｂａ，７８Ｂｂを含む第１計測ユニット７０が加熱処理部５１上にセットされた計測状態において、アンテナ７８Ｂａとアンテナ９８Ｂａとは平行な状態で対向しており、アンテナ７８Ｂｂとアンテナ９８Ｂｂとは平行な状態で対向している。アンテナ７８Ｂａの主面の大きさは、アンテナ９８Ｂａの主面の大きさに略一致してもよく、アンテナ７８Ｂｂの主面の大きさは、アンテナ９８Ｂｂの主面の大きさに略一致してもよい。アンテナ７８Ｂａの大半（主面の５０％～１００％）が、アンテナ９８Ｂａの大半（主面の５０％～１００％）と対向していてもよい。アンテナ７８Ｂｂの大半（主面の５０％～１００％）が、アンテナ９８Ｂｂの大半（主面の５０％～１００％）と対向していてもよい。
　図１３に示される第１計測ユニット７０及び第２計測ユニット９０では、アンテナ７８Ｂａ及びアンテナ９８Ｂａによって平行平板コンデンサが構成され、アンテナ７８Ｂｂ及びアンテナ９８Ｂｂによって平行平板コンデンサが構成される。平行平板コンデンサが構成されることで、アンテナ７８Ｂａ及びアンテナ９８Ｂａの間、及び、アンテナ７８Ｂｂ及びアンテナ９８Ｂｂの間において、電気的結合によって信号が伝送される。なお、本開示では、非接触で信号を伝送する部材をアンテナと定義し、平行平板コンデンサを構成する金属板もアンテナとして機能する。
　以上の説明では、熱処理装置として、基板処理システム１を例示したが、熱処理装置の構成は、上述した基板処理システム１に限られない。熱処理装置は、ワークＷを支持して加熱する熱処理ユニットと、温度計測装置２９（又は、温度計測装置２９及び計測処理部２６）と、を備えていれば、どのように構成されてもよい。以上に説明した種々の例のうちの１つの例において、他の例において説明した事項の少なくとも一部が適用されてもよい。
［まとめ］
　本開示は、以下の（１）～（１８）に記載の構成又は方法を含む。
　（１）外部から入力信号の供給を受けて周囲の温度に応じた計測信号を出力可能なＳＡＷセンサ８０，８０Ａと、ＳＡＷセンサ８０，８０Ａに電気的に接続されたアンテナ７４，７４Ａ，７８Ｂａ，７８Ｂｂ（第１アンテナ）と、を備え、ＳＡＷセンサ８０，８０Ａは、所定の空間においてアンテナ７４，７４Ａ，７８Ｂａ，７８Ｂｂがアンテナ９４，９４Ａ，９８Ｂａ，９８Ｂｂ（第２アンテナ）と対向した状態で、アンテナ７４，７４Ａ，７８Ｂａ，７８Ｂｂ及びアンテナ９４，９４Ａ，９８Ｂａ，９８Ｂｂを介して入力信号の供給を受けて、空間内における周囲の温度に応じた計測信号を出力するように構成されている、温度計測装置２９。
　従来から、熱処理を行うための空間にワークを配置し、熱処理が実行されている状態でワークの温度を計測する種々の方法が提案されている。これらの方法では、熱電対、ＲＴＤ、又はＣＭＯＳ温度センサ等がワークの上に設置されて、ワークの温度が計測される。これらの方法において、温度を計測するセンサ等の出力を取得するために非接触での信号伝送手段を用いる場合、制御回路及びバッテリ（駆動源）が必要となり、制御回路等の耐熱性の問題から高温環境下での計測が困難である。そこで、高温環境下でも簡便に計測を行うために、アンテナを介して外部から信号の供給を受けて温度の計測を行うＳＡＷセンサを用いることも考えられる。しかしながら、アンテナを介して伝搬する信号の波長よりも空間が小さいと、伝搬する信号が減衰し、高精度な計測結果を得ることが困難である。これに対して、上記温度計測装置では、ＳＡＷセンサ８０が用いられることで、制御回路等を空間に配置する必要がない。更に、空間内でアンテナ同士が対向して配置されることで、空間内でのアンテナ間での信号の減衰が抑制され、高精度な計測結果を得ることが可能である。従って、本温度計測装置は、高温環境下でも非接触での信号伝送手段を用いて空間内の温度を高精度に計測できるので、空間内の温度を簡便に計測するのに有用である。
　（２）アンテナ７４，７８Ｂａ，７８Ｂｂとアンテナ９４，９８Ｂａ，９８Ｂｂとの間では、電気的結合又は磁気的結合によって信号が伝送される、上記（１）に記載の温度計測装置２９。
　この場合、ＳＡＷセンサ８０との間の線路の一部において、非接触で信号を伝送することができる。なお、磁気的結合によって信号が伝送される場合には、ＳＡＷセンサ８０との間で信号を伝送するための回路を小型化できる。
　（３）アンテナ９４を更に備え、アンテナ７４及びアンテナ９４それぞれは、ループアンテナであり、アンテナ９４の開口の大半が、アンテナ９４の開口の大半と対向するように、アンテナ７４及びアンテナ９４が配置される、上記（２）に記載の温度計測装置２９。
　この構成では、上記小さい空間が金属製の部材によって形成されている場合でも、アンテナ間の信号の減衰がより確実に抑制される。従って、ＳＡＷセンサ８０を用いた高精度な温度計測を行うことができる。
　（４）ＳＡＷセンサ８０とアンテナ７４とが取り付けられた板状の保持部材７２を更に備える、上記（１）～（３）のいずれか１つに記載の温度計測装置２９。
　この場合、保持部材７２を空間に配置することで、ＳＡＷセンサ８０による温度の計測が可能な状態となる。従って、ＳＡＷセンサ８０を用いての温度計測を簡便化することができる。
　（５）上記空間は、ワークＷを加熱するための処理空間Ｓであり、ＳＡＷセンサ８０は、処理空間ＳにおいてワークＷを支持して加熱する加熱処理部５１に保持部材７２が支持された状態で、計測信号を出力するように構成されている、上記（４）に記載の温度計測装置２９。
　この場合、ワークＷに対する熱処理が行われていない状態でも、熱処理中でのワークＷの温度に対応する温度を計測することができる。
　（６）上記空間は、ワークＷを加熱するための処理空間Ｓであり、アンテナ７４とアンテナ９４とは、処理空間ＳにおいてワークＷを支持して加熱する加熱処理部５１に含まれる熱板５２に直交する所定方向において対向するように配置され、入力信号の周波数は、０．２ＧＨｚ～１０ＧＨｚであり、所定方向での処理空間Ｓの大きさは、入力信号の波長の１／２以下である、上記（１）～（５）のいずれか１つに記載の温度計測装置２９。
　熱板５２に直交する方向での処理空間Ｓの大きさが小さいことに起因して、アンテナ間を伝搬する信号が減衰し得る。これに対して、上記構成では、アンテナ同士が対向して配置されて温度の計測が行われるので、上記方向での処理空間Ｓの大きさが小さくても、信号の減衰の程度が小さくなり、高精度な計測を行うことができる。
　（７）アンテナ９４Ａと、外部から入力信号の供給を受けて周囲の温度を示す別の計測信号を出力するＳＡＷセンサ８０Ｂ（別のＳＡＷセンサ）と、ＳＡＷセンサ８０Ｂに電気的に接続されたアンテナ７４Ｂ（第３アンテナ）と、アンテナ９４Ａと線路９５を介して電気的に接続されたアンテナ９４Ｂ（第４アンテナ）と、を更に備え、ＳＡＷセンサ８０Ｂは、上記空間においてアンテナ７４Ｂがアンテナ９４Ｂと対向した状態で、アンテナ７４Ｂ及びアンテナ９４Ｂを介して入力信号の供給を受けて、空間内における周囲の温度に応じた上記別の計測信号を出力するように構成されており、線路９５におけるアンテナ９４Ａへの分岐点９５ａ（第１分岐点）と、線路９５におけるアンテナ９４Ｂへの分岐点９５ｂ（第２分岐点）とは、線路９５上において隣り合っており、分岐点９５ａと分岐点９５ｂとの線路９５上における距離Ｘａｂの２倍の値が、入力信号の波長のｎ倍（ｎは、１以上の整数）と略一致する値とは異なる値に設定されている、上記（１）～（６）のいずれか１つに記載の温度計測装置２９。
　分岐点９５ａと分岐点９５ｂとの線路９５上における距離の２倍の値が、入力信号の波長のｎ倍と略一致すると、分岐点９５ａからアンテナ９４Ａに直接供給される信号が、分岐点９５ｂにおいて反射してアンテナ９４Ａに入力される信号との干渉により減衰し得る。これに対して、上記構成では、距離Ｘａｂの２倍の値が、入力信号の波長をｎ倍した値と略一致しないので、隣り合う分岐点での反射に起因した信号の減衰が生じ難い。従って、高精度な温度計測に有用である。
　（８）アンテナ９４，９４Ａ，９８Ｂａ，９８Ｂｂを更に備え、上記空間は、ワークＷを加熱するための処理空間Ｓであり、アンテナ９４，９４Ａ，９８Ｂａ，９８Ｂｂは、処理空間Ｓを形成し、処理空間ＳにおいてワークＷを支持して加熱する加熱処理部５１を覆う天板５６に取り付けられている、上記（１）～（７）のいずれか１つに記載の温度計測装置２９。
　この場合、処理空間Ｓ内の温度を計測する度に、アンテナ９４，９４Ａを処理空間Ｓにセットする必要がない。従って、ＳＡＷセンサ８０を用いた処理空間Ｓ内の温度計測の簡便化に有用である。
　（９）処理空間ＳにおいてワークＷを支持して加熱する加熱処理部５１と、処理空間Ｓにおいて、外部から入力信号の供給を受けて周囲の温度に応じた計測信号を出力するＳＡＷセンサ８０，８０Ａと、処理空間Ｓに配置され、ＳＡＷセンサ８０，８０Ａに電気的に接続されたアンテナ７４，７４Ａ，７８Ｂａ，７８Ｂｂ（第１アンテナ）と、処理空間Ｓに配置され、アンテナ７４，７４Ａと離れた状態で対向するアンテナ９４，９４Ａ，９８Ｂａ，９８Ｂｂ（第２アンテナ）と、アンテナ７４，７４Ａ，７８Ｂａ，７８Ｂｂ及びアンテナ９４，９４Ａ，９８Ｂａ，９８Ｂｂを介して、ＳＡＷセンサ８０，８０Ａに入力信号を供給して計測信号を取得する計測処理部２６と、を備える熱処理装置。
　この熱処理装置では、上記（１）に記載の温度計測装置２９と同様に、高温環境下でも無線通信を用いて処理空間Ｓ内の温度を高精度に計測できる。従って、空間内の温度を簡便に計測するのに有用である。
　（１０）アンテナ７４，７４Ａ，７８Ｂａ，７８Ｂｂとアンテナ９４，９４Ａ，９８Ｂａ，９８Ｂｂとの間では、磁気的結合又は電気的結合によって信号が伝送される、上記（９）に記載の熱処理装置。
　この場合、計測処理部２６とＳＡＷセンサ８０との間の線路の一部において、非接触で信号を伝送することができる。なお、磁気的結合によって信号が伝送される場合には、計測処理部２６とＳＡＷセンサ８０との間で信号を伝送するための回路を小型化できる。
　（１１）アンテナ７４，７４Ａ及びアンテナ９４，９４Ａそれぞれは、ループアンテナであり、アンテナ７４，７４Ａの開口の大半が、アンテナ９４，９４Ａの開口の大半と対向するように、アンテナ７４，７４Ａ及びアンテナ９４，９４Ａが配置される、上記（１０）に記載の熱処理装置。
　上記構成では、処理空間Ｓが小さく、且つ、金属製の部材によって構成されている場合でも、アンテナ間の信号の減衰がより確実に抑制される。従って、ＳＡＷセンサ８０を用いた高精度な温度計測を行うことができる。
　（１２）ＳＡＷセンサ８０とアンテナ７４，７４Ａとが取り付けられた板状の保持部材７２を更に備え、計測処理部２６は、加熱処理部５１に保持部材７２が支持された状態で、ＳＡＷセンサ８０から計測信号を取得する、上記（９）～（１１）のいずれか１つに記載の熱処理装置。
　この場合、保持部材７２を空間に配置することで、ＳＡＷセンサ８０による温度の計測が可能な状態となる。従って、ＳＡＷセンサ８０を用いての温度計測を簡便化することができる。
　（１３）計測処理部２６は、加熱処理部５１に保持部材７２が支持され、加熱処理部５１による処理空間Ｓ内の加熱が行われている状態で、ＳＡＷセンサ８０，８０Ａから計測信号を取得する、上記（１２）に記載の熱処理装置。
　この場合、ワークＷに対する熱処理が行われていない状態でも、熱処理中でのワークＷの温度に対応する温度を計測することができる。
　（１４）アンテナ７４，７４Ａとアンテナ９４，９４Ａとは、加熱処理部５１に含まれる熱板５２に直交する所定方向において対向するように配置され、入力信号の周波数は、０．２ＧＨｚ～１０ＧＨｚであり、上記所定方向での処理空間Ｓの大きさは、入力信号の波長の１／２以下である、上記（９）～（１３）のいずれか１つに記載の熱処理装置。
　熱板５２に直交する方向での処理空間Ｓの大きさが小さいことに起因して、アンテナ間を伝搬する信号が減衰し得る。これに対して、上記構成では、アンテナ同士が対向して配置されて温度の計測が行われるので、上記方向での処理空間Ｓの大きさが小さくても、信号の減衰の程度が小さくなり、高精度な計測を行うことができる。
　（１５）処理空間Ｓにおいて、外部から信号の供給を受けて周囲の温度を示す信号を出力するＳＡＷセンサ８０Ｂ（別のＳＡＷセンサ）と、処理空間Ｓに配置され、ＳＡＷセンサ８０Ｂに電気的に接続されたアンテナ７４Ｂ（第３アンテナ）と、処理空間Ｓに配置され、アンテナ７４Ｂと離れた状態で対向するアンテナ９４Ｂ（第４アンテナ）と、計測処理部２６と、アンテナ９４Ａ及びアンテナ９４Ｂとの間を電気的に接続する線路９５と、を更に備え、線路９５におけるアンテナ９４Ａへの分岐点９５ａ（第１分岐点）と、線路９５におけるアンテナ９４Ｂへの分岐点９５ｂ（第２分岐点）とは、線路９５上において隣り合っており、分岐点９５ａと分岐点９５ｂとの線路９５上における距離Ｘａｂの２倍の値が、入力信号の波長のｎ倍（ｎは、１以上の整数）と略一致する値とは異なる値に設定されている、上記（９）～（１４）のいずれか１つに記載の熱処理装置。
　分岐点９５ａと分岐点９５ｂとの線路９５上における距離の２倍の値が、入力信号の波長のｎ倍と略一致すると、分岐点９５ａからアンテナ９４Ａに直接供給される信号が、分岐点９５ｂにおいて反射してアンテナ９４Ａに入力される信号との干渉により減衰し得る。これに対して、上記構成では、距離Ｘａｂの２倍の値が、入力信号の波長をｎ倍した値と略一致しないので、隣り合う分岐点での反射に起因した信号の減衰が生じ難い。従って、高精度な温度計測に有用である。
　（１６）処理空間Ｓを形成し、加熱処理部５１を覆う天板５６を更に備え、アンテナ９４，９４Ａは、天板５６に取り付けられている、上記（９）～（１５）のいずれか１つに記載の熱処理装置。
　この場合、処理空間Ｓ内の温度を計測する度に、アンテナ９４，９４Ａを処理空間Ｓにセットする必要がない。従って、ＳＡＷセンサ８０を用いた処理空間Ｓ内の温度計測の簡便化に有用である。
　（１７）外部から入力信号の供給を受けて周囲の温度に応じた計測信号を出力可能なＳＡＷセンサ８０と、ＳＡＷセンサ８０に電気的に接続されたアンテナ７４（第１アンテナ）とを、所定の空間に配置することと、上記空間においてアンテナ７４がアンテナ９４（第２アンテナ）と対向した状態で、アンテナ７４及びアンテナ９４を介してＳＡＷセンサ８０に入力信号を供給することと、入力信号が供給されたＳＡＷセンサ８０から、上記空間内における周囲の温度に応じた計測信号を取得することと、を含む温度計測方法。
　この温度計測方法では、上記（１）に記載の温度計測装置２９と同様に、高温環境下でも無線通信を用いて所定の空間内の温度を高精度に計測できる。従って、空間内の温度を簡便に計測するのに有用である。
　（１８）上記空間は、ワークＷを加熱するための処理空間Ｓである、上記（１７）に記載の温度計測方法。
　ワークＷを加熱するための処理空間Ｓは、ワークＷを加熱する際に高温状態となる。上記方法では、高温環境下でも無線通信を用いて高精度に温度を計測できるので、ワークＷを加熱するための環境下での簡便な計測を行うことができる。
　１…基板処理システム、２…塗布現像装置、Ｕ２…熱処理ユニット、２０…制御装置、５１…加熱処理部、５２…熱板、５５…蓋部、５６…天板、Ｓ…処理空間、２９…温度計測装置、７０…第１計測ユニット、７４，７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃ，７８Ｂａ，７８Ｂｂ…アンテナ、８０，８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ…ＳＡＷセンサ、９０…第２計測ユニット、９４，９４Ａ，９４Ｂ，９４Ｃ，９８Ｂａ，９８Ｂｂ…アンテナ、９５…線路、９５ａ，９５ｂ，９５ｃ…分岐点。

Claims (18)

  1. 　外部から入力信号の供給を受けて周囲の温度に応じた計測信号を出力可能なＳＡＷセンサと、
    　前記ＳＡＷセンサに電気的に接続された第１アンテナと、を備え、
    　前記ＳＡＷセンサは、所定の空間において前記第１アンテナが第２アンテナと対向した状態で、前記第１アンテナ及び前記第２アンテナを介して前記入力信号の供給を受けて、前記空間内における周囲の温度に応じた前記計測信号を出力するように構成されている、温度計測装置。
  2. 　前記第１アンテナと前記第２アンテナとの間では、電気的結合又は磁気的結合によって信号が伝送される、請求項１に記載の温度計測装置。
  3. 　前記第２アンテナを更に備え、
    　前記第１アンテナ及び前記第２アンテナそれぞれは、ループアンテナであり、
    　前記第１アンテナの開口の大半が、前記第２アンテナの開口の大半と対向するように、前記第１アンテナ及び前記第２アンテナが配置される、請求項２に記載の温度計測装置。
  4. 　前記ＳＡＷセンサと前記第１アンテナとが取り付けられた板状の保持部材を更に備える、請求項１～３のいずれか一項に記載の温度計測装置。
  5. 　前記空間は、基板を加熱するための処理空間であり、
    　前記ＳＡＷセンサは、前記処理空間において前記基板を支持して加熱する加熱処理部に前記保持部材が支持された状態で、前記計測信号を出力するように構成されている、請求項４に記載の温度計測装置。
  6. 　前記空間は、基板を加熱するための処理空間であり、
    　前記第１アンテナと前記第２アンテナとは、前記処理空間において前記基板を支持して加熱する加熱処理部に含まれる熱板に直交する所定方向において対向するように配置され、
    　前記入力信号の周波数は、０．２ＧＨｚ～１０ＧＨｚであり、
    　前記所定方向での前記処理空間の大きさは、前記入力信号の波長の１／２以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載の温度計測装置。
  7. 　前記第２アンテナと、
    　外部から前記入力信号の供給を受けて周囲の温度を示す別の計測信号を出力する別のＳＡＷセンサと、
    　前記別のＳＡＷセンサに電気的に接続された第３アンテナと、
    　前記第２アンテナと線路を介して電気的に接続された第４アンテナと、を更に備え、
    　前記別のＳＡＷセンサは、前記空間において前記第３アンテナが前記第４アンテナと対向した状態で、前記第３アンテナ及び前記第４アンテナを介して前記入力信号の供給を受けて、前記空間内における周囲の温度に応じた前記別の計測信号を出力するように構成されており、
    　前記線路における前記第２アンテナへの第１分岐点と、前記線路における前記第４アンテナへの第２分岐点とは、前記線路上において隣り合っており、
    　前記第１分岐点と前記第２分岐点との前記線路上における距離の２倍の値が、前記入力信号の波長のｎ倍（ｎは、１以上の整数）と略一致する値とは異なる値に設定されている、請求項１又は２に記載の温度計測装置。
  8. 　前記第２アンテナを更に備え、
    　前記空間は、基板を加熱するための処理空間であり、
    　前記第２アンテナは、前記処理空間を形成し、前記処理空間において前記基板を支持して加熱する加熱処理部を覆う天板に取り付けられている、請求項１又は２に記載の温度計測装置。
  9. 　処理空間において基板を支持して加熱する加熱処理部と、
    　前記処理空間において、外部から入力信号の供給を受けて周囲の温度に応じた計測信号を出力するＳＡＷセンサと、
    　前記処理空間に配置され、前記ＳＡＷセンサに電気的に接続された第１アンテナと、
    　前記処理空間に配置され、前記第１アンテナと離れた状態で対向する第２アンテナと、
    　前記第１アンテナ及び前記第２アンテナを介して、前記ＳＡＷセンサに前記入力信号を供給して前記計測信号を取得する計測処理部と、を備える熱処理装置。
  10. 　前記第１アンテナと前記第２アンテナとの間では、電気的結合又は磁気的結合によって信号が伝送される、請求項９に記載の熱処理装置。
  11. 　前記第１アンテナ及び前記第２アンテナそれぞれは、ループアンテナであり、
    　前記第１アンテナの開口の大半が、前記第２アンテナの開口の大半と対向するように、前記第１アンテナ及び前記第２アンテナが配置される、請求項１０に記載の熱処理装置。
  12. 　前記ＳＡＷセンサと前記第１アンテナとが取り付けられた板状の保持部材を更に備え、
    　前記計測処理部は、前記加熱処理部に前記保持部材が支持された状態で、前記ＳＡＷセンサから前記計測信号を取得する、請求項９～１１のいずれか一項に記載の熱処理装置。
  13. 　前記計測処理部は、前記加熱処理部に前記保持部材が支持され、前記加熱処理部による前記処理空間内の加熱が行われている状態で、前記ＳＡＷセンサから前記計測信号を取得する、請求項１２に記載の熱処理装置。
  14. 　前記第１アンテナと前記第２アンテナとは、前記加熱処理部に含まれる熱板に直交する所定方向において対向するように配置され、
    　前記入力信号の周波数は、０．２ＧＨｚ～１０ＧＨｚであり、
    　前記所定方向での前記処理空間の大きさは、前記入力信号の波長の１／２以下である、請求項９～１１のいずれか一項に記載の熱処理装置。
  15. 　前記処理空間において、外部から信号の供給を受けて周囲の温度を示す信号を出力する別のＳＡＷセンサと、
    　前記処理空間に配置され、前記別のＳＡＷセンサに電気的に接続された第３アンテナと、
    　前記処理空間に配置され、前記第３アンテナと離れた状態で対向する第４アンテナと、
    　前記計測処理部と、前記第２アンテナ及び前記第４アンテナとの間を電気的に接続する線路と、を更に備え、
    　前記線路における前記第２アンテナへの第１分岐点と、前記線路における前記第４アンテナへの第２分岐点とは、前記線路上において隣り合っており、
    　前記第１分岐点と前記第２分岐点との前記線路上における距離の２倍の値が、前記入力信号の波長のｎ倍（ｎは、１以上の整数）と略一致する値とは異なる値に設定されている、請求項９～１１のいずれか一項に記載の熱処理装置。
  16. 　前記処理空間を形成し、前記加熱処理部を覆う天板を更に備え、
    　前記第２アンテナは、前記天板に取り付けられている、請求項９～１１のいずれか一項に記載の熱処理装置。
  17. 　外部から入力信号の供給を受けて周囲の温度に応じた計測信号を出力可能なＳＡＷセンサと、前記ＳＡＷセンサに電気的に接続された第１アンテナとを、所定の空間に配置することと、
    　前記空間において前記第１アンテナが第２アンテナと対向した状態で、前記第１アンテナ及び前記第２アンテナを介して前記ＳＡＷセンサに前記入力信号を供給することと、
    　前記入力信号が供給された前記ＳＡＷセンサから、前記空間内における周囲の温度に応じた前記計測信号を取得することと、を含む温度計測方法。
  18. 　前記空間は、基板を加熱するための処理空間である、請求項１７に記載の温度計測方法。

     
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